KR101420712B1 - Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus of Substrate Having the Same - Google Patents

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KR101420712B1
KR101420712B1 KR1020130044925A KR20130044925A KR101420712B1 KR 101420712 B1 KR101420712 B1 KR 101420712B1 KR 1020130044925 A KR1020130044925 A KR 1020130044925A KR 20130044925 A KR20130044925 A KR 20130044925A KR 101420712 B1 KR101420712 B1 KR 101420712B1
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성노영
이장혁
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주식회사 나래나노텍
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Abstract

A chamber for heat treatment according to the present invention comprises an upper housing and a lower housing which offers a heat treatment space for a single substrate therein; an upper window plate or a lower window plate which is separated from the inner lower surface of the upper housing or the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and an upper heating space or the heat treatment space and a lower heating space; a boat which loads and supports the single substrate into the heat treatment space and unloads the single substrate in the heat treatment space; a gas supply device which supplies gas to the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space; and a vacuum pumping device which is connected to face the gas supply device to discharge the gas, the oxygen, and the foreign materials of the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space to discharge gas, oxygen, and foreign matters existing in the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space. One or both of the upper housing and the lower housing comprise(s) a plurality of heat sources.

Description

개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치{Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus of Substrate Having the Same}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an improved chamber for heat treatment of a substrate,

본 발명은 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an improved substrate heat treatment chamber and a substrate heat treatment apparatus having the same.

좀 더 구체적으로, 본 발명은 1개 또는 2개의 기판을 수용하는 상부 및 하부 하우징을 구비한 챔버를 복수개 구비하며, 각각의 챔버에서 상부 및/또는 하부 하우징의 내부에 복수의 열원을 제공하고 또한 상부 및/또는 하부 하우징의 내측면에서 히팅 공간과 열처리 공간을 분할하며, 히팅 공간과 열처리 공간 사이의 압력 차이를 보상하는 복수의 홀을 구비하는 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트를 제공하여 기판 및 기판 상에 코팅된 필름이 열원으로부터 방출되는 근적외선 파장을 흡수하는 복사 방식으로 열처리함으로써, 열원이 열처리 과정에서 기판 및 기판 상에 도포된 필름에서 발생하는 흄(fume)에 의한 영향이 실질적으로 제거되므로 열원의 열효율 유지가 우수하고 흄 세정 공정이 실질적으로 불필요하며, 복수의 열원의 출력 파워(output power)를 개별적으로 또는 그룹 방식으로 제어할 수 있으므로 기판의 온도 균일도가 향상되고, 열처리 공간 내의 산소 농도의 조절이 가능하여 기판과 산소의 반응으로 인한 이물 발생 및/또는 기판 손상이 최소화되며. 히팅 공간과 열처리 공간 사이의 압력 차이의 발생이 방지되어 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트의 파손이 방지되고, 복수의 챔버의 개별 프로세싱이 가능하며, 복수의 챔버의 개별적인 유지 보수가 가능한 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.More specifically, the present invention provides a method for providing a plurality of chambers having upper and lower housings for receiving one or two substrates, providing a plurality of heat sources in the upper and / or lower housing in each chamber, Providing an upper and / or lower window plate having a plurality of holes dividing the heating space and the heat treatment space at the inner surface of the upper and / or lower housing and compensating for the pressure difference between the heating space and the heat treatment space, Since the film coated on the substrate is subjected to the heat treatment by the radiation method absorbing the near infrared rays emitted from the heat source, the influence of the fume generated in the film applied on the substrate and the substrate in the heat treatment process is substantially eliminated, And the fume washing process is substantially unnecessary, and the output power of a plurality of heat sources The temperature uniformity of the substrate can be improved and the oxygen concentration in the heat treatment space can be adjusted, thereby minimizing foreign matter generation and / or substrate damage due to reaction of the substrate and oxygen. An improved substrate heat treatment capable of preventing the occurrence of pressure differences between the heating space and the heat treatment space to prevent breakage of the upper and / or lower window plates, enabling individual processing of the plurality of chambers, and individual maintenance of the plurality of chambers And a substrate heat treatment apparatus having the chamber.

반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 어닐링(annealing) 장치는 실리콘 웨이퍼, 글래스, 또는 플라스틱 기판과 같은 플렉시블 기판(이하 통칭하여 "기판"이라 함) 상에 증착되어 있는 소정의 필름(유기물 및 무기물)에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리를 수행하는 장치이다.An annealing apparatus used for manufacturing semiconductors, flat panel displays and solar cells can be applied to a predetermined film (organic material and / or organic material) deposited on a flexible substrate (hereinafter collectively referred to as "substrate") such as a silicon wafer, Inorganic substance), which is necessary for a process such as crystallization and phase change.

대표적인 어닐링 장치로는 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우 글래스 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다.A typical annealing apparatus is a silicon crystallization apparatus for crystallizing amorphous silicon deposited on a glass substrate into polysilicon when a liquid crystal display or a thin film crystalline silicon solar cell is manufactured.

이와 같은 결정화 공정(열처리 공정)을 수행하기 위해서는 소정의 박막 필름(이하 "필름"이라 함)이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능한 열처리 장치가 있어야 한다. 예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화를 위해서는 최소한 550 내지 600℃의 온도가 필요하다.In order to perform such a crystallization process (heat treatment process), a heat treatment apparatus capable of heating a substrate on which a predetermined thin film (hereinafter referred to as "film") is formed must be provided. For example, for crystallization of amorphous silicon, a temperature of at least 550 to 600 DEG C is required.

통상적으로 열처리 장치에는 하나의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 매엽식과 복수의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 배치식이 있다. 매엽식은 장치의 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어서 최근의 대량 생산용으로는 배치식이 각광을 받고 있다.Generally, a heat treatment apparatus includes a single-wafer type in which heat treatment can be performed on one substrate, and a batch type in which heat treatment can be performed on a plurality of substrates. There is a merit of simple configuration of the apparatus, but there is a disadvantage that the productivity is low, and the batch formula is getting popular for the mass production in recent years.

도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이며, 도 3은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다. 이러한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치는 예를 들어, 허판선 등에 의해 2008년 7월 16일자에 "배치식 열처리 장치"라는 발명의 명칭으로 대한민국 특허출원 제10-2008-0069329로 출원된 후, 2011년 2월 11일자로 등록된 대한민국 특허 제10-1016048호에 상세히 기술되어 있다.2 is a perspective view showing the configuration of a chamber of a batch type heat treatment apparatus according to the prior art shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional batch heat treatment apparatus Fig. 5 is a perspective view showing the arrangement of the substrate, the main heater unit, and the auxiliary heater unit of the batch type heat treatment apparatus according to the first embodiment. Such a batch heat treatment apparatus according to the prior art is filed in Korean Patent Application No. 10-2008-0069329, entitled " Batch Heat Treatment Apparatus ", filed July 16, 2008 by Huh, Are described in detail in Korean Patent No. 10-1016048, filed on February 11,

도 1 내지 도 3을 참조하면, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 열처리 공간을 제공하는 직육면체 형상의 챔버(100)와, 챔버(100)를 지지하는 프레임(110)을 포함하여 구성된다.1 to 3, a batch type thermal processing apparatus 1 according to the related art includes a chamber 100 having a rectangular parallelepiped shape for providing a heat treatment space and a frame 110 for supporting the chamber 100, do.

챔버(100)의 일측에는 챔버(100) 내로 기판(10)을 로딩하기 위하여 상하 방향으로 개폐되는 도어(140)가 설치된다. 한편, 열처리가 종료된 후 도어(140)를 통하여 보트(120)를 챔버(100)의 외부로 이송시킨 후 보트(120) 상에서 기판(10)을 언로딩할 수도 있다.A door 140 is installed at one side of the chamber 100 to open and close the substrate 10 in a vertical direction to load the substrate 10 into the chamber 100. After the heat treatment is completed, the boat 120 may be transferred to the outside of the chamber 100 through the door 140, and then the substrate 10 may be unloaded on the boat 120.

챔버(100)의 상측에는 챔버(100)의 내부에 설치되는, 예를 들어 보트(120), 가스 공급관(300) 및 가스 배출관(320) 등의 수리 및 교체를 위하여 커버(160)가 개폐 가능하도록 설치된다.A cover 160 is provided on the upper side of the chamber 100 for repairing and replacing the boats 120, the gas supply pipes 300 and the gas discharge pipes 320 installed in the chamber 100 .

챔버(100)의 내부에는 기판(10)을 직접 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과, 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)과, 열처리가 종료된 후 챔버(100) 내부를 신속하게 냉각시키기 위한 냉각관(250)이 설치된다.A main heater unit 200 for directly heating the substrate 10 in the chamber 100, an auxiliary heater unit 220 for preventing heat loss in the chamber 100, A cooling pipe 250 for rapidly cooling the inside of the cooling pipe 100 is installed.

도 2 및 도 3을 참조하면, 메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 단변 방향과 평행하게 일정한 간격을 가지면서 단위 메인 히터(210)를 포함한다. 단위 메인 히터(210)는 통상적인 길이가 긴 원통형의 히터로서 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있고 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시키는 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위체이다.Referring to FIGS. 2 and 3, the main heater unit 200 includes a unit main heater 210 having a predetermined interval in parallel with the short side direction of the substrate 10. The unit main heater 210 is a conventional cylindrical heater having a long length and constitutes a main heater unit 200 in which a heating element is inserted into a quartz tube and external power is applied through terminals provided at both ends to generate heat Lt; / RTI >

메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 복수개가 배치된다. 기판(10)은 복수의 메인 히터 유닛(200) 사이에 배치된다. 기판(10)은 메인 히터 유닛(200) 사이의 중앙에 배치하는 것이 바람직하다.A plurality of main heater units 200 are arranged at regular intervals along the stacking direction of the substrates 10. The substrate 10 is disposed between a plurality of main heater units 200. It is preferable that the substrate 10 is disposed at the center between the main heater units 200.

상술한 바와 같이 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 기판(10)의 상부 및 하부에 기판(10)의 전면적을 커버할 수 있는 단위 메인 히터(210)로 구성되는 메인 히터 유닛(200)이 설치됨으로써, 기판(10)은 단위 메인 히터로(210)로부터 전면적에 걸쳐서 균일하게 열을 인가받아 열처리가 균일하게 이루어질 수 있다.As described above, in the batch type thermal processing apparatus 1 according to the related art, a main heater unit 200 (hereinafter, referred to as " main heater ") 200 composed of a unit main heater 210 capable of covering the entire surface of the substrate 10, The substrate 10 is uniformly heated from the unit main heater 210 to uniformly heat the entire surface thereof.

