KR20150139090A - Improved Heat Treatment Chamber of Substrates and Heat Treatment Apparatus Having the Same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 개선된 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an improved substrate heat treatment chamber and a substrate heat treatment apparatus having the same.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 복수의 상부 램프 히터를 구비한 기판 열처리 챔버 몸체의 상부 및 하부에 상부 히터 하우징 및 복수의 하부 램프 히터를 구비한 하부 히터 하우징이 일체로 장착되고, 열처리 챔버 몸체 내부의 열처리 공간 내에서 2개 이상의 복수개의 기판이 제공되어 열처리가 이루어짐으로써, 기판의 열처리 효율이 2배 이상 증가하고, 특히 복수의 히터 하우징 내의 복수의 램프 히터 중 일부에 고장이 발생할 경우 고장난 램프 히터의 교체가 매우 용이하여 전체 장비의 설치 및 유지 보수 시간 및 비용이 크게 감소되는 기판 열처리 챔버, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.More specifically, the present invention relates to a method of manufacturing a heat treatment chamber, which includes a lower heater housing having an upper heater housing and a plurality of lower lamp heaters mounted integrally on upper and lower portions of a substrate heat treatment chamber body having a plurality of upper lamp heaters, The heat treatment efficiency of the substrate is increased more than two times by providing two or more substrates in the heat treatment space of the heater housing, and in particular, when a failure occurs in a part of a plurality of lamp heaters in a plurality of heater housings, To a substrate heat treatment chamber in which the installation and maintenance time and cost of the entire equipment are greatly reduced, and a substrate heat treatment apparatus having the same.
또한, 본 발명은 상술한 특징 이외에 기판이 지지되는 보트의 프레임을 구성하는 하나 이상의 크로스 바가 가스 급기관을 형성하도록 제공하고, 최상부 기판 상에는 별도의 상부 가스 급기관을 제공하며, 가스 배기 장치는 챔버의 측면 상에 제공함으로써, 특히 기판 상의 가스 흐름 길이가 1/2 이하로 줄어들고, 그에 따라 기판의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포의 형성이 가능하여 궁극적으로 대면적 기판의 제조 및 기판의 양산이 가능한 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.Further, the present invention provides, in addition to the above-mentioned features, at least one crossbar constituting a frame of a boat on which a substrate is supported to form a gas-feeding tube, and a separate upper gas-supplying tube is provided on the uppermost substrate, In particular, the gas flow length on the substrate is reduced to less than 1/2 and thus the uniform gas flow and pressure distribution can be formed on the entire surface of the substrate, which ultimately leads to the production of large area substrates To a substrate heat treatment chamber capable of mass production of a substrate and a substrate heat treatment apparatus having the same.
반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 어닐링(annealing) 장치는 실리콘 웨이퍼, 글래스, 또는 플라스틱 기판과 같은 플렉시블 기판(이하 통칭하여 "기판"이라 함) 상에 증착되어 있는 소정의 필름(유기물 및 무기물)에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리를 수행하는 장치이다.An annealing apparatus used for manufacturing semiconductors, flat panel displays and solar cells can be applied to a predetermined film (organic material and / or organic material) deposited on a flexible substrate (hereinafter collectively referred to as "substrate") such as a silicon wafer, Inorganic substance), which is necessary for a process such as crystallization and phase change.
대표적인 어닐링 장치로는 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우 글래스 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다.A typical annealing apparatus is a silicon crystallization apparatus for crystallizing amorphous silicon deposited on a glass substrate into polysilicon when a liquid crystal display or a thin film crystalline silicon solar cell is manufactured.
이와 같은 결정화 공정(열처리 공정)을 수행하기 위해서는 소정의 박막 필름(이하 "필름"이라 함)이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능한 열처리 장치가 있어야 한다. 예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화를 위해서는 최소한 550 내지 600℃의 온도가 필요하다.In order to perform such a crystallization process (heat treatment process), a heat treatment apparatus capable of heating a substrate on which a predetermined thin film (hereinafter referred to as "film") is formed must be provided. For example, for crystallization of amorphous silicon, a temperature of at least 550 to 600 DEG C is required.
통상적으로 열처리 장치에는 하나의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 매엽식과 복수의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 배치식이 있다. 매엽식은 장치의 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어서 최근의 대량 생산용으로는 배치식이 각광을 받고 있다.Generally, a heat treatment apparatus includes a single-wafer type in which heat treatment can be performed on one substrate, and a batch type in which heat treatment can be performed on a plurality of substrates. There is a merit of simple configuration of the apparatus, but there is a disadvantage that the productivity is low, and the batch formula is getting popular for the mass production in recent years.
도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이고, 도 2a는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이며, 도 2b는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다. 이러한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치는 예를 들어, 허판선 등에 의해 2008년 7월 16일자에 "배치식 열처리 장치"라는 발명의 명칭으로 대한민국 특허출원 제10-2008-0069329호로 출원된 후, 2011년 2월 11일자로 등록된 대한민국 특허 제10-1016048호에 상세히 기술되어 있다.FIG. 1 is a perspective view showing a configuration of a batch type heat treatment apparatus according to the prior art, FIG. 2 (a) is a perspective view showing a configuration of a chamber of a batch type heat treatment apparatus according to the prior art shown in FIG. 1, Fig. 5 is a perspective view showing the arrangement of the substrate, the main heater unit, and the auxiliary heater unit of the batch type heat treatment apparatus according to the first embodiment. Such a batch heat treatment apparatus according to the prior art is applied, for example, by Korean Patent Application No. 10-2008-0069329, entitled " Batch Heat Treatment Apparatus "filed on July 16, 2008, Are described in detail in Korean Patent No. 10-1016048, filed on February 11,
도 1 내지 도 2b를 참조하면, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 열처리 공간을 제공하는 직육면체 형상의 챔버(100)와, 챔버(100)를 지지하는 프레임(110)을 포함하여 구성된다.1 to 2B, a batch type
챔버(100)의 일측에는 챔버(100)에 기판(10)을 로딩하기 위하여 상하 방향으로 개폐되는 도어(140)가 설치된다. 도어(140)가 개방된 상태에서 트랜스퍼 암과 같은 기판 로딩 장치(미도시)를 이용하여 기판(10)을 챔버(100)로 로딩할 수 있다. 한편, 열처리가 종료된 후 도어(140)를 통하여 챔버(100)로부터 기판(10)을 언로딩할 수도 있다.A
챔버(100)의 상측에는 챔버(100)의 내부에 설치되는, 예를 들어 보트(120), 가스 공급관(300) 및 가스 배출관(320) 등의 수리 및 교체를 위하여 커버(160)가 개폐 가능하도록 설치된다.A
챔버(100)의 내부에는 기판(10)을 직접 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과, 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)과, 열처리가 종료된 후 챔버(100) 내부를 신속하게 냉각시키기 위한 냉각관(250)이 설치된다.A
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 단변 방향과 평행하게 일정한 간격을 가지면서 단위 메인 히터(210)를 포함한다. 단위 메인 히터(210)는 통상적인 길이가 긴 원통형의 히터로서 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있고 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시키는 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위체이다.Referring to FIGS. 2A and 2B, the
메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 복수개가 배치된다. 기판(10)은 복수의 메인 히터 유닛(200) 사이에 배치된다. 기판(10)은 메인 히터 유닛(200) 사이의 중앙에 배치하는 것이 바람직하다.A plurality of
상술한 바와 같이 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 기판(10)의 복수의에 기판(10)의 전면적을 커버할 수 있는 단위 메인 히터(210)로 구성되는 메인 히터 유닛(200)이 설치됨으로써, 기판(10)은 단위 메인 히터(210)로부터 전면적에 걸쳐서 열을 인가받아 열처리가 이루어질 수 있다.As described above, in the batch type
또한, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 보조 히터 유닛(220)은 기판(10)의 단변 방향을 따라 평행하게 배치되는 제1 보조 히터 유닛(220a)과 기판(10)의 장변 방향을 따라 배치되는 제2 보조 히터 유닛(220b)을 포함한다. 제1 보조 히터 유닛(220a)은 메인 히터 유닛(200)의 양측에 단위 메인 히터(210)와 평행하게 배치되는 복수의 제1 단위 보조 히터(230a)를 포함한다.2A and 2B, the auxiliary heater unit 220 includes a first
상술한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 메인 히터 유닛(200) 사이에 기판(10)이 하나씩만 적층되므로 기판(10)의 열처리 효율이 떨어진다는 문제가 발생한다.In the batch type
또한, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 챔버(100)가 하나의 직육면체 형상으로 구성되므로, 예를 들어 설치 공간의 높이 및 요구되는 기판 생산량에 따라 챔버(100)를 각각 개별적으로 제작하여야 하므로 제조 비용 및 제조 시간이 증가한다. 즉, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에 사용되는 챔버(100)는 설치 공간의 가변적인 높이 및 요구되는 기판 생산량의 변화에 신속하게 대응하여 제조될 수 없다는 문제가 발생한다.In the batch type
또한, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 메인 히터 유닛(200) 및 보조 히터 유닛(220)이 하나의 직육면체 형상으로 구성된 챔버(100)의 몸체부를 관통하여 제공되므로, 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 고장난 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 수리 또는 교체를 위해 배치식 열처리 장치(1) 자체의 열처리 동작이 중단되어야 할 뿐만 아니라, 작업자가 챔버(100) 내부로 들어가 고장난 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 수리 또는 교체 작업이 이루어져야 하는 등의 문제가 발생한다.Since the
따라서, 상술한 문제점으로 인하여 전체 열처리 공정 시간(tact time) 및 비용이 크게 증가한다.Therefore, due to the above-mentioned problems, the total heat treatment process time and cost are greatly increased.
