KR20150110206A - Apparatus for heat processing - Google Patents

Apparatus for heat processing Download PDF

Info

Publication number
KR20150110206A
KR20150110206A KR1020140034303A KR20140034303A KR20150110206A KR 20150110206 A KR20150110206 A KR 20150110206A KR 1020140034303 A KR1020140034303 A KR 1020140034303A KR 20140034303 A KR20140034303 A KR 20140034303A KR 20150110206 A KR20150110206 A KR 20150110206A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
heater unit
heat treatment
main body
chamber region
Prior art date
Application number
KR1020140034303A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
허관선
설준호
Original Assignee
주식회사 테라세미콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테라세미콘 filed Critical 주식회사 테라세미콘
Priority to KR1020140034303A priority Critical patent/KR20150110206A/en
Priority to TW104108295A priority patent/TW201543600A/en
Priority to CN201510127497.8A priority patent/CN104952727A/en
Publication of KR20150110206A publication Critical patent/KR20150110206A/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Furnace Details (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Disclosed is a heat treatment device(100). The heat treatment device according to the present invention comprises: a body(110) having chambers(TC, BC) for heat treatment of a substrate(20); an elevation unit(130: 131, 132, 133) for supporting the substrate while the elevation unit is elevated; and a heater unit(120: 121, 122, 123) arranged in an inner upper part and an inner lower part of the body(110).

Description

열처리 장치 {APPARATUS FOR HEAT PROCESSING}[0001] APPARATUS FOR HEAT PROCESSING [0002]

본 발명은 열처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본체의 내부에 히터 유닛을 배치하여 기판을 직접적으로 가열함에 따라, 급속 열처리 공정의 효율성을 향상시킨 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a heat treatment apparatus. More particularly, the present invention relates to a heat treatment apparatus that improves the efficiency of a rapid thermal processing process by directly heating a substrate by disposing a heater unit inside the body.

평판 디스플레이, 반도체, 태양전지 등의 제조에 사용되는 어닐링(annealing) 장치는 실리콘 웨이퍼나 글래스와 같은 기판 상에 증착되어 있는 소정의 박막에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리 단계를 담당하는 장치이다. 열처리 공정을 수행하기 위해서는 소정의 박막이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능한 열처리 장치가 있어야 한다. 통상적으로 열처리 장치에는 하나의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 매엽식과 복수개의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 배치식이 있다.An annealing apparatus used in the manufacture of flat panel displays, semiconductors, solar cells, etc., performs a thermal treatment step necessary for crystallization, phase change, and the like on a predetermined thin film deposited on a substrate such as a silicon wafer or glass . In order to perform a heat treatment process, a heat treatment apparatus capable of heating a substrate having a predetermined thin film is required. Typically, a heat treatment apparatus includes a sheet-fed type capable of performing a heat treatment on one substrate and a batch type capable of performing heat treatment on a plurality of the substrates.

열처리 방법 중에서 급속 열처리법(rapid thermal annealing; RTA)은 기판의 온도가 열처리 온도까지 신속하게 도달할 수 있어서 열 소모 비용(thermal budget)을 크게 줄일 수 있고 열처리 과정 중에 불순물의 오염 및 이의 불필요한 확산을 방지할 수 있는 등의 장점으로 인하여 널리 이용되고 있다.Rapid thermal annealing (RTA) among the heat treatment methods can rapidly reach the temperature of the substrate to the heat treatment temperature, thereby greatly reducing the thermal budget, and the contamination of the impurities and unnecessary diffusion thereof during the heat treatment It is widely used because of its merits such as being able to prevent it.

급속 열처리법을 이용하는 종래의 매엽식 열처리 장치는 기판의 가열이 수행되는 공간인 챔버를 제공하는 본체, 본체 외측에 배치되어 챔버를 가열하는 히터, 기판을 승강시키는 승강 유닛 등을 포함한다. 이와 같은 종래의 매엽식 열처리 장치는 한국특허공보 제2011-0001460호 등에 개시되어 있다.A conventional single wafer type heat treatment apparatus using a rapid thermal processing method includes a main body that provides a chamber which is a space where heating of the substrate is performed, a heater that is disposed outside the main body to heat the chamber, and a lift unit that lifts the substrate. Such a conventional single wafer heat treatment apparatus is disclosed in Korean Patent Publication No. 2011-0001460.

종래의 매엽식 열처리 장치는 히터가 본체의 외부에 배치되기 때문에 히터에서 발생되는 열을 챔버에 전달하기 위해서 본체에 사용할 수 있는 재질에 한계가 있었다. 그리하여 본체의 재질은 석영(Quartz) 재질이 주로 사용됐는데, 석영 재질의 본체는 최근에 대면적화 되어가는 기판을 수용할 정도의 크기를 가지도록 가공하기가 어려운 문제점이 있었다.In the conventional single wafer heat treatment apparatus, since the heater is disposed outside the main body, there is a limit to materials that can be used in the main body in order to transmit heat generated in the heater to the chamber. Therefore, quartz material is mainly used as the material of the main body, but it is difficult to process the quartz material so as to have a size enough to accommodate substrates that have recently become large-sized.

또한, 종래의 매엽식 열처리 장치는 히터가 본체의 외부에 배치되기 때문에 대면적 기판이 수용되는 챔버 내부의 온도를 빠른 시간 내에 상승시키기 어렵고, 챔버 내부의 온도 균일성이 낮은 문제점이 있었다.Further, in the conventional single wafer type heat treatment apparatus, since the heater is disposed outside the main body, it is difficult to raise the temperature inside the chamber in which the large-area substrate is accommodated in a short time, and the temperature uniformity inside the chamber is low.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 히터 유닛이 본체의 내부에 배치되어 챔버 내부의 온도 균일성이 증대된 열처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a heat treatment apparatus in which the heater unit is disposed inside a body to increase temperature uniformity inside the chamber.

또한, 본 발명은 본체의 재질을 금속으로 하여 대면적 기판을 수용할 수 있도록 용이하게 제작이 가능하고, 견고하며, 열 반사율을 증가시킨 열처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a heat treatment apparatus which can be easily manufactured so as to accommodate a large-area substrate by using a metal as a material of the main body, is robust, and has increased heat reflectance.