또한, 도 2 및 도 3을 참조하면, 보조 히터 유닛(220)은 기판(10)의 단변 방향을 따라 평행하게 배치되는 제1 보조 히터유닛(220a)과 기판(10)의 장변 방향을 따라 배치되는 제2 보조 히터 유닛(220b)을 포함한다. 제1 보조 히터 유닛(220a)은 메인 히터 유닛(200)의 양측에 단위 메인 히터(210)와 평행하게 배치되는 복수의 제1 단위 보조 히터(230a)를 포함한다.2 and 3, the auxiliary heater unit 220 includes a first auxiliary heater unit 220a disposed parallel to the short side direction of the substrate 10 and a second auxiliary heater unit 220b disposed along the long side direction of the substrate 10 And a second auxiliary heater unit 220b. The first auxiliary heater unit 220a includes a plurality of first unit auxiliary heaters 230a disposed on both sides of the main heater unit 200 in parallel with the unit main heaters 210. [

상술한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)는 챔버(100) 내의 복수의 기판에 대해 동시에 열처리가 가능함으로써 기판의 생산성을 향상시키는 효과가 달성되지만, 여전히 다음과 같은 문제점을 갖는다.The above-described batch type thermal processing apparatus 1 according to the related art can achieve heat treatment at the same time on a plurality of substrates in the chamber 100, thereby achieving an effect of improving the productivity of the substrate, but still has the following problems.

1. 기판(10)을 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)이 모두 챔버(100)의 내부에 제공되므로, 열처리에 의해 기판(10) 및 기판(10) 상의 필름에서 발생하는 흄(fume)이 메인 히터 유닛(200) 및 보조 히터 유닛(220) 상에 증착된다. 그에 따라, 시간이 경과함에 따라 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 열효율이 크게 저하된다. 따라서, 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 열효율을 유지하기 위해서는 흄을 제거하여야 하므로 흄 세정에 따른 전체 공정 시간 및 비용이 크게 증가한다.1. Both the main heater unit 200 for heating the substrate 10 and the auxiliary heater unit 220 for preventing heat loss in the chamber 100 are both provided inside the chamber 100, Fumes generated in the film on the substrate 10 and the substrate 10 are deposited on the main heater unit 200 and the auxiliary heater unit 220. [ As a result, the thermal efficiency of the main heater unit 200 and the auxiliary heater unit 220 significantly decreases with time. Therefore, in order to maintain the thermal efficiency of the main heater unit 200 and the auxiliary heater unit 220, the fume must be removed, which greatly increases the overall process time and cost due to the fume cleaning.

2. 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위 메인 히터(210)는 석영관 내부에 발열체가 삽입된 원통형의 히터로서 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시킨다. 이러한 단위 메인 히터(210)로 구성된 메인 히터 유닛(200)에서 발생된 열은 기판(10)에 전도 또는 대류에 의해 전달되는 간접 가열 방식이므로, 기판(10)의 열처리 에너지의 전달 효율이 크게 저하될 뿐만 아니라, 기판(10)에 균일하게 열을 전달하기가 상대적으로 어렵다.2. The unit main heater 210 constituting the main heater unit 200 is a cylindrical heater in which a heating element is inserted in a quartz tube and receives external power through terminals provided at both ends to generate heat. Since the heat generated in the main heater unit 200 constituted by the unit main heaters 210 is transferred to the substrate 10 by conduction or convection, the heat transfer efficiency of the heat treatment energy of the substrate 10 is greatly reduced And it is relatively difficult to uniformly transfer heat to the substrate 10. [

3. 챔버(100)의 내부에 제공되는 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 챔버(100) 내부의 복수의 기판(10)이 균일하게 열을 인가받지 못하게 되므로 복수의 기판(10) 전체에 불량이 발생할 수 있다.3. When a failure occurs in a part of the main heater unit 200 and the auxiliary heater unit 220 provided in the chamber 100, the plurality of substrates 10 in the chamber 100 are uniformly heated So that defects may occur in the entirety of the plurality of substrates 10.

4. 또한, 챔버(100)의 내부에 제공되는 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 고장 부품의 수리 또는 교체를 위해 배치식 열처리 장치(1) 자체의 열처리 동작이 중단되어야 한다. 따라서, 전체 열처리 공정 시간(tact time)이 증가한다.4. When a failure occurs in some of the main heater unit 200 and the auxiliary heater unit 220 provided in the chamber 100, the batch type heat treatment apparatus 1 The heat treatment operation of itself must be stopped. Thus, the total heat treatment process time (tact time) increases.

5. 종래 기술에서는 예를 들어 플라스틱 기판과 같은 플렉시블 기판이 사용되는 경우, 고온의 열처리를 위해 기판(10)을 챔버(100) 내부 및 외부로의 이송에 따른 도어(140)의 개방으로 인하여 산소를 포함한 외부의 공기가 챔버(100) 내로 유입된다. 챔버(100) 내로 유입된 산소는 열처리 공정에 의해 고온으로 가열된 플랙시블 기판(10)과 반응하여, 이물을 발생시키거나 또는 기판 자체를 손상시킨다.5. In the prior art, when a flexible substrate such as a plastic substrate is used, due to the opening of the door 140 due to the transfer of the substrate 10 into and out of the chamber 100 for high temperature heat treatment, oxygen Is introduced into the chamber (100). Oxygen introduced into the chamber 100 reacts with the flexible substrate 10 heated to a high temperature by a heat treatment process to generate foreign matter or damage the substrate itself.

따라서, 상술한 종래 기술의 배치식 열처리 장치에 사용되는 챔버 및 배치식 열처리 장치의 문제점을 해결하기 위한 새로운 방안이 요구된다.Therefore, there is a need for a new method for solving the problems of the chamber and the batch type heat treatment apparatus used in the batch type heat treatment apparatus of the prior art described above.

대한민국 특허 제10-1016048호Korean Patent No. 10-1016048

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 1개 또는 2개의 기판을 수용하는 상부 및 하부 하우징을 구비한 챔버를 복수개 구비하며, 각각의 챔버에서 상부 및/또는 하부 하우징의 내부에 근적외선 램프 히터와 같은 복수의 열원을 제공하고 또한 상부 및/또는 하부 하우징의 내측면에서 히팅 공간과 열처리 공간을 분할하며, 히팅 공간과 열처리 공간 사이의 압력 차이를 보상하는 복수의 홀을 구비하는 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트를 제공하여 기판 및 기판 상에 코팅된 필름이 열원으로부터 방출되는 근적외선 파장을 흡수하는 복사 방식으로 열처리함으로써, 열원이 열처리 과정에서 기판 및 기판 상에 도포된 필름에서 발생하는 흄(fume)에 의한 영향이 실질적으로 제거되므로 열원의 열효율 유지가 우수하고 흄 세정 공정이 실질적으로 불필요하며, 복수의 근적외선 램프 히터의 출력 파워(output power)를 개별적으로 또는 그룹 방식으로 제어할 수 있으므로 기판의 온도 균일도가 향상되고, 열처리 공간 내의 산소 농도의 조절이 가능하여 기판과 산소의 반응으로 인한 이물 발생 및/또는 기판 손상이 최소화되며. 히팅 공간과 열처리 공간 사이의 압력 차이의 발생이 방지되어 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트의 파손이 방지되고, 복수의 챔버의 개별 프로세싱이 가능하며, 복수의 챔버의 개별적인 유지 보수가 가능한 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus and a plasma processing apparatus, which are provided with a plurality of chambers each having upper and lower housings accommodating one or two substrates, And a plurality of holes for dividing the heating space and the heat treatment space at the inner surface of the upper and / or lower housing and compensating for the pressure difference between the heating space and the heat treatment space, and / The lower window plate is provided so that the substrate and the film coated on the substrate are heat treated by a radiation method that absorbs the near infrared rays emitted from the heat source so that the fume generated in the film applied on the substrate and the substrate during the heat treatment, The thermal efficiency of the heat source is excellent and the fume cleaning process is substantially Since the output power of a plurality of near infrared ray lamp heaters can be controlled individually or in groups, the temperature uniformity of the substrate can be improved and the oxygen concentration in the heat treatment space can be adjusted, Thereby minimizing foreign matter generation and / or substrate damage. An improved substrate heat treatment capable of preventing the occurrence of pressure differences between the heating space and the heat treatment space to prevent breakage of the upper and / or lower window plates, enabling individual processing of the plurality of chambers, and individual maintenance of the plurality of chambers And a substrate heat treatment apparatus having the same.

본 발명의 제 1 특징에 따른 기판 열처리용 챔버는 내부에 단일 기판의 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징; 상기 열처리 공간 및 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 하부 히팅 공간을 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 상부 윈도우 플레이트 또는 하부 윈도우 플레이트; 상기 열처리 공간 내로 상기 단일 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 단일 기판을 언로딩하는 보트; 상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 및 상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치를 포함하되, 상기 상부 하우징 및 하부 하우징 중 어느 하나 또는 양자는 복수의 열원을 구비하는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment chamber according to a first aspect of the present invention includes: an upper housing and a lower housing that provide a heat treatment space of a single substrate therein; An upper window plate or a lower window plate spaced apart from the inner lower surface of the upper housing or the upper inner surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space; A boat loading and supporting the single substrate into the heat treatment space and unloading the single substrate within the heat treatment space; A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space and the upper heating space or into the heat treatment space and the lower heating space; And a vacuum pumping device, which is connected to the gas supply device so as to exhaust the gas, oxygen, and foreign matter existing in the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space, One or both of the lower housings are provided with a plurality of heat sources.

본 발명의 제 2 특징에 따른 기판 열처리용 챔버는 각각이 복수의 열원을 구비하며, 한 쌍의 기판의 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징; 상기 열처리 공간과 상부 히팅 공간 및 상기 열처리 공간과 하부 히팅 공간을 각각 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 상기 열처리 공간 내로 상기 한 쌍의 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 한 쌍의 기판을 언로딩하는 보트; 상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 및 상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소, 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.The substrate heating chamber according to the second aspect of the present invention includes an upper housing and a lower housing each having a plurality of heat sources and providing a heat treatment space of the pair of substrates; An upper and a lower window plate spaced apart from the inner lower surface of the upper housing and the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space and the heat treatment space and the lower heating space, respectively; A boat loading and supporting the pair of substrates into the heat treatment space and unloading the pair of substrates in the heat treatment space; A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space; And a vacuum pumping device which is connected to the gas supply device so as to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances existing in the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space.