한편, 도 3a는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치에 사용되는 가스 공급관 및 가스 배출관의 구성을 나타내는 사시도이고, 도 3b는 도 3a의 가스 공급관의 동작 상태를 설명하기 위해 도시한 도면이다.FIG. 3A is a perspective view illustrating a configuration of a gas supply pipe and a gas discharge pipe used in the batch type heat treatment apparatus according to the related art, and FIG. 3B is a view illustrating an operation state of the gas supply pipe shown in FIG.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 기판(10)은 홀더(12)에 장착된 상태로 보트(120)에 로딩된다.Referring to FIGS. 3A and 3B, the
또한, 챔버(100)에는 열처리 분위기를 조성하기 위한 공정 가스를 챔버(100) 내부에 공급하기 위해 공정 가스를 배출하는 복수의 제 1 가스 구멍(310)이 형성된 봉 형태의 가스 공급관(300), 및 열처리 분위기 조성에 사용된 폐가스가 유입되는 복수의 제 2 가스 구멍(미도시)이 형성된 봉 형태의 가스 배출관(320)이 각각 복수로 설치된다.The
상술한 가스 공급관(300)에 형성되는 복수의 제 1 가스 구멍(310)의 위치는 분사되는 공정 가스가 기판(10)에 바로 접촉할 수 있도록 가능한 기판(10)에 근접하게 위치된다.The position of the plurality of
그러나, 상술한 종래 기술의 가스 공급관(300)과 가스 배출관(320)의 구조에서는 복수의 제 1 가스 구멍(310) 및 복수의 제 2 가스 구멍(320)과 같이 노즐 형상을 통해 가스의 급배기가 이루어진다. 따라서, 복수의 제 1 가스 구멍(310)의 바로 전방에서만 선형 가스 흐름이 형성되어 기판(10) 전체 표면 상에 균일하게 확산되기 어려우므로, 기판(10)의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포를 형성하기 어렵다.However, in the structures of the
또한, 기판(10)의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포의 형성이 이루어지지 않으므로 기판(10) 상에 형성된 필름에서 발생하는 흄 등과 같은 오염물질이 가스 배출관(320)을 통해 챔버(100)의 외부로 원활하게 배출되지 않는다.In addition, since a uniform gas flow and pressure distribution are not formed on the entire surface of the
또한, 챔버(100) 내에서 배출되지 않은 흄 등의 오염물질이 다시 기판(10)에 재부착되어 기판(10)의 불량이 발생할 수 있다. 이러한 오염물질에 의한 기판(10)의 오염 및 불량 발생 가능성은 대면적 기판의 경우 및 기판(10)의 수의 증가에 따라 높아지므로 대면적 기판의 제조 및 기판의 양산에 큰 장애가 되어 왔다.In addition, contaminants such as fumes that have not been discharged from the
또한, 특히 기판의 대면적화에 따라 기판의 가스 흐름 길이가 필연적으로 증가하게 되어 상술한 문제점들이 더욱 더 심화된다.In addition, in particular, as the substrate becomes larger, the gas flow length of the substrate necessarily increases, and the above-mentioned problems are further exacerbated.
상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 방안의 하나로, 가스를 챔버의 상부에서 제공하는 방안이 제안되어 사용되고 있다. 이러한 또 다른 종래 따른 기판 열처리 장치는 예를 들어, 정상무 등에 의해 2010년 7월 12일자에 "기판 열처리 장치"라는 발명의 명칭으로 대한민국 특허출원 제10-2010-0067187호로 출원된 후, 2012년 1월 3일자로 등록된 대한민국 특허 제10-1104201호에 상세히 기술되어 있다.As a solution to the above-described problems of the prior art, a method of providing gas at the upper part of the chamber has been proposed and used. Such another conventional substrate heat treatment apparatus has been filed as a Korean Patent Application No. 10-2010-0067187, entitled " Substrate Heat Treatment Apparatus ", filed on July 12, 2010, Korean Patent No. 10-1104201, filed on January 3.
도 3c는 또 다른 종래 기술에 따른 열처리 장치에서의 가스 공급에 따른 문제점을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 3C is a view for explaining a problem with gas supply in a heat treatment apparatus according to another prior art. FIG.
도 3c를 참조하면, 상술한 또 다른 종래 따른 기판 열처리 장치에서는 급기 라인(340)이 기판(10)의 중앙에서 급기가 이루어진 챔버9100)의 각 모서리 외측에 인접하여 4개가 마련된 정압유닛(360)을 통해 배기되어야 하므로, 기류의 최단 퍼지 거리(L)는 기판(10) 폭의 절반이 아니라 절반의 최소 1.4 배 이상의 값을 갖는다.3C, in the above-described conventional substrate heating apparatus, four
또한, 또 다른 종래 따른 기판 열처리 장치에서 질소의 기류는 기판(10)의 중앙에서 사방으로 퍼져나가므로 예를 들어 도 3c에 도시된 A, B, C, 및 D 영역으로 분사된 기류의 퍼지 거리(설명의 편의상 A 및 C 영역에 대해서만 점선 화살표 표시되어 있음)인 L1은 기판(10)의 폭의 절반 거리보다 훨씬 더 길어질 뿐만 아니라, 특히 최단 퍼지 거리(L)를 이동하는 기류와 L1을 이동하는 기류 간의 속도 차이가 발생하여 와류가 발생하여 궁극적으로 기판(10) 상에서 오염물질의 균일한 퍼지 효과를 달성하기 어렵다는 문제가 발생한다.In addition, in another conventional substrate heat treatment apparatus, the air flow of nitrogen spreads from the center of the
또한, 또 다른 종래 따른 기판 열처리 장치에서는 기판(10)의 중앙에서 급기가 이루어지므로, 급기 라인(340)이 챔버(100)의 각각의 기판(10)의 상부까지 연장되어야 한다. 이를 위해 급기 라인(340)을 포함한 급기 장치(미도시)의 구성이 매우 복잡할 뿐만 아니라, 특히 기판(10)이 제공되는 챔버(100)의 내부 공간 내에까지 급기 라인(340)이 제공되어야 하므로 급기 라인(340)의 설치가 매우 어렵거나 실질적으로 불가능하다는 문제가 있었다.Further, in another conventional substrate heat treatment apparatus, the
따라서, 상술한 종래 기술의 배치식 열처리 장치에 사용되는 챔버 및 배치식 열처리 장치의 문제점을 해결하기 위한 새로운 방안이 요구된다.Therefore, there is a need for a new method for solving the problems of the chamber and the batch type heat treatment apparatus used in the batch type heat treatment apparatus of the prior art described above.