또한, 본 발명은 히터 유닛이 본체의 내부에 기판에 근접하게 배치되어, 기판에 직접 열을 전달함으로써 급속 열처리 공정을 보다 신속하게 수행할 수 있는 열처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a heat treatment apparatus capable of rapidly performing a rapid thermal process by transferring heat directly to a substrate, the heater unit being disposed adjacent to the substrate within the body.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치는, 기판의 열처리 공간인 챔버를 포함하는 본체; 상하운동하며 상기 기판을 지지하는 승강 유닛; 및 상기 본체의 내측 상부 및 내측 하부에 배치되는 히터 유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a heat treatment apparatus comprising: a body including a chamber which is a heat treatment space of a substrate; An elevating unit moving up and down to support the substrate; And a heater unit disposed on an inner upper side and an inner lower side of the main body.

상기와 같이 구성된 본 발명에 따르면, 히터 유닛이 본체의 내부에 배치되어 챔버 내부의 온도 균일성이 증대될 수 있다.According to the present invention configured as described above, the heater unit can be disposed inside the main body, so that the temperature uniformity inside the chamber can be increased.

또한, 본 발명에 따르면, 본체의 재질을 금속으로 하여 대면적 기판을 수용할 수 있도록 용이하게 제작이 가능하고, 견고하며, 열반사율을 증가시킬 수 있다.Further, according to the present invention, it is possible to easily manufacture a large-area substrate by using a metal as a material of the main body, to be robust, and to increase the heat reflectance.

또한, 본 발명에 따르면, 히터 유닛이 본체의 내부에 기판에 근접하게 배치되어, 기판에 직접 열을 전달함으로써 급속 열처리 공정을 보다 신속하게 수행할 수 있다.Further, according to the present invention, the heater unit is disposed close to the substrate inside the body, and the heat is transferred directly to the substrate, whereby the rapid thermal processing can be performed more quickly.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치의 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치의 구성을 나타내는 정단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치의 구성을 나타내는 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 히터 유닛의 구성을 나타내는 분해 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 상부 히터 유닛의 구성을 나타내는 평단면도이다.
도 6 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치의 동작 과정을 나타내는 측단면도이다.1 is a perspective view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is a front sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a side sectional view showing a configuration of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is an exploded perspective view illustrating a configuration of a heater unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan sectional view showing a configuration of a second upper heater unit according to an embodiment of the present invention.
6 to 9 are side cross-sectional views illustrating the operation of the heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 하여 과장되어 표현될 수도 있다.The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings, which illustrate, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different, but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is to be limited only by the appended claims, along with the full scope of equivalents to which such claims are entitled, if properly explained. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several views, and length and area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

본 명세서에 있어서, 기판은 LED, LCD 등의 표시장치에 사용하는 기판, 반도체 기판, 태양전지 기판 등을 포함하는 의미로 이해될 수 있다.In this specification, the substrate may be understood as including a substrate used for a display device such as an LED, an LCD, a semiconductor substrate, a solar cell substrate, and the like.

또한, 본 명세서에 있어서, 열처리 장치(100)는 급속(RTA) 열처리 장치로 상정하여 설명하지만, 다른 열처리 장치에도 적용될 수 있음을 밝혀둔다.In the present specification, it is assumed that the heat treatment apparatus 100 is a rapid (RTA) heat treatment apparatus, but it is also applicable to other heat treatment apparatuses.

또한, 본 명세서에 있어서, 열처리 장치(100)는 매엽식 열처리 장치를 상정하여 설명하지만, 보트의 구성을 추가로 구비하여 승강시킨다면 복수의 기판(20)을 수용하는 배치식 열처리 장치에도 적용될 수 있음을 밝혀둔다.In this specification, the heat treatment apparatus 100 will be described on the assumption of a single wafer heat treatment apparatus, but may also be applied to a batch type heat treatment apparatus that accommodates a plurality of substrates 20 if the boat is further elevated and raised. .

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 열처리 장치를 상세히 설명한다.Hereinafter, a heat treatment apparatus according to embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치(100)의 구성을 나타내는 사시도, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치(100)의 구성을 나타내는 정단면도, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치의 구성(100)을 나타내는 측단면도이다.FIG. 1 is a perspective view showing a structure of a heat treatment apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a front sectional view showing the structure of a heat treatment apparatus 100 according to an embodiment of the present invention. Sectional view showing a structure 100 of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

먼저, 열처리 장치(100)에 로딩되는 기판(20)의 재질은 특별히 제한되지 않으며 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼 등 다양한 재질의 기판(20)이 로딩될 수 있다. 이하에서는 평판 표시장치에 가장 일반적으로 사용되는 직사각형 형상의 글래스 기판을 상정하여 설명한다. 열처리 장치(100)에서 처리되는 기판(20)의 크기는 제한되지 아니하나, 1,500mm x 1,850mm, 2,200mm x 2,500mm의 대면적 기판(20)을 상정하여 설명한다.First, the material of the substrate 20 to be loaded into the heat treatment apparatus 100 is not particularly limited, and substrates 20 of various materials such as glass, plastic, polymer, and silicon wafer can be loaded. Hereinafter, a rectangular glass substrate most commonly used for a flat panel display device will be described on the assumption. The size of the substrate 20 to be processed in the heat treatment apparatus 100 is not limited, but will be described on the assumption that the substrate 20 has a large area of 1,500 mm x 1,850 mm, 2,200 mm x 2,500 mm.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 열처리 장치(100)는 기판(20)의 열처리 공간인 챔버(TC, BC)를 포함하는 본체(110), 상하운동하며 기판(20)을 지지하는 승강 유닛(130), 본체(110)의 내측 상부 및 내측 하부에 배치되는 히터 유닛(120)을 포함한다.1 to 3, a thermal processing apparatus 100 according to the present invention includes a body 110 including chambers TC and BC which are thermal processing spaces of a substrate 20, An elevating unit 130, and a heater unit 120 disposed on the inner upper side and the lower inner side of the main body 110.

본체(110)는 대략 직육면체 형상으로 형성되어 열처리 장치(100)의 외관을 이루고, 본체(110)의 내부에는 기판(20)이 열처리되는 공간인 챔버(TC, BC)가 형성될 수 있다. 본체(110)는 직육면체 형상뿐만 아니라 기판(20)의 형상에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있다.The main body 110 is formed in a substantially rectangular parallelepiped shape and forms an outer appearance of the heat treatment apparatus 100. The chambers TC and BC which are spaces in which the substrate 20 is subjected to heat treatment may be formed in the main body 110. The body 110 may be formed in various shapes depending on the shape of the substrate 20 as well as the shape of the rectangular parallelepiped.