본 발명의 제 3 특징에 따른 기판 열처리 장치는 각각이 단일 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버; 상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및 상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어를 포함하되, 상기 복수의 챔버는 각각 내부에 상기 단일 기판의 상기 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징; 상기 열처리 공간 및 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 하부 히팅 공간을 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 상부 윈도우 플레이트 또는 하부 윈도우 플레이트; 상기 열처리 공간 내로 상기 단일 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 단일 기판을 언로딩하는 보트; 상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 및 상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치를 포함하고, 상기 상부 하우징 및 하부 하우징 중 어느 하나 또는 양자는 복수의 열원을 구비하며, 상기 복수의 챔버 내의 상기 단일 기판의 열처리는 각각 개별적으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment apparatus according to a third aspect of the present invention includes: a plurality of chambers each providing a heat treatment space of a single substrate; A frame in which the plurality of chambers are detachably supported; And a plurality of doors provided on a front surface of each of the plurality of chambers, wherein the plurality of chambers each include an upper housing and a lower housing that provide the heat treatment space of the single substrate; An upper window plate or a lower window plate spaced apart from the inner lower surface of the upper housing or the upper inner surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space; A boat loading and supporting the single substrate into the heat treatment space and unloading the single substrate within the heat treatment space; A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space and the upper heating space or into the heat treatment space and the lower heating space; And a vacuum pumping device which is connected to the gas supply device so as to discharge the gas, oxygen and foreign substances existing in the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space, One or both of the lower housings is provided with a plurality of heat sources, and the single substrate in the plurality of chambers is individually heat-treated.

본 발명의 제 4 특징에 따른 기판 열처리 장치는 각각이 한 쌍의 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버; 상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및 상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어를 포함하되, 상기 복수의 챔버는 각각 각각이 복수의 열원을 구비하며, 상기 한 쌍의 기판의 상기 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징; 상기 열처리 공간과 상부 히팅 공간 및 상기 열처리 공간과 하부 히팅 공간을 각각 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 상기 열처리 공간 내로 상기 한 쌍의 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 한 쌍의 기판을 언로딩하는 보트; 상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 및 상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소, 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치를 포함하고, 상기 복수의 챔버 내의 상기 한 쌍의 기판의 열처리는 각각 개별적으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment apparatus according to a fourth aspect of the present invention includes: a plurality of chambers each providing a heat treatment space of a pair of substrates; A frame in which the plurality of chambers are detachably supported; And a plurality of doors provided on a front surface of each of the plurality of chambers, wherein each of the plurality of chambers includes a plurality of heat sources, each of the chambers includes an upper housing and a lower housing that provide the heat treatment space of the pair of substrates, ; An upper and a lower window plate spaced apart from the inner lower surface of the upper housing and the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space and the heat treatment space and the lower heating space, respectively; A boat loading and supporting the pair of substrates into the heat treatment space and unloading the pair of substrates in the heat treatment space; A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space; And a vacuum pumping device, which is connected to the gas supply device so as to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances existing in the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space, And heat treatment of the pair of substrates is performed individually.

본 발명에 따른 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 사용하면 다음과 같은 효과가 달성된다.The following effects can be achieved by using the substrate heat treatment chamber and the substrate heat treatment apparatus having the same according to the present invention.

1. 복수의 열원이 챔버 내 처리 공간의 외부에 제공되므로 열처리에 의해 발생하는 흄이 복수의 열원 상에 증착되지 않는다. 그에 따라, 시간이 경과하더라도 흄에 의한 영향이 실질적으로 제거되어 복수의 열원의 우수한 열효율을 유지할 수 있으며, 흄 세정 공정이 실질적으로 불필요하므로 전체 공정 시간 및 비용이 크게 감소된다.1. Since a plurality of heat sources are provided outside the processing space in the chamber, the fumes generated by the heat treatment are not deposited on the plurality of heat sources. Accordingly, even if the time passes, the effect of the fume can be substantially eliminated, the excellent heat efficiency of the plurality of heat sources can be maintained, and the fume washing process is substantially unnecessary, so that the whole process time and cost are greatly reduced.

2. 복수의 열원의 배면에 제공되는 복수의 반사부(reflector)를 이용하여 복사 방식으로 기판을 열처리하는 직접 가열 방식이므로 기판의 열처리 전달 효율이 우수할 뿐만 아니라, 기판에 균일한 열전달이 상대적으로 용이하다.2. A direct heating method for heat-treating a substrate by using a plurality of reflectors provided on the back surface of a plurality of heat sources, so that the heat treatment transfer efficiency of the substrate is excellent and a uniform heat transfer is relatively It is easy.

3. 복수의 근적외선 램프 히터의 출력 파워(output power)를 개별적으로 또는 그룹 방식으로 제어할 수 있으므로 기판의 온도 균일도가 향상된다.3. The output power of a plurality of near-infrared lamp heaters can be controlled individually or in a group manner, thereby improving the temperature uniformity of the substrate.

4. 열처리 공간 내의 산소 농도의 조절이 가능하여 기판과 산소의 반응으로 인한 이물 발생 및/또는 기판 손상이 최소화된다.4. It is possible to control the oxygen concentration in the heat treatment space to minimize foreign matter generation and / or substrate damage due to reaction of the substrate and oxygen.

5. 히팅 공간과 열처리 공간 사이의 압력 차이의 발생이 방지되어 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트의 파손이 방지된다.5. The occurrence of a pressure difference between the heating space and the heat treatment space is prevented to prevent breakage of the upper and / or lower window plate.

6. 복수의 챔버에 각각 제공되는 복수의 열원 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우에도 고장 등이 발생하지 않은 챔버 내에서는 기판의 정상적인 열처리가 가능하다. 즉, 복수의 챔버는 개별 프로세싱이 가능하고, 그에 따라 복수의 챔버 내의 복수의 기판 전체에 대한 불량 발생 가능성이 실질적으로 제거된다.6. Even if a failure or the like occurs in a plurality of heat sources provided in each of a plurality of chambers, normal heat treatment of the substrate is possible in a chamber in which no failure has occurred. That is, the plurality of chambers are capable of individual processing, thereby substantially eliminating the possibility of occurrence of defects for a plurality of substrates in a plurality of chambers.

7. 복수의 챔버에 각각 제공되는 복수의 열원 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 해당 챔버만을 수리 또는 교체하면 되므로 고장 등이 발생하지 않은 나머지 챔버는 정상적으로 동작이 가능하다. 즉, 복수의 챔버의 개별적인 유지 보수가 가능하다. 따라서, 기판 열처리 장치 내의 나머지 챔버에 대한 열처리 동작이 중단될 필요가 없으므로 전체 열처리 공정 시간(tact time)이 크게 감소된다.7. If a failure occurs in some of the plurality of heat sources provided in each of the plurality of chambers, only the corresponding chambers need to be repaired or replaced, so that the remaining chambers in which no failure has occurred can normally operate. That is, individual maintenance of a plurality of chambers is possible. Therefore, the total heat treatment process time (tact time) is greatly reduced since the heat treatment operation for the remaining chambers in the substrate heat treatment apparatus does not need to be interrupted.

본 발명의 추가적인 장점은 동일 또는 유사한 참조번호가 동일한 구성요소를 표시하는 첨부 도면을 참조하여 이하의 설명으로부터 명백히 이해될 수 있다.Further advantages of the present invention can be clearly understood from the following description with reference to the accompanying drawings, in which like or similar reference numerals denote like elements.

도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이다.
도 3은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 구성을 도시한 정단면도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4c는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4d는 도 4a 내지 도 4c에 도시된 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 4e는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버를 복수개 구비한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 4f는 도 4e에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 사용되는 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4g는 도 4f에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예의 변형 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4h는 도 4e에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 사용되는 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4i는 도 4h에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예의 변형 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.1 is a perspective view showing a configuration of a batch type heat treatment apparatus according to the prior art.
2 is a perspective view showing a configuration of a chamber of the batch type thermal processing apparatus according to the prior art shown in FIG.
3 is a perspective view showing the arrangement of the substrate, the main heater unit, and the auxiliary heater unit of the batch type heat treatment apparatus according to the related art.
4A is a front sectional view showing a configuration of a chamber for heat treatment of a substrate according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4B is a side cross-sectional view schematically showing a first embodiment of a substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.
4C is a side cross-sectional view schematically illustrating a second embodiment of a substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.
FIG. 4D is a plan view schematically showing the configuration of the substrate heat treatment chamber according to the first and second embodiments of the present invention shown in FIGS. 4A to 4C.
FIG. 4E is a perspective view illustrating a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, which includes a plurality of chambers for substrate heat treatment according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.
FIG. 4F is a side cross-sectional view schematically showing a first embodiment of a plurality of substrate heat treatment chambers used in the substrate heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 4E.
FIG. 4G is a side cross-sectional view schematically showing a modified embodiment of the first embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in FIG. 4F.
4H is a side cross-sectional view schematically illustrating a second embodiment of a plurality of substrate heat treatment chambers used in the substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4E.
4I is a side cross-sectional view schematically illustrating a modified embodiment of the second embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in FIG. 4H.

이하에서 본 발명의 실시예 및 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described with reference to embodiments and drawings of the present invention.

도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 구성을 도시한 정단면도이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이며, 도 4c는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이고, 도 4d는 도 4a 내지 도 4c에 도시된 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 구성을 개략적으로 도시한 평면도이다. 여기서, 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400) 내에는 한 쌍의 기판(10)이 사용되는 것으로 예시적으로 도시되어 있지만, 당업자라면 단일 기판(10)이 사용될 수 있다는 것을 충분히 이해할 수 있을 것이다.FIG. 4A is a front cross-sectional view illustrating a configuration of a substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4B is a cross-sectional view illustrating a first embodiment of a substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4C is a side cross-sectional view schematically showing a second embodiment of the chamber for substrate heat treatment according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A, and FIG. 4D is a cross- FIG. 2 is a plan view schematically showing a configuration of a substrate heat treatment chamber according to first and second embodiments of the present invention shown in FIG. Here, although a pair of substrates 10 is illustrated as being used in the substrate heat treatment chamber 400 according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 4A, a single substrate 10 It will be appreciated that they can be used.

