FR3124310A1 - Capteur de lumière - Google Patents
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Abstract
Capteur de lumière La présente description concerne un capteur d'image (10) comprenant une première couche (14) de matériau photoélectrique et un réseau de diffraction (24) situé entre ladite première couche (14) et la face du capteur configurée pour recevoir des rayons lumineux. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
Description
La présente description concerne de façon générale les dispositifs optoélectroniques, de préférence les capteurs de lumière.
Les capteurs de lumière sont des dispositifs optoélectroniques aptes à générer des charges lors de la réception de rayons lumineux. Les capteurs de lumière comprennent de préférence une couche ou région en un matériau photoélectrique, c’est-à-dire en un matériau absorbant des photons et générant des charges électriques.
Les rayonnements lumineux atteignant la couche en un matériau photoélectrique ne sont pas entièrement absorbés par la couche. Une partie des rayonnements lumineux est réfléchie sur ladite couche et une partie des rayonnements lumineux traverse ladite couche. Une partie des rayonnements lumineux reçue par le capteur de lumière ne génère pas de charges. Les capteurs de lumière perdent ainsi en efficacité.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des capteurs de lumière connus.
Un mode de réalisation prévoit un capteur d'image comprenant une première couche de matériau photoélectrique et un réseau de diffraction situé entre ladite première couche et la face du capteur configurée pour recevoir des rayons lumineux.
Selon un mode de réalisation, le réseau de diffraction a une forme périodique.
Selon un mode de réalisation, le réseau de diffraction comprend une pluralité de premiers blocs.
Selon un mode de réalisation, les premiers blocs sont identiques les uns aux autres.
Selon un mode de réalisation, le réseau de diffraction comprend des deuxièmes blocs ayant au moins une dimension différente de celle des premiers blocs.
Selon un mode de réalisation, le réseau de diffraction et la couche sont séparés par une première électrode.
Selon un mode de réalisation, la première électrode est une deuxième couche conductrice recouvrant entièrement la première couche.
Selon un mode de réalisation, le capteur comprend des deuxièmes électrodes en contact avec la première couche du côté opposé au réseau de diffraction.
Selon un mode de réalisation, le capteur comprend un substrat sur lequel repose la première couche.
Selon un mode de réalisation, chaque deuxième électrode comprend un plot conducteur situé dans le substrat.
Selon un mode de réalisation, chaque deuxième électrode comprend une troisième couche conductrice reposant sur un des plots conducteurs et repose partiellement sur le substrat.
Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
la représente un mode de réalisation d'un capteur de lumière ;
la représente un autre mode de réalisation d'un capteur de lumière ; et
la illustre schématiquement le fonctionnement des modes de réalisation des figures 1 et 2.
Claims (11)
- Capteur d'image (10, 40) comprenant une première couche (14) de matériau photoélectrique et un réseau de diffraction (24) situé entre ladite première couche (14) et la face du capteur configurée pour recevoir des rayons lumineux.
- Capteur selon la revendication 1, dans lequel le réseau de diffraction a une forme périodique.
- Capteur selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le réseau de diffraction comprend une pluralité de premiers blocs (26, 24a).
- Capteur selon la revendication 3, dans lequel les premiers blocs (26) sont identiques les uns aux autres.
- Capteur selon la revendication 3 ou 4, dans lequel le réseau de diffraction comprend des deuxièmes blocs (24b) ayant au moins une dimension différente de celle des premiers blocs (24a).
- Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le réseau de diffraction (24) et la couche (14) sont séparés par une première électrode (22).
- Capteur selon la revendication 6, dans lequel la première électrode (22) est une deuxième couche conductrice recouvrant entièrement la première couche (14).
- Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, comprenant des deuxièmes électrodes (17) en contact avec la première couche (14) du côté opposé au réseau de diffraction (24).
- Capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, comprenant un substrat (59) sur lequel repose la première couche (14).
- Capteur selon les revendications 8 et 9, dans lequel chaque deuxième électrode comprend un plot conducteur (18) situé dans le substrat.
- Capteur selon la revendication 10, dans lequel chaque deuxième électrode (17) comprend une troisième couche conductrice (20) reposant sur un des plots conducteurs (18) et repose partiellement sur le substrat.
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| FR2106512A FR3124310A1 (fr) | 2021-06-18 | 2021-06-18 | Capteur de lumière |
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|---|---|---|---|
| FR2106512A FR3124310A1 (fr) | 2021-06-18 | 2021-06-18 | Capteur de lumière |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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Family Applications (1)
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| WO2018211971A1 (fr) * | 2017-05-15 | 2018-11-22 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Capteur d'image, procédé de fabrication de capteur d'image, dispositif électronique et module d'imagerie |
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- 2021-06-18 FR FR2106512A patent/FR3124310A1/fr active Pending
-
2022
- 2022-06-14 US US17/840,342 patent/US20220406828A1/en active Pending
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Also Published As
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