챔버(TC, BC)는 밀폐된 공간으로 마련될 수 있고, 기판(20)이 제1 온도로 열처리 되는 상부 챔버 영역(TC) 및 기판(20)이 제2 온도로 열처리 되는 하부 챔버 영역(BC)을 포함할 수 있다. 여기에서 상부 챔버 영역(TC)과 하부 챔버 영역(BC)은 물리적으로 엄격히 분리된 공간은 아닐 수 있으며, 제1 온도, 제2 온도의 범위에 따라 분리된 가상의 공간으로 이해될 수 있다. 다시 말해, 상부 챔버 영역(TC)은 후술할 승강 유닛(130)에 의해 기판(20)이 상승된 상태[기판(20)이 상사점의 위치에 있는 상태]에서 열처리 되는 공간을 의미할 수 있고, 하부 챔버 영역(BC)은 승강 유닛(130)에 의해 기판(20)이 하강된 상태[기판(20)이 하사점의 위치에 있는 상태]에서 열처리 되는 공간을 의미할 수 있다.The chambers TC and BC may be provided in an enclosed space and may include an upper chamber region TC in which the substrate 20 is heat treated at a first temperature and a lower chamber region BC in which the substrate 20 is heat- ). Here, the upper chamber region TC and the lower chamber region BC may not be physically strictly separated spaces, and may be understood as a virtual space separated according to the range of the first temperature and the second temperature. In other words, the upper chamber region TC may refer to a space in which the substrate 20 is heated by the lifting unit 130 to be described later (the state in which the substrate 20 is at the top dead center) And the lower chamber region BC may be a space where the substrate 20 is lowered by the lifting unit 130 (a state in which the substrate 20 is at the bottom dead center).

상부 챔버 영역(TC)에서 기판(20)은 제1 온도로 급속 열처리 될 수 있다. 급속 열처리 되는 온도인 제1 온도는 예열 온도[대기 온도]인 제2 온도보다 높을 수 있다. 제1 온도는 500℃ 내지 800℃이며, 수 초 내지 수 분에 해당하는 짧은 시간 동안 기판(20)이 급속 열처리 되는 것이 바람직하다.The substrate 20 in the upper chamber region TC can be subjected to rapid thermal processing to a first temperature. The first temperature, which is the rapid heat treatment temperature, may be higher than the second temperature, which is the preheat temperature [atmospheric temperature]. The first temperature is 500 ° C. to 800 ° C., and it is preferable that the substrate 20 is subjected to the rapid heat treatment for a short time corresponding to several seconds to several minutes.

하부 챔버 영역(TC)에서 기판(20)은 급속 열처리 전에 제2 온도로 예열이 될 수 있다. 제2 온도는 200℃ 내지 300℃인 것이 바람직하다.The substrate 20 in the lower chamber region TC can be preheated to a second temperature before rapid thermal processing. The second temperature is preferably 200 ° C to 300 ° C.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 히터 유닛(120)의 구성을 나타내는 분해 사시도이다.4 is an exploded perspective view showing a configuration of a heater unit 120 according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 히터 유닛(120)은 본체(110)의 내측에 배치되는 것을 특징으로 한다. 히터 유닛(120)이 본체(110)의 내측에 배치됨으로써 기판(20)에 직접 열을 전달할 수 있어 급속 열처리 공정을 보다 신속하게 수행할 수 있는 이점이 있다.1 to 4, the heater unit 120 of the present invention is disposed inside the main body 110. Since the heater unit 120 is disposed inside the main body 110, heat can be directly transferred to the substrate 20, and the rapid thermal annealing process can be performed more quickly.

히터 유닛(120)은 상부 챔버 영역(TC)[또는, 본체(110)의 내측 상부]의 적어도 일측에 배치되는 상부 히터 유닛(121, 122) 및 하부 챔버 영역(BC)[또는, 본체(110)의 내측 하부]의 적어도 일측에 배치되는 하부 히터 유닛(123)을 포함할 수 있다.The heater unit 120 includes upper heater units 121 and 122 and a lower chamber region BC disposed at least on one side of the upper chamber region TC (or the upper inner side of the main body 110) And a lower heater unit 123 disposed on at least one side of the inner lower portion of the lower heater unit 123.

상부 챔버 영역(TC)과 하부 챔버 영역(TC)을 각각 가열하기 위해서, 상부 히터 유닛(121, 122)과 하부 히터 유닛(123)은 이격되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the upper heater units 121 and 122 and the lower heater unit 123 are spaced apart from each other in order to heat the upper chamber region TC and the lower chamber region TC respectively.

히터 유닛(120)은 복수개의 단위 히터(125)를 포함할 수 있다. 단위 히터(125)는 통상적인 길이가 긴 봉 형상의 히터로서 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있고 단부에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시키는 히터 유닛(120)을 구성하는 단위체라고 할 수 있다. 단위 히터(125)의 개수는 도 1 내지 도 4에 도시된 개수에 한정되지 않고, 본체(110)의 크기 및 기판(20)의 크기에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The heater unit 120 may include a plurality of unit heaters 125. The unit heater 125 is a rod heater having a long length. The heater unit 120 includes a heating element inserted into the quartz tube and generating heat by receiving external power through a terminal provided at an end of the heater. . The number of unit heaters 125 is not limited to the number shown in FIG. 1 to FIG. 4, and may be variously changed according to the size of the main body 110 and the size of the substrate 20.

상부 히터 유닛(121)은 상부 챔버 영역(TC)의 상면을 가열하는 제1 상부 히터 유닛(121) 및 상부 챔버 영역(TC)의 측면을 가열하는 제2 상부 히터 유닛(122: 122a, 122b, 122c)을 포함할 수 있다.The upper heater unit 121 includes a first upper heater unit 121 for heating the upper surface of the upper chamber region TC and a second upper heater unit 122 for heating the side surface of the upper chamber region TC, 122c.