먼저, 도 4a, 도 4b, 및 도 4d를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 내부에 단일 기판(10)의 열처리 공간(heat process space: 472)을 제공하는 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b); 상기 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)을 분할하도록 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 하부 윈도우 플레이트(474b); 상기 열처리 공간(472) 내로 상기 단일 기판(10)을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간(472) 내에서 상기 단일 기판(10)을 언로딩하는 보트(420); 상기 열처리 공간(472) 및 상기 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치(480); 및 상기 열처리 공간(472) 및 상기 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내에 존재하는 상기 가스, 산소 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치(480a)와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치(482)를 포함하되, 상기 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b) 중 어느 하나 또는 양자는 복수의 열원(410)을 구비하는 것을 특징으로 한다.Referring to FIGS. 4A, 4B, and 4D, a substrate thermal processing chamber 400 according to the first embodiment of the present invention includes a heat process space 472 of a single substrate 10 An upper housing 470a and a lower housing 470b; The inner lower surface of the upper housing 470a or the inner upper surface of the lower housing 470b to divide the heat treatment space 472 and the upper heating space 472u or the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d, An upper window plate 474a or a lower window plate 474b provided to be spaced apart from the surface; A boat 420 for loading and supporting the single substrate 10 into the heat treatment space 472 and unloading the single substrate 10 within the heat treatment space 472; A gas supply device 480 connected to supply gas into the heat treatment space 472 and the upper heating space 472u or into the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d; And the gas supply device 480a to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances present in the heat treatment space 472 and the upper heating space 472u or the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d. And one or both of the upper housing 470a and the lower housing 470b are provided with a plurality of heat sources 410. In this case,

이하의 본 명세서에서 이물은 단일 기판(10) 상에 도포된 필름(유기물 및 무기물)의 열처리 결과 발생하는 솔벤트(solvent)의 승화물 등과 같은 모든 이물을 포함한다. 또한, 가스는 질소와 같은 퍼지 가스(purge gas)이다.In the following description, the foreign object includes all foreign substances, such as a solution of a solvent generated as a result of heat treatment of a film (organic and inorganic) applied on a single substrate 10. Also, the gas is a purge gas such as nitrogen.

상기 진공 펌핑 장치(482)는 상기 이물을 처리하기 위한 별도의 이물 처리 장치(미도시)를 추가로 포함할 수 있다. 이 경우, 이물 처리 장치(미도시)는 진공 펌핑 장치(482)와 일체형으로 구비되거나 또는 별개로 제공될 수 있다.The vacuum pumping device 482 may further include a separate object processing device (not shown) for processing the foreign object. In this case, the foreign substance treatment apparatus (not shown) may be provided integrally with the vacuum pumping apparatus 482 or may be provided separately.

또한, 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 하부 윈도우 플레이트(474b)는 각각이 상부 히팅 공간(472u)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이를 보상하는 복수의 제 1 홀(476a) 또는 하부 히팅 공간(472d)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이를 보상하는 복수의 제 2 홀(476b)을 구비할 수 있다. 복수의 제 1 홀(476a) 또는 복수의 제 2 홀(476b)은 진공 펌핑 장치(482)에 의해 상부 히팅 공간(472u)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이 또는 하부 히팅 공간(472d)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이로 인하여 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 하부 윈도우 플레이트(474b)가 파손되는 것을 방지하기 위한 것이다.The upper window plate 474a or the lower window plate 474b may have a plurality of first holes 476a or a lower heating space 476a for compensating for the pressure difference between the upper heating space 472u and the heat treatment space 472, And a plurality of second holes 476b for compensating for a pressure difference between the heat treatment space 472d and the heat treatment space 472. [ The plurality of first holes 476a or the plurality of second holes 476b are formed by the vacuum pumping device 482 so that the pressure difference between the upper heating space 472u and the heat treatment space 472 or the lower heating space 472d The upper window plate 474a or the lower window plate 474b is prevented from being damaged due to the pressure difference between the heat treatment spaces 472. [

한편, 도 4a, 도 4c 및 도 4d를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 각각이 복수의 열원(410)을 구비하며, 한 쌍의 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공하는 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b); 상기 열처리 공간(472)과 상부 히팅 공간(472u) 및 상기 열처리 공간(472)과 하부 히팅 공간(472d)을 각각 분할하도록 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b); 상기 열처리 공간(472) 내로 상기 한 쌍의 기판(10)을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간(472) 내에서 상기 한 쌍의 기판(10)을 언로딩하는 보트(420); 상기 열처리 공간(472), 상기 상부 히팅 공간(472u), 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치(480); 및 상기 열처리 공간(472), 상기 상부 히팅 공간(472u), 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내에 존재하는 상기 가스, 산소, 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치(480)와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치(482)를 포함한다.4A, 4C, and 4D, a substrate heating chamber 400 according to a second embodiment of the present invention includes a plurality of heat sources 410, a pair of substrates 10, An upper housing 470a and a lower housing 470b that provide a heat treatment space 472 of the lower housing 470a; The inner lower surface of the upper housing 470a and the inner lower surface of the lower housing 470b are divided so as to divide the heat treatment space 472 and the upper heating space 472u and the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d, Upper and lower window plates 474a and 474b provided separately from the upper surface; A boat 420 for loading and supporting the pair of substrates 10 into the heat treatment space 472 and unloading the pair of substrates 10 in the heat treatment space 472; A gas supply device 480 connected to supply gas into the heat treatment space 472, the upper heating space 472u, and the lower heating space 472d; And a vacuum connected to the gas supply device 480 to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances present in the heat treatment space 472, the upper heating space 472u, and the lower heating space 472d. And a pumping device 482.

상기 진공 펌핑 장치(482)는 상기 이물을 처리하기 위한 별도의 이물 처리 장치(미도시)를 추가로 포함할 수 있다. 이 경우, 이물 처리 장치는 진공 펌핑 장치(482)와 일체형으로 구비되거나 또는 별개로 제공될 수 있다.The vacuum pumping device 482 may further include a separate object processing device (not shown) for processing the foreign object. In this case, the foreign material treatment apparatus may be provided integrally with the vacuum pumping apparatus 482 or may be provided separately.

또한, 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 상부 히팅 공간(472u)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이 및 하부 히팅 공간(472d)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이를 각각 보상하는 복수의 제 1 홀(476a) 및 복수의 제 2 홀(476b)을 구비할 수 있다. 복수의 제 1 홀(476a) 및 복수의 제 2 홀(476b)은 각각 진공 펌핑 장치(482)에 의해 상부 히팅 공간(472u)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이 및 하부 히팅 공간(472d)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이로 인하여 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)가 파손되는 것을 방지하기 위한 것이다.The upper and lower window plates 474a and 474b compensate the pressure difference between the upper heating space 472u and the heat treatment space 472 and the pressure difference between the lower heating space 472d and the heat treatment space 472 respectively And may include a plurality of first holes 476a and a plurality of second holes 476b. The plurality of first holes 476a and the plurality of second holes 476b are formed by the vacuum pumping device 482 so that the pressure difference between the upper heating space 472u and the heat treatment space 472 and the pressure difference between the lower heating space 472d, To prevent the upper and lower window plates 474a and 474b from being damaged due to the pressure difference between the heat treatment space 472 and the heat treatment space 472. [

상술한 도 4a 내지 도 4d에 도시된 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에서, 상부 및 하부 하우징(470a,470b)의 어느 하나 또는 양자의 내부에 제공되는 복수의 열원(410)은 그 배면에 복수의 열원(410)으로부터 방출되는 열 에너지를 반사하여 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 통해 상기 단일 기판(10) 또는 한 쌍의 기판(10)(이하에서는 단일 기판(10) 및 한 쌍의 기판(10)을 통칭하여 기판(10)이라 지칭하기로 한다)으로 열 에너지를 복사 방식으로 전달하는 복수의 반사부(412)를 구비하는 것이 바람직하다.In the first and second embodiments of the present invention shown in Figs. 4A to 4D described above, a plurality of heat sources 410 provided in one or both of the upper and lower housings 470a and 470b, And the upper and / or lower window plates 474a and 474b to reflect the thermal energy emitted from the plurality of heat sources 410 to the single substrate 10 or the pair of substrates 10 ) And a pair of substrates 10 are collectively referred to as a substrate 10), and a plurality of reflective portions 412 for transmitting thermal energy in a radiation mode.

이하에서는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)의 구체적인 구성 및 동작에 대해 상세히 기술하기로 한다.Hereinafter, the detailed configuration and operation of the substrate thermal processing chamber 400 according to the first and second embodiments of the present invention will be described in detail.

먼저, 도 4a, 도 4b 및 도 4d를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 상부 및 하부 하우징(470a,470b)을 포함한다. 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 그 내부에 단일 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공한다.4A, 4B, and 4D, a substrate thermal processing chamber 400 according to the first embodiment of the present invention includes upper and lower housings 470a and 470b. The upper and lower housings 470a and 470b provide a heat treatment space 472 of a single substrate 10 therein.

또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 하부 윈도우 플레이트(474b)를 포함한다. 상부 윈도우 플레이트(474a)는 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u)을 분할하고, 하부 윈도우 플레이트(474b)는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)을 분할한다. 상술한 본 발명의 제 1 실시예에서는, 상부 윈도우 플레이트(474a) 및 하부 윈도우 플레이트(474b) 중 어느 하나 만이 사용되고, 그에 따라 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d) 중 어느 하나 만이 사용된다는 점에 유의하여야 한다.The substrate heating chamber 400 according to the first embodiment of the present invention includes an upper window plate 474a provided to be spaced from an inner lower surface of the upper housing 470a or an inner upper surface of the lower housing 470b Or lower window plate 474b. The upper window plate 474a divides the heat treatment space 472 and the upper heating space 472u and the lower window plate 474b divides the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d. Only one of the upper window plate 474a and the lower window plate 474b is used and the heat treatment space 472 and the upper heating space 472u or the heat treatment space 472 are used, And the lower heating space 472d are used.

