JP2011528501A - Batch heat treatment apparatus and heater applied to the apparatus - Google Patents
Batch heat treatment apparatus and heater applied to the apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011528501A JP2011528501A JP2011518650A JP2011518650A JP2011528501A JP 2011528501 A JP2011528501 A JP 2011528501A JP 2011518650 A JP2011518650 A JP 2011518650A JP 2011518650 A JP2011518650 A JP 2011518650A JP 2011528501 A JP2011528501 A JP 2011528501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- tube
- pipe
- heat treatment
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6734—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates
Abstract
【課題】バッチ式熱処理装置において、複数枚の基板を面内の温度が均一になるように同時に熱処理する。
【解決手段】本発明に係るバッチ式熱処理装置は、複数枚の基板10に対して熱処理空間を提供するチャンバ100と、複数枚の基板10を搭載支持するボート108と、基板10の積載方向に一定間隔で配置されかつ各々が複数の主ヒータ200で構成されるような複数の主ヒータユニット120とを含み、基板10が、複数の主ヒータユニット120の間に配置されるようにしたことを特徴とする。
【選択図】図1In a batch type heat treatment apparatus, a plurality of substrates are simultaneously heat-treated so that the in-plane temperature is uniform.
A batch-type heat treatment apparatus according to the present invention includes a chamber for providing a heat treatment space for a plurality of substrates, a boat for mounting and supporting the plurality of substrates, and a stacking direction of the substrates. A plurality of main heater units 120 arranged at regular intervals and each of which is composed of a plurality of main heaters 200, and the substrate 10 is arranged between the plurality of main heater units 120. Features.
[Selection] Figure 1
Description
本発明は、バッチ式熱処理装置及び該装置に適用されるヒータに関し、より詳細には、複数枚の基板を面内の温度が均一になるように同時に熱処理することができ、熱処理工程終了後に熱処理装置のチャンバ内部を迅速に冷却できるように冷却用ガスが流れるようにしたバッチ式熱処理装置及び該装置に適用されるヒータに関する。 The present invention relates to a batch-type heat treatment apparatus and a heater applied to the apparatus, and more specifically, a plurality of substrates can be simultaneously heat treated so that the in-plane temperature is uniform, and the heat treatment is performed after the heat treatment process is completed. The present invention relates to a batch heat treatment apparatus in which a cooling gas flows so that the inside of the chamber of the apparatus can be rapidly cooled, and a heater applied to the apparatus.
半導体、平板ディスプレイ及び太陽電池の製造に使用されるアニーリング装置は、シリコンウエハやガラス等の基板上に蒸着された所定の薄膜に対して、結晶化、相変化などの工程のために必須の熱処理過程を担う装置である。 Annealing equipment used in the manufacture of semiconductors, flat panel displays and solar cells is an essential heat treatment for the steps of crystallization, phase change, etc., on a predetermined thin film deposited on a substrate such as a silicon wafer or glass. The device responsible for the process.
代表的なアニーリング装置の例として、液晶ディスプレイや薄膜型結晶質シリコン太陽電池の製造において、ガラス基板上に蒸着された非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化させるシリコン結晶化装置を挙げることができる。 As an example of a typical annealing apparatus, there is a silicon crystallization apparatus that crystallizes amorphous silicon deposited on a glass substrate into polycrystalline silicon in the manufacture of a liquid crystal display or a thin film crystalline silicon solar cell. it can.
このような結晶化工程(熱処理工程)を行うには、所定の薄膜が形成された基板を加熱することができる熱処理装置を備えなければならない。例えば、非晶質シリコンの結晶化には、最低550〜600℃の温度が必要とされる。 In order to perform such a crystallization process (heat treatment process), a heat treatment apparatus capable of heating a substrate on which a predetermined thin film is formed must be provided. For example, a temperature of at least 550 to 600 ° C. is required for crystallization of amorphous silicon.
通常、熱処理装置には、基板を1枚ずつ熱処理する枚葉式と、複数枚同時に熱処理するバッチ式とがある。枚葉式は、装置の構成が簡単であるという長所を有する一方で生産性が低下するという短所を有することから、最近の大量生産用としてはバッチ式が脚光を浴びている。 Usually, the heat treatment apparatus includes a single wafer type in which substrates are heat treated one by one and a batch type in which a plurality of substrates are heat treated simultaneously. The single-wafer type has the advantage that the configuration of the apparatus is simple, but has the disadvantage that the productivity is lowered. Therefore, the batch type is currently in the spotlight for mass production.
特に、最近では、平板ディスプレイ及び太陽電池用ガラス基板が大面積化するにつれて、前述のような問題がより一層クローズアップされている。従って、複数枚の基板を面内の温度が均一になるように同時に熱処理することができるバッチ式熱処理装置の開発が必要とされている。 In particular, recently, as the flat display and the glass substrate for a solar cell are increased in area, the above-described problems are further highlighted. Accordingly, there is a need to develop a batch type heat treatment apparatus capable of simultaneously heat treating a plurality of substrates so that the in-plane temperature is uniform.
また、従来の熱処理装置は、熱処理工程終了後に熱処理装置から基板をアンロードするための所要時間が長く、熱処理工程の生産性を低下させるという問題があった。熱衝撃による基板の損傷を防止するために、熱処理工程終了後に基板をアンロードする前にチャンバ内部を一定の温度以下まで冷却しなければならないが、チャンバ内部の温度を低下させるための所要時間が長いために熱処理工程の生産性が低下するのである。 Further, the conventional heat treatment apparatus has a problem that it takes a long time to unload the substrate from the heat treatment apparatus after completion of the heat treatment process, thereby reducing the productivity of the heat treatment process. In order to prevent damage to the substrate due to thermal shock, the interior of the chamber must be cooled to a certain temperature or lower before unloading the substrate after the heat treatment process, but the time required to lower the temperature inside the chamber is required. Because of its long length, the productivity of the heat treatment process decreases.
本発明は、前述した従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、その目的は、バッチ式熱処理装置において、複数枚の基板を面内の温度が均一になるように同時に熱処理することである。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems of the prior art, and its object is to simultaneously heat-treat a plurality of substrates so that the in-plane temperature is uniform in a batch-type heat treatment apparatus. That is.
また、本発明の他の目的は、バッチ式熱処理装置において、熱処理工程終了後にチャンバ内部を迅速に冷却させ、平板ディスプレイまたは太陽電池などの製造に必要な熱処理工程の生産性を画期的に向上させることである。 Another object of the present invention is to dramatically improve the productivity of a heat treatment process required for manufacturing a flat panel display or a solar cell in a batch heat treatment apparatus by rapidly cooling the inside of the chamber after the heat treatment process is completed. It is to let you.
前述した目的を達成するために、本発明は、複数枚の基板を同時に熱処理するために、熱処理の際に各基板が対応する複数のヒータにより加熱されることを特徴とするバッチ式熱処理装置を提供する。 In order to achieve the above-described object, the present invention provides a batch-type heat treatment apparatus in which each substrate is heated by a plurality of corresponding heaters during heat treatment in order to simultaneously heat treat a plurality of substrates. provide.
また、前述した目的を達成するために、本発明は、一態様において、複数枚の基板を同時に熱処理するバッチ式熱処理装置であって、複数枚の基板に対して熱処理空間を提供するチャンバと、複数枚の基板を搭載支持するボートと、基板の積載方向に沿って一定間隔で配置され、各々が複数の主ヒータで構成されるような複数の主ヒータユニットとを含み、基板が、複数の主ヒータユニットの間に配置されることを特徴とする熱処理装置を提供する。 In order to achieve the above-mentioned object, in one aspect, the present invention is a batch type heat treatment apparatus for simultaneously heat-treating a plurality of substrates, a chamber for providing a heat treatment space for the plurality of substrates, Including a boat for mounting and supporting a plurality of substrates, and a plurality of main heater units arranged at regular intervals along the substrate stacking direction, each of which is composed of a plurality of main heaters. Provided is a heat treatment apparatus arranged between main heater units.
基板は、基板ホルダ上に載置された状態でボートに搭載されることができる。 The substrate can be mounted on the boat while being placed on the substrate holder.
複数の主ヒータは、基板の短辺と平行に一定間隔で配置されることができる。 The plurality of main heaters can be arranged at regular intervals in parallel with the short side of the substrate.
任意の主ヒータユニットの主ヒータは、該任意の主ヒータユニットに最も隣接する主ヒータユニットの主ヒータと整列して整列されて配置されることができる。 The main heater of any main heater unit can be arranged in alignment with the main heater of the main heater unit closest to the arbitrary main heater unit.
任意の主ヒータユニットの主ヒータは、該任意の主ヒータユニットに最も隣接する主ヒータユニットの主ヒータからずれて配置されることができる。 The main heater of an arbitrary main heater unit can be arranged so as to deviate from the main heater of the main heater unit closest to the arbitrary main heater unit.
本発明のバッチ式熱処理装置は、チャンバ内部の熱損失を防止するための複数の補助ヒータユニットをさらに含むことができる。 The batch heat treatment apparatus of the present invention may further include a plurality of auxiliary heater units for preventing heat loss inside the chamber.
複数の補助ヒータユニットは、基板の短辺と平行に配置される第1補助ヒータユニットと、基板の長辺と平行に配置される第2補助ヒータユニットとを含むことができる。 The plurality of auxiliary heater units may include a first auxiliary heater unit disposed in parallel with the short side of the substrate and a second auxiliary heater unit disposed in parallel with the long side of the substrate.
第1補助ヒータユニットは、主ヒータユニットの両側に主ヒータと平行に配置される複数の第1補助ヒータで構成され、第2補助ヒータユニットは、主ヒータユニットの両側に主ヒータと垂直に配置される複数の第2補助ヒータで構成されることができる。 The first auxiliary heater unit is composed of a plurality of first auxiliary heaters arranged on both sides of the main heater unit in parallel with the main heater, and the second auxiliary heater unit is arranged on both sides of the main heater unit perpendicular to the main heater. A plurality of second auxiliary heaters.
本発明のバッチ式熱処理装置は、チャンバ内部を冷却するための複数の冷却管をさらに含むことができる。 The batch heat treatment apparatus of the present invention may further include a plurality of cooling pipes for cooling the inside of the chamber.
冷却管は、基板の短辺方向に沿って複数の主ヒータの間に配置されることができる。 The cooling pipe may be disposed between the plurality of main heaters along the short side direction of the substrate.