상부 챔버 영역(TC)은 기판(20)이 급속 열처리 되는 공간이므로 기판(20)이 예열되는 공간인 하부 챔버 영역(BC)에 비해 많은 개수의 단위 히터(125)가 배치되는 것이 바람직하다. 따라서, 제1 상부 히터 유닛(121)으로 상부 챔버 영역(TC)의 상면을 가열함과 동시에 제2 상부 히터 유닛(122)으로 상부 챔버 영역(TC)의 네 측면까지 가열함으로써, 가열속도를 높이고, 고온 영역을 유지하며, 온도 균일성까지 확보할 수 있는 이점이 있다.It is preferable that the upper chamber region TC has a larger number of unit heaters 125 than the lower chamber region BC which is a space in which the substrate 20 is preheated since the substrate 20 is a space subjected to rapid thermal processing. Therefore, by heating the upper surface of the upper chamber region TC with the first upper heater unit 121 and simultaneously heating to the four sides of the upper chamber region TC with the second upper heater unit 122, the heating speed is increased , The high temperature region is maintained and temperature uniformity can be secured.

제1 상부 히터 유닛(121)과 하부 히터 유닛(123)은 기판(20)이 승강하는 경로와 간섭의 염려가 없으므로, 상부 챔버 영역(TC)의 상면과 하부 챔버 영역(TC)의 하면의 전면(全面)에 배치될 수 있다. 따라서, 제1 상부 히터 유닛(121) 및 하부 히터 유닛(123)은 복수의 단위 히터(125)가 기판(20)의 단변 방향과 평행하도록 일정한 간격을 이루며 배치될 수 있다. 이를 위해, 제1 상부 히터 유닛(121) 및 하부 히터 유닛(123)의 단위 히터(125) 양단은 본체(110)의 측면에 연결될 수 있다. 즉, 본체(110)를 관통하는 형상으로 배치될 수 있다.Since the first upper heater unit 121 and the lower heater unit 123 do not interfere with the path of the substrate 20 moving up and down, the upper surface of the upper chamber region TC and the front surface of the lower surface of the lower chamber region TC (Entire surface). Accordingly, the first upper heater unit 121 and the lower heater unit 123 may be disposed at regular intervals such that a plurality of unit heaters 125 are parallel to the short side direction of the substrate 20. Both ends of the unit heater 125 of the first upper heater unit 121 and the lower heater unit 123 may be connected to the side surface of the main body 110. [ In other words, it may be arranged to penetrate the main body 110.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 상부 히터 유닛(122)의 구성을 나타내는 평단면도이다.5 is a plan sectional view showing a configuration of a second upper heater unit 122 according to an embodiment of the present invention.

도 4 및 도 5를 참조하면, 제2 상부 히터 유닛(122)은 상부 챔버 영역(TC)의 네 측면을 가열하도록 복수의 층을 구성할 수 있다. 본 명세서에서는 3개의 층(122a, 122b, 122c)을 구성하나, 이에 제한되지는 않고, 상부 챔버 영역(TC)의 측면을 커버하며 가열할 수 있는 범위에서 개수의 조정이 가능하다.4 and 5, the second upper heater unit 122 may constitute a plurality of layers to heat four sides of the upper chamber region TC. In this specification, three layers 122a, 122b and 122c are constituted, but the present invention is not limited thereto, and it is possible to adjust the number in a range in which the side surface of the upper chamber region TC can be heated and heated.

제2 상부 히터 유닛(122)은 기판(20)이 승강하는 경로와 간섭될 수 있으므로, 기판(20)이 승강하는 공간을 점유하지 않도록 상부 챔버 영역(TC)의 측면을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 즉, 도 5에 도시된 바와 같이, 제2 상부 히터 유닛(122)의 각 층(122a, 122b, 122c)은 기판(20)의 네 변에 평행하면서 기판(20)과 소정 거리 이격되도록 네 개의 단위 히터(125)가 하나의 세트를 이룰 수 있다. 제2 상부 히터 유닛(122)을 구성하는 단위 히터(125)는 일단만이 본체(110)의 측면에 연결되고, 타단은 기판(20)이 승강하며 점유하는 공간을 제외한 상부 챔버 영역(TC) 내에 위치할 수 있다. 즉, 외팔보의 형상으로 일단만이 본체(110)에 연결되는 형상으로 배치될 수 있다.The second upper heater unit 122 may be disposed so as to surround the side surface of the upper chamber region TC so as not to occupy a space for raising and lowering the substrate 20 . 5, each of the layers 122a, 122b, and 122c of the second upper heater unit 122 is parallel to the four sides of the substrate 20 and spaced apart from the substrate 20 by a predetermined distance The unit heaters 125 may be one set. The unit heater 125 constituting the second upper heater unit 122 is connected to the side surface of the main body 110 only at one end and the other end is connected to the upper chamber region TC except for the space occupied by the substrate 20, Lt; / RTI > In other words, it can be arranged in a shape in which only one end is connected to the main body 110 in the shape of a cantilever.

상부 챔버 영역(TC) 측면에서의 열손실을 억제하고 온도 균일성을 더욱 확보할 수 있도록, 제2 상부 히터 유닛(122)의 각 층(122a, 122b, 122c)은 서로 엇갈리도록 배치될 수 있다. 즉, 제2 상부 히터 유닛 122a 및 122c는 외팔보 형태의 단위 히터(125) 네 개가 도 5의 (a)와 같이 시계 방향 형태로 배치될 수 있고, 제2 상부 히터 유닛 122b는 외팔보 형태의 단위 히터(125) 네 개가 도 5의 (b)와 같이 반시계 방향 형태로 배치될 수 있다.The respective layers 122a, 122b and 122c of the second upper heater unit 122 may be arranged so as to be offset from each other so as to suppress heat loss on the side of the upper chamber region TC and further ensure temperature uniformity . In other words, the second upper heater units 122a and 122c may be arranged in a clockwise direction with four cantilever unit heaters 125 as shown in FIG. 5 (a), and the second upper heater unit 122b may include a cantilever- (B) of FIG. 5 can be arranged in a counterclockwise direction.

위와 같이, 본 발명은 히터 유닛(120)이 본체(110)의 내측에 배치되어 기판(20)에 직접 열을 전달할 뿐만 아니라, 급속 열처리가 실질적으로 수행되는 상부 챔버 영역(TC)의 상부와 네 측면에 상부 히터 유닛(121, 122)을 배치하여 기판(20)의 전면적에 걸쳐 열을 전달할 수 있고, 챔버(TC, BC) 내부의 온도 균일성을 확보한 상태에서 급속 열처리 공정을 신속하게 수행할 수 있는 이점이 있다.The heater unit 120 is disposed inside the main body 110 to directly transmit heat to the substrate 20 as well as the upper portion of the upper chamber region TC where the rapid thermal annealing is substantially performed, The upper heater units 121 and 122 can be disposed on the side surface to transmit heat across the entire surface of the substrate 20 and the rapid thermal annealing process can be quickly performed in a state in which temperature uniformity in the chambers TC and BC is secured There is an advantage to be able to do.