본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 복수의 상부 램프 히터를 구비한 기판 열처리 챔버 몸체의 상부 및 하부에 상부 히터 하우징 및 복수의 하부 램프 히터를 구비한 하부 히터 하우징이 일체로 장착되고, 열처리 챔버 몸체 내부의 열처리 공간 내에서 2개 이상의 복수개의 기판이 제공되어 열처리가 이루어짐으로써, 기판의 열처리 효율이 2배 이상 증가하고, 특히 복수의 히터 하우징 내의 복수의 램프 히터 중 일부에 고장이 발생할 경우 고장난 램프 히터의 교체가 매우 용이하여 전체 장비의 설치 및 유지 보수 시간 및 비용이 크게 감소되는 기판 열처리 챔버, 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a lower heater housing, And the heat treatment is performed by providing two or more substrates in the heat treatment space inside the heat treatment chamber body to increase the heat treatment efficiency of the substrate by more than two times and particularly to improve the heat treatment efficiency of the heat of the plurality of lamp heaters And more particularly, to a substrate heat treatment chamber in which the replacement of a broken lamp heater is very easy, and the installation and maintenance time and cost of the entire equipment are greatly reduced, and a substrate heat treatment apparatus having the same.
또한, 본 발명은 상술한 특징 이외에 기판이 지지되는 보트의 프레임을 구성하는 하나 이상의 크로스 바가 가스 급기관을 형성하도록 제공하고, 최상부 기판 상에는 별도의 상부 가스 급기관을 제공하며, 가스 배기 장치는 챔버의 측면 상에 제공함으로써, 특히 기판 상의 가스 흐름 길이가 1/2 이하로 줄어들고, 그에 따라 기판의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포의 형성이 가능하여 궁극적으로 대면적 기판의 제조 및 기판의 양산이 가능한 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 제공하기 위한 것이다.Further, the present invention provides, in addition to the above-mentioned features, at least one crossbar constituting a frame of a boat on which a substrate is supported to form a gas-feeding tube, and a separate upper gas-supplying tube is provided on the uppermost substrate, In particular, the gas flow length on the substrate is reduced to less than 1/2 and thus the uniform gas flow and pressure distribution can be formed on the entire surface of the substrate, which ultimately leads to the production of large area substrates A substrate heat treatment chamber capable of mass production of a substrate and a substrate heat treatment apparatus having the same.
본 발명의 제 1 특징에 따른 기판 열처리 챔버는 내부에 복수의 기판의 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체; 상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 복수의 기판이 로딩 및 지지되는 보트; 상기 챔버 몸체의 상부에 일체로 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징; 및 상기 챔버 몸체의 하부에 일체로 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징을 포함하는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment chamber according to a first aspect of the present invention includes: a chamber body for providing a heat treatment space for a plurality of substrates therein; A boat provided in the heat treatment space and loaded and supported by the plurality of substrates; An upper heater housing integrally provided on an upper portion of the chamber body, the upper heater housing having a plurality of upper lamp heaters therein; And a lower heater housing integrally provided at a lower portion of the chamber body, the lower heater housing having a plurality of lower lamp heaters therein.
본 발명의 제 2 특징에 따른 기판 열처리 챔버는 내부에 복수의 제 1 내지 제 n 기판의 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체; 상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판이 로딩 및 지지되는 보트; 상기 챔버 몸체의 상부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징; 상기 챔버 몸체의 하부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징; 및 상기 챔버 몸체에 제공되며, 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판의 사이에 각각 제공되는 복수의 제 1 내지 제 n-1 내부 램프 히터를 포함하는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment chamber according to a second aspect of the present invention includes: a chamber body for providing a plurality of first to n-th substrate heat treatment spaces; A boat provided in the heat treatment space and loaded and supported by the plurality of first through n-th substrates; An upper heater housing integrally provided on the upper portion of the chamber body, the upper heater housing having a plurality of upper lamp heaters therein; A lower heater housing integrally provided at a lower portion of the chamber body, the lower heater housing having a plurality of lower lamp heaters therein; And a plurality of first through n-1 internal lamp heaters provided in the chamber body and provided between the plurality of first through n-th substrates, respectively.
본 발명의 제 3 특징에 따른 기판 열처리 장치는 내부에 복수의 기판의 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체; 상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 복수의 기판이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 복수의 지지 크로스 바를 구비한 보트; 상기 복수의 기판 중 최상부 기판의 상부에서 상기 복수의 지지 크로스 바와 나란한 방향으로 제공되는 상부 크로스 바; 상기 챔버 몸체의 상부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징; 상기 챔버 몸체의 하부에 일체로 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징; 상기 챔버 몸체의 외부 일측면에서 상기 상부 크로스 바 및 상기 복수의 지지 크로스 바의 일측 단부와 급기 라인을 통해 연결되는 가스 공급 장치; 및 상기 복수의 지지 크로스 바의 길이방향과 나란한 방향을 따라 상기 챔버 몸체의 양측면에 제공되는 가스 배기 장치를 포함하되, 상기 복수의 지지 크로스 바 중 최하부 지지 크로스 바의 일측 단부는 상기 급기 라인을 통해 상기 가스 공급 장치와 선택적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.According to a third aspect of the present invention, there is provided a substrate heating apparatus comprising: a chamber body for providing a plurality of substrates with a heat treatment space; A boat provided in the heat treatment space and having a plurality of supporting crossbars constituting a frame in which the plurality of substrates are loaded and supported; An upper crossbar provided in a direction parallel to the plurality of support cross bars at an upper portion of the uppermost one of the plurality of substrates; An upper heater housing integrally provided on the upper portion of the chamber body, the upper heater housing having a plurality of upper lamp heaters therein; A lower heater housing integrally provided at a lower portion of the chamber body and including a plurality of lower lamp heaters therein; A gas supply device connected to one side end of the upper cross bar and the plurality of support cross bars at an outer side surface of the chamber body through an air supply line; And a gas exhausting device provided on both side surfaces of the chamber body along a direction parallel to the longitudinal direction of the plurality of support crossbars, wherein one end of the lowermost support crossbars among the plurality of support crossbars extend through the supply line And is selectively connected to the gas supply device.
본 발명의 제 4 특징에 따른 기판 열처리 장치는 내부에 복수의 제 1 내지 제 n 기판의 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체; 상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 복수의 지지 크로스 바를 구비한 보트; 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판 중 최상부 기판의 상부에서 상기 복수의 지지 크로스 바와 나란한 방향으로 제공되는 상부 크로스 바; 상기 챔버 몸체의 상부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징; 상기 챔버 몸체의 하부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징; 상기 챔버 몸체에 제공되며, 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판의 사이에 각각 제공되는 복수의 제 1 내지 제 n-1 내부 램프 히터; 상기 챔버 몸체의 외부 일측면에서 상기 상부 크로스 바 및 상기 복수의 지지 크로스 바의 일측 단부와 급기 라인을 통해 연결되는 가스 공급 장치; 및 상기 복수의 지지 크로스 바의 길이방향과 나란한 방향을 따라 상기 챔버 몸체의 양측면에 제공되는 하나 이상의 가스 배기 장치를 포함하되, 상기 복수의 지지 크로스 바 중 최하부 지지 크로스 바의 일측 단부는 상기 급기 라인을 통해 상기 가스 공급 장치와 선택적으로 연결되는 것을 특징으로 한다. According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate heating apparatus comprising: a chamber body for providing a plurality of first through n-th substrates with a heat treatment space; A boat provided in the heat treatment space and having a plurality of supporting crossbars constituting a frame in which the plurality of first to nth substrates are loaded and supported; An upper crossbar provided in a direction parallel to the plurality of support cross bars at an upper portion of the uppermost one of the plurality of first to nth substrates; An upper heater housing integrally provided on the upper portion of the chamber body, the upper heater housing having a plurality of upper lamp heaters therein; A lower heater housing integrally provided at a lower portion of the chamber body, the lower heater housing having a plurality of lower lamp heaters therein; A plurality of first through n-1 internal lamp heaters provided in the chamber body, the first through n-1 internal lamp heaters being provided between the first through n-th substrates, respectively; A gas supply device connected to one side end of the upper cross bar and the plurality of support cross bars at an outer side surface of the chamber body through an air supply line; And one or more gas exhausting devices provided on both side surfaces of the chamber body along a direction parallel to the longitudinal direction of the plurality of support crossbars, wherein one end of the lowermost support crossbar of the plurality of support crossbars is connected to the air supply line And the gas supply unit is selectively connected to the gas supply unit.
