KR101232770B1 - Apparatus for processing substrate - Google Patents

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KR101232770B1
KR101232770B1 KR1020120080596A KR20120080596A KR101232770B1 KR 101232770 B1 KR101232770 B1 KR 101232770B1 KR 1020120080596 A KR1020120080596 A KR 1020120080596A KR 20120080596 A KR20120080596 A KR 20120080596A KR 101232770 B1 KR101232770 B1 KR 101232770B1
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남원식
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남원식
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Abstract

PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to increase substrate processing efficiency by collecting light from a thermal source unit through a reflector on the lower side of the thermal source unit. CONSTITUTION: An inner space is formed in a chamber(100). A heating unit set is separately arranged in the chamber in a vertical direction. A thermal source unit(200) emits light. A reflector reflects the light emitted from the thermal source unit. A support is installed on the upper side of the reflector.

Description

기판 처리 장치 {Apparatus for processing substrate}Substrate processing unit {Apparatus for processing substrate}

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 복수의 기판을 동시에 처리할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of simultaneously processing a plurality of substrates.

최근 들어, 기판 등을 열처리하는 방법으로 급속열처리(rapid thermal processing; RTP) 방법이 많이 사용되고 있다. In recent years, a rapid thermal processing (RTP) method has been widely used as a method of heat-treating a substrate or the like.

급속열처리 방법은 텅스텐 램프 등의 열원에서 나오는 방사광(放射光)을 기판에 조사하여 기판을 가열 처리하는 방법이다. 이러한 급속열처리 방법은 퍼니스(furnace)를 이용한 기존의 기판 열처리 방법과 비교하여, 신속하게 기판을 가열하거나 냉각시킬 수 있으며, 압력 조건이나 온도 대역의 조절이 용이하여, 기판의 열처리 품질을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.The rapid heat treatment method is a method of heat treating a substrate by radiating light emitted from a heat source such as a tungsten lamp onto the substrate. Compared with the conventional substrate heat treatment method using a furnace, the rapid heat treatment method can quickly heat or cool the substrate, and can easily control the pressure conditions and temperature bands, thereby improving the heat treatment quality of the substrate. There is an advantage.

이러한 기판 열처리 공정을 진행하는 기판 처리 장치는 기판을 낱장 단위로 처리하는 매엽식 기판 처리 장치와, 다수의 기판을 동시에 처리하는 배치식 기판 처리 장치로 구분된다. 이에, 배치식 기판 처리 장치는 제품의 대량생산을 목적으로 사용된다.A substrate processing apparatus for performing such a substrate heat treatment process is classified into a sheet type substrate processing apparatus for processing a substrate in sheets and a batch type substrate processing apparatus for simultaneously processing a plurality of substrates. Therefore, the batch type substrate processing apparatus is used for the purpose of mass production of a product.

통상적인 배치식 기판 처리 장치는 매엽식의 수배 내지 수십 배의 체적을 갖는 챔버를 구비하고, 챔버 내에 다수의 기판이 층상으로 적재되는 보트가 마련되며, 챔버 측벽의 내측 또는 외측에 가열수단이 마련되고, 챔버의 상부 또는 측벽에 반응가스를 공급하는 가스공급수단이 마련된다. A conventional batch substrate processing apparatus includes a chamber having a volume of several times to several tens of sheets of a single sheet type, provided with a boat in which a plurality of substrates are stacked in a layer, and a heating means is provided inside or outside the side wall of the chamber. In addition, a gas supply means for supplying a reaction gas to the top or side wall of the chamber is provided.

상기와 같이 구성되는 종래의 배치식 기판 처리 장치는 다수의 기판을 보트에 적재한 다음 가열수단을 이용하여 챔버를 반응온도까지 상승시킨 다음, 가스 공급수단을 이용하여 챔버 내에 반응가스를 공급하여 기판의 열처리를 진행하게 된다. The conventional batch substrate processing apparatus configured as described above loads a plurality of substrates in a boat, raises the chamber to the reaction temperature by using heating means, and then supplies a reaction gas into the chamber by using gas supply means. The heat treatment of the is proceeded.

그러나, 배치식 기판 처리 장치의 챔버는 체적이 상당히 크고, 챔버의 특성상 다수의 기판이 챔버 내에서 층상으로 배치되기 때문에 기판과 기판 사이로 반응가스가 균일하게 공급되기 어려운 문제점이 발생하고, 이에 반응가스가 불균일하게 공급되어 기판 박막의 분균일 증착과 공정의 정밀도를 보장할 수 없는 문제점이 발생한다. However, the chamber of the batch type substrate processing apparatus has a large volume, and due to the characteristics of the chamber, since a plurality of substrates are arranged in a layer in the chamber, a reaction gas is difficult to be uniformly supplied between the substrate and the substrate. There is a problem that the non-uniform supply of uniformly deposit the substrate thin film and guarantee the accuracy of the process.

또한, 종래에는 복수의 기판을 챔버 내에 배치하기 위해, 챔버의 내벽에 프레임이 형성되고, 프레임에 기판을 고정함으로써 챔버 내부에 기판을 배치시켰으나 이에 공정 장비의 구조가 복잡해지고, 챔버의 두께가 두꺼워져 공정설비의 제작비가 증가하는 문제점이 있다. In addition, conventionally, in order to arrange a plurality of substrates in the chamber, a frame is formed on the inner wall of the chamber, and the substrate is disposed inside the chamber by fixing the substrate to the frame. However, the structure of the process equipment is complicated, and the chamber is thick. There is a problem that the manufacturing cost of the lower process equipment increases.