冷却管内には冷却ガスが流れ、冷却管は熱伝導率の高い材質からなることができる。 The cooling gas flows in the cooling pipe, and the cooling pipe can be made of a material having high thermal conductivity.
本発明のバッチ式熱処理装置は、チャンバ内部にプロセスガスを供給するガス供給部と、チャンバ内部から排ガスを排出するガス排出部とをさらに含むことができる。 The batch heat treatment apparatus of the present invention may further include a gas supply unit that supplies a process gas into the chamber and a gas discharge unit that discharges the exhaust gas from the chamber.
ガス供給部は、プロセスガスが流出する複数の第1ガス孔が形成されたガス供給管を含み、ガス排出部は、排ガスが流入する複数の第2ガス孔が形成されたガス排出管を含むことができる。 The gas supply unit includes a gas supply pipe formed with a plurality of first gas holes through which the process gas flows out, and the gas discharge unit includes a gas discharge pipe formed with a plurality of second gas holes through which the exhaust gas flows. be able to.
また、前述した目的を達成するために、本発明は、他の態様において、複数枚の基板を同時に熱処理するバッチ式熱処理装置に適用可能なヒータであって、ヒータ内部に冷却用ガスが流れる空間を含むことを特徴とするヒータを提供する。 In order to achieve the above-mentioned object, in another aspect, the present invention is a heater applicable to a batch type heat treatment apparatus for simultaneously heat-treating a plurality of substrates, and a space in which a cooling gas flows inside the heater. The heater characterized by including.
また、前述した目的を達成するために、本発明は、他の態様において、複数枚の基板を同時に熱処理するバッチ式熱処理装置に適用可能なヒータであって、第1管と、第1管と一定の間隔をおいて該第1管を取り囲む第2管と、第1管内に挿入される発熱体とを含み、第1管と第2管の間の空間を通って冷却用ガスが流れるようにしたことを特徴とするヒータを提供する。 In order to achieve the above-mentioned object, in another aspect, the present invention is a heater applicable to a batch type heat treatment apparatus for simultaneously heat-treating a plurality of substrates, wherein the first tube, the first tube, A cooling pipe flows through the space between the first pipe and the second pipe, and includes a second pipe that surrounds the first pipe at a predetermined interval and a heating element inserted into the first pipe. Provided is a heater characterized by the above.
発熱体は、両端部の断面積が中央部の断面積より大きい。 The heating element has a cross-sectional area at both ends larger than that at the center.
発熱体は、第1管または第2管から分離可能である。 The heating element can be separated from the first tube or the second tube.
また、前述した目的を達成するために、本発明は、他の態様において、複数枚の基板を同時に熱処理するバッチ式熱処理装置に適用可能なヒータであって、第1管と、第1管の外周面上に巻かれたコイル型熱線と、第1管と一定の間隔をおいて該第1管を取り囲む第2管とを含み、第1管の中央空間を通って冷却用ガスが流れるようにすることができるヒータを提供する。 In order to achieve the above-mentioned object, in another aspect, the present invention is a heater applicable to a batch type heat treatment apparatus for simultaneously heat-treating a plurality of substrates, wherein the first tube and the first tube A cooling gas flows through the central space of the first tube, including a coiled hot wire wound on the outer peripheral surface and a second tube surrounding the first tube at a certain distance from the first tube. Provided is a heater that can be used.
さらに、前述した目的を達成するために、本発明は、他の態様において、複数枚の基板を同時に熱処理するバッチ式熱処理装置に適用可能なヒータであって、第1管と、第1管の外周面上に巻かれたコイル型熱線と、第1管と一定の間隔をおいて該第1管を取り囲む第2管と、第2管と一定の間隔をおいて該第2管を取り囲む第3管とを含み、第1管の中央空間または第2管と第3管の間の空間の少なくとも一方を通って冷却用ガスが流れるようにしたことを特徴とするヒータを提供する。 Furthermore, in order to achieve the above-described object, in another aspect, the present invention is a heater applicable to a batch-type heat treatment apparatus for simultaneously heat-treating a plurality of substrates, wherein the first tube and the first tube A coil-type heat wire wound on the outer peripheral surface, a second tube surrounding the first tube at a fixed interval from the first tube, and a second tube surrounding the second tube at a fixed interval from the second tube. There is provided a heater characterized in that the cooling gas flows through at least one of a central space of the first tube or a space between the second tube and the third tube.
熱線のピッチは、第1管上の位置に関係なく同一であるか、または第1管上の位置によって変更され得る。 The pitch of the hot wires is the same regardless of the position on the first tube, or can be changed by the position on the first tube.
コイル型熱線が巻かれた第1管は、第2管または第3管から分離可能である。 The first tube around which the coiled hot wire is wound can be separated from the second tube or the third tube.
第3管の両端部に、該第3管を冷却する冷却水が流れる第1冷却部を設けることができる。 The 1st cooling part through which the cooling water which cools this 3rd pipe | tube can be provided in the both ends of a 3rd pipe | tube.
第3管の両端部に、第2管と第3管の間の空間を通して冷却用ガスを流すための第2冷却部をさらに設けることができる。 A second cooling part for allowing a cooling gas to flow through the space between the second pipe and the third pipe can be further provided at both ends of the third pipe.
第1冷却部は、内部に空間を形成する第1本体と、第1本体の内部空間に冷却水を流入させるための冷却水流入管と、第1本体の内部空間から冷却水を流出させるための冷却水流出管とを含むことができる。 The first cooling unit includes a first main body that forms a space therein, a cooling water inflow pipe that allows cooling water to flow into the internal space of the first main body, and a cooling water that flows out from the internal space of the first main body. A cooling water outlet pipe.
第2冷却部は、内部に空間を形成する第2本体と、第2本体の内部空間と連通されているガス管とを含み、第2本体の内部空間は、第2管と第3管の間の空間と連通されることができる。 The second cooling unit includes a second main body that forms a space therein, and a gas pipe that communicates with the internal space of the second main body. The internal space of the second main body includes the second pipe and the third pipe. Can communicate with the space between.
本発明のヒータは、熱線に電力を供給する端子部と、端子部を絶縁する絶縁部とをさらに含むことができる。 The heater of the present invention may further include a terminal portion that supplies power to the heat wire and an insulating portion that insulates the terminal portion.
本発明のヒータは、第2管の端部に設けられかつ熱線と連結される固定キャップをさらに含むことができる。 The heater of the present invention may further include a fixing cap that is provided at the end of the second tube and connected to the heat ray.
端子部は、第1管上に設けられかつ外部電源と連結される導電管と、導電管をヒータの固定キャップに密着させる固定ナットとを含むことができる。 The terminal portion may include a conductive tube provided on the first tube and connected to an external power source, and a fixing nut for closely attaching the conductive tube to a fixing cap of the heater.
絶縁部は、内部に空間を形成しかつ端子部を取り囲む絶縁キャップを含み、絶縁キャップの1つの側面には溝が形成されている。 The insulating portion includes an insulating cap that forms a space inside and surrounds the terminal portion, and a groove is formed on one side surface of the insulating cap.
本発明によれば、チャンバ内にロードされる基板を、各基板に対応する複数のヒータにより加熱することによって、基板を面内の温度が均一になるように同時に熱処理する効果がある。 According to the present invention, the substrate loaded in the chamber is heated by the plurality of heaters corresponding to each substrate, whereby the substrate is simultaneously heat-treated so that the in-plane temperature becomes uniform.
また、本発明によれば、複数枚の基板に対して同時に熱処理を行うことが可能であるので、平板ディスプレイ及び太陽電池の生産性を向上させる効果がある。 In addition, according to the present invention, heat treatment can be performed on a plurality of substrates at the same time, so that there is an effect of improving productivity of a flat panel display and a solar cell.
また、本発明によれば、ヒータ内部に冷却用ガスが流れる空間が設けられ、熱処理工程終了後に熱処理装置のチャンバ内部を迅速に冷却するので、基板のアンロード過程の所要時間が短縮され、平板ディスプレイまたは太陽電池などの製造に必要な熱処理工程の生産性を画期的に向上させる効果がある。 Further, according to the present invention, the space through which the cooling gas flows is provided inside the heater, and the inside of the chamber of the heat treatment apparatus is rapidly cooled after the heat treatment step, so that the time required for the substrate unloading process is shortened, and the flat plate There is an effect that the productivity of the heat treatment process necessary for manufacturing a display or a solar cell is dramatically improved.