본 발명에 따른 개선된 기판 열처리 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 사용하면 다음과 같은 효과가 달성된다.The following effects can be achieved by using the improved substrate heat treatment chamber and the substrate heat treatment apparatus having the same according to the present invention.
1. 기판의 열처리 효율이 2배 이상 증가한다.1. The heat treatment efficiency of the substrate increases more than 2 times.
2. 특히 상부 및 하부 히터 하우징 내의 복수의 상부 및 하부 램프 히터 중 일부에 고장이 발생할 경우 고장난 램프 히터의 교체가 매우 용이하여 전체 장비의 설치 및 유지 보수 시간 및 비용이 크게 감소된다.2. In particular, when a failure occurs in a plurality of upper and lower lamp heaters in the upper and lower heater housings, it is very easy to replace the failed lamp heater, so that installation and maintenance time and cost of the entire equipment are greatly reduced.
3. 기판 상의 가스 흐름 길이가 1/2 이하로 줄어든다.3. The gas flow length on the substrate is reduced to less than 1/2.
4. 기판의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포의 형성이 가능하다.4. It is possible to form a uniform gas flow and pressure distribution on the entire surface of the substrate.
5. 대면적 기판의 제조 및 기판의 양산이 가능하다.5. It is possible to manufacture a large area substrate and mass production of a substrate.
본 발명의 추가적인 장점은 동일 또는 유사한 참조번호가 동일한 구성요소를 표시하는 첨부 도면을 참조하여 이하의 설명으로부터 명백히 이해될 수 있다.Further advantages of the present invention can be clearly understood from the following description with reference to the accompanying drawings, in which like or similar reference numerals denote like elements.
도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2a는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2b는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다.
도 3a는 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치에 사용되는 가스 공급관 및 가스 배출관의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 3b는 도 3a의 가스 공급관의 동작 상태를 설명하기 위해 도시한 도면이다.
도 3c는 또 다른 종래 기술에 따른 열처리 장치에서의 가스 공급에 따른 문제점을 설명하기 위한 도면이다.
도 4a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 챔버의 분해 사시도를 도시한 도면이다.
도 4b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 챔버의 측단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 챔버를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 측면도를 도시한 도면이다.
도 4e는 도 4d에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 평면도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4f는 도 4d 및 도 4e에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급기 장치의 일부를 확대한 도면이다.
도 4g는 도 4f에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급기 장치의 급기관 및 급기홀의 단면도이다.
도 4h는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 측면도를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a perspective view showing a configuration of a batch type heat treatment apparatus according to the prior art.
FIG. 2A is a perspective view showing a configuration of a chamber of the batch type heat treatment apparatus according to the prior art shown in FIG. 1. FIG.
FIG. 2B is a perspective view showing the arrangement of the substrate, the main heater unit, and the auxiliary heater unit of the batch type heat treatment apparatus according to the related art.
3A is a perspective view showing a configuration of a gas supply pipe and a gas discharge pipe used in a batch type heat treatment apparatus according to the prior art.
FIG. 3B is a view for explaining the operation state of the gas supply pipe of FIG. 3A.
FIG. 3C is a view for explaining a problem with gas supply in a heat treatment apparatus according to another prior art. FIG.
4A is an exploded perspective view of the substrate heat treatment chamber according to the first embodiment of the present invention.
4B is a schematic side cross-sectional view of a substrate thermal processing chamber according to a first embodiment of the present invention.
4C is a schematic view of a substrate heat treatment chamber according to a second embodiment of the present invention.
4D is a side view of the substrate heat treatment chamber and the substrate heat treatment apparatus having the gas supply and exhaust device for substrate heat treatment according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4E is a schematic plan view of the substrate heat treatment chamber and the substrate heat treatment apparatus having the gas supply and exhaust device for substrate heat treatment according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 4D.
FIG. 4F is an enlarged view of a part of the gas supply apparatus for substrate heat treatment according to the second embodiment of the present invention shown in FIGS. 4D and 4E.
FIG. 4G is a cross-sectional view of the gas supply and supply holes of the gas supply apparatus for substrate heat treatment according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 4F.
4H is a schematic view showing a side view of a substrate heat treatment chamber and a substrate heat treatment apparatus having a gas supply and exhaust device for substrate heat treatment according to a second embodiment of the present invention.
이하에서 본 발명의 실시예 및 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described with reference to embodiments and drawings of the present invention.
도 4a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 챔버의 분해 사시도를 도시한 도면이고, 도 4b는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 챔버의 측단면도를 개략적으로 도시한 도면이다.FIG. 4A is an exploded perspective view of the substrate heat treatment chamber according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a schematic cross-sectional side view of the substrate heat treatment chamber according to the first embodiment of the present invention.
도 4a 내지 도 4b를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)는 내부에 복수의 기판(10u,10d)의 열처리 공간(401)을 제공하는 챔버 몸체(402); 상기 열처리 공간(401) 내에 제공되며, 상기 복수의 기판(10u,10d)이 로딩 및 지지되는 보트(420); 상기 챔버 몸체(402)의 상부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터(410a)를 구비하는 상부 히터 하우징(404a); 및 상기 챔버 몸체(402)의 하부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터(410b)를 구비하는 하부 히터 하우징(404b)을 포함하는 것을 특징으로 한다.Referring to FIGS. 4A and 4B, a substrate
도 4a에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서, 상부 히터 하우징(404a)은 상기 챔버 몸체(402)의 상부에 일체형으로 제공되고, 하부 히터 하우징(404b)은 상기 챔버 몸체(402)의 하부에 일체형으로 제공된다.In the
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서는, 상부 히터 하우징(404a), 챔버 몸체(402), 및 하부 히터 하우징(404b)으로 둘러싸인 공간이 열처리 공간(401)을 형성한다.In addition, in the substrate
도 4c는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 챔버를 개략적으로 도시한 도면이다. 4C is a schematic view of a substrate heat treatment chamber according to a second embodiment of the present invention.