한편, 본체(110)는 금속 재질로 형성될 수 있다. 금속은 스테인리스 스틸(SUS), 스틸(Steel), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 티타늄합금, Si-DLC(Silicon-Diamondlike Carbon) 등을 이용할 수 있으며, 비용과 가공의 편의성을 고려하면 스테인리스 스틸(SUS)이 바람직하다. 본체(110)를 금속 재질로 제작하면, 용접 또는 체결수단결합 등의 방법으로 본체(110)를 제작할 수 있으므로, 대면적 기판(20)을 수용할 수 있도록 큰 크기로 제작이 용이하고, 견고할 뿐만 아니라, 금속이 갖는 특유의 반사성으로 인해 히터 유닛(120)에서 발생하는 열이 반사되어 챔버(TC, BC)를 가열할 수 있어 열처리 공정의 효율성이 증대되는 이점이 있다.Meanwhile, the main body 110 may be formed of a metal material. The metal can be stainless steel (SUS), steel, aluminum (Al), titanium (Ti), titanium alloy and Si-DLC (Silicon-Diamondlike Carbon). In consideration of cost and processing convenience, Steel (SUS) is preferable. When the main body 110 is made of a metal material, the main body 110 can be manufactured by a method such as welding or joining of fastening means. Therefore, the large size substrate 20 can be easily manufactured in a large size, In addition, since the heat generated in the heater unit 120 is reflected by the specific reflectivity of the metal, the chambers TC and BC can be heated, thereby increasing the efficiency of the heat treatment process.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 승강 유닛(130)은 승강바(131), 기판 지지부(132) 및 기판 지지핀(133)을 포함할 수 있다.2 and 3, the lift unit 130 may include a lift bar 131, a substrate support 132, and a substrate support pin 133.

승강바(131)는 일측은 챔버(TC, BC)의 내부에 위치되고 타측은 챔버(TC, BC)의 외부에 위치되어 승강가능하게 설치될 수 있다. 승강바(131)가 승강할 수 있도록 승강바(131)는 실린더, 모터 등의 구동수단(미도시)과 연결될 수 있다. 승강바(131)는 주위의 간섭없이 승강할 수 있도록, 하부 히터 유닛(123)의 단위 히터(125)의 사이에 위치될 수 있다. 승강바(131)가 승강가능하도록 연통된 본체(110)의 하부면에는 실링 부재(미도시)가 개재될 수 있다.The lifting bar 131 may be installed inside the chambers TC and BC on one side and on the outside of the chambers TC and BC on the other side. The elevating bar 131 may be connected to driving means (not shown) such as a cylinder, a motor, or the like so that the elevating bar 131 can be elevated. The lifting bar 131 can be positioned between the unit heaters 125 of the lower heater unit 123 so that the lifting bar 131 can be lifted and lowered without interference. A sealing member (not shown) may be disposed on a lower surface of the main body 110 communicated with the lifting bar 131 so as to be movable up and down.

기판 지지부(132)는 승강바(131)의 일측에 결합되어 기판(20)을 지지할 수 있다. 기판 지지부(132)는 판 또는 프레임 형상을 가질 수 있고, 기판(20)과의 접촉 면적을 최소화 할 수 있도록 기판 지지부(132) 상에 기판(20)을 접점 지지하는 복수의 기판 지지핀(133)이 형성될 수 있다.The substrate support 132 may be coupled to one side of the lift bar 131 to support the substrate 20. The substrate support 132 may have a plate or frame shape and may include a plurality of substrate support pins 133 for contacting and supporting the substrate 20 on the substrate support 132 to minimize the contact area with the substrate 20. [ May be formed.

승강 유닛(130)이 상승하여 상사점에 위치할 때, 기판 지지핀(133) 상에 접점 지지되는 기판(20)은 상부 챔버 영역(TC)에 위치되어 상부 히터 유닛(121, 122)으로부터 급속 열처리 될 수 있다. 승강 유닛(130)이 하강하여 하사점에 위치할 때, 기판 지지핀(133) 상에 접점 지지되는 기판(20)은 하부 챔버 영역(BC)에 위치되어 하부 히터 유닛(123)으로부터 예열되거나 냉각 또는 대기 상태에 놓일 수 있다.The substrate 20 that is contact-supported on the substrate support pin 133 is positioned in the upper chamber region TC and is moved from the upper heater unit 121, It can be heat-treated. The substrate 20 to be contact-supported on the substrate support pin 133 is positioned in the lower chamber region BC and is heated or cooled from the lower heater unit 123 when the lifting unit 130 is lowered and positioned at the bottom dead center Or in a standby state.

하부 챔버 영역(BC)의 전면[본체(110)의 하부 전면]에는 기판(20)이 출입할 수 있는 출입구(111)가 형성될 수 있고, 출입구(111)는 일정축을 기준으로 스윙하는 도어(115)에 의해 개폐될 수 있다. 출입구(111)와 도어(115) 사이에는 실링 부재(미도시)가 개재될 수 있다.An entrance 111 through which the substrate 20 can enter and exit can be formed on the front surface of the lower chamber area BC (the lower surface of the main body 110), and the entrance 111 is provided with a door 115, respectively. A sealing member (not shown) may be interposed between the doorway 111 and the door 115.

본체(110)의 내측면[또는, 챔버(TC, BC)의 측면]과 히터 유닛(120) 사이에는 단열부(141, 142, 143)가 개재되어, 챔버(TC, BC) 내부의 열손실을 줄여 열처리 공정의 효율성을 증대시킬 수 있다. 단열부(141, 142, 143)는 세라믹 재질인 것이 바람직하다.The heat insulating portions 141, 142 and 143 are interposed between the inner surface of the main body 110 (or the side surfaces of the chambers TC and BC) and the heater unit 120, The efficiency of the heat treatment process can be increased. The heat insulating portions 141, 142, and 143 are preferably made of a ceramic material.