以下、添付した図面を参照して本発明の構成を詳細に説明する。 Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1及び図2は、本発明の一実施形態に係るバッチ式熱処理装置1の構成を示す斜視図である。参考のために、図1及び図2において、主ヒータ200の外形は便宜上概略的に示したものであり、バッチ式熱処理装置1における主ヒータ200の配列形態を示している。
FIG.1 and FIG.2 is a perspective view which shows the structure of the batch type heat processing apparatus 1 which concerns on one Embodiment of this invention. For reference, in FIG. 1 and FIG. 2, the outer shape of the
図3は、本発明の一実施形態に係るバッチ式熱処理装置1における基板10、主ヒータユニット120及び補助ヒータユニット140の配置を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing the arrangement of the
まず、バッチ式熱処理装置1にロードされる基板10は、特に制限はなく、ガラス、プラスチック、ポリマー、シリコンウエハ、ステンレス鋼などの材質を使用することができる。以下では、LCDやOLED等の平板ディスプレイや薄膜型シリコン太陽電池分野で最も一般的に使用される長方形のガラス基板を想定して説明する。
First, the
図1に示すように、バッチ式熱処理装置1は、熱処理空間を提供する直六面体のチャンバ100と、チャンバ100を支持するフレーム102とを含んで構成されている。チャンバ100及びフレーム102の材質はステンレス鋼が好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
As shown in FIG. 1, the batch heat treatment apparatus 1 includes a
チャンバ100の1つの側面には、チャンバ100内に基板10(図4)をロードするために上下方向に開閉されるドア104が設けられている。ドア104が開放されている状態で、トランスファアーム等の基板搬送装置(図示せず)を利用して、チャンバ100内に基板10をロードすることができる。一方、熱処理終了後に、ドア104を通してチャンバ100から基板10をアンロードすることもできる。ドア104の材質はステンレス鋼が好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
One side surface of the
チャンバ100の上面には、カバー106が開閉可能に設けられており、カバー106は、チャンバ100内に設置される部品、例えば、ボート108、ガス供給管160、ガス排出管170(図5)などのメンテナンス及び交換の際に利用される。カバー106の材質は石英が好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。
A cover 106 is provided on the upper surface of the
チャンバ100の内部には、基板10を直接加熱するための主ヒータユニット120と、チャンバ100内部の熱損失防止のための補助ヒータユニット140と、熱処理終了後にチャンバ100内部を迅速に冷却するための冷却管180とが設置されている。
Inside the
図2に示すように、主ヒータユニット120は、基板10の短辺と平行に一定間隔で配置された複数の主ヒータ200を含む。主ヒータ200は、標準的な長寸の棒状をなすヒータであり、石英管内部に発熱体が挿入されたもので、その両端部に設けられた端子を介して外部から電力が供給されて発熱するような、主ヒータユニット120を構成する個々の構成要素である。本実施形態において、主ヒータユニット120は14個の主ヒータ200で構成されているが、主ヒータユニット120を構成する主ヒータ200の数は、チャンバ100内にロードされる基板10のサイズによって多様に変更することができる。
As shown in FIG. 2, the
主ヒータユニット120は、基板10の積載方向に沿って一定間隔で複数配置される。基板10は、複数の主ヒータユニット120の間に配置される。本実施形態においては、3枚の基板10が4個の主ヒータユニット120の間に配置される構成を示しているが、主ヒータユニット120の数は、チャンバ100内にロードされる基板10の枚数によって多様に変更することができる。
A plurality of
基板10は、主ヒータユニット120間の中央に位置することが好ましい。また、基板10と主ヒータユニット120の間は、チャンバ100内に基板10をロードする際、基板搬送装置のトランスファアームの挙動に干渉しない程度に離間していることが好ましい。
The
このように、バッチ式熱処理装置10において、基板10の上方及び下方に、基板10の面積全体を覆うことができる14本の主ヒータ200で構成される主ヒータユニット120がそれぞれ設けられる。従って、基板10は、28本の主ヒータ200によって基板面内の温度が均一になるように加熱され、均一に熱処理されることができる。
As described above, in the batch type
また、図2に示すように、補助ヒータユニット140は、基板10の短辺方向に沿って平行に配置される第1補助ヒータユニット140aと、基板10の長辺方向に沿って配置される第2補助ヒータユニット140bを含む。
Further, as shown in FIG. 2, the auxiliary heater unit 140 includes a first
第1補助ヒータユニット140aは、主ヒータユニット120の両側に主ヒータと平行に配置される複数の第1補助ヒータ150aを含む。本実施形態では、第1補助ヒータユニット140aは、主ヒータユニット120と同一の列をなすことができるように、4個の主ヒータユニット120の両側にそれぞれ1本、合計8本の第1補助ヒータ150aで構成されているが、第1補助ヒータユニット140aを構成する第1補助ヒータ150aの数は、チャンバ100に設けられる主ヒータユニット120の数によって多様に変更することができる。一方、本発明では、補助ヒータユニットの設置による効果をより高めるために、第1補助ヒータユニット140aは、4個の主ヒータユニット120の両側にそれぞれ2本配置された合計16本の第1補助ヒータ150aで構成されることもできる。
The first
第2補助ヒータユニット140bは、主ヒータユニット120の両側に主ヒータ200と垂直に配置される複数の第2補助ヒータ150bからなる。本実施形態では、主ヒータユニット120が、第2補助ヒータユニット140bを構成する複数の第2補助ヒータ150bの間に配置されるように、第2補助ヒータユニット140bは、4個の主ヒータユニット120の両側に1本ずつ配置された合計10本の第2補助ヒータ150bで構成されているが、第2補助ヒータユニット140bを構成する第2補助ヒータ150bの数は、チャンバ100に設けられる主ヒータユニット120の数によって多様に変更することができる。主ヒータユニット120は、複数の第2補助ヒータユニット140bの間の中央に位置することが好ましい。
The second
第1補助ヒータ150a及び第2補助ヒータ150bは、前述の主ヒータ200と同様に、標準的な長寸の棒状をなすヒータを使用することが好ましい。
As the first
このように、バッチ式熱処理装置1には、主ヒータユニット120の4つの側辺に、8本の第1補助ヒータ150aで構成される第1補助ヒータユニット140aと、10本の第2補助ヒータ150bで構成される第2補助ヒータユニット140bとが設けられるので、主ヒータユニット120の4つの側辺は18本の補助ヒータ150a、150bから熱を受けることになり、主ヒータユニット120の4つの側辺が外部環境に接することにより不可避的に発生するチャンバ100内部の熱損失を防止することができる。
As described above, the batch type heat treatment apparatus 1 includes the first
前述のようなバッチ式熱処理装置1において、基板10、主ヒータユニット120及び補助ヒータユニット140の配置状態を図3に示した。なお、図3においては、4個の主ヒータユニット120の両側に第1補助ヒータ150aが2本ずつ配置される実施形態を示している。
In the batch heat treatment apparatus 1 as described above, the arrangement of the
また、図2に示すように、冷却管180が、主ヒータユニット120を構成する主ヒータ200の間毎に配置される。本実施形態において、冷却管180は、4個の主ヒータユニット120を構成する56本の主ヒータ200の間毎に合計52本が設けられる構成を例示しているが、冷却管180の数は、チャンバ100内に設けられる主ヒータユニット120及び主ヒータ200の数によって多様に変更することができる。また、冷却管180は、必ずしも主ヒータ200の間毎に配置される必要はなく、チャンバ100の内部を適切に冷却することができるならば、一部の主ヒータ200間では冷却管180を省略することもできる。
In addition, as shown in FIG. 2, the
このように、バッチ式熱処理装置1に冷却管180が設けられるので、熱処理終了後に、チャンバ100の内部の熱が冷却管180を通じてチャンバ100の外部に伝達され、チャンバ100の内部を迅速に冷却することができる。熱処理終了後にチャンバ100の内部が所定の温度以下まで冷却されなければ基板10のアンロード作業は行われないので、冷却管180の作動によりチャンバ100の内部を迅速に冷却することができれば、平板ディスプレイ及び太陽電池の生産性は大幅に向上するであろう。
As described above, since the
冷却管180は、熱伝導率の高い材質、例えば、銅、ステンレス鋼などからなることが好ましい。冷却管180の内部には、冷却用ガスまたは冷却用液体が供給される。冷却用ガスとしては、空気、ヘリウム、窒素、アルゴンが使用される。冷却用液体としては、水が使用され得る。冷却用ガスまたは冷却用液体の温度は概ね常温であることが好ましいが、必要に応じて常温以下に冷却したガスや液体を使用することもできる。
The
図4は、本発明の一実施形態に係るバッチ式熱処理装置1のボート108の構成を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing the configuration of the
図4に示すように、チャンバ100の内部には、チャンバ100内にロードされた基板10を支持するための複数のボート108が設けられる。ボート108は、基板10の長辺側を支持できるように設けられることが好ましい。本実施形態において、ボート108は、基板10の2つの長辺側に3個ずつ、合計6個設けられているが、基板10を安定して支持するために、それ以上の数のボートを設けることもでき、基板10のサイズによって多様に変更することができる。ボート108の材質は、石英であることが好ましい。
As shown in FIG. 4, a plurality of
また、図4に示すように、基板10は、ホルダ12上に載置された状態でボート108に搭載されることが好ましい。熱処理工程中に熱処理温度がガラス基板の軟化温度に達すると、基板の自重により基板が下方に湾曲する現象が発生する。このような湾曲現象は、特に、基板の大面積化によってより大きな問題になる。このような問題を解決するために、基板10をホルダ12に搭載した状態で熱処理を行う。
Also, as shown in FIG. 4, the
図5は、本発明の一実施形態に係るバッチ式熱処理装置1のガス供給管160とガス排出管170の構成を示す斜視図である。図6は、図5に示したガス供給管160の構成を示す図面である。
FIG. 5 is a perspective view showing the configuration of the
これらの図に示すように、チャンバ100内には、熱処理雰囲気を発生させるための雰囲気ガスをチャンバ100内に供給するために、雰囲気ガスが流出する複数の第1ガス孔162が形成された棒状のガス供給管160と、雰囲気排ガスが流入する複数の第2ガス孔(図示せず)が形成された棒状のガス排出管170とがそれぞれ設けられる。ガス供給管160及びガス排出管170は、基板10の長辺側に対向して配置されることが好ましい。雰囲気ガスとしては、窒素、アルゴンなどが使用される。
As shown in these drawings, in the
本実施形態においては、ガス供給管160及びガス排出管170が各4本設けられる構成を例示したが、ガス供給管160及びガス排出管170の数は、基板10のサイズによって多様に変更されることができる。
In the present embodiment, a configuration in which four
ガス供給管160に形成される第1ガス孔162の位置は、噴出される雰囲気ガスが基板10に直ぐに接触できるように、できるだけ基板10に近接していることが好ましい。従って、第1ガス孔162の数は、チャンバ100内にロードされる基板10と同数であることが好ましい。ガス排出管170に形成される第2ガス孔(図示せず)についても同様である。
The position of the
図7及び図8は、本発明の一実施形態に係るバッチ式熱処理装置1の主ヒータ200の配列形態を示す図面である。本発明では、必要によって主ヒータユニット120の主ヒータ200の配列を多様に変更することができる。
7 and 8 are views showing the arrangement of the
図7は、図1及び図2を参照して説明した本実施形態で採択した主ヒータユニット120間の主ヒータ200の配列形態を示す図面である。図に示すように、いずれか1つの主ヒータユニット120を構成する主ヒータ200は、当該主ヒータユニット120と隣接する主ヒータユニット120bを構成する主ヒータ200と整列して配置されることができる。
FIG. 7 is a view showing an arrangement of the
一方、図8に示すように、いずれか1つの主ヒータユニット120を構成する主ヒータ200は、当該主ヒータユニット120と隣接する主ヒータユニット120bを構成する主ヒータ200からずれて配置されることができる。例えば、図8において、主ヒータユニット120aを構成する主ヒータ200は、主ヒータユニット120bを構成する主ヒータ200間の中間の位置に整列される。図8に示すように、主ヒータユニット120間の主ヒータ200の配列形態を変更することによって、チャンバ100内にロードされた基板10を、基板面内の温度がより均一になるように熱処理することができる。
On the other hand, as shown in FIG. 8, the
以下、図面を参照しながら、本発明に係るバッチ式熱処理装置1の動作について説明する。 Hereinafter, the operation of the batch heat treatment apparatus 1 according to the present invention will be described with reference to the drawings.