도 4c를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)는 내부에 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn)의 열처리 공간(401)을 제공하는 챔버 몸체(402); 상기 열처리 공간(401) 내에 제공되며, 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn)이 로딩 및 지지되는 보트(420); 상기 챔버 몸체(402)의 상부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터(410a)를 구비하는 상부 히터 하우징(404a); 상기 챔버 몸체(402)의 하부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터(410b)를 구비하는 하부 히터 하우징(404b); 및 상기 챔버 몸체(402)에 제공되며, 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn)의 사이에 각각 제공되는 복수의 제 1 내지 제 n-1 내부 램프 히터(410c1,...,410cn-1)를 포함하는 것을 특징으로 한다.Referring to FIG. 4C, the substrate
상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서는, 열처리 공간(401) 내에 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn)이 보트(420) 상에 로딩 및 지지된다.A plurality of first to n-th substrates 10u1, 10d1, ..., 10un, 10dn are arranged in the
또한, 복수의 상부 램프 히터(410a), 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn), 및 복수의 하부 램프 히터(410b)와 복수의 제 1 내지 제 n-1 내부 램프 히터(410c1,...,410cn-1) 간의 배치 관계는 복수의 제 1 기판(10u1,10d1)은 복수의 하부 램프 히터(410b)와 복수의 제 1 내부 램프 히터(410c1) 사이에 제공되고, 복수의 제 2 기판(10u2,10d2)은 복수의 제 1 내부 램프 히터(410c1)와 복수의 제 2 내부 램프 히터(410c2) 사이에 제공되며, 복수의 제 n 기판(10un,10dn)은 복수의 제 n-1 내부 램프 히터(410cn-1)와 복수의 상부 램프 히터(410a) 사이에 제공되는 방식으로 배치되어 있다. 즉, 복수의 제 1 기판(10u1,10d1) 내지 복수의 제 n 기판(10un,10dn)은 각각 복수의 하부 램프 히터(410b), 복수의 제 1 내지 제 n-1 내부 램프 히터(410c1,...,410cn-1), 및 복수의 상부 램프 히터(410a) 사이에 순차적으로 제공된다.In addition, a plurality of
상술한 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에서, 복수의 기판(10u,10d) 및 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn)은 각각 2개인 것으로 예시적으로 도시되어 있지만, 복수의 기판(10u,10d) 및 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn)은 각각 3개 이상일 수 있다는 점에 유의하여야 한다.In the first and second embodiments of the present invention described above, two
따라서, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서는, 복수의 상부 램프 히터(410a), 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn), 및 복수의 하부 램프 히터(410b)의 각각의 사이의 공간에는 적어도 2개 이상의 기판이 제공되어 열처리가 이루어지므로 종래 기술에 비해 기판의 열처리 효율이 적어도 2배 이상 증가한다는 장점이 달성될 수 있다.Accordingly, in the substrate
또한, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)에서는, 상부 및 하부 히터 하우징(404a,404b)이 챔버 몸체(402)와 별도로 제공되므로 복수의 히터 하우징(404a,404b) 내의 복수의 상부 및 하부 램프 히터(410a,410b) 중 일부에 고장이 발생할 경우, 종래 기술과는 달리 작업자가 챔버(400) 내부로 진입하여 교체 작업을 수행할 필요 없이 고장난 램프 히터만을 교체하면 된다. 따라서, 고장난 램프 히터의 교체가 매우 용이하여 전체 장비의 설치 및 유지 보수 시간 및 비용이 크게 감소된다.In the substrate
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)의 보트(420)의 프레임을 구성하는 복수의 지지 크로스 바가 가스 급기관을 형성하도록 제공하고, 최상부 기판 상에는 상부 가스 급기관으로 별도의 상부 크로스바를 제공함으로써, 기판 상의 가스 흐름 길이가 1/2 이하로 줄어들고, 그에 따라 기판의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포의 형성이 가능하여 궁극적으로 대면적 기판의 제조 및 기판의 양산이 가능한 추가적인 특징을 제공할 수 있다.The substrate
좀 더 구체적으로, 도 4d는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 측면도를 도시한 도면이고, 도 4e는 도 4d에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 평면도를 개략적으로 도시한 도면이며, 도 4f는 도 4d 및 도 4e에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급기 장치의 일부를 확대한 도면이고, 도 4g는 도 4f에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급기 장치의 급기관 및 급기홀의 단면도이다.4D is a side view of the substrate heat treatment chamber and the substrate heat treatment apparatus having the gas supply and exhaust device for substrate heat treatment according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4E is a cross- FIG. 4F is a schematic plan view of a substrate heat treatment chamber and a substrate heat treatment apparatus having the gas supply and exhaust apparatus for substrate heat treatment according to the first embodiment of the present invention. FIG. 4F is a cross- FIG. 4G is a cross-sectional view of the gas supply and supply holes of the gas supply apparatus for substrate heat treatment according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 4F; FIG. to be.
도 4d 내지 도 4g를 도 4a 내지 도 4a 및 도 4b와 함께 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 내부에 복수의 기판(10u,10d)의 열처리 공간(401)을 제공하는 챔버 몸체(402); 상기 열처리 공간(401) 내에 제공되며, 상기 복수의 기판(10u,10d)이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 복수의 지지 크로스 바(422c)를 구비한 보트(420); 상기 복수의 기판(10u,10d) 중 최상부 기판(10u)의 상부에서 상기 복수의 지지 크로스 바(422c)와 나란한 방향으로 제공되는 상부 크로스 바(422u); 상기 챔버 몸체(402)의 상부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터(410a)를 구비하는 상부 히터 하우징(404a); 상기 챔버 몸체(402)의 하부에 일체로 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터(410b)를 구비하는 하부 히터 하우징(404b); 상기 챔버 몸체(402)의 외부 일측면에서 상기 상부 크로스 바(422u) 및 상기 복수의 지지 크로스 바(422c)의 일측 단부와 급기 라인(440)을 통해 연결되는 가스 공급 장치(432); 및 상기 복수의 지지 크로스 바(422c)의 길이방향과 나란한 방향을 따라 상기 챔버 몸체(402)의 양측면에 제공되는 가스 배기 장치(470)를 포함하되, 상기 복수의 지지 크로스 바(422c) 중 최하부 지지 크로스 바(422c1)의 일측 단부는 상기 급기 라인(440)을 통해 상기 가스 공급 장치(432)와 선택적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.Referring to FIGS. 4D to 4G with reference to FIGS. 4A to 4A and 4B, a substrate thermal processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention includes a plurality of substrates 10u and 10d, A chamber body (402) for providing a chamber (402); A boat 420 provided in the heat treatment space 401 and having a plurality of support cross bars 422c constituting a frame in which the plurality of substrates 10u and 10d are loaded and supported; An upper crossbar 422u provided on the upper portion of the uppermost substrate 10u among the plurality of substrates 10u and 10d in a direction parallel to the plurality of supporting crossbars 422c; An upper heater housing 404a integrally provided on the upper portion of the chamber body 402 and having a plurality of upper lamp heaters 410a therein; A lower heater housing 404b integrally provided at a lower portion of the chamber body 402 and having a plurality of lower lamp heaters 410b therein; A gas supply device 432 connected to one side end of the upper crossbar 422u and the plurality of support crossbars 422c at an outer side of the chamber body 402 through an air supply line 440; And a gas exhausting device (470) provided on both side surfaces of the chamber body (402) along a direction parallel to the longitudinal direction of the plurality of supporting crossbars (422c), wherein a lowermost part One end of the support crossbar 422c1 is selectively connected to the gas supply device 432 through the supply line 440. [
상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 상부 히터 하우징(404a), 챔버 몸체(402), 및 하부 히터 하우징(404b)이 도 4a 및 도 4b에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 챔버(400)를 구성한다.In the
또한, 복수의 지지 크로스 바(422c)는 2개인 것으로 예시적으로 도시되어 있지만, 당업자라면 복수의 지지 크로스 바(422c)가 3개 이상으로 제공될 수 있다는 것을 충분히 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 이하에서는 필요한 경우, 복수의 지지 크로스 바(422c) 중 참조부호 422c1은 최하부 지지 크로스 바이다.It should also be appreciated that while a plurality of
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)의 구체적인 구성 및 특징에 대해 상세히 기술한다.Hereinafter, specific configurations and features of the substrate
다시 도 4d 내지 도 4g를 도 4a 내지 도 4b와 함께 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 상부 크로스 바(422u), 복수의 지지 크로스 바(422c), 급기 라인(440), 가스 공급 장치(432), 및 가스 배기 장치(470)가 기판 열처리용 가스 급배기 장치(430)를 구성한다. 이 경우, 최하부 지지 크로스 바(422c1)는 선택적으로 기판 열처리용 가스 급배기 장치(430)를 구성할 수 있다.Referring to Figs. 4D to 4G again, with reference to Figs. 4A to 4B, in the substrate