또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 열처리 공간(472) 내로 단일 기판(10)을 로딩 및 지지하고 또한 열처리 공간(472) 내에서 단일 기판(10)을 언로딩하는 보트(420)를 포함한다. 이 경우, 보트(420)에 의해 단일 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위해 기판 열처리용 챔버(400)의 도어(미도시)의 개방이 요구되고, 그에 따라 외부의 산소가 기판 열처리용 챔버(400) 내로 유입된다. 유입된 산소는 단일 기판(10)으로 예를 들어 플라스틱 기판과 플렉시블 기판이 사용되는 경우 열처리 공정에 의해 고온으로 가열된 플랙시블 기판과 반응하여 이물을 발생시키거나 또는 기판 자체를 손상시킨다. 이를 방지하기 위해, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 진공 펌핑 장치(482)를 사용하여 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)을 진공 상태로 유지함으로써, 기판 열처리용 챔버(400) 내의 산소 농도의 조절이 가능해진다.The substrate thermal processing chamber 400 according to the first embodiment of the present invention also includes a substrate processing chamber 472 for loading and supporting a single substrate 10 into the thermal processing space 472 and for unloading a single substrate 10 within the thermal processing space 472 And a boat 420 for loading. In this case, opening of the door (not shown) of the substrate heat treatment chamber 400 is required for loading and unloading of the single substrate 10 by the boat 420, so that external oxygen is supplied to the substrate heat treatment chamber (400). The introduced oxygen is used as a single substrate 10, for example, when a plastic substrate and a flexible substrate are used, reacts with a flexible substrate heated to a high temperature by a heat treatment process to generate foreign substances or damage the substrate itself. The substrate thermal processing chamber 400 according to the first embodiment of the present invention is formed by using the vacuum pumping device 482 to heat the heat treatment space 472 and the upper heating space 472u or the heat treatment space 472 and By maintaining the lower heating space 472d in a vacuum state, it becomes possible to adjust the oxygen concentration in the chamber 400 for heat treatment of the substrate.

또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)의 일측면 및 대향 측면에 각각 연결된 가스 공급 장치(480) 및 진공 펌핑 장치(482)를 포함한다. 이러한 가스 공급 장치(480) 및 진공 펌핑 장치(482)에 의해 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d) 내로 가스를 공급하고 또한 가스, 산소 및 이물을 배기한다.The substrate heating chamber 400 according to the first embodiment of the present invention may further include a heat treatment space 472 and an upper heating space 472u or one side of the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d, And a vacuum pumping device 482 connected to the gas supply device 480, respectively. The gas supply device 480 and the vacuum pumping device 482 supply the gas into the heat treatment space 472 and the upper heating space 472u or the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d, And exhausts the foreign object.

상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)에서는, 복수의 열원(410)이 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b) 중 어느 하나 또는 양자에 구비된다는 점에 유의하여야 한다.It should be noted that in the substrate thermal processing chamber 400 according to the first embodiment of the present invention, a plurality of heat sources 410 are provided in one or both of the upper housing 470a and the lower housing 470b do.

한편, 도 4a, 도 4c, 및 도 4d를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 상부 및 하부 하우징(470a,470b)을 포함한다. 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 그 내부에 한 쌍의 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공한다.4A, 4C, and 4D, a substrate thermal processing chamber 400 according to a second embodiment of the present invention includes upper and lower housings 470a and 470b. The upper and lower housings 470a and 470b provide a heat treatment space 472 of a pair of substrates 10 therein.

또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 포함한다. 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 열처리 공간(472)의 상하에 각각 상부 히팅 공간(472u) 및 하부 히팅 공간(472d)을 분할한다.In addition, the substrate heating chamber 400 according to the second embodiment of the present invention includes upper and lower windows (not shown) spaced apart from the inner lower surface of the upper housing 470a and the inner upper surface of the lower housing 470b, Plates 474a and 474b. The upper and lower window plates 474a and 474b divide the upper heating space 472u and the lower heating space 472d above and below the heat treatment space 472, respectively.

또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 열처리 공간(472) 내로 한 쌍의 기판(10)을 로딩 및 지지하고 또한 열처리 공간(472) 내에서 한 쌍의 기판(10)을 언로딩하는 보트(420)를 포함한다. 보트(420)에 의해 한 쌍의 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위해 기판 열처리용 챔버(400)의 도어(미도시)의 개방이 요구되고, 그에 따라 외부의 산소가 기판 열처리용 챔버(400) 내로 유입된다. 유입된 산소는 한 쌍의 기판(10)으로 예를 들어 플라스틱 기판과 플렉시블 기판이 사용되는 경우 열처리 공정에 의해 고온으로 가열된 플랙시블 기판과 반응하여 이물을 발생시키거나 또는 기판 자체를 손상시킨다. 이를 방지하기 위해, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 진공 펌핑 장치(482)를 사용하여 열처리 공간(472), 상부 히팅 공간(472u), 및 하부 히팅 공간(472d)을 진공 상태로 유지함으로써, 기판 열처리용 챔버(400) 내의 산소 농도의 조절이 가능해진다.The substrate thermal processing chamber 400 according to the second embodiment of the present invention further includes a heat treatment chamber 472 for loading and supporting a pair of substrates 10 into the heat treatment space 472, 10). ≪ / RTI > Opening of the door (not shown) of the chamber 400 for heat treatment of the substrate is required for loading and unloading the pair of substrates 10 by the boat 420 so that external oxygen is supplied to the chamber for heat- 400). The introduced oxygen reacts with the flexible substrate heated to a high temperature by the heat treatment process, for example, when a plastic substrate and a flexible substrate are used as the pair of substrates 10, thereby generating foreign matter or damaging the substrate itself. The substrate heating chamber 400 according to the second embodiment of the present invention uses the vacuum pumping device 482 to heat the heat treatment space 472, the upper heating space 472u, and the lower heating space 472d ) In a vacuum state, it becomes possible to adjust the oxygen concentration in the chamber 400 for heat treatment of the substrate.

또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 열처리 공간(472), 상부 히팅 공간(472u), 및 하부 히팅 공간(472d)의 일측면 및 대향 측면에 각각 연결된 가스 공급 장치(480) 및 진공 펌핑 장치(482)를 포함한다. 이러한 가스 공급 장치(480) 및 진공 펌핑 장치(482)에 의해 열처리 공간(472), 상부 히팅 공간(472u), 및 하부 히팅 공간(472d) 내로 가스를 공급하고 또한 가스, 산소 및 이물을 배기한다.The substrate heat treatment chamber 400 according to the second embodiment of the present invention further includes a gas supply unit 472 connected to one side surface and opposite side surfaces of the heat treatment space 472, the upper heating space 472u, and the lower heating space 472d, Device 480 and a vacuum pumping device 482. [ The gas supply device 480 and the vacuum pumping device 482 supply gas into the heat treatment space 472, the upper heating space 472u, and the lower heating space 472d and also exhaust gas, oxygen, and foreign matter .

상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)에서는, 복수의 열원(410)이 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b) 양자에 모두 구비된다는 점에 유의하여야 한다.It should be noted that in the substrate thermal processing chamber 400 according to the second embodiment of the present invention, a plurality of heat sources 410 are provided in both the upper housing 470a and the lower housing 470b.

상술한 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)에서, 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 복수의 제 1 홀(476a) 및/또는 복수의 제 2 홀(476b)을 구비할 수 있다. 이러한 복수의 제 1 홀(476a) 및/또는 복수의 제 2 홀(476b)은 각각 진공 펌핑 장치(482)에 의해 상부 히팅 공간(472u)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이 및/또는 하부 히팅 공간(472d)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이로 인하여 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)가 파손되는 것을 방지할 수 있다.In the substrate thermal processing chamber 400 according to the first and second embodiments of the present invention described above, the upper and / or lower window plates 474a and 474b may include a plurality of first holes 476a and / Two holes 476b. The plurality of first holes 476a and / or the plurality of second holes 476b may be formed by a vacuum pumping device 482 and a pressure difference between the upper heating space 472u and the heat treatment space 472 and / It is possible to prevent the upper and / or lower window plates 474a and 474b from being damaged due to a pressure difference between the heating space 472d and the heat treatment space 472. [

또한, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)에 사용되는 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 각각 쿼츠(quartz) 또는 네오 세라믹(neo ceramic) 재질로 구현될 수 있다.The upper and / or lower window plates 474a and 474b used in the substrate thermal processing chamber 400 according to the first and second embodiments of the present invention may be formed of a quartz or neo ceramic material, . ≪ / RTI >

또한, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)에 사용되는 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 각각 알루미늄(Al) 재질로 구현될 수 있으며, 복수의 열원(410)은 각각 근적외선 램프 히터로 구현될 수 있다. 이 경우, 근적외선 램프 히터는 SiO2 재질의 기판(10) 및 기판(10) 상에 도포된 필름(미도시)을 가열하여 건조 및 소성하기에 적합한 대략 1 내지 5㎛ 범위의 파장 대역의 근적외선을 방출하는 것이 바람직하다. 또한, 복수의 열원(410)의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 그룹 방식으로 제어될 수 있다. 여기서 그룹 방식이란 예를 들어 상부 하우징(470a) 내에 제공되는 복수의 열원(410)을 제 1 열원 그룹으로 하여 동시에 제어하고, 하부 하우징(470b) 내에 제공되는 복수의 열원(410)을 제 2 열원 그룹으로 하여 동시에 제어하는 방식일 수 있다. 이러한 복수의 열원(410)의 출력 파워의 개별 제어 또는 그룹 방식 제어에 의해 기판(10)의 온도를 균일하게 제어하는 것이 가능하다. 따라서, 기판(10)의 온도 균일도가 향상되므로 궁극적으로 기판(10)의 불량 발생 가능성이 크게 감소된다.The upper and lower housings 470a and 470b used in the substrate thermal processing chamber 400 according to the first and second embodiments of the present invention may be formed of aluminum (Al) 410 may each be implemented with a near-infrared lamp heater. In this case, the near-infrared lamp heater is a film heater for heating the substrate 10 made of SiO 2 and the film (not shown) coated on the substrate 10 to a near infrared ray in a wavelength band in the range of about 1 to 5 μm suitable for drying and firing It is preferable to release it. In addition, the output power of the plurality of heat sources 410 may be controlled individually or in a group manner. Here, the group method is a method in which a plurality of heat sources 410 provided in the upper housing 470a are controlled as a first heat source group and a plurality of heat sources 410 provided in the lower housing 470b are controlled by a second heat source Group may be controlled simultaneously. It is possible to uniformly control the temperature of the substrate 10 by individual control of the output power of the plurality of heat sources 410 or group type control. Accordingly, since the temperature uniformity of the substrate 10 is improved, the possibility of occurrence of defects of the substrate 10 is greatly reduced.