まず、図1に示すように、作業者が、チャンバ100の1つの側面に設けられたドア104を、下方に移動させて開放する。
First, as shown in FIG. 1, an operator moves the door 104 provided on one side surface of the
次に、基板10をホルダ12上に搭載した状態で基板搬送装置のトランスファアーム(図示せず)上面に載置し、トランスファアームを移動させてチャンバ100内に基板をロードする。
Next, the
チャンバ100内にロードされる基板10は、図4に示すように、チャンバ100内に設置されたボート108に順に積載される。本実施形態では、3枚の基板10がボート108に搭載される。
As shown in FIG. 4, the
次に、基板10がボート108に搭載されたら、ドア104を上方に移動させてチャンバ100の内部を外部環境と隔離し、その後、主ヒータユニット120に電力を印加して基板10を熱処理する。
Next, when the
チャンバ100内に設けられた4個の主ヒータユニット120は、基板10の上方及び下方に所定の距離をおいて離間した位置に設けられており、各主ヒータユニット120は、一定間隔で配置された14本の主ヒータ200からなっているので、基板10は面内の温度が均一になるように加熱され、均一に熱処理される。
The four
一方で、主ヒータユニット120の4つの側辺に設けられた第1補助ヒータユニット140a及び第2補助ヒータユニット140bを作動させて、熱処理工程中に発生するチャンバ100の内部の熱損失を防止する。これによって、基板10を面内の温度がより均一になるように熱処理することができる。
Meanwhile, the first
実際に熱処理を行う前に、チャンバ100内に熱処理雰囲気を発生させる。このためにガス供給管160を通してチャンバ100内に窒素やアルゴン等の雰囲気ガスを供給する。雰囲気排ガスは、ガス供給管160に対向して配置されたガス排出管170を通してチャンバ100の外に排出される。
A heat treatment atmosphere is generated in the
熱処理過程が完了したら、チャンバ100の内部を迅速に冷却する。冷却のために、冷却管180からチャンバ100内にヘリウム、窒素、アルゴン等の冷却用ガスを導入する。冷却用ガスは、チャンバ100内部を通過しながらチャンバ100内の熱を吸収し、チャンバ100内の温度を急激に低下させる。これによって、熱処理工程完了後短時間で基板10のアンロード作業を行うことができるので、熱処理工程の生産性が向上する。
When the heat treatment process is completed, the inside of the
最後に、チャンバ100内の温度が適正水準まで低下したら、ドア104を開放し、その後、トランスファアームを利用してチャンバ100から基板10をアンロードし、熱処理工程が完了する。
Finally, when the temperature in the
前述したように構成されたバッチ式熱処理装置において、主ヒータユニット120を構成する主ヒータ(以下、「ヒータ」と呼ぶ)200は、次のように構成されることができる。
In the batch type heat treatment apparatus configured as described above, the main heater (hereinafter referred to as “heater”) 200 constituting the
図9は、本発明の一実施形態に係るヒータ200の構成を示す斜視図である。図に示すように、ヒータ200は、所定の長さを有する棒状になっている。図9に示すように、ヒータ200は、発熱体202及び被覆材204で構成されている。発熱体202は、外部からの電力の供給を受けて、基板10の熱処理に必要な熱を発生させる。発熱体202の材質は、カンタル(kanthal)であることが好ましい。被覆材204は、発熱体202を保護する。被覆材204の材質は、石英であることが好ましい。
FIG. 9 is a perspective view showing a configuration of a
また、第1及び第2補助ヒータ150a、150bは、図9に示したヒータ200と同じ形状及び構造を有することができる。
Also, the first and second
図10及び図11は、本発明の別の実施形態に係るヒータ200aの構成を示す断面斜視図及び断面図である。参考のために、図10及び図11において、ヒータ200aの両端部の形状及び構造は同一であるので、便宜上、ヒータ200aの片側の端部だけを示した。
10 and 11 are a cross-sectional perspective view and a cross-sectional view showing a configuration of a
これらの図に示すように、ヒータ200aは全体的に長寸の棒状をなしているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、ヒータが適用されるバッチ式熱処理装置の仕様によって多様に変更されることができる。
As shown in these figures, the
図10及び図11に示すように、ヒータ200aは、所定の長さを有する第1管220と、所定の長さを有しかつ第1管220の外周面を取り囲む第2管240と、所定の長さを有しかつ第2管240の外周面を取り囲む第3管260と、第1管220の外周面上に一定間隔で巻かれているコイル型熱線270とを含んで構成される。
As shown in FIGS. 10 and 11, the
第1管220、第2管240及び第3管260は全て熱処理装置に適用されるので、これらの管の材質は高融点の材質(例えば石英)であることが好ましい。
Since all of the
第1管220、第2管240及び第3管260は、長さが全て実質的に同じであることが好ましい。なお、図に示すように、後述する端子部500の導電管510との連結のために、第1管220の長さを第2管240及び第3管260の長さよりも導電管510の長さ分だけ大きくすることもできる。また、第1管220、第2管240及び第3管260は、全て同軸上にあることが好ましいが、必要に応じて、第1管220及び第2管240は同軸上にあるが、第3管260は第1管220及び第2管240と同軸上にないようにヒータを構成することもできる。
The
すなわち、第1、第2及び第3管220、240、260の中心軸線が一致するようにヒータ200aを構成することもできるが、ヒータ200aの動作中に第1及び第2管220、240の緩みが発生する場合もあり、緩みの程度によっては第1管220または第2管240が破損する恐れもあるので、これを防止するために、第2管240を第3管260の中心より下方に配置することによって、動作中に緩みが発生しても第3管260に接触して支持されるようにすることが好ましい。
In other words, the
第1管220は、外径が約10mm、内径が約6mm、厚さが2mm程度であるのが好ましい。第1管220は、内部に中空空間224を有する。
The
第1管220の外周面上には、発熱体に相当する熱線270がコイル状に巻かれている。熱線270の材質は、ニクロムまたはカンタルのいずれか一方であることが好ましい。
On the outer peripheral surface of the
カンタルは、鉄を主原料とする電気抵抗の大きな合金であって、線材に加工して発熱体などに使用され、鉄−クロム−アルミニウム系に属し、標準成分は、クロム23%、アルミニウム6%であり、その他にコバルト2%を含有する。 Kanthal is an alloy with high electrical resistance that uses iron as the main material. It is processed into a wire and used as a heating element. It belongs to the iron-chromium-aluminum system, and the standard components are 23% chromium and 6% aluminum. In addition, it contains 2% cobalt.
熱線270は、0.6mmないし0.8mmの直径を有することが好ましい。
The
熱線270を第1管220に巻き付ける際、熱線270のピッチは発熱量と関係がある。すなわち、熱線270のピッチの小さな領域は、ピッチの大きな領域と比較して発熱量が大きい。従って、基板を均一に加熱するためには、ヒータ200aの面積全体にわたって発熱量を一定に維持しなければならない。このためには、第1管220上の位置に関係なく熱線270のピッチを同一に維持することが好ましい。なお、必要に応じて、熱線270のピッチを第1管220上の位置に応じて変更することもできる。例えば、第1管220の中央部側に配置される熱線270のピッチよりも第1管220の端部側に配置される熱線270のピッチを小さくして(すなわち端部側における発熱量を多くして)、ヒータ200aの端部側が外部環境に接触することにより発生する熱損失を補充することができる。
When the
熱線270の抜け落ちを防止するために、固定キャップ280(図12)を設けることができる。固定キャップ280の構成については後述する。
In order to prevent the
第2管240は、第1管220と一定の間隔をおいて第1管220を取り囲む形態で設けられる。第2管240は、外径が約18mm、内径が約14mm、厚さが2mm程度であることが好ましい。
The
第3管260は、第2管240と一定の間隔をおいて第2管240を取り囲む形態で設けられる。第3管260は、外径が約30mm、内径が約22mm、厚さが4mm程度で構成されることが好ましい。第2管240と第3管260の間には、約2mm程度の間隔を有する空き空間264が形成される。
The
第1管220の端部には、第1管220の外周面上に巻かれた熱線270に電力を印加できるように、後述する導電管510が設けられる。導電管510を介しての熱線270と外部電源(図示せず)との連結方式については、特に制限はない。この連結方式については当業者に公知であるので、詳細な説明は省略する。
A
一方、ヒータ200aは、熱線270が巻かれた第1管220を第2管240または第3管260から容易に脱着できるように構成されることが好ましい。これは、ヒータ200aの使用中に熱線270が短絡するなどの問題が発生した場合に、熱処理装置に装着されたヒータ200aから、熱線270が巻かれている第1管220だけを分離し、これをメンテナンスまたは交換することにより、不具合が発生したヒータ200aを簡単にメンテナンスまたは交換することができる。
On the other hand, the
一方、ヒータ200aは、第1管220、第2管240及び第3管260を基本構成要素として含むが、必ずしもこれに限定されるものではない。例えば、全体的な構成の簡略化のために、第3管260を省略して構成することもできる。第1管及び第2管のみで構成されるヒータについては後述する。
Meanwhile, the
前述したように、ヒータ200a内には、冷却用ガスが流れる空間224、264が含まれている。従って、熱処理装置1で、熱処理工程終了後に、ヒータ200a内の空間224、264を通して冷却用ガスを流すと、ヒータ200a自体の温度を迅速に下げると共に、チャンバ内の温度を迅速に下げることができる。その結果、熱処理工程終了後に、基板10のアンロードのためにチャンバ内部の温度を所定温度以下に低下させる過程の所要時間を短縮することができる。従って、平板ディスプレイ及び太陽電池の製造に必要な熱処理工程の生産性を大きく向上させることができる。
As described above, the
一方、ヒータ200aの冷却のために、第1及び第2冷却部300、400を設けることができる。また、ヒータ200aの動作のために、端子部500及び絶縁部600を設けることができる。
Meanwhile, the first and
図12は、本発明の一実施形態に係るヒータ200aの端部に、第1及び第2冷却部300、400、端子部500及び絶縁部600が設けられた状態を示す図面である。
FIG. 12 is a view illustrating a state where the first and
図13は、本発明の一実施形態に係るヒータの端部に設けられる第1及び第2冷却部300、400の構成を示す分解斜視図である。
FIG. 13 is an exploded perspective view showing the configuration of the first and
まず、第2管240の両端部に固定キャップ280を設けることができる。固定キャップ280は、第1管220の外周面上に巻かれた熱線270の抜け落ちを防止する。
First, the fixing
固定キャップ280は、所定の長さを有する円筒状に形成される。固定キャップ280の一端は、第2管240を内側に挿入し、その後密着させることができるように形成され、他端には、第1管220と第2管240との間に形成された空間244を閉鎖できる程度の大きさを有するリング形状の端面が形成される。第2管240の端部に固定キャップ280を設けることにより、第1管220の外周面上に巻かれた熱線270は、その一端が固定キャップ280に接触して移動が阻まれるので、第1管220と第2管240の間から外への抜け落ちが防止されることになる。
