KR101431564B1 - Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus of Substrate Having the Same - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an improved substrate heat treatment chamber and a substrate heat treatment apparatus having the same.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 기판을 수용하는 상부 및 하부 하우징을 구비한 챔버를 복수개 구비하며, 각각의 챔버에서 상부 및/또는 하부 하우징의 내부에 복수의 열원을 제공하고 또한 상부 및/또는 하부 하우징의 내측면에서 히팅 공간과 열처리 공간을 분할하는 복수의 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트를 제공하여 기판 및 기판 상에 코팅된 필름이 열원으로부터 방출되는 근적외선 파장을 흡수하는 복사 방식으로 열처리함으로써, 열원이 열처리 과정에서 기판 및 기판 상에 도포된 필름에서 발생하는 흄(fume)에 의한 영향이 실질적으로 제거되므로 열원의 열효율 유지가 우수하고 흄 세정 공정이 실질적으로 불필요하며, 복수의 열원의 출력 파워(output power)를 개별적으로 또는 그룹 방식으로 제어할 수 있으므로 기판의 온도 균일도가 향상되고, 열처리 공간 내의 산소 농도의 조절이 가능하여 기판과 산소의 반응으로 인한 이물 발생 및/또는 기판 손상이 최소화되며. 히팅 공간과 열처리 공간 사이의 압력 차이의 발생이 방지되어 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트의 파손이 방지되고, 윈도우 플레이트가 복수개로 제공되므로 대면적 기판 또는 병렬로 제공되는 복수의 기판의 열처리가 가능하여 기판의 열처리 효율이 크게 증가하며, 복수의 챔버의 개별 프로세싱이 가능하고, 복수의 챔버의 개별적인 유지 보수가 가능한 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치에 관한 것이다.More specifically, the present invention provides a method of providing a plurality of chambers having upper and lower housings for receiving substrates, wherein each chamber provides a plurality of heat sources within the upper and / or lower housing, By providing a plurality of upper and / or lower window plates for dividing the heating space and the heat treatment space at the inner surface of the housing, and heat treating the substrate and the film coated on the substrate by a radiation method absorbing a near-infrared wavelength emitted from the heat source, Since the influence of the fume generated in the substrate and the film applied on the substrate is substantially eliminated in the heat treatment process, the heat source has a good thermal efficiency and the fume washing process is substantially unnecessary. The output power of the plurality of heat sources output power can be controlled individually or in a group manner, the temperature uniformity of the substrate can be improved, It is possible to control the oxygen concentration in the heat treatment space to minimize foreign matter generation and / or substrate damage due to the reaction of the substrate and oxygen. The generation of a pressure difference between the heating space and the heat treatment space is prevented to prevent breakage of the upper and / or lower window plates, and since a plurality of window plates are provided, heat treatment of a plurality of substrates provided on a large- To an improved substrate heat treatment chamber capable of individually processing a plurality of chambers and capable of individual maintenance of a plurality of chambers, and to a substrate heat treatment apparatus having the chamber.
반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지 제조에 사용되는 어닐링(annealing) 장치는 실리콘 웨이퍼, 글래스, 또는 플라스틱 기판과 같은 플렉시블 기판(이하 통칭하여 "기판"이라 함) 상에 증착되어 있는 소정의 필름(유기물 및 무기물)에 대하여 결정화, 상 변화 등의 공정을 위하여 필수적인 열처리를 수행하는 장치이다.An annealing apparatus used for manufacturing semiconductors, flat panel displays and solar cells can be applied to a predetermined film (organic material and / or organic material) deposited on a flexible substrate (hereinafter collectively referred to as "substrate") such as a silicon wafer, Inorganic substance), which is necessary for a process such as crystallization and phase change.
대표적인 어닐링 장치로는 액정 디스플레이 또는 박막형 결정질 실리콘 태양전지를 제조하는 경우 글래스 기판 상에 증착된 비정질 실리콘을 폴리 실리콘으로 결정화시키는 실리콘 결정화 장치가 있다.A typical annealing apparatus is a silicon crystallization apparatus for crystallizing amorphous silicon deposited on a glass substrate into polysilicon when a liquid crystal display or a thin film crystalline silicon solar cell is manufactured.
이와 같은 결정화 공정(열처리 공정)을 수행하기 위해서는 소정의 박막 필름(이하 "필름"이라 함)이 형성되어 있는 기판의 히팅이 가능한 열처리 장치가 있어야 한다. 예를 들어, 비정질 실리콘의 결정화를 위해서는 최소한 550 내지 600℃의 온도가 필요하다.In order to perform such a crystallization process (heat treatment process), a heat treatment apparatus capable of heating a substrate on which a predetermined thin film (hereinafter referred to as "film") is formed must be provided. For example, for crystallization of amorphous silicon, a temperature of at least 550 to 600 DEG C is required.
통상적으로 열처리 장치에는 하나의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 매엽식과 복수의 기판에 대하여 열처리를 수행할 수 있는 배치식이 있다. 매엽식은 장치의 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어서 최근의 대량 생산용으로는 배치식이 각광을 받고 있다.Generally, a heat treatment apparatus includes a single-wafer type in which heat treatment can be performed on one substrate, and a batch type in which heat treatment can be performed on a plurality of substrates. There is a merit of simple configuration of the apparatus, but there is a disadvantage that the productivity is low, and the batch formula is getting popular for the mass production in recent years.
도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이며, 도 3은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다. 이러한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치는 예를 들어, 허판선 등에 의해 2008년 7월 16일자에 "배치식 열처리 장치"라는 발명의 명칭으로 대한민국 특허출원 제10-2008-0069329로 출원된 후, 2011년 2월 11일자로 등록된 대한민국 특허 제10-1016048호에 상세히 기술되어 있다.2 is a perspective view showing the configuration of a chamber of a batch type heat treatment apparatus according to the prior art shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a conventional batch heat treatment apparatus Fig. 5 is a perspective view showing the arrangement of the substrate, the main heater unit, and the auxiliary heater unit of the batch type heat treatment apparatus according to the first embodiment. Such a batch heat treatment apparatus according to the prior art is filed in Korean Patent Application No. 10-2008-0069329, entitled " Batch Heat Treatment Apparatus ", filed July 16, 2008 by Huh, Are described in detail in Korean Patent No. 10-1016048, filed on February 11,
도 1 내지 도 3을 참조하면, 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 열처리 공간을 제공하는 직육면체 형상의 챔버(100)와, 챔버(100)를 지지하는 프레임(110)을 포함하여 구성된다.1 to 3, a batch type
챔버(100)의 일측에는 챔버(100) 내로 기판(10)을 로딩하기 위하여 상하 방향으로 개폐되는 도어(140)가 설치된다. 한편, 열처리가 종료된 후 도어(140)를 통하여 보트(120)를 챔버(100)의 외부로 이송시킨 후 보트(120) 상에서 기판(10)을 언로딩할 수도 있다.A
챔버(100)의 상측에는 챔버(100)의 내부에 설치되는, 예를 들어 보트(120), 가스 공급관(300) 및 가스 배출관(320) 등의 수리 및 교체를 위하여 커버(160)가 개폐 가능하도록 설치된다.A
챔버(100)의 내부에는 기판(10)을 직접 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과, 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)과, 열처리가 종료된 후 챔버(100) 내부를 신속하게 냉각시키기 위한 냉각관(250)이 설치된다.A
도 2 및 도 3을 참조하면, 메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 단변 방향과 평행하게 일정한 간격을 가지면서 단위 메인 히터(210)를 포함한다. 단위 메인 히터(210)는 통상적인 길이가 긴 원통형의 히터로서 석영관 내부에 발열체가 삽입되어 있고 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시키는 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위체이다.Referring to FIGS. 2 and 3, the
메인 히터 유닛(200)은 기판(10)의 적층 방향을 따라 일정 간격을 가지면서 복수개가 배치된다. 기판(10)은 복수의 메인 히터 유닛(200) 사이에 배치된다. 기판(10)은 메인 히터 유닛(200) 사이의 중앙에 배치하는 것이 바람직하다.A plurality of
상술한 바와 같이 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)에서는 기판(10)의 상부 및 하부에 기판(10)의 전면적을 커버할 수 있는 단위 메인 히터(210)로 구성되는 메인 히터 유닛(200)이 설치됨으로써, 기판(10)은 단위 메인 히터로(210)로부터 전면적에 걸쳐서 균일하게 열을 인가받아 열처리가 균일하게 이루어질 수 있다.As described above, in the batch type
또한, 도 2 및 도 3을 참조하면, 보조 히터 유닛(220)은 기판(10)의 단변 방향을 따라 평행하게 배치되는 제1 보조 히터유닛(220a)과 기판(10)의 장변 방향을 따라 배치되는 제2 보조 히터 유닛(220b)을 포함한다. 제1 보조 히터 유닛(220a)은 메인 히터 유닛(200)의 양측에 단위 메인 히터(210)와 평행하게 배치되는 복수의 제1 단위 보조 히터(230a)를 포함한다.2 and 3, the auxiliary heater unit 220 includes a first
상술한 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치(1)는 챔버(100) 내의 복수의 기판에 대해 동시에 열처리가 가능함으로써 기판의 생산성을 향상시키는 효과가 달성되지만, 여전히 다음과 같은 문제점을 갖는다.The above-described batch type
1. 기판(10)을 가열하기 위한 메인 히터 유닛(200)과 챔버(100) 내부의 열 손실을 방지하기 위한 보조 히터 유닛(220)이 모두 챔버(100)의 내부에 제공되므로, 열처리에 의해 기판(10) 및 기판(10) 상의 필름에서 발생하는 흄(fume)이 메인 히터 유닛(200) 및 보조 히터 유닛(220) 상에 증착된다. 그에 따라, 시간이 경과함에 따라 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 열효율이 크게 저하된다. 따라서, 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220)의 열효율을 유지하기 위해서는 흄을 제거하여야 하므로 흄 세정에 따른 전체 공정 시간 및 비용이 크게 증가한다.1. Both the
2. 메인 히터 유닛(200)을 구성하는 단위 메인 히터(210)는 석영관 내부에 발열체가 삽입된 원통형의 히터로서 양단에 설치된 단자를 통하여 외부의 전원을 인가받아 열을 발생시킨다. 이러한 단위 메인 히터(210)로 구성된 메인 히터 유닛(200)에서 발생된 열은 기판(10)에 전도 또는 대류에 의해 전달되는 간접 가열 방식이므로, 기판(10)의 열처리 에너지의 전달 효율이 크게 저하될 뿐만 아니라, 기판(10)에 균일하게 열을 전달하기가 상대적으로 어렵다.2. The unit
3. 챔버(100)의 내부에 제공되는 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 챔버(100) 내부의 복수의 기판(10)이 균일하게 열을 인가받지 못하게 되므로 복수의 기판(10) 전체에 불량이 발생할 수 있다.3. When a failure occurs in a part of the