또한, 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 예를 들어 근적외선 램프 히터로 구현되는 복수의 열원(410)에서 방출되는 대략 1 내지 5㎛ 범위의 파장 대역의 근적외선은 통과시키는 반면에 상기 파장 대역 이외의 대역은 컷오프(cut-off)시킨다. 그에 따라, 복수의 열원(410)은 각각 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 통해 기판(10) 상으로 열 에너지를 복사 방식으로 직접 전달하여 기판(10) 및 기판(10) 상부에 도포된 필름(미도시)(예를 들어, 폴리이미드(PI))을 열처리한다.In addition, the upper and / or lower window plates 474a and 474b pass near-infrared rays in a wavelength band ranging from approximately 1 to 5 mu m emitted from a plurality of heat sources 410 implemented by, for example, a near-infrared lamp heater, Bands other than the wavelength band are cut off. The plurality of heat sources 410 can transfer thermal energy directly onto the substrate 10 through the upper and / or lower window plates 474a and 474b, respectively, (Not shown) (for example, polyimide (PI)) applied to the substrate is heat-treated.

또한, 상기 상부 및/또는 하부 하우징(470a,470b)은 각각 복수의 열원(410)의 배면에 제공되는 복수의 반사부(412)를 구비한다. 복수의 반사부(412)는 복수의 열원(410)으로부터 방출되는 열 에너지를 반사하여 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 통해 상기 기판(10)으로 상기 열 에너지를 복사 방식으로 전달한다. 이러한, 복사 방식으로 전달된 에너지는 기판(10)을 직접 가열하여 열처리한다. 따라서, 종래 기술의 전도 또는 대류 방식에 비해 기판(10)의 열처리 전달 효율이 우수할 뿐만 아니라, 기판(10)에 균일한 열전달이 상대적으로 용이하다.The upper and / or lower housings 470a and 470b may include a plurality of reflectors 412 provided on the rear surface of the plurality of heat sources 410, respectively. The plurality of reflectors 412 reflect the thermal energy emitted from the plurality of heat sources 410 and transfer the thermal energy to the substrate 10 via the upper and / or lower window plates 474a and 474b do. The energy transferred by the radiation method directly heats the substrate 10 to heat it. Therefore, the heat transfer efficiency of the substrate 10 is superior to that of the conventional conduction or convection method, and uniform heat transfer to the substrate 10 is relatively easy.

도 4e는 도 4a, 도 4b, 및 도 4d에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버 또는 도 4a, 도 4c, 및 도 4d에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버를 복수개 구비한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 도시한 사시도이고, 도 4f는 도 4e에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 사용되는 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.FIG. 4E is a cross-sectional view of a chamber for heat treatment of a substrate according to a first embodiment of the present invention shown in FIGS. 4A, 4B and 4D or a chamber for heat treatment according to a second embodiment of the present invention shown in FIGS. 4A, 4C and 4D FIG. 4F is a perspective view illustrating a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention including a plurality of chambers for heat treatment of a substrate. FIG. 4F is a plan view of a plurality of substrates used in a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, Sectional view schematically showing a first embodiment of the heat treatment chamber.

도 4f를 도 4a, 도 4b, 도 4d, 및 도 4e와 함께 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 각각이 단일 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공하는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e); 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임(410); 및 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어(미도시)를 포함하되, 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 내의 상기 단일 기판(10)의 열처리는 각각 개별적으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각 상술한 도 4a, 도 4b, 및 도 4d에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)로 구현된다.Referring to FIG. 4F, with reference to FIGS. 4A, 4B, 4D, and 4E, the substrate heat treatment apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention includes a heat treatment space 472 of a single substrate 10 A plurality of chambers (400a, 400b, 400c, 400d, 400e) providing; A frame 410 to which the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e are detachably supported; And a plurality of doors (not shown) provided on the front surfaces of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e, wherein the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, And the heat treatment of the single substrate 10 is performed individually. Here, the plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, and 400e are each implemented as a substrate thermal processing chamber 400 according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 4A, 4B, and 4D .

좀 더 구체적으로, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)를 포함한다. 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각 내부에 단일 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공하는 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b); 상기 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)을 분할하도록 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 하부 윈도우 플레이트(474b); 상기 열처리 공간(472) 내로 상기 단일 기판(10)을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간(472) 내에서 상기 단일 기판(10)을 언로딩하는 보트(420); 상기 열처리 공간(472) 및 상기 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치(480); 및 상기 열처리 공간(472) 및 상기 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내에 존재하는 상기 가스, 산소 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치(480)와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치(482)를 포함하되, 상기 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b) 중 어느 하나 또는 양자는 복수의 열원(410)을 구비한다.More specifically, the substrate thermal processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention includes a plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, and 400e. The plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, and 400e each include an upper housing 470a and a lower housing 470b that provide a heat treatment space 472 of a single substrate 10 therein; The inner lower surface of the upper housing 470a or the inner upper surface of the lower housing 470b to divide the heat treatment space 472 and the upper heating space 472u or the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d, An upper window plate 474a or a lower window plate 474b provided to be spaced apart from the surface; A boat 420 for loading and supporting the single substrate 10 into the heat treatment space 472 and unloading the single substrate 10 within the heat treatment space 472; A gas supply device 480 connected to supply gas into the heat treatment space 472 and the upper heating space 472u or into the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d; And the gas supply device 480 to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances present in the heat treatment space 472 and the upper heating space 472u or the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d. And one or both of the upper housing 470a and the lower housing 470b are provided with a plurality of heat sources 410. In this case,

상기 각각의 진공 펌핑 장치(482)는 상기 이물을 처리하기 위한 별도의 이물 처리 장치(미도시)를 추가로 포함할 수 있다. 이 경우, 이물 처리 장치(미도시)는 진공 펌핑 장치(482)와 일체형으로 구비되거나 또는 별개로 제공될 수 있다.Each of the vacuum pumping devices 482 may further include a separate object processing device (not shown) for processing the foreign object. In this case, the foreign substance treatment apparatus (not shown) may be provided integrally with the vacuum pumping apparatus 482 or may be provided separately.

또한, 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 하부 윈도우 플레이트(474b)는 각각 상부 히팅 공간(472u)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이를 보상하는 복수의 제 1 홀(476a) 사이의 압력 차이 또는 하부 히팅 공간(472d)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이를 보상하는 복수의 제 2 홀(476b)을 구비할 수 있다. 복수의 제 1 홀(476a) 또는 복수의 제 2 홀(476b)은 진공 펌핑 장치(482)에 의해 상부 히팅 공간(472u)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이 또는 하부 히팅 공간(472d)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이로 인하여 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 하부 윈도우 플레이트(474b)가 파손되는 것을 방지하기 위한 것이다.The upper window plate 474a or the lower window plate 474b may have a pressure difference between the plurality of first holes 476a that compensate for the pressure difference between the upper heating space 472u and the heat treatment space 472, And a plurality of second holes 476b for compensating for a pressure difference between the heating space 472d and the heat treatment space 472. [ The plurality of first holes 476a or the plurality of second holes 476b are formed by the vacuum pumping device 482 so that the pressure difference between the upper heating space 472u and the heat treatment space 472 or the lower heating space 472d The upper window plate 474a or the lower window plate 474b is prevented from being damaged due to the pressure difference between the heat treatment spaces 472. [

도 4g는 도 4f에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예의 변형 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.FIG. 4G is a side cross-sectional view schematically showing a modified embodiment of the first embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in FIG. 4F.

도 4g를 참조하면, 도 4f에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예에서 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e) 각각의 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)과 각각 연결되는 각각의 가스 공급 장치(480) 및 각각의 진공 펌핑 장치(482)가 하나의 가스 공급 장치(480) 및 하나의 진공 펌핑 장치(482)로 구현된다는 점을 제외하고는 도 4f에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예와 동일하다.Referring to FIG. 4G, in the first embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in FIG. 4F, the heat treatment space 472 and the upper heating space 472 of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, Each of the gas supply devices 480 and each vacuum pumping device 482 connected to the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d are connected to one gas supply device 480 and one vacuum pumping device 4B is the same as the first embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in Fig.

도 4h는 도 4e에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 사용되는 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.4H is a side cross-sectional view schematically illustrating a second embodiment of a plurality of substrate heat treatment chambers used in the substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4E.

도 4h를 도 4a, 도 4c, 도 4d, 및 도 4e와 함께 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 각각이 한 쌍의 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공하는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e); 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임(410); 및 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어(미도시)를 포함하되, 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 내의 상기 한 쌍의 기판(10)의 열처리는 각각 개별적으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각 상술한 도 4a, 도 4c, 및 도 4d에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)로 구현된다.Referring to Fig. 4H, with reference to Figs. 4A, 4C, 4D and 4E, the substrate heat treatment apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention comprises a pair of substrates 10, A plurality of chambers (400a, 400b, 400c, 400d, 400e) providing a plurality of chambers (400a, 400b, 400c, 400d, 400e); A frame 410 to which the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e are detachably supported; And a plurality of doors (not shown) provided on the front surfaces of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e, wherein the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, And the heat treatment of the pair of substrates 10 is performed individually. Here, the plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, and 400e are each embodied as a substrate thermal processing chamber 400 according to the second embodiment of the present invention shown in FIGS. 4A, 4C, and 4D .

좀 더 구체적으로, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)를 포함한다. 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각이 복수의 열원(410)을 구비하며, 한 쌍의 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공하는 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b); 상기 열처리 공간(472)과 상부 히팅 공간(472u) 및 상기 열처리 공간(472)과 하부 히팅 공간(472d)을 각각 분할하도록 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b); 상기 열처리 공간(472) 내로 상기 한 쌍의 기판(10)을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간(472) 내에서 상기 한 쌍의 기판(10)을 언로딩하는 보트(420); 상기 열처리 공간(472), 상기 상부 히팅 공간(472u), 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치(480); 및 상기 열처리 공간(472), 상기 상부 히팅 공간(472u), 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내에 존재하는 상기 가스, 산소, 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치(480)와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치(482)를 포함한다.More specifically, the substrate thermal processing apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention includes a plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, and 400e. The plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, and 400e each include an upper housing 470a and a lower housing 470b that are provided with a plurality of heat sources 410 and provide a heat treatment space 472 of the pair of substrates 10 470b); The inner lower surface of the upper housing 470a and the inner lower surface of the lower housing 470b are divided so as to divide the heat treatment space 472 and the upper heating space 472u and the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d, Upper and lower window plates 474a and 474b provided separately from the upper surface; A boat 420 for loading and supporting the pair of substrates 10 into the heat treatment space 472 and unloading the pair of substrates 10 in the heat treatment space 472; A gas supply device 480 connected to supply gas into the heat treatment space 472, the upper heating space 472u, and the lower heating space 472d; And a vacuum connected to the gas supply device 480 to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances present in the heat treatment space 472, the upper heating space 472u, and the lower heating space 472d. And a pumping device 482.