The fixed
固定キャップ280は、SUS材で形成され、固定キャップ280に接触する熱線270に外部から電力を印加できることが好ましい。
The fixing
第1管220は、固定キャップ280の中央を貫通して外部に延出し、延出部分の外周面にはネジ山が形成され、後述する端子部500との連結を容易にする。
The
第1冷却部300は、ヒータ200aの端部を冷却する。第1冷却部300は、冷却水を利用してヒータ200aの端部、具体的にはヒータ200aを構成する第3管260の端部を冷却し、それによって、第3管260の熱損失を防止することができる。
The
第2冷却部400は、第2管240と第3管260の間に形成された空間に冷却ガスを流入させる。冷却用ガスとしては、空気、ヘリウム、窒素、アルゴンを使用することができる。冷却用ガスの温度は概ね常温であることが好ましいが、必要に応じて、常温以下に冷却したガスを使用することもできる。
The
第1及び第2冷却部300、400は、ヒータ200aを構成する第3管260の両端部に同じように設けることができる。
The 1st and
まず、第1冷却部300の構成について説明する。
First, the configuration of the
第1冷却部300は、外部から供給される冷却水を利用して、第3管260の端部を冷却する。第1冷却部300は、ヒータ200aを構成する第3管260の両端部に設けられる。
The
第1冷却部300は、第1本体310、第1本体310の一方の側に設けられる冷却水流入管320及び冷却水流出管330から構成されることができる。
The
第1本体310には、外部から冷却水が供給される。第1本体310は、内部に所定の空間を形成する。第1本体310はリング形状に形成され、後述するフランジ340によりチャンバ100に固定できるように、第1本体310の外径はフランジ340の内径に対応する大きさに形成され、第1本体310の内径は第3管260の外径に対応する大きさに形成されることができる。
Cooling water is supplied to the first
第1本体310の一端はチャンバ100の外壁に密着されるので、チャンバ100に密着される端部にOリング312を配置してガス漏れ等の防止を図ることが好ましい。
Since one end of the first
冷却水流入管320及び冷却水流出管330は、第1本体310内部に形成された空間への冷却水の流入及び流出を可能にし、それによって第3管260の端部を冷却することができる。冷却水流入管320及び冷却水流出管330は、それぞれ第1本体310の中心線に対して所定の距離を置いて互いから離間して設けられることができる。
The cooling
第1冷却部300が設けられたヒータ200aの両端部には、ヒータ200aの第2管240と第3管260の間の空間264に冷却用ガスを流すための第2冷却部400を設けることができる。
At both ends of the
次に、第2冷却部400の構成について説明する。
Next, the configuration of the
第2冷却部400は、内部に空間を形成するリング形状の第2本体410と、第2本体410の一方の側に設けられかつ第2本体410の内部に形成された空間と連通されているガス管420とで構成される。
The
第2本体410の一端は、第2管240と第3管260の間に形成された空間264と連通できるように開いている。従って、ガス管420から流入した冷却用ガスは、第2本体410を通って空間264に流入することができ、冷却後には再び第2本体410を通って外に排出されることができる。
One end of the
第2冷却部400は、第3管260の両端部に設けられるので、冷却用ガスは、第3管260の一端に設けられた第2冷却部400のガス管420から供給された後、空間264を通過して、第3管260の他端に設けられた第2冷却部400のガス管420から排出されることができる。
Since the
続いて、第1及び第2冷却部300、400の設置過程について説明する。
Subsequently, an installation process of the first and
第1冷却部300は、フランジ340により、チャンバ100の外面に密着して固定されることができる。このとき、第1冷却部300をチャンバ100の外壁に容易に固定できることが好ましい。従って、フランジ340により第1冷却部300を容易に固定するために、フランジ340の一端と第1本体310の一端とが互いに係合可能であるように構成されることが好ましい。
The
フランジ340は、チャンバ100の外壁に密着された状態でボルト固定されることができる。第1冷却部300をチャンバ100の外部に堅固に固定できるならば、フランジ340とチャンバ100の固定方式には特に制限はなく、ボルトによる固定方式以外にも多様な方法により固定することができる。
The
第1冷却部300がフランジ340によりチャンバ100に固定された状態で、第1冷却部300と第3管260の固定状態を堅固にするために、第1本体310と第3管260の間に形成された空間にはカラー(collar)350を設けることができ、カラー350の両端部にはOリング352を配置することができる。また、カラー350の一端にヒータカバー360を配置することができる。
In order for the
カラー350及びOリング352は、第1本体310と第3管260の間の隙間を密閉し、それによってチャンバ100内部へのガスの流入を防止できるので、チャンバ100内部を容易に真空に維持することができる。
The
ヒータカバー360は、第3管260と第1本体310とを堅固に固定することができる。ヒータカバー360は、第1本体310の一端にボルトで固定されることができる。ヒータカバー360の固定状態を堅固に維持するために、カラー350及びヒータカバー360の外径は、第1本体310の内周面に密着される大きさに形成されることが好ましい。
The
第1冷却部300の設置完了後に、固定キャップ280を貫通して延出している第1管220の端部に第2本体410を設け、該端部に後述する端子部500を螺合し、該端子部500を第2本体410の一端に密着させることによって、第2冷却部400を固定させる。第2冷却部400の固定のために、ヒータカバー360及び第2本体410もボルトで結合することが好ましい。
After the installation of the
次に、端子部500及び絶縁部600の設置過程について説明する。
Next, an installation process of the
図14は、本発明の一実施形態に係るヒータ200aの端部に設けられる端子部500及び絶縁部600の構成を示す分解斜視図である。
FIG. 14 is an exploded perspective view showing configurations of the
まず、端子部500の構成について説明する。
First, the configuration of the
端子部500は、導電管510及び第1固定ナット520で構成することができる。
The
図15、図16及び図17は、本発明の一実施形態に係る導電管510の構成を示す図面である。
15, FIG. 16 and FIG. 17 are diagrams showing a configuration of a
図15、図16及び図17に示すように、導電管510は、一端が固定キャップ280の端部と接触し、外部の電力線が連結される。導電管510は、第1管220の端部に螺合されることができる。導電管510は、固定キャップ280に容易に電力を印加できるように、固定キャップ280同様にSUS材で形成されることができる。導電管510に連結された電力線は、導電管510の1つの側面に溶接により連結することもできるが、後述する第1固定ナット520と導電管510の間に電力線の端部を配置して連結することもできる。
As shown in FIGS. 15, 16, and 17, one end of the
第1固定ナット520は、導電管510と固定キャップ280との連結状態が維持できるように、導電管510の一端を圧着する。第1固定ナット520は、第1管220に端部に螺合される。第1固定ナット520は、石英材で形成され得る。第1固定ナット520は一般的なナットと構成が同じであるので、これについての詳細な図示や説明は省略する。
The
図18及び図19は、本発明の一実施形態に係る第1保護ナット530の構成を示す図面である。また、図20、図21及び図22は、本発明の一実施形態に係る第2保護ナット540の構成を示す図面である。
18 and 19 are views showing the configuration of the first
第1及び第2保護ナット530、540は、導電管510が第1管220の端部に結合された状態で外部から伝達される衝撃により導電管510または第1管220が損傷することを防止する。第1及び第2保護ナット530、540は、固定キャップ280と絶縁キャップ610の間に、導電管510の外周面を取り囲む形態で設けられることができる。
The first and second
熱線270に電力を印加するために設けられる端子部500に対して、漏電防止や他の導電体との接触防止のために、絶縁部600が設けられることが好ましい。
Insulating
次に、絶縁部600の構成について説明する。
Next, the configuration of the insulating
絶縁部600は、絶縁キャップ610及び第2固定ナット630を含んで構成することができる。
The insulating
図23、図24及び図25は、本発明の一実施形態に係る絶縁キャップ610の構成を示す図面である。
23, 24 and 25 are views showing a configuration of an
図23、図24及び図25に示すように、絶縁キャップ610は、導電管510を電気的に絶縁する役割を果たす。第1管220の端部に導電管510及び第1固定ナット520を結合し、その後、絶縁キャップ610を螺合することができる。このとき、絶縁キャップ610の内部に形成された空間内に導電管510及び第1固定ナット520が配置されるようにし、その内周面は、導電管510及び第1固定ナット520から離間していることが好ましい。
As shown in FIGS. 23, 24, and 25, the insulating
絶縁キャップ610の1つの側面には溝620が形成され、この溝620を通って、絶縁キャップ610内の導電管510に電力を印加するための電力線を設けることができる。絶縁キャップ610は、石英を使用して製作することが好ましい。
A
第2固定ナット630は、絶縁キャップ610が第1管220に設けられた後に、絶縁キャップ610の連結状態を維持する役割を果たす。第2固定ナット630は、第1管220の終端部に設けられることができる。
The
前述の如く構成された第1及び第2冷却部300、400、端子部500及び絶縁部600は、次の通り作動することができる。
The first and
チャンバ100内にロードされた基板を、複数のヒータ200aを用いて加熱し、熱処理する。ヒータ200aの発熱のために供給される電力は、端子部500を介してヒータ200aの熱線270に供給されるので、ヒータ200aの動作を持続的に維持することができ、絶縁部600により電力供給中の漏電を防止することができる。
The substrate loaded in the
ヒータ200aを作動させて熱処理を行っている途中、ヒータ200aの両端部に設けられた第1冷却部300を利用してヒータ200aの両端部に冷却水を流入させ、ヒータ200aの端部を冷却することができる。
During the heat treatment by operating the
熱処理工程終了後に、ヒータ200aの両端部に設けられた第2冷却部400を利用してヒータ200a内の空間264を通して冷却用ガスを流すことにより、ヒータ200a自体の温度を迅速に低下させると共に、チャンバ100内部の温度を迅速に低下させることができる。従って、本発明に係る熱処理装置1及びヒータ200aは、熱処理工程終了後に、基板10のアンロードのために、チャンバ100内部の温度を所定温度以下に低下させる所要時間を短縮することができる。従って、平板ディスプレイ及び太陽電池の製造に必要な熱処理工程の生産性を大きく向上させることができる。
After the heat treatment step, the cooling gas is caused to flow through the
一方、ヒータ200aの連続的な使用により、第1管220、第2管240、第3管260のうちいずれか1本の管に損傷が発生する恐れがある。熱処理を連続的に行うためには、損傷した管を交換する必要があり、次のようなステップを通じて交換作業を行う。
On the other hand, continuous use of the
第1管220及び第2管240を交換する手順は、次の通りである。
The procedure for exchanging the
まず、絶縁部600を外す。そして、第1管220の端部に設けられた端子部500において第1管220と螺合されている導電管510を取り外し、第1管220の固定を解除することにより、第1管220を交換することができる。以後、固定キャップ280及び第2冷却部400を外すことにより、第2管240を分離することができる。このようにして第1管220または第2管240のうち交換の必要な管を新しい管と交換し、その後、分解と逆の手順をたどって組立てを行う。