한편, 열처리 장치(100)는 본체(110)의 상면을 관통하도록 설치되어, 챔버(TC, BC)에 열처리 가스를 공급하는 가스 공급관(150)을 더 포함할 수 있다. 열처리 가스는 외부의 가스 공급장치(미도시)로부터 가스 공급관(150)으로 전달되어 가스 공급공(151)을 통해 챔버(TC, BC)에 공급될 수 있다.The heat treatment apparatus 100 may further include a gas supply pipe 150 provided to pass through the upper surface of the main body 110 and supply the heat treatment gas to the chambers TC and BC. The heat treatment gas may be transferred from an external gas supply device (not shown) to the gas supply pipe 150 and supplied to the chambers TC and BC through the gas supply hole 151.

가스 공급공(151)을 통해 공급된 열처리 가스는 분산판(155)에 의해 분산되어 챔버(TC, BC) 내부에 공급될 수 있다. 분산판(155)은 제1 상부 히터 유닛(121)과 제2 상부 히터 유닛(122) 사이에 배치될 수 있다. 분산판(155)에는 일정 간격을 가진 복수의 분산공(155a)이 연통되도록 형성될 수 있다. 가스 토출공(151)을 통해 공급된 열처리 가스는 분산판(155) 상부의 챔버(TC) 영역에서 1차적으로 넓게 분산된 후에, 분산공(155a)을 통과하여 챔버(TC, BC) 내부에 균일하게 공급되어 급속 열처리 공정에 이용될 수 있다.The heat treatment gas supplied through the gas supply hole 151 may be dispersed by the dispersion plate 155 and supplied into the chambers TC and BC. The dispersion plate 155 may be disposed between the first upper heater unit 121 and the second upper heater unit 122. A plurality of dispersion holes 155a having a predetermined gap may be formed in the dispersion plate 155 to communicate with each other. The heat treatment gas supplied through the gas discharge hole 151 is firstly widely dispersed in the chamber TC region above the dispersion plate 155 and then passes through the dispersion hole 155a and flows into the chambers TC and BC Uniformly supplied and can be used in the rapid thermal annealing process.

도 1을 다시 참조하면, 본체(110)의 측면, 구체적으로는 본체(110)의 하부 측면에는 하부 챔버 영역(BC)에 열처리 가스를 공급하는 복수의 보조 가스 공급공(160)이 형성될 수 있다. 보조 가스 공급공(160)을 통해 공급된 열처리 가스는 기판(20)의 예열 또는 냉각에 이용될 수 있다.1, a plurality of auxiliary gas supply holes 160 may be formed on the side surface of the main body 110, specifically, on the lower side surface of the main body 110 to supply a heat treatment gas to the lower chamber area BC. have. The heat treatment gas supplied through the auxiliary gas supply hole 160 may be used for preheating or cooling the substrate 20. [

도 6 내지 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 열처리 장치의 동작 과정을 나타내는 측단면도이다.6 to 9 are side cross-sectional views illustrating the operation of the heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 먼저, 도어(115)를 스윙시켜 출입구(111)를 개방한다. 이때, 승강 유닛(130)은 하사점에 위치한다. 이어서 기판 이송 아암(미도시)을 이용하여 외부에서 기판(20)을 하부 챔버 영역(BC)으로 로딩한 후에, 기판 지지핀(133)과 기판(20)의 하부면을 접점 지지시킨다.Referring to FIG. 6, first, the door 115 is swung to open the entrance 111. At this time, the lift unit 130 is positioned at the bottom dead center. Subsequently, the substrate support pin 133 and the lower surface of the substrate 20 are contact-supported after the substrate 20 is loaded from the outside into the lower chamber region BC using a substrate transfer arm (not shown).

이어서, 도 7을 참조하면, 도어(115)를 스윙시켜 출입구(111)를 폐쇄함에 따라 챔버(TC, BC)는 밀폐된다. 가스 공급공(151)과 보조 가스 공급공(160)을 통해서 열처리 가스가 챔버(TC, BC) 내부로 공급되어 열처리 분위기를 형성하고, 히터 유닛(120)에 전력을 인가하여 열이 발생되도록 한다. 특히, 하부 히터 유닛(123)을 제어하여 하부 챔버 영역(BC)에서 기판(20)을 예열할 수 있는 온도인 200℃ 내지 300℃(제2 온도)를 유지하도록 한다. 상부 히터 유닛(121, 122)은 상부 챔버 영역(TC)에서 기판(20)을 급속 열처리 할 수 있는 온도인 500℃ 내지 800℃(제1 온도)를 유지하도록 한다.7, the chambers TC and BC are sealed as the door 115 is swung to close the entrance 111. [ The heat treatment gas is supplied into the chambers TC and BC through the gas supply hole 151 and the auxiliary gas supply hole 160 to form a heat treatment atmosphere and electric power is applied to the heater unit 120 to generate heat . Particularly, the lower heater unit 123 is controlled to maintain a temperature of 200 ° C to 300 ° C (second temperature) at which the substrate 20 can be preheated in the lower chamber region BC. The upper heater units 121 and 122 allow the substrate 20 to maintain a temperature of 500 ° C to 800 ° C (first temperature) capable of rapid thermal processing of the substrate 20 in the upper chamber region TC.

이어서, 도 8을 참조하면, 승강 유닛(130)을 상승시켜 상사점에 위치시킨다. 그러면, 기판(20)은 상부 챔버 영역(TC)에 위치한다. 기판(20)은 상부 히터 유닛(121, 122)에 둘러싸여 기판(20)의 전면적에 대하여 급속 열처리가 수행된다. 급속 열처리 과정 중에 기판(20)은 상부 히터 유닛(121, 122)으로부터 직접 열을 전달받음과 동시에 제1 온도를 유지하는 상부 챔버 영역(TC)의 열을 전달받을 수 있다.Next, referring to FIG. 8, the lifting unit 130 is lifted and positioned at the top dead center. Then, the substrate 20 is located in the upper chamber region TC. The substrate 20 is surrounded by the upper heater units 121 and 122 and subjected to a rapid thermal process on the entire surface of the substrate 20. [ During the rapid thermal annealing process, the substrate 20 receives heat directly from the upper heater units 121 and 122 and receives heat in the upper chamber region TC maintaining the first temperature.