KRKR 2011-01214072011-0121407 A1A1

본 발명은 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of improving the processing efficiency of a substrate.

본 발명은 공정의 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus capable of improving the productivity of the process.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 기판이 처리되는 내부공간이 형성되는 챔버와, 상기 챔버 내부에 상하방향으로 이격되어 배치되는 복수의 가열유닛 집합체를 포함한다.
A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber in which an internal space in which a substrate is processed is formed, and a plurality of heating unit assemblies spaced apart from each other in the vertical direction.

상기 가열유닛 집합체는 나란하게 배치되는 복수의 가열유닛을 포함하고, 상기 가열유닛은, 방사광을 방출하는 열원유닛, 상기 열원유닛 하부에 상기 열원유닛의 길이 방향을 따라 배치되어, 상기 열원유닛에서 방출되는 방사광을 반사시키는 반사체 및 상기 반사체의 상부에 설치되어, 상기 기판을 지지하는 적어도 하나의 지지체를 포함할 수 있다.The heating unit assembly includes a plurality of heating units arranged side by side, the heating unit is a heat source unit for emitting radiation, disposed below the heat source unit along the longitudinal direction of the heat source unit, and is emitted from the heat source unit It may include a reflector for reflecting the emitted light and at least one support provided on the reflector to support the substrate.

상기 열원유닛은, 열원과, 내부에 상기 열원이 배치되는 투과창을 포함할 수 있다. The heat source unit may include a heat source and a transmission window in which the heat source is disposed.

상기 반사체의 내부에는 상기 반사체를 경유하는 냉각라인이 형성될 수 있다.A cooling line passing through the reflector may be formed inside the reflector.

상기 챔버에는 상기 챔버를 관통하여 상기 냉각라인과 연통되도록 상기 반사체에 연결되는 냉각포트가 구비될 수 있다.The chamber may be provided with a cooling port connected to the reflector so as to communicate with the cooling line through the chamber.

상기 냉각포트는 상기 반사체를 상기 챔버에 고정시킬 수 있다.The cooling port may fix the reflector to the chamber.

상기 반사체는 상부면의 일부에 경사면이 형성될 수 있다. The reflector may have an inclined surface formed on a portion of the upper surface.

상기 열원유닛의 하부에 상기 반사체의 경사면이 배치될 수 있다.An inclined surface of the reflector may be disposed below the heat source unit.

상기 지지체는 상기 열원유닛 상부까지 연장 형성될 수 있다.The support may extend to the upper portion of the heat source unit.

상기 가열유닛은 온도 감지부를 포함할 수 있다.The heating unit may include a temperature sensor.

상기 챔버의 적어도 일측에는, 상기 챔버 내벽을 관통하며 형성되는 가스주입구가 형성되고, 상기 가스주입구는, 상기 가열유닛 집합체 사이에 형성될 수 있다. At least one side of the chamber, a gas inlet is formed through the chamber inner wall, the gas inlet may be formed between the heating unit assembly.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 챔버 내부에 가열유닛을 복층으로 형성하여 각각의 가열유닛 사이에 기판을 배치하여 기판을 처리함으로써 급속열처리 공정의 효율성 및 생산성을 증가시킬 수 있다. 또한, 가열유닛에 포함되는 열원유닛의 하부에 반사체를 구비하여 열원유닛에서 방사되는 방사광을 기판으로 집광시킬 수 있기 때문에 기판의 처리효율을 더욱 증가시킬 수 있다. According to the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention, the heating unit is formed in a plurality of layers inside the chamber, and the substrate is disposed between the heating units to treat the substrate, thereby increasing the efficiency and productivity of the rapid heat treatment process. In addition, since a reflector is provided below the heat source unit included in the heating unit, the radiation light emitted from the heat source unit can be focused onto the substrate, thereby further increasing the processing efficiency of the substrate.

그리고 가열유닛 사이에 배치되는 복수의 기판에 반응가스를 균일하게 공급하기 위해 층형으로 구비되는 복수의 가열유닛 사이에 가스주입구를 연속적으로 설치함으로써, 각각의 기판에 반응가스를 균일하게 공급하여 박막의 균일 증착과 공정의 정밀도를 증가시킬 수 있다. In order to uniformly supply the reaction gas to the plurality of substrates disposed between the heating units, a gas inlet is continuously provided between the plurality of heating units provided in a layered manner, thereby uniformly supplying the reaction gas to each of the substrates. Uniform deposition and process precision can be increased.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 분리사시도.
도 2는 도 1에 도시된 선 A-A'의 단면도.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 가열유닛을 나태내는 사시도.
도 5는 도 4의 가열유닛의 정면도.
도 6은 도 4의 가열유닛의 측면도.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 반사체와 냉각포트의 결합상태를 도시하는 도면.
도 8은 반사체 내부 구조를 도시하는 단면도 및 평면도.
도 9는 본 발명의 변형 예에 따른 가열유닛을 도시하는 도면.1 is an exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross sectional view taken along the line A-A 'shown in FIG. 1; FIG.
3 is a plan view of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
4 is a perspective view showing a heating unit according to an embodiment of the present invention.
5 is a front view of the heating unit of FIG.
Figure 6 is a side view of the heating unit of Figure 4;
7 is a view showing a coupling state of the reflector and the cooling port according to an embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view and a plan view showing a reflector internal structure.
9 is a view showing a heating unit according to a modification of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail. It will be apparent to those skilled in the art that the present invention may be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, It is provided to let you know. Wherein like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 분리 사시도이며, 도 2 및 도 3은 기판 처리 장치의 단면도이다. 여기에서, 도 2는 도 1의 선 A-A'의 단면도이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
1 is an exploded perspective view of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are cross-sectional views of the substrate processing apparatus. Here, FIG. 2 is sectional drawing of the line A-A 'of FIG. 1, and FIG. 3 is a top view of the substrate processing apparatus of FIG.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는, 다수의 기판(S) 처리되는 내부공간을 형성하며 전방이 개방된 챔버 몸체(103)와, 챔버 몸체(103)의 개방된 전방에 내부공간을 개폐 가능하도록 배치되는 도어(105)를 포함하는 챔버(100)와, 챔버(100) 내부를 가로지르며 상하방향으로 서로 이격되어 배치되는 복수의 가열유닛 집합체(600)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus may form an interior space in which a plurality of substrates S are processed, and may open and close the chamber body 103 having an open front, and an interior space at an open front of the chamber body 103. It includes a chamber 100 including a door 105 is disposed so as to, and a plurality of heating unit assembly 600 which is spaced apart from each other in the vertical direction across the interior of the chamber 100.

본 도면에서는 챔버 몸체(103)의 전방에 도어(105)가 배치되고 가열유닛(600)은 챔버 몸체(103)의 양 측면을 가로지르며 배치되는 것으로 나타나 있지만, 챔버 몸체(103)의 개방된 측면의 위치는 변경 가능하며 그에 따라 도어(105) 및 가열유닛(600)의 배치되는 위치가 변경될 수 있다. 이 경우, 각 실시 예에 대한 구성 및 작용 효과는 동일하다. 따라서 이하에서는 도 1 내지 도 3에 도시된 기판 처리 장치를 참조하여 본 발명의 제 1 실시 예에 대해서 설명한다.  Although the door 105 is disposed in front of the chamber body 103 and the heating unit 600 is disposed across both sides of the chamber body 103 in the drawing, the open side of the chamber body 103 is shown. The position of the can be changed and accordingly the position of the door 105 and the heating unit 600 can be changed. In this case, the configuration and operation effects for each embodiment are the same. Therefore, hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the substrate processing apparatus shown in FIGS. 1 to 3.

챔버(100)는 기판(S)을 수용하여 가열해주기 위한 공간, 즉 진공의 가열공간을 내부에 형성하기 위한 구성으로서, 대략적인 형상은 도시된 바와 같이 중공의 박스 형상 또는 블록 형상으로 이루어질 수 있다. 그리고 챔버(100)는 하나의 몸체로 단일화 제작될 수도 있으나, 여러 부품이 연결 또는 결합된 조립 몸체를 지닐 수도 있다. 이 경우, 각 부품 간의 연결부위에는 밀폐(sealing) 수단(미도시)이 부가적으로 구비되어 기판(S)의 가열 또는 냉각 시 장치 내에 투입되는 에너지를 절감해 줄 수 있다. The chamber 100 is configured to form a space for accommodating and heating the substrate S, that is, a heating space for a vacuum therein, and an approximate shape may be formed in a hollow box shape or a block shape as shown. . The chamber 100 may be manufactured as a single body, but may have an assembly body in which several components are connected or combined. In this case, a sealing means (not shown) is additionally provided at the connection portion between the components, thereby reducing energy input into the apparatus when the substrate S is heated or cooled.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 챔버 몸체(103)는 내부에 기판(S)을 처리하기 위한 내부공간이 형성되고, 전방이 개방된 중공형으로 형성되며, 챔버 몸체(103)의 개방된 전방을 개폐 가능하도록 도어(105)가 배치된다. 1 to 3, the chamber body 103 has an internal space for processing the substrate S therein, is formed in a hollow shape with an open front, and an open front of the chamber body 103. The door 105 is arranged to open and close the door.

도어(105)는 챔버 몸체(103)의 개방된 전방에 개폐 가능하도록 배치되며, 도어(105)의 일측면은 챔버 몸체(103)와 결합하여 챔버 몸체(103)의 벽과 함께 챔버(100) 내벽을 형성한다. 그리고 도어(105)는 챔버 몸체(103)의 전방을 개폐하기 위해 플레이트(Plate) 형상으로 형성될 수 있다. 이때, 공정이 진행되는 동안이나 열원유닛(200) 및 반사체(300)를 교체할 때가 아닌 경우에 도어(105)는 챔버 몸체(103)의 전방을 폐쇄한다. The door 105 is arranged to be opened and closed at an open front of the chamber body 103, and one side of the door 105 is combined with the chamber body 103 to form the chamber 100 together with the wall of the chamber body 103. Form an inner wall. The door 105 may be formed in a plate shape to open and close the front of the chamber body 103. In this case, the door 105 closes the front of the chamber body 103 when the process is not performed or when the heat source unit 200 and the reflector 300 are not replaced.

도 2를 참조하면, 챔버(100)의 외부에는 챔버(100)의 내부공간으로 공정가스(G)를 공급하는 가스공급부(미도시)가 구비되고, 챔버(100)에는 가스공급부로부터 공급되는 공정가스(G)를 챔버(100) 내부로 주입하기 위한 가스주입구(150)가 형성된다. 그리고 챔버(100)에는 챔버(100) 내부의 가스를 배출하기 위한 가스배출구(170)가 형성된다. Referring to FIG. 2, a gas supply unit (not shown) is provided outside the chamber 100 to supply a process gas G to an internal space of the chamber 100, and a process of supplying the chamber 100 from a gas supply unit. The gas injection hole 150 for injecting the gas G into the chamber 100 is formed. And the chamber 100 is formed with a gas outlet 170 for discharging the gas in the chamber 100.

가스주입구(150)는 챔버(100)의 양 측면을 관통하여 형성되고, 복수의 기판(S)이 배치되는 배치식 챔버의 특성상 기판(S) 사이에 공정가스(G)를 원활하게 공급하기 위해 기판(S)의 상부 면으로 흐를 수 있도록 기판(S)보다 높은 위치에 배치된다. 또한, 가스주입구(150)의 형성위치는 이에 한정하지 않으며, 가스주입구(150)는 챔버(100)의 양 측면 중 적어도 어느 한 측면에 형성될 수 있다. 이에, 기판(S)의 중앙부에 공정가스(G)가 신속하게 공급하여 기판(S)의 표면에 원활하게 접촉하며 유동하게 하기 위해 본 발명의 실시 예와 같이 챔버(100)의 양 측면에 가스주입구(150)를 형성하는 것이 좋다. The gas inlet 150 is formed to penetrate both sides of the chamber 100, and in order to smoothly supply the process gas G between the substrates S due to the characteristics of the batch chamber in which the plurality of substrates S are disposed. It is disposed at a position higher than the substrate S so as to flow to the upper surface of the substrate S. In addition, the formation position of the gas injection hole 150 is not limited thereto, and the gas injection hole 150 may be formed on at least one side of both sides of the chamber 100. Thus, in order to supply the process gas (G) to the central portion of the substrate (S) quickly to smoothly contact and flow on the surface of the substrate (S), the gas on both sides of the chamber 100 as in the embodiment of the present invention It is preferable to form the injection hole 150.

가스배출구(170)는 챔버(100)의 하부면을 관통하며 형성된다. 가스배출구(170)는 챔버(100) 내부의 가스를 보다 효율적으로 배출시키기 위해서 가스배출구(170)와 연결되는 배기라인(미도시) 상에 펌프(미도시)를 장착할 수도 있다. 이와 같은 구성을 통해 챔버(100) 내부에 진공 형성과 같은 압력 제어도 수행할 수 있다. 또한, 본 도면에서는 가스배출구(170)가 챔버(100)의 하부에 형성되어 있으나, 가스배출구(170)의 형성 위치는 이에 한정하지 않고 가스주입구(150)가 챔버(100)의 일측에 형성되는 경우 가스배출구(170)는 챔버(100)의 타측에 형성되어 가스주입구(150)와 대향하는 위치에 형성될 수도 있다.The gas outlet 170 penetrates through the lower surface of the chamber 100. The gas outlet 170 may be equipped with a pump (not shown) on an exhaust line (not shown) connected to the gas outlet 170 to more efficiently discharge the gas inside the chamber 100. Through such a configuration, pressure control such as vacuum formation may be performed in the chamber 100. In addition, although the gas outlet 170 is formed in the lower portion of the chamber 100 in the drawing, the position of the gas outlet 170 is not limited thereto, and the gas inlet 150 is formed at one side of the chamber 100. In this case, the gas outlet 170 may be formed at the other side of the chamber 100 to face the gas inlet 150.

전술한 바와 같이, 가스주입구(150) 및 가스배출구(170)는 도면에 도시된 바와 같이 복수의 가열유닛 사이에 적어도 하나 이상씩 형성하여 공정가스를 챔버(100) 내부의 전 영역에 걸쳐 신속하게 확산시킬 수도 있다. As described above, the gas inlet 150 and the gas outlet 170 is formed at least one or more between the plurality of heating units as shown in the drawing to quickly process the process gas over the entire area inside the chamber 100 It can also spread.

그리고 챔버(100)에는 공정 후 가열유닛 집합체(600) 및 챔버(100)를 냉각시키기 위한 냉각가스를 공급하는 냉각재 주입구(미도시)이 형성될 수도 있다. 냉각재 주입구는 챔버 몸체(103) 및 도어(105) 중 적어도 어느 한 군데에 형성될 수 있다. 여기서 냉각재 주입구를 챔버(100)의 여러 부분에 형성하게 되면, 공정 후 열원유닛(200) 및 챔버(100)를 냉각하는데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있는 이점이 있다. In the chamber 100, a coolant injection hole (not shown) may be formed to supply a heating unit assembly 600 and a cooling gas for cooling the chamber 100 after the process. The coolant inlet may be formed in at least one of the chamber body 103 and the door 105. If the coolant inlet is formed in various parts of the chamber 100, there is an advantage that can shorten the time required to cool the heat source unit 200 and the chamber 100 after the process.

또한, 챔버(100)의 내벽에는 라이너(미도시)가 형성될 수도 있다. 라이너는 챔버(100) 내부에서 공정 가스가 도달할 수 있는 모든 곳에 형성되어 공정 중 발생하는 오염물을 흡착시킨다. 이와 같이 라이너를 챔버(100) 내벽에 적용함으로써 장비 전체를 세정하지 않고 라이너만 교체하여 장비의 유지 보수 주기를 연장할 수 있다. 이때, 라이너는 별도의 구조물로 형성되어 챔버(100)의 내부에 구비될 수도 있고, 박막 형태로 챔버(100)의 상하 측면 내벽에 코팅되어 형성될 수도 있다. 이때, 라이너는 그래파이트(graphite) 또는 탄화규소(SiC)가 코팅된 그래파이트, 탄화규소(Silicon Carbide), 질화규소(Silicon nitride), 알루미나(Al2O3), 질화 알루미늄(Aluminum nitride) 및 석영(Quartz) 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.In addition, a liner (not shown) may be formed on the inner wall of the chamber 100. The liner is formed anywhere within the chamber 100 where the process gas can reach to adsorb contaminants generated during the process. In this way, by applying the liner to the inner wall of the chamber 100, it is possible to extend the maintenance cycle of the equipment by replacing only the liner without cleaning the entire equipment. In this case, the liner may be formed as a separate structure and provided in the interior of the chamber 100, or may be formed by coating the upper and lower side inner walls of the chamber 100 in a thin film form. In this case, the liner is graphite or silicon carbide (SiC) coated graphite, silicon carbide (Silicon Carbide), silicon nitride (silicon nitride), alumina (Al2O3), aluminum nitride (Aluminum nitride) and quartz (Quartz) It can be formed of either.

가열유닛 집합체(600)는 나란하게 배치되는 복수의 가열유닛(600a)을 포함하고, 가열유닛(600a)은 방사광을 배출하는 열원유닛(200)과, 열원유닛(200)의 하측에 배치되는 반사체(300), 반사체(300) 상부에 장착되며 챔버(100) 내부에서 기판(S)을 지지해주는 지지체(340)를 포함한다.The heating unit assembly 600 includes a plurality of heating units 600a arranged side by side, and the heating unit 600a includes a heat source unit 200 for emitting radiation and a reflector disposed below the heat source unit 200. 300, a support 340 mounted on the reflector 300 and supporting the substrate S in the chamber 100.

전술한 바와 같이 형성된 가열유닛(600a)은 복수개 구비되어 챔버 내부에서 한층으로 나란하게 배치되어 가열유닛 집합체(600)를 형성한다. 가열유닛 집합체(600)는 챔버 내부에서 상하로 이격되어 나란하게 배치되고, 이격되는 공간 사이마다 기판(S)이 배치된다.The heating unit 600a formed as described above is provided in plural and arranged side by side in the chamber to form the heating unit assembly 600. The heating unit assembly 600 is arranged side by side spaced apart vertically in the chamber, the substrate (S) is disposed between the spaced space.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 가열유닛을 나타내는 사시도이고, 도 5는 도 4의 가열유닛의 정면도이며, 도 6은 도 4의 가열유닛의 측면도이다.Figure 4 is a perspective view showing a heating unit according to an embodiment of the present invention, Figure 5 is a front view of the heating unit of Figure 4, Figure 6 is a side view of the heating unit of Figure 4.

이하에서는 가열유닛의 일부만 발췌해 도시하고, 그 구성요소에 대해 설명하기로 한다. 이때, 각각의 가열유닛(600a), 열원유닛(200), 반사체(300), 지지체(340)는 실시 예에서 동일하게 적용된다.
Hereinafter, only a part of the heating unit will be extracted and the components thereof will be described. At this time, each of the heating unit 600a, the heat source unit 200, the reflector 300, the support 340 is the same in the embodiment.

가열유닛(600a)은 챔버(100) 내부를 가로지르며 챔버 몸체(103)의 양측면을 관통하며 장착된다. 이때, 한 층의 가열유닛 집합체(600)를 형성하기 위해서 가열유닛(600a)은 복수개 구비되어 나란하게 일렬로 형성된다. 이때, 각각의 가열유닛(600a) 사이에는 소정간격 이격공간을 포함하여 복수의 가열유닛 집합체(600)가 형성될 수 있다. 이에 상기 이격공간을 통해 층형으로 형성되는 가열유닛 집합체(600)들 사이로 공급되는 반응가스가 챔버 몸체(103) 바닥면에 형성된 가스배출구(170)로 배출될 수 있는 간격을 형성하는 것이 바람직하다. The heating unit 600a crosses the inside of the chamber 100 and is mounted to penetrate both sides of the chamber body 103. In this case, in order to form the heating unit assembly 600 of one layer, a plurality of heating units 600a are provided in a row in parallel. In this case, a plurality of heating unit assemblies 600 may be formed between the heating units 600a, including a predetermined spaced space. Accordingly, it is preferable to form a gap in which the reaction gas supplied between the heating unit assemblies 600 formed in the layer form through the spaced space may be discharged to the gas outlet 170 formed on the bottom surface of the chamber body 103.

열원유닛(200)은 방사광을 방출시키는 열원(240)과, 열원(240)을 감싸 보호하고 열원(240)에서 방출되는 방사광을 외부로 투과시키는 투과창(220)을 포함한다. 열원유닛(200)은 챔버 몸체(103)의 양 측벽에 형성되는 관통홀(미도시)에 삽입되어 챔버 몸체(103)에 장착될 수 있다. 관통홀은 서로 대향하도록 형성될 수 있으며, 이때, 열원유닛(200)을 장착하기 위해서는 별도의 고정부재(270) 및 밀폐 부재(미도시) 등이 사용될 수 있다. 또한, 챔버(100) 내부에 투과창(220)과 함께 일체형으로 장착될 수도 있다. 전술한 내용에 따라 장착된 열원유닛(200)은 챔버(100) 내부에 배치된 기판(S)을 가열한다. The heat source unit 200 includes a heat source 240 that emits radiation light, and a transmission window 220 that surrounds and protects the heat source 240 and transmits the radiation light emitted from the heat source 240 to the outside. The heat source unit 200 may be inserted into the through-holes (not shown) formed on both sidewalls of the chamber body 103 to be mounted to the chamber body 103. The through holes may be formed to face each other, and in this case, a separate fixing member 270 and a sealing member (not shown) may be used to mount the heat source unit 200. In addition, the chamber 100 may be integrally mounted together with the transmission window 220. The heat source unit 200 mounted according to the above description heats the substrate S disposed in the chamber 100.

투과창(220)은 열원(240)을 보호하기 위하여 사용되고, 열원(240)에서 방사되는 방사광을 투과시킬 수 있는 재질로 형성될 수 있다. 따라서, 투과창(220)은 투과율이 우수하고 내열성이 우수한 석영, 사파이어 등으로 형성될 수 있다. 투과창(220)은 내부에 열원(240)을 배치할 수 있도록 중공형으로 형성될 수 있으며, 투과창(220) 내부에서 열원(240)의 삽탈을 용이하게 하기 위하여 선형으로 형성되는 것이 좋다. 그 단면형상은 원형, 타원형 및 다각형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 특히, 투과창(220)의 단면 형상을 원형으로 형성하게 되면, 공정 중 챔버(100) 내부 압력에 의한 영향을 적게 받기 때문에 교체 주기를 연장할 수 있어 유지 보수 비용을 절감할 수 있는 이점이 있다. The transmission window 220 may be used to protect the heat source 240, and may be formed of a material capable of transmitting radiation emitted from the heat source 240. Therefore, the transmission window 220 may be formed of quartz, sapphire or the like having excellent transmittance and excellent heat resistance. The transmission window 220 may be formed in a hollow shape so that the heat source 240 may be disposed therein, and the transmission window 220 may be linearly formed to facilitate the insertion and removal of the heat source 240 in the transmission window 220. The cross-sectional shape may be formed in various shapes such as circular, elliptical and polygonal. In particular, when the cross-sectional shape of the transmission window 220 is formed in a circular shape, since it is less affected by the pressure inside the chamber 100 during the process, the replacement cycle can be extended, thereby reducing the maintenance cost. .

열원(240)은 챔버(100) 내부에 배치되어 기판(S)을 가열한다. 열원(240)은 챔버 몸체(103)에 바로 장착되거나 또는 투과창(220)에 삽입되어 장착될 수 있다. 본 발명에서는 열원(240)이 투과창(220) 내부에 삽탈되어, 챔버 몸체(103)에 장착 가능해야 하기 때문에 선형으로 형성되는 것이 좋으며, 상기 열원(240)은 텅스텐 할로겐 램프, 카본 램프 및 루비 램프 중 적어도 어느 한 가지가 사용될 수 있다.
The heat source 240 is disposed inside the chamber 100 to heat the substrate S. The heat source 240 may be mounted directly to the chamber body 103 or inserted into the transmission window 220. In the present invention, since the heat source 240 is inserted into the transmission window 220 to be mounted on the chamber body 103, it is preferable that the heat source 240 is formed in a linear manner, and the heat source 240 is a tungsten halogen lamp, a carbon lamp, and a ruby. At least one of the lamps may be used.

반사체(300)는 챔버(100) 내부에서 열원유닛(200)과 마찬가지로 챔버(100) 내부를 가로지르며 열원유닛(200)과 평행한 방향으로 열원유닛(200)의 하부에 배치된다. 반사체(300)는 소정의 부피를 갖는, 바 형상으로 형성된다. 반사체(300) 열원유닛(200)에서 발생하는 복사열을 반사시켜 기판(S)의 하단을 가열한다. 이때, 반사체(300)의 상부면에는 열원유닛(200)이 배치되는 오목홈(305)이 형성되고, 반사체(300) 내부에는 냉각수가 흐를 수 있는 냉각라인(320)이 형성된다.The reflector 300 is disposed below the heat source unit 200 in a direction parallel to the heat source unit 200 and crosses the inside of the chamber 100 like the heat source unit 200 inside the chamber 100. The reflector 300 is formed in a bar shape having a predetermined volume. The lower end of the substrate S is heated by reflecting the radiant heat generated from the reflector 300 heat source unit 200. In this case, a concave groove 305 in which the heat source unit 200 is disposed is formed on the upper surface of the reflector 300, and a cooling line 320 in which the coolant flows is formed in the reflector 300.

오목홈(305)은 반사체(300)의 상부면에 형성되고, 선형의 열원유닛(200)이 배치될 수 있도록 반사체(300)의 상부면에 길게 연장형성된다. 오목홈(305)은 열원유닛(200)에서 방출되는 방사광을 기판(S)으로 집광시켜 기판(S)의 가열효율을 증가시킬 수 있는 다양한 형상의 패턴으로 형성될 수 있다. 이에 본 도면에서는 오목홈(305)의 단면형상은 V자로 형성되어 오목홈(305)에 열원유닛(200)이 이격되어 배치되지만, 오목홈(305)의 단면모양은 이에 한정하지 않고, 반사체(300) 내부에 형성되는 냉각라인(320)에 방해가 되지 않고는 U자, 사각형 및 반원형 등으로 다양하게 형성될 수도 있다.The concave groove 305 is formed on the upper surface of the reflector 300, and is formed to extend on the upper surface of the reflector 300 so that the linear heat source unit 200 may be disposed. The concave groove 305 may be formed in a pattern of various shapes that may concentrate the radiation emitted from the heat source unit 200 to the substrate S to increase the heating efficiency of the substrate S. Accordingly, in this drawing, the cross-sectional shape of the concave groove 305 is formed in a V shape, and the heat source unit 200 is disposed spaced apart from the concave groove 305, but the cross-sectional shape of the concave groove 305 is not limited thereto, and the reflector ( 300 may be variously formed in a U-shape, a square and a semi-circular shape and the like without interrupting the cooling line 320 formed therein.

그러나 오목홈(305)은 반사체(300)에 형성되지 않을 수도 있다. 즉, 가열유닛(600)이 챔버(100) 내부에서 차지하는 공간을 최소화시키기 위해, 오목홈(305)을 형성하여 오목홈(305) 안에 열원유닛(200)을 배치하였지만 오목홈(305)의 형성에 대해서는 한정하지 않는다. However, the concave groove 305 may not be formed in the reflector 300. That is, in order to minimize the space occupied by the heating unit 600 in the chamber 100, the recess 305 is formed to arrange the heat source unit 200 in the recess 305, but the recess 305 is formed. It does not limit about.

냉각라인(320)은 열원유닛(200)으로부터 발생하는 방사광에 의해 반사체(300)가 과열되어 팽창 및 변형되는 것을 방지하기 위해 반사체(300)의 내부에 형성된다. 냉각라인(320) 내부에는 냉각수가 공급된다. 냉각라인(320)을 통해 냉각수가 공급되면 상기 냉각수는 반사체(300)의 과열을 방지할 뿐만 아니라 층상으로 배치되는 기판(S)이 상 하부에 배치되는 열원유닛에 의해 과열되는 것도 방지할 수 있다.
The cooling line 320 is formed inside the reflector 300 to prevent the reflector 300 from being overheated and expanded and deformed by the radiation generated from the heat source unit 200. Cooling water is supplied into the cooling line 320. When the coolant is supplied through the cooling line 320, the coolant may not only prevent overheating of the reflector 300, but also prevent overheating of the substrate S arranged in layers by the heat source unit disposed above and below. .

지지체(340)는 반사체(200)의 상부에 장착되어, 챔버(100) 내부에서 기판(S)을 지지하는 지지핀(343)과, 지지핀(343)의 일부를 감싸 보호하고 지지핀(343)을 고정하는 핀홀더(346)를 포함한다. The support 340 is mounted on the reflector 200 to support and protect the support pins 343 and the support pins 343 that support the substrate S in the chamber 100, and to support and support the support pins 343. It includes a pin holder 346 for fixing.

지지핀(343)은 반사체(200)의 상부에 배치되어 챔버(100) 내부에서 기판(S)을 지지하는 기능을 수행한다. 지지핀(343)은 소정길이를 갖는 핀(Pin) 형태로 제작되어 반사체(200)에 장착된다. 이때, 지지핀(343)은 열원유닛(200)에서 방출된 방사광이 투과될 수 있는 투광성과, 열전도의 특성을 갖는 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 이에, 본 발명의 실시 예에서는 석영 또는 사파이어로 이루어진 지지핀(343)을 사용하였으나, 지지핀(343)의 재질은 이에 한정되지 않고 열원유닛(200)에서 발생된 광을 투과시키며, 열을 전달할 수 있는 다양한 재질을 지지핀(343)로 이용할 수 있다.The support pin 343 is disposed on the reflector 200 to support the substrate S in the chamber 100. The support pin 343 is manufactured in the form of a pin having a predetermined length and mounted to the reflector 200. At this time, the support pin 343 is preferably made of a material having a light transmittance and a thermal conductivity of the radiation emitted from the heat source unit 200. Thus, in the exemplary embodiment of the present invention, the support pins 343 made of quartz or sapphire are used, but the material of the support pins 343 is not limited thereto, and transmits the light generated from the heat source unit 200 and transmits heat. Various materials can be used as the support pins 343.

핀홀더(346)는 반사체(300)의 상부에 배치되고, 하우징(housing) 형태로 구성되어 지지핀(343)을 외부에서 포위하도록 설치될 수 있다. 이때, 핀홀더(346)는 지지체를 안전하게 감쌀 수 있고 내열성이 우수한 세라믹 재료 및 금속 재료의 재질을 이용할 수 있다. The pin holder 346 is disposed above the reflector 300, and may be configured to have a housing shape to surround the support pin 343 from the outside. In this case, the pin holder 346 may safely wrap the support, and may use materials of a ceramic material and a metal material having excellent heat resistance.