First, the insulating
第3管260を交換する手順は、次の通りである。
The procedure for exchanging the
まず、第1管220及び第2管240を交換するための端子部500及び第2冷却部400の取外しは、前述したものと同様であるので、詳細な説明は省略する。
First, since the removal of the
端子部500及び第2冷却部400が取り外された状態では、第3管260の端部に対する固定も解除されているので、この状態でカラー350、Oリング352及びヒータカバー360を外すことによって、第3管260を新しい管と交換することができる。第3管260の交換作業の際、第1本体310をチャンバ100に固定するフランジ340を外すこともできるが、フランジ340をチャンバ100の両端部に再設置する際、両フランジ340を一直線上に整列する作業には長い時間が掛かるので、フランジ340を外さないことが好ましい。
In a state where the
第3管260を新しい管と交換した後に、分解と逆の手順をたどって組立てを行い、ヒータ200aを完成させる。
After replacing the
このように、本発明のヒータ200aは、ヒータ200aを構成する管のうちの1本が損傷した場合に、損傷した1本の管だけを交換することができるので、ヒータの維持管理が容易である。
As described above, the
図26及び図27はそれぞれ、本発明の別の実施形態に係るヒータ200bの構成を示す断面斜視図及び断面図である。参考に、図26及び図27において、ヒータ200bの両端部の形状及び構造は同じなので、便宜上、ヒータ200bの片側の端部だけを示した。
26 and 27 are a cross-sectional perspective view and a cross-sectional view, respectively, showing the configuration of a
これらの図に示すように、ヒータ200bは全体的に長寸の棒状をなしているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、ヒータが適用されるバッチ式熱処理装置の仕様によって多様に変更することができる。
As shown in these drawings, the
図26及び図27に示すように、ヒータ200bは、所定の長さを有する第1管220bと、所定の長さを有しかつ第1管220bを囲繞する第2管240bと、第1管220b内部に挿入される発熱体270bとを含んで構成される。
As shown in FIGS. 26 and 27, the
第1管220b及び第2管240bは、熱処理装置に適用されるので、これらの管の材質は高融点の材質(例えば石英)であることが好ましい。
Since the
第1管220b及び第2管240bは、長さが実質的に同じであり、同軸上にあることが好ましい。第1管220bは、外径が約10mm、内径が約6mm、厚さが2mm程度であることが好ましい。第2管240bは、第1管220bと一定の間隔をおいて該第1管を取り囲むように設けられる。第2管240bは、外径が約18mm、内径が約14mm、厚さが2mm程度であることが好ましい。第1管220bと第2管240bの間には、約2mm程度の間隔を有する空き空間246bが形成される。
It is preferable that the
第1管220bの内部には、発熱体270bが挿入される。発熱体270bは棒状を有することが好ましいが、必ずしもこれに限定されるものではない。発熱体270bの材質は、カンタルであることが好ましい。
A
発熱体270bを第1管220bに挿入する際、第1管220bの内周面と発熱体270bの外周面とは、互いから少し離間していることが好ましい。その理由は、万一、第1管220bの内周面と発熱体270bの外周面とが接触してしまうと、熱処理工程中に第1管220bと発熱体270bとの熱膨脹係数の差によって第1管220bが破損する恐れがあるためである。従って、第1管220bの内周面と発熱体270bの外周面との離間距離は、発熱体270bの熱膨脹係数を考慮して決定することが好ましい。
When inserting the
発熱体270bの端部には、発熱体270bに電力を印加できるように、導電管510bが設けられている。導電管510bを介して発熱体270bと外部電源(図示せず)とを連結する方式には特に制限はなく、これについての詳細な説明は省略する。
A
一方、前述したように、発熱体270bの端部は外部電源と連結されるので、発熱体270bと外部電源との連結手段、例えば導線(銅線)などを、発熱体270bから発生する熱から保護する必要がある。このために、発熱体270bの直径を発熱体270bの中央部と端部とで異なる大きさにすることができる。
On the other hand, as described above, since the end of the
すなわち、図27に示すように、発熱体270bの断面積が中央部より両端部において大きくなるように発熱体270bが構成されることが好ましい。発熱体270bの発熱量は発熱体270bの断面積に反比例するので、発熱体270bの端部の断面積を増大させると発熱体270bの端部の発熱量が小さくなり、発熱体270bと外部電源との連結手段の熱による損傷を防止できる。
That is, as shown in FIG. 27, it is preferable that the
本発明に係るヒータ200bは、ヒータ200bの内部を通って冷却用ガスが流れるように、第1管220bと第2管240bの間に空間244bを有する構造を特徴とする。すなわち、ヒータ200b内部の空間244bを通って冷却用ガスが流れることになる。空間244bを通って冷却用ガスが流れるようにする方式には特に制限はなく、これについての詳細な説明は省略する。冷却用ガスとしては、空気、ヘリウム、窒素、アルゴンを使用することができる。冷却用ガスの温度は概ね常温であることが好ましいが、必要に応じて常温以下に冷却したガスを使用することもできる。
The
一方、ヒータ200bは、第1管220bまたは第2管240bから発熱体270bを容易に脱着できるように構成されることが好ましい。これにより、ヒータ200bの使用中に発熱体270bが短絡するなどの問題が発生した場合に、熱処理装置に装着されているヒータ200bから発熱体270bだけを分離してメンテナンスまたは交換することにより、不具合が発生したヒータ200bを簡単にメンテナンスまたは交換できるという利点がある。
On the other hand, the
図26及び図27に示したヒータ200bは、前述したヒータ200、200aと同じように使用することができる。また、ヒータ200bの両端部に第1及び第2冷却部300、400、端子部500及び絶縁部600を設けることができ、これらの構成及び作用についても前述したものと同様であるので、詳細な説明は省略する。
The
本発明によれば、チャンバ内にロードされた基板を、各基板に対応する複数のヒータにより加熱することによって、基板を面内の温度が均一になるように熱処理することができる。また、複数枚の基板を同時に熱処理することができるので、平板ディスプレイ及び太陽電池の生産性を向上させることができる。さらに、ヒータ内部に冷却用ガスの流れる空間が設けることにより、熱処理工程終了後に熱処理装置のチャンバ内部を迅速に冷却することができるので、基板のアンロード過程の所要時間が短縮され、平板ディスプレイや太陽電池等の製造に必要な熱処理工程の生産性を画期的に向上させることができる。従って、本発明の産業利用性はきわめて高いものといえる。 According to the present invention, the substrate loaded in the chamber is heated by the plurality of heaters corresponding to each substrate, whereby the substrate can be heat-treated so that the in-plane temperature becomes uniform. In addition, since a plurality of substrates can be heat-treated at the same time, productivity of a flat panel display and a solar cell can be improved. Furthermore, by providing a space for the flow of the cooling gas inside the heater, the inside of the chamber of the heat treatment apparatus can be quickly cooled after the heat treatment step, so that the time required for the substrate unloading process is shortened, and a flat panel display or Productivity of the heat treatment process necessary for manufacturing solar cells and the like can be dramatically improved. Therefore, it can be said that the industrial applicability of the present invention is extremely high.
以上、本発明の詳細な説明では具体的な実施形態について説明したが、本発明の要旨から逸脱しない範囲内で多様に変形できる。よって、本発明の権利範囲は、上述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載及びこれと均等なものに基づいて画定されるべきである。 As mentioned above, although specific embodiment was described in detailed description of this invention, it can change variously within the range which does not deviate from the summary of this invention. Therefore, the scope of rights of the present invention should not be limited to the above-described embodiments, but should be defined based on the description of the claims and equivalents thereof.
1 熱処理装置
10 基板
12 ホルダ
100 チャンバ
102 フレーム
104 ドア
106 カバー
108 ボート
120 主ヒータユニット
140a 第1補助ヒータユニット
140b 第2補助ヒータユニット
150a 第1補助ヒータ
150b 第2補助ヒータ
160 ガス供給管
170 ガス排出管
180 冷却管
200 主ヒータ
200a、200b ヒータ
220a、220b 第1管
240a、240b 第2管
260 第3管
280 固定キャップ
300 第1冷却部
310 第1本体
320 冷却水流入管
330 冷却水流出管
340 フランジ
400 冷却部
410 第2本体
420 ガス管
500 端子部
510、510b 導電管
520 第1固定ナット
530 第1保護ナット
540 第2保護ナット
600 絶縁部
610 絶縁キャップ
620 溝
630 第2固定ナット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
Claims (30)
前記複数枚の基板に対して熱処理空間を提供するチャンバと、
前記複数枚の基板を搭載支持するボートと、
前記基板の積載方向に沿って一定間隔で配置され、各々が複数の主ヒータで構成されるような複数の主ヒータユニットとを含み、
前記基板が、前記複数の主ヒータユニットの間に配置されることを特徴とするバッチ式熱処理装置。 A batch type heat treatment apparatus for simultaneously heat treating a plurality of substrates,
A chamber for providing a heat treatment space for the plurality of substrates;
A boat for mounting and supporting the plurality of substrates;
A plurality of main heater units that are arranged at regular intervals along the stacking direction of the substrates, each of which is composed of a plurality of main heaters,
The batch type heat treatment apparatus, wherein the substrate is disposed between the plurality of main heater units.
