WO2018173754A1

WO2018173754A1 - 積層型撮像素子及び固体撮像装置

Info

Publication number: WO2018173754A1
Application number: PCT/JP2018/008771
Authority: WO
Inventors: 健太郎秋山; 山崎　知洋; 晋太郎平田
Original assignee: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date: 2017-03-24
Filing date: 2018-03-07
Publication date: 2018-09-27
Also published as: US20200076999A1; US11044387B2

Abstract

積層型撮像素子は、偏光子２１、及び、積層された複数の光電変換部１０から構成されており、偏光子２１と複数の光電変換部１０とは、偏光子２１が複数の光電変換部１０よりも光入射側に配設された状態で積層されている。

Description

積層型撮像素子及び固体撮像装置

　本開示は、積層型撮像素子及び固体撮像装置に関する。

　ワイヤグリッド偏光素子（Wire Grid Polarizer，ＷＧＰ）が設けられた撮像素子を複数有する固体撮像装置が、例えば、特開２０１５－０４１７９３号公報から周知である。撮像素子は、例えば、ＣＣＤ素子（Charge Coupled Device：電荷結合素子）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor：相補性金属酸化膜半導体）イメージセンサーから成る。ワイヤグリッド偏光素子は、ライン・アンド・スペース構造を有する。ライン・アンド・スペース構造の延びる方向を、便宜上、『第１の方向』と呼び、ライン部の繰り返し方向（第１の方向と直交する方向）を、便宜上、『第２の方向』と呼ぶ。

　ここで、特開２０１５－０４１７９３号公報に開示された撮像装置は、
　入射光に対して光電変換を行うと共に入射光の一部を透過可能な光電変換膜を備える第１の撮像面２、
　第１の撮像面を透過した入射光に対して光電変換を行う光電変換層を備える第２の撮像面３、及び、
　これら２つの撮像面２，３の間に配置され、第１の撮像面２を透過した入射光から偏光情報を抽出する偏光フィルタ４、
を備えている。

　図１２０に概念図を示すように、ワイヤグリッドの形成ピッチＰ₀が入射する電磁波の波長λ₀よりも有意に小さい場合、ワイヤグリッドの延在方向（第１の方向）に平行な平面で振動する電磁波は、選択的にワイヤグリッドにて反射・吸収される。ここで、ライン部とライン部との間の距離（第２の方向に沿ったスペース部の距離、長さ）を、ワイヤグリッドの形成ピッチＰ₀とする。すると、図１２０に示すように、ワイヤグリッド偏光素子に到達する電磁波（光）には縦偏光成分と横偏光成分が含まれるが、ワイヤグリッド偏光素子を通過した電磁波は縦偏光成分が支配的な直線偏光となる。ここで、可視光波長帯に着目して考えた場合、ワイヤグリッドの形成ピッチＰ₀がワイヤグリッド偏光素子へ入射する電磁波の実効波長λ_effよりも有意に小さい場合、第１の方向に平行な面に偏った偏光成分はワイヤグリッドの表面で反射若しくは吸収される。一方、第２の方向に平行な面に偏った偏光成分を有する電磁波がワイヤグリッドに入射すると、ワイヤグリッドの表面を伝播した電場がワイヤグリッドの裏面から入射波長と同じ波長、同じ偏光方位のまま透過（出射）する。ここで、スペース部に存在する物質に基づき求められた平均屈折率をｎ_aveとしたとき、実効波長λ_effは、（λ₀／ｎ_ave）で表される。平均屈折率ｎ_aveとは、スペース部において存在する物質の屈折率と体積の積を加算して、スペース部の体積で除した値である。波長λ₀の値を一定とした場合、ｎ_aveの値が小さいほど、実効波長λ_effの値は大きくなり、従って、形成ピッチＰ₀の値を大きくすることができる。また、ｎ_aveの値が大きくなるほど、ワイヤグリッド偏光素子における透過率の低下、消光比の低下を招く。

　光電変換層に有機半導体材料を用いる撮像素子は、特定の色（波長帯）を光電変換することが可能である。そして、このような特徴を有するが故に、固体撮像装置における撮像素子として用いる場合、オンチップ・カラーフィルタ層（ＯＣＣＦ）と撮像素子との組合せから副画素が成り、副画素が２次元配列されている、従来の固体撮像装置では不可能な、副画素を積層した構造（積層型撮像素子）を得ることが可能である（例えば、特開２０１１－１３８９２７号公報参照）。また、デモザイク処理を必要としないことから、偽色が発生しないといった利点がある。以下の説明において、半導体基板の上あるいは上方に設けられた光電変換部を備えた撮像素子を、便宜上、『第１タイプの撮像素子』と呼び、第１タイプの撮像素子を構成する光電変換部を、便宜上、『第１タイプの光電変換部』と呼び、半導体基板内に設けられた撮像素子を、便宜上、『第２タイプの撮像素子』と呼び、第２タイプの撮像素子を構成する光電変換部を、便宜上、『第２タイプの光電変換部』と呼ぶ場合がある。

　図１２１に従来の積層型撮像素子（積層型固体撮像装置）の構成例を示す。図１２１に示す例では、半導体基板３７０内に、第２タイプの撮像素子である第３撮像素子３３０及び第２撮像素子３２０を構成する第２タイプの光電変換部である第３光電変換部３３１及び第２光電変換部３２１が積層され、形成されている。また、半導体基板３７０の上方（具体的には、第２撮像素子３２０の上方）には、第１タイプの光電変換部である第１光電変換部３１１が配置されている。ここで、第１光電変換部３１１は、第１電極３１１、有機材料から成る光電変換層３１３、第２電極３１２を備えており、第１タイプの撮像素子である第１撮像素子３１０を構成する。第２光電変換部３２１及び第３光電変換部３３１においては、吸収係数の違いにより、それぞれ、例えば、青色光及び赤色光が光電変換される。また、第１光電変換部３１１においては、例えば、緑色光が光電変換される。

　第２光電変換部３２１及び第３光電変換部３３１において光電変換によって生成した電荷は、これらの第２光電変換部３２１及び第３光電変換部３３１に一旦蓄積された後、それぞれ、縦型トランジスタ（ゲート部３２２を図示する）と転送トランジスタ（ゲート部３３２を図示する）によって第２浮遊拡散層（Floating Diffusion）ＦＤ₂及び第３浮遊拡散層ＦＤ₃に転送され、更に、外部の読み出し回路（図示せず）に出力される。これらのトランジスタ及び浮遊拡散層ＦＤ₂，ＦＤ₃も半導体基板３７０に形成されている。

　第１光電変換部３１１において光電変換によって生成した電荷は、コンタクトホール部３６１、配線層３６２を介して、半導体基板３７０に形成された第１浮遊拡散層ＦＤ₁に蓄積される。また、第１光電変換部３１１は、コンタクトホール部３６１、配線層３６２を介して、電荷量を電圧に変換する増幅トランジスタのゲート部３１８にも接続されている。そして、第１浮遊拡散層ＦＤ₁は、リセット・トランジスタ（ゲート部３１７を図示する）の一部を構成している。参照番号３７１は素子分離領域であり、参照番号３７２は半導体基板３７０の表面に形成された酸化膜であり、参照番号３７６，３８１は層間絶縁層であり、参照番号３８３は絶縁層であり、参照番号３９０はオンチップ・マイクロ・レンズである。

特開２０１５－０４１７９３号公報特開２０１１－１３８９２７号公報

　ところで、特開２０１５－０４１７９３号公報に開示された撮像装置にあっては、２つの撮像面２，３の間に偏光フィルタ４が配置されているので、偏光フィルタ４を透過した光の感度向上は不可能である。即ち、可視光領域の撮像信号が無くなるので、被写体によっては、色情報と偏光情報を伴った感度向上が困難になる。また、第２の撮像面３を構成する光電変換層の厚さを厚くすることで偏光フィルタ４を透過した光に対する感度を向上させる場合、光電変換される光の波長帯域を分離することができないため、即ち、単一の光電変換層であるが故に、分離するにはフィルター等で平面的に分割する必要があり、単位面積当たりで考えると感度が減少するため、偏光情報と画像情報の両方を取得する場合、画像情報の色再現性が低下してしまう。一方、図１２１に従来の積層型撮像素子（積層型固体撮像装置）にあっては、第２光電変換部３２１及び第３光電変換部３３１において光電変換によって生成した電荷は、第２光電変換部３２１及び第３光電変換部３３１に一旦蓄積された後、第２浮遊拡散層ＦＤ₂及び第３浮遊拡散層ＦＤ₃に転送される。それ故、第２光電変換部３２１及び第３光電変換部３３１を完全空乏化することができる。しかしながら、第１光電変換部３１１において光電変換によって生成した電荷は、直接、第１浮遊拡散層ＦＤ₁に蓄積される。それ故、第１光電変換部３１１を完全空乏化することは困難である。そして、以上の結果、ｋＴＣノイズが大きくなり、ランダムノイズが悪化し、撮像画質の低下をもたらす場合がある。

　従って、本開示の目的は、感度向上と分光改善が可能であり、しかも、高精度の偏光情報取得と良好な撮像特性の両立を達成し得る構成、構造を有する積層型撮像素子及び固体撮像装置を提供することにある。

　上記の目的を達成するための本開示の積層型撮像素子は、
　偏光子、及び、積層された複数の光電変換部から構成されており、
　偏光子と複数の光電変換部とは、偏光子が複数の光電変換部よりも光入射側に配設された状態で積層されている。

　上記の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る固体撮像装置は、積層型撮像素子が、２次元マトリクス状に配列されて成る固体撮像装置であって、
　各積層型撮像素子は、偏光子、及び、積層された複数の光電変換部から構成されており、
　各積層型撮像素子を構成する偏光子と複数の光電変換部とは、偏光子が複数の光電変換部よりも光入射側に配設された状態で積層されている。

　上記の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る固体撮像装置は、
　２×２に配列された第１積層型撮像素子、第２積層型撮像素子、第３積層型撮像素子及び第４積層型撮像素子の４つの積層型撮像素子から構成された撮像素子ユニットが、２次元マトリクス状に配列されて成る固体撮像装置であって、
　各撮像素子ユニットは、更に、少なくとも第４積層型撮像素子の光入射側に偏光子を備えている。

　本開示の積層型撮像素子、本開示の第１の態様～第２の態様に係る固体撮像装置は、偏光子、及び、積層された複数の光電変換部を有し、偏光子は積層型撮像素子の光入射側に配設されているので、波長領域全ての偏光情報を取得しつつ、輝度向上のために光の波長帯を拡大して利用できるが故に、感度向上と分光改善を達成することができる結果、高精度の偏光情報取得と良好な撮像特性の両立を図ることができる。尚、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また、付加的な効果があってもよい。

図１は、実施例１の積層型撮像素子の模式的な一部断面図である。図２は、実施例１の積層型撮像素子の変形例の模式的な一部断面図である。図３は、実施例１の積層型撮像素子の等価回路図である。図４Ａ並びに図４Ｂは、それぞれ、実施例１における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成するカラーフィルタ層等の模式的な配置図、並びに、偏光子の模式的な配置図である。図５Ａ並びに図５Ｂは、それぞれ、実施例１における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成する上層光電変換部の模式的な配置図、並びに、下層光電変換部の模式的な配置図である。図６Ａ並びに図６Ｂは、それぞれ、実施例１の第１変形例における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成するカラーフィルタ層等の模式的な配置図、並びに、偏光子の模式的な配置図である。図７Ａ及び図７Ｂは、それぞれ、実施例１の第２変形例における白色光用積層型撮像素子を構成する領域等の模式的な配置図、及び、偏光子の模式的な配置図である。図８Ａ及び図８Ｂは、それぞれ、実施例１の第２変形例における白色光用積層型撮像素子を構成する上層光電変換部の模式的な配置図、及び、下層光電変換部の模式的な配置図である。図９Ａ及び図９Ｂは、それぞれ、実施例１の第３変形例における白色光用積層型撮像素子を構成する領域等の模式的な配置図、及び、偏光子の模式的な配置図である。図１０Ａ及び図１０Ｂは、それぞれ、実施例１の第３変形例における白色光用積層型撮像素子を構成する上層光電変換部の模式的な配置図、及び、下層光電変換部の模式的な配置図である。図１１は、実施例１の固体撮像装置の概念図である。図１２は、本開示の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成するワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的斜視図である。図１３Ａ及び図１３Ｂは、本開示の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成するワイヤグリッド偏光素子及び変形例の模式的な一部端面図である。図１４Ａ及び図１４Ｂは、本開示の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成するワイヤグリッド偏光素子の変形例の模式的な一部端面図である。図１５は、本開示の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成するワイヤグリッド偏光素子の変形例の模式的な部分的平面図である。図１６Ａ並びに図１６Ｂは、それぞれ、実施例２における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成するカラーフィルタ層等の模式的な配置図、並びに、偏光子の模式的な配置図である。図１７Ａ並びに図１７Ｂは、それぞれ、実施例２における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成する上層光電変換部の模式的な配置図、並びに、下層光電変換部の模式的な配置図である。図１８Ａ並びに図１８Ｂは、それぞれ、実施例２の第１変形例における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成するカラーフィルタ層等の模式的な配置図、並びに、偏光子の模式的な配置図である。図１９Ａ並びに図１９Ｂは、それぞれ、実施例２の第１変形例における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成する上層光電変換部の模式的な配置図、並びに、下層光電変換部の模式的な配置図である。図２０は、実施例２の第２変形例における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成する偏光子の模式的な配置図であり、隣接する積層型撮像素子における偏光子との関係を説明する図である。図２１Ａ並びに図２１Ｂは、それぞれ、実施例２の第３変形例における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子及び青色光用積層型撮像素子を構成するカラーフィルタ層等の模式的な配置図、並びに、偏光子の模式的な配置図である。図２２Ａ並びに図２２Ｂは、それぞれ、実施例２の第３変形例における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子及び青色光用積層型撮像素子を構成する上層光電変換部の模式的な配置図、並びに、下層光電変換部の模式的な配置図である。図２３は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の模式的な一部断面図である。図２４は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の等価回路図である。図２５は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の等価回路図である。図２６は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図である。図２７は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の動作時の各部位における電位の状態を模式的に示す図である。図２８Ａ、図２８Ｂ及び図２８Ｃは、図２７（実施例３）、図４２及び図４３（実施例６）並びに図５４及び図５５（実施例８）の各部位を説明するための実施例３、実施例６及び実施例８の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の等価回路図である。図２９は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極の模式的な配置図である。図３０は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成する第１電極、電荷蓄積用電極、第２電極及びコンタクトホール部の模式的な透視斜視図である。図３１は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の等価回路図である。図３２は、図３１に示した実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図である。図３３は、実施例４の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の模式的な一部断面図である。図３４は、実施例５の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の模式的な一部断面図である。図３５は、実施例５の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の模式的な一部断面図である。図３６は、実施例５の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の別の変形例の模式的な一部断面図である。図３７は、実施例５の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。図３８は、実施例６の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の一部分の模式的な一部断面図である。図３９は、実施例６の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の等価回路図である。図４０は、実施例６の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の等価回路図である。図４１は、実施例６の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成する第１電極、転送制御用電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図である。図４２は、実施例６の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の動作時の各部位における電位の状態を模式的に示す図である。図４３は、実施例６の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の別の動作時の各部位における電位の状態を模式的に示す図である。図４４は、実施例６の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成する第１電極、転送制御用電極及び電荷蓄積用電極の模式的な配置図である。図４５は、実施例６の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成する第１電極、転送制御用電極、電荷蓄積用電極、第２電極及びコンタクトホール部の模式的な透視斜視図である。図４６は、実施例６の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例を構成する第１電極、転送制御用電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図である。図４７は、実施例７の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の一部分の模式的な一部断面図である。図４８は、実施例７の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成する第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極の模式的な配置図である。図４９は、実施例７の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成する第１電極、電荷蓄積用電極、電荷排出電極、第２電極及びコンタクトホール部の模式的な透視斜視図である。図５０は、実施例８の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の一部分の模式的な一部断面図である。図５１は、実施例８の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の等価回路図である。図５２は、実施例８の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の等価回路図である。図５３は、実施例８の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図である。図５４は、実施例８の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の動作時の各部位における電位の状態を模式的に示す図である。図５５は、実施例８の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の別の動作時（転送時）の各部位における電位の状態を模式的に示す図である。図５６は、実施例８の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極の模式的な配置図である。図５７は、実施例８の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成する第１電極、電荷蓄積用電極、第２電極及びコンタクトホール部の模式的な透視斜視図である。図５８は、実施例８の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極の模式的な配置図である。図５９は、実施例９の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の模式的な一部断面図である。図６０は、実施例９の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等における電荷蓄積用電極、光電変換層及び第２電極が積層された部分を拡大した模式的な一部断面図である。図６１は、実施例９の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図である。図６２は、実施例１０の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等における電荷蓄積用電極、光電変換層及び第２電極が積層された部分を拡大した模式的な一部断面図である。図６３は、実施例１１の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の模式的な一部断面図である。図６４は、実施例１２及び実施例１３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の模式的な一部断面図である。図６５Ａ及び図６５Ｂは、実施例１３における電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図６６Ａ及び図６６Ｂは、実施例１３における電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図６７は、実施例１３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図である。図６８は、実施例１３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極の模式的な配置図である。図６９は、実施例１４及び実施例１３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の模式的な一部断面図である。図７０Ａ及び図７０Ｂは、実施例１４における電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図７１は、実施例１５の固体撮像装置における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図７２は、実施例１５の固体撮像装置の第１変形例における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図７３は、実施例１５の固体撮像装置の第２変形例における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図７４は、実施例１５の固体撮像装置の第３変形例における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図７５は、実施例１５の固体撮像装置の第４変形例における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図７６は、実施例１５の固体撮像装置の第５変形例における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図７７は、実施例１５の固体撮像装置の第６変形例における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図７８は、実施例１５の固体撮像装置の第７変形例における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図７９は、実施例１５の固体撮像装置の第８変形例における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図８０は、実施例１５の固体撮像装置の第９変形例における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図８１Ａ、図８１Ｂ及び図８１Ｃは、実施例１５の撮像素子ブロックにおける読み出し駆動例を示すチャートである。図８２は、実施例１６の固体撮像装置における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図８３は、実施例１６の固体撮像装置の変形例における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図８４は、実施例１６の固体撮像装置の変形例における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図８５は、実施例１６の固体撮像装置の変形例における第１電極及び電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図である。図８６は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の別の変形例の模式的な一部断面図である。図８７は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。図８８Ａ、図８８Ｂ及び図８８Ｃは、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の更に別の変形例の第１電極の部分等の拡大された模式的な一部断面図である。図８９は、実施例７の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の別の変形例の電荷排出電極の部分等の拡大された模式的な一部断面図である。図９０は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。図９１は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。図９２は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。図９３は、実施例６の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の別の変形例の模式的な一部断面図である。図９４は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。図９５は、実施例３の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。図９６は、実施例６の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の更に別の変形例の模式的な一部断面図である。図９７は、実施例９の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例における電荷蓄積用電極、光電変換層及び第２電極が積層された部分を拡大した模式的な一部断面図である。図９８は、実施例１０の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例における電荷蓄積用電極、光電変換層及び第２電極が積層された部分を拡大した模式的な一部断面図である。図９９は、本開示の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等から構成された固体撮像装置を電子機器（カメラ）を用いた例の概念図である。図１００Ａ、図１００Ｂ、図１００Ｃ及び図１００Ｄは、実施例１の積層型撮像素子、固体撮像装置を構成する偏光子の製造方法を説明するための下層絶縁層等の模式的な一部端面図である。図１０１は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の平面レイアウト図である。図１０２は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の平面レイアウト図である。図１０３は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の平面レイアウト図である。図１０４は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の平面レイアウト図である。図１０５は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の平面レイアウト図である。図１０６は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の平面レイアウト図である。図１０７は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の平面レイアウト図である。図１０８は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の平面レイアウト図である。図１０９は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の平面レイアウト図である。図１１０は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の平面レイアウト図である。図１１１は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の平面レイアウト図である。図１１２は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の平面レイアウト図である。図１１３は、ベイヤ配列を有する積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等の変形例の平面レイアウト図である。図１１４は、車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。図１１５は、車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。図１１６は、内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。図１１７は、カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。図１１８は、体内情報取得システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。図１１９は、本開示の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成するワイヤグリッド偏光素子の変形例の模式的な部分的斜視図である。図１２０は、ワイヤグリッド偏光素子を通過する光等を説明するための概念図である。図１２１は、従来の積層型撮像素子（積層型固体撮像装置）の概念図である。

　以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の積層型撮像素子、本開示の撮像素子等、本開示の第１の態様～第２の態様に係る固体撮像装置、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の積層型撮像素子、本開示の第１の態様～第２の態様に係る固体撮像装置）
３．実施例２（実施例１の固体撮像装置の変形）
４．実施例３（実施例１～実施例２の変形、本開示の撮像素子等）
５．実施例４（実施例３の変形）
６．実施例５（実施例３～実施例４の変形）
７．実施例６（実施例３～実施例５の変形、転送制御用電極を備えた撮像素子）
８．実施例７（実施例３～実施例６の変形、電荷排出電極を備えた撮像素子）
９．実施例８（実施例３～実施例７の変形、複数の電荷蓄積用電極セグメントを備えた撮像素子）
１４．実施例９（第１構成及び第６構成の撮像素子）
１５．実施例１０（本開示の第２構成及び第６構成の撮像素子）
１６．実施例１１（第３構成の撮像素子）
１７．実施例１２（第４構成の撮像素子）
１８．実施例１３（第５構成の撮像素子）
１９．実施例１４（第６構成の撮像素子）
２０．実施例１５（第１構成～第２構成の固体撮像装置）
２１．実施例１６（実施例１５の変形）
２２．実施例１７（移動体への応用例）
２３．実施例１８（移動体への応用例）
２４．実施例１９（体内情報取得システムへの応用例）
２５．その他

〈本開示の積層型撮像素子、本開示の撮像素子等、本開示の第１の態様～第２の態様に係る固体撮像装置、全般に関する説明〉
　本開示の第１の態様～第２の態様に係る固体撮像装置にあっては、積層型撮像素子が２次元マトリクス状に配列されているが、便宜上、積層型撮像素子の一方の配列方向を『ｘ₀方向』と呼び、他方の配列方向を『ｙ₀方向』と呼ぶ。ｘ₀方向とｙ₀方向とは、直交していることが好ましい。

　本開示の積層型撮像素子において、積層された複数の光電変換部の内の少なくとも１つの光電変換部は、第１電極、光電変換層及び第２電極が積層されて成り、更に、第１電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えている形態とすることができる。尚、このような本開示の積層型撮像素子を、便宜上、『電荷蓄積用電極を備えた積層型撮像素子』と呼ぶ場合ある。また、このような光電変換部を、便宜上、『電荷蓄積用電極を備えた光電変換部』と呼ぶ場合ある。

　このような電荷蓄積用電極を備えた積層型撮像素子は、撮像画質の低下の抑制が可能であり、しかも、高精度の偏光情報取得と良好な撮像特性の両立を達成することを目的とした撮像素子である。そして、このような電荷蓄積用電極を備えた積層型撮像素子にあっては、第１電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極が備えられているので、光電変換部に光が照射され、光電変換部において光電変換されるとき、光電変換層に電荷を蓄えることができる。それ故、露光開始時、電荷蓄積部を完全空乏化し、電荷を消去することが可能となる。その結果、ｋＴＣノイズが大きくなり、ランダムノイズが悪化し、撮像画質の低下をもたらすといった現象の発生を抑制することができるので、高精度の偏光情報取得と良好な撮像特性の両立を図ることができる。

　尚、電荷蓄積用電極及び偏光子を備えた撮像素子とすることもできる。即ち、この撮像素子は、偏光子及び光電変換部が積層されて成り、
　光電変換部は、第１電極、光電変換層及び第２電極が積層されて成り、更に、第１電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えている。このような撮像素子を、便宜上、『本開示における撮像素子』と呼ぶ場合がある。また、上記の電荷蓄積用電極を備えた積層型撮像素子及び本開示における撮像素子を、総称して、『本開示の撮像素子等』と呼ぶ場合がある。

　本開示の撮像素子等において、第１電極は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、光電変換層と接続されている形態とすることができる。あるいは又、光電変換層は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、第１電極と接続されている形態とすることができ、この場合、
　第１電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
　開口部の底面には第１電極が露出しており、
　第１電極の頂面と接する絶縁層の面を第１面、電荷蓄積用電極と対向する光電変換層の部分と接する絶縁層の面を第２面としたとき、開口部の側面は、第１面から第２面に向かって広がる傾斜を有する形態とすることができ、更には、第１面から第２面に向かって広がる傾斜を有する開口部の側面は、電荷蓄積用電極側に位置する形態とすることができる。尚、光電変換層と第１電極との間に他の層が形成されている形態（例えば、光電変換層と第１電極との間に電荷蓄積に適した材料層が形成されている形態）を包含する。

　更には、上記の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等において、
　半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
　第１電極及び電荷蓄積用電極は、駆動回路に接続されており、
　電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₁₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₁₂が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
　電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₂₂が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第１電極を経由して制御部に読み出される形態とすることができる。但し、第１電極の電位が第２電極の電位よりも高い場合、
Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁、且つ、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁
であり、第１電極の電位が第２電極の電位よりも低い場合、
Ｖ₁₂≦Ｖ₁₁、且つ、Ｖ₂₂＞Ｖ₂₁
である。

　更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等にあっては、第１電極と電荷蓄積用電極との間に、第１電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された転送制御用電極（電荷転送電極）を更に備えている形態とすることができる。このような形態の本開示の撮像素子等を、便宜上、『転送制御用電極を備えた本開示の撮像素子等』と呼ぶ場合がある。そして、転送制御用電極を備えた本開示の撮像素子等にあっては、
　半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
　第１電極、電荷蓄積用電極及び転送制御用電極は、駆動回路に接続されており、
　電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₁₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₁₂が印加され、転送制御用電極に電位Ｖ₁₃が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
　電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₂₂が印加され、転送制御用電極に電位Ｖ₂₃が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第１電極を介して制御部に読み出される形態とすることができる。但し、第１電極の電位が第２電極の電位よりも高い場合、
Ｖ₁₂＞Ｖ₁₃、且つ、Ｖ₂₂≦Ｖ₂₃≦Ｖ₂₁
であり、第１電極の電位が第２電極の電位よりも低い場合、
Ｖ₁₂＜Ｖ₁₃、且つ、Ｖ₂₂≧Ｖ₂₃≧Ｖ₂₁
である。

　更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等にあっては、光電変換層に接続され、第１電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置された電荷排出電極を更に備えている形態とすることができる。このような形態の本開示の撮像素子等を、便宜上、『電荷排出電極を備えた本開示の撮像素子等』と呼ぶ。そして、電荷排出電極を備えた本開示の撮像素子等において、電荷排出電極は、第１電極及び電荷蓄積用電極を取り囲むように（即ち、額縁状に）配置されている形態とすることができる。電荷排出電極は、複数の撮像素子において共有化（共通化）することができる。そして、この場合、
　光電変換層は、絶縁層に設けられた第２開口部内を延在し、電荷排出電極と接続されており、
　電荷排出電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
　第２開口部の底面には電荷排出電極が露出しており、
　電荷排出電極の頂面と接する絶縁層の面を第３面、電荷蓄積用電極と対向する光電変換層の部分と接する絶縁層の面を第２面としたとき、第２開口部の側面は、第３面から第２面に向かって広がる傾斜を有する形態とすることができる。

　更には、電荷排出電極を備えた本開示の撮像素子等にあっては、
　半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
　第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極は、駆動回路に接続されており、
　電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₁₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₁₂が印加され、電荷排出電極に電位Ｖ₁₄が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
　電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₂₂が印加され、電荷排出電極に電位Ｖ₂₄が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第１電極を介して制御部に読み出される構成とすることができる。但し、第１電極の電位が第２電極の電位よりも高い場合、
Ｖ₁₄＞Ｖ₁₁、且つ、Ｖ₂₄＜Ｖ₂₁
であり、第１電極の電位が第２電極の電位よりも低い場合、
Ｖ₁₄＜Ｖ₁₁、且つ、Ｖ₂₄＞Ｖ₂₁
である。

　更には、本開示の撮像素子等における以上に説明した各種の好ましい形態において、電荷蓄積用電極は、複数の電荷蓄積用電極セグメントから構成されている形態とすることができる。このような形態の本開示の撮像素子等を、便宜上、『複数の電荷蓄積用電極セグメントを備えた本開示の撮像素子等』と呼ぶ場合がある。電荷蓄積用電極セグメントの数は、２以上であればよい。そして、複数の電荷蓄積用電極セグメントを備えた本開示の撮像素子等にあっては、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントのそれぞれに、異なる電位を加える場合、
　第１電極の電位が第２電極の電位よりも高い場合、電荷転送期間において、第１電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント（第１番目の光電変換部セグメント）に印加される電位は、第１電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント（第Ｎ番目の光電変換部セグメント）に印加される電位よりも高く、
　第１電極の電位が第２電極の電位よりも低い場合、電荷転送期間において、第１電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント（第１番目の光電変換部セグメント）に印加される電位は、第１電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント（第Ｎ番目の光電変換部セグメント）に印加される電位よりも低い形態とすることができる。

　更には、以上に説明した各種の好ましい形態（本開示の撮像素子等を含む）を含む本開示の積層型撮像素子において、偏光子は、第１偏光子セグメント、第２偏光子セグメント、第３偏光子セグメント及び第４偏光子セグメントの４つの偏光子セグメントが２×２に配列されて成り（即ち、ｘ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列されており、ｙ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列されており）、
　第１偏光子セグメントが透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２偏光子セグメントが透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３偏光子セグメントが透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４偏光子セグメントが透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である形態とすることができる。

　更には、上記の好ましい形態（本開示の撮像素子等を含む）を含む本開示の積層型撮像素子において、複数の光電変換部は、白色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部から成る構成とすることができる。尚、光入射側の光電変換部を『上層光電変換部』、上層光電変換部の下方に位置する光電変換部を『下層光電変換部』と呼ぶとき、上層光電変換部は、白色光に感度を有する光電変換部から構成され、下層光電変換部は、近赤外光に感度を有する光電変換部から構成されていてもよいし、上層光電変換部は、近赤外光に感度を有する光電変換部から構成され、下層光電変換部は、白色光に感度を有する光電変換部から構成されていてもよい。

　あるいは又、上記の好ましい形態（本開示の撮像素子等を含む）を含む本開示の積層型撮像素子において、複数の光電変換部は、赤色光又は緑色光又は青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部から成る構成とすることができる。ここで、上層光電変換部は、赤色光又は緑色光又は青色光に感度を有する光電変換部から構成され、下層光電変換部は、近赤外光に感度を有する光電変換部から構成されていてもよいし、上層光電変換部は、近赤外光に感度を有する光電変換部から構成され、下層光電変換部は、赤色光又は緑色光又は青色光に感度を有する光電変換部から構成されていてもよい。そして、このような構成にあっては、偏光子よりも光入射側にカラーフィルタ層（波長選択手段）が配置されている構成とすることができる。あるいは又、このような構成にあっては、カラーフィルタ層（波長選択手段）を適切に選択することで、赤色光又は緑色光又は青色光に感度を有する光電変換部は、赤色光に感度を有する赤色光用光電変換部、緑色光に感度を有する緑色光用光電変換部、及び、青色光に感度を有する青色光用光電変換部から成る群から選択された少なくとも２種類の光電変換部が積層されて成る構成とすることができる。

　カラーフィルタ層（波長選択手段）として、赤色、緑色、青色だけでなく、場合によっては、シアン色、マゼンダ色、黄色等の特定波長を透過させるフィルタ層を挙げることができる。カラーフィルタ層を、顔料や染料等の有機化合物を用いた有機材料系のカラーフィルタ層から構成するだけでなく、フォトニック結晶や、プラズモンを応用した波長選択素子（導体薄膜に格子状の穴構造を設けた導体格子構造を有するカラーフィルタ層。例えば、特開２００８－１７７１９１号公報参照）、アモルファスシリコン等の無機材料から成る薄膜から構成することもできる。

　本開示の第２の態様に係る固体撮像装置にあっては、各撮像素子ユニットにおいて、
　第１積層型撮像素子は、赤色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第２積層型撮像素子は、緑色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第３積層型撮像素子は、青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第１積層型撮像素子、第２積層型撮像素子及び第３積層型撮像素子は、偏光子を備えていない構成とすることができる。そして、この場合、第４積層型撮像素子は、白色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えている構成とすることができる。

　あるいは又、本開示の第２の態様に係る固体撮像装置において、各撮像素子ユニットは、更に、第１積層型撮像素子、第２積層型撮像素子及び第３積層型撮像素子の光入射側に偏光子を備えており；第１積層型撮像素子、第２積層型撮像素子、第３積層型撮像素子及び第４積層型撮像素子に備えられた偏光子は、同じ偏光方位を有する構成とすることができ、更には、この場合、隣接する撮像素子ユニットにおいて、偏光子の有する偏光方位は異なっている構成とすることができる。

　あるいは又、本開示の第２の態様に係る固体撮像装置において、
　第１積層型撮像素子は、赤色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第２積層型撮像素子は、緑色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第３積層型撮像素子は、青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　２×２に配列された、第１撮像素子ユニット、第２撮像素子ユニット、第３撮像素子ユニット及び第４撮像素子ユニットの４つの撮像素子ユニット（即ち、ｘ₀方向に配列された２つの撮像素子ユニット、及び、ｙ₀方向に配列された２つの撮像素子ユニット）から撮像素子ユニット群が構成されており、
　第１撮像素子ユニットに備えられた第１偏光子が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２撮像素子ユニットに備えられた第２偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３撮像素子ユニットに備えられた第３偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４撮像素子ユニットに備えられた第４偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である構成とすることができる。

　あるいは又、本開示の第２の態様に係る固体撮像装置において、
　第１積層型撮像素子は、赤色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第２積層型撮像素子は、緑色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第３積層型撮像素子は、青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第４積層型撮像素子は、白色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第４積層型撮像素子の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された（即ち、ｘ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列され、ｙ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列された）、第４－１偏光子、第４－２偏光子、第４－３偏光子及び第４－４偏光子の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第４－１偏光子が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第４－２偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第４－３偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４－４偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である構成とすることができる。そして、このような構成にあっては、
　各撮像素子ユニットは、更に、第１積層型撮像素子、第２積層型撮像素子及び第３積層型撮像素子のそれぞれの光入射側に偏光子を備えており、
　第１積層型撮像素子の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された（即ち、ｘ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列され、ｙ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列された）、第１－１偏光子、第１－２偏光子、第１－３偏光子及び第１－４偏光子の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第１－１偏光子が透過させるべき偏光方位はβ度であり、
　第１－２偏光子が透過させるべき偏光方位は（β＋４５）度であり、
　第１－３偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第１－４偏光子が透過させるべき偏光方位は（β＋１３５）度であり、
　第２積層型撮像素子の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された（即ち、ｘ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列され、ｙ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列された）、第２－１偏光子、第２－２偏光子、第２－３偏光子及び第２－４偏光子の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第２－１偏光子が透過させるべき偏光方位はγ度であり、
　第２－２偏光子が透過させるべき偏光方位は（γ＋４５）度であり、
　第２－３偏光子が透過させるべき偏光方位は（γ＋９０）度であり、
　第２－４偏光子が透過させるべき偏光方位は（γ＋１３５）度であり、
　第３積層型撮像素子の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された（即ち、ｘ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列され、ｙ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列された）、第３－１偏光子、第３－２偏光子、第３－３偏光子及び第３－４偏光子の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第３－１偏光子が透過させるべき偏光方位はδ度であり、
　第３－２偏光子が透過させるべき偏光方位は（δ＋４５）度であり、
　第３－３偏光子が透過させるべき偏光方位は（δ＋９０）度であり、
　第３－４偏光子が透過させるべき偏光方位は（δ＋１３５）度である構成とすることができる。

　本開示の積層型撮像素子あるいは本開示の第２の態様に係る固体撮像装置にあっては、α、β、γ、δの値として、ｙ₀方向と間に成す角度「０度」を例示することができる。また、限定するものではないが、α＝β＝γ＝δとすることが好ましい。