또한, 상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서, 상기 상부 크로스 바(422u) 및 상기 복수의 지지 크로스 바(422c)는 각각 복수의 하부 급기홀(424d)을 구비하고, 또한 선택적으로 각각의 양측면 상에 복수의 측면 급기홀(424s)을 추가로 구비할 수 있다.In the
또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 상기 최하부 지지 크로스 바(422c1)의 일측 단부가 선택적으로 상기 급기 라인(440)을 통해 상기 가스 공급 장치(432)와 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 최하부 지지 크로스 바(422c1)는 복수의 하부 급기홀(424d)을 구비하며, 또한 선택적으로 양측면 상에 복수의 측면 급기홀(424s)을 추가로 구비할 수 있다.In the
또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 복수의 지지 크로스 바(422c)의 상부에는 각각 복수의 기판(10u,10d)을 지지하기 위한 복수의 지지핀(426)이 제공되어 있다.In the substrate
한편, 상술한 상부 크로스 바(422u) 및 복수의 지지 크로스 바(422c)는 각각 복수의 기판(10u,10d)의 열처리 동작 시에 사용되는 고온의 열에 의한 손상(damage)을 입지 않도록 복수의 기판(10u,10d)과 유사한 열거동(heat behavior)을 갖도록 복수의 기판(10u,10d)과 동일하거나 유사한 재질 구현되는 것이 바람직하다. 좀 더 구체적으로, 상부 크로스 바(422u) 및 복수의 지지 크로스 바(422c)는 각각 쿼츠 재질로 구현될 수 있다.The
상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치(430)에서는, 상부 크로스 바(422u) 및 복수의 지지 크로스 바(422c)가 각각 가스 공급 장치(432)로부터 급기 라인(440)을 통해 공급되는 가스를 복수의 기판(10u,10d) 상으로 분사하도록 복수의 급기홀(424)을 구비한 가스 급기관의 기능을 수행한다.The
또한, 최하부 지지 크로스 바(422c1)도 선택적으로 가스 공급 장치(432)로부터 급기 라인(440)을 통해 가스를 공급받아 최하부 기판(10d)의 하부로 분사하도록 복수의 급기홀(424)을 구비하여 챔버(400) 내에 잔류하는 흄 등과 같은 오염물질을 챔버(400)의 외부로 추가적으로 배출할 수 있으며, 그에 따라 챔버(400) 내의 오염물질의 퍼지(purge) 효과를 추가로 향상시킬 수 있다. 그러나, 최하부 지지 크로스 바(422c1)의 사용은 선택사양으로 반드시 사용되어야 하는 것은 아니라는 점에 유의하여야 한다.The lowermost support cross bar 422c1 also has a plurality of
한편, 복수의 측면 급기홀(424s)은 상부 크로스 바(422u) 및 복수의 지지 크로스 바(422c)의 중심부(O)에서 수직 방향을 기준으로 시계방향 및 반시계방향으로 각각 30도 내지 90도의 각도 범위 내에서 제공되는 것이 바람직하다. 이러한 복수의 측면 급기홀(424s)을 통해 분사되는 가스는 복수의 하부 급기홀(424d)을 통해 공급되는 복수의 기판(10u,10d) 상으로 직접 분사된 후 가스 배기 장치(470)로 이동하는 가스가 층류(laminar flow)를 형성하도록 기여한다. 또한, 복수의 측면 급기홀(424s)을 통해 분사되는 가스의 일부는 복수의 기판(10u,10d) 상으로 직접 분사되어 복수의 기판(10u,10d) 상의 오염물질을 제거하는 기능도 수행할 수 있다는 것은 자명하다.On the other hand, the plurality of side
상술한 바와 같은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 상부 크로스 바(422u) 및 상기 복수의 지지 크로스 바(422c)가 복수의 기판(10u,10d)의 중앙 부분에 제공되므로, 가스 흐름 길이가 전체 퍼지 길이(L)의 1/2배(즉, L/2)로 감소된다.In the
또한, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 상부 크로스 바(422u) 및 복수의 지지 크로스 바(422c)가 각각 수직 방향을 따라 1개씩 사용되는 경우를 예시적으로 기술하였지만, 당업자라면 상부 크로스 바(422u) 및 복수의 지지 크로스 바(422c)가 각각 수직 방향을 따라 서로 다른 2개 이상의 위치에서 사용될 수 있다는 것을 충분히 이해할 수 있을 것이다. 좀 더 구체적으로, 상부 크로스 바(422u) 및 복수의 지지 크로스 바(422c)가 각각 수직 방향을 따라 복수의 기판(10u,10d)의 전체 퍼지 길이(L)를 균일하게 등분한 n개의 위치에서 사용되는 경우, 가스 흐름 길이가 전체 퍼지 거리(L)의 1/(n+1)배(즉, L/(n+1))로 감소된다.In the substrate
도 4h는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 가스 급배기 장치를 구비한 기판 열처리 챔버 및 기판 열처리 장치의 측면도를 개략적으로 도시한 도면이다.4H is a schematic view showing a side view of a substrate heat treatment chamber and a substrate heat treatment apparatus having a gas supply and exhaust device for substrate heat treatment according to a second embodiment of the present invention.
도 4h를 도 4c와 함께 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 내부에 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn)의 열처리 공간(401)을 제공하는 챔버 몸체(402); 상기 열처리 공간(401) 내에 제공되며, 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn)이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 복수의 지지 크로스 바(422c)를 구비한 보트(420); 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn) 중 최상부 기판(10un)의 상부에서 상기 복수의 지지 크로스 바(422c)와 나란한 방향으로 제공되는 상부 크로스 바(422u); 상기 챔버 몸체(402)의 상부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터(410a)를 구비하는 상부 히터 하우징(404a); 상기 챔버 몸체(402)의 하부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터(410b)를 구비하는 하부 히터 하우징(404b); 상기 챔버 몸체(402)에 제공되며, 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn)의 사이에 각각 제공되는 복수의 제 1 내지 제 n-1 내부 램프 히터(410c1,...,410cn-1); 상기 챔버 몸체(402)의 외부 일측면에서 상기 상부 크로스 바(422u) 및 상기 복수의 지지 크로스 바(422c)의 일측 단부와 급기 라인(440)을 통해 연결되는 가스 공급 장치(432); 및 상기 복수의 지지 크로스 바(422c)의 길이방향과 나란한 방향을 따라 상기 챔버 몸체(402)의 양측면에 제공되는 하나 이상의 가스 배기 장치(470)를 포함하되, 상기 복수의 지지 크로스 바(422c) 중 최하부 지지 크로스 바(422c1)의 일측 단부는 상기 급기 라인(440)을 통해 상기 가스 공급 장치(432)와 선택적으로 연결되는 것을 특징으로 한다.Referring to FIG. 4H and FIG. 4C, the substrate thermal processing apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention includes a plurality of first to n-th substrates 10u1, 10d1, ..., 10un, 10dn, A chamber body (402) for providing a heat treatment space (401); A plurality of support cross bars 422c provided in the heat treatment space 401 and constituting a frame in which the plurality of first to n th substrates 10u1, 10d1, ..., 10un, 10dn are loaded and supported, A boat 420 provided with the boat; And an upper cross bar provided in a direction parallel to the plurality of support cross bars 422c at an upper portion of the uppermost substrate 10un among the plurality of first to nth substrates 10u1, 10d1, ..., 10un, 422u); An upper heater housing 404a integrally provided on the upper portion of the chamber body 402 and having a plurality of upper lamp heaters 410a therein; A lower heater housing 404b integrally provided at a lower portion of the chamber body 402 and having a plurality of lower lamp heaters 410b therein; N-1 internal lamp heaters provided in the chamber body 402 and provided between the plurality of first to n-th substrates 10u1, 10d1, ..., 10un, 10dn, respectively, (410c1, ..., 410cn-1); A gas supply device 432 connected to one side end of the upper crossbar 422u and the plurality of support crossbars 422c at an outer side of the chamber body 402 through an air supply line 440; And at least one gas exhaust device (470) provided on both sides of the chamber body (402) along a direction parallel to the longitudinal direction of the plurality of support crossbars (422c), wherein the plurality of support crossbars (422c) One end of the lowermost support cross bar 422c1 is selectively connected to the gas supply device 432 through the supply line 440. [
상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서, 상기 상부 크로스 바(422u) 및 상기 복수의 지지 크로스 바(422c)는 각각 복수의 하부 급기홀(424d)을 구비하고, 선택적으로 각각의 양측면 상에 복수의 측면 급기홀(424s)을 추가로 구비할 수 있다.In the substrate
또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 최하부 지지 크로스 바(422c1)의 일측 단부가 상기 급기 라인(440)을 통해 상기 가스 공급 장치(432)와 선택적으로 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 최하부 지지 크로스 바(422c1)는 복수의 하부 급기홀(424d)을 구비하며, 또한 선택적으로 양측면 상에 복수의 측면 급기홀(424s)을 추가로 구비할 수 있다.In the
또한, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 복수의 지지 크로스 바(422c)의 상부에는 각각 복수의 제 1 내지 제 n-1 내부 램프 히터(410c1,...,410cn-1)을 지지하기 위한 복수의 지지핀(미도시)이 제공되어 있다.In the
상술한 바와 같이, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 복수의 하부 급기홀(424d) 및 선택적으로 제공되는 복수의 측면 급기홀(424s)로부터 분사되는 가스가 복수의 기판(10u,10d) 또는 복수의 제 1 내지 제 n 기판(10u1,10d1;...;10un,10dn) 상에서 거의 평형하게 층류를 형성하여 오염 물질 등을 퍼지한 후 가스 배기 장치(470)로 배기되므로 와류 등의 발생 가능성이 실질적으로 방지되어 복수의 기판(10u,10d)의 전체 표면 상에 균일한 가스의 흐름 및 압력 분포를 형성이 가능하며, 오염물질의 퍼지 효과가 크게 향상된다.As described above, in the substrate
다양한 변형예가 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 본 명세서에 기술되고 예시된 구성 및 방법으로 만들어질 수 있으므로, 상기 상세한 설명에 포함되거나 첨부 도면에 도시된 모든 사항은 예시적인 것으로 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술한 예시적인 실시예에 의해 제한되지 않으며, 이하의 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.Various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims. It is not. Accordingly, the scope of the present invention should not be limited by the above-described exemplary embodiments, but should be determined only in accordance with the following claims and their equivalents.