이어서, 도 9를 참조하면, 수 초 내지 수 분간의 급속 열처리를 마친 후, 승강 유닛(130)을 하강시켜 하사점에 위치시킨다. 그러면, 기판(20)은 하부 챔버 영역(BC)에 위치한다. 이 후, 도어(115)를 스윙시켜 출입구(111)를 개방하고 기판 이송 아암을 이용하여 기판(20)을 언로딩함에 따라 열처리 공정을 완료한다.Next, referring to FIG. 9, after the rapid thermal annealing for several seconds to several minutes is completed, the elevating unit 130 is lowered to be positioned at the bottom dead center. Then, the substrate 20 is located in the lower chamber region BC. Thereafter, the door 115 is swung to open the entrance 111, and the substrate 20 is unloaded using the substrate transfer arm, thereby completing the heat treatment process.

이와 같이, 본 발명은 히터 유닛이 본체의 내부에 배치되어 챔버 내부의 온도 균일성이 증대될 뿐만 아니라, 기판에 직접 열을 전달하여 급속 열처리 공정을 보다 신속하게 수행할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, not only the temperature uniformity in the chamber is increased by arranging the heater unit inside the main body, but also the rapid thermal annealing process can be performed more quickly by transmitting heat directly to the substrate.

또한, 본 발명은 금속 재질의 본체를 채용함에 따라, 용이하게 대면적 기판을 수용할 수 있는 열처리 장치를 제작할 수 있다. 그리고, 금속 재질의 본체에서 열을 반사하여 챔버 내부의 열손실을 보전할 수 있는 효과가 있다.Further, according to the present invention, by employing a metal body, a heat treatment apparatus capable of easily accommodating a large-area substrate can be manufactured. In addition, there is an effect that heat is reflected from the body made of a metal, and heat loss inside the chamber can be preserved.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken in conjunction with the present invention. Variations and changes are possible. Such variations and modifications are to be considered as falling within the scope of the invention and the appended claims.

20: 기판
100: 열처리 장치
110: 본체
111: 출입구
115: 도어
120: 히터 유닛
121: 제1 상부 히터 유닛
122: 제2 상부 히터 유닛
123: 하부 히터 유닛
125: 단위 히터
130: 승강 유닛
131: 승강바
132: 기판 지지부
133: 기판 지지핀
141, 142, 143: 단열부
150: 가스 공급관
151: 가스 공급공
155: 분산판
155a: 분산공
160: 보조 가스 공급관
TC: 상부 챔버 영역
BC: 하부 챔버 영역20: substrate
100: Heat treatment apparatus
110:
111: Entrance
115: Door
120: heater unit
121: first upper heater unit
122: second upper heater unit
123: Lower heater unit
125: Unit heater
130:
131: Lift bar
132:
133: substrate support pin
141, 142, 143:
150: gas supply pipe
151: gas supply hole
155: Dispersion plate
155a: Dispersion ball
160: auxiliary gas supply pipe
TC: upper chamber area
BC: Lower chamber area

Claims (21)

기판의 열처리 공간인 챔버를 포함하는 본체;
상하운동하며 상기 기판을 지지하는 승강 유닛; 및
상기 본체의 내측 상부 및 내측 하부에 배치되는 히터 유닛;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.A body including a chamber which is a heat treatment space of the substrate;
An elevating unit moving up and down to support the substrate; And
A heater unit disposed on an inner upper portion and an inner lower portion of the main body;
Wherein the heat treatment apparatus comprises: 제1항에 있어서,
상기 챔버는
상기 기판이 상기 승강 유닛에 의해 상승할 때 상기 기판이 제1 온도로 열처리 되는 상부 챔버 영역; 및
상기 기판이 상기 승강 유닛에 의해 하강할 때 상기 기판이 제2 온도로 열처리 되는 하부 챔버 영역
을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method according to claim 1,
The chamber
An upper chamber region in which the substrate is heated to a first temperature when the substrate is lifted by the lifting unit; And
Wherein the substrate is heated to a second temperature when the substrate is lowered by the lifting unit,
Wherein the heat treatment apparatus comprises: 제2항에 있어서,
상기 히터 유닛은,
상기 상부 챔버 영역의 적어도 일측에 배치되는 상부 히터 유닛; 및
상기 하부 챔버 영역의 적어도 일측에 배치되는 하부 히터 유닛
을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.3. The method of claim 2,
The heater unit includes:
An upper heater unit disposed on at least one side of the upper chamber region; And
A lower heater unit disposed on at least one side of the lower chamber region,
Wherein the heat treatment apparatus comprises: 제3항에 있어서,
상기 상부 히터 유닛과 상기 하부 히터 유닛은 이격되어 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the upper heater unit and the lower heater unit are spaced apart from each other. 제3항에 있어서,
상기 상부 히터 유닛은 상기 상부 챔버 영역의 상면을 가열하는 제1 상부 히터 유닛 및 상기 상부 챔버 영역의 측면을 가열하는 제2 상부 히터 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method of claim 3,
Wherein the upper heater unit comprises a first upper heater unit for heating an upper surface of the upper chamber region and a second upper heater unit for heating a side surface of the upper chamber region. 제5항에 있어서,
상기 제1 상부 히터 유닛 및 상기 하부 히터 유닛의 양단은 상기 본체의 측면에 연결되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein both ends of the first upper heater unit and the lower heater unit are connected to a side surface of the main body. 제5항에 있어서,
상기 제2 상부 히터 유닛의 일단은 상기 본체의 측면에 연결되고, 타단은 상기 상부 챔버 영역 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein one end of the second upper heater unit is connected to a side surface of the main body and the other end is positioned in the upper chamber region. 제7항에 있어서,
상기 제2 상부 히터 유닛은 상기 상부 챔버 영역의 측면을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.8. The method of claim 7,
And the second upper heater unit surrounds a side surface of the upper chamber region. 제1항에 있어서,
상기 본체는 금속 재질로 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the main body is made of a metal material. 제2항에 있어서,
상기 제1 온도는 상기 제2 온도보다 높은 것을 특징으로 하는 열처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the first temperature is higher than the second temperature. 제10항에 있어서,
상기 제1 온도는 500℃ 내지 800℃, 상기 제2 온도는 200℃ 내지 300℃ 인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the first temperature is 500 ° C to 800 ° C, and the second temperature is 200 ° C to 300 ° C. 제2항에 있어서,
상기 하부 챔버 영역의 전면에는 상기 기판이 출입하는 출입구가 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.3. The method of claim 2,
And an inlet and an outlet through which the substrate enters and exits are formed on a front surface of the lower chamber region. 제1항에 있어서,
상기 본체의 상면을 관통하도록 설치되어, 상기 챔버에 열처리 가스를 공급하는 가스 공급관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method according to claim 1,
Further comprising a gas supply pipe installed to penetrate the upper surface of the main body and supplying a heat treatment gas to the chamber. 제13항에 있어서,
상기 가스 공급관으로부터 공급된 상기 열처리 가스를 상기 챔버 내부로 분산시키는 분산판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.14. The method of claim 13,
And a dispersing plate for dispersing the heat treatment gas supplied from the gas supply pipe into the chamber. 제14항에 있어서,
상기 분산판에 일정 간격을 가진 복수의 분산공이 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.15. The method of claim 14,
Wherein a plurality of dispersion holes having a predetermined interval are formed in the dispersion plate. 제1항에 있어서,
상기 승강 유닛은,
일측은 상기 챔버의 내부에 위치되고 타측은 상기 챔버의 외부에 위치되어 승강가능하게 설치된 승강바; 및
상기 승강바의 일측에 결합되어 상기 기판을 지지하는 기판 지지부
를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method according to claim 1,
The elevating unit includes:
A lift bar located on one side of the chamber and on the other side of the chamber; And
And a substrate support member coupled to one side of the elevating bar to support the substrate,
Wherein the heat treatment apparatus comprises: 제16항에 있어서,
상기 기판 지지부 상에는 상기 기판을 접점 지지하는 복수의 기판 지지핀이 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.17. The method of claim 16,
And a plurality of substrate support pins for contact-supporting the substrate are formed on the substrate support. 제1항에 있어서,
상기 히터 유닛은 복수의 단위 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the heater unit includes a plurality of unit heaters. 제18항에 있어서,
상기 단위 히터는 봉 형상인 것을 특징으로 하는 열처리 장치.19. The method of claim 18,
Wherein the unit heater is a bar shape. 제1항에 있어서,
상기 본체의 내측면과 상기 히터 유닛 사이에 단열부가 개재되는 것을 특징으로 하는 열처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein a heat insulating portion is interposed between an inner surface of the main body and the heater unit. 제2항에 있어서,
상기 본체의 측면에, 상기 하부 챔버 영역에 열처리 가스를 공급하는 복수의 보조 가스 공급공이 형성된 것을 특징으로 하는 열처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein a plurality of auxiliary gas supply holes for supplying a thermal processing gas to the lower chamber region are formed on side surfaces of the main body.
KR1020140034303A 2014-03-24 2014-03-24 Apparatus for heat processing KR20150110206A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140034303A KR20150110206A (en) 2014-03-24 2014-03-24 Apparatus for heat processing
TW104108295A TW201543600A (en) 2014-03-24 2015-03-16 Apparatus for heat processing
CN201510127497.8A CN104952727A (en) 2014-03-24 2015-03-23 Device for heat treatment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140034303A KR20150110206A (en) 2014-03-24 2014-03-24 Apparatus for heat processing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150110206A true KR20150110206A (en) 2015-10-02