　本開示の積層型撮像素子は、例えばシリコン半導体基板といった半導体基板（半導体層といった概念を含む）を更に備えており、少なくとも上層光電変換部は、半導体基板の上方に配置されている形態とすることができる。あるいは又、本開示の積層型撮像素子は、例えばシリコン半導体基板といった半導体基板を更に備えており、上層光電変換部及び下層光電変換部は半導体基板に形成されている形態とすることができる。また、本開示の撮像素子等は、半導体基板を更に備えており、上層光電変換部は、半導体基板の上方に配置されている形態とすることができる。光電変換部は、第１電極、光電変換層及び第２電極の積層構造を有し、第１電極及び第２電極は、後述する駆動回路に接続されている形態とすることができる。

　本開示の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等において、光入射側に位置する第２電極は、複数の撮像素子において共通化されていてもよい。即ち、第２電極を所謂ベタ電極とすることができる。光電変換層は、複数の撮像素子において共通化されていてもよいし、即ち、複数の撮像素子において１層の光電変換層が形成されていてもよいし、撮像素子毎に設けられていてもよい。

　更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等において、
　半導体基板には、制御部を構成する少なくとも浮遊拡散層及び増幅トランジスタが設けられており、
　第１電極は、浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部に接続されている構成とすることができる。そして、この場合、更には、
　半導体基板には、更に、制御部を構成するリセット・トランジスタ及び選択トランジスタが設けられており、
　浮遊拡散層は、リセット・トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、
　増幅トランジスタの一方のソース／ドレイン領域は、選択トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、選択トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は信号線に接続されている構成とすることができる。

　更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等において、電荷蓄積用電極の大きさは第１電極よりも大きい形態とすることができる。電荷蓄積用電極の面積をＳ₁’、第１電極の面積をＳ₁としたとき、限定するものではないが、
４≦Ｓ₁’／Ｓ₁
を満足することが好ましい。

　あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等の変形例として、以下に説明する第１構成～第６構成の撮像素子を挙げることができる。即ち、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等における第１構成～第６構成の撮像素子において、
　光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
　光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
　絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
　第１構成～第３構成の撮像素子にあっては、電荷蓄積用電極は、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
　第４構成～第５構成の撮像素子にあっては、電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
　第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
　ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置する。

　そして、第１構成の撮像素子にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、変化している。また、第２構成の撮像素子にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、変化している。更には、第３構成の撮像素子にあっては、隣接する光電変換部セグメントにおいて、絶縁層セグメントを構成する材料が異なる。また、第４構成の撮像素子にあっては、隣接する光電変換部セグメントにおいて、電荷蓄積用電極セグメントを構成する材料が異なる。更には、第５構成の撮像素子にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、電荷蓄積用電極セグメントの面積が、漸次、小さくなっている。面積は、連続的に小さくなっていてもよいし、階段状に小さくなっていてもよい。

　あるいは又、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等における第６構成の撮像素子において、電荷蓄積用電極と絶縁層と光電変換層の積層方向をＺ方向、第１電極から離れる方向をＸ方向としたとき、ＹＺ仮想平面で電荷蓄積用電極と絶縁層と光電変換層が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第１電極からの距離に依存して変化する。断面積の変化は、連続的な変化であってもよいし、階段状の変化であってもよい。

　第１構成～第２構成の撮像素子において、Ｎ個の光電変換層セグメントは連続して設けられており、Ｎ個の絶縁層セグメントも連続して設けられており、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントも連続して設けられている。第３構成～第５構成の撮像素子において、Ｎ個の光電変換層セグメントは連続して設けられている。また、第４構成、第５構成の撮像素子において、Ｎ個の絶縁層セグメントは連続して設けられている一方、第３構成の撮像素子において、Ｎ個の絶縁層セグメントは、光電変換部セグメントのそれぞれに対応して設けられている。更には、第４構成～第５構成の撮像素子において、場合によっては、第３構成の撮像素子において、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントは、光電変換部セグメントのそれぞれに対応して設けられている。そして第１構成～第６構成の撮像素子にあっては、電荷蓄積用電極セグメントの全てに同じ電位が加えられる。あるいは又、第４構成～第５構成の撮像素子において、場合によっては、第３構成の撮像素子において、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントのそれぞれに、異なる電位を加えてもよい。

　第１構成～第６構成の撮像素子、係る撮像素子を適用した本開示の第１の態様～第２の態様に係る固体撮像装置にあっては、絶縁層セグメントの厚さが規定され、あるいは又、光電変換層セグメントの厚さが規定され、あるいは又、絶縁層セグメントを構成する材料が異なり、あるいは又、電荷蓄積用電極セグメントを構成する材料が異なり、あるいは又、電荷蓄積用電極セグメントの面積が規定され、あるいは又、積層部分の断面積が規定されているので、一種の電荷転送勾配が形成され、光電変換によって生成した電荷を、一層容易に、且つ、確実に、第１電極へ転送することが可能となる。そして、その結果、残像の発生や転送残しの発生を防止することができる。

　第１構成～第５構成の撮像素子にあっては、ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど第１電極から離れて位置するが、第１電極から離れて位置するか否かは、Ｘ方向を基準として判断する。また、第６構成の撮像素子にあっては、第１電極から離れる方向をＸ方向としているが、『Ｘ方向』を以下のとおり、定義する。即ち、撮像素子あるいは積層型撮像素子が複数配列された画素領域は、２次元アレイ状に、即ち、Ｘ方向及びＹ方向に規則的に複数配列された画素から構成される。画素の平面形状を矩形とした場合、第１電極に最も近い辺が延びる方向をＹ方向とし、Ｙ方向と直交する方向をＸ方向とする。あるいは又、画素の平面形状を任意の形状とした場合、第１電極に最も近い線分や曲線が含まれる全体的な方向をＹ方向とし、Ｙ方向と直交する方向をＸ方向とする。通常、Ｘ方向はｘ₀方向あるいはｙ₀方向と平行であり、Ｙ方向はｙ₀方向あるいはｘ₀方向と平行である。

　以下、第１構成～第６構成の撮像素子に関して、第１電極の電位が第２電極の電位よりも高い場合についての説明を行うが、第１電極の電位が第２電極の電位よりも低い場合は、電位の高低を逆にすればよい。

　第１構成の撮像素子にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、変化しているが、絶縁層セグメントの厚さは、漸次、厚くなっていってもよいし、薄くなっていってもよく、これによって、一種の電荷転送勾配が形成される。

　蓄積すべき電荷を電子とする場合、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、厚くなる構成を採用すればよいし、蓄積すべき電荷を正孔とする場合、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、薄くなる構成を採用すればよい。そして、これらの場合、電荷蓄積期間において、｜Ｖ₁₂｜≧｜Ｖ₁₁|といった状態になると、第ｎ番目の光電変換部セグメントの方が、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントよりも、多くの電荷を蓄積することができるし、強い電界が加わり、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れを確実に防止することができる。そして、電荷転送期間において、｜Ｖ₂₂｜＜｜Ｖ₂₁｜といった状態になると、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れ、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントから第ｎ番目の光電変換部セグメントへの電荷の流れを、確実に確保することができる。

　第２構成の撮像素子にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、変化しているが、光電変換層セグメントの厚さは、漸次、厚くなっていってもよいし、薄くなっていってもよく、これによって、一種の電荷転送勾配が形成される。

　蓄積すべき電荷を電子とする場合、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、厚くなる構成を採用すればよいし、蓄積すべき電荷を正孔とする場合、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、薄くなる構成を採用すればよい。そして、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、厚くなる場合、電荷蓄積期間においてＶ₁₂≧Ｖ₁₁といった状態になると、また、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、薄くなる場合、電荷蓄積期間においてＶ₁₂≦Ｖ₁₁といった状態になると、第ｎ番目の光電変換部セグメントの方が、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントよりも強い電界が加わり、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れを確実に防止することができる。そして、電荷転送期間において、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、厚くなる場合、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁といった状態になると、また、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、薄くなる場合、Ｖ₂₂＞Ｖ₂₁といった状態になると、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れ、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントから第ｎ番目の光電変換部セグメントへの電荷の流れを、確実に確保することができる。

　第３構成の撮像素子にあっては、隣接する光電変換部セグメントにおいて、絶縁層セグメントを構成する材料が異なり、これによって、一種の電荷転送勾配が形成されるが、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントを構成する材料の比誘電率の値が、漸次、小さくなることが好ましい。そして、このような構成を採用することで、電荷蓄積期間において、Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁といった状態になると、第ｎ番目の光電変換部セグメントの方、が第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントよりも多くの電荷を蓄積することができる。そして、電荷転送期間において、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁といった状態になると、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れ、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントから第ｎ番目の光電変換部セグメントへの電荷の流れを、確実に確保することができる。

　第４構成の撮像素子にあっては、隣接する光電変換部セグメントにおいて、電荷蓄積用電極セグメントを構成する材料が異なり、これによって、一種の電荷転送勾配が形成されるが、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントを構成する材料の仕事関数の値が、漸次、大きくなることが好ましい。そして、このような構成を採用することで、電圧の正負に依存すること無く、信号電荷転送に有利な電位勾配を形成することができる。

　第５構成の撮像素子にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、電荷蓄積用電極セグメントの面積が、漸次、小さくなっており、これによって、一種の電荷転送勾配が形成されるので、電荷蓄積期間において、Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁といった状態になると、第ｎ番目の光電変換部セグメントの方が、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントよりも多くの電荷を蓄積することができる。そして、電荷転送期間において、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁といった状態になると、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れ、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントから第ｎ番目の光電変換部セグメントへの電荷の流れを、確実に確保することができる。

　第６構成の撮像素子において、積層部分の断面積は第１電極からの距離に依存して変化し、これによって、一種の電荷転送勾配が形成される。具体的には、積層部分の断面の厚さを一定とし、積層部分の断面の幅を第１電極から離れるほど狭くする構成を採用すれば、第５構成の撮像素子において説明したと同様に、電荷蓄積期間において、Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁といった状態になると、第１電極に近い領域の方が、遠い領域よりも多くの電荷を蓄積することができる。従って、電荷転送期間において、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁といった状態になると、第１電極に近い領域から第１電極への電荷の流れ、遠い領域から近い領域への電荷の流れを、確実に確保することができる。一方、積層部分の断面の幅を一定とし、積層部分の断面の厚さ、具体的には、絶縁層セグメントの厚さを、漸次、厚くする構成を採用すれば、第１構成の撮像素子において説明したと同様に、電荷蓄積期間において、Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁といった状態になると、第１電極に近い領域の方が、遠い領域よりも、多くの電荷を蓄積することができるし、強い電界が加わり、第１電極に近い領域から第１電極への電荷の流れを確実に防止することができる。そして、電荷転送期間において、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁といった状態になると、第１電極に近い領域から第１電極への電荷の流れ、遠い領域から近い領域への電荷の流れを、確実に確保することができる。また、光電変換層セグメントの厚さを、漸次、厚くする構成を採用すれば、第２構成の撮像素子において説明したと同様に、電荷蓄積期間において、Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁といった状態になると、第１電極に近い領域の方が、遠い領域よりも強い電界が加わり、第１電極に近い領域から第１電極への電荷の流れを確実に防止することができる。そして、電荷転送期間において、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁といった状態になると、第１電極に近い領域から第１電極への電荷の流れ、遠い領域から近い領域への電荷の流れを、確実に確保することができる。

　本開示の第１の態様～第２の態様に係る固体撮像装置の別の変形例として、
　第１構成～第６構成の撮像素子を、複数、有しており、
　複数の撮像素子から撮像素子ブロックが構成されており、
　撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子において第１電極が共有されている固体撮像装置とすることができる。このような構成の固体撮像装置を、便宜上、『第１構成の固体撮像装置』と呼ぶ。あるいは又、本開示の第１の態様～第２の態様に係る固体撮像装置の別の変形例として、
　第１構成～第６構成の撮像素子を少なくとも１つ有する積層型撮像素子を、複数、有しており、
　複数の積層型撮像素子から撮像素子ブロックが構成されており、
　撮像素子ブロックを構成する複数の積層型撮像素子において第１電極が共有されている固体撮像装置とすることができる。このような構成の固体撮像装置を、便宜上、『第２構成の固体撮像装置』と呼ぶ。そして、このように撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子において第１電極を共有化すれば、撮像素子が複数配列された画素領域における構成、構造を簡素化、微細化することができる。

　第１構成～第２構成の固体撮像装置にあっては、複数の撮像素子（１つの撮像素子ブロック）に対して１つの浮遊拡散層が設けられる。ここで、１つの浮遊拡散層に対して設けられる複数の撮像素子は、後述する第１タイプの撮像素子の複数から構成されていてもよいし、少なくとも１つの第１タイプの撮像素子と、１又は２以上の後述する第２タイプの撮像素子とから構成されていてもよい。そして、電荷転送期間のタイミングを適切に制御することで、複数の撮像素子が１つの浮遊拡散層を共有することが可能となる。複数の撮像素子は連係して動作させられ、後述する駆動回路には撮像素子ブロックとして接続されている。即ち、撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子が１つの駆動回路に接続されている。但し、電荷蓄積用電極の制御は、撮像素子毎に行われる。また、複数の撮像素子が１つのコンタクトホール部を共有することが可能である。複数の撮像素子で共有された第１電極と、各撮像素子の電荷蓄積用電極の配置関係は、第１電極が、各撮像素子の電荷蓄積用電極に隣接して配置されている場合もある。あるいは又、第１電極が、複数の撮像素子の一部の電荷蓄積用電極に隣接して配置されており、複数の撮像素子の残りの電荷蓄積用電極とは隣接して配置されてはいない場合もあり、この場合には、複数の撮像素子の残りから第１電極への電荷の移動は、複数の撮像素子の一部を経由した移動となる。撮像素子を構成する電荷蓄積用電極と撮像素子を構成する電荷蓄積用電極との間の距離（便宜上、『距離Ａ』と呼ぶ）は、第１電極に隣接した撮像素子における第１電極と電荷蓄積用電極との間の距離（便宜上、『距離Ｂ』と呼ぶ）よりも長いことが、各撮像素子から第１電極への電荷の移動を確実なものとするために好ましい。また、第１電極から離れて位置する撮像素子ほど、距離Ａの値を大きくすることが好ましい。

　更には、以上に説明した各種の好ましい形態を含む本開示の撮像素子等において、第２電極側から光が入射し、第２電極よりの光入射側には遮光層が形成されている形態とすることができる。あるいは又、第２電極側から光が入射し、第１電極（場合によっては、第１電極及び転送制御用電極）には光が入射しない形態とすることができる。そして、この場合、第２電極よりの光入射側であって、第１電極（場合によっては、第１電極及び転送制御用電極）の上方には遮光層が形成されている構成とすることができるし、あるいは又、電荷蓄積用電極及び第２電極の上方にはオンチップ・マイクロ・レンズが設けられており、オンチップ・マイクロ・レンズに入射する光は、電荷蓄積用電極に集光される構成とすることができる。ここで、遮光層は、第２電極の光入射側の面よりも上方に配設されてもよいし、第２電極の光入射側の面の上に配設されてもよい。場合によっては、第２電極に遮光層が形成されていてもよい。遮光層を構成する材料として、クロム（Ｃｒ）や銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、光を通さない樹脂（例えば、ポリイミド樹脂）を例示することができる。

　本開示の撮像素子等として、具体的には、青色光（４２５ｎｍ乃至４９５ｎｍの光）を吸収する光電変換層（便宜上、『第１タイプの青色光用光電変換層』と呼ぶ）を備えた青色光に感度を有する撮像素子（便宜上、『第１タイプの青色光用撮像素子』と呼ぶ）、緑色光（４９５ｎｍ乃至５７０ｎｍの光）を吸収する光電変換層（便宜上、『第１タイプの緑色光用光電変換層』と呼ぶ）を備えた緑色光に感度を有する撮像素子（便宜上、『第１タイプの緑色光用撮像素子』と呼ぶ）、赤色光（６２０ｎｍ乃至７５０ｎｍの光）を吸収する光電変換層（便宜上、『第１タイプの赤色光用光電変換層』と呼ぶ）を備えた赤色光に感度を有する撮像素子（便宜上、『第１タイプの赤色光用撮像素子』と呼ぶ）を挙げることができる。また、電荷蓄積用電極を備えていない従来の撮像素子であって、青色光に感度を有する撮像素子を、便宜上、『第２タイプの青色光用撮像素子』と呼び、緑色光に感度を有する撮像素子を、便宜上、『第２タイプの緑色光用撮像素子』と呼び、赤色光に感度を有する撮像素子を、便宜上、『第２タイプの赤色光用撮像素子』と呼び、第２タイプの青色光用撮像素子を構成する光電変換層を、便宜上、『第２タイプの青色光用光電変換層』と呼び、第２タイプの緑色光用撮像素子を構成する光電変換層を、便宜上、『第２タイプの緑色光用光電変換層』と呼び、第２タイプの赤色光用撮像素子を構成する光電変換層を、便宜上、『第２タイプの赤色光用光電変換層』と呼ぶ。白色光に感度を有する光電変換層は、例えば、４２５ｎｍ乃至７５０ｎｍの光に感度を有する。

　電荷蓄積用電極を備えた積層型撮像素子は、具体的には、例えば、
［Ａ］第１タイプの青色光用光電変換部、第１タイプの緑色光用光電変換部及び第１タイプの赤色光用光電変換部が、垂直方向に積層され、
　第１タイプの青色光用撮像素子、第１タイプの緑色光用撮像素子及び第１タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
［Ｂ］第１タイプの青色光用光電変換部及び第１タイプの緑色光用光電変換部が、垂直方向に積層され、
　これらの２層の第１タイプの光電変換部の下方に、第２タイプの赤色光用光電変換部が配置され、
　第１タイプの青色光用撮像素子、第１タイプの緑色光用撮像素子及び第２タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
［Ｃ］第１タイプの緑色光用光電変換部の下方に、第２タイプの青色光用光電変換部及び第２タイプの赤色光用光電変換部が配置され、
　第１タイプの緑色光用撮像素子、第２タイプの青色光用撮像素子及び第２タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
［Ｄ］第１タイプの青色光用光電変換部の下方に、第２タイプの緑色光用光電変換部及び第２タイプの赤色光用光電変換部が配置され、
　第１タイプの青色光用撮像素子、第２タイプの緑色光用撮像素子及び第２タイプの赤色光用撮像素子の制御部のそれぞれが、半導体基板に設けられた構成、構造
を挙げることができる。これらの撮像素子の光電変換部の垂直方向における配置順は、光入射方向から青色光用光電変換部、緑色光用光電変換部、赤色光用光電変換部の順、あるいは、光入射方向から緑色光用光電変換部、青色光用光電変換部、赤色光用光電変換部の順であることが好ましい。これは、より短い波長の光がより入射表面側において効率良く吸収されるからである。赤色は３色の中では最も長い波長であるので、光入射面から見て赤色光用光電変換部を最下層に位置させることが好ましい。これらの撮像素子の積層構造によって、１つの画素が構成される。また、第１タイプの近赤外光用光電変換部（あるいは、赤外光用光電変換部）を備えていてもよい。ここで、第１タイプの赤外光用光電変換部の光電変換層は、例えば、有機系材料から構成され、第１タイプの撮像素子の積層構造の最下層であって、第２タイプの撮像素子よりも上に配置することが好ましい。あるいは又、第１タイプの光電変換部の下方に、第２タイプの近赤外光用光電変換部（あるいは、赤外光用光電変換部）を備えていてもよい。

　第１タイプの撮像素子にあっては、例えば、第１電極が、半導体基板の上に設けられた層間絶縁層上に形成されている。半導体基板に形成された撮像素子は、裏面照射型とすることもできるし、表面照射型とすることもできる。

　光電変換層を有機系材料から構成する場合、光電変換層を、
（１）ｐ型有機半導体から構成する。
（２）ｎ型有機半導体から構成する。
（３）ｐ型有機半導体層／ｎ型有機半導体層の積層構造から構成する。ｐ型有機半導体層／ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との混合層（バルクヘテロ構造）／ｎ型有機半導体層の積層構造から構成する。ｐ型有機半導体層／ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との混合層（バルクヘテロ構造）の積層構造から構成する。ｎ型有機半導体層／ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体との混合層（バルクヘテロ構造）の積層構造から構成する。
（４）ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体の混合（バルクヘテロ構造）から構成する。
の４態様のいずれかとすることができる。但し、積層順は任意に入れ替えた構成とすることができる。

　ｐ型有機半導体として、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、ペンタセン誘導体、キナクリドン誘導体、チオフェン誘導体、チエノチオフェン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、ベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体、トリアリルアミン誘導体、カルバゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピセン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フタロシアニン誘導体、サブフタロシアニン誘導体、サブポルフィラジン誘導体、複素環化合物を配位子とする金属錯体、ポリチオフェン誘導体、ポリベンゾチアジアゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体等を挙げることができる。ｎ型有機半導体として、フラーレン及びフラーレン誘導体〈例えば、Ｃ６０や、Ｃ７０，Ｃ７４等のフラーレン（高次フラーレン）、内包フラーレン等）又はフラーレン誘導体（例えば、フラーレンフッ化物やＰＣＢＭフラーレン化合物、フラーレン多量体等）〉、ｐ型有機半導体よりもＨＯＭＯ及びＬＵＭＯが大きい（深い）有機半導体、透明な無機金属酸化物を挙げることができる。ｎ型有機半導体として、具体的には、窒素原子、酸素原子、硫黄原子を含有する複素環化合物、例えば、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、イソキノリン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、フェナントロリン誘導体、テトラゾール誘導体、ピラゾール誘導体、イミダゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾオキサゾール誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、サブポルフィラジン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリベンゾチアジアゾール誘導体、ポリフルオレン誘導体等を分子骨格の一部に有する有機分子、有機金属錯体やサブフタロシアニン誘導体を挙げることができる。フラーレン誘導体に含まれる基等として、ハロゲン原子；直鎖、分岐若しくは環状のアルキル基若しくはフェニル基；直鎖若しくは縮環した芳香族化合物を有する基；ハロゲン化物を有する基；パーシャルフルオロアルキル基；パーフルオロアルキル基；シリルアルキル基；シリルアルコキシ基；アリールシリル基；アリールスルファニル基；アルキルスルファニル基；アリールスルホニル基；アルキルスルホニル基；アリールスルフィド基；アルキルスルフィド基；アミノ基；アルキルアミノ基；アリールアミノ基；ヒドロキシ基；アルコキシ基；アシルアミノ基；アシルオキシ基；カルボニル基；カルボキシ基；カルボキソアミド基；カルボアルコキシ基；アシル基；スルホニル基；シアノ基；ニトロ基；カルコゲン化物を有する基；ホスフィン基；ホスホン基；これらの誘導体を挙げることができる。有機系材料から構成された光電変換層（『有機光電変換層』と呼ぶ場合がある）の厚さは、限定するものではないが、例えば、１×１０^-8ｍ乃至５×１０^-7ｍ、好ましくは２．５×１０^-8ｍ乃至３×１０^-7ｍ、より好ましくは２．５×１０^-8ｍ乃至２×１０^-7ｍ、一層好ましくは１×１０^-7ｍ乃至１．８×１０^-7ｍを例示することができる。尚、有機半導体は、ｐ型、ｎ型と分類されることが多いが、ｐ型とは正孔を輸送し易いという意味であり、ｎ型とは電子を輸送し易いという意味であり、無機半導体のように熱励起の多数キャリアとして正孔又は電子を有しているという解釈に限定されない。

　あるいは又、緑色光を光電変換する有機光電変換層を構成する材料として、例えば、ローダミン系色素、メラシアニン系色素、キナクリドン誘導体、サブフタロシアニン系色素（サブフタロシアニン誘導体）等を挙げることができるし、青色光を光電変換する有機光電変換層を構成する材料として、例えば、クマリン酸色素、トリス－８－ヒドリキシキノリアルミニウム（Ａｌｑ３）、メラシアニン系色素等を挙げることができるし、赤色光を光電変換する有機光電変換層を構成する材料として、例えば、フタロシアニン系色素、サブフタロシアニン系色素（サブフタロシアニン誘導体）を挙げることができる。

　あるいは又、光電変換層を構成する無機系材料として、結晶シリコン、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、結晶セレン、アモルファスセレン、及び、カルコパライト系化合物であるＣＩＧＳ（ＣｕＩｎＧａＳｅ）、ＣＩＳ（ＣｕＩｎＳｅ₂）、ＣｕＩｎＳ₂、ＣｕＡｌＳ₂、ＣｕＡｌＳｅ₂、ＣｕＧａＳ₂、ＣｕＧａＳｅ₂、ＡｇＡｌＳ₂、ＡｇＡｌＳｅ₂、ＡｇＩｎＳ₂、ＡｇＩｎＳｅ₂、あるいは又、ＩＩＩ－Ｖ族化合物であるＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、更には、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ、Ｉｎ₂Ｓｅ₃、Ｉｎ₂Ｓ₃、Ｂｉ₂Ｓｅ₃、Ｂｉ₂Ｓ₃、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＳ等の化合物半導体を挙げることができる。加えて、これらの材料から成る量子ドットを光電変換層に使用することも可能である。

　あるいは又、光電変換層を、下層半導体層と、上層光電変換層の積層構造とすることができる。このように下層半導体層を設けることで、電荷蓄積時の再結合を防止することができ、光電変換層に蓄積した電荷の第１電極への転送効率を増加させることができるし、暗電流の生成を抑制することができる。上層光電変換層を構成する材料は、上記の光電変換層を構成する各種材料から、適宜、選択すればよい。一方、下層半導体層を構成する材料として、バンドギャップエネルギーの値が大きく（例えば、３．０ｅＶ以上のバンドギャップエネルギーの値）、しかも、光電変換層を構成する材料よりも高い移動度を有する材料を用いることが好ましい。具体的には、ＩＧＺＯ等の酸化物半導体材料；遷移金属ダイカルコゲナイド；シリコンカーバイド；ダイヤモンド；グラフェン；カーボンナノチューブ；縮合多環炭化水素化合物や縮合複素環化合物等の有機半導体材料を挙げることができる。あるいは又、下層半導体層を構成する材料として、蓄積すべき電荷が正孔である場合、光電変換層を構成する材料のイオン化ポテンシャルよりも小さなイオン化ポテンシャルを有する材料を挙げることができるし、蓄積すべき電荷が電子である場合、光電変換層を構成する材料の電子親和力よりも大きな電子親和力を有する材料を挙げることができる。あるいは又、下層半導体層を構成する材料における不純物濃度は１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であることが好ましい。下層半導体層は、単層構成であってもよいし、多層構成であってもよい。また、電荷蓄積用電極の上方に位置する下層半導体層を構成する材料と、第１電極の上方に位置する下層半導体層を構成する材料とを、異ならせてもよい。

　本開示の第１の態様～第２の態様に係る固体撮像装置、第１構成～第２構成の固体撮像装置によって、単板式カラー固体撮像装置を構成することができる。

　第２構成の固体撮像装置にあっては、ベイヤ配列の撮像素子を備えた固体撮像装置と異なり（即ち、カラーフィルタ層を用いて青色、緑色、赤色の分光を行うのではなく）、同一画素内で光の入射方向において、複数種の波長の光に対して感度を有する撮像素子を積層して１つの画素を構成するので、感度の向上及び単位体積当たりの画素密度の向上を図ることができる。また、有機系材料は吸収係数が高いため、有機光電変換層の膜厚を従来のＳｉ系光電変換層と比較して薄くすることができ、隣接画素からの光漏れや、光の入射角の制限が緩和される。更には、従来のＳｉ系撮像素子では３色の画素間で補間処理を行って色信号を作成するために偽色が生じるが、第２構成の固体撮像装置にあっては、偽色の発生が抑えられる。有機光電変換層それ自体がカラーフィルタ層としても機能するので、カラーフィルタ層を配設しなくとも色分離が可能である。

　一方、第１構成の固体撮像装置にあっては、カラーフィルタ層を用いることで、青色、緑色、赤色の分光特性への要求を緩和することができるし、また、高い量産性を有する。第１構成の固体撮像装置における撮像素子の配列として、ベイヤ配列の他、インターライン配列、ＧストライプＲＢ市松配列、ＧストライプＲＢ完全市松配列、市松補色配列、ストライプ配列、斜めストライプ配列、原色色差配列、フィールド色差順次配列、フレーム色差順次配列、ＭＯＳ型配列、改良ＭＯＳ型配列、フレームインターリーブ配列、フィールドインターリーブ配列を挙げることができる。ここで、１つの撮像素子によって１つの画素（あるいは副画素）が構成される。

　本開示の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等（以下、これらを総称して、『本開示の積層型撮像素子等』、あるいは、単に、『積層型撮像素子等』と呼ぶ場合がある）が複数配列された画素領域は、２次元アレイ状に規則的に複数配列された画素から構成される。画素領域は、通常、実際に光を受光し光電変換によって生成された信号電荷を増幅して駆動回路に読み出す有効画素領域と、黒レベルの基準になる光学的黒を出力するための黒基準画素領域とから構成されている。黒基準画素領域は、通常は、有効画素領域の外周部に配置されている。

　以上に説明した各種の好ましい形態、構成を含む本開示の撮像素子等において、光が照射され、光電変換層で光電変換が生じ、正孔（ホール）と電子がキャリア分離される。そして、正孔が取り出される電極を陽極、電子が取り出される電極を陰極とする。第１電極が陽極を構成し、第２電極が陰極を構成する形態もあるし、逆に、第１電極が陰極を構成し、第２電極が陽極を構成する形態もある。

　第１電極、電荷蓄積用電極、転送制御用電極、電荷排出電極及び第２電極は透明導電材料から成る構成とすることができる。第１電極、電荷蓄積用電極、転送制御用電極及び電荷排出電極を総称して、『第１電極等』と呼ぶ場合がある。あるいは又、本開示の撮像素子等が、例えばベイヤ配列のように平面に配される場合には、第２電極は透明導電材料から成り、第１電極等は金属材料から成る構成とすることができ、この場合、具体的には、光入射側に位置する第２電極は透明導電材料から成り、第１電極等は、例えば、Ａｌ－Ｎｄ（アルミニウム及びネオジウムの合金）又はＡＳＣ（アルミニウム、サマリウム及び銅の合金）から成る構成とすることができる。透明導電材料から成る電極を『透明電極』と呼ぶ場合がある。ここで、ここで、透明導電材料のバンドギャップエネルギーは、２．５ｅＶ以上、好ましくは３．１ｅＶ以上であることが望ましい。透明電極を構成する透明導電材料として、導電性のある金属酸化物を挙げることができ、具体的には、酸化インジウム、インジウム－錫酸化物（ＩＴＯ，Indium Tin Oxide，ＳｎドープのＩｎ₂Ｏ₃、結晶性ＩＴＯ及びアモルファスＩＴＯを含む）、酸化亜鉛にドーパントとしてインジウムを添加したインジウム－亜鉛酸化物（ＩＺＯ，Indium Zinc Oxide）、酸化ガリウムにドーパントとしてインジウムを添加したインジウム－ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、酸化亜鉛にドーパントとしてインジウムとガリウムを添加したインジウム－ガリウム－亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ，Ｉｎ－ＧａＺｎＯ₄）、酸化亜鉛にドーパントとしてインジウムと錫を添加したインジウム－錫－亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）、ＩＦＯ（ＦドープのＩｎ₂Ｏ₃）、酸化錫（ＳｎＯ₂）、ＡＴＯ（ＳｂドープのＳｎＯ₂）、ＦＴＯ（ＦドープのＳｎＯ₂）、酸化亜鉛（他元素をドープしたＺｎＯを含む）、酸化亜鉛にドーパントとしてアルミニウムを添加したアルミニウム－亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、酸化亜鉛にドーパントとしてガリウムを添加したガリウム－亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化チタンにドーパントとしてニオブを添加したニオブ－チタン酸化物(ＴＮＯ)、酸化アンチモン、スピネル型酸化物、ＹｂＦｅ₂Ｏ₄構造を有する酸化物を例示することができる。あるいは又、ガリウム酸化物、チタン酸化物、ニオブ酸化物、ニッケル酸化物等を母層とする透明電極を挙げることができる。透明電極の厚さとして、２×１０^-8ｍ乃至２×１０^-7ｍ、好ましくは３×１０^-8ｍ乃至１×１０^-7ｍを挙げることができる。第１電極が透明性を要求される場合、製造プロセスの簡素化といった観点から、電荷排出電極も透明導電材料から構成することが好ましい。

　あるいは又、透明性が不要である場合、正孔を取り出す電極としての機能を有する陽極を構成する導電材料として、高仕事関数（例えば、φ＝４．５ｅＶ～５．５ｅＶ）を有する導電材料から構成することが好ましく、具体的には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、鉄（Ｆｅ）、イリジウム（Ｉｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、テルル（Ｔｅ）を例示することができる。一方、電子を取り出す電極としての機能を有する陰極を構成する導電材料として、低仕事関数（例えば、φ＝３．５ｅＶ～４．５ｅＶ）を有する導電材料から構成することが好ましく、具体的には、アルカリ金属（例えばＬｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物又は酸化物、アルカリ土類金属（例えばＭｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物又は酸化物、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、タリウム（Ｔｌ）、ナトリウム－カリウム合金、アルミニウム－リチウム合金、マグネシウム－銀合金、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属、あるいは、これらの合金を挙げることができる。あるいは又、陽極や陰極を構成する材料として、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、モリブデン（Ｍｏ）等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、不純物を含有したポリシリコン、炭素系材料、酸化物半導体、カーボン・ナノ・チューブ、グラフェン等の導電性材料を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。更には、陽極や陰極を構成する材料として、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］といった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。また、これらの導電性材料をバインダー（高分子）に混合してペースト又はインクとしたものを硬化させ、電極として用いてもよい。

　第１電極等や第２電極（陽極や陰極）の成膜方法として、乾式法あるいは湿式法を用いることが可能である。乾式法として、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）及び化学的気相成長法（ＣＶＤ法）を挙げることができる。ＰＶＤ法の原理を用いた成膜方法として、抵抗加熱あるいは高周波加熱を用いた真空蒸着法、ＥＢ（電子ビーム）蒸着法、各種スパッタリング法（マグネトロンスパッタリング法、ＲＦ－ＤＣ結合形バイアススパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法、高周波スパッタリング法）、イオンプレーティング法、レーザアブレーション法、分子線エピタキシー法、レーザ転写法を挙げることができる。また、ＣＶＤ法として、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、有機金属（ＭＯ）ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法を挙げることができる。一方、湿式法として、電解メッキ法や無電解メッキ法、スピンコート法、インクジェット法、スプレーコート法、スタンプ法、マイクロコンタクトプリント法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、ディップ法等の方法を挙げることができる。パターニング法として、シャドーマスク、レーザ転写、フォトリソグラフィー等の化学的エッチング、紫外線やレーザ等による物理的エッチング等を挙げることができる。第１電極等や第２電極の平坦化技術として、レーザ平坦化法、リフロー法、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等を用いることができる。

　絶縁層（下層絶縁層や上層絶縁層を含む）を構成する材料として、酸化ケイ素系材料；窒化ケイ素（ＳｉＮ_Y）；酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）等の金属酸化物高誘電絶縁材料に例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）；ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）；ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）；ポリイミド；ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）；ポリスチレン；Ｎ－２（アミノエチル）３－アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＥＡＰＴＭＳ）、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＭＰＴＭＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）等のシラノール誘導体（シランカップリング剤）；ノボラック型フェノール樹脂；フッ素系樹脂；オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端に制御電極と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料（有機ポリマー）を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯ_X）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率絶縁材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。各種層間絶縁層や絶縁材料膜を構成する材料も、これらの材料から適宜選択すればよい。

　制御部を構成する浮遊拡散層、増幅トランジスタ、リセット・トランジスタ及び選択トランジスタの構成、構造は、従来の浮遊拡散層、増幅トランジスタ、リセット・トランジスタ及び選択トランジスタの構成、構造と同様とすることができる。駆動回路も周知の構成、構造とすることができる。

　第１電極は、浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部に接続されているが、第１電極と浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部との接続のためにコンタクトホール部を形成すればよい。コンタクトホール部を構成する材料として、不純物がドーピングされたポリシリコンや、タングステン、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＴｉＮＷ、ＷＳｉ₂、ＭｏＳｉ₂等の高融点金属や金属シリサイド、これらの材料から成る層の積層構造（例えば、Ｔｉ／ＴｉＮ／Ｗ）を例示することができる。