前記第2補助ヒータユニットが、前記主ヒータユニットの両側に前記主ヒータと垂直に配置される複数の第2補助ヒータで構成されることを特徴とする請求項8に記載のバッチ式熱処理装置。 The first auxiliary heater unit is composed of a plurality of first auxiliary heaters arranged on both sides of the main heater unit in parallel with the main heater,
The batch type heat treatment apparatus according to claim 8, wherein the second auxiliary heater unit includes a plurality of second auxiliary heaters disposed on both sides of the main heater unit perpendicular to the main heater.
前記ガス排出部が、排ガスが流入する複数の第2ガス孔が形成されたガス排出管を含むことを特徴とする請求項13に記載のバッチ式熱処理装置。 The gas supply unit includes a gas supply pipe formed with a plurality of first gas holes through which a process gas flows;
The batch type heat treatment apparatus according to claim 13, wherein the gas discharge unit includes a gas discharge pipe in which a plurality of second gas holes into which exhaust gas flows are formed.
第1管と、
前記第1管と一定の間隔をおいて該第1管を取り囲む第2管と、
前記第1管内に挿入される発熱体とを含み、
前記第1管と前記第2管の間の空間を通って冷却用ガスが流れるようにしたことを特徴とするヒータ。 A heater applicable to a batch-type heat treatment apparatus for simultaneously heat-treating a plurality of substrates,
The first tube;
A second tube surrounding the first tube at a certain distance from the first tube;
A heating element inserted into the first pipe,
A heater characterized in that a cooling gas flows through a space between the first pipe and the second pipe.
第1管と、
前記第1管の外周面上に巻かれたコイル型熱線と、
前記第1管と一定の間隔をおいて該第1管を取り囲む第2管とを含み、
前記第1管の中央空間を通って冷却用ガスが流れるようにしたことを特徴とするヒータ。 A heater applicable to a batch-type heat treatment apparatus for simultaneously heat-treating a plurality of substrates,
The first tube;
A coiled hot wire wound on the outer peripheral surface of the first tube;
A second pipe that surrounds the first pipe at a certain distance from the first pipe;
A heater characterized in that a cooling gas flows through the central space of the first pipe.
第1管と、
前記第1管の外周面上に巻かれたコイル型熱線と、
前記第1管と一定の間隔をおいて該第1管を取り囲む第2管と、
前記第2管と一定の間隔をおいて該第2管を取り囲む第3管とを含み、
前記第1管の中央空間または前記第2管と前記第3管の間の空間の少なくとも一方を通って冷却用ガスが流れるようにしたことを特徴とするヒータ。 A heater applicable to a batch-type heat treatment apparatus for simultaneously heat-treating a plurality of substrates,
The first tube;
A coiled hot wire wound on the outer peripheral surface of the first tube;
A second tube surrounding the first tube at a certain distance from the first tube;
A third tube surrounding the second tube with a certain distance from the second tube;
A heater characterized in that a cooling gas flows through at least one of a central space of the first pipe or a space between the second pipe and the third pipe.
内部に空間を形成する第1本体と、
前記第1本体の前記内部空間に冷却水を流入させるための冷却水流入管と、
前記第1本体の前記内部空間から前記冷却水を流出させるための冷却水流出管とを含むことを特徴とする請求項23に記載のヒータ。 The first cooling part is
A first body forming a space therein;
A cooling water inflow pipe for allowing cooling water to flow into the internal space of the first body;
The heater according to claim 23, further comprising a cooling water outflow pipe for allowing the cooling water to flow out from the internal space of the first main body.
内部に空間を形成する第2本体と、
前記第2本体の前記内部空間と連通されているガス管とを含み、
前記第2本体の前記内部空間が、前記第2管と前記第3管の間の前記空間と連通されていることを特徴とする請求項24に記載のヒータ。 The second cooling unit is
A second body forming a space therein;
A gas pipe communicating with the internal space of the second body,
The heater according to claim 24, wherein the internal space of the second main body communicates with the space between the second pipe and the third pipe.
前記端子部を絶縁する絶縁部とをさらに含むことを特徴とする請求項20に記載のヒータ。 A terminal portion for supplying power to the heat wire;
The heater according to claim 20, further comprising an insulating portion that insulates the terminal portion.
前記第1管上に設けられかつ外部電源と連結される導電管と、
前記導電管を前記ヒータの固定キャップに密着させる固定ナットとを含むことを特徴とする請求項27に記載のヒータ。 The terminal portion is
A conductive tube provided on the first tube and connected to an external power source;
28. The heater according to claim 27, further comprising a fixing nut for bringing the conductive tube into close contact with a fixing cap of the heater.
前記絶縁キャップの1つの側面には、溝が形成されていることを特徴とする請求項27に記載のヒータ。 The insulating part includes an insulating cap that forms a space therein and surrounds the terminal part;
The heater according to claim 27, wherein a groove is formed on one side surface of the insulating cap.
Applications Claiming Priority (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080069331A KR101016061B1 (en) | 2008-07-16 | 2008-07-16 | Heater For Heat Treatment Apparatus |
KR10-2008-0069330 | 2008-07-16 | ||
KR1020080069330A KR101016058B1 (en) | 2008-07-16 | 2008-07-16 | Heater For Heat Treatment Apparatus |
KR1020080069329A KR101016048B1 (en) | 2008-07-16 | 2008-07-16 | Batch Type Heat Treatment Apparatus |
KR10-2008-0069331 | 2008-07-16 | ||
KR10-2008-0069329 | 2008-07-16 | ||
KR1020080110813A KR101016064B1 (en) | 2008-11-10 | 2008-11-10 | Heater |
KR1020080110814A KR101009990B1 (en) | 2008-11-10 | 2008-11-10 | Heater |
KR10-2008-0110814 | 2008-11-10 | ||
KR10-2008-0110813 | 2008-11-10 | ||
PCT/KR2009/003909 WO2010008211A2 (en) | 2008-07-16 | 2009-07-16 | Batch-type heat treatment device and heater used therein |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014043704A Division JP2014146815A (en) | 2008-07-16 | 2014-03-06 | Batch-type heat treatment device and heater applied for the same |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011528501A true JP2011528501A (en) | 2011-11-17 |
JP2011528501A5 JP2011528501A5 (en) | 2012-07-26 |
JP5973728B2 JP5973728B2 (en) | 2016-08-23 |
Family
ID=41550851
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011518650A Active JP5973728B2 (en) | 2008-07-16 | 2009-07-16 | Batch heat treatment apparatus and heater applied to the apparatus |
JP2014043704A Pending JP2014146815A (en) | 2008-07-16 | 2014-03-06 | Batch-type heat treatment device and heater applied for the same |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014043704A Pending JP2014146815A (en) | 2008-07-16 | 2014-03-06 | Batch-type heat treatment device and heater applied for the same |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5973728B2 (en) |
CN (3) | CN102067294B (en) |
TW (1) | TWI508178B (en) |
WO (1) | WO2010008211A2 (en) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013044519A (en) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Thermonik Inc | Graphite heater furnace |
KR20140083306A (en) * | 2012-12-26 | 2014-07-04 | 주식회사 탑 엔지니어링 | Thermal Treatment Device for Substrate |
KR20140083307A (en) * | 2012-12-26 | 2014-07-04 | 주식회사 탑 엔지니어링 | Heating Assembly for Substrate Thermal Treatment Device |
KR101479224B1 (en) | 2013-12-09 | 2015-01-05 | 포스코에너지 주식회사 | Thin plate mica heater |
KR101557037B1 (en) * | 2013-08-14 | 2015-10-02 | (주) 예스티 | Heat processing apparatus for large glass substrate |
KR20150129917A (en) * | 2014-05-12 | 2015-11-23 | 주식회사 제우스 | Heater fixing device and substrate heat tretment apparatus using it |
KR101753376B1 (en) | 2015-08-24 | 2017-07-04 | 주식회사 하이원시스 | Pre-heater including 4-direction sliding doors on ceiling |
JP2019029102A (en) * | 2017-07-26 | 2019-02-21 | 株式会社Screenホールディングス | Heating apparatus |
JPWO2020241490A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | ||
WO2020241488A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 株式会社九州日昌 | Heating device and heating method |
KR20210155343A (en) * | 2020-06-15 | 2021-12-22 | 고요 써모 시스템 가부시끼 가이샤 | Heat treatment apparatus |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201222622A (en) * | 2010-04-30 | 2012-06-01 | Tera Semicon Corp | Apparatus for processing a substrate |
KR101157192B1 (en) * | 2010-08-31 | 2012-06-20 | 주식회사 테라세미콘 | Batch type appartus for processing a substrate |
KR101306751B1 (en) * | 2011-04-29 | 2013-09-10 | 주식회사 테라세미콘 | Holder for supporting substrate and apparatus for processing substrate using the same |
KR101435454B1 (en) * | 2012-04-27 | 2014-08-28 | 주식회사 테라세미콘 | Apparatus for processing substrate |
KR101527158B1 (en) * | 2013-10-24 | 2015-06-09 | 주식회사 테라세미콘 | Batch type apparatus for processing substrate |
TWI698944B (en) * | 2013-12-23 | 2020-07-11 | 南韓商圓益Ips股份有限公司 | Batch type apparatus for processing substrate |
JP2019027623A (en) * | 2017-07-26 | 2019-02-21 | 株式会社Screenホールディングス | Heating device and heating method |
TWI709203B (en) * | 2018-09-11 | 2020-11-01 | 大陸商北京北方華創微電子裝備有限公司 | Chamber cooling device and semiconductor processing equipment |
JP2022510260A (en) * | 2018-11-30 | 2022-01-26 | ラム リサーチ コーポレーション | Ceramic pedestal with multi-layer heater for enhanced thermal uniformity |
KR102559562B1 (en) * | 2021-03-11 | 2023-07-27 | 주식회사 한국제이텍트써모시스템 | Heat treatment oven exhaust duct integrated heater unit |
EP4352780A1 (en) * | 2021-06-09 | 2024-04-17 | Watlow Electric Manufacturing Company | Cold conduit insulation device |
CN114485170A (en) * | 2021-12-27 | 2022-05-13 | 江苏邑文微电子科技有限公司 | Heating system of rapid annealing furnace and temperature control method |
KR102508123B1 (en) * | 2022-10-28 | 2023-03-10 | (주)삼양세라텍 | Heat treatment apparatus |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000012471A (en) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Plasma cvd system, and solar cells and plasma cvd method manufacturing the same |
JP2002175868A (en) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Noritake Co Ltd | Far-infrared thin heater and substrate-heating furnace |
JP2002221394A (en) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Showa Mfg Co Ltd | Heating device for electronic component |
JP2003123651A (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of plasma display panel and furnace equipment for the same |
JP2003194478A (en) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Koyo Thermo System Kk | Heat treatment device |