상기 각각의 진공 펌핑 장치(482)는 상기 이물을 처리하기 위한 별도의 이물 처리 장치(미도시)를 추가로 포함할 수 있다. 이 경우, 이물 처리 장치(미도시)는 진공 펌핑 장치(482)와 일체형으로 구비되거나 또는 별개로 제공될 수 있다.Each of the vacuum pumping devices 482 may further include a separate object processing device (not shown) for processing the foreign object. In this case, the foreign substance treatment apparatus (not shown) may be provided integrally with the vacuum pumping apparatus 482 or may be provided separately.

또한, 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 상부 히팅 공간(472u)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이 및 하부 히팅 공간(472d)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이를 각각 보상하는 복수의 제 1 홀(476a) 및 복수의 제 2 홀(476b)을 구비할 수 있다. 복수의 제 1 홀(476a) 및 복수의 제 2 홀(476b)은 각각 진공 펌핑 장치(482)에 의해 상부 히팅 공간(472u)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이 및 하부 히팅 공간(472d)과 열처리 공간(472) 사이의 압력 차이로 인하여 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)가 파손되는 것을 방지하기 위한 것이다.The upper and lower window plates 474a and 474b compensate the pressure difference between the upper heating space 472u and the heat treatment space 472 and the pressure difference between the lower heating space 472d and the heat treatment space 472 respectively And may include a plurality of first holes 476a and a plurality of second holes 476b. The plurality of first holes 476a and the plurality of second holes 476b are formed by the vacuum pumping device 482 so that the pressure difference between the upper heating space 472u and the heat treatment space 472 and the pressure difference between the lower heating space 472d, To prevent the upper and lower window plates 474a and 474b from being damaged due to the pressure difference between the heat treatment space 472 and the heat treatment space 472. [

도 4i는 도 4h에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예의 변형 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.4I is a side cross-sectional view schematically illustrating a modified embodiment of the second embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in FIG. 4H.

도 4i를 참조하면, 도 4h에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예에서 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e) 각각의 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)과 각각 연결되는 각각의 가스 공급 장치(480) 및 각각의 진공 펌핑 장치(482)가 하나의 가스 공급 장치(480) 및 하나의 진공 펌핑 장치(482)로 구현된다는 점을 제외하고는 도 4h에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예와 동일하다.Referring to FIG. 4I, in a second embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in FIG. 4H, the heat treatment space 472 and the upper heating space 472 of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c400d, Each of the gas supply devices 480 and each vacuum pumping device 482 connected to the heat treatment space 472 and the lower heating space 472d are connected to one gas supply device 480 and one vacuum pumping device Except that it is embodied as a device 482, as in the second embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in Figure 4h.

다시 도 4e 내지 도 4i를 참조하면, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서, 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)는 각각 프레임(410) 상에서 착탈 가능하게 지지된다. 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)의 각각의 전면에는 복수의 도어(미도시)가 제공되어 있다. 복수의 도어(미도시)는 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 각각에 제공되는 열처리 공간(472) 내로 기판(10)을 로딩하거나, 열처리가 종료된 기판(10)을 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)의 외부로 언로딩하기 위해 개방 또는 폐쇄될 수 있다.4e to 4i, in the substrate heating apparatus 1 according to the first and second embodiments of the present invention, the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, As shown in Fig. A plurality of doors (not shown) are provided on the front surfaces of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e. A plurality of doors (not shown) may be used to load the substrate 10 into the heat treatment space 472 provided in each of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e, 400b, 400c, 400d, 400e of the chamber 400a, 400b, 400c, 400d, 400e.

또한, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)에 각각 제공되는 복수의 열원(410a,410b) 중 일부에 고장 등이 발생할 수 있다. 예를 들어, 도 4e의 실시예에서, 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 중 챔버(400a) 내의 복수의 열원(410a,410b) 중 일부에 고장 등이 발생하더라도, 나머지 챔버(400b,400c,400d,400e) 내의 각각의 기판(10)은 정상적인 열처리가 가능하다. 따라서, 본 발명에서는 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)의 개별 프로세싱이 가능하고, 그에 따라 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 내의 각각의 기판(10) 전체에 불량이 발생할 가능성이 실질적으로 제거된다.In the substrate heat treatment apparatus 1 according to the first and second embodiments of the present invention, a part of the plurality of heat sources 410a and 410b provided in the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d and 400e, And the like. 4E, even if some of the plurality of heat sources 410a, 410b in the chamber 400a among the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, 400e occurs, Each of the substrates 10 in the substrates 400b, 400c, 400d, and 400e can be subjected to normal heat treatment. Accordingly, in the present invention, the individual processing of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e is enabled, and thus the entire processing of each of the substrates 10 in the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, The possibility of occurrence of defects is substantially eliminated.

또한, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)에 각각 제공되는 복수의 열원(410a,410b) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 위의 예시에서 고장이 발생한 챔버(400a)만을 수리 또는 교체하면 되고, 나머지 챔버(400b,400c,400d,400e)는 정상적으로 동작이 가능하다. 즉, 본 발명의 실시예에서는 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)의 개별적인 유지 보수가 가능하다. 따라서, 기판 열처리 장치(1)의 사용 중에 고장이 발생한 챔버(400a)를 제외한 나머지 챔버(400b,400c,400d,400e)의 열처리 동작이 중단될 필요가 없으므로 전체 열처리 공정 시간(tact time)이 크게 감소된다.In the substrate heat treatment apparatus 1 according to the first and second embodiments of the present invention, a part of the plurality of heat sources 410a and 410b provided in the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d and 400e, In the above example, only the chamber 400a in which the failure occurs can be repaired or replaced, and the remaining chambers 400b, 400c, 400d and 400e can be normally operated. That is, in the embodiment of the present invention, individual maintenance of the plurality of chambers 400a, 400b, 400c, 400d, and 400e is possible. Therefore, it is not necessary to interrupt the heat treatment operation of the remaining chambers 400b, 400c, 400d, 400e except for the chamber 400a in which the failure occurs during use of the substrate heat treatment apparatus 1, so that the total heat treatment process time tact time .

다양한 변형예가 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 본 명세서에 기술되고 예시된 구성 및 방법으로 만들어질 수 있으므로, 상기 상세한 설명에 포함되거나 첨부 도면에 도시된 모든 사항은 예시적인 것으로 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술한 예시적인 실시예에 의해 제한되지 않으며, 이하의 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.Various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims. It is not. Accordingly, the scope of the present invention should not be limited by the above-described exemplary embodiments, but should be determined only in accordance with the following claims and their equivalents.

1: 배치식/기판 열처리 장치 10: 기판 120,420: 보트
100,400,400a,400b,400c,400d,400e: 챔버 110,410: 프레임
140: 도어 160: 커버 200: 메인 히터 유닛 210: 단위 메인 히터
220,220a,220b: 보조 히터 유닛 230a: 제1 단위 보조 히터
250: 냉각관 300: 가스 공급관 320: 가스 배출관 410a,410b: 열원
412: 반사부 470a,470b: 하우징 472: 열처리 공간
472u,472d: 히팅 공간 474a,474b: 윈도우 플레이트 476a,476b: 홀
480: 가스 공급 장치 482: 진공 펌핑 장치1: Batch type / substrate heat treatment apparatus 10: substrate 120, 420: boat
400, 400a, 400b, 400c, 400d, 400e: chambers 110, 410: frame
140: Door 160: Cover 200: Main heater unit 210: Unit main heater
220, 220a, 220b: auxiliary heater unit 230a: first unit auxiliary heater
250: cooling pipe 300: gas supply pipe 320: gas discharge pipe 410a, 410b:
412: reflection part 470a, 470b: housing 472: heat treatment space
472u, 472d: heating space 474a, 474b: window plate 476a, 476b: hole
480: Gas supply device 482: Vacuum pumping device

Claims (18)