1: 배치식/기판 열처리 장치
10,10u,10d,10u1,10d1,10u2,10d2,10un,10dn: 기판
12: 홀더
100,400: 챔버
120,420: 보트
110: 프레임
122,422: 지지 부재
140: 도어
160: 커버
200: 메인 히터 유닛
210: 단위 메인 히터
220,220a,220b: 보조 히터 유닛
230a: 제1 단위 보조 히터
250: 냉각관
300: 가스 공급관
310: 가스 구멍
320: 가스 배출관
340,440: 급기 라인
360: 정압유닛
401: 열처리 공간
402: 챔버 몸체
404a: 상부 히터 하우징
404b: 하부 히터 하우징
410a,410b,410c1,410c2,410cn-1: 램프 히터
422c,422c1: 지지 크로스 바
422u: 상부 크로스 바
424: 급기홀
424d: 하부 급기홀
424s: 측면 급기홀
426: 지지핀
430: 가스 급배기 장치
432: 가스 공급 장치
470: 가스 배기 장치1: Batch type / substrate heat treatment system
10u, 10d, 10u1, 10d1, 10u2, 10d2, 10un, 10dn:
12:
110: frame 122, 422: support member 140: door
160: Cover 200: Main heater unit 210: Unit main heater
220, 220a, 220b:
250: cooling pipe 300: gas supply pipe 310: gas hole
320: gas discharge pipe 340,440: air supply line 360: constant pressure unit
401: heat treatment space 402:
404b:
422c, 422c1: supporting
424:
426: Support pin 430: Gas exhaust device
432: gas supply device 470: gas exhaust device
Claims (16)
내부에 복수의 기판의 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체;
상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 복수의 기판이 로딩 및 지지되는 보트;
상기 챔버 몸체의 상부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징; 및
상기 챔버 몸체의 하부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징
을 포함하는 기판 열처리 챔버. In the substrate heat treatment chamber,
A chamber body for providing a heat treatment space for a plurality of substrates therein;
A boat provided in the heat treatment space and loaded and supported by the plurality of substrates;
An upper heater housing integrally provided on the upper portion of the chamber body, the upper heater housing having a plurality of upper lamp heaters therein; And
A lower heater housing provided integrally with a lower portion of the chamber body and having a plurality of lower lamp heaters therein,
And a heat treatment chamber.
상기 상부 히터 하우징, 상기 챔버 몸체, 및 상기 하부 히터 하우징으로 둘러싸인 공간이 상기 열처리 공간을 형성하는 기판 열처리 챔버.The method according to claim 1,
Wherein a space surrounded by the upper heater housing, the chamber body, and the lower heater housing forms the heat treatment space.
내부에 복수의 제 1 내지 제 n 기판의 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체;
상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판이 로딩 및 지지되는 보트;
상기 챔버 몸체의 상부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징;
상기 챔버 몸체의 하부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징; 및
상기 챔버 몸체에 제공되며, 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판의 사이에 각각 제공되는 복수의 제 1 내지 제 n-1 내부 램프 히터
를 포함하는 기판 열처리 챔버.In the substrate heat treatment chamber,
A chamber body for providing a plurality of first through n-th substrate heat treatment spaces therein;
A boat provided in the heat treatment space and loaded and supported by the plurality of first through n-th substrates;
An upper heater housing integrally provided on the upper portion of the chamber body, the upper heater housing having a plurality of upper lamp heaters therein;
A lower heater housing integrally provided at a lower portion of the chamber body, the lower heater housing having a plurality of lower lamp heaters therein; And
And a plurality of first to n-l < th > internal lamp heaters provided in the chamber body and provided between the plurality of first to n-
And a substrate heating chamber.
상기 복수의 제 1 기판 내지 상기 복수의 제 n 기판은 각각 상기 복수의 하부 램프 히터, 상기 복수의 제 1 내지 제 n-1 내부 램프 히터, 및 상기 복수의 상부 램프 히터 사이에 순차적으로 제공되는 기판 열처리 챔버.The method of claim 3,
Wherein the plurality of first substrates to the plurality of n-th substrates are provided in sequence between the plurality of lower lamp heaters, the plurality of first to n-1-th inner lamp heaters, and the plurality of upper lamp heaters, Heat treatment chamber.
내부에 복수의 기판의 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체;
상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 복수의 기판이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 복수의 지지 크로스 바를 구비한 보트;
상기 복수의 기판 중 최상부 기판의 상부에서 상기 복수의 지지 크로스 바와 나란한 방향으로 제공되는 상부 크로스 바;
상기 챔버 몸체의 상부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징;
상기 챔버 몸체의 하부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징;
상기 챔버 몸체의 외부 일측면에서 상기 상부 크로스 바 및 상기 복수의 지지 크로스 바의 일측 단부와 급기 라인을 통해 연결되는 가스 공급 장치; 및
상기 복수의 지지 크로스 바의 길이방향과 나란한 방향을 따라 상기 챔버 몸체의 양측면에 제공되는 가스 배기 장치
를 포함하되,
상기 복수의 지지 크로스 바 중 최하부 지지 크로스 바의 일측 단부는 상기 급기 라인을 통해 상기 가스 공급 장치와 선택적으로 연결되는
기판 열처리 장치.In the heat treatment apparatus,
A chamber body for providing a heat treatment space for a plurality of substrates therein;
A boat provided in the heat treatment space and having a plurality of supporting crossbars constituting a frame in which the plurality of substrates are loaded and supported;
An upper crossbar provided in a direction parallel to the plurality of support cross bars at an upper portion of the uppermost one of the plurality of substrates;
An upper heater housing integrally provided on the upper portion of the chamber body, the upper heater housing having a plurality of upper lamp heaters therein;
A lower heater housing integrally provided at a lower portion of the chamber body, the lower heater housing having a plurality of lower lamp heaters therein;
A gas supply device connected to one side end of the upper cross bar and the plurality of support cross bars at an outer side surface of the chamber body through an air supply line; And
A plurality of supporting crossbars provided on both sides of the chamber body along a direction parallel to the longitudinal direction of the plurality of support crossbars,
, ≪ / RTI &
One end of the lowermost support crossbar of the plurality of support crossbars is selectively connected to the gas supply device through the supply line
Substrate heat treatment apparatus.