JP2004179672A (en) * | 2003-12-12 | 2004-06-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate heater and method for forming semiconductor circuit |
WO2006022232A1 (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Kabushiki Kaisha Ishiihyoki | Drying furnace for coating film |
JP2006112762A (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Tdk Corp | Baking furnace |
JP2006286222A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Noritake Co Ltd | Plate type far-infrared heater for vacuum heating furnace |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5548400Y2 (en) * | 1974-08-15 | 1980-11-12 | ||
JPS5996691A (en) * | 1982-11-24 | 1984-06-04 | 東レ株式会社 | Resistance heating furnace |
JPS6162395U (en) * | 1984-09-28 | 1986-04-26 | ||
JPS63137416A (en) * | 1986-11-29 | 1988-06-09 | Furendotetsuku Kenkyusho:Kk | Vacuum heat insulating furnace |
JPH0641355Y2 (en) * | 1988-02-16 | 1994-10-26 | 富士電波工業株式会社 | Water-cooled electrode for electric furnace |
JPH0379985A (en) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Deisuko Haitetsuku:Kk | Controlling method for temperature of electric furnace |
JPH05290953A (en) * | 1992-04-10 | 1993-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric heating device |
KR100203782B1 (en) * | 1996-09-05 | 1999-06-15 | 윤종용 | Heat treatment apparatus for semiconductor wafer |
JP3058282U (en) * | 1998-10-07 | 1999-06-18 | 株式会社八光電機製作所 | Cartridge heater with cooling function |
JP2002289549A (en) * | 2001-03-28 | 2002-10-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Wafer treatment device |
TWI232509B (en) * | 2001-07-25 | 2005-05-11 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus and processing method |
JP4262908B2 (en) * | 2001-08-10 | 2009-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
JP3575009B2 (en) * | 2001-12-03 | 2004-10-06 | 坂口電熱株式会社 | Heater terminal equipment for heating furnace |
KR100498609B1 (en) * | 2002-05-18 | 2005-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | Batch type atomic layer deposition equipment |
JP2005056725A (en) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Nikko Materials Co Ltd | Heating element made of mosi2 and its manufacturing method |
JP4734885B2 (en) * | 2004-10-08 | 2011-07-27 | ウシオ電機株式会社 | Heating unit |
JP2007200798A (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Exothermic formation, exothermic unit, and heating device |
JP2008028305A (en) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing device |
KR100817400B1 (en) * | 2006-11-09 | 2008-03-27 | 권상환 | Heat treatment equipment |
-
2009
- 2009-07-06 TW TW098122760A patent/TWI508178B/en active
- 2009-07-16 JP JP2011518650A patent/JP5973728B2/en active Active
- 2009-07-16 CN CN200980122777.2A patent/CN102067294B/en active Active
- 2009-07-16 WO PCT/KR2009/003909 patent/WO2010008211A2/en active Application Filing
- 2009-07-16 CN CN 201210356983 patent/CN102983091A/en active Pending
- 2009-07-16 CN CN201510556057.4A patent/CN105140157B/en active Active
-
2014
- 2014-03-06 JP JP2014043704A patent/JP2014146815A/en active Pending
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000012471A (en) * | 1998-06-25 | 2000-01-14 | Agency Of Ind Science & Technol | Plasma cvd system, and solar cells and plasma cvd method manufacturing the same |
JP2002175868A (en) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Noritake Co Ltd | Far-infrared thin heater and substrate-heating furnace |
JP2002221394A (en) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Showa Mfg Co Ltd | Heating device for electronic component |
JP2003123651A (en) * | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Manufacturing method of plasma display panel and furnace equipment for the same |
JP2003194478A (en) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Koyo Thermo System Kk | Heat treatment device |
JP2004179672A (en) * | 2003-12-12 | 2004-06-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate heater and method for forming semiconductor circuit |
WO2006022232A1 (en) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Kabushiki Kaisha Ishiihyoki | Drying furnace for coating film |
JP2006112762A (en) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Tdk Corp | Baking furnace |
JP2006286222A (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Noritake Co Ltd | Plate type far-infrared heater for vacuum heating furnace |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013044519A (en) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Thermonik Inc | Graphite heater furnace |
KR101982724B1 (en) * | 2012-12-26 | 2019-05-27 | 주식회사 탑 엔지니어링 | Thermal Treatment Device for Substrate |
KR20140083306A (en) * | 2012-12-26 | 2014-07-04 | 주식회사 탑 엔지니어링 | Thermal Treatment Device for Substrate |
KR20140083307A (en) * | 2012-12-26 | 2014-07-04 | 주식회사 탑 엔지니어링 | Heating Assembly for Substrate Thermal Treatment Device |
KR101982725B1 (en) * | 2012-12-26 | 2019-05-27 | 주식회사 탑 엔지니어링 | Heating Assembly for Substrate Thermal Treatment Device |
KR101557037B1 (en) * | 2013-08-14 | 2015-10-02 | (주) 예스티 | Heat processing apparatus for large glass substrate |
KR101479224B1 (en) | 2013-12-09 | 2015-01-05 | 포스코에너지 주식회사 | Thin plate mica heater |
KR20150129917A (en) * | 2014-05-12 | 2015-11-23 | 주식회사 제우스 | Heater fixing device and substrate heat tretment apparatus using it |
KR102117421B1 (en) | 2014-05-12 | 2020-06-02 | 주식회사 제우스 | Heater fixing device and substrate heat tretment apparatus using it |
KR101753376B1 (en) | 2015-08-24 | 2017-07-04 | 주식회사 하이원시스 | Pre-heater including 4-direction sliding doors on ceiling |
JP2019029102A (en) * | 2017-07-26 | 2019-02-21 | 株式会社Screenホールディングス | Heating apparatus |
WO2020241490A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 株式会社九州日昌 | Heating device and heating method |
JPWO2020241490A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | ||
WO2020241488A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | 株式会社九州日昌 | Heating device and heating method |
JPWO2020241488A1 (en) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | ||
JP7079044B2 (en) | 2019-05-31 | 2022-06-01 | 株式会社九州日昌 | Heating device and heating method |
JP7079042B2 (en) | 2019-05-31 | 2022-06-01 | 株式会社九州日昌 | Heating device and heating method |
KR20210155343A (en) * | 2020-06-15 | 2021-12-22 | 고요 써모 시스템 가부시끼 가이샤 | Heat treatment apparatus |
KR102500917B1 (en) * | 2020-06-15 | 2023-02-17 | 제이텍트 써모 시스템 코퍼레이션 | Heat treatment apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010008211A3 (en) | 2010-03-25 |
JP5973728B2 (en) | 2016-08-23 |
WO2010008211A2 (en) | 2010-01-21 |
JP2014146815A (en) | 2014-08-14 |
TWI508178B (en) | 2015-11-11 |
CN105140157B (en) | 2018-05-29 |
CN102067294B (en) | 2016-10-19 |
CN102067294A (en) | 2011-05-18 |
CN102983091A (en) | 2013-03-20 |
TW201007847A (en) | 2010-02-16 |
CN105140157A (en) | 2015-12-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5973728B2 (en) | Batch heat treatment apparatus and heater applied to the apparatus | |
KR101016048B1 (en) | Batch Type Heat Treatment Apparatus | |
US6737613B2 (en) | Heat treatment apparatus and method for processing substrates | |
KR101005384B1 (en) | Heat treatment apparatus | |
KR101016061B1 (en) | Heater For Heat Treatment Apparatus | |
KR101009990B1 (en) | Heater | |
KR101016064B1 (en) | Heater | |
KR101527158B1 (en) | Batch type apparatus for processing substrate | |
KR101508752B1 (en) | Heat Treatment Chamber of Substrate with Easy Maintenance, and Heat Treatment Apparatus and Method of Substrate Having the Same | |
KR101440955B1 (en) | Apparatus for heat processing of substrate | |
JP5602157B2 (en) | Batch type substrate processing equipment | |
KR101464662B1 (en) | Improved Boat, and Heat Treatment Chamber and Apparatus of Substrate Having the Same | |
KR101016058B1 (en) | Heater For Heat Treatment Apparatus | |
JP2007309540A (en) | Heating plate, combined heating plate and heating furnace comprising the same | |
TWI794841B (en) | Heat treatment oven heater power connector | |
JP2007227773A (en) | Heat treatment apparatus of substrate, and heat treatment method of substrate | |
JP7444816B2 (en) | Heat treatment oven heating unit | |
KR101126098B1 (en) | Batch type substrate treatment appartus | |
KR20120019645A (en) | Batch type heat treatment apparatus for large substrate | |
KR200459210Y1 (en) | Chamber For Batch Type Substrate Treatment Apparatus | |
KR20120005313U (en) | Batch Type Heat Treatment Apparatus For Large Substrate | |
KR101599045B1 (en) | Size-Variable Heat Treatment Chamber of Substrates and Manufacturing Method thereof, and Heat Treatment Apparatus Having the Same | |
KR20220070994A (en) | Heater and substrate processing apparatus having the same | |
JP2009124161A (en) | Thermal processing equipment | |
KR20170001990A (en) | Heater assembly adopted temperature control system |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120309 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120608 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140306 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140819 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141211 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20141218 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20150327 |
|
RD13 | Notification of appointment of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433 Effective date: 20160412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20160412 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160715 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5973728 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |