KR101016048B1

KR101016048B1 - Batch Type Heat Treatment Apparatus

Info

Publication number: KR101016048B1
Application number: KR1020080069329A
Authority: KR
Inventors: 허관선; 강호영
Original assignee: 주식회사 테라세미콘
Priority date: 2008-07-16
Filing date: 2008-07-16
Publication date: 2011-02-23
Also published as: KR20100008722A

Abstract

복수개의 기판을 동시에 열처리할 수 있으며 각 기판은 상기 각 기판에 대응하는 복수개의 히터에 의해 가열되는 배치식 열처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 배치식 열처리 장치는 복수개의 기판(10)에 대하여 열처리 공간을 제공하는 챔버(100); 복수개의 기판(10)이 로딩되어 지지되는 보트(120); 및 기판(10)의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 배치되는 복수개의 메인 히터 유닛(200) - 메인 히터 유닛(200)은 복수개의 단위 메인 히터(210)를 포함함 - 을 포함하고, 기판(10)은 복수개의 메인 히터 유닛(200) 사이에 배치되는 것을 특징으로 한다.Disclosed is a batch heat treatment apparatus in which a plurality of substrates can be heat treated simultaneously and each substrate is heated by a plurality of heaters corresponding to the substrates. The batch heat treatment apparatus according to the present invention includes a chamber 100 for providing a heat treatment space for a plurality of substrates (10); A boat 120 on which a plurality of substrates 10 are loaded and supported; And a plurality of main heater units 200 disposed at predetermined intervals along the stacking direction of the substrate 10, wherein the main heater units 200 include a plurality of unit main heaters 210. 10 is characterized in that disposed between the plurality of main heater unit 200.

배치식 열처리 장치 Batch heat treatment equipment

Description

Batch Type Heat Treatment Apparatus

본 발명은 배치식 열처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 복수개의 기판을 동시에 열처리할 수 있으며 기판은 기판에 대응하는 복수개의 히터에 의해 가열됨으로써 기판의 전면적에 걸쳐 균일한 열처리를 수행할 수 있는 배치식 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a batch heat treatment apparatus. More particularly, the present invention relates to a batch heat treatment apparatus capable of simultaneously heat treating a plurality of substrates, and wherein the substrates are heated by a plurality of heaters corresponding to the substrates to perform uniform heat treatment over the entire surface of the substrate.

반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 어닐링(annealing) 장치는 실리콘 웨이퍼나 글래스와 같은 기판 상에 증착되어 있는 소정의 박막에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리 단계를 담당하는 장치이다. Annealing devices used in the manufacture of semiconductors, flat panel displays, and solar cells are responsible for the heat treatment steps necessary for processes such as crystallization and phase change for a predetermined thin film deposited on a substrate such as a silicon wafer or glass. to be.

대표적인 어닐링 장치로는 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우 글래스 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다. Representative annealing apparatus is a silicon crystallization apparatus for crystallizing amorphous silicon deposited on a glass substrate with polysilicon when manufacturing a liquid crystal display or thin film crystalline silicon solar cell.

이와 같은 결정화 공정(열처리 공정)을 수행하기 위해서는 소정의 박막이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능한 열처리 장치가 있어야 한다. 예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화를 위해서는 최소한 550 내지 600℃의 온도가 필요하다.In order to perform such a crystallization process (heat treatment process), a heat treatment apparatus capable of heating a substrate on which a predetermined thin film is formed should be provided. For example, at least 550 to 600 ° C. temperature is required for the crystallization of amorphous silicon.

통상적으로 열처리 장치에는 하나의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 매엽식과 복수개의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 배치식이 있다. 매엽식은 장치의 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어서 최근의 대량 생산용으로는 배치식이 각광을 받고 있다. Typically, the heat treatment apparatus includes a sheet type that can perform heat treatment on one substrate and a batch type that can perform heat treatment on a plurality of substrates. Single leaf type has the advantage of simple configuration of the device, but the disadvantage of low productivity has been in the spotlight for the recent mass production.

도 1은 종래기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)의 구성을 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a batch heat treatment apparatus 1 according to the prior art.

도시한 바와 같이, 배치식 열처리 장치(1)는 복수개의 기판(10)이 로딩되는 보트(5), 보트(5)에 로딩된 복수개의 기판(10)에 대하여 열처리 공간을 제공하는 석영 재질로 이루어지는 챔버(2), 챔버(2) 내에서 열처리 환경을 조성하기 위해 챔버(2)의 외주를 감싸도록 설치된 히터(3), 기판(10)의 열처리 분위기 조성에 필요한 가스를 챔버(2) 내부로 공급하는 가스 공급관(4a), 및 상기 가스를 배출하는 가스 배출관(4b)을 포함하여 구성되어 있다. As shown, the batch heat treatment apparatus 1 is made of a quartz material that provides a heat treatment space for a boat 5 loaded with a plurality of substrates 10 and a plurality of substrates 10 loaded with the boat 5. The chamber 2, the heater 3 installed to surround the outer periphery of the chamber 2 to create a heat treatment environment in the chamber 2, the gas necessary for the heat treatment atmosphere composition of the substrate 10 inside the chamber 2 And a gas supply pipe 4b for discharging the gas, and a gas discharge pipe 4b for discharging the gas.

그러나, 종래의 배치식 열처리 장치(1)는 히터(3)가 원통형 챔버(2)의 외측에 설치되어 있기 때문에 열처리 과정에서 기판(1)의 중심부와 외주부의 온도 차이가 발생하여 기판(1)의 전면적에 걸쳐서 균일한 열처리가 수행되지 못하는 문제점이 있었다. 기판의 전면적에 걸쳐서 균일한 열처리가 이루어지지 못하면 열처리되는 박막의 성질이 균일하지 못하게 되어 제조되는 평판 디스플레이나 태양전지의 성능이 저하되는 문제점이 있다. However, in the conventional batch type heat treatment apparatus 1, since the heater 3 is installed outside the cylindrical chamber 2, the temperature difference between the center portion and the outer peripheral portion of the substrate 1 occurs during the heat treatment process, and thus the substrate 1 There was a problem that the uniform heat treatment could not be carried out over the entire area. If the uniform heat treatment is not performed over the entire surface of the substrate, there is a problem in that the properties of the thin film to be heat treated are not uniform, thereby degrading the performance of the flat panel display or solar cell manufactured.

특히, 최근 평판 디스플레이 및 태양전지용 글래스 기판의 사이즈가 대면적화 됨에 따라 상술한 바와 같은 문제점이 더욱 주목을 받고 있으며, 따라서 기판의 전면적에 걸쳐서 균일한 열처리가 가능한 배치식 열처리 장치의 개발이 필요한 실정이다.In particular, as the size of flat panel displays and glass substrates for solar cells has recently increased in size, the above-mentioned problems are attracting more attention. .

이에 본 발명의 목적은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 복수개의 기판을 동시에 열처리할 때 기판은 기판에 대응하는 복수개의 히터에 의해 가열됨으로써 기판 전면적에 걸쳐 균일한 열처리를 수행할 수 있는 배치식 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art as described above, the substrate is heated by a plurality of heaters corresponding to the substrate when heat treatment of the plurality of substrates at the same time to uniform heat treatment over the entire surface of the substrate It is an object to provide a batch heat treatment apparatus that can be performed.

상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 열처리 장치는 복수개의 기판을 동시에 열처리할 수 있으며 각 기판은 상기 각 기판에 대응하는 복수개의 히터에 의해 가열되는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above object, the heat treatment apparatus according to the present invention is capable of simultaneously heat treating a plurality of substrates, each substrate is characterized by being heated by a plurality of heaters corresponding to the respective substrates.

그리고, 상술한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 열처리 장치는 상기 복수개의 기판에 대하여 열처리 공간을 제공하는 챔버; 상기 복수개의 기판이 로딩되어 지지되는 보트; 및 상기 기판의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 배치되는 복수개의 메인 히터 유닛 - 상기 메인 히터 유닛은 복수개의 단위 메인 히터를 포함함 - 을 포함하고, 상기 기판은 상기 복수개의 메인 히터 유닛 사이에 배치되는 것을 특징으로 한다. And, in order to achieve the above object, the heat treatment apparatus according to the present invention comprises a chamber for providing a heat treatment space for the plurality of substrates; A boat on which the plurality of substrates are loaded and supported; And a plurality of main heater units disposed at predetermined intervals along the stacking direction of the substrate, wherein the main heater unit includes a plurality of unit main heaters, and the substrate is disposed between the plurality of main heater units. It is characterized in that the arrangement.

상기 기판은 기판 홀더에 안착된 상태로 상기 보트에 로딩될 수 있다. The substrate may be loaded into the boat while seated in a substrate holder.

상기 복수개의 단위 메인 히터는 상기 기판의 단변 방향과 평행하게 일정 간격을 가지면서 배치될 수 있다. The plurality of unit main heaters may be disposed at regular intervals in parallel with the short side direction of the substrate.

임의의 메인 히터 유닛의 단위 메인 히터는 상기 임의의 메인 히터 유닛의 최인접 메인 히터 유닛의 단위 메인 히터와 정렬되게 배치될 수 있다. The unit main heater of any main heater unit may be arranged to be aligned with the unit main heater of the nearest main heater unit of the any main heater unit.

임의의 메인 히터 유닛의 단위 메인 히터는 상기 임의의 메인 히터 유닛의 최인접 메인 히터 유닛의 단위 메인 히터와 어긋나게 배치될 수 있다. The unit main heater of any of the main heater units may be disposed to deviate from the unit main heater of the nearest main heater unit of the any of the main heater units.

상기 챔버 내부의 열 손실을 방지하기 위한 복수개의 보조 히터 유닛을 더 포함할 수 있다. The apparatus may further include a plurality of auxiliary heater units for preventing heat loss inside the chamber.

상기 복수개의 보조 히터 유닛은 상기 기판의 단변 방향과 평행하게 배치되는 제1 보조 히터 유닛과 상기 기판의 장변 방향과 평행하게 배치되는 제2 보조 히터 유닛을 포함할 수 있다. The plurality of auxiliary heater units may include a first auxiliary heater unit disposed in parallel with a short side direction of the substrate and a second auxiliary heater unit disposed in parallel with a long side direction of the substrate.

상기 제1 보조 히터 유닛은 상기 메인 히터 유닛의 양측에 상기 단위 메인 히터와 평행하게 배치되는 복수개의 제1 단위 보조 히터를 포함하고, 상기 제2 보조 히터 유닛은 상기 메인 히터 유닛의 양측에 상기 단위 메인 히터와 수직으로 배치되는 복수개의 제2 단위 보조 히터를 포함할 수 있다. The first auxiliary heater unit includes a plurality of first unit auxiliary heaters disposed on both sides of the main heater unit in parallel with the unit main heater, and the second auxiliary heater unit includes the units on both sides of the main heater unit. It may include a plurality of second unit auxiliary heaters disposed perpendicular to the main heater.

상기 챔버 내부를 냉각시키기 위한 복수개의 냉각관을 더 포함할 수 있다. The apparatus may further include a plurality of cooling tubes for cooling the inside of the chamber.

상기 냉각관은 상기 기판의 단변 방향을 따라 상기 복수개의 단위 메인 히터 사이에 배치될 수 있다. The cooling tube may be disposed between the plurality of unit main heaters along a short side direction of the substrate.

상기 냉각관의 내부로는 냉각 가스가 흐르며 상기 냉각관은 열전도율이 높은 재질로 이루어질 수 있다. Cooling gas flows into the cooling tube, and the cooling tube may be made of a material having high thermal conductivity.

상기 챔버 내부에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부와 상기 챔버 내부로부터 폐 가스를 배출하는 가스 배출부를 더 포함할 수 있다. The apparatus may further include a gas supply unit supplying a process gas into the chamber and a gas discharge unit configured to discharge waste gas from the inside of the chamber.