상기 상부 크로스 바 및 상기 복수의 지지 크로스 바는 각각 복수의 하부 급기홀을 구비하되, 상기 최하부 지지 크로스 바는 선택적으로 복수의 하부 급기홀을 구비하는 기판 열처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the upper crossbar and the plurality of support crossbars each have a plurality of lower air supply holes, wherein the lowest support crossbar selectively includes a plurality of lower air supply holes.
상기 상부 크로스 바 및 상기 복수의 지지 크로스 바는 각각 양측면 상에 복수의 측면 급기홀을 추가로 구비하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the upper crossbar and the plurality of support crossbars further have a plurality of side air supply holes on both sides thereof.
상기 복수의 측면 급기홀은 각각 상기 상부 크로스 바 및 상기 복수의 지지 크로스 바의 중심부에서 수직 방향을 기준으로 시계방향 및 반시계방향으로 각각 30도 내지 90도의 각도 범위 내에서 제공되는 기판 열처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the plurality of side air supply holes are provided in an angular range of 30 degrees to 90 degrees in a clockwise direction and a counterclockwise direction, respectively, with respect to a vertical direction at a central portion of the upper crossbar and the plurality of support crossbars.
상기 최하부 지지 크로스 바는 양측면 상에 복수의 측면 급기홀을 추가로 구비하는 기판 열처리 장치.The method according to claim 6,
Wherein the lowermost support crossbar further comprises a plurality of side air supply holes on both sides.
상기 복수의 측면 급기홀은 상기 최하부 지지 크로스 바의 중심부에서 수직 방향을 기준으로 시계방향 및 반시계방향으로 각각 30도 내지 90도의 각도 범위 내에서 제공되는 기판 열처리 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the plurality of side air supply holes are provided in an angular range of 30 to 90 degrees in the clockwise and counterclockwise directions with respect to the vertical direction at the center of the lowermost support crossbar.
내부에 복수의 제 1 내지 제 n 기판의 열처리 공간을 제공하는 챔버 몸체;
상기 열처리 공간 내에 제공되며, 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판이 로딩 및 지지되는 프레임을 구성하는 복수의 지지 크로스 바를 구비한 보트;
상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판 중 최상부 기판의 상부에서 상기 복수의 지지 크로스 바와 나란한 방향으로 제공되는 상부 크로스 바;
상기 챔버 몸체의 상부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 상부 램프 히터를 구비하는 상부 히터 하우징;
상기 챔버 몸체의 하부에 일체형으로 제공되며, 내부에 복수의 하부 램프 히터를 구비하는 하부 히터 하우징;
상기 챔버 몸체에 제공되며, 상기 복수의 제 1 내지 제 n 기판의 사이에 각각 제공되는 복수의 제 1 내지 제 n-1 내부 램프 히터;
상기 챔버 몸체의 외부 일측면에서 상기 상부 크로스 바 및 상기 복수의 지지 크로스 바의 일측 단부와 급기 라인을 통해 연결되는 가스 공급 장치; 및
상기 복수의 지지 크로스 바의 길이방향과 나란한 방향을 따라 상기 챔버 몸체의 양측면에 제공되는 하나 이상의 가스 배기 장치
를 포함하되,
상기 복수의 지지 크로스 바 중 최하부 지지 크로스 바의 일측 단부는 상기 급기 라인을 통해 상기 가스 공급 장치와 선택적으로 연결되는
기판 열처리 장치.In the heat treatment apparatus,
A chamber body for providing a plurality of first through n-th substrate heat treatment spaces therein;
A boat provided in the heat treatment space and having a plurality of supporting crossbars constituting a frame in which the plurality of first to nth substrates are loaded and supported;
An upper crossbar provided in a direction parallel to the plurality of support cross bars at an upper portion of the uppermost one of the plurality of first to nth substrates;
An upper heater housing integrally provided on the upper portion of the chamber body, the upper heater housing having a plurality of upper lamp heaters therein;
A lower heater housing integrally provided at a lower portion of the chamber body, the lower heater housing having a plurality of lower lamp heaters therein;
A plurality of first through n-1 internal lamp heaters provided in the chamber body, the first through n-1 internal lamp heaters being provided between the first through n-th substrates, respectively;
A gas supply device connected to one side end of the upper cross bar and the plurality of support cross bars at an outer side surface of the chamber body through an air supply line; And
And at least one gas exhausting device provided on both sides of the chamber body along a direction parallel to the longitudinal direction of the plurality of supporting crossbars,
, ≪ / RTI &
One end of the lowermost support crossbar of the plurality of support crossbars is selectively connected to the gas supply device through the supply line
Substrate heat treatment apparatus.
상기 상부 크로스 바 및 상기 복수의 지지 크로스 바는 각각 복수의 하부 급기홀을 구비하되, 상기 최하부 지지 크로스 바는 선택적으로 복수의 하부 급기홀을 구비하는 기판 열처리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the upper crossbar and the plurality of support crossbars each have a plurality of lower air supply holes, wherein the lowest support crossbar selectively includes a plurality of lower air supply holes.
상기 상부 크로스 바 및 상기 복수의 지지 크로스 바는 각각 양측면 상에 복수의 측면 급기홀을 추가로 구비하는 기판 열처리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the upper crossbar and the plurality of support crossbars further have a plurality of side air supply holes on both sides thereof.
상기 복수의 측면 급기홀은 각각 상기 상부 크로스 바 및 상기 복수의 지지 크로스 바의 중심부에서 수직 방향을 기준으로 시계방향 및 반시계방향으로 각각 30도 내지 90도의 각도 범위 내에서 제공되는 기판 열처리 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the plurality of side air supply holes are provided in an angular range of 30 degrees to 90 degrees in a clockwise direction and a counterclockwise direction, respectively, with respect to a vertical direction at a central portion of the upper crossbar and the plurality of support crossbars.
상기 최하부 지지 크로스 바는 양측면 상에 복수의 측면 급기홀을 추가로 구비하는 기판 열처리 장치.14. The method of claim 13,
Wherein the lowermost support crossbar further comprises a plurality of side air supply holes on both sides.
상기 복수의 측면 급기홀은 상기 최하부 지지 크로스 바의 중심부에서 수직 방향을 기준으로 시계방향 및 반시계방향으로 각각 30도 내지 90도의 각도 범위 내에서 제공되는 기판 열처리 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the plurality of side air supply holes are provided in an angular range of 30 to 90 degrees in the clockwise and counterclockwise directions with respect to the vertical direction at the center of the lowermost support crossbar.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140066882A KR102244240B1 (en) | 2014-06-02 | 2014-06-02 | Improved Heat Treatment Chamber of Substrates and Heat Treatment Apparatus Having the Same |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150139090A true KR20150139090A (en) | 2015-12-11 |
KR102244240B1 KR102244240B1 (en) | 2021-04-27 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140066882A KR102244240B1 (en) | 2014-06-02 | 2014-06-02 | Improved Heat Treatment Chamber of Substrates and Heat Treatment Apparatus Having the Same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102244240B1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101016048B1 (en) | 2008-07-16 | 2011-02-23 | 주식회사 테라세미콘 | Batch Type Heat Treatment Apparatus |
KR101104201B1 (en) | 2010-07-13 | 2012-01-10 | (주)에스엠텍 | Heat treatment apparatus for substrate |
KR20140007523A (en) * | 2012-07-09 | 2014-01-20 | 주식회사 나래나노텍 | Heat treatment chamber and method of substrate using variable wavelength, and heat treatment apparatus of substrate having the same |
-
2014
- 2014-06-02 KR KR1020140066882A patent/KR102244240B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101016048B1 (en) | 2008-07-16 | 2011-02-23 | 주식회사 테라세미콘 | Batch Type Heat Treatment Apparatus |
KR101104201B1 (en) | 2010-07-13 | 2012-01-10 | (주)에스엠텍 | Heat treatment apparatus for substrate |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102244240B1 (en) | 2021-04-27 |
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