4. 또한, 챔버(100)의 내부에 제공되는 메인 히터 유닛(200)과 보조 히터 유닛(220) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 고장 부품의 수리 또는 교체를 위해 배치식 열처리 장치(1) 자체의 열처리 동작이 중단되어야 한다. 따라서, 전체 열처리 공정 시간(tact time)이 증가한다.4. When a failure occurs in some of the
5. 종래 기술에서는 예를 들어 플라스틱 기판과 같은 플렉시블 기판이 사용되는 경우, 고온의 열처리를 위해 기판(10)을 챔버(100) 내부 및 외부로의 이송에 따른 도어(140)의 개방으로 인하여 산소를 포함한 외부의 공기가 챔버(100) 내로 유입된다. 챔버(100) 내로 유입된 산소는 열처리 공정에 의해 고온으로 가열된 플랙시블 기판(10)과 반응하여, 이물을 발생시키거나 또는 기판 자체를 손상시킨다.5. In the prior art, when a flexible substrate such as a plastic substrate is used, due to the opening of the
따라서, 상술한 종래 기술의 배치식 열처리 장치에 사용되는 챔버 및 배치식 열처리 장치의 문제점을 해결하기 위한 새로운 방안이 요구된다.Therefore, there is a need for a new method for solving the problems of the chamber and the batch type heat treatment apparatus used in the batch type heat treatment apparatus of the prior art described above.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 기판을 수용하는 상부 및 하부 하우징을 구비한 챔버를 복수개 구비하며, 각각의 챔버에서 상부 및/또는 하부 하우징의 내부에 복수의 열원을 제공하고 또한 상부 및/또는 하부 하우징의 내측면에서 히팅 공간과 열처리 공간을 분할하는 복수의 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트를 제공하여 기판 및 기판 상에 코팅된 필름이 열원으로부터 방출되는 근적외선 파장을 흡수하는 복사 방식으로 열처리함으로써, 열원이 열처리 과정에서 기판 및 기판 상에 도포된 필름에서 발생하는 흄(fume)에 의한 영향이 실질적으로 제거되므로 열원의 열효율 유지가 우수하고 흄 세정 공정이 실질적으로 불필요하며, 복수의 열원의 출력 파워(output power)를 개별적으로 또는 그룹 방식으로 제어할 수 있으므로 기판의 온도 균일도가 향상되고, 열처리 공간 내의 산소 농도의 조절이 가능하여 기판과 산소의 반응으로 인한 이물 발생 및/또는 기판 손상이 최소화되며. 히팅 공간과 열처리 공간 사이의 압력 차이의 발생이 방지되어 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트의 파손이 방지되고, 윈도우 플레이트가 복수개로 제공되므로 대면적 기판 또는 병렬로 제공되는 복수의 기판의 열처리가 가능하여 기판의 열처리 효율이 크게 증가하며, 복수의 챔버의 개별 프로세싱이 가능하고, 복수의 챔버의 개별적인 유지 보수가 가능한 개선된 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a refrigerator having a plurality of chambers each having an upper and a lower housing for accommodating a substrate, each chamber providing a plurality of heat sources in the upper and / And / or a plurality of upper and / or lower window plates for dividing the heating space and the heat treatment space at the inner surface of the lower housing, so that the film coated on the substrate and the substrate absorbs the near-infrared wavelength emitted from the heat source By the heat treatment, since the influence of the fume generated in the film applied on the substrate and the substrate in the heat treatment process of the heat source is substantially eliminated, the thermal efficiency of the heat source is excellent and the fume cleaning process is substantially unnecessary, The output power of the substrate can be controlled individually or in a group manner, The uniformity is improved, and can be adjusted in the oxygen concentration in the heat treatment space, and minimize the foreign body occurs and / or a substrate damage due to the reaction of the substrate and oxygen. The generation of a pressure difference between the heating space and the heat treatment space is prevented to prevent breakage of the upper and / or lower window plates, and since a plurality of window plates are provided, heat treatment of a plurality of substrates provided on a large- An object of the present invention is to provide an improved substrate heat treatment chamber capable of individually processing a plurality of chambers and capable of individual maintenance of a plurality of chambers, and a substrate heat treatment apparatus having the chambers.
본 발명의 제 1 특징에 따른 기판 열처리용 챔버는 내부에 단일 기판의 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징; 상기 열처리 공간 및 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 하부 히팅 공간을 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 복수의 상부 윈도우 플레이트 또는 복수의 하부 윈도우 플레이트; 상기 열처리 공간 내로 상기 단일 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 단일 기판을 언로딩하는 보트; 상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치를 포함하되, 상기 상부 하우징 및 하부 하우징 중 어느 하나 또는 양자는 복수의 열원을 구비하는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment chamber according to a first aspect of the present invention includes: an upper housing and a lower housing that provide a heat treatment space of a single substrate therein; A plurality of upper window plates or a plurality of lower window plates spaced apart from the inner lower surface of the upper housing or the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space; A boat loading and supporting the single substrate into the heat treatment space and unloading the single substrate within the heat treatment space; A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space and the upper heating space or into the heat treatment space and the lower heating space; And a vacuum pumping device opposed to the gas supply device to exhaust the gas, oxygen and foreign substances present in the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space, wherein the upper housing and the lower One or both of the housings are characterized by having a plurality of heat sources.
본 발명의 제 2 특징에 따른 기판 열처리용 챔버는 각각이 복수의 열원을 구비하며, 한 쌍의 기판의 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징; 상기 열처리 공간과 상부 히팅 공간 및 상기 열처리 공간과 하부 히팅 공간을 각각 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 복수의 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 상기 열처리 공간 내로 상기 한 쌍의 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 한 쌍의 기판을 언로딩하는 보트; 상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 및 상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소, 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.The substrate heating chamber according to the second aspect of the present invention includes an upper housing and a lower housing each having a plurality of heat sources and providing a heat treatment space of the pair of substrates; A plurality of upper and lower window plates spaced apart from the inner lower surface of the upper housing and the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space and the heat treatment space and the lower heating space, respectively; A boat loading and supporting the pair of substrates into the heat treatment space and unloading the pair of substrates in the heat treatment space; A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space; And a vacuum pumping device which is connected to the gas supply device so as to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances existing in the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space.
본 발명의 제 3 특징에 따른 기판 열처리 장치는 각각이 단일 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버; 상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및 상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어를 포함하되, 상기 복수의 챔버는 각각 내부에 단일 기판의 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징; 상기 열처리 공간 및 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 하부 히팅 공간을 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 복수의 상부 윈도우 플레이트 또는 복수의 하부 윈도우 플레이트; 상기 열처리 공간 내로 상기 단일 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 단일 기판을 언로딩하는 보트; 상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치를 포함하고, 상기 상부 하우징 및 하부 하우징 중 어느 하나 또는 양자는 복수의 열원을 구비하며, 상기 복수의 챔버 내의 상기 단일 기판의 열처리는 각각 개별적으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment apparatus according to a third aspect of the present invention includes: a plurality of chambers each providing a heat treatment space of a single substrate; A frame in which the plurality of chambers are detachably supported; And a plurality of doors provided on a front surface of each of the plurality of chambers, wherein the plurality of chambers each include an upper housing and a lower housing that provide a heat treatment space of a single substrate in each of the chambers; A plurality of upper window plates or a plurality of lower window plates spaced apart from the inner lower surface of the upper housing or the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space; A boat loading and supporting the single substrate into the heat treatment space and unloading the single substrate within the heat treatment space; A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space and the upper heating space or into the heat treatment space and the lower heating space; And a vacuum pumping device that is connected to the gas supply device to face the gas supply device to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances present in the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space, One or both of the housings has a plurality of heat sources, and the single substrate in the plurality of chambers is individually heat-treated.
본 발명의 제 4 특징에 따른 기판 열처리 장치는 각각이 한 쌍의 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버; 상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및 상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어를 포함하되, 상기 복수의 챔버는 각각 각각이 복수의 열원을 구비하며, 한 쌍의 기판의 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징; 상기 열처리 공간과 상부 히팅 공간 및 상기 열처리 공간과 하부 히팅 공간을 각각 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 복수의 상부 및 하부 윈도우 플레이트; 상기 열처리 공간 내로 상기 한 쌍의 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 한 쌍의 기판을 언로딩하는 보트; 상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 및 상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소, 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치를 포함하고, 상기 복수의 챔버 내의 상기 한 쌍의 기판의 열처리는 각각 개별적으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.A substrate heat treatment apparatus according to a fourth aspect of the present invention includes: a plurality of chambers each providing a heat treatment space of a pair of substrates; A frame in which the plurality of chambers are detachably supported; And a plurality of chambers provided in front of each of the plurality of chambers, wherein each of the plurality of chambers includes a plurality of heat sources, each of the chambers comprising: an upper housing and a lower housing providing a heat treatment space of the pair of substrates; A plurality of upper and lower window plates spaced apart from the inner lower surface of the upper housing and the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space and the heat treatment space and the lower heating space, respectively; A boat loading and supporting the pair of substrates into the heat treatment space and unloading the pair of substrates in the heat treatment space; A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space; And a vacuum pumping device, which is connected to the gas supply device so as to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances existing in the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space, And heat treatment of the pair of substrates is performed individually.
본 발명에 따른 기판 열처리용 챔버 및 이를 구비한 기판 열처리 장치를 사용하면 다음과 같은 효과가 달성된다.The following effects can be achieved by using the substrate heat treatment chamber and the substrate heat treatment apparatus having the same according to the present invention.
1. 본 발명의 복수의 열원이 챔버 내 처리 공간의 외부에 제공되므로 열처리에 의해 발생하는 흄이 복수의 열원 상에 증착되지 않는다. 그에 따라, 시간이 경과하더라도 흄에 의한 영향이 실질적으로 제거되어 복수의 열원의 우수한 열효율을 유지할 수 있으며, 흄 세정 공정이 실질적으로 불필요하므로 전체 공정 시간 및 비용이 크게 감소된다.1. Since the plurality of heat sources of the present invention are provided outside the processing space in the chamber, the fumes generated by the heat treatment are not deposited on the plurality of heat sources. Accordingly, even if the time passes, the effect of the fume can be substantially eliminated, the excellent heat efficiency of the plurality of heat sources can be maintained, and the fume washing process is substantially unnecessary, so that the whole process time and cost are greatly reduced.
2. 본 발명의 복수의 열원의 배면에 제공되는 복수의 반사부(reflector)를 이용하여 복사 방식으로 기판을 열처리하는 직접 가열 방식이므로 기판의 열처리 전달 효율이 우수할 뿐만 아니라, 기판에 균일한 열전달이 상대적으로 용이하다.2. The direct heating method of heat-treating a substrate by using a plurality of reflectors provided on the back surface of a plurality of heat sources of the present invention is excellent in heat treatment transfer efficiency of the substrate, Is relatively easy.
3. 복수의 근적외선 램프 히터의 출력 파워(output power)를 개별적으로 또는 그룹 방식으로 제어할 수 있으므로 기판의 온도 균일도가 향상된다.3. The output power of a plurality of near-infrared lamp heaters can be controlled individually or in a group manner, thereby improving the temperature uniformity of the substrate.
4. 열처리 공간 내의 산소 농도의 조절이 가능하여 기판과 산소의 반응으로 인한 이물 발생 및/또는 기판 손상이 최소화된다.4. It is possible to control the oxygen concentration in the heat treatment space to minimize foreign matter generation and / or substrate damage due to reaction of the substrate and oxygen.
5. 히팅 공간과 열처리 공간 사이의 압력 차이의 발생이 방지되어 상부 및/또는 하부 윈도우 플레이트의 파손이 방지된다.5. The occurrence of a pressure difference between the heating space and the heat treatment space is prevented to prevent breakage of the upper and / or lower window plate.
6. 윈도우 플레이트가 복수개로 제공되므로 대면적 기판 또는 병렬로 제공되는 복수의 기판의 열처리가 가능하여 기판의 열처리 효율이 크게 증가된다.6. Since a plurality of window plates are provided, heat treatment of a large-area substrate or a plurality of substrates provided in parallel can be performed, thereby greatly increasing the heat treatment efficiency of the substrate.
7. 복수의 챔버에 각각 제공되는 복수의 열원 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우에도 고장 등이 발생하지 않은 챔버 내에서는 기판의 정상적인 열처리가 가능하다. 즉, 복수의 챔버는 개별 프로세싱이 가능하고, 그에 따라 복수의 챔버 내의 복수의 기판 전체에 대한 불량 발생 가능성이 실질적으로 제거된다.7. Even if a failure or the like occurs in a plurality of heat sources provided in each of the plurality of chambers, normal heat treatment of the substrate is possible in a chamber in which no failure has occurred. That is, the plurality of chambers are capable of individual processing, thereby substantially eliminating the possibility of occurrence of defects for a plurality of substrates in a plurality of chambers.
8. 또한, 복수의 챔버에 각각 제공되는 복수의 열원 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 해당 챔버만을 수리 또는 교체하면 되므로 고장 등이 발생하지 않은 나머지 챔버는 정상적으로 동작이 가능하다. 즉, 복수의 챔버의 개별적인 유지 보수가 가능하다. 따라서, 기판 열처리 장치 내의 나머지 챔버에 대한 열처리 동작이 중단될 필요가 없으므로 전체 열처리 공정 시간(tact time)이 크게 감소된다. 8. When a failure or the like occurs in a plurality of heat sources provided in each of the plurality of chambers, only the corresponding chambers need to be repaired or replaced, so that the remaining chambers in which no failure has occurred can normally operate. That is, individual maintenance of a plurality of chambers is possible. Therefore, the total heat treatment process time (tact time) is greatly reduced since the heat treatment operation for the remaining chambers in the substrate heat treatment apparatus does not need to be interrupted.
본 발명의 추가적인 장점은 동일 또는 유사한 참조번호가 동일한 구성요소를 표시하는 첨부 도면을 참조하여 이하의 설명으로부터 명백히 이해될 수 있다.Further advantages of the present invention can be clearly understood from the following description with reference to the accompanying drawings, in which like or similar reference numerals denote like elements.
도 1은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 구성을 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 챔버의 구성을 도시한 사시도이다.
도 3은 종래 기술에 따른 배치식 열처리 장치의 기판, 메인 히터 유닛 및 보조 히터 유닛의 배치 상태를 도시한 사시도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 구성을 도시한 정단면도이다.
도 4b는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 A 부분의 확대도이다.
도 4c는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4d는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4e는 도 4d에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예의 변형 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4f는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버를 복수개 구비한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 도시한 사시도이다.
도 4g는 도 4f에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 사용되는 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4h는 도 4g에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예의 변형 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4i는 도 4f에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 사용되는 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.
도 4j는 도 4i에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예의 변형 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.1 is a perspective view showing a configuration of a batch type heat treatment apparatus according to the prior art.
2 is a perspective view showing a configuration of a chamber of the batch type thermal processing apparatus according to the prior art shown in FIG.
3 is a perspective view showing the arrangement of the substrate, the main heater unit, and the auxiliary heater unit of the batch type heat treatment apparatus according to the related art.
4A is a front sectional view showing a configuration of a chamber for heat treatment of a substrate according to an embodiment of the present invention.
4B is an enlarged view of part A of the substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.
4C is a cross-sectional side view schematically illustrating a first embodiment of a substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.
FIG. 4D is a side cross-sectional view schematically illustrating a second embodiment of the substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.
4E is a side cross-sectional view schematically illustrating a modified embodiment of the second embodiment of the substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4D.
FIG. 4F is a perspective view illustrating a substrate thermal processing apparatus according to an embodiment of the present invention, which includes a plurality of chambers for substrate thermal processing according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.
FIG. 4G is a side cross-sectional view schematically showing a first embodiment of a plurality of substrate heat treatment chambers used in the substrate heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 4F.
4H is a side cross-sectional view schematically showing a modified embodiment of the first embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in Fig. 4G.
FIG. 4I is a side cross-sectional view schematically showing a second embodiment of a plurality of substrate heat treatment chambers used in the substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4F.
4J is a side cross-sectional view schematically illustrating a modified embodiment of the second embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in FIG. 4I.
이하에서 본 발명의 실시예 및 도면을 참조하여 본 발명을 설명한다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described with reference to embodiments and drawings of the present invention.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 구성을 도시한 정단면도이고, 도 4b는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 A 부분의 확대도이며, 도 4c는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.FIG. 4A is a front sectional view showing a configuration of a chamber for heat treatment of a substrate according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4B is an enlarged view of an A portion of a chamber for heat treatment of a substrate according to an embodiment of the present invention shown in FIG. And FIG. 4C is a side cross-sectional view schematically showing a first embodiment of a substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.
상기 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400) 내에는 보트(420) 상에 한 쌍의 기판(10)이 장착되어 사용되는 것으로 예시적으로 도시되어 있지만, 당업자라면 단일 기판(10)이 사용될 수 있다는 것을 충분히 이해할 수 있을 것이다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400) 내에서는 후술하는 바와 같이, 보트(420) 상에 복수의 단일 기판(10) 또는 복수의 한 쌍의 기판(10)이 각각 병렬로 장착되어 사용될 수 있다는 점에 유의하여야 한다.4A, a pair of
먼저, 도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 내부에 단일 기판(10)의 열처리 공간(heat process space: 472)을 제공하는 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b); 상기 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)을 분할하도록 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 복수의 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 복수의 하부 윈도우 플레이트(474b); 상기 열처리 공간(472) 내로 상기 단일 기판(10)을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간(472) 내에서 상기 단일 기판(10)을 언로딩하는 보트(420); 상기 열처리 공간(472) 및 상기 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치(480); 및 상기 열처리 공간(472) 및 상기 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내에 존재하는 상기 가스, 산소 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치(480)와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치(490)를 포함하되, 상기 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b) 중 어느 하나 또는 양자는 복수의 열원(410)을 구비하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 단일 기판(10)은 하나의 단일 기판(10)이 사용되거나 또는 보트(420) 상에 병렬로 장착되는 복수의 단일 기판(10)이 사용될 수 있다는 점에 유의하여야 한다.4A to 4C, a substrate
이하의 본 명세서에서 이물은 단일 기판(10) 상에 도포된 필름(유기물 및 무기물)의 열처리 결과 발생하는 솔벤트(solvent)의 승화물 등과 같은 모든 이물을 포함한다. 또한, 가스는 질소와 같은 퍼지 가스(purge gas)이다. 또한, 이하에서는 필요한 경우 단일 기판(10) 및 후술하는 한 쌍의 기판(10)을 통칭하여 기판(10)이라 지칭하기로 한다.In the following description, the foreign object includes all foreign substances, such as a solution of a solvent generated as a result of heat treatment of a film (organic and inorganic) applied on a
상기 진공 펌핑 장치(490)는 상기 이물을 처리하기 위한 별도의 이물 처리 장치(미도시)를 추가로 포함할 수 있다. 이 경우, 이물 처리 장치(미도시)는 진공 펌핑 장치(490)와 일체형으로 구비되거나 또는 별개로 제공될 수 있다.The
또한, 상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 하부 히팅 공간(472d)과 가스 공급 장치(480)를 연결하는 공급관(481) 상에 제공되며, 가스 공급 유량을 조절하는 제 1 유량 조절 밸브(482); 상기 열처리 공간(472) 및 상기 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 하부 히팅 공간(472d)과 진공 펌핑 장치(490)를 연결하는 배기관(483) 상에 제공되며, 가스 배기 유량을 조절하는 제 2 유량 조절 밸브(486); 및 상기 배기관(483) 상에서 상기 제 2 유량 조절 밸브(486)와 기판 열처리용 챔버(400) 사이에 배치되는 압력 게이지(484)를 추가로 포함할 수 있다. 압력 게이지(484)에 의해 열처리 공간(472)과 상부 히팅 공간(472u) 간의 압력 차이, 또는 열처리 공간(472)과 하부 히팅 공간(472d) 간의 압력 차이가 확인되면 제 1 유량 조절 밸브(482) 및 제 2 유량 조절 밸브(486)의 동작에 의해 열처리 공간(472)과 상부 히팅 공간(472u) 내의 압력, 또는 열처리 공간(472)과 하부 히팅 공간(472d) 내의 압력이 동일하게 유지되거나 또는 열처리 공간(472) 보다 상부 히팅 공간(472u) 또는 하부 히팅 공간(472d) 내의 압력이 약간 더 높게 유지되도록 제어된다. 그에 따라, 도 4b에 도시된 바와 같이 복수의 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 복수의 하부 윈도우 플레이트(474b)가 접하는 부분에 미세한 틈새 또는 갭(476)이 형성될 수 있지만, 본 발명에서는 상부 히팅 공간(472u) 또는 하부 히팅 공간(472d) 내로 공급되는 가스의 압력에 의해 단일 기판(10)의 열처리에 따라 열처리 공간(472) 내에서 발생하는 이물이 미세한 틈새 또는 갭(476)을 통해 상부 히팅 공간(472u) 또는 하부 히팅 공간(472d) 내로 유입되는 것이 방지될 뿐만 아니라, 복수의 상부 또는 복수의 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)의 파손이 방지될 수 있다.The substrate
도 4d는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.FIG. 4D is a side cross-sectional view schematically illustrating a second embodiment of the substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A.
도 4a, 도 4b 및 도 4d를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 각각이 복수의 열원(410)을 구비하며, 한 쌍의 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공하는 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b); 상기 열처리 공간(472)과 상부 히팅 공간(472u) 및 상기 열처리 공간(472)과 하부 히팅 공간(472d)을 각각 분할하도록 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 복수의 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b); 상기 열처리 공간(472) 내로 상기 한 쌍의 기판(10)을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간(472) 내에서 상기 한 쌍의 기판(10)을 언로딩하는 보트(420); 상기 열처리 공간(472), 상기 상부 히팅 공간(472u), 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치(480); 및 상기 열처리 공간(472), 상기 상부 히팅 공간(472u), 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내에 존재하는 상기 가스, 산소, 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치(480)와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치(490)를 포함한다. 여기서, 한 쌍의 기판(10)은 각각 하나의 한 쌍의 기판(10)이 사용되거나 또는 보트(420) 상에 병렬로 장착되는 복수의 한 쌍의 기판(10)이 사용될 수 있다는 점에 유의하여야 한다.4A, 4B and 4D, a substrate
상기 진공 펌핑 장치(490)는 상기 이물을 처리하기 위한 별도의 이물 처리 장치(미도시)를 추가로 포함할 수 있다. 이 경우, 이물 처리 장치(미도시)는 진공 펌핑 장치(490)와 일체형으로 구비되거나 또는 별개로 제공될 수 있다.The
또한, 상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 상기 열처리 공간(472), 상기 상부 히팅 공간(472u), 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 각각과 가스 공급 장치(480)를 연결하는 공급관(481) 상에 제공되며, 가스 공급 유량을 조절하는 제 1 유량 조절 밸브(482); 상기 열처리 공간(472), 상기 상부 히팅 공간(472u), 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 각각과 진공 펌핑 장치(490)를 연결하는 배기관(483) 상에 제공되며, 가스 배기 유량을 조절하는 제 2 유량 조절 밸브(486); 및 상기 배기관(483) 상에서 상기 제 2 유량 조절 밸브(486)와 기판 열처리용 챔버(400) 사이에 제공되는 압력 게이지(484)를 추가로 포함할 수 있다. 압력 게이지(484)에 의해 열처리 공간(472)과 상부 히팅 공간(472u) 간의 압력 차이, 및 열처리 공간(472)과 하부 히팅 공간(472d) 간의 압력 차이가 확인되면 제 1 유량 조절 밸브(482) 및 제 2 유량 조절 밸브(486)의 동작에 의해 열처리 공간(472)과 상부 히팅 공간(472u) 간의 압력, 및 열처리 공간(472)과 하부 히팅 공간(472d) 내의 압력이 동일하게 유지되거나 또는 열처리 공간(472) 보다 상부 히팅 공간(472u) 및 하부 히팅 공간(472d) 내의 압력이 약간 더 높게 유지되도록 제어된다. 그에 따라, 상부 히팅 공간(472u) 및 하부 히팅 공간(472d) 내로 공급되는 가스의 압력에 의해 한 쌍의 기판(10)의 열처리에 따라 열처리 공간(472) 내에서 발생하는 이물이 미세한 틈새 또는 갭(476)(도 4b 참조)을 통해 상부 히팅 공간(472u) 및 하부 히팅 공간(472d) 내로 유입되는 것이 방지될 뿐만 아니라, 복수의 상부 또는 복수의 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)의 파손이 방지될 수 있다.The substrate
도 4e는 도 4d에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예의 변형 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.4E is a side cross-sectional view schematically illustrating a modified embodiment of the second embodiment of the substrate heat treatment chamber according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4D.
도 4e에 도시된 변형 실시예에서는, 상부 히팅 공간(472u) 및 하부 히팅 공간(472d)과 가스 공급 장치(480)를 연결하는 공급관(481) 상에 제공되는 제 1 유량 조절 밸브(482), 상부 히팅 공간(472u) 및 하부 히팅 공간(472d)과 진공 펌핑 장치(490)를 연결하는 배기관(483) 상에 제공되는 제 2 유량 조절 밸브(486), 및 배기관(483) 상에서 제 2 유량 조절 밸브(486)와 기판 열처리용 챔버(400) 사이에 제공되는 압력 게이지(484)가 각각 하나씩만 사용된다는 점을 제외하고는 도 4d에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)의 제 2 실시예와 동일하다.4E, a first
상술한 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에서는, 통상적으로 복수의 상부 윈도우 플레이트(474a) 및/또는 복수의 하부 윈도우 플레이트(474b)는 후술하는 바와 같이 쿼츠(quartz) 또는 네오 세라믹(neo ceramic) 재질로 구현될 수 있다. 이 경우, 재질 상의 한계로 인하여, 하나의 상부 윈도우 플레이트(474a) 및/또는 하나의 하부 윈도우 플레이트(474b)의 사용 가능 제조 사이즈도 일정한 한계를 가지며, 현재까지 알려진 하나의 상부 윈도우 플레이트(474a) 및/또는 하나의 하부 윈도우 플레이트(474b)의 최대 사이즈는 대략 1600mm x 1900mm이다. 따라서, 단일 기판(10)의 사이즈가 하나의 상부 윈도우 플레이트(474a) 및/또는 하나의 하부 윈도우 플레이트(474b)의 최대 사이즈보다 큰 대면적 기판인 경우 또는 보트(420) 상에 병렬로 장착되는 복수의 기판(10)이 사용되는 경우에는 하나의 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 하나의 하부 윈도우 플레이트(474b)만을 사용하여 기판 열처리용 챔버(400)를 구성하는 것이 불가능하게 된다. 따라서, 본 발명에서는 복수의 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 복수의 하부 윈도우 플레이트(474b)를 사용함으로써, 대면적 기판(10) 또는 보트(420) 상에 병렬로 장착되는 복수의 기판(10)이 사용되는 경우에도 이러한 기판의 열처리가 가능한 기판 열처리용 챔버(400)의 구현이 가능하며, 그 결과 기판의 열처리 효율이 크게 증가된다.In the first and second embodiments of the present invention described above, a plurality of
또한, 상술한 도 4a 내지 도 4e에 도시된 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에서, 상부 및 하부 하우징(470a,470b)의 어느 하나 또는 양자의 내부에 제공되는 복수의 열원(410)은 그 배면에 복수의 열원(410)으로부터 방출되는 열 에너지를 반사하여 복수의 상부 및/또는 복수의 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 통해 기판(10)으로 열 에너지를 복사 방식으로 전달하는 복수의 반사부(412)를 구비하는 것이 바람직하다.In addition, in the first and second embodiments of the present invention shown in Figs. 4A to 4E, a plurality of
이하에서는 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)의 구체적인 구성 및 동작에 대해 상세히 기술하기로 한다.Hereinafter, the detailed configuration and operation of the substrate
먼저, 도 4a 내지 4c를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 상부 및 하부 하우징(470a,470b)을 포함한다. 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 그 내부에 단일 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공한다.4A to 4C, a substrate
또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 복수의 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 복수의 하부 윈도우 플레이트(474b)를 포함한다. 복수의 상부 윈도우 플레이트(474a)는 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u)을 분할하고, 복수의 하부 윈도우 플레이트(474b)는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)을 분할한다. 상술한 본 발명의 제 1 실시예에서는, 복수의 상부 윈도우 플레이트(474a) 및 복수의 하부 윈도우 플레이트(474b) 중 어느 하나 만이 사용되고, 그에 따라 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d) 중 어느 하나 만이 사용된다는 점에 유의하여야 한다.The
또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 열처리 공간(472) 내로 단일 기판(10)을 로딩 및 지지하고 또한 열처리 공간(472) 내에서 단일 기판(10)을 언로딩하는 보트(420)를 포함한다. 이 경우, 보트(420)에 의해 단일 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위해 기판 열처리용 챔버(400)의 도어(미도시)의 개방이 요구되고, 그에 따라 외부의 산소가 기판 열처리용 챔버(400) 내로 유입된다. 유입된 산소는 단일 기판(10)으로 예를 들어 플라스틱 기판과 플렉시블 기판이 사용되는 경우 열처리 공정에 의해 고온으로 가열된 플랙시블 기판과 반응하여 이물을 발생시키거나 또는 기판 자체를 손상시킨다. 이를 방지하기 위해, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 진공 펌핑 장치(490)를 사용하여 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)을 진공 상태로 유지함으로써, 기판 열처리용 챔버(400) 내의 산소 농도의 조절이 가능해진다.The substrate
또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)의 일측면 및 대향 측면에 각각 연결된 가스 공급 장치(480) 및 진공 펌핑 장치(490)를 포함한다. 이러한 가스 공급 장치(480) 및 진공 펌핑 장치(490)에 의해 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d) 내로 가스를 공급하고 또한 가스, 산소 및 이물을 배기한다.The
상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)에서는, 복수의 열원(410)이 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b) 중 어느 하나 또는 양자에 구비된다는 점에 유의하여야 한다.It should be noted that in the substrate
한편, 도 4a, 도 4b, 도 4d, 및 도 4e를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 상부 및 하부 하우징(470a,470b)을 포함한다. 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 그 내부에 한 쌍의 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공한다.4A, 4B, 4D, and 4E, the substrate
또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 복수의 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 포함한다. 복수의 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 열처리 공간(472)의 상하에 각각 상부 히팅 공간(472u) 및 하부 히팅 공간(472d)을 분할한다.In addition, the
또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 열처리 공간(472) 내로 한 쌍의 기판(10)을 로딩 및 지지하고 또한 열처리 공간(472) 내에서 한 쌍의 기판(10)을 언로딩하는 보트(420)를 포함한다. 보트(420)에 의해 한 쌍의 기판(10)의 로딩 및 언로딩을 위해 기판 열처리용 챔버(400)의 도어(미도시)의 개방이 요구되고, 그에 따라 외부의 산소가 기판 열처리용 챔버(400) 내로 유입된다. 유입된 산소는 한 쌍의 기판(10)으로 예를 들어 플라스틱 기판과 플렉시블 기판이 사용되는 경우 열처리 공정에 의해 고온으로 가열된 플랙시블 기판과 반응하여 이물을 발생시키거나 또는 기판 자체를 손상시킨다. 이를 방지하기 위해, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 진공 펌핑 장치(490)를 사용하여 열처리 공간(472), 상부 히팅 공간(472u), 및 하부 히팅 공간(472d)을 진공 상태로 유지함으로써, 기판 열처리용 챔버(400) 내의 산소 농도의 조절이 가능해진다.The substrate
또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)는 열처리 공간(472), 상부 히팅 공간(472u), 및 하부 히팅 공간(472d)의 일측면 및 대향 측면에 각각 연결된 가스 공급 장치(480) 및 진공 펌핑 장치(490)를 포함한다. 이러한 가스 공급 장치(480) 및 진공 펌핑 장치(490)에 의해 열처리 공간(472), 상부 히팅 공간(472u), 및 하부 히팅 공간(472d) 내로 가스를 공급하고 또한 가스, 산소 및 이물을 배기한다.The substrate
상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)에서는, 복수의 열원(410)이 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b) 양자에 모두 구비된다는 점에 유의하여야 한다.It should be noted that in the substrate
또한, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)에 사용되는 상부 및 하부 하우징(470a,470b)은 각각 알루미늄(Al) 재질로 구현될 수 있으며, 복수의 열원(410)은 각각 근적외선 램프 히터로 구현될 수 있다. 이 경우, 근적외선 램프 히터는 SiO2 재질의 기판(10) 및 기판(10) 상에 도포된 필름(미도시)을 가열하여 건조 및 소성하기에 적합한 대략 1 내지 5㎛ 범위의 파장 대역의 근적외선을 방출하는 것이 바람직하다. 또한, 복수의 열원(410)의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 그룹 방식으로 제어될 수 있다. 여기서 그룹 방식이란 예를 들어 상부 하우징(470a) 내에 제공되는 복수의 열원(410)을 제 1 열원 그룹으로 하여 동시에 제어하고, 하부 하우징(470b) 내에 제공되는 복수의 열원(410)을 제 2 열원 그룹으로 하여 동시에 제어하는 방식일 수 있다. 이러한 복수의 열원(410)의 출력 파워의 개별 제어 또는 그룹 방식 제어에 의해 기판(10)의 온도를 균일하게 제어하는 것이 가능하다. 따라서, 기판(10)의 온도 균일도가 향상되므로 궁극적으로 기판(10)의 불량 발생 가능성이 크게 감소된다.The upper and
또한, 복수의 상부 및/또는 복수의 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)는 예를 들어 근적외선 램프 히터로 구현되는 복수의 열원(410)에서 방출되는 대략 1 내지 5㎛ 범위의 파장 대역의 근적외선은 통과시키는 반면에 상기 파장 대역 이외의 대역은 컷오프(cut-off)시킨다. 그에 따라, 복수의 열원(410)은 각각 복수의 상부 및/또는 복수의 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 통해 기판(10) 상으로 열 에너지를 복사 방식으로 직접 전달하여 기판(10) 및 기판(10) 상부에 도포된 필름(미도시)(예를 들어, 폴리이미드(PI))을 열처리한다.In addition, the plurality of upper and / or lower
또한, 상기 상부 및/또는 하부 하우징(470a,470b)은 각각 복수의 열원(410)의 배면에 제공되는 복수의 반사부(412)를 구비한다. 복수의 반사부(412)는 복수의 열원(410)으로부터 방출되는 열 에너지를 반사하여 복수의 상부 및/또는 복수의 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)를 통해 상기 기판(10)으로 상기 열 에너지를 복사 방식으로 전달한다. 이러한, 복사 방식으로 전달된 에너지는 기판(10)을 직접 가열하여 열처리한다. 따라서, 종래 기술의 전도 또는 대류 방식에 비해 기판(10)의 열처리 전달 효율이 우수할 뿐만 아니라, 기판(10)에 균일한 열전달이 상대적으로 용이하다.The upper and / or
도 4f는 도 4a에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버를 복수개 구비한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치를 도시한 사시도이고, 도 4g는 도 4f에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 사용되는 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.FIG. 4F is a perspective view illustrating a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention including a plurality of chambers for heat treatment of a substrate according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4A. FIG. 4G is a cross- Sectional view schematically showing a first embodiment of a plurality of substrate heat treatment chambers used in a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 4g를 도 4a 내지 도 4c 및 도 4f와 함께 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 각각이 단일 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공하는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e); 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임(410); 및 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어(미도시)를 포함하되, 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 내의 상기 단일 기판(10)의 열처리는 각각 개별적으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각 상술한 도 4a 내지 도 4c에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)로 구현된다.Referring to FIG. 4G, with reference to FIGS. 4A through 4C and 4F, a substrate
좀 더 구체적으로, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)를 포함한다. 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각 내부에 단일 기판(10)의 열처리 공간(heat process space: 472)을 제공하는 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b); 상기 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)을 분할하도록 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 복수의 상부 윈도우 플레이트(474a) 또는 복수의 하부 윈도우 플레이트(474b); 상기 열처리 공간(472) 내로 상기 단일 기판(10)을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간(472) 내에서 상기 단일 기판(10)을 언로딩하는 보트(420); 상기 열처리 공간(472) 및 상기 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치(480); 및 상기 열처리 공간(472) 및 상기 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내에 존재하는 상기 가스, 산소 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치(480)와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치(490)를 포함하되, 상기 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b) 중 어느 하나 또는 양자는 복수의 열원(410)을 구비하는 것을 특징으로 한다.More specifically, the substrate
상기 각각의 진공 펌핑 장치(490)는 상기 이물을 처리하기 위한 별도의 이물 처리 장치(미도시)를 추가로 포함할 수 있다. 이 경우, 이물 처리 장치(미도시)는 진공 펌핑 장치(490)와 일체형으로 구비되거나 또는 별개로 제공될 수 있다.Each of the
또한, 상술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에 사용되는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각 상기 열처리 공간(472) 및 상기 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 하부 히팅 공간(472d)과 가스 공급 장치(480)를 연결하는 공급관(481) 상에 제공되며, 가스 공급 유량을 조절하는 제 1 유량 조절 밸브(482); 상기 열처리 공간(472) 및 상기 상부 히팅 공간(472u) 또는 상기 열처리 공간(472) 및 상기 하부 히팅 공간(472d)과 진공 펌핑 장치(490)를 연결하는 배기관(483) 상에 제공되며, 가스 배기 유량을 조절하는 제 2 유량 조절 밸브(486); 및 상기 배기관(483) 상에서 상기 제 2 유량 조절 밸브(486)와 기판 열처리용 챔버(400) 사이에 제공되는 압력 게이지(484)를 추가로 포함할 수 있다. 이러한 압력 게이지(484), 제 1 유량 조절 밸브(482), 및 제 2 유량 조절 밸브(486)의 동작에 의해 각각의 열처리 공간(472) 내에서 발생하는 이물이 미세한 틈새 또는 갭(476)을 통해 각각의 상부 히팅 공간(472u) 또는 각각의 하부 히팅 공간(472d) 내로 유입되는 것이 방지될 뿐만 아니라, 각각의 복수의 상부 또는 각각의 복수의 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)의 파손이 방지될 수 있다.The plurality of
도 4h는 도 4g에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예의 변형 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.4H is a side cross-sectional view schematically showing a modified embodiment of the first embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in Fig. 4G.
도 4h를 참조하면, 도 4g에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예에서 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e) 각각의 열처리 공간(472) 및 상부 히팅 공간(472u) 또는 열처리 공간(472) 및 하부 히팅 공간(472d)과 각각 연결되는 각각의 가스 공급 장치(480) 및 각각의 진공 펌핑 장치(490)가 하나의 가스 공급 장치(480), 및 하나의 진공 펌핑 장치(490)로 구현된다는 점을 제외하고는 도 4g에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 1 실시예와 동일하다.Referring to FIG. 4H, in the first embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in FIG. 4G, the
도 4i는 도 4f에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 열처리 장치에 사용되는 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.FIG. 4I is a side cross-sectional view schematically showing a second embodiment of a plurality of substrate heat treatment chambers used in the substrate heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 4F.
도 4i를 도 4a, 도 4b, 도 4d, 도 4e, 및 도 4f와 함께 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 각각이 한 쌍의 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공하는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e); 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임(410); 및 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어(미도시)를 포함하되, 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 내의 상기 한 쌍의 기판(10)의 열처리는 각각 개별적으로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각 상술한 도 4a, 도 4b, 및 도 4d에 도시된 본 발명의 제 2 실시예 및 도 4e에 도시된 변형 실시예에 따른 기판 열처리용 챔버(400)로 구현된다.Referring to FIG. 4I, with reference to FIGS. 4A, 4B, 4D, 4E, and 4F, the substrate
좀 더 구체적으로, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)를 포함한다. 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각이 복수의 열원(410)을 구비하며, 한 쌍의 기판(10)의 열처리 공간(472)을 제공하는 상부 하우징(470a) 및 하부 하우징(470b); 상기 열처리 공간(472)과 상부 히팅 공간(472u) 및 상기 열처리 공간(472)과 하부 히팅 공간(472d)을 각각 분할하도록 상기 상부 하우징(470a)의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징(470b)의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 복수의 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b); 상기 열처리 공간(472) 내로 상기 한 쌍의 기판(10)을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간(472) 내에서 상기 한 쌍의 기판(10)을 언로딩하는 보트(420); 상기 열처리 공간(472), 상기 상부 히팅 공간(472u), 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치(480); 및 상기 열처리 공간(472), 상기 상부 히팅 공간(472u), 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 내에 존재하는 상기 가스, 산소, 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치(480)와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치(490)를 포함한다.More specifically, the substrate
상기 각각의 진공 펌핑 장치(490)는 상기 이물을 처리하기 위한 별도의 이물 처리 장치(미도시)를 추가로 포함할 수 있다. 이 경우, 이물 처리 장치(미도시)는 진공 펌핑 장치(490)와 일체형으로 구비되거나 또는 별개로 제공될 수 있다.Each of the
또한, 상술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에 사용되는 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e)는 각각 상기 열처리 공간(472), 상기 상부 히팅 공간(472u), 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 각각과 가스 공급 장치(480)를 연결하는 공급관(481) 상에 가스 공급 유량을 조절하는 제 1 유량 조절 밸브(482); 상기 열처리 공간(472), 상기 상부 히팅 공간(472u), 및 상기 하부 히팅 공간(472d) 각각과 진공 펌핑 장치(490)를 연결하는 배기관(483) 상에 가스 배기 유량을 조절하는 제 2 유량 조절 밸브(486); 및 상기 배기관(483) 상에서 상기 제 2 유량 조절 밸브(486)와 기판 열처리용 챔버(400) 사이에 제공되는 압력 게이지(484)를 추가로 포함할 수 있다. 이러한 압력 게이지(484), 제 1 유량 조절 밸브(482), 및 제 2 유량 조절 밸브(486)의 동작에 의해 각각의 열처리 공간(472) 내에서 발생하는 이물이 미세한 틈새 또는 갭(476)을 통해 각각의 상부 히팅 공간(472u) 및 하부 히팅 공간(472d) 내로 유입되는 것이 방지될 뿐만 아니라, 각각의 복수의 상부 및 하부 윈도우 플레이트(474a,474b)의 파손이 방지될 수 있다.The plurality of
도 4j는 도 4i에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예의 변형 실시예를 개략적으로 도시한 측단면도이다.4J is a side cross-sectional view schematically illustrating a modified embodiment of the second embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in FIG. 4I.
도 4j를 참조하면, 도 4i에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예에서 복수의 챔버(400a,400b,400c400d,400e) 각각의 열처리 공간(472), 상부 히팅 공간(472u), 및 하부 히팅 공간(472d)과 각각 연결되는 각각의 가스 공급 장치(480) 및 각각의 진공 펌핑 장치(490)가 하나의 가스 공급 장치(480) 및 하나의 진공 펌핑 장치(490)로 구현된다는 점을 제외하고는 도 4i에 도시된 본 발명의 복수의 기판 열처리용 챔버의 제 2 실시예와 동일하다.Referring to FIG. 4J, in the second embodiment of the plurality of substrate heat treatment chambers of the present invention shown in FIG. 4I, the
또한, 도 4i 및 도 4j에 도시된 실시예에서, 각각의 상부 히팅 공간(472u) 및 각각의 하부 히팅 공간(472d)과 각각의 가스 공급 장치(480)를 연결하는 각각의 공급관(481) 상에 제공되는 각각의 제 1 유량 조절 밸브(482), 각각의 상부 히팅 공간(472u) 및 각각의 하부 히팅 공간(472d)과 각각의 진공 펌핑 장치(490)를 연결하는 각각의 배기관(483) 상에 제공되는 각각의 제 2 유량 조절 밸브(486), 및 각각의 배기관(483) 상에서 각각의 제 2 유량 조절 밸브(486)와 각각의 기판 열처리용 챔버(400) 사이에 제공되는 각각의 압력 게이지(484)가 도 4d에 도시된 바와 같이 각각 하나씩만 사용될 수 있다는 것은 당업자에게 자명하다.4I and 4J, each of the
다시 도 4f 내지 도 4j를 참조하면, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서, 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)는 각각 프레임(410) 상에서 착탈 가능하게 지지된다. 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)의 각각의 전면에는 복수의 도어(미도시)가 제공되어 있다. 복수의 도어(미도시)는 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 각각에 제공되는 열처리 공간(472) 내로 기판(10)을 로딩하거나, 열처리가 종료된 기판(10)을 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)의 외부로 언로딩하기 위해 개방 또는 폐쇄될 수 있다.4f to 4j, the plurality of
또한, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)에 각각 제공되는 복수의 열원(410) 중 일부에 고장 등이 발생할 수 있다. 예를 들어, 도 4f의 실시예에서, 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 중 챔버(400a) 내의 복수의 열원(410) 중 일부에 고장 등이 발생하더라도, 나머지 챔버(400b,400c,400d,400e) 내의 각각의 기판(10)은 정상적인 열처리가 가능하다. 따라서, 본 발명에서는 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)의 개별 프로세싱이 가능하고, 그에 따라 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e) 내의 각각의 기판(10) 전체에 불량이 발생할 가능성이 실질적으로 제거된다.In the substrate
또한, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시예에 따른 기판 열처리 장치(1)에서는, 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)에 각각 제공되는 복수의 열원(410) 중 일부에 고장 등이 발생하는 경우, 위의 예시에서 고장이 발생한 챔버(400a)만을 수리 또는 교체하면 되고, 나머지 챔버(400b,400c,400d,400e)는 정상적으로 동작이 가능하다. 즉, 본 발명의 실시예에서는 복수의 챔버(400a,400b,400c,400d,400e)의 개별적인 유지 보수가 가능하다. 따라서, 기판 열처리 장치(1)의 사용 중에 고장이 발생한 챔버(400a)를 제외한 나머지 챔버(400b,400c,400d,400e)의 열처리 동작이 중단될 필요가 없으므로 전체 열처리 공정 시간(tact time)이 크게 감소된다.In the substrate
다양한 변형예가 본 발명의 범위를 벗어남이 없이 본 명세서에 기술되고 예시된 구성 및 방법으로 만들어질 수 있으므로, 상기 상세한 설명에 포함되거나 첨부 도면에 도시된 모든 사항은 예시적인 것으로 본 발명을 제한하기 위한 것이 아니다. 따라서, 본 발명의 범위는 상술한 예시적인 실시예에 의해 제한되지 않으며, 이하의 청구범위 및 그 균등물에 따라서만 정해져야 한다.Various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the following claims. It is not. Accordingly, the scope of the present invention should not be limited by the above-described exemplary embodiments, but should be determined only in accordance with the following claims and their equivalents.
1: 배치식/기판 열처리 장치 10: 기판 120,420: 보트
100,400,400a,400b,400c,400d,400e: 챔버 110,410: 프레임
140: 도어 160: 커버 200: 메인 히터 유닛
210: 단위 메인 히터 220,220a,220b: 보조 히터 유닛
230a: 제1 단위 보조 히터 250: 냉각관
300,481: (가스) 공급관 320,483: (가스) 배기관
410: 열원 412: 반사부 470a,470b: 하우징
472: 열처리 공간 472u,472d: 히팅 공간
474a,474b: 윈도우 플레이트 480: 가스 공급 장치
482,486: 유량 조절 밸브 484: 압력 게이지
490: 진공 펌핑 장치1: Batch type / substrate heat treatment apparatus 10:
400, 400a, 400b, 400c, 400d, 400e:
140: Door 160: Cover 200: Main heater unit
210: unit
230a: first unit auxiliary heater 250: cooling pipe
300,481: (gas) supply pipe 320,483: (gas) exhaust pipe
410: heat source 412: reflector 470a, 470b: housing
472:
474a, 474b: window plate 480: gas supply device
482,486: Flow regulating valve 484: Pressure gauge
490: Vacuum pumping device
Claims (20)
내부에 단일 기판의 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징;
상기 열처리 공간 및 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 하부 히팅 공간을 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 복수의 상부 윈도우 플레이트 또는 복수의 하부 윈도우 플레이트;
상기 열처리 공간 내로 상기 단일 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 단일 기판을 언로딩하는 보트;
상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치;
상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치
를 포함하되,
상기 상부 하우징 및 하부 하우징 중 어느 하나 또는 양자는 복수의 열원을 구비하는
기판 열처리용 챔버.In the substrate heat treatment chamber,
An upper housing and a lower housing for providing a heat treatment space of a single substrate therein;
A plurality of upper window plates or a plurality of lower window plates spaced apart from the inner lower surface of the upper housing or the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space;
A boat loading and supporting the single substrate into the heat treatment space and unloading the single substrate within the heat treatment space;
A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space and the upper heating space or into the heat treatment space and the lower heating space;
Oxygen and foreign substances present in the heat treatment space and the upper heating space or in the heat treatment space and the lower heating space, and a vacuum pumping device
, ≪ / RTI &
Either or both of the upper housing and the lower housing have a plurality of heat sources
Chamber for substrate heat treatment.
상기 기판 열처리용 챔버는
상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간과 상기 가스 공급 장치를 연결하는 공급관 상에 제공되며, 가스 공급 유량을 조절하는 제 1 유량 조절 밸브;
상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간과 상기 진공 펌핑 장치를 연결하는 배기관 상에 제공되며, 가스 배기 유량을 조절하는 제 2 유량 조절 밸브; 및
상기 배기관 상에서 상기 제 2 유량 조절 밸브와 상기 기판 열처리용 챔버 사이에 제공되는 압력 게이지
를 추가로 포함하는 기판 열처리용 챔버.The method according to claim 1,
The substrate heat treatment chamber
A first flow control valve provided on a supply pipe connecting the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space with the gas supply device, the gas flow rate control valve adjusting the gas supply flow rate;
A second flow regulating valve provided on the exhaust pipe connecting the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space with the vacuum pumping device and regulating the gas exhaust flow rate; And
And a pressure gauge provided between the second flow rate control valve and the substrate heat treatment chamber on the exhaust pipe
Further comprising: a substrate;
상기 복수의 열원은 각각 근적외선 램프 히터로 구현되고,
상기 복수의 열원의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는
기판 열처리용 챔버.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of heat sources are each implemented as a near infrared lamp heater,
The output power of the plurality of heat sources may be controlled individually or in a group manner
Chamber for substrate heat treatment.
상기 단일 기판은 하나의 단일 기판 또는 상기 보트 상에 병렬로 장착되는 복수의 단일 기판인 기판 열처리용 챔버.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the single substrate is a single substrate or a plurality of single substrates mounted in parallel on the boat.
각각이 복수의 열원을 구비하며, 한 쌍의 기판의 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징;
상기 열처리 공간과 상부 히팅 공간 및 상기 열처리 공간과 하부 히팅 공간을 각각 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 복수의 상부 및 하부 윈도우 플레이트;
상기 열처리 공간 내로 상기 한 쌍의 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 한 쌍의 기판을 언로딩하는 보트;
상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 및
상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소, 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치
를 포함하는 기판 열처리용 챔버.In the substrate heat treatment chamber,
An upper housing and a lower housing each having a plurality of heat sources and providing a heat treatment space of the pair of substrates;
A plurality of upper and lower window plates spaced apart from the inner lower surface of the upper housing and the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space and the heat treatment space and the lower heating space, respectively;
A boat loading and supporting the pair of substrates into the heat treatment space and unloading the pair of substrates in the heat treatment space;
A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space; And
And a vacuum pumping device connected to the gas supply device to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances present in the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space,
And a heat treatment chamber for heating the substrate.
상기 기판 열처리용 챔버는
상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 각각 상기 가스 공급 장치를 연결하는 공급관 상에 제공되며, 가스 공급 유량을 조절하는 제 1 유량 조절 밸브;
상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 각각과 상기 진공 펌핑 장치를 연결하는 배기관 상에 제공되며, 가스 배기 유량을 조절하는 제 2 유량 조절 밸브; 및
상기 배기관 상에서 상기 제 2 유량 조절 밸브와 상기 기판 열처리용 챔버 사이에 제공되는 압력 게이지
를 추가로 포함하는 기판 열처리용 챔버.6. The method of claim 5,
The substrate heat treatment chamber
A first flow control valve provided on a supply pipe connecting the gas supply device to the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space, respectively, and regulating a gas supply flow rate;
A second flow control valve provided on an exhaust pipe connecting the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space with the vacuum pumping device, respectively, and regulating the gas exhaust flow rate; And
And a pressure gauge provided between the second flow rate control valve and the substrate heat treatment chamber on the exhaust pipe
Further comprising: a substrate;
상기 상부 히팅 공간 및 상기 하부 히팅 공간과 상기 가스 공급 장치를 연결하는 상기 공급관 상에 제공되는 상기 제 1 유량 조절 밸브, 상기 상부 히팅 공간 및 상기 하부 히팅 공간과 상기 진공 펌핑 장치를 연결하는 상기 배기관 상에 제공되는 상기 제 2 유량 조절 밸브, 및 상기 배기관 상에서 상기 제 2 유량 조절 밸브와 상기 기판 열처리용 챔버 사이에 제공되는 상기 압력 게이지가 각각 하나씩만 사용되는 기판 열처리용 챔버.The method according to claim 6,
The upper heating space, the upper heating space, and the exhaust pipe connecting the lower heating space and the vacuum pumping device, which are provided on the supply pipe connecting the lower heating space and the gas supply device, And the pressure gauge provided between the second flow rate control valve and the substrate heat treatment chamber on the exhaust pipe are used only one at a time.
상기 복수의 열원은 각각 근적외선 램프 히터로 구현되고,
상기 복수의 열원의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는
기판 열처리용 챔버.6. The method of claim 5,
Wherein the plurality of heat sources are each implemented as a near infrared lamp heater,
The output power of the plurality of heat sources may be controlled individually or in a group manner
Chamber for substrate heat treatment.
상기 한 쌍의 기판은 각각 하나의 한 쌍의 기판 또는 상기 보트 상에 병렬로 장착되는 복수의 한 쌍의 기판인 기판 열처리용 챔버.9. The method according to any one of claims 5 to 8,
Wherein the pair of substrates are each a pair of substrates or a pair of substrates mounted in parallel on the boat.
각각이 단일 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버;
상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및
상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어
를 포함하되,
상기 복수의 챔버는 각각
내부에 단일 기판의 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징;
상기 열처리 공간 및 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 하부 히팅 공간을 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 또는 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 이격되어 제공되는 복수의 상부 윈도우 플레이트 또는 복수의 하부 윈도우 플레이트;
상기 열처리 공간 내로 상기 단일 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 단일 기판을 언로딩하는 보트;
상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치;
상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치
를 포함하고,
상기 상부 하우징 및 하부 하우징 중 어느 하나 또는 양자는 복수의 열원을 구비하며,
상기 복수의 챔버 내의 상기 단일 기판의 열처리는 각각 개별적으로 이루어지는
기판 열처리 장치.In the substrate heat treatment apparatus,
A plurality of chambers each providing a heat treatment space of a single substrate;
A frame in which the plurality of chambers are detachably supported; And
A plurality of doors provided on a front surface of each of the plurality of chambers
, ≪ / RTI &
The plurality of chambers
An upper housing and a lower housing for providing a heat treatment space of a single substrate therein;
A plurality of upper window plates or a plurality of lower window plates spaced apart from the inner lower surface of the upper housing or the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space;
A boat loading and supporting the single substrate into the heat treatment space and unloading the single substrate within the heat treatment space;
A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space and the upper heating space or into the heat treatment space and the lower heating space;
Oxygen and foreign substances present in the heat treatment space and the upper heating space or in the heat treatment space and the lower heating space, and a vacuum pumping device
Lt; / RTI >
Either or both of the upper housing and the lower housing have a plurality of heat sources,
Wherein the heat treatment of the single substrate in the plurality of chambers is performed individually
Substrate heat treatment apparatus.
상기 기판 열처리용 챔버는
상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간과 상기 가스 공급 장치를 연결하는 공급관 상에 제공되며, 가스 공급 유량을 조절하는 제 1 유량 조절 밸브;
상기 열처리 공간 및 상기 상부 히팅 공간 또는 상기 열처리 공간 및 상기 하부 히팅 공간과 상기 진공 펌핑 장치를 연결하는 배기관 상에 제공되며, 가스 배기 유량을 조절하는 제 2 유량 조절 밸브; 및
상기 배기관 상에서 상기 제 2 유량 조절 밸브와 상기 기판 열처리용 챔버 사이에 제공되는 압력 게이지
를 추가로 포함하는 기판 열처리 장치.11. The method of claim 10,
The substrate heat treatment chamber
A first flow control valve provided on a supply pipe connecting the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space with the gas supply device, the gas flow rate control valve adjusting the gas supply flow rate;
A second flow regulating valve provided on the exhaust pipe connecting the heat treatment space and the upper heating space or the heat treatment space and the lower heating space with the vacuum pumping device and regulating the gas exhaust flow rate; And
And a pressure gauge provided between the second flow rate control valve and the substrate heat treatment chamber on the exhaust pipe
Further comprising a substrate heating device for heating the substrate.
상기 복수의 열원은 각각 근적외선 램프 히터로 구현되고,
상기 복수의 열원의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는
기판 열처리 장치.11. The method of claim 10,
Wherein the plurality of heat sources are each implemented as a near infrared lamp heater,
The output power of the plurality of heat sources may be controlled individually or in a group manner
Substrate heat treatment apparatus.
상기 단일 기판은 하나의 단일 기판 또는 상기 보트 상에 병렬로 장착되는 복수의 단일 기판인 기판 열처리 장치.13. The method according to any one of claims 10 to 12,
Wherein the single substrate is a single substrate or a plurality of single substrates mounted in parallel on the boat.
상기 가스 공급 장치, 상기 배기 장치, 및 상기 진공 펌핑 장치는 각각 하나의 가스 공급 장치, 하나의 배기 장치, 및 하나의 진공 펌핑 장치로 구현되는 기판 열처리 장치.13. The method according to any one of claims 10 to 12,
Wherein the gas supply device, the exhaust device, and the vacuum pumping device are each implemented as one gas supply device, one exhaust device, and one vacuum pumping device.
각각이 한 쌍의 기판의 열처리 공간을 제공하는 복수의 챔버;
상기 복수의 챔버가 각각 착탈 가능하게 지지되는 프레임; 및
상기 복수의 챔버 각각의 전면에 제공되는 복수의 도어
를 포함하되,
상기 복수의 챔버는 각각
각각이 복수의 열원을 구비하며, 한 쌍의 기판의 열처리 공간을 제공하는 상부 하우징 및 하부 하우징;
상기 열처리 공간과 상부 히팅 공간 및 상기 열처리 공간과 하부 히팅 공간을 각각 분할하도록 상기 상부 하우징의 내측 하부면 및 상기 하부 하우징의 내측 상부면에 각각 이격되어 제공되는 복수의 상부 및 하부 윈도우 플레이트;
상기 열처리 공간 내로 상기 한 쌍의 기판을 로딩 및 지지하고 상기 열처리 공간 내에서 상기 한 쌍의 기판을 언로딩하는 보트;
상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내로 가스를 공급하도록 연결되는 가스 공급 장치; 및
상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 내에 존재하는 상기 가스, 산소, 및 이물을 배기하도록 상기 가스 공급 장치와 대향하여 연결되는 진공 펌핑 장치
를 포함하고,
상기 복수의 챔버 내의 상기 한 쌍의 기판의 열처리는 각각 개별적으로 이루어지는
기판 열처리 장치.In the substrate heat treatment apparatus,
A plurality of chambers each providing a heat treatment space of the pair of substrates;
A frame in which the plurality of chambers are detachably supported; And
A plurality of doors provided on a front surface of each of the plurality of chambers
, ≪ / RTI &
The plurality of chambers
An upper housing and a lower housing each having a plurality of heat sources and providing a heat treatment space of the pair of substrates;
A plurality of upper and lower window plates spaced apart from the inner lower surface of the upper housing and the inner upper surface of the lower housing to divide the heat treatment space and the upper heating space and the heat treatment space and the lower heating space, respectively;
A boat loading and supporting the pair of substrates into the heat treatment space and unloading the pair of substrates in the heat treatment space;
A gas supply device connected to supply gas into the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space; And
And a vacuum pumping device connected to the gas supply device to exhaust the gas, oxygen, and foreign substances present in the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space,
Lt; / RTI >
The heat treatment of the pair of substrates in the plurality of chambers is performed individually
Substrate heat treatment apparatus.
상기 기판 열처리용 챔버는
상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 각각 상기 가스 공급 장치를 연결하는 공급관 상에 제공되며, 가스 공급 유량을 조절하는 제 1 유량 조절 밸브;
상기 열처리 공간, 상기 상부 히팅 공간, 및 상기 하부 히팅 공간 각각과 상기 진공 펌핑 장치를 연결하는 배기관 상에 제공되며, 가스 배기 유량을 조절하는 제 2 유량 조절 밸브; 및
상기 배기관 상에서 상기 제 2 유량 조절 밸브와 상기 기판 열처리용 챔버 사이에 제공되는 압력 게이지
를 추가로 포함하는 기판 열처리 장치.16. The method of claim 15,
The substrate heat treatment chamber
A first flow control valve provided on a supply pipe connecting the gas supply device to the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space, respectively, and regulating a gas supply flow rate;
A second flow control valve provided on an exhaust pipe connecting the heat treatment space, the upper heating space, and the lower heating space with the vacuum pumping device, respectively, and regulating the gas exhaust flow rate; And
And a pressure gauge provided between the second flow rate control valve and the substrate heat treatment chamber on the exhaust pipe
Further comprising a substrate heating device for heating the substrate.
상기 상부 히팅 공간 및 상기 하부 히팅 공간과 상기 가스 공급 장치를 연결하는 상기 공급관 상에 제공되는 상기 제 1 유량 조절 밸브, 상기 상부 히팅 공간 및 상기 하부 히팅 공간과 상기 진공 펌핑 장치를 연결하는 상기 배기관 상에 제공되는 상기 제 2 유량 조절 밸브, 및 상기 배기관 상에서 상기 제 2 유량 조절 밸브와 상기 기판 열처리용 챔버 사이에 제공되는 상기 압력 게이지가 각각 하나씩만 사용되는 기판 열처리 장치.17. The method of claim 16,
The upper heating space, the upper heating space, and the exhaust pipe connecting the lower heating space and the vacuum pumping device, which are provided on the supply pipe connecting the lower heating space and the gas supply device, And the pressure gauge provided between the second flow rate control valve and the chamber for heat-treating the substrate on the exhaust pipe are respectively used for only one of the pressure gauges.
상기 복수의 열원은 각각 근적외선 램프 히터로 구현되고,
상기 복수의 열원의 출력 파워(output power)는 개별적으로 제어되거나 또는 그룹 방식으로 제어되는
기판 열처리 장치.16. The method of claim 15,
Wherein the plurality of heat sources are each implemented as a near infrared lamp heater,
The output power of the plurality of heat sources may be controlled individually or in a group manner
Substrate heat treatment apparatus.
상기 한 쌍의 기판은 각각 하나의 한 쌍의 기판 또는 상기 보트 상에 병렬로 장착되는 복수의 한 쌍의 기판인 기판 열처리 장치.19. The method according to any one of claims 15 to 18,
Wherein the pair of substrates are each a pair of substrates or a pair of substrates mounted in parallel on the boat.
상기 가스 공급 장치, 상기 배기 장치, 및 상기 진공 펌핑 장치는 각각 하나의 가스 공급 장치, 하나의 배기 장치, 및 하나의 진공 펌핑 장치로 구현되는 기판 열처리 장치.19. The method according to any one of claims 15 to 18,
Wherein the gas supply device, the exhaust device, and the vacuum pumping device are each implemented as one gas supply device, one exhaust device, and one vacuum pumping device.
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---|---|---|---|
KR1020130050889A KR101431564B1 (en) | 2013-05-06 | 2013-05-06 | Improved Chamber for Heat Treatment of Substrates and Heat Treatment Apparatus of Substrate Having the Same |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040070779A (en) * | 2003-02-04 | 2004-08-11 | 아남반도체 주식회사 | Rtp process chamber with a purge gas temperature controllar |
JP2006261285A (en) | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate treatment equipment |
KR20100135776A (en) * | 2008-03-03 | 2010-12-27 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | Apparatus for the heat treatment of disc shaped substrates |
KR20120032193A (en) * | 2010-09-28 | 2012-04-05 | (주)리드엔지니어링 | Vacuum diffusion apparatus for in-line furnace to manufacture solar cell |
-
2013
- 2013-05-06 KR KR1020130050889A patent/KR101431564B1/en active IP Right Grant
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