상기 가스 공급부는 공정 가스가 유출되는 복수개의 제1 가스 구멍이 형성되 어 있는 가스 공급관을 포함하고, 상기 가스 배출부는 폐 가스가 유입되는 복수개의 제2 가스 구멍이 형성되어 있는 가스 배출관을 포함할 수 있다. The gas supply part may include a gas supply pipe in which a plurality of first gas holes through which process gas flows is formed, and the gas discharge part may include a gas discharge pipe in which a plurality of second gas holes into which waste gas is introduced is formed. have.

본 발명에 따르면, 챔버에 로딩되는 기판은 기판마다 대응하는 복수개의 히터에 의해 가열됨으로써 기판의 전면적에 걸쳐 열처리가 균일하게 이루어지는 효과가 있다.According to the present invention, the substrate loaded in the chamber is heated by a plurality of heaters corresponding to each substrate, thereby effecting uniform heat treatment over the entire surface of the substrate.

또한, 본 발명에 따르면, 복수개의 기판에 대해 동시에 열처리가 가능함으로써 평판 디스플레이 및 태양전지의 생산성을 향상시키는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, the heat treatment of the plurality of substrates can be performed at the same time, thereby improving the productivity of the flat panel display and the solar cell.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세하게 설명하도록 한다.Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치(1)의 구성을 나타내는 사시도이다. 2 and 3 are perspective views showing the configuration of a batch heat treatment apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.

먼저, 배치식 열처리 장치(1)에 로딩되는 기판(10)의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸 등 다양한 재질의 기판(1)이 로딩될 수 있다. 이하에서는 LCD나 OLED와 같은 평판 디스플레이나 박막형 실리콘 태양전지 분야에 가장 일반적으로 사용되는 직사각형 형상의 글래스 기판을 상정하여 설명한다.First, the material of the substrate 10 loaded on the batch heat treatment apparatus 1 is not particularly limited, and the substrate 1 of various materials such as glass, plastic, polymer, silicon wafer, stainless steel, and the like may be loaded. Hereinafter, a description will be given assuming a rectangular glass substrate that is most commonly used in the field of flat panel displays such as LCDs and OLEDs or thin film silicon solar cells.

배치식 열처리 장치(1)는 열처리 공간을 제공하는 직육면체 형상의 챔버(100)와, 챔버(100)를 지지하는 프레임(110)을 포함하여 구성된다. 챔버(100) 및 프레임(110)의 재질은 스테인레스 스틸인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되 는 것은 아니다.The batch heat treatment apparatus 1 includes a cuboid-shaped chamber 100 that provides a heat treatment space, and a frame 110 that supports the chamber 100. The material of the chamber 100 and the frame 110 is preferably stainless steel, but is not necessarily limited thereto.

챔버(100)의 일측에는 챔버(100)에 기판(10)을 로딩하기 위하여 상하 방향으로 개폐되는 도어(140)가 설치된다. 도어(140)가 개방된 상태에서 트랜스퍼 암과 같은 기판 로딩 장치(미도시)를 이용하여 기판(10)을 챔버(100)로 로딩할 수 있다. 한편, 열처리가 종료된 후 도어(140)를 통하여 챔버(100)로부터 기판(10)을 언로딩할 수도 있다. 도어(140)의 재질은 스테인레스 스틸인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.One side of the chamber 100 is provided with a door 140 that opens and closes in the vertical direction to load the substrate 10 in the chamber 100. In the state in which the door 140 is opened, the substrate 10 may be loaded into the chamber 100 using a substrate loading device (not shown) such as a transfer arm. Meanwhile, after the heat treatment is completed, the substrate 10 may be unloaded from the chamber 100 through the door 140. The material of the door 140 is preferably stainless steel, but is not necessarily limited thereto.

챔버(100)의 상측에는 챔버(100)의 내부에 설치되는, 예를 들어 보트(120), 가스 공급관(300) 및 가스 배출관(320) 등의 수리 및 교체를 위하여 커버(160)가 개폐 가능하도록 설치된다. 커버(140)의 재질은 석영인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The cover 160 may be opened and closed on the upper side of the chamber 100 for repair and replacement of the boat 120, the gas supply pipe 300, and the gas discharge pipe 320, for example. To be installed. The material of the cover 140 is preferably quartz, but is not necessarily limited thereto.

챔버(100)의 내부에는 기판(10)을 직접 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과, 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)과, 열처리가 종료된 후 챔버(100) 내부를 신속하게 냉각시키기 위한 냉각관(400)이 설치된다. Inside the chamber 100, a main heater unit 200 for directly heating the substrate 10, an auxiliary heater unit 220 for preventing heat loss inside the chamber 100, and a chamber after heat treatment is completed. Cooling pipe 400 for quickly cooling the inside 100 is installed.

도 3을 참조하면, 메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 단변 방향과 평행하게 일정한 간격을 가지면서 단위 메인 히터(210)를 포함한다. 단위 메인 히터(210)는 통상적인 길이가 긴 원통형의 히터로서 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있고 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시키는 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위체이다. 본 실시예에서 메인 히터 유닛(200)은 14개의 단위 메인 히터(210)로 구성되어 있으나, 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위 메인 히터(210)의 개수는 챔버(100)에 로딩되는 기판(10)의 크기에 따라 다양하게 변경될 수 있다. Referring to FIG. 3, the main heater unit 200 includes a unit main heater 210 having a predetermined interval in parallel with the short side direction of the substrate 10. The unit main heater 210 is a conventional cylindrical heater having a long length, and the heating element is inserted into the quartz tube and constitutes a main heater unit 200 that generates heat by receiving external power through terminals installed at both ends. It is a unit. In the present exemplary embodiment, the main heater unit 200 includes 14 unit main heaters 210, but the number of unit main heaters 210 constituting the main heater unit 200 is loaded in the chamber 100. It may be variously changed according to the size of (10).

메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 복수개가 배치된다. 기판(10)은 복수개의 메인 히터 유닛(200) 사이에 배치된다. 본 실시예에서는 3개의 기판(10)이 4개의 메인 히터 유닛(200)의 사이에 배치되는 것으로 구성되어 있으나, 메인 히터 유닛(200)의 개수는 챔버(100)에 로딩되는 기판(10)의 개수에 따라 다양하게 변경될 수 있다. A plurality of main heater units 200 are disposed at regular intervals along the stacking direction of the substrate 10. The substrate 10 is disposed between the plurality of main heater units 200. In the present embodiment, three substrates 10 are configured to be disposed between four main heater units 200, but the number of main heater units 200 is the number of substrates 10 loaded in the chamber 100. It may vary depending on the number.

기판(10)은 메인 히터 유닛(200) 사이의 중앙에 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 기판(10)과 메인 히터 유닛(200) 사이는 챔버(100)에 기판(10)을 로딩할 때 기판 이송 장치의 트랜스퍼 암의 거동에 방해가 되지 않을 정도로 이격되어 있는 것이 바람직하다. The substrate 10 is preferably disposed at the center between the main heater units 200. In addition, the substrate 10 and the main heater unit 200 are preferably spaced apart from each other so as not to interfere with the behavior of the transfer arm of the substrate transfer device when loading the substrate 10 into the chamber 100.

이와 같이, 배치식 열처리 장치(10)에는 기판(10)의 상부 및 하부에 기판(10)의 전면적을 커버할 수 있는 14개의 단위 메인 히터(210)로 구성되는 메인 히터 유닛(200)이 설치됨으로써, 기판(10)은 28개의 단위 메인 히터로(210)로부터 전면적에 걸쳐서 균일하게 열을 인가 받아 열처리가 균일하게 이루어질 수 있다. In this way, the batch type heat treatment apparatus 10 is provided with a main heater unit 200 composed of 14 unit main heaters 210 that can cover the entire area of the substrate 10 on the upper and lower portions of the substrate 10. As a result, the substrate 10 may be uniformly heat-treated by uniformly applying heat over the entire area from the 28 unit main heaters 210.

또한, 도 3을 참조하면, 보조 히터 유닛(220)은 기판(10)의 단변 방향을 따라 평행하게 배치되는 제1 보조 히터 유닛(220a)과 기판(10)의 장변 방향을 따라 배치되는 제2 보조 히터 유닛(220b)을 포함한다. In addition, referring to FIG. 3, the auxiliary heater unit 220 is disposed along the long side direction of the first auxiliary heater unit 220a and the substrate 10 in parallel along the short side direction of the substrate 10. Auxiliary heater unit 220b is included.

제1 보조 히터 유닛(220a)은 메인 히터 유닛(200)의 양측에 단위 메인 히터(210)와 평행하게 배치되는 복수개의 제1 단위 보조 히터(230a)를 포함한다. 본 실시예에서 제1 보조 히터 유닛(220a)은 메인 히터 유닛(210)과 같은 열(row)을 이룰 수 있도록 4개의 메인 히터 유닛(210)의 양측에 1개씩 모두 8개의 제1 단위 보조 히터(230a)로 구성되어 있으나, 제1 보조 히터 유닛(220a)을 구성하는 제1 단위 보조 히터(230a)의 개수는 챔버(100)에 설치되는 메인 히터 유닛(200)의 개수에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 한편, 본 발명에서 보조 히터 유닛의 설치 효과를 더 높이기 위하여 제1 보조 히터 유닛(220a)은 4개의 메인 히터 유닛(210)의 양측에 2개씩 배치되는 모두 16개의 제1 단위 보조 히터(230a)로 구성될 수도 있다.The first auxiliary heater unit 220a includes a plurality of first unit auxiliary heaters 230a disposed at both sides of the main heater unit 200 in parallel with the unit main heater 210. In the present embodiment, the first auxiliary heater unit 220a includes eight first unit auxiliary heaters, one on each side of the four main heater units 210 so as to form the same row as the main heater unit 210. Although it is configured as 230a, the number of first unit auxiliary heaters 230a constituting the first auxiliary heater unit 220a is variously changed according to the number of main heater units 200 installed in the chamber 100. Can be. On the other hand, in order to further enhance the installation effect of the auxiliary heater unit in the present invention, the first auxiliary heater unit 220a is all 16 first unit auxiliary heaters 230a which are all disposed on both sides of the four main heater units 210. It may be configured as.

제2 보조 히터 유닛(220b)은 메인 히터 유닛(200)의 양측에 단위 메인 히터(210)와 수직으로 배치되는 복수개의 제2 단위 보조 히터(230b)를 포함한다. 본 실시예에서 메인 히터 유닛(200)이 제2 보조 히터 유닛(220b)을 구성하는 복수개의 제2 단위 보조 히터(230b)의 사이에 배치되도록 제2 보조 히터 유닛(220b)은 4개의 메인 히터 유닛(210)의 양측에 1개씩 배치되는 모두 10개의 제2 단위 보조 히터(230b)로 구성되어 있으나, 제2 보조 히터 유닛(220b)을 구성하는 제2 단위 보조 히터(230b)의 개수는 챔버(100)에 설치되는 메인 히터 유닛(200)의 개수에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 메인 히터 유닛(200)은 제2 보조 히터 유닛(220b) 사이의 중앙에 배치하는 것이 바람직하다.The second auxiliary heater unit 220b includes a plurality of second unit auxiliary heaters 230b disposed on both sides of the main heater unit 200 to be perpendicular to the unit main heater 210. In the present embodiment, the second auxiliary heater unit 220b includes four main heaters such that the main heater unit 200 is disposed between the plurality of second unit auxiliary heaters 230b constituting the second auxiliary heater unit 220b. The second unit auxiliary heater 230b constituting the second auxiliary heater unit 220b includes 10 second unit heaters 230b which are all disposed one by one on both sides of the unit 210. It may be variously changed according to the number of the main heater unit 200 installed in the (100). The main heater unit 200 is preferably disposed at the center between the second auxiliary heater units 220b.

제1 단위 보조 히터(230a)와 제2 단위 보조 히터(230b)는 전술한 바와 같은 단위 메인 히터(210)와 동일한 통상적인 길이가 긴 원통형의 히터를 사용하는 것이 바람직하다.As the first unit auxiliary heater 230a and the second unit auxiliary heater 230b, it is preferable to use a cylindrical heater having the same general length as the unit main heater 210 as described above.

이와 같이, 배치식 열처리 장치(10)에는 메인 히터 유닛(200)의 4 외주부에 8개의 제1 단위 보조 히터(230a)로 구성되는 제1 보조 히터 유닛(220a)과 10개의 제2 단위 보조 히터(230b)로 구성되는 제2 보조 히터 유닛(220b)이 설치됨으로써, 메인 히터 유닛(200)의 4 외주부는 18개의 단위 보조 히터(230a, 230b)로부터 열을 인가 받아 메인 히터 유닛(200)의 4 외주부가 외부 환경과 접함으로써 불가피하게 발생하는 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지할 수 있다.As described above, the batch type heat treatment apparatus 10 includes a first auxiliary heater unit 220a and ten second unit auxiliary heaters configured of eight first unit auxiliary heaters 230a at four outer circumferences of the main heater unit 200. Since the second auxiliary heater unit 220b including the 230b is installed, four outer peripheral parts of the main heater unit 200 receive heat from 18 unit auxiliary heaters 230a and 230b to prevent the main heater unit 200. 4 The outer circumferential portion can be in contact with the external environment to prevent heat loss inside the chamber 100 inevitably occurring.

상술한 바와 같은 배치식 열처리 장치(1)에서 기판(10), 메인 히터 유닛(200) 및 보조 히터 유닛(220)의 배치 상태를 도 4에 나타내었다. 다만 도 4에서는 제1 단위 보조 히터(230a)가 4개의 메인 히터 유닛(210)의 양측에 2개씩 배치되는 경우를 나타내고 있다.The arrangement of the substrate 10, the main heater unit 200, and the auxiliary heater unit 220 in the batch heat treatment apparatus 1 as described above is illustrated in FIG. 4. 4 illustrates a case where two first unit auxiliary heaters 230a are disposed at both sides of the four main heater units 210.

또한, 도 3을 참조하면, 냉각관(400)은 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위 메인 히터(210) 사이마다 배치된다. 본 실시예에서 냉각관(400)은 4 개의 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 56개의 단위 메인 히터(210)의 사이마다 모두 52개가 설치되는 것으로 되어 있으나, 냉각관(400)의 개수는 챔버(100)에 설치되는 메인 히터 유닛(200) 및 단위 메인 히터(210)의 개수에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 냉각관(400)은 반드시 단위 메인 히터(210) 사이마다 배치될 필요는 없으며 챔버(100)의 내부를 적절하게 냉각시킬 수만 있다면 일부 단위 메인 히터(210)의 사이에는 냉각관(400)의 설치를 생략할 수도 있다.In addition, referring to FIG. 3, the cooling pipe 400 is disposed between the unit main heaters 210 constituting the main heater unit 200. In the present exemplary embodiment, 52 cooling tubes 400 are installed between each of the 56 unit main heaters 210 constituting the four main heater units 200, but the number of the cooling tubes 400 is the chamber. According to the number of the main heater unit 200 and the unit main heater 210 installed in the 100 may be variously changed. In addition, the cooling tube 400 does not necessarily need to be disposed between the unit main heaters 210, and the cooling tube 400 may be disposed between some unit main heaters 210 if the inside of the chamber 100 is properly cooled. You can also omit the installation of.

이와 같이, 배치식 열처리 장치(1)에는 냉각관(400)이 설치됨으로써, 챔버(100) 내부의 열이 냉각관(400)을 통하여 챔버(100) 외부로 전도되어 열처리 종료 후 챔버(100) 내부를 신속하게 냉각시킬 수 있다. 열처리 종료 후 챔버(100) 내부가 소정의 온도 이하로 냉각되어야 기판(10)의 언로딩 작업이 진행될 수 있기 때문에 냉각관(400)의 작동으로 챔버(100)의 내부를 신속하게 냉각시킬 수 있다면 평판 디스플레이 및 태양전지의 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.As such, since the cooling tube 400 is installed in the batch-type heat treatment apparatus 1, the heat in the chamber 100 is conducted to the outside of the chamber 100 through the cooling tube 400, and the chamber 100 after the heat treatment is finished. The interior can be cooled quickly. If the interior of the chamber 100 can be rapidly cooled by the operation of the cooling pipe 400 since the inside of the chamber 100 may be cooled to a temperature lower than a predetermined temperature after the end of the heat treatment. The productivity of flat panel displays and solar cells can be greatly improved.

냉각관(400)의 재질은 열전도율이 높은 구리, 스테인레스 스틸인 것이 바람직하다. 냉각관(400)의 내부로 냉각용 가스 또는 냉각용 액체가 공급된다. 냉각용 가스로는 공기, 헬륨, 질소, 아르곤을 사용할 수 있다. 냉각용 액체로는 물을 사용할 수 있다. 냉각용 가스 또는 냉각용 액체의 온도는 대략 상온인 것이 바람직하나 필요에 따라서는 상온 미만의 온도로 냉각된 가스나 액체를 사용할 수도 있다.The material of the cooling tube 400 is preferably copper and stainless steel having high thermal conductivity. The cooling gas or the cooling liquid is supplied into the cooling tube 400. As the cooling gas, air, helium, nitrogen, argon may be used. Water may be used as the cooling liquid. Although the temperature of the cooling gas or the cooling liquid is preferably about room temperature, a gas or liquid cooled to a temperature below the normal temperature may be used, if necessary.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치(1)의 보트(120)의 구성을 나타내는 사시도이다.5 is a perspective view showing the configuration of the boat 120 of the batch heat treatment apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 챔버(100)의 내부에는 챔버(100)로 로딩된 기판(10)을 지지하기 위한 복수개의 보트(120)가 설치되어 있다. 보트(120)는 기판(10)의 장변측을 지지하도록 설치되는 것이 바람직하다. 본 실시예에서 보트(120)는 기판(10)의 양 장변측에 3개씩 모두 6개가 설치되어 있으나, 기판(10)의 안정적인 지지를 위하여 그 이상의 개수로 설치될 수도 있으며 기판(120)의 크기에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 보트(120)의 재질은 석영인 것이 바람직하다.Referring to FIG. 5, a plurality of boats 120 are installed in the chamber 100 to support the substrate 10 loaded into the chamber 100. The boat 120 is preferably installed to support the long side of the substrate 10. In this embodiment, six boats 120 are installed on both sides of the board 10, respectively, three of them are provided. However, the boat 120 may be installed in a larger number than the boat 10 in order to stably support the substrate 10. It can be changed in various ways. The boat 120 is preferably made of quartz.

또한, 도 5를 참조하면, 기판(10)은 홀더(12)에 탑재된 상태로 보트(120)에 로딩되는 것이 바람직하다. 열처리 과정 중에 열처리 온도가 글래스 기판의 연화(softening) 온도에 도달하면 기판 자체의 무게 때문에 기판의 아래 방향으로의 휨 현상이 발생하는데, 특히 이러한 휨 현상은 기판이 대면적화 됨에 따라 더 큰 문제가 된다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기판(10)을 홀더(12)에 탑재한 상태로 열처리를 진행한다.In addition, referring to FIG. 5, the substrate 10 may be loaded in the boat 120 in a state in which the substrate 10 is mounted on the holder 12. When the heat treatment temperature reaches the softening temperature of the glass substrate during the heat treatment process, a warping phenomenon occurs in the downward direction of the substrate due to the weight of the substrate itself. In particular, this warping phenomenon becomes a bigger problem as the substrate becomes larger. . In order to solve this problem, heat treatment is performed while the substrate 10 is mounted on the holder 12.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치(1)의 가스 공급관(300)과 가스 배출관(320)의 구성을 나타내는 사시도이다. 도 7은 도 6의 가스 공급관(300)의 동작 상태를 나타내는 도면이다.6 is a perspective view showing the configuration of the gas supply pipe 300 and the gas discharge pipe 320 of the batch heat treatment apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. 7 is a view illustrating an operating state of the gas supply pipe 300 of FIG. 6.

도시한 바와 같이, 챔버(100)에는 열처리 분위기를 조성하기 위한 분위기 가스를 챔버(100) 내부에 공급하기 위하여 분위기 가스를 배출하는 제1 가스 구멍(310)이 복수개로 형성된 봉 형태의 가스 공급관(300)과, 열처리 분위기 조성에 사용된 폐가스가 유입되는 제2 가스 구멍(미도시)이 복수개로 형성된 봉 형태의 가스 배출관(320)이 각각 복수개로 설치된다. 가스 공급관(300)과 가스 배출관(320)은 기판(10)의 장변측에 대향하여 설치하는 것이 바람직하다. 열처리 분위기 조성용 가스는 질소, 아르곤 등을 사용한다.As shown, the chamber 100 has a rod-shaped gas supply pipe having a plurality of first gas holes 310 for discharging the atmosphere gas in order to supply the atmosphere gas for forming the heat treatment atmosphere into the chamber 100. 300 and a plurality of rod-shaped gas discharge pipes 320 each including a plurality of second gas holes (not shown) through which waste gas used in the heat treatment atmosphere is introduced are provided. The gas supply pipe 300 and the gas discharge pipe 320 are preferably provided to face the long side of the substrate 10. Nitrogen, argon, etc. are used for the heat processing atmosphere composition gas.

본 실시예에서 가스 공급관(300)과 가스 회수관(320)은 각각 4개씩 설치되는 것으로 되어 있으나, 가스 공급관(300)과 가스 회수관(320)의 개수는 기판(10)의 크기에 따라 다양하게 변경될 수 있다.In this embodiment, four gas supply pipes 300 and four gas recovery pipes 320 are installed, but the number of the gas supply pipes 300 and the gas recovery pipes 320 varies depending on the size of the substrate 10. Can be changed.

가스 공급관(300)에 형성되는 제1 가스 구멍(310)의 위치는 분사되는 분위기 가스가 기판(10)에 바로 접촉할 수 있도록 가능한 기판(10)에 근접하도록 한다. 따라서, 제1 가스 구멍(310)의 개수는 챔버(100)에 로딩되는 기판(10)의 개수와 동일하게 하는 것이 바람직하다. 가스 배출관(320)에 형성되는 제2 가스 구멍(320) 도 마찬가지이다.The position of the first gas hole 310 formed in the gas supply pipe 300 may be as close to the substrate 10 as possible so that the injected atmospheric gas may directly contact the substrate 10. Therefore, the number of first gas holes 310 is preferably equal to the number of substrates 10 loaded in the chamber 100. The same applies to the second gas hole 320 formed in the gas discharge pipe 320.

도 8a와 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치(1)의 단위 메인 히터(210)의 배열 상태를 나타내는 도면이다. 본 발명에서는 필요에 따라 메인 히터 유닛(200)간의 단위 메인 히터(210)의 배열을 다양하게 변경할 수 있다.8A and 8B are views illustrating an arrangement state of the unit main heaters 210 of the batch heat treatment apparatus 1 according to an exemplary embodiment of the present invention. In the present invention, the arrangement of the unit main heaters 210 between the main heater units 200 may be variously changed as necessary.