　有機光電変換層と第１電極との間に、第１キャリアブロッキング層を設けてもよいし、有機光電変換層と第２電極との間に、第２キャリアブロッキング層を設けてもよい。また、第１キャリアブロッキング層と第１電極との間に第１電荷注入層を設けてもよいし、第２キャリアブロッキング層と第２電極との間に第２電荷注入層を設けてもよい。例えば、電子注入層を構成する材料として、例えば、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）といったアルカリ金属及びそのフッ化物や酸化物、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）といったアルカリ土類金属及びそのフッ化物や酸化物を挙げることができる。

　各種有機層の成膜方法として、乾式成膜法及び湿式成膜法を挙げることができる。乾式成膜法として、抵抗加熱あるいは高周波加熱、電子ビーム加熱を用いた真空蒸着法、フラッシュ蒸着法、プラズマ蒸着法、ＥＢ蒸着法、各種スパッタリング法（２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、ＲＦ－ＤＣ結合形バイアススパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法、高周波スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法）、ＤＣ（Direct Current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法や反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法、レーザアブレーション法、分子線エピタキシー法、レーザ転写法、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）を挙げることができる。また、ＣＶＤ法として、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法、光ＣＶＤ法を挙げることができる。一方、湿式法として、具体的には、スピンコート法；浸漬法；キャスト法；マイクロコンタクトプリント法；ドロップキャスト法；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法といった各種印刷法；スタンプ法；スプレー法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法といった各種コーティング法を例示することができる。塗布法においては、溶媒として、トルエン、クロロホルム、ヘキサン、エタノールといった無極性又は極性の低い有機溶媒を例示することができる。パターニング法として、シャドーマスク、レーザ転写、フォトリソグラフィー等の化学的エッチング、紫外線やレーザ等による物理的エッチング等を挙げることができる。各種有機層の平坦化技術として、レーザ平坦化法、リフロー法等を用いることができる。

　以上に説明した第１構成～第６構成の撮像素子の２種類あるいはそれ以上を、所望に応じて、適宜、組み合わせることができる。

　本開示の積層型撮像素子等あるいは固体撮像装置には、前述したとおり、必要に応じて、オンチップ・マイクロ・レンズや遮光層を設けてもよいし、本開示の積層型撮像素子等を駆動するための駆動回路や配線が設けられている。必要に応じて、本開示の積層型撮像素子等への光の入射を制御するためのシャッターを配設してもよいし、固体撮像装置の目的に応じて光学カットフィルタを具備してもよい。

　また、第１構成～第２構成の固体撮像装置にあっては、１つの本開示の積層型撮像素子等の上方に１つのオンチップ・マイクロ・レンズが配設されている形態とすることができるし、あるいは又、２つの本開示の積層型撮像素子等から撮像素子ブロックが構成されており、撮像素子ブロックの上方に１つのオンチップ・マイクロ・レンズが配設されている形態とすることができる。

　例えば、固体撮像装置を読出し用集積回路（ＲＯＩＣ）と積層する場合、読出し用集積回路及び銅（Ｃｕ）から成る接続部が形成された駆動用基板と、接続部が形成された撮像素子とを、接続部同士が接するように重ね合わせ、接続部同士を接合することで、積層することができるし、接続部同士をハンダバンプ等を用いて接合することもできる。

　また、本開示の第１の態様～第２の態様に係る固体撮像装置を駆動するための駆動方法にあっては、
　全ての撮像素子において、一斉に、光電変換層に電荷を蓄積しながら、第１電極における電荷を系外に排出し、その後、
　全ての撮像素子において、一斉に、光電変換層に蓄積された電荷を第１電極に転送し、転送完了後、順次、各撮像素子において第１電極に転送された電荷を読み出す、
各工程を繰り返す固体撮像装置の駆動方法とすることができる。

　このような固体撮像装置の駆動方法にあっては、各撮像素子は、第２電極側から入射した光が第１電極には入射しない構造を有し、全ての撮像素子において、一斉に、光電変換層に電荷を蓄積しながら、第１電極における電荷を系外に排出するので、全撮像素子において同時に第１電極のリセットを確実に行うことができる。そして、その後、全ての撮像素子において、一斉に、光電変換層に蓄積された電荷を第１電極に転送し、転送完了後、順次、各撮像素子において第１電極に転送された電荷を読み出す。それ故、所謂グローバルシャッター機能を容易に実現することができる。

　本開示の積層型撮像素子等として、ＣＣＤ素子、ＣＭＯＳイメージセンサー、ＣＩＳ（Contact Image Sensor）、ＣＭＤ（Charge Modulation Device）型の信号増幅型イメージセンサーを挙げることができる。本開示の第１の態様～第２の態様に係る固体撮像装置、第１構成～第２構成の固体撮像装置から、例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラ、カムコーダ、監視カメラ、車両搭載用カメラ、スマートホン用カメラ、ゲーム用のユーザーインターフェースカメラ、生体認証用カメラを構成することができる。そして、通常の撮像に加えて、偏光情報が同時に取得可能な撮像装置とすることができる。また、立体画像を撮像する撮像装置とすることもできる。

　本開示の積層型撮像素子等、本開示の第１の態様～第２の態様に係る固体撮像装置において、偏光子は、ライン・アンド・スペース構造を有するワイヤグリッド偏光素子から構成されていることが好ましい。

　ワイヤグリッド偏光素子のライン部は、光入射側とは反対側から、第１導電材料から成る光反射層、絶縁膜、及び、第２導電材料から成る光吸収層が積層された積層構造体から成る構成とすることができる。ここで、このような偏光子は、例えば、
　（Ａ）例えば光電変換部を形成した後、光電変換部の上あるいは光電変換部の上方に、第１導電材料から成り、基板又は光電変換部と電気的に接続された光反射層形成層を設け、次いで、
　（Ｂ）光反射層形成層の上に絶縁膜形成層を設け、絶縁膜形成層の上に、第２導電材料から成り、少なくとも一部が光反射層形成層と接した光吸収層形成層を設け、その後、
　（Ｃ）光吸収層形成層、絶縁膜形成層及び光反射層形成層をパターニングすることで、帯状の光反射層、絶縁膜及び光吸収層のライン部が、複数、離間して並置されて成るワイヤグリッド偏光素子を得る、
各工程に基づき製造することができる。尚、
　工程（Ｂ）において、基板又は光電変換部を介して光反射層形成層を所定の電位とした状態で、第２導電材料から成る光吸収層形成層を設け、
　工程（Ｃ）において、基板又は光電変換部を介して光反射層形成層を所定の電位とした状態で、光吸収層形成層、絶縁膜形成層及び光反射層形成層をパターニングする形態とすることができる。

　また、光反射層の下地層として、ＴｉやＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＮの積層構造が形成されている構成とすることができ、これによって、光反射層形成層、光反射層のラフネスを改善することができる。

　光反射層（光反射層形成層）は、金属材料、合金材料若しくは半導体材料から成る構成とすることができるし、光吸収層は、金属材料、合金材料若しくは半導体材料から成る構成とすることができる。具体的には、光反射層（光反射層形成層）を構成する無機材料として、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、テルル（Ｔｅ）等の金属材料や、これらの金属を含む合金材料、半導体材料を挙げることができる。

　また、光吸収層（光吸収層形成層）を構成する材料として、消衰係数ｋが零でない、即ち、光吸収作用を有する金属材料や合金材料、半導体材料、具体的には、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、鉄（Ｆｅ）、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、テルル（Ｔｅ）、錫（Ｓｎ）等の金属材料や、これらの金属を含む合金材料、半導体材料を挙げることができる。また、ＦｅＳｉ₂（特にβ－ＦｅＳｉ₂）、ＭｇＳｉ₂、ＮｉＳｉ₂、ＢａＳｉ₂、ＣｒＳｉ₂、ＣｏＳｉ₂等のシリサイド系材料を挙げることもできる。特に、光吸収層（光吸収層形成層）を構成する材料として、アルミニウム又はその合金、あるいは、β－ＦｅＳｉ₂や、ゲルマニウム、テルルを含む半導体材料を用いることで、可視光域で高コントラスト（高消光比）を得ることができる。尚、可視光以外の波長帯域、例えば赤外域に偏光特性を持たせるためには、光吸収層（光吸収層形成層）を構成する材料として、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を用いることが好ましい。これらの金属の共鳴波長が赤外域近辺にあるからである。

　光反射層形成層、光吸収層形成層は、各種化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、ゾル－ゲル法、メッキ法、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法等の公知の方法に基づき形成することができる。また、光反射層形成層、光吸収層形成層のパターニング法として、リソグラフィ技術とエッチング技術との組合せ（例えば、四フッ化炭素ガス、六フッ化硫黄ガス、トリフルオロメタンガス、二フッ化キセノンガス等を用いた異方性ドライエッチング技術や、物理的エッチング技術）や、所謂リフトオフ技術、サイドウォールをマスクとして用いる所謂セルフアラインダブルパターニング技術を挙げることができる。また、リソグラフィ技術として、フォトリソグラフィ技術（高圧水銀灯のｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、ＥＵＶ等を光源として用いたリソグラフィ技術、及び、これらの液浸リソグラフィ技術、電子線リソグラフィ技術、Ｘ線リソグラフィ）を挙げることができる。あるいは又、フェムト秒レーザ等の極短時間パルスレーザによる微細加工技術や、ナノインプリント法に基づき、光反射層や光吸収層を形成することもできる。

　絶縁膜（絶縁膜形成層）を構成する材料として、入射光に対して透明であり、光吸収特性を有していない絶縁材料、具体的には、ＳｉＯ₂、ＮＳＧ（ノンドープ・シリケート・ガラス）、ＢＰＳＧ（ホウ素・リン・シリケート・ガラス）、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＰｂＳＧ、ＡｓＳＧ、ＳｂＳＧ、ＳＯＧ（スピンオングラス）等のＳｉＯ_X系材料（シリコン系酸化膜を構成する材料）、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＯＦ、ＳｉＣＮ、低誘電率絶縁材料（例えば、フルオロカーボン、シクロパーフルオロカーボンポリマー、ベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、アモルファステトラフルオロエチレン、ポリアリールエーテル、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、有機ＳＯＧ、パリレン、フッ化フラーレン、アモルファスカーボン）、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、Ｓｉｌｋ（The Dow Chemical Co. の商標であり、塗布型低誘電率層間絶縁膜材料）、Ｆｌａｒｅ（Honeywell Electronic Materials Co. の商標であり、ポリアリルエーテル（ＰＡＥ)系材料）を挙げることができ、単独、あるいは、適宜、組み合わせて使用することができる。絶縁膜形成層は、各種ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、スクリーン印刷法といった各種印刷法、ゾル－ゲル法等の公知の方法に基づき形成することができる。絶縁膜は、光吸収層の下地層として機能すると共に、光吸収層で反射された偏光光と、光吸収層を透過し、光反射層で反射された偏光光の位相を調整し、干渉効果により消光比と透過率を向上させ、反射率を低減する目的で形成される。従って、絶縁膜は、１往復での位相が半波長分ずれるような厚さとすることが望ましい。但し、光吸収層は、光吸収効果を有するが故に、反射された光が吸収される。従って、絶縁膜の厚さが、上述のように最適化されていなくても、消光比の向上を実現することができる。それ故、実用上、所望の偏光特性と実際の作製工程との兼ね合い基づき絶縁膜の厚さを決定すればよく、例えば、１×１０^-9ｍ乃至１×１０^-7ｍ、より好ましくは、１×１０^-8ｍ乃至８×１０^-8ｍを例示することができる。また、絶縁膜の屈折率は、１．０より大きく、限定するものではないが、２．５以下とすることが好ましい。

　ところで、帯状の光反射層の延びる方向（第１の方向）は、消光させるべき偏光方位と一致しており、帯状の光反射層の繰り返し方向（第２の方向）は、透過させるべき偏光方位と一致している構成とすることができる。即ち、光反射層は、偏光子としての機能を有し、ワイヤグリッド偏光素子に入射した光の内、光反射層の延びる方向と平行な方向に電界成分を有する偏光波（ＴＥ波／Ｓ波及びＴＭ波／Ｐ波のいずれか一方）を減衰させ、光反射層の延びる方向と直交する方向（帯状の光反射層の繰り返し方向）に電界成分を有する偏光波（ＴＥ波／Ｓ波及びＴＭ波／Ｐ波のいずれか他方）を透過させる。光反射層の延びる方向がワイヤグリッド偏光素子の光吸収軸となり、光反射層の延びる方向（第２の方向）と直交する方向がワイヤグリッド偏光素子の光透過軸となる。また、第２の方向はｘ₀方向あるいはｙ₀方向と平行である形態とすることができる。

　光吸収層から光が入射する。そして、ワイヤグリッド偏光素子は、光の透過、反射、干渉、光学異方性による偏光波の選択的光吸収の４つの作用を利用することで、第１の方向に平行な電界成分を有する偏光波（ＴＥ波／Ｓ波及びＴＭ波／Ｐ波のいずれか一方）を減衰させると共に、第２の方向に平行な電界成分を有する偏光波（ＴＥ波／Ｓ波及びＴＭ波／Ｐ波のいずれか他方）を透過させる。即ち、一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）は、光吸収層の光学異方性による偏光波の選択的光吸収作用によって減衰される。帯状の光反射層は偏光子として機能し、光吸収層及び絶縁膜を透過した一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）を反射する。このとき、光吸収層を透過し、光反射層で反射された一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）の位相が半波長分ずれるように絶縁膜を構成すれば、光反射層で反射された一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）は、光吸収層で反射された一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）との干渉により打ち消し合って減衰される。以上のようにして、一方の偏光波（例えば、ＴＥ波）を選択的に減衰させることができる。但し、上述したように、絶縁膜の厚さが最適化されていなくても、コントラストの向上を実現することができる。それ故、上述したように、実用上、所望の偏光特性と実際の作製工程との兼ね合い基づき、絶縁膜の厚さを決定すればよい。

　第１の方向に沿ったライン・アンド・スペース構造の長さは、本開示の積層型撮像素子等の実質的に光電変換を行う領域である光電変換領域の第１の方向に沿った長さと同じとすることができるし、本開示の積層型撮像素子等の長さと同じとすることもできるし、第１の方向に沿った本開示の積層型撮像素子等の長さの整数倍とすることもできる。

　上記の各種好ましい形態、構成を含む偏光子において、ワイヤグリッド偏光素子の上に保護膜が形成されており、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部は空隙である形態とすることができる。即ち、スペース部の上方は保護膜で覆われており、スペース部は少なくとも空気で満たされている形態とすることもできる。このような偏光子を、便宜上、『第１構成の偏光子』と呼ぶ。このように、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部を空隙とすることで、平均屈折率ｎ_aveの値を小さくすることができる。その結果、ワイヤグリッド偏光素子における透過率の向上、消光比の向上を図ることができる。また、形成ピッチＰ₀の値を大きくすることができるので、ワイヤグリッド偏光素子の製造歩留りの向上を図ることができる。しかも、ワイヤグリッド偏光素子の上に保護膜を形成することで、高い信頼性を有する本開示の積層型撮像素子等や固体撮像装置を提供することができる。

　第１構成の偏光子において、ワイヤグリッド偏光素子と保護膜との間には第２保護膜が形成されており、
　保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₂としたとき、
ｎ₁＞ｎ₂
を満足する形態とすることができる。ｎ₁＞ｎ₂ を満足することで、平均屈折率ｎ_aveの値を確実に小さくすることができる。

　ここで、保護膜はＳｉＮから成り、第２保護膜はＳｉＯ₂又はＳｉＯＮから成ることが好ましい。

　上記の各種好ましい形態、構成を含む第１構成の偏光子において、少なくとも、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部に面したライン部の側面には第３保護膜が形成されている形態とすることができる。即ち、スペース部は空気で満たされ、加えて、スペース部には第３保護膜が存在する。ここで、第３保護膜を構成する材料として、屈折率が２以下、消衰係数が零に近い材料が望ましく、ＴＥＯＳ－ＳｉＯ₂を含むＳｉＯ₂、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣＮ等の絶縁材料や、酸化アルミニウム（ＡｌＯ_X）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_x）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_x）、酸化タンタル（ＴａＯ_x）等の金属酸化物を挙げることができる。あるいは又、パーフルオロデシルトリクロロシランやオクタデシルトリクロロシランを挙げることができる。第３保護膜は、各種ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法や真空蒸着法を含む各種ＰＶＤ法、ゾル－ゲル法等の公知のプロセスによって形成することができるが、所謂単原子成長法（ＡＬＤ法、Atomic Layer Doposition 法）や、ＨＤＰ－ＣＶＤ法（高密度プラズマ化学的気相成長法）を採用することが、より好ましい。ＡＬＤ法を採用することで、薄い第３保護膜をコンフォーマルにワイヤグリッド偏光素子上に形成することができるが、より一層薄い第３保護膜をライン部の側面に形成するといった観点から、ＨＤＰ－ＣＶＤ法を採用することが更に一層好ましい。あるいは又、スペース部を、第３保護膜を構成する材料で充填し、しかも、第３保護膜に、隙間、空孔、ボイド等を設ければ、第３保護膜全体の屈折率を低下させることができる。

　ワイヤグリッド偏光素子を構成する金属材料や合金材料（以下、『金属材料等』と呼ぶ場合がある）が外気と接触すると、外気からの水分や有機物の付着によって金属材料等の腐食耐性が劣化し、本開示の積層型撮像素子等の長期信頼性が劣化する虞がある。特に、金属材料等－絶縁材料－金属材料等のライン部に水分が付着すると、水分中にはＣＯ₂やＯ₂が溶解しているために電解液として作用し、２種類のメタル間の間で局部電池が形成される虞がある。そして、このような現象が生じると、カソード（正極）側では水素発生等の還元反応が進み、アノード（負極側）では酸化反応が進むことにより、金属材料等の異常析出やワイヤグリッド偏光素子の形状変化が発生する。そして、その結果、本来期待されたワイヤグリッド偏光素子や本開示の積層型撮像素子等の性能が損なわれる虞がある。例えば、光反射層としてアルミニウム（Ａｌ）を用いる場合、以下の反応式で示すようなアルミニウムの異常析出が発生する虞がある。しかしながら、保護膜を形成すれば、また、第３保護膜を形成すれば、このような問題の発生を確実に回避することができる。
Ａｌ　→　Ａｌ³⁺　＋　３ｅ^-
Ａｌ³⁺　＋　３ＯＨ^-　→　Ａｌ（ＯＨ）₃

　また、上記の各種好ましい形態、構成を含む偏光子において、
　ワイヤグリッド偏光素子を取り囲むフレーム部が備えられており、
　フレーム部と、ワイヤグリッド偏光素子のライン部とは連結されており、
　フレーム部は、ワイヤグリッド偏光素子のライン部と同じ構造を有する形態とすることができる。このような偏光子を、便宜上、『第２構成の偏光子』と呼ぶ。

　このように、フレーム部とワイヤグリッド偏光素子のライン部とが連結されており、フレーム部はワイヤグリッド偏光素子のライン部と同じ構造を有する形態とすることで、本開示の積層型撮像素子等の四隅に対応するワイヤグリッド偏光素子の外周部の部分に光電変換部からの剥離が発生するといった問題、ワイヤグリッド偏光素子の外周部の構造とワイヤグリッド偏光素子の中央部の構造に差異が生じ、ワイヤグリッド偏光素子自体の性能が低下するといった問題、ワイヤグリッド偏光素子の外周部に入射した光が偏光方向の異なる隣接する本開示の積層型撮像素子等に漏れ込み易いといった問題を解消することができ、高い信頼性を有する本開示の積層型撮像素子等や固体撮像装置を提供することができる。

　場合によっては、本開示の積層型撮像素子等の縁部には、基板の一方の面から他方の面に亙り、更に、ワイヤグリッド偏光素子の下方まで延びる、絶縁材料又は遮光材料が埋め込まれた溝部（一種の素子分離領域）が形成されている形態とすることができる。絶縁材料として、絶縁膜（絶縁膜形成層）や層間絶縁層を構成する材料を挙げることができるし、遮光材料として、後述する遮光部を構成する材料を挙げることができる。このような溝部を形成することで、感度低下、偏光クロストークの発生、消光比の低下を防止することができる。

　また、上記の各種好ましい形態、構成を含む偏光子において、光反射層の延在部が基板又は光電変換部と電気的に接続されている構成とすることができる。このように、光反射層の延在部を基板又は光電変換部と電気的に接続することで、ワイヤグリッド偏光素子の形成時、光反射層形成層や光吸収層形成層が帯電し、一種の放電が発生する結果、ワイヤグリッド偏光素子や光電変換部に損傷が発生するといった問題の発生を、確実に回避することができる。場合によっては、光反射層の頂面全面に絶縁膜が形成されており、絶縁膜の頂面全面に光吸収層が形成されている構成としてもよく、このような構成によっても、光吸収層及び光反射層の全領域が基板又は光電変換部に電気的に接続されるので、確実に放電の発生を防止することができる。あるいは又、場合によっては、絶縁膜を省略し、光入射側とは反対側から、光反射層及び光吸収層が積層されて成る構成とすることができる。

　基板又は光電変換部と光反射層の延在部（あるいは光反射層形成層）とが電気的に接続される領域は、撮像領域に位置する形態とすることができるし、撮像領域の外周に設けられた光学的黒画素領域（ＯＰＢ）に位置する形態とすることができるし、撮像領域の外側に設けられた周辺領域に位置する形態とすることができる。尚、基板又は光電変換部と光反射層の延在部（あるいは光反射層形成層）とが電気的に接続される領域は、撮像領域に位置する場合、あるいは、光学的黒画素領域（ＯＰＢ）に位置する場合、各本開示の積層型撮像素子等に設けられていてもよいし、複数の本開示の積層型撮像素子等に対して１箇所設けられていてもよいし、全ての本開示の積層型撮像素子等に対して１箇所設けられていてもよく、また、１つの本開示の積層型撮像素子等に対して、１箇所設けられていてもよいし、複数箇所設けられていてもよい。また、周辺領域に位置する場合、１箇所設けられていてもよいし、複数箇所に設けられていてもよい。

　本開示の積層型撮像素子等と積層型撮像素子等との間の領域には遮光部が形成されており、光反射層の延在部は遮光部に接している形態とすることができる。ここで、遮光部に接している光反射層の延在部の長さは、本開示の積層型撮像素子等の実質的に光電変換を行う領域である光電変換領域の長さ（光電変換領域の辺の長さ）と同じとすることができるし、あるいは又、光電変換領域の長さの半分の長さ乃至同じ長さとすることができる。このような形態を採用することで、隣接する本開示の積層型撮像素子等からの混色の発生を防止することもできる。また、光反射層形成層と光吸収層形成層とが接する領域は、本開示の積層型撮像素子等と積層型撮像素子等との間の領域であって、本開示の積層型撮像素子等の四隅の内の少なくとも１箇所とすることができる。周辺領域においても遮光部が形成されており、光反射層の延在部は遮光部に接している形態とすることもできる。遮光部は、例えば、クロム（Ｃｒ）や銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）から構成することができ、これによって、隣接する本開示の積層型撮像素子等への光の漏れ込み（偏光クロストーク）を、一層効果的に防ぐことができる。ここで、遮光部に接している光反射層の延在部の長さは、本質的に任意の長さとすることができる。

　周辺領域において、ワイヤグリッド偏光素子の形成は不要である。周辺領域はフレーム部と同じ構造で占められていることが好ましい。フレーム部あるいは周辺領域は、ワイヤグリッド偏光素子として機能しないのであれば、ワイヤグリッド偏光素子のようにラインアンドスペース・パターンが設けられていてもよい。即ち、ワイヤグリッドの形成ピッチＰ₀が入射する電磁波の実効波長よりも充分に大きい構造を有していてもよい。

　オンチップ・マイクロ・レンズ（ＯＣＬ）の上方にワイヤグリッド偏光素子が配置されている形態とすることができるし、ワイヤグリッド偏光素子の上方にオンチップ・マイクロ・レンズが配置されている形態とすることもできる。前者の本開示の積層型撮像素子等を、便宜上、『本開示の撮像素子－Ａ』と呼び、後者の本開示の積層型撮像素子等を、便宜上、『本開示の撮像素子－Ｂ』と呼ぶ。

　本開示の撮像素子－Ａにあっては、オンチップ・マイクロ・レンズ（下側に位置する）とワイヤグリッド偏光素子（上側に位置する）との間に、オンチップ・マイクロ・レンズ側から、例えば透明な樹脂（例えば、アクリル系樹脂）から成る平坦化層、及び、ワイヤグリッド偏光素子製造工程においてプロセスの下地として機能するシリコン酸化膜等の無機材料から成る下地絶縁材料層が形成されている構成とすることができる。更には、これらの好ましい構成を含む本開示の撮像素子－Ａにあっては、オンチップ・マイクロ・レンズの下方に波長選択手段（具体的には、例えば、周知のカラーフィルタ層）が配置されている構成とすることができる。

　また、本開示の撮像素子－Ｂにあっては、ワイヤグリッド偏光素子（下側に位置する）とオンチップ・マイクロ・レンズ（上側に位置する）との間に、波長選択手段（具体的には、例えば、周知のカラーフィルタ層）が配置されている構成とすることができる。このような構成を採用することで、各ワイヤグリッド偏光素子における透過光の波長帯域において独立してワイヤグリッド偏光素子の最適化を図ることができ、可視光域全域において一層の低反射率を実現することができる。ワイヤグリッド偏光素子と波長選択手段との間には平坦化層が形成され、ワイヤグリッド偏光素子の下には、ワイヤグリッド偏光素子製造工程においてプロセスの下地として機能するシリコン酸化膜等の無機材料から成る下地絶縁材料層が形成されている構成とすることができる。

　本開示の撮像素子－Ａにあっては、入射した光に基づき電流を生成する上層光電変換層、オンチップ・マイクロ・レンズ、平坦化層、下地絶縁材料層、遮光部及びカラーフィルタ層、並びに、配線（配線層）、各種層間絶縁層が、順次、積層された構造を挙げることができる。また、本開示の撮像素子－Ｂにあっては、入射した光に基づき電流を生成する上層光電変換層、下地絶縁材料層及び遮光部、並びに、配線（配線層）、各種層間絶縁層が、順次、積層された構造を挙げることができる。光反射層の延在部や光反射層形成層が電気的に接続される光電変換部は、例えば、遮光部あるいは配線（配線層）である。光反射層の延在部や光反射層形成層が電気的に接続される基板の部分には、例えば、高濃度不純物領域や金属層、合金層、配線層等を形成すればよい。

　本開示の固体撮像装置を構成する全ての本開示の積層型撮像素子等がワイヤグリッド偏光素子を備えていてもよいし、一部の本開示の積層型撮像素子等がワイヤグリッド偏光素子を備えていてもよい。複数の本開示の積層型撮像素子等から構成された撮像素子ユニットはベイヤ配列を有し、１撮像素子ユニット（１画素）は４つの本開示の積層型撮像素子等から構成されている形態とすることができる。但し、撮像素子ユニットの配列は、ベイヤ配列に限定されず、その他、インターライン配列、ＧストライプＲＢ市松配列、ＧストライプＲＢ完全市松配列、市松補色配列、ストライプ配列、斜めストライプ配列、原色色差配列、フィールド色差順次配列、フレーム色差順次配列、ＭＯＳ型配列、改良ＭＯＳ型配列、フレームインターリーブ配列、フィールドインターリーブ配列を挙げることができる。例えば、ベイヤ配列の場合、２×２の副画素領域の内の３つの副画素領域のそれぞれに、赤色カラーフィルタ層、緑色カラーフィルタ層、青色カラーフィルタ層を配置し、本来、緑色カラーフィルタ層を配置すべき残りの１つの副画素領域にはカラーフィルタ層を配置せず、この残りの１つの副画素領域（白色副画素領域）にワイヤグリッド偏光素子を配置する構成とすることができる。あるいは又、ベイヤ配列の場合、２×２の副画素領域の内の３つの副画素領域のそれぞれに、赤色カラーフィルタ層、緑色カラーフィルタ層、青色カラーフィルタ層を配置し、残りの１つの副画素領域に緑色カラーフィルタ層とワイヤグリッド偏光素子を配置する構成とすることもできる。色分離や分光を目的としない場合、若しくは、本開示の積層型撮像素子等において、それ自体が特定波長に感度を有するような撮像素子である場合、フィルターは不要な場合がある。また、カラーフィルタ層（波長選択手段）を配置しない副画素領域にあっては、カラーフィルタ層を配置した副画素領域との間の平坦性を確保するために、カラーフィルタ層の代わりに透明な樹脂層を形成してもよい。即ち、本開示の積層型撮像素子等は、赤色の感度を有する赤色光用撮像素子、緑色の感度を有する緑色光用撮像素子、青色の感度を有する青色光用撮像素子の組合せから構成されていてもよい。そして、これらに加えて、近赤外線に感度を有する近赤外光用光電変換素子の組合せから構成されていてもよいし、単色の画像と近赤外線に基づく画像の組合せを得る固体撮像装置としてもよい。

　実施例１は、本開示の積層型撮像素子及び本開示の第１の態様に係る固体撮像装置に関する。実施例１の積層型撮像素子の模式的な一部断面図を図１に示し、実施例１の積層型撮像素子の等価回路図を図３に示す。また、実施例１の積層型撮像素子を構成するワイヤグリッド偏光素子の模式的な部分的斜視図を図１２に示し、模式的な一部端面図を図１３Ａに示す。更には、赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成するカラーフィルタ層等の模式的な配置図を図４Ａに示し、偏光子の模式的な配置図を図４Ｂに示し、上層光電変換部の模式的な配置図を図５Ａに示し、下層光電変換部の模式的な配置図を図５Ｂに示す。尚、図１には、一部のトランジスタのみを図示した。

　実施例１の積層型撮像素子は、偏光子９１、及び、積層された複数の光電変換部１０から構成されており、偏光子９１と複数の光電変換部１０とは、偏光子９１が複数の光電変換部１０よりも光入射側に配設された状態で積層されている。

　また、実施例１の固体撮像装置は、積層型撮像素子が、ｘ₀方向及びｙ₀方向に２次元マトリクス状に配列されて成り、
　各積層型撮像素子は、偏光子９１、及び、積層された複数の光電変換部１０から構成されており、
　各積層型撮像素子を構成する偏光子９１と複数の光電変換部１０とは、偏光子９１が複数の光電変換部１０よりも光入射側に配設された状態で積層されている。ｘ₀方向は所謂行方向あるいは所謂列方向であり、ｙ₀方向は列方向あるいは行方向である。

　あるいは又、実施例１の固体撮像装置は、２×２に配列された第１積層型撮像素子１０₁、第２積層型撮像素子１０₂、第３積層型撮像素子１０₃及び第４積層型撮像素子１０₄の４つの積層型撮像素子から構成された撮像素子ユニットが、２次元マトリクス状に配列されて成り、
　各撮像素子ユニットは、更に、少なくとも第４積層型撮像素子１０₄の光入射側に偏光子９１Ｗを備えている。

　実施例１の固体撮像装置から、例えば、デジタルスチルカメラやビデオカメラ、カムコーダ、監視カメラ、車両搭載用カメラ（車載カメラ）、スマートホン用カメラ、ゲーム用のユーザーインターフェースカメラ、生体認証用カメラ等が構成されている。

　そして、実施例１において、複数の光電変換部は、白色光に感度を有する光電変換部１０Ｗ、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１０ｉＲから成る。ここで、光電変換部１０Ｗは上層光電変換部を構成し、光電変換部１０ｉＲは下層光電変換部を構成する。赤色光に感度を有する光電変換部１０Ｒ、緑色光に感度を有する光電変換部１０Ｇ、及び、青色光に感度を有する光電変換部１０Ｂは、白色光に感度を有する光電変換部１０Ｗと同じレベルに形成されている。また、赤色光に感度を有する光電変換部１０Ｒ、緑色光に感度を有する光電変換部１０Ｇ、及び、青色光に感度を有する光電変換部１０Ｂの上方には、偏光子は設けられていない一方、下方には、近赤外光に感度を有する光電変換部１０ｉＲが設けられている。

　カラーフィルタ層９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂが設けられているので、光電変換部１０Ｒ、光電変換部１０Ｇ、光電変換部１０Ｂ、光電変換部１０Ｗの構成、構造は同じであり、可視光の波長帯全域を光電変換可能な光電変換部から構成することが好ましい。また、光電変換部１０ｉＲの構成、構造も同じである。近赤外光は、カラーフィルタ層９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂを通過する。限定するものではないが、光電変換部１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗは、有機光電変換材料や、例えば厚さ約３μｍのシリコン層から構成すればよいし、光電変換部１０ｉＲは、有機光電変換材料や、例えば厚さ約４μｍのシリコン層から構成すればよい。以下の実施例１の変形例、実施例２、実施例２の変形例においても同様とすることができる。

　また、実施例１の積層型撮像素子において、偏光子９１Ｗは、第１偏光子セグメント９１’Ｗ₁、第２偏光子セグメント９１’Ｗ₂、第３偏光子セグメント９１’Ｗ₃及び第４偏光子セグメント９１’Ｗ₄の４つの偏光子セグメントが２×２に配列されて成る。即ち、これらの４つの偏光子セグメントの内、ｘ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列されており、ｙ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列されている。そして、第１偏光子セグメント９１’Ｗ₁が透過させるべき偏光方位はα度であり、第２偏光子セグメント９１’Ｗ₂が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、第３偏光子セグメント９１’Ｗ₃が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、第４偏光子セグメント９１’Ｗ₄が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である。αの値として、ｙ₀方向と間に成す角度を「０度」とした。偏光子にハッチング線を付したが、ハッチング線の延びる方向と直交する方向は、偏光子（あるいは偏光子セグメント）が透過させるべき偏光方位を示している。

　ここで、図１に示す実施例１の積層型撮像素子は、裏面照射型の積層型撮像素子である。そして、具体的には、図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂに示す例では、第１積層型撮像素子１０₁は、赤色カラーフィルタ層９０Ｒ［図４Ａ参照］、赤色カラーフィルタ層９０Ｒの下方に配設された４つの上層光電変換部（赤色光用撮像素子１０Ｒ₁，１０Ｒ₂，１０Ｒ₃，１０Ｒ₄）［図５Ａ参照］、及び、上層光電変換部のそれぞれの下方に配設された下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１０ｉＲ₁₁，１０ｉＲ₁₂，１０ｉＲ₁₃，１０ｉＲ₁₄）［図５Ｂ参照］から構成されている。

　また、第２積層型撮像素子１０₂は、緑色カラーフィルタ層９０Ｇ（図４Ａ参照）、緑色カラーフィルタ層９０Ｇの下方に配設された４つの上層光電変換部（緑色光用撮像素子１０Ｇ₁，１０Ｇ₂，１０Ｇ₃，１０Ｇ₄）、及び、上層光電変換部のそれぞれの下方に配設された下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１０ｉＲ₂₁，１０ｉＲ₂₂，１０ｉＲ₂₃，１０ｉＲ₂₄）から構成されている。

　更には、第３積層型撮像素子１０₃は、青色カラーフィルタ層９０Ｂ（図４Ａ参照）、青色カラーフィルタ層９０Ｂの下方に配設された４つの上層光電変換部（青色光用撮像素子１０Ｂ₁，１０Ｂ₂，１０Ｂ₃，１０Ｂ₄）、及び、上層光電変換部のそれぞれの下方に配設された下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１０ｉＲ₃₁，１０ｉＲ₃₂，１０ｉＲ₃₃，１０ｉＲ₃₄）から構成されている。

　また、第４積層型撮像素子１０₄は、透明樹脂層９０Ｗ（図４Ａ参照）、透明樹脂層９０Ｗの下方に配設された４つの偏光子セグメント９１’Ｗ₁，９１’Ｗ₂，９１’Ｗ₃，９１’Ｗ₄、４つの偏光子のそれぞれの下方に配設された上層光電変換部（白色光用撮像素子１０Ｗ₁，１０Ｗ₂，１０Ｗ₃，１０Ｗ₄）、及び、上層光電変換部のそれぞれの下方に配設された下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１０ｉＲ₄₁，１０ｉＲ₄₄，１０ｉＲ₄₃，１０ｉＲ₄₄）から構成されている。

　あるいは又、云い換えれば、
　第１積層型撮像素子１０₁は、赤色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第２積層型撮像素子１０₂は、緑色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第３積層型撮像素子１０₃は、青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第４積層型撮像素子１０₄は、白色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第４積層型撮像素子１０₄の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された（即ち、ｘ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列され、ｙ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列された）、第４－１偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｗ₁、第４－２偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｗ₁、第４－３偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｗ₃及び第４－４偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｗ₄の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第４－１偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｗ₁が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第４－２偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｗ₂が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第４－３偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｗ₃が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４－４偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｗ₄が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である。

　上層光電変換部は、半導体基板７０に設けられたｎ型半導体領域３１を光電変換層として備えている。縦型トランジスタから成る転送トランジスタＴＲ１_trsのゲート部３５が、ｎ型半導体領域３１まで延びており、且つ、転送ゲート線ＴＧ₁に接続されている。また、転送トランジスタＴＲ１_trsのゲート部３５の近傍の半導体基板７０の領域３５Ｃには、第１浮遊拡散層ＦＤ₁が設けられている。ｎ型半導体領域３１に蓄積された電荷は、ゲート部３５に沿って形成される転送チャネルを介して第１浮遊拡散層ＦＤ₁に読み出される。

　上層光電変換部にあっては、更に、半導体基板７０の第１面側に、上層光電変換部の制御部を構成するリセット・トランジスタＴＲ１_rst、増幅トランジスタＴＲ１_amp及び選択トランジスタＴＲ１_selが設けられている。

　リセット・トランジスタＴＲ１_rstは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。リセット・トランジスタＴＲ１_rstのゲート部はリセット線ＲＳＴ₁に接続され、リセット・トランジスタＴＲ１_rstの一方のソース／ドレイン領域は電源Ｖ_DDに接続され、他方のソース／ドレイン領域は、第１浮遊拡散層ＦＤ₁を兼ねている。

　増幅トランジスタＴＲ１_ampは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、リセット・トランジスタＴＲ１_rstの他方のソース／ドレイン領域（第１浮遊拡散層ＦＤ₁）に接続されている。一方のソース／ドレイン領域は、電源Ｖ_DDに接続されている。

　選択トランジスタＴＲ１_selは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、選択線ＳＥＬ₁に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、増幅トランジスタＴＲ１_ampを構成する他方のソース／ドレイン領域と領域を共有しており、他方のソース／ドレイン領域は、信号線（データ出力線）ＶＳＬ₁に接続されている。

　下層光電変換部は、半導体基板７０に設けられたｎ型半導体領域３３を光電変換層として備えている。転送トランジスタＴＲ２_trsのゲート部３６は転送ゲート線ＴＧ₂に接続されている。また、転送トランジスタＴＲ２_trsのゲート部３６の近傍の半導体基板７０の領域３６Ｃには、第２浮遊拡散層ＦＤ₂が設けられている。ｎ型半導体領域３３に蓄積された電荷は、ゲート部３６に沿って形成される転送チャネル３６Ａを介して第２浮遊拡散層ＦＤ₂に読み出される。

　下層光電変換部にあっては、更に、半導体基板７０の第１面側に、下層光電変換部の制御部を構成するリセット・トランジスタＴＲ２_rst、増幅トランジスタＴＲ２_amp及び選択トランジスタＴＲ２_selが設けられている。

　リセット・トランジスタＴＲ２_rstは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。リセット・トランジスタＴＲ２_rstのゲート部はリセット線ＲＳＴ₂に接続され、リセット・トランジスタＴＲ２_rstの一方のソース／ドレイン領域は電源Ｖ_DDに接続され、他方のソース／ドレイン領域は、第２浮遊拡散層ＦＤ₂を兼ねている。

　増幅トランジスタＴＲ２_ampは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、リセット・トランジスタＴＲ２_rstの他方のソース／ドレイン領域（第２浮遊拡散層ＦＤ₂）に接続されている。一方のソース／ドレイン領域は、電源Ｖ_DDに接続されている。

　選択トランジスタＴＲ２_selは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、選択線ＳＥＬ₂に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、増幅トランジスタＴＲ２_ampを構成する他方のソース／ドレイン領域と領域を共有しており、他方のソース／ドレイン領域は、信号線（データ出力線）ＶＳＬ₂に接続されている。

　リセット線ＲＳＴ₁，ＲＳＴ₂、選択線ＳＥＬ₁，ＳＥＬ₂、転送ゲート線ＴＧ₁，ＴＧ₂は、駆動回路を構成する垂直駆動回路１１２に接続され、信号線（データ出力線）ＶＳＬ₁，ＶＳＬ₂は、駆動回路を構成するカラム信号処理回路１１３に接続されている。

　上層光電変換部及び下層光電変換部の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作は、従来の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作と同様であるので、詳細な説明は省略する。

　ｎ型半導体領域３３と半導体基板７０の表面７０Ａとの間にはｐ⁺層３４が設けられており、暗電流発生を抑制している。ｎ型半導体領域３１とｎ型半導体領域３３との間には、ｐ⁺層３２が形成されており、更には、ｎ型半導体領域３３の側面の一部はｐ⁺層３２によって囲まれている。半導体基板７０の裏面７０Ｂの側には、ｐ⁺層７３が形成されている。

　ｐ⁺層７３の上には、下層絶縁層８３、偏光子９１、上層絶縁層８４、カラーフィルタ層９０及びオンチップ・マイクロ・レンズ（ＯＣＬ）１４が形成されている。

　図１１に、実施例１の固体撮像装置の概念図を示す。実施例１の固体撮像装置１００は、積層型撮像素子１０１が２次元アレイ状に配列された撮像領域１１１、並びに、その駆動回路（周辺回路）としての垂直駆動回路１１２、カラム信号処理回路１１３、水平駆動回路１１４、出力回路１１５及び駆動制御回路１１６等から構成されている。これらの回路は周知の回路から構成することができるし、また、他の回路構成（例えば、従来のＣＣＤ撮像装置やＣＭＯＳ撮像装置にて用いられる各種の回路）を用いて構成することができることは云うまでもない。図１１において、積層型撮像素子１０１における参照番号「１０１」の表示は、１行のみとした。

　駆動制御回路１１６は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスター・クロックに基づいて、垂直駆動回路１１２、カラム信号処理回路１１３及び水平駆動回路１１４の動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、生成されたクロック信号や制御信号は、垂直駆動回路１１２、カラム信号処理回路１１３及び水平駆動回路１１４に入力される。

　垂直駆動回路１１２は、例えば、シフトレジスタによって構成され、撮像領域１１１の各積層型撮像素子１０１を行単位で順次垂直方向に選択走査する。そして、各積層型撮像素子１０１における受光量に応じて生成した電流（信号）に基づく画素信号（画像信号）は、信号線（データ出力線）１１７，ＶＳＬを介してカラム信号処理回路１１３に送られる。

　カラム信号処理回路１１３は、例えば、積層型撮像素子１０１の列毎に配置されており、１行分の積層型撮像素子１０１から出力される画像信号を撮像素子毎に黒基準画素（図示しないが、有効画素領域の周囲に形成される）からの信号によって、ノイズ除去や信号増幅の信号処理を行う。カラム信号処理回路１１３の出力段には、水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１１８との間に接続されて設けられる。

　水平駆動回路１１４は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路１１３の各々を順次選択し、カラム信号処理回路１１３の各々から信号を水平信号線１１８に出力する。

　出力回路１１５は、カラム信号処理回路１１３の各々から水平信号線１１８を介して順次供給される信号に対して、信号処理を行って出力する。

　実施例１の撮像素子、積層型撮像素子は、例えば、以下の方法で作製することができる。即ち、先ず、ＳＯＩ基板を準備する。そして、ＳＯＩ基板の表面に第１シリコン層をエピタキシャル成長法に基づき形成し、この第１シリコン層に、ｐ⁺層７３、ｎ型半導体領域３１を形成する。次いで、第１シリコン層上に第２シリコン層をエピタキシャル成長法に基づき形成し、この第２シリコン層に、素子分離領域７１、酸化膜７２、ｐ⁺層３２、ｎ型半導体領域３３、ｐ⁺層３４を形成する。また、第２シリコン層に、撮像素子の制御部を構成する各種トランジスタ等を形成し、更にその上に、配線層（図示せず）や層間絶縁層７６、各種配線を形成した後、層間絶縁層７６と支持基板（図示せず）とを貼り合わせる。その後、ＳＯＩ基板を除去して第１シリコン層を露出させる。第２シリコン層の表面が半導体基板７０の表面７０Ａに該当し、第１シリコン層の表面が半導体基板７０の裏面７０Ｂに該当する。また、第１シリコン層と第２シリコン層を纏めて半導体基板７０と表現している。次いで、ｐ⁺層７３に下層絶縁層８３、偏光子９１、上層絶縁層８４、カラーフィルタ層９０及びオンチップ・マイクロ・レンズ１４を形成する。以上によって、実施例１の積層型撮像素子を得ることができる。

　偏光子９１は、ライン・アンド・スペース構造を有するワイヤグリッド偏光素子（以下、ワイヤグリッド偏光素子９１と呼ぶ場合がある）から成る。ライン部を参照番号９２で示し、スペース部を参照番号９６で示す。

　ワイヤグリッド偏光素子９１のライン部９２は、光入射側とは反対側（実施例１にあっては光電変換部側）から、第１導電材料（具体的には、アルミニウム（Ａｌ））から成る光反射層９３、ＳｉＯ₂から成る絶縁膜９４、及び、第２導電材料（具体的には、タングステン（Ｗ））から成る光吸収層９５が積層された積層構造体から構成されている。光反射層９３の頂面全面に絶縁膜９４が形成されており、絶縁膜９４の頂面全面に光吸収層９５が形成されている。具体的には、光反射層９３は、厚さ１５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）から構成され、絶縁膜９４は、厚さ２５ｎｍあるいは５０ｎｍのＳｉＯ₂から構成され、光吸収層９５は、厚さ２５ｎｍのタングステン（Ｗ）から構成されている。光反射層９３は、偏光子としての機能を有し、ワイヤグリッド偏光素子９１に入射した光の内、光反射層９３の延びる方向（第１の方向）と平行な方向に電界成分を有する偏光波を減衰させ、光反射層９３の延びる方向と直交する方向（第２の方向）に電界成分を有する偏光波を透過させる。第１の方向はワイヤグリッド偏光素子９１の光吸収軸であり、第２の方向はワイヤグリッド偏光素子９１の光透過軸である。光電変換部（具体的には、下層絶縁層８３）と光反射層９３との間には、ＴｉやＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＮの積層構造から成る下地膜が形成されているが、下地膜の図示は省略した。

　実施例１の固体撮像装置において、光反射層９３、絶縁膜９４及び光吸収層９５は、積層型撮像素子において共通である。光学的黒画素領域（ＯＰＢ）及び周辺領域（これらは図示せず）は、光反射層９３、絶縁膜９４及び光吸収層９５から成るフレーム部９８（後述する図１５を参照）と同じ構造で占められている。

　実施例１にあっては、ワイヤグリッド偏光素子９１は、白色光に感度を有する光電変換部１０Ｗ、近赤外光に感度を有する光電変換部１０ｉＲと同じ大きさを有するがこれに限定するものでなく、光電変換部１０Ｗ、光電変換部１０ｉＲよりも大きくともよい。

　偏光子９１は、以下の方法で作製することができる。即ち、下層絶縁層８３上に、ＴｉあるいはＴｉＮ、Ｔｉ／ＴｉＮの積層構造から成る下地膜（図示せず）、第１導電材料（具体的には、アルミニウム）から成る光反射層形成層９３Ａを真空蒸着法に基づき設ける（図１００Ａ及び図１００Ｂ参照）。次いで、光反射層形成層９３Ａの上に絶縁膜形成層９４Ａを設け、絶縁膜形成層９４Ａの上に、第２導電材料から成る光吸収層形成層９５Ａを設ける。具体的には、ＳｉＯ₂から成る絶縁膜形成層９４Ａを、光反射層形成層９３Ａ上にＣＶＤ法に基づき形成する（図１００Ｃ参照）。そして、絶縁膜形成層９４Ａ上に、スパッタリング法によって、タングステン（Ｗ）から成る光吸収層形成層９５Ａを形成する。こうして、図１００Ｄに示す構造を得ることができる。

　その後、リソグラフィ技術及びドライエッチング技術に基づき、光吸収層形成層９５Ａ、絶縁膜形成層９４Ａ及び光反射層形成層９３Ａ、更には、下地膜をパターニングすることで、帯状の光反射層９３、絶縁膜９４及び光吸収層９５のライン部（積層構造体）９２が、複数、離間して並置されて成るライン・アンド・スペース構造を有するワイヤグリッド偏光素子９１を得ることができる。その後、ＣＶＤ法に基づき上層絶縁層８４を、ワイヤグリッド偏光素子９１を覆うように形成すればよい。光反射層９３、絶縁膜９４及び光吸収層９５から成るフレーム部９８（図１５を参照）で占められ、光学的黒画素領域（ＯＰＢ）及び周辺領域は、フレーム部９８と同じ構成の積層構造体で占められる。

　実施例１の積層型撮像素子においては、偏光子が複数の光電変換部よりも光入射側に配設された状態で積層されているが故に、波長領域全ての偏光情報を取得しつつ、輝度向上のために光の波長帯を拡大して利用できるので、感度向上と分光改善を達成することができる結果、高精度の偏光情報取得と良好な撮像特性の両立を図ることができる。

　しかも、上層光電変換部の上方にオンチップで一体的にワイヤグリッド偏光素子が形成されているが故に、積層型撮像素子の厚さを薄くすることができる。その結果、隣接する積層型撮像素子への偏光光の混入（偏光クロストーク）を最小にできるし、ワイヤグリッド偏光素子は光吸収層を有する吸収型ワイヤグリッド偏光素子であるために反射率が低く、映像に対する迷光、フレア等の影響を軽減することができる。

　そして、実施例１の固体撮像装置にあっては、ワイヤグリッド偏光素子を備えているので、通常の撮像に加えて、偏光情報が同時に取得可能な固体撮像装置とすることができる。即ち、入射光の偏光情報を空間的に偏光分離する偏光分離機能を、固体撮像装置に付与することができる。具体的には、各積層型撮像素子において光強度、偏光成分強度、偏光方向を得ることができるので、例えば、撮像後に、偏光情報に基づき画像データを加工することができる。例えば、空や窓ガラスを撮像した画像の部分、水面を撮像した画像の部分等に対して所望の処理を加えることで、偏光成分を強調あるいは低減させることができ、あるいは又、偏光成分と無偏光成分とを分離することができ、画像のコントラストの改善、不要な情報を削除を行うことができる。尚、具体的には、例えば、固体撮像装置を用いて撮像を行うときに撮像モードを規定することで、このような処理を行うことができる。更には、固体撮像装置によって、窓ガラスへの映り込みの除去を行うことができるし、偏光情報を画像情報に加えることで複数の物体の境界（輪郭）の鮮明化を図ることができる。あるいは又、路面の状態の検出や、路面上の障害物の検出を行うこともできる。更には、物体の複屈折性を反映した模様の撮像、リターデーション分布の測定、偏光顕微鏡画像の取得、物体の表面形状の取得や物体の表面性状の測定、移動体（車両等）の検出、雲の分布等の測定といった気象観測、各種の分野への適用、応用が可能である。また、立体画像を撮像する固体撮像装置とすることもできる。

　しかも、実施例１の積層型撮像素子にあっては、赤色光用撮像素子、緑色光用撮像素子、青色光用撮像素子の下方に近赤外光用光電変換部が配設されているが、赤色光用撮像素子、緑色光用撮像素子、青色光用撮像素子の上方には偏光子は配設されておらず、カラーフィルタ層（波長選択手段）が形成されている。一方、白色光用撮像素子の下方には近赤外光用光電変換部が配設され、しかも、上方には偏光子が配設されているが、カラーフィルタ層（波長選択手段）は形成されていない。このような構造を採用することで、赤色光、緑色光、青色光を波長分離することに起因して輝度出力が低下することを防止でき、赤色光、緑色光、青色光の波長帯での偏光情報を漏らすことなく取得することができ、色・輝度・偏光情報を最大限に利用できるし、また、カラーフィルタ層での光の損失がないため、偏光情報を有する出力が向上するといった利点を得ることができる。

　図２に示す実施例１の積層型撮像素子の変形例は、表面照射型の積層型撮像素子である。具体的には、半導体基板７０の表面７０Ａ側には、制御部を構成する各種トランジスタが設けられている。これらのトランジスタは、上述したトランジスタと同様の構成、構造とすることができる。また、半導体基板７０には、上層光電変換部及び下層光電変換部が設けられているが、これらの光電変換部も、実質的に前述したと同様の構成、構造とすることができる。半導体基板７０の表面７０Ａの上には、層間絶縁層７７が形成されており、層間絶縁層７７の上に、下層絶縁層８３、偏光子９１、上層絶縁層８４、カラーフィルタ層９０及びオンチップ・マイクロ・レンズ１４が形成されている。このように、表面照射型である点を除き、実施例１の積層型撮像素子の変形例の構成、構造は、上述した実施例１の撮像素子、積層型撮像素子の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

〈実施例１の積層型撮像素子の第１変形例〉
　あるいは又、実施例１の積層型撮像素子の第１変形例として、赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成するカラーフィルタ層等の模式的な配置図を図６Ａに示し、偏光子の模式的な配置図を図６Ｂに示すように、複数の光電変換部は、赤色光又は緑色光又は青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部から成る構成とすることができる。

　即ち、第１積層型撮像素子１０₁は、赤色カラーフィルタ層９０Ｒ［図６Ａ参照］、赤色カラーフィルタ層９０Ｒの下方に配設された４つの偏光子セグメント９１’Ｒ₁，９１’Ｒ₂，９１’Ｒ₃，９１’Ｒ₄［図６Ｂ参照］、４つの偏光子セグメントのそれぞれの下方に配設された上層光電変換部（赤色光用撮像素子１０Ｒ₁，１０Ｒ₂，１０Ｒ₃，１０Ｒ₄）［図５Ａ参照］、及び、上層光電変換部のそれぞれの下方に配設された下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１０ｉＲ₁₁，１０ｉＲ₁₂，１０ｉＲ₁₃，１０ｉＲ₁₄）［図５Ｂ参照］から構成されている。

　また、第２積層型撮像素子１０₂は、緑色カラーフィルタ層９０Ｇ［図６Ａ参照］、緑色カラーフィルタ層９０Ｇの下方に配設された４つの偏光子セグメント９１’Ｇ₁，９１’Ｇ₂，９１’Ｇ₃，９１’Ｇ₄［図６Ｂ参照］、４つの偏光子セグメントのそれぞれの下方に配設された上層光電変換部（緑色光用撮像素子１０Ｇ₁，１０Ｇ₂，１０Ｇ₃，１０Ｇ₄）［図５Ａ参照］、及び、上層光電変換部のそれぞれの下方に配設された下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１０ｉＲ₂₁，１０ｉＲ₂₂，１０ｉＲ₂₃，１０ｉＲ₂₄）［図５Ｂ参照］から構成されている。

　更には、第３積層型撮像素子１０₃は、青色カラーフィルタ層９０Ｂ［図６Ａ参照］、青色カラーフィルタ層９０Ｂの下方に配設された４つの偏光子セグメント９１’Ｂ₁，９１’Ｂ₂，９１’Ｂ₃，９１’Ｂ₄［図６Ｂ参照］、４つの偏光子セグメントのそれぞれの下方に配設された上層光電変換部（青色光用撮像素子１０Ｂ₁，１０Ｂ₂，１０Ｂ₃，１０Ｂ₄）［図５Ａ参照］、及び、上層光電変換部のそれぞれの下方に配設された下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１０ｉＲ₃₁，１０ｉＲ₃₂，１０ｉＲ₃₃，１０ｉＲ₃₄）［図５Ｂ参照］から構成されている。

　また、第４積層型撮像素子１０₄は、透明樹脂層９０Ｗ［図６Ａ参照］、透明樹脂層９０Ｗの下方に配設された４つの偏光子セグメント９１’Ｗ₁，９１’Ｗ₂，９１’Ｗ₃，９１’Ｗ₄［図６Ｂ参照］、４つの偏光子セグメントのそれぞれの下方に配設された上層光電変換部（白色光用撮像素子１０Ｗ₁，１０Ｗ₂，１０Ｗ₃，１０Ｗ₄）［図５Ａ参照］、及び、上層光電変換部のそれぞれの下方に配設された下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１０ｉＲ₄₁，１０ｉＲ₄₄，１０ｉＲ₄₃，１０ｉＲ₄₄）［図５Ｂ参照］から構成されている。

　あるいは又、云い換えれば、更に、第１積層型撮像素子１０₁、第２積層型撮像素子１０₂及び第３積層型撮像素子１０₃のそれぞれの光入射側に偏光子を備えており、
　第１積層型撮像素子１０₁の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された（即ち、ｘ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列され、ｙ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列された）、第１－１偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｒ₁、第１－２偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｒ₂、第１－３偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｒ₃及び第１－４偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｒ₄の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第１－１偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｒ₁が透過させるべき偏光方位はβ度であり、
　第１－２偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｒ₂が透過させるべき偏光方位は（β＋４５）度であり、
　第１－３偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｒ₃が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第１－４偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｒ₄が透過させるべき偏光方位は（β＋１３５）度である。

　また、第２積層型撮像素子１０₂の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された（即ち、ｘ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列され、ｙ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列された）、第２－１偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｇ₁、第２－２偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｇ₂、第２－３偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｇ₃及び第２－４偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｇ₄の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第２－１偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｇ₁が透過させるべき偏光方位はγ度であり、
　第２－２偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｇ₂が透過させるべき偏光方位は（γ＋４５）度であり、
　第２－３偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｇ₃が透過させるべき偏光方位は（γ＋９０）度であり、
　第２－４偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｇ₄が透過させるべき偏光方位は（γ＋１３５）度である。

　また、第３積層型撮像素子１０₃の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された（即ち、ｘ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列され、ｙ₀方向に２つの偏光子セグメントが配列された）、第３－１偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｂ₁、第３－２偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｂ₂、第３－３偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｂ₃及び第３－４偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｂ₄の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第３－１偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｂ₁が透過させるべき偏光方位はδ度であり、
　第３－２偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｂ₂が透過させるべき偏光方位は（δ＋４５）度であり、
　第３－３偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｂ₃が透過させるべき偏光方位は（δ＋９０）度であり、
　第３－４偏光子（偏光子セグメント）９１’Ｂ₄が透過させるべき偏光方位は（δ＋１３５）度である。

　ここで、β＝γ＝δとし、β，γ，δの値として、ｙ₀方向と間に成す角度を「０度」とした。

〈実施例１の積層型撮像素子の第２変形例〉
　あるいは又、実施例１の積層型撮像素子の第２変形例として、単色の固体撮像装置を構成する積層型撮像素子を挙げることができる。即ち、２×２の白色光用積層型撮像素子を構成する領域Ｗの模式的な配置図を図７Ａに示し、偏光子９１₁，９１₂，９１₃，９１₄の模式的な配置図を図７Ｂに示し、白色光用積層型撮像素子を構成する上層光電変換部１０Ｗの模式的な配置図を図８Ａに示し、下層光電変換部１０ｉＲの模式的な配置図を図１０Ｂに示す。具体的には、積層型撮像素子は、白色光用積層型撮像素子を構成する領域Ｗ（透明樹脂層９０Ｗが形成されていてもよい）［図７Ａ参照］、これらの領域Ｗのそれぞれの下方に配設された４つの偏光子セグメント９１’Ｗ₁，９１’Ｗ₂，９１’Ｗ₃，９１’Ｗ₄［図７Ｂ参照］、４つの偏光子セグメントのそれぞれの下方に配設された上層光電変換部（白色光用撮像素子１０Ｗ）［図８Ａ参照］、及び、上層光電変換部のそれぞれの下方に配設された下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１０ｉＲ）［図８Ｂ参照］から構成されている。

〈実施例１の積層型撮像素子の第３変形例〉
　あるいは又、実施例１の積層型撮像素子の第３変形例として、ベイヤ配列を有する固体撮像装置を構成する積層型撮像素子を挙げることができる。即ち、赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子及び青色光用積層型撮像素子を構成するカラーフィルタ層等の模式的な配置図を図９Ａに示し、偏光子の模式的な配置図を図９Ｂに示し、赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子及び青色光用積層型撮像素子を構成する上層光電変換部の模式的な配置図を図１０Ａに示し、下層光電変換部の模式的な配置図を図１０Ｂに示すように、複数の光電変換部は、赤色光又は緑色光又は青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部から成る構成とすることができる。

　即ち、第１積層型撮像素子１０₁は、赤色カラーフィルタ層９０Ｒ［図９Ａ参照］、赤色カラーフィルタ層９０Ｒの下方に配設された４つの偏光子セグメント９１’Ｒ₁，９１’Ｒ₂，９１’Ｒ₃，９１’Ｒ₄［図９Ｂ参照］、４つの偏光子セグメントのそれぞれの下方に配設された上層光電変換部（赤色光用撮像素子１０Ｒ₁，１０Ｒ₂，１０Ｒ₃，１０Ｒ₄）［図１０Ａ参照］、及び、上層光電変換部のそれぞれの下方に配設された下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１０ｉＲ₁₁，１０ｉＲ₁₂，１０ｉＲ₁₃，１０ｉＲ₁₄）［図１０Ｂ参照］から構成されている。

　また、第２積層型撮像素子１０₂及び第４積層型撮像素子１０₄は、緑色カラーフィルタ層９０Ｇ［図９Ａ参照］、緑色カラーフィルタ層９０Ｇのそれぞれの下方に配設された４つの偏光子セグメント９１’Ｇ₁，９１’Ｇ₂，９１’Ｇ₃，９１’Ｇ₄［図９Ｂ参照］、４つの偏光子セグメントのそれぞれの下方に配設された上層光電変換部（緑色光用撮像素子１０Ｇ₁，１０Ｇ₂，１０Ｇ₃，１０Ｇ₄）［図１０Ａ参照］、及び、上層光電変換部のそれぞれの下方に配設された下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１０ｉＲ₂₁，１０ｉＲ₂₂，１０ｉＲ₂₃，１０ｉＲ₂₄，１０ｉＲ₄₁，１０ｉＲ₄₂，１０ｉＲ₄₃，１０ｉＲ₄₄）［図１０Ｂ参照］から構成されている。

　更には、第３積層型撮像素子１０₃は、青色カラーフィルタ層９０Ｂ［図９Ａ参照］、青色カラーフィルタ層９０Ｂの下方に配設された４つの偏光子セグメント９１’Ｂ₁，９１’Ｂ₂，９１’Ｂ₃，９１’Ｂ₄［図９Ｂ参照］、４つの偏光子セグメントのそれぞれの下方に配設された上層光電変換部（青色光用撮像素子１０Ｂ₁，１０Ｂ₂，１０Ｂ₃，１０Ｂ₄）［図１０Ａ参照］、及び、上層光電変換部のそれぞれの下方に配設された下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１０ｉＲ₃₁，１０ｉＲ₃₂，１０ｉＲ₃₃，１０ｉＲ₃₄）［図１０Ｂ参照］から構成されている。

　以上に説明した実施例１の積層型撮像素子あるいはその変形例にあっては、上層光電変換部は、赤色光、緑色光、青色光、白色光に感度を有する光電変換部から構成され、下層光電変換部は、近赤外光に感度を有する光電変換部から構成したが、代替的に、上層光電変換部は、近赤外光に感度を有する光電変換部から構成され、下層光電変換部は、赤色光、緑色光、青色光、白色光に感度を有する光電変換部から構成されていてもよい。また、赤色光又は緑色光又は青色光に感度を有する光電変換部は、赤色光に感度を有する赤色光用光電変換部、緑色光に感度を有する緑色光用光電変換部、及び、青色光に感度を有する青色光用光電変換部から成る群から選択された少なくとも２種類の光電変換部が積層されて成る構成とすることもできる。

　ワイヤグリッド偏光素子９１の変形例として、図１３Ｂの模式的な一部端面図に示すように、ワイヤグリッド偏光素子９１の上に形成された保護膜９７Ａを備えており、ワイヤグリッド偏光素子９１のスペース部９６は空隙である構成を挙げることができる。即ち、スペース部９６の一部若しくは全部が空気で満たされている。実施例１にあっては、具体的には、スペース部９６の全てが空気で満たされている。

　また、図１４Ａの模式的な一部端面図に示すように、ワイヤグリッド偏光素子９１と保護膜９７Ａとの間に第２保護膜９７Ｂが形成されている構成とすることもできる。保護膜９７Ａを構成する材料の屈折率をｎ₁、第２保護膜９７Ｂを構成する材料の屈折率をｎ₂としたとき、
ｎ₁＞ｎ₂
を満足する。ここで、例えば、保護膜９７Ａは、ＳｉＮ（ｎ₁＝２．０）から成り、第２保護膜９７Ｂは、ＳｉＯ₂（ｎ₂＝１．４６）から成る。図面においては、第２保護膜９７Ｂの底面（光電変換部と対向する面）を平坦な状態で示したが、スペース部９６に向かって第２保護膜９７Ｂの底面が凸状となっている場合もあるし、保護膜９７Ａに向かって第２保護膜９７Ｂの底面が凹状となっている場合、あるいは、楔状に凹んでいる場合もある。

　このような構造は、ライン・アンド・スペース構造を有するワイヤグリッド偏光素子９１を得た後、ＣＶＤ法に基づき、ＳｉＯ₂から成り、平均厚さ０．０１μｍ乃至１０μｍの第２保護膜９７Ｂを全面に形成する。ライン部９２とライン部９２との間に位置するスペース部９６の上方は、第２保護膜９７Ｂによって塞がれる。次いで、ＣＶＤ法に基づき、ＳｉＮから成り、平均厚さ０．１μｍ乃至１０μｍの保護膜９７Ａを第２保護膜９７Ｂの上に形成する。保護膜９７ＡをＳｉＮから構成することで、高い信頼性を有する撮像素子を得ることができる。但し、ＳｉＮは比較的高い比誘電率を有するので、ＳｉＯ₂から成る第２保護膜９７Ｂを形成することで、平均屈折率ｎ_aveの低下を図っている。

　あるいは又、図１５の模式的な部分的平面図に示すように、ワイヤグリッド偏光素子９１の変形例として、積層型撮像素子は、ワイヤグリッド偏光素子を取り囲むフレーム部９８を備えており、フレーム部９８とワイヤグリッド偏光素子９１のライン部９２とは連結されており、フレーム部９８はワイヤグリッド偏光素子９１のライン部９２と同じ構造を有する。

　このようにワイヤグリッド偏光素子のスペース部を空隙とすることで（具体的には、空気で充填されているので）、平均屈折率ｎ_aveの値を小さくすることができ、その結果、ワイヤグリッド偏光素子における透過率の向上、消光比の向上を図ることができる。また、形成ピッチＰ₀の値を大きくすることができるので、ワイヤグリッド偏光素子の製造歩留りの向上を図ることができる。しかも、ワイヤグリッド偏光素子の上に保護膜を形成すれば、高い信頼性を有する積層型撮像素子、固体撮像装置を提供することができる。また、フレーム部とワイヤグリッド偏光素子のライン部とを連結することで、また、フレーム部をワイヤグリッド偏光素子のライン部と同じ構造とすることで、安定して、しかも、均質・均一なワイヤグリッド偏光素子を形成することができる。それ故、積層型撮像素子の四隅に対応するワイヤグリッド偏光素子の外周部の部分に光電変換部からの剥離が発生するといった問題、ワイヤグリッド偏光素子の外周部の構造とワイヤグリッド偏光素子の中央部の構造に差異が生じ、ワイヤグリッド偏光素子自体の性能が低下するといった問題、ワイヤグリッド偏光素子の外周部に入射した光が偏光方向の異なる隣接する積層型撮像素子に漏れ込み易いといった問題を解消することができ、高い信頼性を有する積層型撮像素子、固体撮像装置を提供することができる。

　ワイヤグリッド偏光素子は、絶縁膜が省略された構造、即ち、光入射側とは反対側から、光反射層（例えば、アルミニウムから成る）及び光吸収層（例えば、タングステンから成る）が積層された構成とすることができる。あるいは又、１層の導電遮光材料層から構成することもできる。導電遮光材料層を構成する材料として、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、あるいは、これらの金属を含む合金といった、撮像素子が感度を有する波長域において複素屈折率の小さい導体材料を挙げることができる。

　場合によっては、図１４Ｂにワイヤグリッド偏光素子の模式的な一部端面図を示すように、スペース部９６に面したライン部９２の側面に、例えば、ＳｉＯ₂から成る第３保護膜９７Ｃが形成されていてもよい。即ち、スペース部９６は空気で満たされ、加えて、スペース部には第３保護膜９７Ｃが存在する。第３保護膜９７Ｃは、例えば、ＨＤＰ－ＣＶＤ法に基づき成膜されており、これによって、より一層薄い第３保護膜９７Ｃをコンフォーマルにライン部９２の側面に形成することができる。

　実施例２は、実施例１の変形であり、本開示の第２の態様に係る固体撮像装置に関する。実施例２における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成するカラーフィルタ層等の模式的な配置図を図１６Ａに示し、偏光子の模式的な配置図を図１６Ｂに示す。また、実施例２における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成する上層光電変換部の模式的な配置図を図１７Ａに示し、並びに、下層光電変換部の模式的な配置図を図１７Ｂに示す。

　実施例２の固体撮像装置にあっては、第１撮像素子ユニット１２₁において、
　第１積層型撮像素子１１₁は、赤色光に感度を有する光電変換部１１Ｒ₁、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₁₁を備えており、
　第２積層型撮像素子１１₂は、緑色光に感度を有する光電変換部１１Ｇ₁、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₁₂を備えており、
　第３積層型撮像素子１１₃は、青色光に感度を有する光電変換部１１Ｂ₁、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₁₃を備えており、
　第４積層型撮像素子１１₄は、白色光に感度を有する光電変換部１１Ｗ₁、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₁₄を備えている。

　また、第２撮像素子ユニット１２₂において、
　第１積層型撮像素子１１₁は、赤色光に感度を有する光電変換部１１Ｒ₂、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₂₁を備えており、
　第２積層型撮像素子１１₂は、緑色光に感度を有する光電変換部１１Ｇ₂、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₂₂を備えており、
　第３積層型撮像素子１１₃は、青色光に感度を有する光電変換部１１Ｂ₂、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₂₃を備えており、
　第４積層型撮像素子１１₄は、白色光に感度を有する光電変換部１１Ｗ₂、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₂₄を備えている。

　更には、第３撮像素子ユニット１２₃において、
　第１積層型撮像素子１１₁は、赤色光に感度を有する光電変換部１１Ｒ₃、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₃₁を備えており、
　第２積層型撮像素子１１₂は、緑色光に感度を有する光電変換部１１Ｇ₃、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₃₂を備えており、
　第３積層型撮像素子１１₃は、青色光に感度を有する光電変換部１１Ｂ₃、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₃₃を備えており、
　第４積層型撮像素子１１₄は、白色光に感度を有する光電変換部１１Ｗ₃、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₃₄を備えている。

　また、第４撮像素子ユニット１２₄において、
　第１積層型撮像素子１１₁は、赤色光に感度を有する光電変換部１１Ｒ₄、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₄₁を備えており、
　第２積層型撮像素子１１₂は、緑色光に感度を有する光電変換部１１Ｇ₄、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₄₂を備えており、
　第３積層型撮像素子１１₃は、青色光に感度を有する光電変換部１１Ｂ₄、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₄₃を備えており、
　第４積層型撮像素子１１₄は、白色光に感度を有する光電変換部１１Ｗ₄、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部１１ｉＲ₄₄を備えている。

　そして、第１積層型撮像素子１１₁、第２積層型撮像素子１１₂及び第３積層型撮像素子１１₃は、偏光子を備えておらず、第４積層型撮像素子１１₄は偏光子９１Ｗ₁，９１Ｗ₂，９１Ｗ₃，９１Ｗ₄を備えている。

　以上の点を除き、実施例２における積層型撮像素子の構成、構造、固体撮像装置の構成、構造は、実施例１において説明した積層型撮像素子、固体撮像装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

　実施例２にあっては、第１積層型撮像素子１１₁、第２積層型撮像素子１１₂及び第３積層型撮像素子１１₃は、偏光子を備えておらず、第４積層型撮像素子１１₄は偏光子９１Ｗ₁，９１Ｗ₂，９１Ｗ₃，９１Ｗ₄を備えているので、赤色光、緑色光、青色光を波長分離することに起因して輝度出力が低下することを防止でき、赤色光、緑色光、青色光の波長帯での偏光情報を漏らすことなく取得することができ、色・輝度・偏光情報を最大限に利用できるし、また、カラーフィルタ層での光の損失がないため、偏光情報を有する出力が向上するといった利点を得ることができる。

〈実施例２の固体撮像装置の第１変形例〉
　実施例２の第１変形例における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成するカラーフィルタ層等の模式的な配置図を図１８Ａに示し、偏光子の模式的な配置図を図１８Ｂに示す。また、実施例２の第１変形例における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子、青色光用積層型撮像素子及び白色光用積層型撮像素子を構成する上層光電変換部の模式的な配置図を図１９Ａに示し、下層光電変換部の模式的な配置図を図１９Ｂに示す。

　この実施例２の第１変形例において、各撮像素子ユニット１２₁，１２₂，１２₃，１２₄は、更に、第１積層型撮像素子１１₁、第２積層型撮像素子１１₂及び第３積層型撮像素子１１₃の光入射側に偏光子９１₁，９１₂，９１₃を備えており、第１積層型撮像素子１１₁、第２積層型撮像素子１１₂、第３積層型撮像素子及び第４積層型撮像素子１１₄に備えられた偏光子９１₁，９１₂，９１₃，９１₄は、１つの偏光子内では同じ偏光方位を有する。

　即ち、第１撮像素子ユニット１２₁において、第１積層型撮像素子１１₁を構成する光電変換部１１Ｒ₁、第２積層型撮像素子１１₁を構成する光電変換部１１Ｇ₁、第３積層型撮像素子１１₁を構成する光電変換部１１Ｂ₁、第４積層型撮像素子１１₁を構成する光電変換部１１Ｗ₁に対して１つの偏光子９１₁が配設されているし、１つの下層光電変換部１１ｉＲが配設されている。

　また、第２撮像素子ユニット１２₂において、第１積層型撮像素子１１₂を構成する光電変換部１１Ｒ₂、第２積層型撮像素子１１₂を構成する光電変換部１１Ｇ₂、第３積層型撮像素子１１₂を構成する光電変換部１１Ｂ₂、第４積層型撮像素子１１₂を構成する光電変換部１１Ｗ₂に対して１つの偏光子９１₂が配設されているし、１つの下層光電変換部１１ｉＲが配設されている。

　また、第３撮像素子ユニット１２₃において、第１積層型撮像素子１１₃を構成する光電変換部１１Ｒ₃、第２積層型撮像素子１１₃を構成する光電変換部１１Ｇ₃、第３積層型撮像素子１１₃を構成する光電変換部１１Ｂ₃、第４積層型撮像素子１１₃を構成する光電変換部１１Ｗ₃に対して１つの偏光子９１₃が配設されているし、１つの下層光電変換部１１ｉＲが配設されている。

　また、第４撮像素子ユニット１２₄において、第１積層型撮像素子１１₄を構成する光電変換部１１Ｒ₄、第２積層型撮像素子１１₄を構成する光電変換部１１Ｇ₄、第３積層型撮像素子１１₄を構成する光電変換部１１Ｂ₄、第４積層型撮像素子１１₄を構成する光電変換部１１Ｗ₄に対して１つの偏光子９１₄が配設されているし、１つの下層光電変換部１１ｉＲが配設されている。

　そして、更には、隣接する撮像素子ユニットにおいて、偏光子の有する偏光方位は異なっている（図２０の偏光子の模式的な配置図を参照）。

〈実施例２の固体撮像装置の第２変形例〉
　あるいは又、実施例２の積層型撮像素子の第２変形例として、ベイヤ配列を有する固体撮像装置を構成する積層型撮像素子を挙げることができる。実施例２の第２変形例における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子及び青色光用積層型撮像素子を構成するカラーフィルタ層等の模式的な配置図を図２１Ａに示し、偏光子の模式的な配置図を図２１Ｂに示す。また、実施例２の第２変形例における赤色光用積層型撮像素子、緑色光用積層型撮像素子及び青色光用積層型撮像素子を構成する上層光電変換部の模式的な配置図を図２２Ａに示し、下層光電変換部の模式的な配置図を図２２Ｂに示す。

　実施例２の積層型撮像素子の第２変形例にあっては、複数の光電変換部は、赤色光又は緑色光又は青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部から成る構成とすることができる。

　即ち、第１撮像素子ユニット１２₁を構成する第１積層型撮像素子１１₁は、赤色カラーフィルタ層９０Ｒ₁、２つの緑色カラーフィルタ層９０Ｇ₁、青色カラーフィルタ層９０Ｂ₁［図２１Ａ参照］、これらのカラーフィルタ層９０Ｒ₁，９０Ｇ₁，９０Ｂ₁の下方に配設された１つの偏光子９１₁［図２１Ｂ参照］、１つの偏光子９１₁の下方に配設された４つの上層光電変換部（赤色光用撮像素子１１Ｒ₁，緑色光用撮像素子１１Ｇ₁，青色光用撮像素子１１Ｂ₁，緑色光用撮像素子１１Ｇ₁）［図２２Ａ参照］、及び、上層光電変換部の下方に配設された１つの下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１１ｉＲ）［図２２Ｂ参照］から構成されている。

　また、第２撮像素子ユニット１２₂を構成する第１積層型撮像素子１１₂は、赤色カラーフィルタ層９０Ｒ₂、２つの緑色カラーフィルタ層９０Ｇ₂、青色カラーフィルタ層９０Ｂ₂［図２１Ａ参照］、これらのカラーフィルタ層９０Ｒ₂，９０Ｇ₂，９０Ｂ₂の下方に配設された１つの偏光子９１₂［図２１Ｂ参照］、１つの偏光子９１₂の下方に配設された４つの上層光電変換部（赤色光用撮像素子１１Ｒ₂，緑色光用撮像素子１１Ｇ₂，青色光用撮像素子１１Ｂ₂，緑色光用撮像素子１１Ｇ₂）［図２２Ａ参照］、及び、上層光電変換部の下方に配設された１つの下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１１ｉＲ）［図２２Ｂ参照］から構成されている。

　また、第３撮像素子ユニット１２₃を構成する第１積層型撮像素子１１₃は、赤色カラーフィルタ層９０Ｒ₃、２つの緑色カラーフィルタ層９０Ｇ₃、青色カラーフィルタ層９０Ｂ₃［図２１Ａ参照］、これらのカラーフィルタ層９０Ｒ₃，９０Ｇ₃，９０Ｂ₃の下方に配設された１つの偏光子９１₃［図２１Ｂ参照］、１つの偏光子９１₃の下方に配設された４つの上層光電変換部（赤色光用撮像素子１１Ｒ₃，緑色光用撮像素子１１Ｇ₃，青色光用撮像素子１１Ｂ₃，緑色光用撮像素子１１Ｇ₃）［図２２Ａ参照］、及び、上層光電変換部の下方に配設された１つの下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１１ｉＲ）［図２２Ｂ参照］から構成されている。

　また、第４撮像素子ユニット１２₄を構成する第１積層型撮像素子１１₄は、赤色カラーフィルタ層９０Ｒ₄、２つの緑色カラーフィルタ層９０Ｇ₄、青色カラーフィルタ層９０Ｂ₄［図２１Ａ参照］、これらのカラーフィルタ層９０Ｒ₄，９０Ｇ₄，９０Ｂ₄の下方に配設された１つの偏光子９１₄［図２１Ｂ参照］、１つの偏光子９１₄の下方に配設された４つの上層光電変換部（赤色光用撮像素子１１Ｒ₄，緑色光用撮像素子１１Ｇ₄，青色光用撮像素子１１Ｂ₄，緑色光用撮像素子１１Ｇ₄）［図２２Ａ参照］、及び、上層光電変換部の下方に配設された１つの下層光電変換部（近赤外光用光電変換部１１ｉＲ）［図２２Ｂ参照］から構成されている。

　あるいは又、云い換えれば、実施例２の第１変形例、第２変形例において、図１８Ａ、図１８Ｂ、図１９Ａ、図１９Ｂ、図２１Ａ、図２１Ｂ、図２２Ａ、図２２Ｂに示したように、
　第１積層型撮像素子１１₁は、赤色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第２積層型撮像素子１１₂は、緑色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第３積層型撮像素子１１₃は、青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　２×２に配列された、第１撮像素子ユニット１２₁、第２撮像素子ユニット１２₂、第３撮像素子ユニット１２₃及び第４撮像素子ユニット１２₄の４つの撮像素子ユニット（即ち、ｘ₀方向に配列された２つの撮像素子ユニット、及び、ｙ₀方向に配列された２つの撮像素子ユニット）から撮像素子ユニット群が構成されており、
　第１撮像素子ユニット１２₁に備えられた第１偏光子９１₁が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２撮像素子ユニット１２₂に備えられた第２偏光子９１₂が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３撮像素子ユニット１２₃に備えられた第３偏光子９１₃が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４撮像素子ユニット１２₄に備えられた第４偏光子９１₄が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である構成とすることができる。

　実施例３は、実施例１～実施例２の変形であり、電荷蓄積用電極を備えた積層型撮像素子に関し、また、本開示における撮像素子に関する。即ち、実施例３は、本開示の撮像素子等に関する。

　実施例３の積層型撮像素子（電荷蓄積用電極を備えた積層型撮像素子及び本開示における撮像素子を含む）の模式的な一部断面図を図２３に示し、実施例３の積層型撮像素子の等価回路図を図２４及び図２５に示し、実施例３の積層型撮像素子の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図２６に示し、実施例３の積層型撮像素子の動作時の各部位における電位の状態を模式的に図２７に示し、実施例３の積層型撮像素子の各部位を説明するための等価回路図を図２８Ａに示す。また、実施例３の積層型撮像素子の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極の模式的な配置図を図２９に示し、第１電極、電荷蓄積用電極、第２電極及びコンタクトホール部の模式的な透視斜視図を図３０に示す。

　実施例３の積層型撮像素子（例えば、後述する緑色光用撮像素子）において、積層された複数の光電変換部の内の少なくとも１つの光電変換部（具体的には、１つの電荷蓄積用電極を備えた光電変換部であり、上層光電変換部）は、第１電極２１、光電変換層２３及び第２電極２２が積層されて成り、更に、第１電極２１と離間して配置され、且つ、絶縁層８２を介して光電変換層２３と対向して配置された電荷蓄積用電極２４を備えている。尚、偏光子９１を簡素化して図示している。

　そして、半導体基板（より具体的には、シリコン半導体層）７０を更に備えており、光電変換部（電荷蓄積用電極を備えた光電変換部）は、半導体基板７０の上方に配置されている。また、半導体基板７０に設けられ、第１電極２１及び第２電極２２が接続された駆動回路を有する制御部を更に備えている。ここで、半導体基板７０における光入射面を上方とし、半導体基板７０の反対側を下方とする。半導体基板７０の下方には複数の配線から成る配線層６２が設けられている。

　半導体基板７０には、制御部を構成する少なくとも浮遊拡散層ＦＤ₁及び増幅トランジスタＴＲ１_ampが設けられており、第１電極２１は、浮遊拡散層ＦＤ₁及び増幅トランジスタＴＲ１_ampのゲート部に接続されている。半導体基板７０には、更に、制御部を構成するリセット・トランジスタＴＲ１_rst及び選択トランジスタＴＲ１_selが設けられている。浮遊拡散層ＦＤ₁は、リセット・トランジスタＴＲ１_rstの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、増幅トランジスタＴＲ１_ampの一方のソース／ドレイン領域は、選択トランジスタＴＲ１_selの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、選択トランジスタＴＲ１_selの他方のソース／ドレイン領域は信号線ＶＳＬ₁に接続されている。これらの増幅トランジスタＴＲ１_amp、リセット・トランジスタＴＲ１_rst及び選択トランジスタＴＲ１_selは、駆動回路を構成する。

　具体的には、実施例３の積層型撮像素子は、裏面照射型の撮像素子であり、緑色光を吸収する第１タイプの緑色光用光電変換層を備えた緑色光に感度を有する第１タイプの実施例３の緑色光用撮像素子（以下、『第１撮像素子』と呼ぶ）、青色光を吸収する第２タイプの青色光用光電変換層を備えた青色光に感度を有する第２タイプの従来の青色光用撮像素子（以下、『第２撮像素子』と呼ぶ）、赤色光を吸収する第２タイプの赤色光用光電変換層を備えた赤色光に感度を有する第２タイプの従来の赤色光用撮像素子（以下、『第３撮像素子』と呼ぶ）の３つの撮像素子が積層された構造を有する。ここで赤色光用撮像素子（第３撮像素子）及び青色光用撮像素子（第２撮像素子）は、半導体基板７０内に設けられており、第２撮像素子の方が、第３撮像素子よりも光入射側に位置する。また、緑色光用撮像素子（第１撮像素子）は、青色光用撮像素子（第２撮像素子）の上方に設けられている。第１撮像素子、第２撮像素子及び第３撮像素子の積層構造によって、１画素が構成される。カラーフィルタ層は設けられていない。

　第１撮像素子にあっては、層間絶縁層８１上に、第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４が、離間して形成されている。層間絶縁層８１及び電荷蓄積用電極２４は、絶縁層８２によって覆われている。絶縁層８２上には光電変換層２３が形成され、光電変換層２３上には第２電極２２が形成されている。第２電極２２を含む全面には、下層絶縁層８３が形成されており、下層絶縁層８３上に偏光子９１、上層絶縁層８４、オンチップ・マイクロ・レンズ１４が設けられている。カラーフィルタ層は設けられていない。第１電極２１、電荷蓄積用電極２４及び第２電極２２は、例えば、ＩＴＯ（仕事関数：約４．４ｅＶ）から成る透明電極から構成されている。光電変換層２３は、少なくとも緑色光に感度を有する周知の有機光電変換材料（例えば、ローダミン系色素、メラシアニン系色素、キナクリドン等の有機系材料）を含む層から構成されている。また、光電変換層２３は、更に、電荷蓄積に適した材料層を含む構成であってもよい。即ち、光電変換層２３と第１電極２１との間に（例えば、接続部６７内に）、更に、電荷蓄積に適した材料層が形成されていてもよい。層間絶縁層８１や絶縁層８２、下層絶縁層８３、上層絶縁層８４は、周知の絶縁材料（例えば、ＳｉＯ₂やＳｉＮ）から構成されている。光電変換層２３と第１電極２１とは、絶縁層８２に設けられた接続部６７によって接続されている。接続部６７内には、光電変換層２３が延在している。即ち、光電変換層２３は、絶縁層８２に設けられた開口部８５内を延在し、第１電極２１と接続されている。

　電荷蓄積用電極２４は駆動回路に接続されている。具体的には、電荷蓄積用電極２４は、層間絶縁層８１内に設けられた接続孔６６、パッド部６４及び配線Ｖ_OAを介して、駆動回路を構成する垂直駆動回路１１２に接続されている。

　電荷蓄積用電極２４の大きさは第１電極２１よりも大きい。電荷蓄積用電極２４の面積をＳ₁’、第１電極２１の面積をＳ₁としたとき、限定するものではないが、
４≦Ｓ₁’／Ｓ₁
を満足することが好ましく、実施例３にあっては、限定するものではないが、例えば、
Ｓ₁’／Ｓ₁＝８
とした。尚、後述する実施例９～実施例１２にあっては、３つの光電変換部セグメント１０’₁，１０’₂，１０’₃）の大きさを同じ大きさとし、平面形状も同じとした。

　半導体基板７０の第１面（おもて面）７０Ａの側には素子分離領域７１が形成され、また、半導体基板７０の第１面７０Ａには酸化膜７２が形成されている。更には、半導体基板７０の第１面側には、第１撮像素子の制御部を構成するリセット・トランジスタＴＲ１_rst、増幅トランジスタＴＲ１_amp及び選択トランジスタＴＲ１_selが設けられ、更に、第１浮遊拡散層ＦＤ₁が設けられている。

　リセット・トランジスタＴＲ１_rstは、ゲート部５１、チャネル形成領域５１Ａ、及び、ソース／ドレイン領域５１Ｂ，５１Ｃから構成されている。リセット・トランジスタＴＲ１_rstのゲート部５１はリセット線ＲＳＴ₁に接続され、リセット・トランジスタＴＲ１_rstの一方のソース／ドレイン領域５１Ｃは、第１浮遊拡散層ＦＤ₁を兼ねており、他方のソース／ドレイン領域５１Ｂは、電源Ｖ_DDに接続されている。

　第１電極２１は、層間絶縁層８１内に設けられた接続孔６５、パッド部６３、半導体基板７０及び層間絶縁層７６に形成されたコンタクトホール部６１、層間絶縁層７６に形成された配線層６２を介して、リセット・トランジスタＴＲ１_rstの一方のソース／ドレイン領域５１Ｃ（第１浮遊拡散層ＦＤ₁）に接続されている。

　増幅トランジスタＴＲ１_ampは、ゲート部５２、チャネル形成領域５２Ａ、及び、ソース／ドレイン領域５２Ｂ，５２Ｃから構成されている。ゲート部５２は配線層６２を介して、第１電極２１及びリセット・トランジスタＴＲ１_rstの一方のソース／ドレイン領域５１Ｃ（第１浮遊拡散層ＦＤ₁）に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域５２Ｂは、電源Ｖ_DDに接続されている。

　選択トランジスタＴＲ１_selは、ゲート部５３、チャネル形成領域５３Ａ、及び、ソース／ドレイン領域５３Ｂ，５３Ｃから構成されている。ゲート部５３は、選択線ＳＥＬ₁に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域５３Ｂは、増幅トランジスタＴＲ１_ampを構成する他方のソース／ドレイン領域５２Ｃと領域を共有しており、他方のソース／ドレイン領域５３Ｃは、信号線（データ出力線）ＶＳＬ₁（１１７）に接続されている。

　第２撮像素子は、半導体基板７０に設けられたｎ型半導体領域４１を光電変換層として備えている。縦型トランジスタから成る転送トランジスタＴＲ２_trsのゲート部４５が、ｎ型半導体領域４１まで延びており、且つ、転送ゲート線ＴＧ₂に接続されている。また、転送トランジスタＴＲ２_trsのゲート部４５の近傍の半導体基板７０の領域４５Ｃには、第２浮遊拡散層ＦＤ₂が設けられている。ｎ型半導体領域４１に蓄積された電荷は、ゲート部４５に沿って形成される転送チャネルを介して第２浮遊拡散層ＦＤ₂に読み出される。

　第２撮像素子にあっては、更に、半導体基板７０の第１面側に、第２撮像素子の制御部を構成するリセット・トランジスタＴＲ２_rst、増幅トランジスタＴＲ２_amp及び選択トランジスタＴＲ２_selが設けられている。

　増幅トランジスタＴＲ２_ampは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、リセット・トランジスタＴＲ２_rstの他方のソース／ドレイン領域（第２浮遊拡散層ＦＤ₂）に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、電源Ｖ_DDに接続されている。

　第３撮像素子は、半導体基板７０に設けられたｎ型半導体領域４３を光電変換層として備えている。転送トランジスタＴＲ３_trsのゲート部４６は転送ゲート線ＴＧ₃に接続されている。また、転送トランジスタＴＲ３_trsのゲート部４６の近傍の半導体基板７０の領域４６Ｃには、第３浮遊拡散層ＦＤ₃が設けられている。ｎ型半導体領域４３に蓄積された電荷は、ゲート部４６に沿って形成される転送チャネル４６Ａを介して第３浮遊拡散層ＦＤ₃に読み出される。

　第３撮像素子にあっては、更に、半導体基板７０の第１面側に、第３撮像素子の制御部を構成するリセット・トランジスタＴＲ３_rst、増幅トランジスタＴＲ３_amp及び選択トランジスタＴＲ３_selが設けられている。

　リセット・トランジスタＴＲ３_rstは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。リセット・トランジスタＴＲ３_rstのゲート部はリセット線ＲＳＴ₃に接続され、リセット・トランジスタＴＲ３_rstの一方のソース／ドレイン領域は電源Ｖ_DDに接続され、他方のソース／ドレイン領域は、第３浮遊拡散層ＦＤ₃を兼ねている。

　増幅トランジスタＴＲ３_ampは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、リセット・トランジスタＴＲ３_rstの他方のソース／ドレイン領域（第３浮遊拡散層ＦＤ₃）に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、電源Ｖ_DDに接続されている。

　選択トランジスタＴＲ３_selは、ゲート部、チャネル形成領域、及び、ソース／ドレイン領域から構成されている。ゲート部は、選択線ＳＥＬ₃に接続されている。また、一方のソース／ドレイン領域は、増幅トランジスタＴＲ３_ampを構成する他方のソース／ドレイン領域と領域を共有しており、他方のソース／ドレイン領域は、信号線（データ出力線）ＶＳＬ₃に接続されている。

　リセット線ＲＳＴ₁，ＲＳＴ₂，ＲＳＴ₃、選択線ＳＥＬ₁，ＳＥＬ₂，ＳＥＬ₃、転送ゲート線ＴＧ₂，ＴＧ₃は、駆動回路を構成する垂直駆動回路１１２に接続され、信号線（データ出力線）ＶＳＬ₁，ＶＳＬ₂，ＶＳＬ₃は、駆動回路を構成するカラム信号処理回路１１３に接続されている。

　ｎ型半導体領域４３と半導体基板７０の表面７０Ａとの間にはｐ⁺層４４が設けられており、暗電流発生を抑制している。ｎ型半導体領域４１とｎ型半導体領域４３との間には、ｐ⁺層４２が形成されており、更には、ｎ型半導体領域４３の側面の一部はｐ⁺層４２によって囲まれている。半導体基板７０の裏面７０Ｂの側には、ｐ⁺層７３が形成されており、ｐ⁺層７３から半導体基板７０の内部のコンタクトホール部６１を形成すべき部分には、ＨｆＯ₂膜７４及び絶縁材料膜７５が形成されている。層間絶縁層７６には、複数の層に亙り配線が形成されているが、図示は省略した。

　ＨｆＯ₂膜７４は、負の固定電荷を有する膜であり、このような膜を設けることによって、暗電流の発生を抑制することができる。尚、ＨｆＯ₂膜の代わりに、酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）膜、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ₂）膜、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）膜、酸化チタン（ＴｉＯ₂）膜、酸化ランタン（Ｌａ₂Ｏ₃）膜、酸化プラセオジム（Ｐｒ₂Ｏ₃）膜、酸化セリウム（ＣｅＯ₂）膜、酸化ネオジム（Ｎｄ₂Ｏ₃）膜、酸化プロメチウム（Ｐｍ₂Ｏ₃）膜、酸化サマリウム（Ｓｍ₂Ｏ₃）膜、酸化ユウロピウム（Ｅｕ₂Ｏ₃）膜、酸化ガドリニウム（（Ｇｄ₂Ｏ₃）膜、酸化テルビウム（Ｔｂ₂Ｏ₃）膜、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ₂Ｏ₃）膜、酸化ホルミウム（Ｈｏ₂Ｏ₃）膜、酸化ツリウム（Ｔｍ₂Ｏ₃）膜、酸化イッテルビウム（Ｙｂ₂Ｏ₃）膜、酸化ルテチウム（Ｌｕ₂Ｏ₃）膜、酸化イットリウム（Ｙ₂Ｏ₃）膜、窒化ハフニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸窒化ハフニウム膜、酸窒化アルミニウム膜を用いることもできる。これらの膜の成膜方法として、例えば、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、ＡＬＤ法が挙げることができる。

　以下、図２７及び図２８Ａを参照して、実施例３の電荷蓄積用電極を備えた積層型撮像素子（あるいは又、本開示における撮像素子、第１撮像素子）の動作を説明する。ここで、第１電極２１の電位を第２電極２２の電位よりも高くした。即ち、例えば、第１電極２１を正の電位とし、第２電極２２を負の電位とし、光電変換層２３において光電変換によって生成した電子が浮遊拡散層に読み出される。他の実施例においても同様とする。尚、第１電極２１を負の電位とし、第２電極２２を正の電位とし、光電変換層２３において光電変換に基づき生成した正孔が浮遊拡散層に読み出される形態にあっては、以下の述べる電位の高低を逆にすればよい。

　図２７、後述する実施例６における図４２、図４３、実施例８における図５４、図５５中で使用している符号は、以下のとおりである。

Ｐ_A ・・・・・電荷蓄積用電極２４あるいは転送制御用電極（電荷転送電極）２５と第１電極２１の中間に位置する領域と対向した光電変換層２３の領域の点Ｐ_Aにおける電位
Ｐ_B ・・・・・電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換層２３の領域の点Ｐ_Bにおける電位
Ｐ_C1 ・・・・・電荷蓄積用電極セグメント２４Ａと対向した光電変換層２３の領域の点Ｐ_C1における電位
Ｐ_C2 ・・・・・電荷蓄積用電極セグメント２４Ｂと対向した光電変換層２３の領域の点Ｐ_C2における電位
Ｐ_C3 ・・・・・電荷蓄積用電極セグメント２４Ｃと対向した光電変換層２３の領域の点Ｐ_C3における電位
Ｐ_D ・・・・・転送制御用電極（電荷転送電極）２５と対向した光電変換層２３の領域の点Ｐ_Dにおける電位
ＦＤ・・・・・第１浮遊拡散層ＦＤ₁における電位
Ｖ_OA・・・・・電荷蓄積用電極２４における電位
Ｖ_OA-A・・・・電荷蓄積用電極セグメント２４Ａにおける電位
Ｖ_OA-B・・・・電荷蓄積用電極セグメント２４Ｂにおける電位
Ｖ_OA-C・・・・電荷蓄積用電極セグメント２４Ｃにおける電位
Ｖ_OT ・・・・・転送制御用電極（電荷転送電極）２５における電位
ＲＳＴ・・・・リセット・トランジスタＴＲ１_rstのゲート部５１における電位
Ｖ_DD・・・・・電源の電位
ＶＳＬ₁ ・・・信号線（データ出力線）ＶＳＬ₁
ＴＲ１_rst ・・リセット・トランジスタＴＲ１_rst
ＴＲ１_amp ・・増幅トランジスタＴＲ１_amp
ＴＲ１_sel ・・選択トランジスタＴＲ１_sel

　電荷蓄積期間においては、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ₁₁が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ₁₂が印加される。光電変換層２３に入射された光によって光電変換層２３において光電変換が生じる。光電変換によって生成した正孔は、第２電極２２から配線Ｖ_OUを介して駆動回路へと送出される。一方、第１電極２１の電位を第２電極２２の電位よりも高くしたので、即ち、例えば、第１電極２１に正の電位が印加され、第２電極２２に負の電位が印加されるとしたので、Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁、好ましくは、Ｖ₁₂＞Ｖ₁₁とする。これによって、光電変換によって生成した電子は、電荷蓄積用電極２４に引き付けられ、電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換層２３の領域に止まる。即ち、光電変換層２３に電荷が蓄積される。Ｖ₁₂＞Ｖ₁₁であるが故に、光電変換層２３の内部に生成した電子が、第１電極２１に向かって移動することはない。光電変換の時間経過に伴い、電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換層２３の領域における電位は、より負側の値となる。

　電荷蓄積期間の後期において、リセット動作がなされる。これによって、第１浮遊拡散層ＦＤ₁の電位がリセットされ、第１浮遊拡散層ＦＤ₁の電位は電源の電位Ｖ_DDとなる。

　リセット動作の完了後、電荷の読み出しを行う。即ち、電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ₂₂が印加される。ここで、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁とする。これによって、電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換層２３の領域に止まっていた電子は、第１電極２１、更には、第１浮遊拡散層ＦＤ₁へと読み出される。即ち、光電変換層２３に蓄積された電荷が制御部に読み出される。

　以上で、電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作が完了する。

　第１浮遊拡散層ＦＤ₁へ電子が読み出された後の増幅トランジスタＴＲ１_amp、選択トランジスタＴＲ１_selの動作は、従来のこれらのトランジスタの動作と同じである。また、第２撮像素子、第３撮像素子の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作は、従来の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作と同様である。また、第１浮遊拡散層ＦＤ₁のリセットノイズは、従来と同様に、相関２重サンプリング（ＣＤＳ，Correlated Double Sampling）処理によって除去することができる。

　以上のとおり、実施例３にあっては、第１電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極が備えられているので、光電変換部（電荷蓄積用電極を備えた光電変換部）に光が照射され、光電変換部において光電変換されるとき、光電変換層と絶縁層と電荷蓄積用電極とによって一種のキャパシタが形成され、光電変換層に電荷を蓄えることができる。それ故、露光開始時、電荷蓄積部を完全空乏化し、電荷を消去することが可能となる。その結果、ｋＴＣノイズが大きくなり、ランダムノイズが悪化し、撮像画質の低下をもたらすといった現象の発生を抑制することができる。また、全画素を一斉にリセットすることができるので、所謂グローバルシャッター機能を実現することができる。

　実施例３の積層型撮像素子（あるいは又、本開示における撮像素子）の変形例の等価回路図を図３１に示し、第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図３２に示すように、リセット・トランジスタＴＲ１_rstの他方のソース／ドレイン領域５１Ｂを、電源Ｖ_DDに接続する代わりに、接地してもよい。尚、前述したとおり、積層型撮像素子及び本開示における撮像素子を、総称して、以下、『積層型撮像素子等』と呼ぶ場合がある。

　実施例３の積層型撮像素子等は、例えば、以下の方法で作製することができる。即ち、先ず、ＳＯＩ基板を準備する。そして、ＳＯＩ基板の表面に第１シリコン層をエピタキシャル成長法に基づき形成し、この第１シリコン層に、ｐ⁺層７３、ｎ型半導体領域４１を形成する。次いで、第１シリコン層上に第２シリコン層をエピタキシャル成長法に基づき形成し、この第２シリコン層に、素子分離領域７１、酸化膜７２、ｐ⁺層４２、ｎ型半導体領域４３、ｐ⁺層４４を形成する。また、第２シリコン層に、積層型撮像素子等の制御部を構成する各種トランジスタ等を形成し、更にその上に、配線層６２や層間絶縁層７６、各種配線を形成した後、層間絶縁層７６と支持基板（図示せず）とを貼り合わせる。その後、ＳＯＩ基板を除去して第１シリコン層を露出させる。尚、第２シリコン層の表面が半導体基板７０の表面７０Ａに該当し、第１シリコン層の表面が半導体基板７０の裏面７０Ｂに該当する。また、第１シリコン層と第２シリコン層を纏めて半導体基板７０と表現している。次いで、半導体基板７０の裏面７０Ｂの側に、コンタクトホール部６１を形成するための開口部を形成し、ＨｆＯ₂膜７４、絶縁材料膜７５及びコンタクトホール部６１を形成し、更に、パッド部６３，６４、層間絶縁層８１、接続孔６５，６６、第１電極２１、電荷蓄積用電極２４、絶縁層８２を形成する。次に、接続部６７を開口し、光電変換層２３、第２電極２２、下層絶縁層８３、偏光子９１、上層絶縁層８４及びオンチップ・マイクロ・レンズ１４を形成する。以上によって、実施例３の積層型撮像素子等を得ることができる。

　実施例４は、実施例３の変形である。図３３に模式的な一部断面図を示す実施例４の積層型撮像素子等は、表面照射型の撮像素子であり、緑色光を吸収する第１タイプの緑色光用光電変換層を備えた緑色光に感度を有する第１タイプの実施例３の緑色光用撮像素子（第１撮像素子）、青色光を吸収する第２タイプの青色光用光電変換層を備えた青色光に感度を有する第２タイプの従来の青色光用撮像素子（第２撮像素子）、赤色光を吸収する第２タイプの赤色光用光電変換層を備えた赤色光に感度を有する第２タイプの従来の赤色光用撮像素子（第３撮像素子）の３つの撮像素子が積層された構造を有する。ここで赤色光用撮像素子（第３撮像素子）及び青色光用撮像素子（第２撮像素子）は、半導体基板７０内に設けられており、第２撮像素子の方が、第３撮像素子よりも光入射側に位置する。また、緑色光用撮像素子（第１撮像素子）は、青色光用撮像素子（第２撮像素子）の上方に設けられている。

　半導体基板７０の表面７０Ａ側には、実施例３と同様に制御部を構成する各種トランジスタが設けられている。これらのトランジスタは、実質的に実施例３において説明したトランジスタと同様の構成、構造とすることができる。また、半導体基板７０には、第２撮像素子、第３撮像素子が設けられているが、これらの撮像素子も、実質的に実施例３において説明した第２撮像素子、第３撮像素子と同様の構成、構造とすることができる。

　半導体基板７０の表面７０Ａの上には、層間絶縁層７７，７８が形成されており、層間絶縁層７８の上に、実施例３の積層型撮像素子等を構成する電荷蓄積用電極を備えた光電変換部（第１電極２１、光電変換層２３及び第２電極２２、並びに、電荷蓄積用電極２４等）が設けられている。

　このように、表面照射型である点を除き、実施例４の積層型撮像素子等の構成、構造は、実施例３の積層型撮像素子等の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

　実施例５は、実施例３及び実施例４の変形である。

　図３４に模式的な一部断面図を示す実施例５の積層型撮像素子等は、裏面照射型の撮像素子であり、第１タイプの実施例３の第１撮像素子、及び、第２タイプの第２撮像素子の２つの撮像素子が積層された構造を有する。また、図３５に模式的な一部断面図を示す実施例５の積層型撮像素子等の変形例は、表面照射型の撮像素子であり、第１タイプの実施例３の第１撮像素子、及び、第２タイプの第２撮像素子の２つの撮像素子が積層された構造を有する。ここで、第１撮像素子は原色の光を吸収し、第２撮像素子は補色の光を吸収する。あるいは又、第１撮像素子は白色光を吸収し、第２撮像素子は赤外線を吸収する。

　図３６に模式的な一部断面図を示す実施例５の積層型撮像素子等の変形例は、裏面照射型の積層型撮像素子等であり、第１タイプの実施例３の第１撮像素子から構成されている。また、図３７に模式的な一部断面図を示す実施例５の積層型撮像素子等の変形例は、表面照射型の撮像素子であり、第１タイプの実施例３の第１撮像素子から構成されている。ここで、第１撮像素子は、赤色光を吸収する撮像素子、緑色光を吸収する撮像素子、青色光を吸収する撮像素子の３種類の撮像素子から構成されている。更には、これらの撮像素子の複数から、本開示の第１の態様に係る固体撮像装置が構成される。複数のこれらの撮像素子の配置として、ベイヤ配列を挙げることができる。各撮像素子の光入射側には、必要に応じて、青色、緑色、赤色の分光を行うためのカラーフィルタ層が配設されている。

　尚、第１タイプの実施例３の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を１つ、設ける代わりに、２つ、積層する形態（即ち、電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を２つ、積層し、半導体基板に２つの光電変換部の制御部を設ける形態）、あるいは又、３つ、積層する形態（即ち、電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を３つ、積層し、半導体基板に３つの光電変換部の制御部を設ける形態）とすることもできる。第１タイプの撮像素子と第２タイプの撮像素子の積層構造例を、以下の表に例示する。

　実施例６は、実施例３～実施例５の変形であり、転送制御用電極（電荷転送電極）を備えた本開示の撮像素子等に関する。実施例６の積層型撮像素子等の一部分の模式的な一部断面図を図３８に示し、実施例６の積層型撮像素子等の等価回路図を図３９及び図４０に示し、実施例６の積層型撮像素子等の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を構成する第１電極、転送制御用電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図４１に示し、実施例６の積層型撮像素子等の動作時の各部位における電位の状態を模式的に図４２及び図４３に示し、実施例６の積層型撮像素子等の各部位を説明するための等価回路図を図２８Ｂに示す。また、実施例６の積層型撮像素子等の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を構成する第１電極、転送制御用電極及び電荷蓄積用電極の模式的な配置図を図４４に示し、第１電極、転送制御用電極、電荷蓄積用電極、第２電極及びコンタクトホール部の模式的な透視斜視図を図４５に示す。