기판 열처리용 챔버에 있어서,
내부에 단일 기판의 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징;
상기 열처리 공간 및 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 하부 히팅 공간을 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 상부 윈도우 플레이트 또는 하부 윈도우 플레이트;
상기 열처리 공간 내로 상기 단일 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 단일 기판을 언로딩하는 보트;
상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 및
상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치
를 포함하되,
상기 상부 하우징 및 하부 하우징 중 어느 하나 또는 양자는 복수의 열원을 구비하고,
상기 상부 윈도우 플레이트 또는 상기 하부 윈도우 플레이트는 각각 상기 상부 히팅 공간과 상기 열처리 공간 사이의 압력 차이를 보상하는 복수의 제 1 홀 또는 상기 하부 히팅 공간과 상기 열처리 공간 사이의 압력 차이를 보상하는 복수의 제 2 홀을 구비하는
기판 열처리용 챔버.In the substrate heat treatment chamber,
An upper housing and a lower housing for providing a heat treatment space of a single substrate therein;
An upper window plate or a lower window plate spaced apart from the inner lower surface of the upper housing or the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space;
A boat loading and supporting the single substrate into the heat treatment space and unloading the single substrate within the heat treatment space;
A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space and the upper heating space or into the heat treatment space and the lower heating space; And
Oxygen and foreign substances present in the heat treatment space and the upper heating space or in the heat treatment space and the lower heating space, and a vacuum pumping device
, ≪ / RTI &
Either or both of the upper housing and the lower housing have a plurality of heat sources,
Wherein the upper window plate or the lower window plate includes a plurality of first holes for compensating a pressure difference between the upper heating space and the heat treatment space or a plurality of first holes for compensating for a pressure difference between the lower heating space and the heat treatment space, Two holes
Chamber for substrate heat treatment. 제 1항에 있어서,
상기 진공 펌핑 장치는 상기 이물을 처리하기 위한 별도의 이물 처리 장치를 추가로 포함하는 기판 열처리용 챔버.The method according to claim 1,
Wherein the vacuum pumping device further comprises a separate bulking device for treating the foreign object. 삭제delete 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 복수의 열원은 각각 근적외선 램프 히터로 구현되고,
상기 복수의 열원의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는
기판 열처리용 챔버.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the plurality of heat sources are each implemented as a near infrared lamp heater,
The output power of the plurality of heat sources may be controlled individually or in a group manner
Chamber for substrate heat treatment. 기판 열처리용 챔버에 있어서,
각각이 복수의 열원을 구비하며, 한 쌍의 기판의 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징;
상기 열처리 공간과 상부 히팅 공간 및 상기 열처리 공간과 하부 히팅 공간을 각각 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트;
상기 열처리 공간 내로 상기 한 쌍의 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 한 쌍의 기판을 언로딩하는 보트;
상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 및
상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소, 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치
를 포함하고,
상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트는 상기 상부 히팅 공간과 상기 열처리 공간 사이의 압력 차이 및 상기 하부 히팅 공간과 상기 열처리 공간 사이의 압력 차이를 각각 보상하는 복수의 제 1 홀 및 복수의 제 2 홀을 구비하는
기판 열처리용 챔버.In the substrate heat treatment chamber,
An upper housing and a lower housing each having a plurality of heat sources and providing a heat treatment space of the pair of substrates;
An upper and a lower window plate spaced apart from the inner lower surface of the upper housing and the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space and the heat treatment space and the lower heating space, respectively;
A boat loading and supporting the pair of substrates into the heat treatment space and unloading the pair of substrates in the heat treatment space;
A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space; And
And a vacuum pumping device connected to the gas supply device to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances present in the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space,
Lt; / RTI >
Wherein the upper and lower window plates have a plurality of first holes and a plurality of second holes each compensating for a pressure difference between the upper heating space and the heat treatment space and a pressure difference between the lower heating space and the heat treatment space,
Chamber for substrate heat treatment. 제 5항에 있어서,
상기 진공 펌핑 장치는 상기 이물을 처리하기 위한 별도의 이물 처리 장치를 추가로 포함하는 기판 열처리용 챔버.6. The method of claim 5,
Wherein the vacuum pumping device further comprises a separate bulking device for treating the foreign object. 삭제delete 제 5항 또는 제 6항에 있어서,
상기 복수의 열원은 각각 근적외선 램프 히터로 구현되고,
상기 복수의 열원의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는
기판 열처리용 챔버.The method according to claim 5 or 6,
Wherein the plurality of heat sources are each implemented as a near infrared lamp heater,
The output power of the plurality of heat sources may be controlled individually or in a group manner
Chamber for substrate heat treatment. 기판 열처리 장치에 있어서,
각각이 단일 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버;
상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및
상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어
를 포함하되,
상기 복수의 챔버는 각각
내부에 상기 단일 기판의 상기 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징;
상기 열처리 공간 및 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 하부 히팅 공간을 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 상부 윈도우 플레이트 또는 하부 윈도우 플레이트;
상기 열처리 공간 내로 상기 단일 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 단일 기판을 언로딩하는 보트;
상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 및
상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치
를 포함하고,
상기 상부 하우징 및 하부 하우징 중 어느 하나 또는 양자는 복수의 열원을 구비하며,
상기 복수의 챔버 내의 상기 단일 기판의 열처리는 각각 개별적으로 이루어지고,
상기 상부 윈도우 플레이트 또는 상기 하부 윈도우 플레이트는 각각 상기 상부 히팅 공간과 상기 열처리 공간 사이의 압력 차이를 보상하는 복수의 제 1 홀 또는 상기 하부 히팅 공간과 상기 열처리 공간 사이의 압력 차이를 보상하는 복수의 제 2 홀을 구비하는
기판 열처리 장치.In the substrate heat treatment apparatus,
A plurality of chambers each providing a heat treatment space of a single substrate;
A frame in which the plurality of chambers are detachably supported; And
A plurality of doors provided on a front surface of each of the plurality of chambers
, ≪ / RTI &
The plurality of chambers
An upper housing and a lower housing for providing the heat treatment space of the single substrate therein;
An upper window plate or a lower window plate spaced apart from the inner lower surface of the upper housing or the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space;
A boat loading and supporting the single substrate into the heat treatment space and unloading the single substrate within the heat treatment space;
A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space and the upper heating space or into the heat treatment space and the lower heating space; And
Oxygen and foreign substances present in the heat treatment space and the upper heating space or in the heat treatment space and the lower heating space, and a vacuum pumping device
Lt; / RTI >
Either or both of the upper housing and the lower housing have a plurality of heat sources,
Wherein the heat treatment of the single substrate in the plurality of chambers is performed individually,
Wherein the upper window plate or the lower window plate includes a plurality of first holes for compensating a pressure difference between the upper heating space and the heat treatment space or a plurality of first holes for compensating for a pressure difference between the lower heating space and the heat treatment space, Two holes
Substrate heat treatment apparatus. 제 9항에 있어서,
상기 진공 펌핑 장치는 상기 이물을 처리하기 위한 별도의 이물 처리 장치를 추가로 포함하는 기판 열처리 장치.10. The method of claim 9,
Wherein the vacuum pumping device further comprises a separate particle treatment device for treating the foreign object. 삭제delete 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
상기 복수의 열원은 각각 근적외선 램프 히터로 구현되고,
상기 복수의 열원의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는
기판 열처리 장치.11. The method according to claim 9 or 10,
Wherein the plurality of heat sources are each implemented as a near infrared lamp heater,
The output power of the plurality of heat sources may be controlled individually or in a group manner
Substrate heat treatment apparatus. 제 9항 또는 제 10항에 있어서,
상기 가스 공급 장치 및 상기 진공 펌핑 장치는 각각 하나의 가스 공급 장치 및 하나의 진공 펌핑 장치로 구현되는 기판 열처리 장치.11. The method according to claim 9 or 10,
Wherein the gas supply device and the vacuum pumping device are each implemented as one gas supply device and one vacuum pumping device. 기판 열처리 장치에 있어서,
각각이 한 쌍의 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버;
상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및
상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어
를 포함하되,
상기 복수의 챔버는 각각
각각이 복수의 열원을 구비하며, 상기 한 쌍의 기판의 상기 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징;
상기 열처리 공간과 상부 히팅 공간 및 상기 열처리 공간과 하부 히팅 공간을 각각 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 상부 및 하부 윈도우 플레이트;
상기 열처리 공간 내로 상기 한 쌍의 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 한 쌍의 기판을 언로딩하는 보트;
상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 및
상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소, 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치
를 포함하고,
상기 복수의 챔버 내의 상기 한 쌍의 기판의 열처리는 각각 개별적으로 이루어지며,
상기 상부 및 하부 윈도우 플레이트는 상기 상부 히팅 공간과 상기 열처리 공간 사이의 압력 차이 및 상기 하부 히팅 공간과 상기 열처리 공간 사이의 압력 차이를 각각 보상하는 복수의 제 1 홀 및 복수의 제 2 홀을 구비하는
기판 열처리 장치.In the substrate heat treatment apparatus,
A plurality of chambers each providing a heat treatment space of the pair of substrates;
A frame in which the plurality of chambers are detachably supported; And
A plurality of doors provided on a front surface of each of the plurality of chambers
, ≪ / RTI &
The plurality of chambers
An upper housing and a lower housing each having a plurality of heat sources and providing the heat treatment space of the pair of substrates;
An upper and a lower window plate spaced apart from the inner lower surface of the upper housing and the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space and the heat treatment space and the lower heating space, respectively;
A boat loading and supporting the pair of substrates into the heat treatment space and unloading the pair of substrates in the heat treatment space;
A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space; And
And a vacuum pumping device connected to the gas supply device to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances present in the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space,
Lt; / RTI >
The heat treatment of the pair of substrates in the plurality of chambers is performed individually,
Wherein the upper and lower window plates have a plurality of first holes and a plurality of second holes each compensating for a pressure difference between the upper heating space and the heat treatment space and a pressure difference between the lower heating space and the heat treatment space,
Substrate heat treatment apparatus. 제 14항에 있어서,
상기 진공 펌핑 장치는 상기 이물을 처리하기 위한 별도의 이물 처리 장치를 추가로 포함하는 기판 열처리 장치.15. The method of claim 14,
Wherein the vacuum pumping device further comprises a separate particle treatment device for treating the foreign object. 삭제delete 제 14항 또는 제 15항에 있어서,
상기 복수의 열원은 각각 근적외선 램프 히터로 구현되고,
상기 복수의 열원의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는
기판 열처리 장치. 16. The method according to claim 14 or 15,
Wherein the plurality of heat sources are each implemented as a near infrared lamp heater,
The output power of the plurality of heat sources may be controlled individually or in a group manner
Substrate heat treatment apparatus. 제 14항 또는 제 15항에 있어서,
상기 가스 공급 장치 및 상기 진공 펌핑 장치는 각각 하나의 가스 공급 장치 및 하나의 진공 펌핑 장치로 구현되는 기판 열처리 장치.16. The method according to claim 14 or 15,
Wherein the gas supply device and the vacuum pumping device are each implemented as one gas supply device and one vacuum pumping device.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170040841A (en) * 2015-10-05 2017-04-14 삼성전자주식회사 Apparatus for treating a substrate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08321470A (en) * 1995-05-26 1996-12-03 Tokyo Electron Ltd Processor
JPH10209141A (en) * 1997-01-27 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor manufacturing apparatus and method of forming film
KR20110133883A (en) * 2010-06-07 2011-12-14 주식회사 나래나노텍 A device for feeding transferring carrier used in substrate transferring unit of coating region, and a substrate transferring unit and a coating apparatus having the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08321470A (en) * 1995-05-26 1996-12-03 Tokyo Electron Ltd Processor
JPH10209141A (en) * 1997-01-27 1998-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor manufacturing apparatus and method of forming film
KR20110133883A (en) * 2010-06-07 2011-12-14 주식회사 나래나노텍 A device for feeding transferring carrier used in substrate transferring unit of coating region, and a substrate transferring unit and a coating apparatus having the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170040841A (en) * 2015-10-05 2017-04-14 삼성전자주식회사 Apparatus for treating a substrate
KR102373977B1 (en) 2015-10-05 2022-03-15 삼성전자주식회사 Apparatus for treating a substrate

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