도 8a는 도 2와 도 3를 참조하여 설명한 본 실시예에서 채택하고 있는 메인 히터 유닛(200)간의 단위 메인 히터(210)의 배열 상태를 나타내는 도면이다. 도시한 바와 같이, 어느 하나의 메인 히터 유닛(200a)을 구성하는 단위 메인 히터(210)는 해당 메인 히터 유닛(200a)과 이웃하고 있는 메인 히터 유닛(200b)을 구성하는 단위 메인 히터(210)와 정렬되게 배치될 수 있다.FIG. 8A is a diagram illustrating an arrangement state of the unit main heaters 210 between the main heater units 200 employed in the present embodiment described with reference to FIGS. 2 and 3. As illustrated, the unit main heater 210 constituting any one main heater unit 200a is the unit main heater 210 constituting the main heater unit 200b adjacent to the main heater unit 200a. It may be arranged to be aligned with.

한편, 도 8b를 참조하면, 어느 하나의 메인 히터 유닛(200a)을 구성하는 단위 메인 히터(210)는 해당 메인 히터 유닛(200a)과 이웃하고 있는 메인 히터 유닛(200b)을 구성하는 단위 메인 히터(210)와 어긋나게 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 8b에서, 메인 히터 유닛(200a)을 구성하는 단위 메인 히터(210)는 메인 히터 유닛(200b)를 구성하는 단위 메인 히터(210) 사이의 중간 위치에 정렬되어 있다. 도 8b에서와 같이 메인 히터 유닛(200)간의 단위 메인 히터(210)의 배열 상태를 변경함으로써 챔버(100)에 로딩된 기판(10)의 전면적에 걸쳐 열처리가 보다 균일하게 이루어질 수 있다.Meanwhile, referring to FIG. 8B, a unit main heater constituting any one main heater unit 200a may include a unit main heater constituting a main heater unit 200b adjacent to the corresponding main heater unit 200a. It may be disposed to deviate from 210. For example, in FIG. 8B, the unit main heater 210 constituting the main heater unit 200a is aligned at an intermediate position between the unit main heaters 210 constituting the main heater unit 200b. As shown in FIG. 8B, the heat treatment may be more uniformly performed over the entire area of the substrate 10 loaded in the chamber 100 by changing the arrangement state of the unit main heaters 210 between the main heater units 200.

이하 본 발명에 따른 배치식 열처리 장치(1)의 동작을 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, the operation of the batch heat treatment apparatus 1 according to the present invention will be described with reference to the drawings.

먼저, 도 2에서와 같이, 작업자는 챔버(100)의 일측에 설치된 도어(140)를 하부로 이동시켜 개방한다. First, as shown in Figure 2, the operator moves the door 140 installed on one side of the chamber 100 to the lower side to open.

이후, 기판 이송 장치의 트랜스퍼 암(미도시)의 상부면에 기판(10)을 홀더(12)에 탑재한 상태로 안착시키고, 트랜스퍼 암을 이동시켜서 챔버(100) 내부로 기판을 로딩한다. Subsequently, the substrate 10 is mounted on the upper surface of the transfer arm (not shown) of the substrate transfer apparatus while being mounted on the holder 12, and the transfer arm is moved to load the substrate into the chamber 100.

챔버(100) 내부로 로딩되는 기판(10)은 도 5에 도시한 바와 같이 챔버(100) 내부에 설치되어 있는 보트(120)에 차례로 적층된다. 본 실시예에서는 3개의 기판(10)이 보트(120)에 적층된다.The substrate 10 loaded into the chamber 100 is sequentially stacked on the boat 120 installed inside the chamber 100 as shown in FIG. 5. In this embodiment, three substrates 10 are stacked on the boat 120.

이후, 보트(120)에 기판(10)의 적층이 완료되면 도어(140)를 상부로 이동시켜 챔버(100)의 내부를 외부 환경과 격리시킨 후 메인 히터 유닛(200)에 전원을 인가하여 기판(10)에 대한 열처리가 진행될 수 있도록 한다. Subsequently, when the stacking of the substrate 10 is completed on the boat 120, the door 140 is moved upward to isolate the inside of the chamber 100 from the external environment, and then the power is applied to the main heater unit 200. Allow heat treatment for (10) to proceed.

챔버(100)에 설치되어 있는 4개의 메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 상부와 하부에 소정 거리만큼 이격된 위치에 설치되어 있고, 각 메인 히터 유닛(200)은 일정 간격을 가지면서 배치되는 14개의 단위 메인 히터(210)로 이루어져 있어서, 기판(10)의 전면적에 걸쳐 균일하게 열이 인가되어 균일한 열처리가 진행되도록 한다. Four main heater units 200 installed in the chamber 100 are installed at positions spaced apart by a predetermined distance from the upper and lower portions of the substrate 10, and each main heater unit 200 has a predetermined interval 14 unit main heaters 210 are arranged, the heat is uniformly applied over the entire surface of the substrate 10 to perform a uniform heat treatment.

한편, 메인 히터 유닛(200)의 4 외주부에 설치된 제1 보조 히터 유닛(220a)과 제2 보조 히터 유닛(220b)을 작동시켜서 열처리 공정의 진행 중에 발생할 수 있는 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지한다. 이로써 기판(10)의 전면적에 걸쳐 보다 균일한 열처리가 이루어질 수 있다.Meanwhile, the first auxiliary heater unit 220a and the second auxiliary heater unit 220b installed at four outer circumferences of the main heater unit 200 are operated to reduce heat loss inside the chamber 100 that may occur during the heat treatment process. prevent. As a result, a more uniform heat treatment may be performed over the entire surface of the substrate 10.

실제로 열처리를 진행하기 전에 챔버(100) 내부를 열처리 분위기로 조성한 다. 이를 위하여 가스 공급관(300)을 통해 챔버(100) 내부로 질소 또는 아르곤과 같은 분위기 가스를 공급한다. 열처리 분위기 조성에 사용된 폐가스는 가스 공급관(320)과 대향하여 설치되어 있는 가스 배출관(320)을 통하여 챔버(100) 외부로 배출된다. Before actually performing the heat treatment, the inside of the chamber 100 is formed in a heat treatment atmosphere. To this end, an atmosphere gas such as nitrogen or argon is supplied into the chamber 100 through the gas supply pipe 300. The waste gas used for the heat treatment atmosphere composition is discharged to the outside of the chamber 100 through the gas discharge pipe 320 which is installed to face the gas supply pipe 320.