　実施例６の積層型撮像素子等にあっては、第１電極２１と電荷蓄積用電極２４との間に、第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４と離間して配置され、且つ、絶縁層８２を介して光電変換層２３と対向して配置された転送制御用電極（電荷転送電極）２５を更に備えている。転送制御用電極２５は、層間絶縁層８１内に設けられた接続孔６８Ｂ、パッド部６８Ａ及び配線Ｖ_OTを介して、駆動回路を構成する画素駆動回路に接続されている。尚、層間絶縁層８１より下方に位置する各種の撮像素子構成要素を、図面を簡素化するために、便宜上、纏めて、参照番号１３で示す。

　以下、図４２、図４３を参照して、実施例６の積層型撮像素子等（第１撮像素子）の動作を説明する。尚、図４２と図４３とでは、特に、電荷蓄積用電極２４に印加される電位及び点Ｐ_Dにおける電位の値が相違している。

　電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ₁₁が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ₁₂が印加され、転送制御用電極２５に電位Ｖ₁₃が印加される。光電変換層２３に入射された光によって光電変換層２３において光電変換が生じる。光電変換によって生成した正孔は、第２電極２２から配線Ｖ_OUを介して駆動回路へと送出される。一方、第１電極２１の電位を第２電極２２の電位よりも高くしたので、即ち、例えば、第１電極２１に正の電位が印加され、第２電極２２に負の電位が印加されるとしたので、Ｖ₁₂＞Ｖ₁₃（例えば、Ｖ₁₂＞Ｖ₁₁＞Ｖ₁₃、又は、Ｖ₁₁＞Ｖ₁₂＞Ｖ₁₃）とする。これによって、光電変換によって生成した電子は、電荷蓄積用電極２４に引き付けられ、電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換層２３の領域に止まる。即ち、光電変換層２３に電荷が蓄積される。Ｖ₁₂＞Ｖ₁₃であるが故に、光電変換層２３の内部に生成した電子が、第１電極２１に向かって移動することを確実に防止することができる。光電変換の時間経過に伴い、電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換層２３の領域における電位は、より負側の値となる。

　リセット動作の完了後、電荷の読み出しを行う。即ち、電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ₂₂が印加され、転送制御用電極２５に電位Ｖ₂₃が印加される。ここで、Ｖ₂₂≦Ｖ₂₃≦Ｖ₂₁とする。これによって、電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換層２３の領域に止まっていた電子は、第１電極２１、更には、第１浮遊拡散層ＦＤ₁へと確実に読み出される。即ち、光電変換層２３に蓄積された電荷が制御部に読み出される。

　第１浮遊拡散層ＦＤ₁へ電子が読み出された後の増幅トランジスタＴＲ１_amp、選択トランジスタＴＲ１_selの動作は、従来のこれらのトランジスタの動作と同じである。また、例えば、第２撮像素子、第３撮像素子の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作は、従来の電荷蓄積、リセット動作、電荷転送といった一連の動作と同様である。

　実施例６の積層型撮像素子等の変形例を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図４６に示すように、リセット・トランジスタＴＲ１_rstの他方のソース／ドレイン領域５１Ｂを、電源Ｖ_DDに接続する代わりに、接地してもよい。

　実施例７は、実施例３～実施例６の変形であり、電荷排出電極を備えた本開示の撮像素子等に関する。実施例７の積層型撮像素子等の一部分の模式的な一部断面図を図４７に示し、実施例７の積層型撮像素子等の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を構成する第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極の模式的な配置図を図４８に示し、第１電極、電荷蓄積用電極、電荷排出電極、第２電極及びコンタクトホール部の模式的な透視斜視図を図４９に示す。

　実施例７の積層型撮像素子等にあっては、接続部６９を介して光電変換層２３に接続され、第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４と離間して配置された電荷排出電極２６を更に備えている。ここで、電荷排出電極２６は、第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４を取り囲むように（即ち、額縁状に）配置されている。電荷排出電極２６は、駆動回路を構成する画素駆動回路に接続されている。接続部６９内には、光電変換層２３が延在している。即ち、光電変換層２３は、絶縁層８２に設けられた第２開口部８６内を延在し、電荷排出電極２６と接続されている。電荷排出電極２６は、複数の積層型撮像素子等において共有化（共通化）されている。

　実施例７にあっては、電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ₁₁が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ₁₂が印加され、電荷排出電極２６に電位Ｖ₁₄が印加され、光電変換層２３に電荷が蓄積される。光電変換層２３に入射された光によって光電変換層２３において光電変換が生じる。光電変換によって生成した正孔は、第２電極２２から配線Ｖ_OUを介して駆動回路へと送出される。一方、第１電極２１の電位を第２電極２２の電位よりも高くしたので、即ち、例えば、第１電極２１に正の電位が印加され、第２電極２２に負の電位が印加されるとしたので、Ｖ₁₄＞Ｖ₁₁（例えば、Ｖ₁₂＞Ｖ₁₄＞Ｖ₁₁）とする。これによって、光電変換によって生成した電子は、電荷蓄積用電極２４に引き付けられ、電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換層２３の領域に止まり、第１電極２１に向かって移動することを確実に防止することができる。但し、電荷蓄積用電極２４による引き付けが充分ではなく、あるいは又、光電変換層２３に蓄積しきれなかった電子（所謂オーバーフローした電子）は、電荷排出電極２６を経由して、駆動回路に送出される。

　リセット動作の完了後、電荷の読み出しを行う。即ち、電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ₂₂が印加され、電荷排出電極２６に電位Ｖ₂₄が印加される。ここで、Ｖ₂₄＜Ｖ₂₁（例えば、Ｖ₂₄＜Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁）とする。これによって、電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換層２３の領域に止まっていた電子は、第１電極２１、更には、第１浮遊拡散層ＦＤ₁へと確実に読み出される。即ち、光電変換層２３に蓄積された電荷が制御部に読み出される。

　実施例７にあっては、所謂オーバーフローした電子は電荷排出電極２６を経由して駆動回路に送出されるので、隣接画素の電荷蓄積部への漏れ込みを抑制することができ、ブルーミングの発生を抑えることができる。そして、これにより、積層型撮像素子等の撮像性能を向上させることができる。

　実施例８は、実施例３～実施例７の変形であり、複数の電荷蓄積用電極セグメントを備えた本開示の撮像素子等に関する。

　実施例８の積層型撮像素子等の一部分の模式的な一部断面図を図５０に示し、実施例８の積層型撮像素子等の等価回路図を図５１及び図５２に示し、実施例８の積層型撮像素子等の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図５３に示し、実施例８の積層型撮像素子等の動作時の各部位における電位の状態を模式的に図５４、図５５に示し、実施例８の積層型撮像素子等の各部位を説明するための等価回路図を図２８Ｃに示す。また、実施例８の積層型撮像素子等の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極の模式的な配置図を図５６に示し、第１電極、電荷蓄積用電極、第２電極及びコンタクトホール部の模式的な透視斜視図を図５７に示す。

　実施例８において、電荷蓄積用電極２４は、複数の電荷蓄積用電極セグメント２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃから構成されている。電荷蓄積用電極セグメントの数は、２以上であればよく、実施例８においては「３」とした。そして、実施例８の積層型撮像素子等にあっては、第１電極２１の電位が第２電極２２の電位よりも高いので、即ち、例えば、第１電極２１に正の電位が印加され、第２電極２２に負の電位が印加されるので、電荷転送期間において、第１電極２１に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント２４Ａに印加される電位は、第１電極２１に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント２４Ｃに印加される電位よりも高い。このように、電荷蓄積用電極２４に電位勾配を付与することで、電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換層２３の領域に止まっていた電子は、第１電極２１、更には、第１浮遊拡散層ＦＤ₁へと一層確実に読み出される。即ち、光電変換層２３に蓄積された電荷が制御部に読み出される。

　図５４に示す例では、電荷転送期間において、電荷蓄積用電極セグメント２４Ｃの電位＜電荷蓄積用電極セグメント２４Ｂの電位＜電荷蓄積用電極セグメント２４Ａの電位とすることで、光電変換層２３の領域に止まっていた電子を、一斉に、第１浮遊拡散層ＦＤ₁へと読み出す。一方、図５５に示す例では、電荷転送期間において、電荷蓄積用電極セグメント２４Ｃの電位、電荷蓄積用電極セグメント２４Ｂの電位、電荷蓄積用電極セグメント２４Ａの電位を段々と変化させることで（即ち、階段状あるいはスロープ状に変化させることで）、電荷蓄積用電極セグメント２４Ｃと対向する光電変換層２３の領域に止まっていた電子を、電荷蓄積用電極セグメント２４Ｂと対向する光電変換層２３の領域に移動させ、次いで、電荷蓄積用電極セグメント２４Ｂと対向する光電変換層２３の領域に止まっていた電子を、電荷蓄積用電極セグメント２４Ａと対向する光電変換層２３の領域に移動させ、次いで、電荷蓄積用電極セグメント２４Ａと対向する光電変換層２３の領域に止まっていた電子を、第１浮遊拡散層ＦＤ₁へと確実に読み出す。

　実施例８の積層型撮像素子等の変形例を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図５８に示すように、リセット・トランジスタＴＲ１_rstの他方のソース／ドレイン領域５１Ｂを、電源Ｖ_DDに接続する代わりに、接地してもよい。

　実施例９は、実施例３～実施例８の変形であり、第１構成及び第６構成の撮像素子に関する。

　実施例９の積層型撮像素子等の模式的な一部断面図を図５９に示し、電荷蓄積用電極、光電変換層及び第２電極が積層された部分を拡大した模式的な一部断面図を図６０に示す。実施例９の積層型撮像素子等の等価回路図は、図２４及び図２５において説明した実施例３の積層型撮像素子等の等価回路図と同様であるし、実施例９の積層型撮像素子等の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図は、図２６において説明した実施例３の積層型撮像素子等と同様である。更には、実施例９の積層型撮像素子等（第１撮像素子）の動作は、実質的に、実施例３の積層型撮像素子等の動作と同様である。

　ここで、実施例９の積層型撮像素子等あるいは後述する実施例１０～実施例１４の積層型撮像素子等において、
　光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメント（具体的には、３つの光電変換部セグメント１０’₁，１０’₂，１０’₃）から構成されており、
　光電変換層２３は、Ｎ個の光電変換層セグメント（具体的には、３つの光電変換層セグメント２３’₁，２３’₂，２３’₃）から構成されており、
　絶縁層８２は、Ｎ個の絶縁層セグメント（具体的には、３つの絶縁層セグメント８２’₁，８２’₂，８２’₃）から構成されており、
　実施例９～実施例１１において、電荷蓄積用電極２４は、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメント（具体的には、各実施例にあっては、３つの電荷蓄積用電極セグメント２４’₁，２４’₂，２４’₃）から構成されており、
　実施例１２～実施例１３において、場合によっては、実施例１１において、電荷蓄積用電極２４は、相互に離間されて配置された、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメント（具体的には、３つの電荷蓄積用電極セグメント２４’₁，２４’₂，２４’₃）から構成されており、
　第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメント１０’_nは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント２４’_n、第ｎ番目の絶縁層セグメント８２’_n及び第ｎ番目の光電変換層セグメント２３’_nから構成されており、
　ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極２１から離れて位置する。

　あるいは又、実施例９の積層型撮像素子等あるいは後述する実施例１０、実施例１３の積層型撮像素子等は、
　第１電極２１、光電変換層２３及び第２電極２２が積層されて成る光電変換部を備えており、
　光電変換部は、更に、第１電極２１と離間して配置され、且つ、絶縁層８２を介して光電変換層２３と対向して配置された電荷蓄積用電極２４を備えており、
　電荷蓄積用電極２４と絶縁層８２と光電変換層２３の積層方向をＺ方向、第１電極２１から離れる方向をＸ方向としたとき、ＹＺ仮想平面で電荷蓄積用電極２４と絶縁層８２と光電変換層２３が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第１電極からの距離に依存して変化する。

　更に、実施例９の積層型撮像素子等にあっては、第１番目の光電変換部セグメント１０’₁から第Ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_Nに亙り、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、変化している。具体的には、絶縁層セグメントの厚さは、漸次、厚くなっている。あるいは又、実施例９の積層型撮像素子等にあっては、積層部分の断面の幅は一定であり、積層部分の断面の厚さ、具体的には、絶縁層セグメントの厚さは、第１電極２１からの距離に依存して、漸次、厚くなっている。尚、絶縁層セグメントの厚さは、階段状に厚くなっている。第ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_n内における絶縁層セグメント８２’_nの厚さは一定とした。第ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_nにおける絶縁層セグメント８２’_nの厚さを「１」としたとき、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメント１０’_(n+1)における絶縁層セグメント８２’_(n+1)の厚さとして、２乃至１０を例示することができるが、このような値に限定するものではない。実施例９にあっては、電荷蓄積用電極セグメント２４’₁，２４’₂，２４’₃の厚さを漸次薄くすることで、絶縁層セグメント８２’₁，８２’₂，８２’₃の厚さを漸次厚くしている。光電変換層セグメント２３’₁，２３’₂，２３’₃の厚さは一定である。

　以下、実施例９の積層型撮像素子等の動作を説明する。

　実施例９の積層型撮像素子等にあっては、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、厚くなる構成を採用しているので、電荷蓄積期間において、Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁といった状態になると、第ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_nの方が、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメント１０’_(n+1)よりも、多くの電荷を蓄積することができるし、強い電界が加わり、第１番目の光電変換部セグメント１０’₁から第１電極２１への電荷の流れを確実に防止することができる。

　リセット動作の完了後、電荷の読み出しを行う。即ち、電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極２１に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極２４に電位Ｖ₂₂が印加される。ここで、Ｖ₂₁＞Ｖ₂₂とする。これによって、電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換層２３の領域に止まっていた電子は、第１電極２１、更には、第１浮遊拡散層ＦＤ₁へと読み出される。即ち、光電変換層２３に蓄積された電荷が制御部に読み出される。

　より具体的には、電荷転送期間において、Ｖ₂₁＞Ｖ₂₂といった状態になると、第１番目の光電変換部セグメント１０’₁から第１電極２１への電荷の流れ、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメント１０’_(n+1)から第ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_nへの電荷の流れを、確実に確保することができる。

　実施例９の積層型撮像素子等にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、変化しているので、あるいは又、ＹＺ仮想平面で電荷蓄積用電極と絶縁層と光電変換層が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第１電極からの距離に依存して変化するので、一種の電荷転送勾配が形成され、光電変換によって生成した電荷を、一層容易に、且つ、確実に転送することが可能となる。

　実施例９の積層型撮像素子等は、実質的に、実施例３の積層型撮像素子等と同様の方法で作製することができるので、詳細な説明は省略する。

　尚、実施例９の積層型撮像素子等にあっては、第１電極２１、電荷蓄積用電極２４及び絶縁層８２の形成において、先ず、層間絶縁層８１上に、電荷蓄積用電極２４’₃を形成するための導電材料層を成膜し、導電材料層をパターニングして光電変換部セグメント１０’₁，１０’₂，１０’₃及び第１電極２１を形成すべき領域に導電材料層を残すことで、第１電極２１の一部及び電荷蓄積用電極２４’₃を得ることができる。次に、全面に、絶縁層セグメント８２’₃を形成するための絶縁層を成膜し、絶縁層をパターニングし、平坦化処理を行うことで、絶縁層セグメント８２’₃を得ることができる。次に、全面に、電荷蓄積用電極２４’₂を形成するための導電材料層を成膜し、導電材料層をパターニングして、光電変換部セグメント１０’₁，１０’₂及び第１電極２１を形成すべき領域に導電材料層を残すことで、第１電極２１の一部及び電荷蓄積用電極２４’₂を得ることができる。次に、全面に絶縁層セグメント８２’₂を形成するための絶縁層を成膜し、絶縁層をパターニングし、平坦化処理を行うことで、絶縁層セグメント８２’₂を得ることができる。次に、全面に、電荷蓄積用電極２４’₁を形成するための導電材料層を成膜し、導電材料層をパターニングして、光電変換部セグメント１０’₁及び第１電極２１を形成すべき領域に導電材料層を残すことで、第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４’₁を得ることができる。次に、全面に絶縁層を成膜し、平坦化処理を行うことで、絶縁層セグメント８２’₁（絶縁層８２）を得ることができる。そして、絶縁層８２上に光電変換層２３を形成する。こうして、光電変換部セグメント１０’₁，１０’₂，１０’₃を得ることができる。

　実施例９の積層型撮像素子等の変形例を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図６１に示すように、リセット・トランジスタＴＲ１_rstの他方のソース／ドレイン領域５１Ｂを、電源Ｖ_DDに接続する代わりに、接地してもよい。

　実施例１０の積層型撮像素子等は、本開示の第２構成及び第６構成の撮像素子に関する。電荷蓄積用電極、光電変換層及び第２電極が積層された部分を拡大した模式的な一部断面図を図６２に示すように、実施例１０の積層型撮像素子等にあっては、第１番目の光電変換部セグメント１０’₁から第Ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_Nに亙り、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、変化している。あるいは又、実施例１０の積層型撮像素子等にあっては、積層部分の断面の幅は一定であり、積層部分の断面の厚さ、具体的には、光電変換層セグメントの厚さを、第１電極２１からの距離に依存して漸次、厚くする。より具体的には、光電変換層セグメントの厚さは、漸次、厚くなっている。尚、光電変換層セグメントの厚さは、階段状に厚くなっている。第ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_n内における光電変換層セグメント２３’_nの厚さは一定とした。第ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_nにおける光電変換層セグメント２３’_nの厚さを「１」としたとき、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメント１０’_(n+1)における光電変換層セグメント２３_(n+1)の厚さとして、２乃至１０を例示することができるが、このような値に限定するものではない。実施例１０にあっては、電荷蓄積用電極セグメント２４’₁，２４’₂，２４’₃の厚さを漸次薄くすることで、光電変換層セグメント２３’₁，２３’₂，２３’₃の厚さを漸次厚くしている。絶縁層セグメント８２’₁，８２’₂，８２’₃の厚さは一定である。

　実施例１０の積層型撮像素子等にあっては、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、厚くなるので、電荷蓄積期間において、Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁といった状態になると、第ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_nの方が、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメント１０’_(n+1)よりも強い電界が加わり、第１番目の光電変換部セグメント１０’₁から第１電極２１への電荷の流れを確実に防止することができる。そして、電荷転送期間において、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁といった状態になると、第１番目の光電変換部セグメント１０’₁から第１電極２１への電荷の流れ、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメント１０’_(n+1)から第ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_nへの電荷の流れを、確実に確保することができる。

　このように、実施例１０の積層型撮像素子等にあっては、第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、変化しているので、あるいは又、ＹＺ仮想平面で電荷蓄積用電極と絶縁層と光電変換層が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第１電極からの距離に依存して変化するので、一種の電荷転送勾配が形成され、光電変換によって生成した電荷を、一層容易に、且つ、確実に転送することが可能となる。

　実施例１０の積層型撮像素子等にあっては、第１電極２１、電荷蓄積用電極２４、絶縁層８２及び光電変換層２３の形成において、先ず、層間絶縁層８１上に、電荷蓄積用電極２４’₃を形成するための導電材料層を成膜し、導電材料層をパターニングして、光電変換部セグメント１０’₁，１０’₂，１０’₃及び第１電極２１を形成すべき領域に導電材料層を残すことで、第１電極２１の一部及び電荷蓄積用電極２４’₃を得ることができる。次いで、全面に、電荷蓄積用電極２４’₂を形成するための導電材料層を成膜し、導電材料層をパターニングして、光電変換部セグメント１０’₁，１０’₂及び第１電極２１を形成すべき領域に導電材料層を残すことで、第１電極２１の一部及び電荷蓄積用電極２４’₂を得ることができる。次いで、全面に、電荷蓄積用電極２４’₁を形成するための導電材料層を成膜し、導電材料層をパターニングして、光電変換部セグメント１０’₁及び第１電極２１を形成すべき領域に導電材料層を残すことで、第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４’₁を得ることができる。次に、全面に絶縁層８２をコンフォーマルに成膜する。そして、絶縁層８２の上に光電変換層２３を形成し、光電変換層２３に平坦化処理を施す。こうして、光電変換部セグメント１０’₁，１０’₂，１０’₃を得ることができる。

　実施例１１は、第３構成の撮像素子に関する。実施例１１の積層型撮像素子等の模式的な一部断面図を図６３に示す。実施例１１の積層型撮像素子等にあっては、隣接する光電変換部セグメントにおいて、絶縁層セグメントを構成する材料が異なる。ここで、第１番目の光電変換部セグメント１０’₁から第Ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_Nに亙り、絶縁層セグメントを構成する材料の比誘電率の値を、漸次、小さくしている。実施例１１の積層型撮像素子等にあっては、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントの全てに同じ電位を加えてもよいし、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントのそれぞれに、異なる電位を加えてもよい。後者の場合、実施例１２において説明すると同様に、相互に離間されて配置された電荷蓄積用電極セグメント２４’₁，２４’₂，２４’₃を、パッド部６４₁，６４₂，６４₃を介して、駆動回路を構成する垂直駆動回路１１２に接続すればよい。

　そして、このような構成を採用することで、一種の電荷転送勾配が形成され、電荷蓄積期間において、Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁といった状態になると、第ｎ番目の光電変換部セグメントの方が、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントよりも多くの電荷を蓄積することができる。そして、電荷転送期間において、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁といった状態になると、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れ、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントから第ｎ番目の光電変換部セグメントへの電荷の流れを、確実に確保することができる。

　実施例１２は、第４構成の撮像素子に関する。実施例１２の積層型撮像素子等の模式的な一部断面図を図６４に示す。実施例１２の積層型撮像素子等にあっては、隣接する光電変換部セグメントにおいて、電荷蓄積用電極セグメントを構成する材料が異なる。ここで、第１番目の光電変換部セグメント１０’₁から第Ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_Nに亙り、絶縁層セグメントを構成する材料の仕事関数の値を、漸次、大きくしている。実施例１２の積層型撮像素子等にあっては、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントの全てに同じ電位を加えてもよいし、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントのそれぞれに、異なる電位を加えてもよい。後者の場合、電荷蓄積用電極セグメント２４’₁，２４’₂，２４’₃は、パッド部６４₁，６４₂，６４₃を介して、駆動回路を構成する垂直駆動回路１１２に接続されている。

　実施例１３の積層型撮像素子等は、第５構成の撮像素子に関する。実施例１３における電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図を図６５Ａ、図６５Ｂ、図６６Ａ及び図６６Ｂに示し、実施例１３の積層型撮像素子等の電荷蓄積用電極を備えた光電変換部を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図６７に示す。実施例１３の積層型撮像素子等の模式的な一部断面図は、図６４あるいは図６９に示すと同様である。実施例１３の積層型撮像素子等にあっては、第１番目の光電変換部セグメント１０’₁から第Ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_Nに亙り、電荷蓄積用電極セグメントの面積が、漸次、小さくなっている。実施例１３の積層型撮像素子等にあっては、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントの全てに同じ電位を加えてもよいし、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントのそれぞれに、異なる電位を加えてもよい。具体的には、実施例１２において説明したと同様に、相互に離間されて配置された電荷蓄積用電極セグメント２４’₁，２４’₂，２４’₃を、パッド部６４₁，６４₂，６４₃を介して、駆動回路を構成する垂直駆動回路１１２に接続すればよい。

　実施例１３において、電荷蓄積用電極２４は、複数の電荷蓄積用電極セグメント２４’₁，２４’₂，２４’₃から構成されている。電荷蓄積用電極セグメントの数は、２以上であればよく、実施例１３においては「３」とした。そして、実施例１３の積層型撮像素子等にあっては、第１電極２１の電位が第２電極２２の電位よりも高いので、即ち、例えば、第１電極２１に正の電位が印加され、第２電極２２に負の電位が印加されるので、電荷転送期間において、第１電極２１に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント２４’₁に印加される電位は、第１電極２１に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメント２４’₃に印加される電位よりも高い。このように、電荷蓄積用電極２４に電位勾配を付与することで、電荷蓄積用電極２４と対向した光電変換層２３の領域に止まっていた電子は、第１電極２１、更には、第１浮遊拡散層ＦＤ₁へと一層確実に読み出される。即ち、光電変換層２３に蓄積された電荷が制御部に読み出される。

　そして、電荷転送期間において、電荷蓄積用電極セグメント２４’₃の電位＜電荷蓄積用電極セグメント２４’₂の電位＜電荷蓄積用電極セグメント２４’₁の電位とすることで、光電変換層２３の領域に止まっていた電子を、一斉に、第１浮遊拡散層ＦＤ₁へと読み出すことができる。あるいは又、電荷転送期間において、電荷蓄積用電極セグメント２４’₃の電位、電荷蓄積用電極セグメント２４’₂の電位、電荷蓄積用電極セグメント２４’₁の電位を段々と変化させることで（即ち、階段状あるいはスロープ状に変化させることで）、電荷蓄積用電極セグメント２４’₃と対向する光電変換層２３の領域に止まっていた電子を、電荷蓄積用電極セグメント２４’₂と対向する光電変換層２３の領域に移動させ、次いで、電荷蓄積用電極セグメント２４’₂と対向する光電変換層２３の領域に止まっていた電子を、電荷蓄積用電極セグメント２４’₁と対向する光電変換層２３の領域に移動させ、次いで、電荷蓄積用電極セグメント２４’₁と対向する光電変換層２３の領域に止まっていた電子を、第１浮遊拡散層ＦＤ₁へと確実に読み出すことができる。

　実施例１３の積層型撮像素子等の変形例を構成する第１電極及び電荷蓄積用電極並びに制御部を構成するトランジスタの模式的な配置図を図６８に示すように、リセット・トランジスタＴＲ３_rstの他方のソース／ドレイン領域５１Ｂを、電源Ｖ_DDに接続する代わりに、接地してもよい。

　実施例１３の積層型撮像素子等にあっても、このような構成を採用することで、一種の電荷転送勾配が形成される。即ち、第１番目の光電変換部セグメント１０’₁から第Ｎ番目の光電変換部セグメント１０’_Nに亙り、電荷蓄積用電極セグメントの面積が、漸次、小さくなっているので、電荷蓄積期間において、Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁といった状態になると、第ｎ番目の光電変換部セグメントの方が、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントよりも多くの電荷を蓄積することができる。そして、電荷転送期間において、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁といった状態になると、第１番目の光電変換部セグメントから第１電極への電荷の流れ、第（ｎ＋１）番目の光電変換部セグメントから第ｎ番目の光電変換部セグメントへの電荷の流れを、確実に確保することができる。

　実施例１４は、第６構成の撮像素子に関する。実施例１４の積層型撮像素子等の模式的な一部断面図を、図６９に示す。また、実施例１４における電荷蓄積用電極セグメントの模式的な平面図を図７０Ａ及び図７０Ｂに示す。実施例１４の積層型撮像素子等は、第１電極２１、光電変換層２３及び第２電極２２が積層されて成る光電変換部を備えており、光電変換部は、更に、第１電極２１と離間して配置され、且つ、絶縁層８２を介して光電変換層２３と対向して配置された電荷蓄積用電極２４（２４”₁，２４”₂，２４”₃）を備えている。そして、電荷蓄積用電極２４（２４”₁，２４”₂，２４”₃）と絶縁層８２と光電変換層２３の積層方向をＺ方向、第１電極２１から離れる方向をＸ方向としたとき、ＹＺ仮想平面で電荷蓄積用電極２４（２４”₁，２４”₂，２４”₃）と絶縁層８２と光電変換層２３が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第１電極２１からの距離に依存して変化する。

　具体的には、実施例１４の積層型撮像素子等にあっては、積層部分の断面の厚さは一定であり、積層部分の断面の幅は、第１電極２１から離れるほど狭くなっている。尚、幅は、連続的に狭くなっていてもよいし（図７０Ａ参照）、階段状に狭くなっていてもよい（図７０Ｂ参照）。

　このように、実施例１４の積層型撮像素子等にあっては、ＹＺ仮想平面で電荷蓄積用電極２４（２４”₁，２４”₂，２４”₃）と絶縁層８２と光電変換層２３が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第１電極からの距離に依存して変化するので、一種の電荷転送勾配が形成され、光電変換によって生成した電荷を、一層容易に、且つ、確実に転送することが可能となる。

　実施例１５は、第１構成及び第２構成の固体撮像装置に関する。

　実施例１５の固体撮像装置は、
　第１電極２１、光電変換層２３及び第２電極２２が積層されて成る光電変換部を備えており、
　光電変換部は、更に、第１電極２１と離間して配置され、且つ、絶縁層８２を介して光電変換層２３と対向して配置された電荷蓄積用電極２４を備えた積層型撮像素子等を、複数、有しており、
　複数の積層型撮像素子等から撮像素子ブロックが構成されており、
　撮像素子ブロックを構成する複数の積層型撮像素子等において第１電極２１が共有されている。

　あるいは又、実施例１５の固体撮像装置は、実施例３～実施例１４において説明した積層型撮像素子等を、複数、備えている。

　実施例１５にあっては、複数の積層型撮像素子等に対して１つの浮遊拡散層が設けられる。そして、電荷転送期間のタイミングを適切に制御することで、複数の積層型撮像素子等が１つの浮遊拡散層を共有することが可能となる。そして、この場合、複数の積層型撮像素子等が１つのコンタクトホール部を共有することが可能である。

　尚、撮像素子ブロックを構成する複数の積層型撮像素子等において第１電極２１が共有されている点を除き、実施例１５の固体撮像装置は、実質的に、実施例３～実施例１４において説明した固体撮像装置と同様の構成、構造を有する。

　実施例１５の固体撮像装置における第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４の配置状態を、模式的に図７１（実施例１５）、図７２（実施例１５の第１変形例）、図７３（実施例１５の第２変形例）、図７４（実施例１５の第３変形例）及び図７５（実施例１５の第４変形例）に示す。図７１、図７２、図７５及び図７６には、１６個の積層型撮像素子等を図示しており、図７３及び図７４には、１２個の積層型撮像素子等を図示している。そして、２個の積層型撮像素子等から撮像素子ブロックが構成されている。撮像素子ブロックを点線で囲んで示している。第１電極２１、電荷蓄積用電極２４に付した添え字は、第１電極２１、電荷蓄積用電極２４を区別するためのものである。以下の説明においても同様である。また、１つの積層型撮像素子等の上方に１つのオンチップ・マイクロ・レンズ（図７１～図８０には図示せず）が配設されている。そして、１つの撮像素子ブロックにおいては、第１電極２１を挟んで、２つの電荷蓄積用電極２４が配置されている（図７１、図７２参照）。あるいは又、並置された２つの電荷蓄積用電極２４に対向して１つの第１電極２１が配置されている（図７５、図７６参照）。即ち、第１電極は、各積層型撮像素子等の電荷蓄積用電極に隣接して配置されている。あるいは又、第１電極が、複数の積層型撮像素子等の一部の電荷蓄積用電極に隣接して配置されており、複数の積層型撮像素子等の残りの電荷蓄積用電極とは隣接して配置されてはおらず（図７３、図７４参照）、この場合には、複数の積層型撮像素子等の残りから第１電極への電荷の移動は、複数の積層型撮像素子等の一部を経由した移動となる。積層型撮像素子等を構成する電荷蓄積用電極と積層型撮像素子等を構成する電荷蓄積用電極との間の距離Ａは、第１電極に隣接した積層型撮像素子等における第１電極と電荷蓄積用電極との間の距離Ｂよりも長いことが、各積層型撮像素子等から第１電極への電荷の移動を確実なものとするために好ましい。また、第１電極から離れて位置する積層型撮像素子等ほど、距離Ａの値を大きくすることが好ましい。また、図７２、図７４及び図７６に示す例では、撮像素子ブロックを構成する複数の積層型撮像素子等の間には電荷移動制御電極２７が配設されている。電荷移動制御電極２７を配設することで、電荷移動制御電極２７を挟んで位置する撮像素子ブロックにおける電荷の移動を確実に抑制することができる。尚、電荷移動制御電極２７に印加される電位をＶ₁₇としたとき、Ｖ₁₂＞Ｖ₁₇（例えば、Ｖ_12-2＞Ｖ₁₇）とすればよい。

　電荷移動制御電極２７は、第１電極側に、第１電極２１あるいは電荷蓄積用電極２４と同じレベルに形成されていてもよいし、異なるレベル（具体的には、第１電極２１あるいは電荷蓄積用電極２４よりも下方のレベル）に形成されていてもよい。前者の場合、電荷移動制御電極２７と光電変換層との間の距離を短くできるので、ポテンシャルを制御し易い。一方、後者の場合、電荷移動制御電極２７と電荷蓄積用電極２４との間の距離を短くすることができるため、微細化に有利である。

　以下、第１電極２１₂及び２個の２つの電荷蓄積用電極２４₂₁，２４₂₂によって構成される撮像素子ブロックの動作を説明する。

　電荷蓄積期間においては、駆動回路から、第１電極２１₂に電位Ｖ_aが印加され、電荷蓄積用電極２４₂₁，２４₂₂に電位Ｖ_Aが印加される。光電変換層２３に入射された光によって光電変換層２３において光電変換が生じる。光電変換によって生成した正孔は、第２電極２２から配線Ｖ_OUを介して駆動回路へと送出される。一方、第１電極２１₂の電位を第２電極２２の電位よりも高くしたので、即ち、例えば、第１電極２１₂に正の電位が印加され、第２電極２２に負の電位が印加されるとしたので、Ｖ_A≧Ｖ_a、好ましくは、Ｖ_A＞Ｖ_aとする。これによって、光電変換によって生成した電子は、電荷蓄積用電極２４₂₁，２４₂₂に引き付けられ、電荷蓄積用電極２４₂₁，２４₂₂と対向した光電変換層２３の領域に止まる。即ち、光電変換層２３に電荷が蓄積される。Ｖ_A≧Ｖ_aであるが故に、光電変換層２３の内部に生成した電子が、第１電極２１₂に向かって移動することはない。光電変換の時間経過に伴い、電荷蓄積用電極２４₂₁，２４₂₂と対向した光電変換層２３の領域における電位は、より負側の値となる。

　電荷蓄積期間の後期において、リセット動作がなされる。これによって、第１浮遊拡散層の電位がリセットされ、第１浮遊拡散層の電位は電源の電位Ｖ_DDとなる。

　リセット動作の完了後、電荷の読み出しを行う。即ち、電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極２１₂に電位Ｖ_bが印加され、電荷蓄積用電極２４₂₁に電位Ｖ_21-Bが印加され、電荷蓄積用電極２４₂₂に電位Ｖ_22-Bが印加される。ここで、Ｖ_21-B＜Ｖ_b＜Ｖ_22-Bとする。これによって、電荷蓄積用電極２４₂₁と対向した光電変換層２３の領域に止まっていた電子は、第１電極２１₂、更には、第１浮遊拡散層へと読み出される。即ち、電荷蓄積用電極２４₂₁に対向した光電変換層２３の領域に蓄積された電荷が制御部に読み出される。読み出しが完了したならば、Ｖ_22-B≦Ｖ_21-B＜Ｖ_bとする。尚、図７５、図７６に示した例にあっては、Ｖ_22-B＜Ｖ_b＜Ｖ_21-Bとしてもよい。これによって、電荷蓄積用電極２４₂₂と対向した光電変換層２３の領域に止まっていた電子は、第１電極２１₂、更には、第１浮遊拡散層へと読み出される。また、図７３、図７４に示した例にあっては、電荷蓄積用電極２４₂₂と対向した光電変換層２３の領域に止まっていた電子を、電荷蓄積用電極２４₂₂が隣接している第１電極２１₃を経由して、第１浮遊拡散層へと読み出してもよい。このように、電荷蓄積用電極２４₂₂に対向した光電変換層２３の領域に蓄積された電荷が制御部に読み出される。尚、電荷蓄積用電極２４₂₁に対向した光電変換層２３の領域に蓄積された電荷の制御部への読み出しが完了したならば、第１浮遊拡散層の電位をリセットしてもよい。

　図８１Ａに、実施例１５の撮像素子ブロックにおける読み出し駆動例を示すが、
［ステップ－Ａ］
　コンパレータへのオートゼロ信号入力
［ステップ－Ｂ］
　共有された１つの浮遊拡散層のリセット動作
［ステップ－Ｃ］
　電荷蓄積用電極２４₂₁に対応した積層型撮像素子等におけるＰ相読み出し及び第１電極２１₂への電荷の移動
［ステップ－Ｄ］
　電荷蓄積用電極２４₂₁に対応した積層型撮像素子等におけるＤ相読み出し及び第１電極２１₂への電荷の移動
［ステップ－Ｅ］
　共有された１つの浮遊拡散層のリセット動作
［ステップ－Ｆ］
　コンパレータへのオートゼロ信号入力
［ステップ－Ｇ］
　電荷蓄積用電極２４₂₂に対応した積層型撮像素子等におけるＰ相読み出し及び第１電極２１₂への電荷の移動
［ステップ－Ｈ］
　電荷蓄積用電極２４₂₂に対応した積層型撮像素子等におけるＤ相読み出し及び第１電極２１₂への電荷の移動
という流れで、電荷蓄積用電極２４₂₁及び電荷蓄積用電極２４₂₂に対応した２つの積層型撮像素子等からの信号を読み出す。相関２重サンプリング（ＣＤＳ）処理に基づき、［ステップ－Ｃ］におけるＰ相読み出しと［ステップ－Ｄ］におけるＤ相読み出しとの差分が、電荷蓄積用電極２４₂₁に対応した積層型撮像素子等からの信号であり、［ステップ－Ｇ］におけるＰ相読み出しと［ステップ－Ｈ］におけるＤ相読み出しとの差分が、電荷蓄積用電極２４₂₂に対応した積層型撮像素子等からの信号である。

　尚、［ステップ－Ｅ］の動作を省略してもよい（図８１Ｂ参照）。また、［ステップ－Ｆ］の動作を省略してもよく、この場合、更には、［ステップ－Ｇ］を省略することができ（図８１Ｃ参照）、［ステップ－Ｃ］におけるＰ相読み出しと［ステップ－Ｄ］におけるＤ相読み出しとの差分が、電荷蓄積用電極２４₂₁に対応した積層型撮像素子等からの信号であり、［ステップ－Ｄ］におけるＤ相読み出しと［ステップ－Ｈ］におけるＤ相読み出しとの差分が、電荷蓄積用電極２４₂₂に対応した積層型撮像素子等からの信号となる。

　第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４の配置状態を模式的に図７７（実施例１５の第６変形例）及び図７８（実施例１５の第７変形例）に示す変形例では、４個の積層型撮像素子等から撮像素子ブロックが構成されている。これらの固体撮像装置の動作は、実質的に、図７１～図７６に示す固体撮像装置の動作と同様とすることができる。

　第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４の配置状態を模式的に図７９及び図８０に示す第８変形例及び第９変形例では、１６個の積層型撮像素子等から撮像素子ブロックが構成されている。図７９及び図８０に示すように、電荷蓄積用電極２４₁₁と電荷蓄積用電極２４₁₂との間、電荷蓄積用電極２４₁₂と電荷蓄積用電極２４₁₃との間、電荷蓄積用電極２４₁₃と電荷蓄積用電極２４₁₄との間には、電荷移動制御電極２７Ａ₁，２７Ａ₂，２７Ａ₃が配設されている。また、図８０に示すように、電荷蓄積用電極２４₂₁，２４₃₁，２４₄₁と電荷蓄積用電極２４₂₂，２４₃₂，２４₄₂との間、電荷蓄積用電極２４₂₂，２４₃₂，２４₄₂と電荷蓄積用電極２４₂₃，２４₃₃，２４₄₃との間、電荷蓄積用電極２４₂₃，２４₃₃，２４₄₃と電荷蓄積用電極２４₂₄，２４₃₄，２４₄₄との間には、電荷移動制御電極２７Ｂ₁，２７Ｂ₂，２７Ｂ₃が配設されている。更には、撮像素子ブロックと撮像素子ブロックとの間には、電荷移動制御電極２７Ｃが配設されている。そして、これらの固体撮像装置においては、１６個の電荷蓄積用電極２４を制御することで、光電変換層２３に蓄積された電荷を第１電極２１から読み出すことができる。

　　［ステップ－１０］
　具体的には、先ず、電荷蓄積用電極２４₁₁に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を第１電極２１から読み出す。次に、電荷蓄積用電極２４₁₂に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を、電荷蓄積用電極２４₁₁に対向する光電変換層２３の領域を経由して、第１電極２１から読み出す。次に、電荷蓄積用電極２４₁₃に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を、電荷蓄積用電極２４₁₂及び電荷蓄積用電極２４₁₁に対向する光電変換層２３の領域を経由して、第１電極２１から読み出す。

　　［ステップ－２０］
　その後、電荷蓄積用電極２４₂₁に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₁₁に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₂₂に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₁₂に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₂₃に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₁₃に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₂₄に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₁₄に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。

　　［ステップ－２１］
　電荷蓄積用電極２４₃₁に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₂₁に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₃₂に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₂₂に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₃₃に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₂₃に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₃₄に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₂₄に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。

　　［ステップ－２２］
　電荷蓄積用電極２４₄₁に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₃₁に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₄₂に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₃₂に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₄₃に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₃₃に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₄₄に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₃₄に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。

　　［ステップ－３０］
　そして、［ステップ－１０］を再び実行することで、電荷蓄積用電極２４₂₁に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷、電荷蓄積用電極２４₂₂に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷、電荷蓄積用電極２４₂₃に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷、及び、電荷蓄積用電極２４₂₄に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を、第１電極２１を経由して読み出すことができる。

　　［ステップ－４０］
　その後、電荷蓄積用電極２４₂₁に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₁₁に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₂₂に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₁₂に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₂₃に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₁₃に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₂₄に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₁₄に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。

　　［ステップ－４１］
　電荷蓄積用電極２４₃₁に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₂₁に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₃₂に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₂₂に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₃₃に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₂₃に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₃₄に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₂₄に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。

　　［ステップ－５０］
　そして、［ステップ－１０］を再び実行することで、電荷蓄積用電極２４₃₁に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷、電荷蓄積用電極２４₃₂に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷、電荷蓄積用電極２４₃₃に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷、及び、電荷蓄積用電極２４₃₄に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を、第１電極２１を経由して読み出すことができる。

　　［ステップ－６０］
　その後、電荷蓄積用電極２４₂₁に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₁₁に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₂₂に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₁₂に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₂₃に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₁₃に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。電荷蓄積用電極２４₂₄に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を電荷蓄積用電極２４₁₄に対向する光電変換層２３の領域に移動させる。

　　［ステップ－７０］
　そして、［ステップ－１０］を再び実行することで、電荷蓄積用電極２４₄₁に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷、電荷蓄積用電極２４₄₂に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷、電荷蓄積用電極２４₄₃に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷、及び、電荷蓄積用電極２４₄₄に対向する光電変換層２３の領域に蓄積された電荷を、第１電極２１を経由して読み出すことができる。

　実施例１５の固体撮像装置にあっては、撮像素子ブロックを構成する複数の積層型撮像素子等において第１電極が共有されているので、積層型撮像素子等が複数配列された画素領域における構成、構造を簡素化、微細化することができる。尚、１つの浮遊拡散層に対して設けられる複数の積層型撮像素子等は、第１タイプの撮像素子の複数から構成されていてもよいし、少なくとも１つの第１タイプの撮像素子と、１又は２以上の第２タイプの撮像素子とから構成されていてもよい。

　実施例１６は、実施例１５の変形である。第１電極２１及び電荷蓄積用電極２４の配置状態を模式的に図８２、図８３、図８４及び図８５に示す実施例１６の固体撮像装置にあっては、２個の積層型撮像素子等から撮像素子ブロックが構成されている。そして、撮像素子ブロックの上方に１つのオンチップ・マイクロ・レンズ１４が配設されている。尚、図８３及び図８５に示した例では、撮像素子ブロックを構成する複数の積層型撮像素子等の間に電荷移動制御電極２７が配設されている。

　例えば、撮像素子ブロックを構成する電荷蓄積用電極２４₁₁，２４₂₁，２４₃₁，２４₄₁に対応する光電変換層は、図面、右斜め上からの入射光に対して高い感度を有する。また、撮像素子ブロックを構成する電荷蓄積用電極２４₁₂，２４₂₂，２４₃₂，２４₄₂に対応する光電変換層は、図面、左斜め上からの入射光に対して高い感度を有する。従って、例えば、電荷蓄積用電極２４₁₁を有する積層型撮像素子等と電荷蓄積用電極２４₁₂を有する積層型撮像素子等と組み合わせることで、像面位相差信号の取得が可能となる。また、電荷蓄積用電極２４₁₁を有する積層型撮像素子等からの信号と電荷蓄積用電極２４₁₂を有する積層型撮像素子等からの信号を加算すれば、これらの積層型撮像素子等との組合せによって、１つの積層型撮像素子等を構成することができる。図８２に示した例では、電荷蓄積用電極２４₁₁と電荷蓄積用電極２４₁₂との間に第１電極２１₁を配置しているが、図８４に示した例のように、並置された２つの電荷蓄積用電極２４₁₁，２４₁₂に対向して１つの第１電極２１₁を配置することで、感度の一層の向上を図ることができる。

　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

　図１１４は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１１４に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｄｒｉｖｅｒ　Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ　Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１１４の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

　図１１５は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

　図１１５では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

　撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

　なお、図１１５には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

　また、本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。

　図１１６は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。

　図１１６では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。

　内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。

　鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。

　カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ：　Ｃａｍｅｒａ　Ｃｏｎｔｒｏｌ　Ｕｎｉｔ）１１２０１に送信される。

　ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。

　表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。

　光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。

　入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。

　処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。

　なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタ層を設けなくても、カラー画像を得ることができる。

　また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。

　また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ　Ｂａｎｄ　Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。

　図１１７は、図１１６に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。

　カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。

　レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。

　撮像部１１４０２は、撮像素子で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。

　また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。

　駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。

　通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。

　また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。

　なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ　Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ　Ｗｈｉｔｅ　Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。

　カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。

　通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。

　また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。

　画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。

　制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。

　また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。

　カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。

　ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。

　更には、本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。

　図１１８は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る、カプセル型内視鏡を用いた患者の体内情報取得システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。

　体内情報取得システム１０００１は、カプセル型内視鏡１０１００と、外部制御装置１０２００とから構成される。

　カプセル型内視鏡１０１００は、検査時に、患者によって飲み込まれる。カプセル型内視鏡１０１００は、撮像機能及び無線通信機能を有し、患者から自然排出されるまでの間、胃や腸等の臓器の内部を蠕動運動等によって移動しつつ、当該臓器の内部の画像（以下、体内画像ともいう）を所定の間隔で順次撮像し、その体内画像についての情報を体外の外部制御装置１０２００に順次無線送信する。

　外部制御装置１０２００は、体内情報取得システム１０００１の動作を統括的に制御する。また、外部制御装置１０２００は、カプセル型内視鏡１０１００から送信されてくる体内画像についての情報を受信し、受信した体内画像についての情報に基づいて、表示装置（図示せず）に当該体内画像を表示するための画像データを生成する。

　体内情報取得システム１０００１では、このようにして、カプセル型内視鏡１０１００が飲み込まれてから排出されるまでの間、患者の体内の様子を撮像した体内画像を随時得ることができる。

　カプセル型内視鏡１０１００と外部制御装置１０２００の構成及び機能についてより詳細に説明する。

　カプセル型内視鏡１０１００は、カプセル型の筐体１０１０１を有し、その筐体１０１０１内には、光源部１０１１１、撮像部１０１１２、画像処理部１０１１３、無線通信部１０１１４、給電部１０１１５、電源部１０１１６、及び制御部１０１１７が収納されている。

　光源部１０１１１は、例えばＬＥＤ（light emitting diode）等の光源から構成され、撮像部１０１１２の撮像視野に対して光を照射する。

　撮像部１０１１２は、撮像素子、及び当該撮像素子の前段に設けられる複数のレンズからなる光学系から構成される。観察対象である体組織に照射された光の反射光（以下、観察光という）は、当該光学系によって集光され、当該撮像素子に入射する。撮像部１０１１２では、撮像素子において、そこに入射した観察光が光電変換され、その観察光に対応する画像信号が生成される。撮像部１０１１２によって生成された画像信号は、画像処理部１０１１３に提供される。

　画像処理部１０１１３は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等のプロセッサによって構成され、撮像部１０１１２によって生成された画像信号に対して各種の信号処理を行う。画像処理部１０１１３は、信号処理を施した画像信号を、ＲＡＷデータとして無線通信部１０１１４に提供する。

　無線通信部１０１１４は、画像処理部１０１１３によって信号処理が施された画像信号に対して変調処理等の所定の処理を行い、その画像信号を、アンテナ１０１１４Ａを介して外部制御装置１０２００に送信する。また、無線通信部１０１１４は、外部制御装置１０２００から、カプセル型内視鏡１０１００の駆動制御に関する制御信号を、アンテナアンテナ１０１１４Ａを介して受信する。無線通信部１０１１４は、外部制御装置１０２００から受信した制御信号を制御部１０１１７に提供する。

　給電部１０１１５は、受電用のアンテナコイル、当該アンテナコイルに発生した電流から電力を再生する電力再生回路、及び昇圧回路等から構成される。給電部１０１１５では、いわゆる非接触充電の原理を用いて電力が生成される。

　電源部１０１１６は、二次電池によって構成され、給電部１０１１５によって生成された電力を蓄電する。図１１８では、図面が煩雑になることを避けるために、電源部１０１１６からの電力の供給先を示す矢印等の図示を省略しているが、電源部１０１１６に蓄電された電力は、光源部１０１１１、撮像部１０１１２、画像処理部１０１１３、無線通信部１０１１４、及び制御部１０１１７に供給され、これらの駆動に用いられ得る。

　制御部１０１１７は、ＣＰＵ等のプロセッサによって構成され、光源部１０１１１、撮像部１０１１２、画像処理部１０１１３、無線通信部１０１１４、及び、給電部１０１１５の駆動を、外部制御装置１０２００から送信される制御信号に従って適宜制御する。

　外部制御装置１０２００は、ＣＰＵ、ＧＰＵ等のプロセッサ、又はプロセッサとメモリ等の記憶素子が混載されたマイクロコンピュータ若しくは制御基板等で構成される。外部制御装置１０２００は、カプセル型内視鏡１０１００の制御部１０１１７に対して制御信号を、アンテナ１０２００Ａを介して送信することにより、カプセル型内視鏡１０１００の動作を制御する。カプセル型内視鏡１０１００では、例えば、外部制御装置１０２００からの制御信号により、光源部１０１１１における観察対象に対する光の照射条件が変更され得る。また、外部制御装置１０２００からの制御信号により、撮像条件（例えば、撮像部１０１１２におけるフレームレート、露出値等）が変更され得る。また、外部制御装置１０２００からの制御信号により、画像処理部１０１１３における処理の内容や、無線通信部１０１１４が画像信号を送信する条件（例えば、送信間隔、送信画像数等）が変更されてもよい。

　また、外部制御装置１０２００は、カプセル型内視鏡１０１００から送信される画像信号に対して、各種の画像処理を施し、撮像された体内画像を表示装置に表示するための画像データを生成する。当該画像処理としては、例えば現像処理（デモザイク処理）、高画質化処理（帯域強調処理、超解像処理、ＮＲ(Noise reduction)処理及び／又は手ブレ補正処理等）、並びに／又は拡大処理（電子ズーム処理）等、各種の信号処理を行うことができる。外部制御装置１０２００は、表示装置の駆動を制御して、生成した画像データに基づいて撮像された体内画像を表示させる。あるいは、外部制御装置１０２００は、生成した画像データを記録装置（図示せず）に記録させたり、印刷装置（図示せず）に印刷出力させてもよい。

　以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例にて説明した積層型撮像素子や積層型撮像素子等、固体撮像装置の構造や構成、製造条件、製造方法、使用した材料は例示であり、適宜変更することができる。各実施例の積層型撮像素子等を、適宜、組み合わせることができる。例えば、実施例９の積層型撮像素子等と実施例１０の積層型撮像素子等と実施例１１の積層型撮像素子等と実施例１２の積層型撮像素子等と実施例１３の積層型撮像素子等を任意に組み合わせることができるし、実施例９の積層型撮像素子等と実施例１０の積層型撮像素子等と実施例１１の積層型撮像素子等と実施例１２の積層型撮像素子等と実施例１４の積層型撮像素子等を任意に組み合わせることができる。

　場合によっては、浮遊拡散層ＦＤ₁，ＦＤ₂，ＦＤ₃，５１Ｃ，４５Ｃ，４６Ｃを共有化することもできる。

　図８６に、例えば、実施例３において説明した積層型撮像素子等の変形例を示すように、第１電極２１は、絶縁層８２に設けられた開口部８５Ａ内を延在し、光電変換層２３と接続されている構成とすることもできる。

　あるいは又、図８７に、例えば、実施例３において説明した積層型撮像素子等の変形例を示し、図８８Ａに第１電極の部分等の拡大された模式的な一部断面図を示すように、第１電極２１の頂面の縁部は絶縁層８２で覆われており、開口部８５Ｂの底面には第１電極２１が露出しており、第１電極２１の頂面と接する絶縁層８２の面を第１面８２ａ、電荷蓄積用電極２４と対向する光電変換層２３の部分と接する絶縁層８２の面を第２面８２ｂとしたとき、開口部８５Ｂの側面は、第１面８２ａから第２面８２ｂに向かって広がる傾斜を有する。このように、開口部８５Ｂの側面に傾斜を付けることで、光電変換層２３から第１電極２１への電荷の移動がより滑らかとなる。尚、図８８Ａに示した例では、開口部８５Ｂの軸線を中心として、開口部８５Ｂの側面は回転対称であるが、図８８Ｂに示すように、第１面８２ａから第２面８２ｂに向かって広がる傾斜を有する開口部８５Ｃの側面が電荷蓄積用電極２４側に位置するように、開口部８５Ｃを設けてもよい。これによって、開口部８５Ｃを挟んで電荷蓄積用電極２４とは反対側の光電変換層２３の部分からの電荷の移動が行われ難くなる。また、開口部８５Ｂの側面は、第１面８２ａから第２面８２ｂに向かって広がる傾斜を有するが、第２面８２ｂにおける開口部８５Ｂの側面の縁部は、図８８Ａに示したように、第１電極２１の縁部よりも外側に位置してもよいし、図８８Ｃに示すように、第１電極２１の縁部よりも内側に位置してもよい。前者の構成を採用することで、電荷の転送が一層容易になるし、後者の構成を採用することで、開口部の形成時の形状バラツキを小さくすることができる。

　これらの開口部８５Ｂ，８５Ｃは、絶縁層に開口部をエッチング法に基づき形成するときに形成するレジスト材料から成るエッチング用マスクをリフローすることで、エッチング用マスクの開口側面に傾斜を付け、このエッチング用マスクを用いて絶縁層８２をエッチングすることで、形成することができる。

　あるいは又、実施例７において説明した電荷排出電極２６に関して、図８９に示すように、光電変換層２３は、絶縁層８２に設けられた第２開口部８６Ａ内を延在し、電荷排出電極２６と接続されており、電荷排出電極２６の頂面の縁部は絶縁層８２で覆われており、第２開口部８６Ａの底面には電荷排出電極２６が露出しており、電荷排出電極２６の頂面と接する絶縁層８２の面を第３面８２ｃ、電荷蓄積用電極２４と対向する光電変換層２３の部分と接する絶縁層８２の面を第２面８２ｂとしたとき、第２開口部８６Ａの側面は、第３面８２ｃから第２面８２ｂに向かって広がる傾斜を有する形態とすることができる。尚、図９０～図９３にあっては、下層絶縁層８３、偏光子９１及び上層絶縁層８４を簡略化して図示した。

　また、図９０に、例えば、実施例３において説明した積層型撮像素子等の変形例を示すように、第２電極２２の側から光が入射し、第２電極２２よりの光入射側には遮光層１５が形成されている構成とすることもできる。尚、光電変換層よりも光入射側に設けられた各種配線を遮光層として機能させることもできる。

　尚、図９０に示した例では、遮光層１５は、第２電極２２の上方に形成されているが、即ち、第２電極２２よりの光入射側であって、第１電極２１の上方に遮光層１５が形成されているが、図９１に示すように、第２電極２２の光入射側の面の上に配設されてもよい。また、場合によっては、図９２に示すように、第２電極２２に遮光層１５が形成されていてもよい。

　あるいは又、第２電極２２側から光が入射し、第１電極２１には光が入射しない構造とすることもできる。具体的には、図９０に示したように、第２電極２２よりの光入射側であって、第１電極２１の上方には遮光層１５が形成されている。あるいは又、図９４に示すように、電荷蓄積用電極２４及び第２電極２２の上方にはオンチップ・マイクロ・レンズ１４が設けられており、オンチップ・マイクロ・レンズ１４に入射する光は、電荷蓄積用電極２４に集光され、第１電極２１には到達しない構造とすることもできる。尚、実施例６において説明したように、転送制御用電極２５が設けられている場合、第１電極２１及び転送制御用電極２５には光が入射しない形態とすることができ、具体的には、図９３に図示するように、第１電極２１及び転送制御用電極２５の上方には遮光層１５が形成されている構造とすることもできる。あるいは又、オンチップ・マイクロ・レンズ１４に入射する光は、第１電極２１あるいは第１電極２１及び転送制御用電極２５には到達しない構造とすることもできる。

　これらの構成、構造を採用することで、あるいは又、電荷蓄積用電極２４の上方に位置する光電変換層２３の部分のみに光が入射するように遮光層１５を設け、あるいは又、オンチップ・マイクロ・レンズ１４を設計することで、第１電極２１の上方（あるいは、第１電極２１及び転送制御用電極２５の上方）に位置する光電変換層２３の部分は光電変換に寄与しなくなるので、全画素をより確実に一斉にリセットすることができ、グローバルシャッター機能を一層容易に実現することができる。即ち、これらの構成、構造を有する積層型撮像素子等を、複数、備えた固体撮像装置の駆動方法にあっては、
　全ての積層型撮像素子等において、一斉に、光電変換層２３に電荷を蓄積しながら、第１電極２１における電荷を系外に排出し、その後、
　全ての積層型撮像素子等において、一斉に、光電変換層２３に蓄積された電荷を第１電極２１に転送し、転送完了後、順次、各積層型撮像素子等において第１電極２１に転送された電荷を読み出す、
各工程を繰り返す。

　このような固体撮像装置の駆動方法にあっては、各積層型撮像素子等は、第２電極側から入射した光が第１電極には入射しない構造を有し、全ての積層型撮像素子等において、一斉に、光電変換層に電荷を蓄積しながら、第１電極における電荷を系外に排出するので、全積層型撮像素子等において同時に第１電極のリセットを確実に行うことができる。そして、その後、全ての積層型撮像素子等において、一斉に、光電変換層に蓄積された電荷を第１電極に転送し、転送完了後、順次、各積層型撮像素子等において第１電極に転送された電荷を読み出す。それ故、所謂グローバルシャッター機能を容易に実現することができる。

　光電変換層は１層からの構成に限定されない。例えば、実施例３において説明した積層型撮像素子等の変形例を図９５に示すように、光電変換層２３を、例えば、ＩＧＺＯから成る下層半導体層２３Ａと、実施例３において説明した光電変換層２３を構成する材料から成る上層光電変換層２３Ｂの積層構造とすることもできる。このように下層半導体層２３Ａを設けることで、電荷蓄積時の再結合を防止することができ、光電変換層２３に蓄積した電荷の第１電極２１への転送効率を増加させることができるし、暗電流の生成を抑制することができる。

　また、実施例６の変形例として、図９６に示すように、第１電極２１に最も近い位置から電荷蓄積用電極２４に向けて、複数の転送制御用電極を設けてもよい。尚、図９６には、２つの転送制御用電極２５Ａ，２５Ｂを設けた例を示した。そして、電荷蓄積用電極２４及び第２電極２２上方にはオンチップ・マイクロ・レンズ１４が設けられており、オンチップ・マイクロ・レンズ１４に入射する光は、電荷蓄積用電極２４に集光され、第１電極２１及び転送制御用電極２５Ａ，２５Ｂには到達しない構造とすることもできる。

　図５９及び図６０に示した実施例９にあっては、電荷蓄積用電極セグメント２４’₁，２４’₂，２４’₃の厚さを漸次薄くすることで、絶縁層セグメント８２’₁，８２’₂，８２’₃の厚さを漸次厚くしている。一方、実施例９の変形例における電荷蓄積用電極、光電変換層及び第２電極が積層された部分を拡大した模式的な一部断面図を図９７に示すように、電荷蓄積用電極セグメント２４’₁，２４’₂，２４’₃の厚さを一定とし、絶縁層セグメント８２’₁，８２’₂，８２’₃の厚さを漸次厚くしてもよい。尚、光電変換層セグメント２３’₁，２３’₂，２３’₃の厚さは一定である。

　また、図６２に示した実施例１０にあっては、電荷蓄積用電極セグメント２４’₁，２４’₂，２４’₃の厚さを漸次薄くすることで、光電変換層セグメント２３’₁，２３’₂，２３’₃の厚さを漸次厚くしている。一方、実施例１０の変形例における電荷蓄積用電極、光電変換層及び第２電極が積層された部分を拡大した模式的な一部断面図を図９８に示すように、電荷蓄積用電極セグメント２４’₁，２４’₂，２４’₃の厚さを一定とし、絶縁層セグメント８２’₁，８２’₂，８２’₃の厚さを漸次薄くすることで、光電変換層セグメント２３’₁，２３’₂，２３’₃の厚さを漸次厚くしてもよい。

　実施例３にあっては、上層光電変換部の上方に偏光子を設けたが、代替的に、上層光電変換部の下方（上層光電変換部と下層光電変換部の間、より具体的には、層間絶縁層８１）に偏光子を設けてもよい。

　以上に説明した各種の変形例は、実施例４～実施例１６に対しても適用することができることは云うまでもない。

　実施例においては、電子を信号電荷としており、半導体基板に形成された光電変換層の導電型をｎ型としたが、正孔を信号電荷とする固体撮像装置にも適用できる。この場合には、各半導体領域を逆の導電型の半導体領域で構成すればよく、半導体基板に形成された光電変換層の導電型はｐ型とすればよい。

　図１０１に示すように、複数の積層型撮像素子等の配列方向と第１の方向とが成す角度が、例えば、０度の角度を有する積層型撮像素子等と、９０度の角度を有する積層型撮像素子等との組合せとすることができる。また、図１０２に示すように、複数の積層型撮像素子等の配列方向と第１の方向とが成す角度が、例えば、４５度の角度を有する積層型撮像素子等と、１３５度の角度を有する積層型撮像素子等との組合せとすることができる。尚、図１０１～図１１３に図示する撮像素子ユニットの平面レイアウト図において、「Ｒ」は赤色カラーフィルタ層を備えた赤色光電変換素子を示し、「Ｇ」は緑色カラーフィルタ層を備えた緑色光電変換素子を示し、「Ｂ」は青色カラーフィルタ層を備えた青色光電変換素子を示し、「Ｗ」はカラーフィルタ層を備えていない（あるいは又、透明な樹脂層を備えた）白色光電変換素子を示す。

　図１６Ｂに示した例では、ワイヤグリッド偏光素子９１を有する白色光用積層型撮像素子等Ｗをｘ₀方向及びｙ₀方向に１撮像素子を飛ばして配置したが、２撮像素子を飛ばして、あるいは又、３撮像素子を飛ばして配置に配置してもよいし、ワイヤグリッド偏光素子９１を有する積層型撮像素子等を、千鳥格子状に配置してもよい。図１０３に平面レイアウト図は、図１６Ｂに示した例の変形例である。

　図１０４や図１０５に平面レイアウトを図示する構成とすることも可能である。ここで、図１０４に示す平面レイアウトを有するＣＭＯＳイメージセンサーの場合、２×２の積層型撮像素子等で選択トランジスタ、リセット・トランジスタ、増幅トランジスタを共有する２×２画素共有法式を採用することができ、画素加算を行わない撮像モードでは偏光情報を含む撮像を行い、２×２の副画素領域の蓄積電荷をＦＤ加算するモードでは、全偏光成分を積分した通常撮像画像を提供することができる。また、図１０５に示す平面レイアイトの場合、２×２の積層型撮像素子等に対して１方向のワイヤグリッド偏光素子を配置するレイアウトであるため、積層型撮像素子等ユニット間での積層構造体の不連続が生じ難く、高品質な偏光撮像を実現できる。

　更には、図１０６、図１０７、図１０８、図１０９、図１１０、図１１１、図１１２、図１１３に平面レイアウトを図示する構成とすることも可能である。

　また、実施例において、ワイヤグリッド偏光素子は、専ら、可視光波長帯に感度を有する積層型撮像素子等における偏光情報の取得のために用いられたが、積層型撮像素子等が赤外線や紫外線に感度を有する場合、それに応じて、ライン部の形成ピッチＰ₀を拡大・縮小することで、任意の波長帯で機能するワイヤグリッド偏光素子としての実装が可能である。更には、実施例においては、積層構造体における光反射層と光吸収層とが絶縁膜によって離間されている構成（即ち、光反射層の頂面全面に絶縁膜が形成されており、絶縁膜の頂面全面に光吸収層が形成されている構成）のワイヤグリッド偏光素子としたが、代替的に、絶縁膜の一部が切り欠かれ、光反射層と光吸収層とは絶縁膜の切欠き部において接している構成とすることもできる。即ち、本開示の積層型撮像素子あるいは本開示の撮像素子等を構成するワイヤグリッド偏光素子の変形例の模式的な部分的斜視図を図１１９に示すように、絶縁膜９４の一部が切り欠かれ、光反射層９３と光吸収層９５とは絶縁膜９４の切欠き部９４ａにおいて接している構成とすることもできる。

　また、実施例にあっては、入射光量に応じた信号電荷を物理量として検知する単位画素が行列状に配置されて成るＣＭＯＳ型固体撮像装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、ＣＭＯＳ型固体撮像装置への適用に限られるものではなく、ＣＣＤ型固体撮像装置に適用することもできる。後者の場合、信号電荷は、ＣＣＤ型構造の垂直転送レジスタによって垂直方向に転送され、水平転送レジスタによって水平方向に転送され、増幅されることにより画素信号（画像信号）が出力される。また、画素が２次元マトリックス状に形成され、画素列毎にカラム信号処理回路を配置して成るカラム方式の固体撮像装置全般に限定するものでもない。更には、場合によっては、選択トランジスタを省略することもできる。

　更には、本開示の積層型撮像素子等は、可視光の入射光量の分布を検知して画像として撮像する固体撮像装置への適用に限らず、赤外線やＸ線、あるいは、粒子等の入射量の分布を画像として撮像する固体撮像装置にも適用可能である。また、広義には、圧力や静電容量等、他の物理量の分布を検知して画像として撮像する指紋検出センサ等の固体撮像装置（物理量分布検知装置）全般に対して適用可能である。

　更には、撮像領域の各単位画素を行単位で順に走査して各単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置に限られるものではない。画素単位で任意の画素を選択して、選択画素から画素単位で画素信号を読み出すＸ－Ｙアドレス型の固体撮像装置に対しても適用可能である。固体撮像装置はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像領域と、駆動回路又は光学系とを纏めてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。

　また、固体撮像装置への適用に限られるものではなく、撮像装置にも適用可能である。ここで、撮像装置とは、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話機等の撮像機能を有する電子機器を指す。電子機器に搭載されるモジュール状の形態、即ち、カメラモジュールを撮像装置とする場合もある。

　本開示の積層型撮像素子等から構成された固体撮像装置２０１を電子機器（カメラ）２００に用いた例を、図９９に概念図として示す。電子機器２００は、固体撮像装置２０１、光学レンズ２１０、シャッタ装置２１１、駆動回路２１２、及び、信号処理回路２１３を有する。光学レンズ２１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置２０１の撮像面上に結像させる。これにより固体撮像装置２０１内に、一定期間、信号電荷が蓄積される。シャッタ装置２１１は、固体撮像装置２０１への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路２１２は、固体撮像装置２０１の転送動作等及びシャッタ装置２１１のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路２１２から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置２０１の信号転送を行う。信号処理回路２１３は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリ等の記憶媒体に記憶され、あるいは、モニタに出力される。このような電子機器２００では、固体撮像装置２０１における画素サイズの微細化及び転送効率の向上を達成することができるので、画素特性の向上が図られた電子機器２００を得ることができる。固体撮像装置２０１を適用できる電子機器２００としては、カメラに限られるものではなく、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュール等の撮像装置に適用可能である。

　尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［Ａ０１］《積層型撮像素子：第１の態様》
　偏光子、及び、積層された複数の光電変換部から構成されており、
　偏光子と複数の光電変換部とは、偏光子が複数の光電変換部よりも光入射側に配設された状態で積層されている積層型撮像素子。
［Ａ０２］積層された複数の光電変換部の内の少なくとも１つの光電変換部は、第１電極、光電変換層及び第２電極が積層されて成り、更に、第１電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えている［Ａ０１］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ０３］半導体基板を更に備えており、
　積層された複数の光電変換部の内の少なくとも１つの光電変換部は、半導体基板の上方に配置されている［Ａ０２］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ０４］第１電極は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、光電変換層と接続されている［Ａ０２］又は［Ａ０３］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ０５］光電変換層は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、第１電極と接続されている［Ａ０２］又は［Ａ０３］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ０６］第１電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
　開口部の底面には第１電極が露出しており、
　第１電極の頂面と接する絶縁層の面を第１面、電荷蓄積用電極と対向する光電変換層の部分と接する絶縁層の面を第２面としたとき、開口部の側面は、第１面から第２面に向かって広がる傾斜を有する［Ａ０５］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ０７］第１面から第２面に向かって広がる傾斜を有する開口部の側面は、電荷蓄積用電極側に位置する［Ａ０６］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ０８］《第１電極及び電荷蓄積用電極の電位の制御》
　半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
　第１電極及び電荷蓄積用電極は、駆動回路に接続されており、
　電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₁₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₁₂が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
　電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₂₂が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第１電極を経由して制御部に読み出される［Ａ０２］乃至［Ａ０７］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
但し、第１電極の電位が第２電極より高い場合、
Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁、且つ、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁
であり、第１電極の電位が第２電極より低い場合、
Ｖ₁₂≦Ｖ₁₁、且つ、Ｖ₂₂＞Ｖ₂₁
である。
［Ａ０９］《転送制御用電極》
　第１電極と電荷蓄積用電極との間に、第１電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された転送制御用電極を更に備えている［Ａ０２］乃至［Ａ０７］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ１０］《第１電極、電荷蓄積用電極及び転送制御用電極の電位の制御》
　半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
　第１電極、電荷蓄積用電極及び転送制御用電極は、駆動回路に接続されており、
　電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₁₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₁₂が印加され、転送制御用電極に電位Ｖ₁₃が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
　電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₂₂が印加され、転送制御用電極に電位Ｖ₂₃が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第１電極を介して制御部に読み出される［Ａ０９］に記載の積層型撮像素子。
但し、第１電極の電位が第２電極より高い場合、
Ｖ₁₂＞Ｖ₁₃、且つ、Ｖ₂₂≦Ｖ₂₃≦Ｖ₂₁
であり、第１電極の電位が第２電極より低い場合、
Ｖ₁₂＜Ｖ₁₃、且つ、Ｖ₂₂≧Ｖ₂₃≧Ｖ₂₁
である。
［Ａ１１］《電荷排出電極》
　光電変換層に接続され、第１電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置された電荷排出電極を更に備えている［Ａ０２］乃至［Ａ１０］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ１２］電荷排出電極は、第１電極及び電荷蓄積用電極を取り囲むように配置されている［Ａ１１］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ１３］光電変換層は、絶縁層に設けられた第２開口部内を延在し、電荷排出電極と接続されており、
　電荷排出電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
　第２開口部の底面には電荷排出電極が露出しており、
　電荷排出電極の頂面と接する絶縁層の面を第３面、電荷蓄積用電極と対向する光電変換層の部分と接する絶縁層の面を第２面としたとき、第２開口部の側面は、第３面から第２面に向かって広がる傾斜を有する［Ａ１１］又は［Ａ１２］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ１４］《第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極の電位の制御》
　半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
　第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極は、駆動回路に接続されており、
　電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₁₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₁₂が印加され、電荷排出電極に電位Ｖ₁₄が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
　電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₂₂が印加され、電荷排出電極に電位Ｖ₂₄が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第１電極を介して制御部に読み出される［Ａ１１］乃至［Ａ１３］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
但し、第１電極の電位が第２電極より高い場合、
Ｖ₁₄＞Ｖ₁₁、且つ、Ｖ₂₄＜Ｖ₂₁
であり、第１電極の電位が第２電極より低い場合、
Ｖ₁₄＜Ｖ₁₁、且つ、Ｖ₂₄＞Ｖ₂₁
である。
［Ａ１５］《電荷蓄積用電極セグメント》
　電荷蓄積用電極は、複数の電荷蓄積用電極セグメントから構成されている［Ａ０２］乃至［Ａ１４］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ１６］第１電極の電位が第２電極より高い場合、電荷転送期間において、第１電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位は、第１電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位よりも高く、
　第１電極の電位が第２電極より低い場合、電荷転送期間において、第１電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位は、第１電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位よりも低い［Ａ１５］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ１７］半導体基板には、制御部を構成する少なくとも浮遊拡散層及び増幅トランジスタが設けられており、
　第１電極は、浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部に接続されている［Ａ０２］乃至［Ａ１６］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ１８］半導体基板には、更に、制御部を構成するリセット・トランジスタ及び選択トランジスタが設けられており、
　浮遊拡散層は、リセット・トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、
　増幅トランジスタの一方のソース／ドレイン領域は、選択トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、選択トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は信号線に接続されている［Ａ１７］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ１９］電荷蓄積用電極の大きさは第１電極よりも大きい［Ａ０２］乃至［Ａ１８］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ２０］第２電極側から光が入射し、第２電極よりの光入射側には遮光層が形成されている［Ａ０２］乃至［Ａ１９］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ２１］第２電極側から光が入射し、第１電極には光が入射しない［Ａ０２］乃至［Ａ１９］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ２２］第２電極よりの光入射側であって、第１電極の上方には遮光層が形成されている［Ａ２１］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ２３］電荷蓄積用電極及び第２電極の上方にはオンチップ・マイクロ・レンズが設けられており、
　オンチップ・マイクロ・レンズに入射する光は、電荷蓄積用電極に集光される［Ａ２１］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ２４］《積層型撮像素子：第１構成》
　少なくとも１つの光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
　光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
　絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
　電荷蓄積用電極は、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
　第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
　ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
　第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、変化している［Ａ０２］乃至［Ａ２３］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ２５］《積層型撮像素子：第２構成》
　少なくとも１つの光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
　光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
　絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
　電荷蓄積用電極は、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
　第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
　ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
　第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、変化している［Ａ０２］乃至［Ａ２３］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ２６］《積層型撮像素子：第３構成》
　少なくとも１つの光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
　光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
　絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
　電荷蓄積用電極は、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
　第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
　ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
　隣接する光電変換部セグメントにおいて、絶縁層セグメントを構成する材料が異なる［Ａ０２］乃至［Ａ２３］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ２７］《積層型撮像素子：第４構成》
　少なくとも１つの光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
　光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
　絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
　電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
　第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
　ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
　隣接する光電変換部セグメントにおいて、電荷蓄積用電極セグメントを構成する材料が異なる［Ａ０２］乃至［Ａ２３］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ２８］《積層型撮像素子：第５構成》
　少なくとも１つの光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
　光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
　絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
　電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
　第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
　ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
　第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、電荷蓄積用電極セグメントの面積が、漸次、小さくなっている［Ａ０２］乃至［Ａ２３］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ２９］《積層型撮像素子：第６構成》
　電荷蓄積用電極と絶縁層と光電変換層の積層方向をＺ方向、第１電極から離れる方向をＸ方向としたとき、ＹＺ仮想平面で電荷蓄積用電極と絶縁層と光電変換層が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第１電極からの距離に依存して変化する［Ａ０２］乃至［Ａ２３］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ３０］偏光子は、第１偏光子セグメント、第２偏光子セグメント、第３偏光子セグメント及び第４偏光子セグメントの４つの偏光子セグメントが２×２に配列されて成り、
　第１偏光子セグメントが透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２偏光子セグメントが透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３偏光子セグメントが透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４偏光子セグメントが透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である［Ａ０１］乃至［Ａ２９］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ３１］複数の光電変換部は、白色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部から成る［Ａ０１］乃至［Ａ３０］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ３２］複数の光電変換部は、赤色光又は緑色光又は青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部から成る［Ａ０１］乃至［Ａ３０］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ３３］偏光子よりも光入射側にはカラーフィルタ層が配置されている［Ａ３２］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ３４］赤色光又は緑色光又は青色光に感度を有する光電変換部は、赤色光に感度を有する赤色光用光電変換部、緑色光に感度を有する緑色光用光電変換部、及び、青色光に感度を有する青色光用光電変換部から成る群から選択された少なくとも２種類の光電変換部が積層されて成る［Ａ３２］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ３５］偏光子はワイヤグリッド偏光素子から成る［Ａ０１］乃至［Ａ３４］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ３６］ワイヤグリッド偏光素子と保護膜との間には第２保護膜が形成されており、
　保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２保護膜を構成する材料の屈折率をｎ₂としたとき、
ｎ₁＞ｎ₂
を満足する［Ａ３５］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ３７］保護膜は、ＳｉＮから成り、第２保護膜は、ＳｉＯ₂又はＳｉＯＮから成る［Ａ３６］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ３８］少なくとも、ワイヤグリッド偏光素子のスペース部に面したライン部の側面には第３保護膜が形成されている［Ａ３７］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ３９］ワイヤグリッド偏光素子を取り囲むフレーム部を更に備えており、
　フレーム部と、ワイヤグリッド偏光素子のライン部とは連結されており、
　フレーム部は、ワイヤグリッド偏光素子のライン部と同じ構造を有する［Ａ３５］乃至［Ａ３８］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ４０］基板の一方の面には光電変換部を駆動する駆動回路が形成されており、
　基板の他方の面に光電変換部が形成されており、
　積層型撮像素子の縁部には、基板の一方の面から他方の面に亙り、更に、ワイヤグリッド偏光素子の下方まで延びる、絶縁材料又は遮光材料が埋め込まれた溝部が形成されている［Ａ３５］乃至［Ａ３９］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ４１］ワイヤグリッド偏光素子のライン部は、光電変換部側から、第１導電材料から成る光反射層、絶縁膜、及び、第２導電材料から成る光吸収層が積層された積層構造体から構成されている［Ａ３５］乃至［Ａ４０］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ａ４２］光電変換部と光反射層の間に下地膜が形成されている［Ａ４１］に記載の固体撮像装置。
［Ａ４３］光反射層の延在部は基板又は光電変換部と電気的に接続されている［Ａ４１］又は［Ａ４２］に記載の積層型撮像素子。
［Ａ４４］光反射層の頂面全面に絶縁膜が形成されており、絶縁膜の頂面全面に光吸収層が形成されている［Ａ４１］乃至［Ａ４３］のいずれか１項に記載の積層型撮像素子。
［Ｂ０１］《固体撮像装置：第１の態様》
　積層型撮像素子が、２次元マトリクス状に配列されて成る固体撮像装置であって、
　各積層型撮像素子は、偏光子、及び、積層された複数の光電変換部から構成されており、
　各積層型撮像素子を構成する偏光子と複数の光電変換部とは、偏光子が複数の光電変換部よりも光入射側に配設された状態で積層されている固体撮像装置。
［Ｃ０１］《固体撮像装置：第２の態様》
　２×２に配列された第１積層型撮像素子、第２積層型撮像素子、第３積層型撮像素子及び第４積層型撮像素子の４つの積層型撮像素子から構成された撮像素子ユニットが、２次元マトリクス状に配列されて成る固体撮像装置であって、
　各撮像素子ユニットは、更に、少なくとも第４積層型撮像素子の光入射側に偏光子を備えている固体撮像装置。
［Ｃ０２］各撮像素子ユニットにおいて、
　第１積層型撮像素子は、赤色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第２積層型撮像素子は、緑色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第３積層型撮像素子は、青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第１積層型撮像素子、第２積層型撮像素子及び第３積層型撮像素子は、偏光子を備えていない［Ｃ０１］に記載の固体撮像装置。
［Ｃ０３］第４積層型撮像素子は、白色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えている［Ｃ０２］に記載の固体撮像装置。
［Ｃ０４］各撮像素子ユニットは、更に、第１積層型撮像素子、第２積層型撮像素子及び第３積層型撮像素子の光入射側に偏光子を備えており、
　第１積層型撮像素子、第２積層型撮像素子、第３積層型撮像素子及び第４積層型撮像素子に備えられた偏光子は、同じ偏光方位を有する［Ｃ０１］に記載の固体撮像装置。
［Ｃ０５］隣接する撮像素子ユニットにおいて、偏光子の有する偏光方位は異なっている［Ｃ０４］に記載の固体撮像装置。
［Ｃ０６］第１積層型撮像素子は、赤色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第２積層型撮像素子は、緑色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第３積層型撮像素子は、青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　２×２に配列された、第１撮像素子ユニット、第２撮像素子ユニット、第３撮像素子ユニット及び第４撮像素子ユニットの４つの撮像素子ユニットから撮像素子ユニット群が構成されており、
　第１撮像素子ユニットに備えられた第１偏光子が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２撮像素子ユニットに備えられた第２偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３撮像素子ユニットに備えられた第３偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４撮像素子ユニットに備えられた第４偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である［Ｃ０１］に記載の固体撮像装置。
［Ｃ０７］第１積層型撮像素子は、赤色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第２積層型撮像素子は、緑色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第３積層型撮像素子は、青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第４積層型撮像素子は、白色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第４積層型撮像素子の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された、第４－１偏光子、第４－２偏光子、第４－３偏光子及び第４－４偏光子の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第４－１偏光子が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第４－２偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第４－３偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４－４偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である［Ｃ０１］に記載の固体撮像装置。
［Ｃ０８］各撮像素子ユニットは、更に、第１積層型撮像素子、第２積層型撮像素子及び第３積層型撮像素子のそれぞれの光入射側に偏光子を備えており、
　第１積層型撮像素子の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された、第１－１偏光子、第１－２偏光子、第１－３偏光子及び第１－４偏光子の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第１－１偏光子が透過させるべき偏光方位はβ度であり、
　第１－２偏光子が透過させるべき偏光方位は（β＋４５）度であり、
　第１－３偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第１－４偏光子が透過させるべき偏光方位は（β＋１３５）度であり、
　第２積層型撮像素子の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された、第２－１偏光子、第２－２偏光子、第２－３偏光子及び第２－４偏光子の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第２－１偏光子が透過させるべき偏光方位はγ度であり、
　第２－２偏光子が透過させるべき偏光方位は（γ＋４５）度であり、
　第２－３偏光子が透過させるべき偏光方位は（γ＋９０）度であり、
　第２－４偏光子が透過させるべき偏光方位は（γ＋１３５）度であり、
　第３積層型撮像素子の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された、第３－１偏光子、第３－２偏光子、第３－３偏光子及び第３－４偏光子の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第３－１偏光子が透過させるべき偏光方位はδ度であり、
　第３－２偏光子が透過させるべき偏光方位は（δ＋４５）度であり、
　第３－３偏光子が透過させるべき偏光方位は（δ＋９０）度であり、
　第３－４偏光子が透過させるべき偏光方位は（δ＋１３５）度である［Ｃ０７］に記載の固体撮像装置。
［Ｃ０９］α＝β＝γ＝δである［Ｃ０８］に記載の固体撮像装置。
［Ｄ０１］《撮像素子》
　偏光子及び光電変換部が積層されて成る撮像素子であって、
　光電変換部は、第１電極、光電変換層及び第２電極が積層されて成り、更に、第１電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えている撮像素子。
［Ｄ０２］半導体基板を更に備えており、
　光電変換部は、半導体基板の上方に配置されている［Ｄ０１］に記載の撮像素子。
［Ｄ０３］第１電極は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、光電変換層と接続されている［Ｄ０１］又は［Ｄ０２］に記載の撮像素子。
［Ｄ０４］光電変換層は、絶縁層に設けられた開口部内を延在し、第１電極と接続されている［Ｄ０１］又は［Ｄ０２］に記載の撮像素子。
［Ｄ０５］第１電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
　開口部の底面には第１電極が露出しており、
　第１電極の頂面と接する絶縁層の面を第１面、電荷蓄積用電極と対向する光電変換層の部分と接する絶縁層の面を第２面としたとき、開口部の側面は、第１面から第２面に向かって広がる傾斜を有する［Ｄ０４］に記載の撮像素子。
［Ｄ０６］第１面から第２面に向かって広がる傾斜を有する開口部の側面は、電荷蓄積用電極側に位置する［Ｄ０５］に記載の撮像素子。
［Ｄ０７］《第１電極及び電荷蓄積用電極の電位の制御》
　半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
　第１電極及び電荷蓄積用電極は、駆動回路に接続されており、
　電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₁₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₁₂が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
　電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₂₂が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第１電極を経由して制御部に読み出される［Ｄ０１］乃至［Ｄ０６］のいずれか１項に記載の撮像素子。
但し、第１電極の電位が第２電極より高い場合、
Ｖ₁₂≧Ｖ₁₁、且つ、Ｖ₂₂＜Ｖ₂₁
であり、第１電極の電位が第２電極より低い場合、
Ｖ₁₂≦Ｖ₁₁、且つ、Ｖ₂₂＞Ｖ₂₁
である。
［Ｄ０８］《転送制御用電極》
　第１電極と電荷蓄積用電極との間に、第１電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された転送制御用電極を更に備えている［Ｄ０１］乃至［Ｄ０６］に記載の撮像素子。
［Ｄ０９］《第１電極、電荷蓄積用電極及び転送制御用電極の電位の制御》
　半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
　第１電極、電荷蓄積用電極及び転送制御用電極は、駆動回路に接続されており、
　電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₁₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₁₂が印加され、転送制御用電極に電位Ｖ₁₃が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
　電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₂₂が印加され、転送制御用電極に電位Ｖ₂₃が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第１電極を介して制御部に読み出される［Ｄ０８］に記載の撮像素子。
但し、第１電極の電位が第２電極より高い場合、
Ｖ₁₂＞Ｖ₁₃、且つ、Ｖ₂₂≦Ｖ₂₃≦Ｖ₂₁
であり、第１電極の電位が第２電極より低い場合、
Ｖ₁₂＜Ｖ₁₃、且つ、Ｖ₂₂≧Ｖ₂₃≧Ｖ₂₁
である。
［Ｄ１０］《電荷排出電極》
　光電変換層に接続され、第１電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置された電荷排出電極を更に備えている［Ｄ０１］乃至［Ｄ０９］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｄ１１］電荷排出電極は、第１電極及び電荷蓄積用電極を取り囲むように配置されている［Ｄ１０］に記載の撮像素子。
［Ｄ１２］光電変換層は、絶縁層に設けられた第２開口部内を延在し、電荷排出電極と接続されており、
　電荷排出電極の頂面の縁部は絶縁層で覆われており、
　第２開口部の底面には電荷排出電極が露出しており、
　電荷排出電極の頂面と接する絶縁層の面を第３面、電荷蓄積用電極と対向する光電変換層の部分と接する絶縁層の面を第２面としたとき、第２開口部の側面は、第３面から第２面に向かって広がる傾斜を有する［Ｄ１０］又は［Ｄ１１］に記載の撮像素子。
［Ｄ１３］《第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極の電位の制御》
　半導体基板に設けられ、駆動回路を有する制御部を更に備えており、
　第１電極、電荷蓄積用電極及び電荷排出電極は、駆動回路に接続されており、
　電荷蓄積期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₁₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₁₂が印加され、電荷排出電極に電位Ｖ₁₄が印加され、光電変換層に電荷が蓄積され、
　電荷転送期間において、駆動回路から、第１電極に電位Ｖ₂₁が印加され、電荷蓄積用電極に電位Ｖ₂₂が印加され、電荷排出電極に電位Ｖ₂₄が印加され、光電変換層に蓄積された電荷が第１電極を介して制御部に読み出される［Ｄ１０］乃至［Ｄ１２］のいずれか１項に記載の撮像素子。
但し、第１電極の電位が第２電極より高い場合、
Ｖ₁₄＞Ｖ₁₁、且つ、Ｖ₂₄＜Ｖ₂₁
であり、第１電極の電位が第２電極より低い場合、
Ｖ₁₄＜Ｖ₁₁、且つ、Ｖ₂₄＞Ｖ₂₁
である。
［Ｄ１４］《電荷蓄積用電極セグメント》
　電荷蓄積用電極は、複数の電荷蓄積用電極セグメントから構成されている［Ｄ０１］乃至［Ｄ１３］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｄ１５］第１電極の電位が第２電極より高い場合、電荷転送期間において、第１電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位は、第１電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位よりも高く、
　第１電極の電位が第２電極より低い場合、電荷転送期間において、第１電極に最も近い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位は、第１電極に最も遠い所に位置する電荷蓄積用電極セグメントに印加される電位よりも低い［Ｄ１４］に記載の撮像素子。
［Ｅ０１］半導体基板には、制御部を構成する少なくとも浮遊拡散層及び増幅トランジスタが設けられており、
　第１電極は、浮遊拡散層及び増幅トランジスタのゲート部に接続されている［Ｄ０１］乃至［Ｄ１５］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｅ０２］半導体基板には、更に、制御部を構成するリセット・トランジスタ及び選択トランジスタが設けられており、
　浮遊拡散層は、リセット・トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、
　増幅トランジスタの一方のソース／ドレイン領域は、選択トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に接続されており、選択トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は信号線に接続されている［Ｅ０１］に記載の撮像素子。
［Ｅ０３］電荷蓄積用電極の大きさは第１電極よりも大きい［Ｄ０１］乃至［Ｅ０２］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｅ０４］第２電極側から光が入射し、第２電極よりの光入射側には遮光層が形成されている［Ｄ０１］乃至［Ｅ０３］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｅ０５］第２電極側から光が入射し、第１電極には光が入射しない［Ｄ０１］乃至［Ｅ０３］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｅ０６］第２電極よりの光入射側であって、第１電極の上方には遮光層が形成されている［Ｅ０５］に記載の撮像素子。
［Ｅ０７］電荷蓄積用電極及び第２電極の上方にはオンチップ・マイクロ・レンズが設けられており、
　オンチップ・マイクロ・レンズに入射する光は、電荷蓄積用電極に集光される［Ｅ０５］に記載の撮像素子。
［Ｆ０１］《撮像素子：第１構成》
　光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
　光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
　絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
　電荷蓄積用電極は、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
　第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
　ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
　第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、絶縁層セグメントの厚さが、漸次、変化している［Ｄ０１］乃至［Ｅ０７］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｆ０２］《撮像素子：第２構成》
　光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
　光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
　絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
　電荷蓄積用電極は、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
　第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
　ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
　第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、光電変換層セグメントの厚さが、漸次、変化している［Ｄ０１］乃至［Ｅ０７］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｆ０３］《撮像素子：第３構成》
　光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
　光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
　絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
　電荷蓄積用電極は、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
　第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
　ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
　隣接する光電変換部セグメントにおいて、絶縁層セグメントを構成する材料が異なる［Ｄ０１］乃至［Ｅ０７］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｆ０４］《撮像素子：第４構成》
　光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
　光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
　絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
　電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
　第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
　ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
　隣接する光電変換部セグメントにおいて、電荷蓄積用電極セグメントを構成する材料が異なる［Ｄ０１］乃至［Ｅ０７］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｆ０５］《撮像素子：第５構成》
　光電変換部は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２）の光電変換部セグメントから構成されており、
　光電変換層は、Ｎ個の光電変換層セグメントから構成されており、
　絶縁層は、Ｎ個の絶縁層セグメントから構成されており、
　電荷蓄積用電極は、相互に離間されて配置された、Ｎ個の電荷蓄積用電極セグメントから構成されており、
　第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）の光電変換部セグメントは、第ｎ番目の電荷蓄積用電極セグメント、第ｎ番目の絶縁層セグメント及び第ｎ番目の光電変換層セグメントから構成されており、
　ｎの値が大きい光電変換部セグメントほど、第１電極から離れて位置し、
　第１番目の光電変換部セグメントから第Ｎ番目の光電変換部セグメントに亙り、電荷蓄積用電極セグメントの面積が、漸次、小さくなっている［Ｄ０１］乃至［Ｅ０７］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｆ０６］《撮像素子：第６構成》
　電荷蓄積用電極と絶縁層と光電変換層の積層方向をＺ方向、第１電極から離れる方向をＸ方向としたとき、ＹＺ仮想平面で電荷蓄積用電極と絶縁層と光電変換層が積層された積層部分を切断したときの積層部分の断面積は、第１電極からの距離に依存して変化する［Ｄ０１］乃至［Ｅ０７］のいずれか１項に記載の撮像素子。
［Ｇ０１］《積層型撮像素子：第２の態様》
　［Ｄ０１］乃至［Ｆ０６］のいずれか１項に記載の撮像素子を少なくとも１つ有する積層型撮像素子。
［Ｈ０１］《固体撮像装置・・・第３の態様》
　［Ｄ０１］乃至［Ｆ０６］のいずれか１項に記載の撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置。
［Ｈ０２］《固体撮像装置・・・第４の態様》
　［Ｇ０１］に記載の積層型撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置。
［Ｊ０１］《固体撮像装置：第１構成》
　第１電極、光電変換層及び第２電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
　光電変換部は、［Ｄ０１］乃至［Ｆ０６］のいずれか１項に記載の撮像素子を、複数、有しており、
　複数の撮像素子から撮像素子ブロックが構成されており、
　撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子において第１電極が共有されている固体撮像装置。
［Ｊ０２］《固体撮像装置：第２構成》
　［Ｄ０１］乃至［Ｆ０６］のいずれか１項に記載の撮像素子を、複数、有しており、
　複数の撮像素子から撮像素子ブロックが構成されており、
　撮像素子ブロックを構成する複数の撮像素子において第１電極が共有されている固体撮像装置。
［Ｊ０３］１つの撮像素子の上方に１つのオンチップ・マイクロ・レンズが配設されている［Ｊ０１］又は［Ｊ０２］に記載の固体撮像装置。
［Ｊ０４］２つの撮像素子から撮像素子ブロックが構成されており、
　撮像素子ブロックの上方に１つのオンチップ・マイクロ・レンズが配設されている［Ｊ０１］又は［Ｊ０２］に記載の固体撮像装置。
［Ｊ０５］複数の撮像素子に対して１つの浮遊拡散層が設けられている［Ｊ０１］乃至［Ｊ０４］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｊ０６］第１電極は、各撮像素子の電荷蓄積用電極に隣接して配置されている［Ｊ０１］乃至［Ｊ０５］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｊ０７］第１電極が、複数の撮像素子の一部の電荷蓄積用電極に隣接して配置されており、複数の撮像素子の残りの電荷蓄積用電極とは隣接して配置されてはいない［Ｊ０１］乃至［Ｊ０６］のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
［Ｊ０８］撮像素子を構成する電荷蓄積用電極と撮像素子を構成する電荷蓄積用電極との間の距離は、第１電極に隣接した撮像素子における第１電極と電荷蓄積用電極との間の距離よりも長い［Ｊ０７］に記載の固体撮像装置。
［Ｋ０１］《固体撮像装置の駆動方法》
　第１電極、光電変換層及び第２電極が積層されて成る光電変換部を備えており、
　光電変換部は、更に、第１電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えており、
　第２電極側から光が入射し、第１電極には光が入射しない構造を有する撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置の駆動方法であって、
　全ての撮像素子において、一斉に、光電変換層に電荷を蓄積しながら、第１電極における電荷を系外に排出し、その後、
　全ての撮像素子において、一斉に、光電変換層に蓄積された電荷を第１電極に転送し、転送完了後、順次、各撮像素子において第１電極に転送された電荷を読み出す、
各工程を繰り返す固体撮像装置の駆動方法。

１０，１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ，１０ｉＲ・・・光電変換部、１０’₁，１０’₂，１０’₃・・・光電変換部セグメント、１０₁，１１₁・・・第１積層型撮像素子、１０₂，１１₂・・・第２積層型撮像素子、１０₃，１１₃・・・第３積層型撮像素子、１０₄，１１₄・・・第４積層型撮像素子、１０Ｒ₁，１０Ｒ₂，１０Ｒ₃，１０Ｒ₄，１０Ｇ₁，１０Ｇ₂，１０Ｇ₃，１０Ｇ₄，１０Ｂ₁，１０Ｂ₂，１０Ｂ₃，１０Ｂ₄，１０Ｗ₁，１０Ｗ₂，１０Ｗ₃，１０Ｗ₄，１１Ｒ₁，１１Ｒ₂，１１Ｒ₃，１１Ｒ₄，１１Ｇ₁，１１Ｇ₂，１１Ｇ₃，１１Ｇ₄，１１Ｂ₁，１１Ｂ₂，１１Ｂ₃，１１Ｂ₄，１１Ｗ₁，１１Ｗ₂，１１Ｗ₃，１１Ｗ₄・・・光電変換部（光電変換素子）、１０ｉＲ₁₁，１０ｉＲ₁₂，１０ｉＲ₁₃，１０ｉＲ₁₄，１０ｉＲ₂₁，１０ｉＲ₂₂，１０ｉＲ₂₃，１０ｉＲ₂₄，１０ｉＲ₃₁，１０ｉＲ₃₂，１０ｉＲ₃₃，１０ｉＲ₃₄，１０ｉＲ₄₁，１０ｉＲ₄₄，１０ｉＲ₄₃，１０ｉＲ₄₄，１１ｉＲ₁₁，１１ｉＲ₁₂，１１ｉＲ₁₃，１１ｉＲ₁₄，１１ｉＲ₂₁，１１ｉＲ₂₂，１１ｉＲ₂₃，１１ｉＲ₂₄，１１ｉＲ₃₁，１１ｉＲ₃₂，１１ｉＲ₃₃，１１ｉＲ₃₄，１１ｉＲ₄₁，１１ｉＲ₄₂，１１ｉＲ₄₃，１１ｉＲ₄₄・・・近赤外光に感度を有する光電変換部、１２₁・・・第１撮像素子ユニット、１２₂・・・第２撮像素子ユニット、１２₃・・・第３撮像素子ユニット、１２₄・・・第４撮像素子ユニット、１３・・・層間絶縁層より下方に位置する各種の撮像素子構成要素、１４・・・オンチップ・マイクロ・レンズ（ＯＣＬ）、１５・・・遮光層、２１・・・第１電極、２２・・・第２電極、２３・・・光電変換層、２３Ａ・・・下層半導体層、２３Ｂ・・・上層光電変換層、２３’₁，２３’₂，２３’₃・・・光電変換層セグメント、２４，２４”₁，２４”₂，２４”₃・・・電荷蓄積用電極、２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４’₁，２４’₂，２４’₃・・・電荷蓄積用電極セグメント、２５，２５Ａ，２５Ｂ・・・転送制御用電極（電荷転送電極）、２６・・・電荷排出電極、２７，２７Ａ₁，２７Ａ₂，２７Ａ₃，２７Ｂ₁，２７Ｂ₂，２７Ｂ₃，２７Ｃ・・・電荷移動制御電極、３１，３３，４１，４３・・・ｎ型半導体領域、３２，３４，４２，４４，７３・・・ｐ⁺層、３５，３６，４５，４６・・・転送トランジスタのゲート部、３５Ｃ，３６Ｃ・・・半導体基板の領域、３６Ａ・・・転送チャネル、５１・・・リセット・トランジスタＴＲ１_rstのゲート部、５１Ａ・・・リセット・トランジスタＴＲ１_rstのチャネル形成領域、５１Ｂ，５１Ｃ・・・リセット・トランジスタＴＲ１_rstのソース／ドレイン領域、５２・・・増幅トランジスタＴＲ１_ampのゲート部、５２Ａ・・・増幅トランジスタＴＲ１_ampのチャネル形成領域、５２Ｂ，５２Ｃ・・・増幅トランジスタＴＲ１_ampのソース／ドレイン領域、５３・・・選択トランジスタＴＲ１_selのゲート部、５３Ａ・・・選択トランジスタＴＲ１_selのチャネル形成領域、５３Ｂ，５３Ｃ・・・選択トランジスタＴＲ１_selのソース／ドレイン領域、６１・・・コンタクトホール部、６２・・・配線層、６３，６４，６８Ａ・・・パッド部、６５，６８Ｂ・・・接続孔、６６，６７，６９・・・接続部、７０・・・半導体基板、７０Ａ・・・半導体基板の第１面（おもて面）、７０Ｂ・・・半導体基板の第２面（裏面）、７１・・・素子分離領域、７２・・・酸化膜、７４・・・ＨｆＯ₂膜、７５・・・絶縁材料膜、７６，７７，７８，８１・・・層間絶縁層、８２・・・絶縁層、８２’₁，８２’₂，８２’₃・・・絶縁層セグメント、８２ａ・・・絶縁層の第１面、８２ｂ・・・絶縁層の第２面、８２ｃ・・・絶縁層の第３面、８３・・・下層絶縁層、８４・・・上層絶縁層、８５，８５Ａ，８５Ｂ，８５Ｃ・・・開口部、８６，８６Ａ・・・第２開口部、９０，９０Ｒ，９０Ｇ，９０Ｂ，９０Ｒ₁，９０Ｒ₂，９０Ｒ₃，９０Ｒ₄，９０Ｇ₁，９０Ｇ₂，９０Ｇ₃，９０Ｇ₄，９０Ｂ₁，９０Ｂ₂，９０Ｂ₃，９０Ｂ₄・・・カラーフィルタ層（波長選択手段）、９０Ｗ・・・透明樹脂層、９１，９１₁，９１₂，９１₃，９１₄，９１Ｗ，９１Ｗ₁，９１Ｗ₂，９１Ｗ₃，９１Ｗ₄，・・・偏光子（ワイヤグリッド偏光素子）、９１’Ｒ₁，９１’Ｒ₂，９１’Ｒ₃，９１’Ｒ₄，９１’Ｇ₁，９１’Ｇ₂，９１’Ｇ₃，９１’Ｇ₄，９１’Ｂ₁，９１’Ｂ₂，９１’Ｂ₃，９１’Ｂ₄，９１’Ｗ₁，９１’Ｗ₂，９１’Ｗ₃，９１’Ｗ₄・・・偏光子セグメント、９２・・・ライン部（積層構造体）、９３・・・光反射層、９３Ａ・・・光反射層形成層、９４・・・絶縁膜、９４Ａ・・・絶縁膜形成層、９４ａ・・・絶縁膜の切欠き部、９５・・・光吸収層、９５Ａ・・・光吸収層形成層、９６・・・スペース部（積層構造体と積層構造体との間の隙間）、９７Ａ・・・保護膜、９７Ｂ・・・第２保護膜、９７Ｃ・・・第３保護膜、９８・・・フレーム部、１００・・・固体撮像装置、１０１・・・積層型撮像素子、１１１・・・撮像領域、１１２・・・垂直駆動回路、１１３・・・カラム信号処理回路、１１４・・・水平駆動回路、１１５・・・出力回路、１１６・・・駆動制御回路、１１７・・・信号線（データ出力線）、１１８・・・水平信号線、２００・・・電子機器（カメラ）、２０１・・・固体撮像装置、２１０・・・光学レンズ、２１１・・・シャッタ装置、２１２・・・駆動回路、２１３・・・信号処理回路、ＦＤ₁，ＦＤ₂，ＦＤ₃，４５Ｃ，４６Ｃ・・・浮遊拡散層、ＴＲ１_trs，ＴＲ２_trs，ＴＲ３_trs・・・転送トランジスタ、ＴＲ１_rst，ＴＲ２_rst，ＴＲ３_rst・・・リセット・トランジスタ、ＴＲ１_amp，ＴＲ２_amp，ＴＲ３_amp・・・増幅トランジスタ、ＴＲ１_sel，ＴＲ３_sel，ＴＲ３_sel・・・選択トランジスタ、Ｖ_DD・・・電源、ＴＧ₁，ＴＧ₂，ＴＧ₃・・・転送ゲート線、ＲＳＴ₁，ＲＳＴ₂，ＲＳＴ₃・・・リセット線、ＳＥＬ₁，ＳＥＬ₂，ＳＥＬ₃・・・選択線、ＶＳＬ，ＶＳＬ₁，ＶＳＬ₂，ＶＳＬ₃・・・信号線（データ出力線）、Ｖ_OA，Ｖ_OT，Ｖ_OU・・・配線

Claims

　偏光子、及び、積層された複数の光電変換部から構成されており、
　偏光子と複数の光電変換部とは、偏光子が複数の光電変換部よりも光入射側に配設された状態で積層されている積層型撮像素子。
　積層された複数の光電変換部の内の少なくとも１つの光電変換部は、第１電極、光電変換層及び第２電極が積層されて成り、更に、第１電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された電荷蓄積用電極を備えている請求項１に記載の積層型撮像素子。
　第１電極と電荷蓄積用電極との間に、第１電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置され、且つ、絶縁層を介して光電変換層と対向して配置された転送制御用電極を更に備えている請求項２に記載の積層型撮像素子。
　光電変換層に接続され、第１電極及び電荷蓄積用電極と離間して配置された電荷排出電極を更に備えている請求項２に記載の積層型撮像素子。
　電荷蓄積用電極は、複数の電荷蓄積用電極セグメントから構成されている請求項２に記載の積層型撮像素子。
　偏光子は、第１偏光子セグメント、第２偏光子セグメント、第３偏光子セグメント及び第４偏光子セグメントの４つの偏光子セグメントが２×２に配列されて成り、
　第１偏光子セグメントが透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第２偏光子セグメントが透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第３偏光子セグメントが透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４偏光子セグメントが透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である請求項１に記載の積層型撮像素子。
　複数の光電変換部は、白色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部から成る請求項１に記載の積層型撮像素子。
　複数の光電変換部は、赤色光又は緑色光又は青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部から成る請求項１に記載の積層型撮像素子。
　偏光子よりも光入射側にはカラーフィルタ層が配置されている請求項８に記載の積層型撮像素子。
　赤色光又は緑色光又は青色光に感度を有する光電変換部は、赤色光に感度を有する赤色光用光電変換部、緑色光に感度を有する緑色光用光電変換部、及び、青色光に感度を有する青色光用光電変換部から成る群から選択された少なくとも２種類の光電変換部が積層されて成る請求項８に記載の積層型撮像素子。
　積層型撮像素子が、２次元マトリクス状に配列されて成る固体撮像装置であって、
　各積層型撮像素子は、偏光子、及び、積層された複数の光電変換部から構成されており、
　各積層型撮像素子を構成する偏光子と複数の光電変換部とは、偏光子が複数の光電変換部よりも光入射側に配設された状態で積層されている固体撮像装置。
　２×２に配列された第１積層型撮像素子、第２積層型撮像素子、第３積層型撮像素子及び第４積層型撮像素子の４つの積層型撮像素子から構成された撮像素子ユニットが、２次元マトリクス状に配列されて成る固体撮像装置であって、
　各撮像素子ユニットは、更に、少なくとも第４積層型撮像素子の光入射側に偏光子を備えている固体撮像装置。
　各撮像素子ユニットにおいて、
　第１積層型撮像素子は、赤色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第２積層型撮像素子は、緑色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第３積層型撮像素子は、青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第１積層型撮像素子、第２積層型撮像素子及び第３積層型撮像素子は、偏光子を備えていない請求項１２に記載の固体撮像装置。
　第４積層型撮像素子は、白色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えている請求項１３に記載の固体撮像装置。
　第１積層型撮像素子は、赤色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第２積層型撮像素子は、緑色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第３積層型撮像素子は、青色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第４積層型撮像素子は、白色光に感度を有する光電変換部、及び、近赤外光に感度を有する光電変換部を備えており、
　第４積層型撮像素子の光入射側に備えられた偏光子は、２×２に配列された、第４－１偏光子、第４－２偏光子、第４－３偏光子及び第４－４偏光子の４つの偏光子セグメントから構成されており、
　第４－１偏光子が透過させるべき偏光方位はα度であり、
　第４－２偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋４５）度であり、
　第４－３偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋９０）度であり、
　第４－４偏光子が透過させるべき偏光方位は（α＋１３５）度である請求項１２に記載の固体撮像装置。