Family

ID=54167298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140034303A KR20150110206A (en) 2014-03-24 2014-03-24 Apparatus for heat processing

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20150110206A (en)
CN (1) CN104952727A (en)
TW (1) TW201543600A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786505A (en) * 2019-11-05 2021-05-11 系统科技公司 Substrate transfer apparatus and substrate processing method using the same

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107871681B (en) 2016-09-27 2019-10-08 北京北方华创微电子装备有限公司 One kind going to gas chamber and semiconductor processing device
JP2019029102A (en) * 2017-07-26 2019-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Heating apparatus
JP2019027623A (en) * 2017-07-26 2019-02-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Heating device and heating method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112786505A (en) * 2019-11-05 2021-05-11 系统科技公司 Substrate transfer apparatus and substrate processing method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
CN104952727A (en) 2015-09-30
TW201543600A (en) 2015-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7624772B2 (en) Load lock apparatus, processing system and substrate processing method
KR100854142B1 (en) Load lock apparatus and substrate processing system and processing method
KR20100008722A (en) Batch type heat treatment apparatus
KR101227809B1 (en) Method for reducing temperature of substrate placing table, computer-readable storage medium, and substrate processing system
KR20150110206A (en) Apparatus for heat processing
TW201436093A (en) Modular substrate heater for efficient thermal cycling
KR101428570B1 (en) Gas Intake and Exhaust Device and Method for Heat Treatment of Substrate, and Heat Treatment Chamber and Apparatus of Substrate Having the Same
JP2010159463A (en) In-line type plasma cvd method, and apparatus thereof
JP2003037107A (en) Processing apparatus and processing method
JP2014072352A (en) Thermal treatment apparatus
KR100831906B1 (en) Temperature control room and vacuum processing apparatus using the same
KR101464662B1 (en) Improved Boat, and Heat Treatment Chamber and Apparatus of Substrate Having the Same
KR101354600B1 (en) Improved boat, and heat treatment chamber and apparatus of substrate having the same
KR20190011611A (en) Improved Temperature Control Device and Method for Heat Treatment of Substrate, and Heat Treatment Chamber and Apparatus Having the Same
JP2002313796A (en) Substrate heat treatment system
KR102166492B1 (en) Apparatus for heat processing
KR101390510B1 (en) Heating Structure for Heat Treatment Chamber of Substrates and Heat Treatment Chamber of Substrates Having the Same
KR101374752B1 (en) Heat treatment chamber, apparatus and method of substrate having system of measuring and controlling substrate temperature
KR101167989B1 (en) Appartus for processing a substrate
JP2003037108A (en) Reaction tube and heat treatment device
JP2003037147A (en) Substrate carrying apparatus and thermally treatment method
JP2007227773A (en) Heat treatment apparatus of substrate, and heat treatment method of substrate
KR101544005B1 (en) Improved Heat Treatment Chamber and Apparatus of Substrate
KR101381205B1 (en) Device and Method of Measuring Substrate Temperature and Heat Treatment Chamber and Apparatus of Substrate Having the Same
KR20140005548A (en) Improved chamber for heat treatment of substrates and heat treatment apparatus and method of substrate having the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application