열처리 과정이 완료되면 챔버(100) 내부를 신속하게 냉각시킨다. 이를 위하여 냉각관(400)을 통해 챔버(100) 내부로 헬륨, 질소, 아르곤과 같은 냉각용 가스가 흐르도록 한다. 냉각용 가스는 챔버(100) 내부를 관통하여 흐르면서 챔버(100) 내부의 열을 빼앗아 챔버(100) 내부의 온도를 급격하게 하강시킨다. 이로써, 열처리 공정이 완료된 후 이른 시간 내에 기판(10)의 언로딩 작업을 진행할 수 있어서 열처리 공정의 생산성이 향상된다.When the heat treatment process is complete, the chamber 100 is cooled quickly. To this end, a cooling gas such as helium, nitrogen, and argon flows into the chamber 100 through the cooling tube 400. The cooling gas flows through the inside of the chamber 100 and takes heat from the inside of the chamber 100 to drastically lower the temperature inside the chamber 100. Thereby, unloading of the board | substrate 10 can be performed within the early time after a heat processing process is completed, and productivity of a heat processing process improves.

끝으로, 챔버(100) 내부의 온도가 적정 수준으로 하강하면, 도어(140)를 개방한 후 트랜스퍼 암을 이용하여 챔버(100)에서 기판(10)을 언로딩하여 열처리 공정이 최종 완료된다.Finally, when the temperature inside the chamber 100 drops to an appropriate level, the heat treatment process is finally completed by opening the door 140 and unloading the substrate 10 from the chamber 100 using a transfer arm.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken in conjunction with the present invention. Variations and changes are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the invention and the appended claims.

도 1은 종래의 배치식 열처리 장치의 구성을 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a conventional batch heat treatment apparatus.

도 2 및 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 나타내는 사시도.2 and 3 are perspective views showing the configuration of a batch heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 나타내는 사시도.Figure 4 is a perspective view showing the arrangement of the substrate, the main heater unit and the auxiliary heater unit of the batch heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치의 보트의 구성을 나타내는 사시도.Figure 5 is a perspective view showing the configuration of the boat of the batch heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치의 가스 공급관과 가스 배출관의 구성을 나타내는 사시도.Figure 6 is a perspective view showing the configuration of the gas supply pipe and the gas discharge pipe of the batch heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 7은 도 6의 가스 공급관의 동작 상태를 나타내는 도면.FIG. 7 is a view showing an operating state of the gas supply pipe of FIG. 6. FIG.

도 8a와 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 열처리 장치의 단위 메인 히터의 배열 상태를 나타내는 도면. 8A and 8B are views illustrating an arrangement state of unit main heaters of a batch heat treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 열처리 장치 1: heat treatment device

10: 기판10: Substrate

12: 홀더12: holder

100: 챔버100: chamber

120: 보트 120: boat

140: 도어140: door

160: 커버160: cover

200: 메인 히터 유닛200: main heater unit

210: 단위 메인 히터210: unit main heater

220: 보조 히터 유닛220: auxiliary heater unit

220a: 제1 보조 히터 유닛220a: first auxiliary heater unit

220b: 제2 보조 히터 유닛220b: second auxiliary heater unit

230a: 제1 단위 보조 히터230a: first unit auxiliary heater

230b: 제2 단위 보조 히터230b: second unit auxiliary heater

300: 가스 공급관300: gas supply pipe

320: 가스 배출관320: gas discharge pipe

400: 냉각관400: cooling tube

Claims

delete

A batch heat treatment apparatus capable of simultaneously heat treating a plurality of substrates,

A chamber providing a heat treatment space for the plurality of substrates;

A boat on which the plurality of substrates are loaded and supported; And

A plurality of main heater units disposed at regular intervals along the stacking direction of the substrate, wherein the main heater units include a plurality of unit main heaters;

Including,

And the substrate is disposed between the plurality of main heater units.

The method of claim 2,

And the substrate is loaded into the boat while seated on a substrate holder.

The method of claim 2,

And the plurality of unit main heaters are disposed to have a predetermined interval parallel to the short side direction of the substrate.

The method of claim 2,

The unit main heater of any of the main heater unit is disposed in alignment with the unit main heater of the nearest main heater unit of the any of the main heater unit batch heat treatment apparatus.

The method of claim 2,

The unit main heater of any of the main heater units is disposed in a manner different from the unit main heater of the nearest main heater unit of the any of the main heater unit batch heat treatment apparatus.

The method of claim 2,

And a plurality of auxiliary heater units for preventing heat loss inside the chamber.

The method of claim 7, wherein

The plurality of auxiliary heater units includes a first auxiliary heater unit disposed in parallel with the short side direction of the substrate and a second auxiliary heater unit disposed in parallel with the long side direction of the substrate.

The method of claim 8,

The first auxiliary heater unit includes a plurality of first unit auxiliary heaters disposed on both sides of the main heater unit in parallel with the unit main heater, and the second auxiliary heater unit includes the units on both sides of the main heater unit. And a plurality of second unit auxiliary heaters disposed perpendicularly to the main heater.

The method of claim 2,

The batch heat treatment apparatus further comprises a plurality of cooling tubes for cooling the inside of the chamber.

The method of claim 10,

The cooling tube is a batch heat treatment apparatus, characterized in that disposed between the plurality of unit main heaters along the short side direction of the substrate.

The method of claim 10,

Cooling gas flows into the cooling tube and the cooling tube is a batch heat treatment apparatus, characterized in that made of copper or stainless steel.

The method of claim 2,

And a gas supply unit for supplying a process gas into the chamber and a gas discharge unit for discharging waste gas from the inside of the chamber.

The method of claim 13,

The gas supply part includes a gas supply pipe in which a plurality of first gas holes through which process gas flows is formed, and the gas discharge part includes a gas discharge pipe in which a plurality of second gas holes into which waste gas is introduced is formed. Batch heat treatment apparatus characterized in that.

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