이때, 지지핀(343)과 핀홀더(346)는 기판(S)을 보다 안정적으로 지지하기 위해서 4개 이상 설치되는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되지는 않는다.
In this case, the support pins 343 and the pin holders 346 are preferably installed in four or more in order to more stably support the substrate (S), but is not necessarily limited thereto.

이처럼 형성된 본 발명의 지지체(340)는 챔버(100) 내부에서 복수의 가열유닛(600)상에 배치되는 기판(S)을 지지하는데, 종래에 기판(S)을 간접가열하며 지지하는 서섭터가 별도로 구비되지 않는다. 또한, 지지체(340)는 반사체(300) 상부에 소정길이 연장형성되어 있고, 이에 기판(S)과 반사체(300) 상부면 사이에는 이격공간이 형성된다. 이는 로봇암(미도시)을 사용하여 기판을 로딩 및 언로딩 하는 경우, 기판을 챔버(100)내부로 로딩하여 지지체(340) 상부에 기판(S)을 얹어놓는 방법을 사용하여 기판을 로딩시킬 수 있고 반대로 기판을 들어올려 기판을 지지체(340)로부터 언로딩시킬 수 있기 때문에 챔버(100) 내부에서 기판(S)의 로딩 및 언로딩이 용이하다.
The support 340 of the present invention formed as described above supports the substrates S disposed on the plurality of heating units 600 in the chamber 100. Conventionally, a susceptor for indirectly heating and supporting the substrate S is provided. It is not provided separately. In addition, the support 340 extends a predetermined length above the reflector 300, and a space is formed between the substrate S and the upper surface of the reflector 300. When loading and unloading a substrate using a robot arm (not shown), the substrate may be loaded using a method of loading the substrate into the chamber 100 and placing the substrate S on the support 340. On the contrary, since the substrate can be lifted and unloaded from the support 340, the loading and unloading of the substrate S in the chamber 100 is easy.

전술한 바와 같이 형성된 가열유닛(600a)에는 반사체(300)의 적어도 일 측의 하부에 결합되고, 반사체(300) 내부로 냉각수를 공급하는 냉각포트(400)가 구비될 수 있다. The heating unit 600a formed as described above may be coupled to a lower portion of at least one side of the reflector 300 and provided with a cooling port 400 for supplying coolant into the reflector 300.

냉각포트(400)는 반사체(300)의 냉각라인(320)으로 냉각수를 흘려주기 위해 반사체(300)에 결합 설치되며, 반사체(300)를 지지하여 챔버(100) 내부에 배치시키는 지지대역할을 할 수 있다. 냉각포트(400)는 원통형의 바 형태로 형성되고 냉각포트(400)와 반사체(300)가 접촉하여 결합되는 부분에 단차를 형성하여, 도 5에 도시된 바와 같이 반사체(300)를 지지할 수 있다. 또한 냉각포트(400)의 냉각라인(420)은 반사체(300)의 냉각라인(320)과 연통되어 챔버(100) 외부에서 공급되는 냉각수가 반사체(300)로 유입될 수 있다. 이때, 본 발명에서는 냉각포트(400)가 반사체(300)의 양측에 배치되어, 냉각포트(400)의 일측에 형성되는 냉각수 주입구(410)로 냉각수가 유입되고 냉각포트(400)와 반사체가 연통되는 냉각포트의 냉각수 배출구(430)로 순환된 냉각수가 배출되도록 형성할 수 있다. 하지만 냉각포트(400)의 형태, 개수 및 냉각수의 순환방향은 이에 한정되지 않고 다양한 형태로 변형될 수 있다. 즉, 냉각포트(400)는 반사체(300)의 적어도 일측에 배치되어 형성될 수도 있다. 이 경우, 냉각포트(400)가 배치되지 않는 반사체(300)의 타측은 챔버(100)에 직접 결합될 수 있다. 또한, 양측에 배치되는 냉각포트(400) 모두에서 냉각수가(W) 공급 또는 배출되는 경우 반사체(300)의 내부에 냉각수 경로가 이중으로 형성되어 양측에서 모두 냉각수를 공급받을 수도 있다. The cooling port 400 is installed to be coupled to the reflector 300 to flow the coolant to the cooling line 320 of the reflector 300, and to support the reflector 300 to serve as a support band for the interior of the chamber 100. Can be. The cooling port 400 is formed in the shape of a cylindrical bar and forms a step in a portion where the cooling port 400 and the reflector 300 are in contact with each other, thereby supporting the reflector 300 as shown in FIG. 5. have. In addition, the cooling line 420 of the cooling port 400 may be in communication with the cooling line 320 of the reflector 300 so that the coolant supplied from the outside of the chamber 100 may be introduced into the reflector 300. At this time, in the present invention, the cooling port 400 is disposed on both sides of the reflector 300, the cooling water flows into the cooling water inlet 410 formed on one side of the cooling port 400, and the cooling port 400 and the reflector communicate with each other. The cooling water circulated to the cooling water discharge port 430 of the cooling port may be discharged. However, the shape, number, and circulation direction of the cooling water 400 may be modified in various forms without being limited thereto. That is, the cooling port 400 may be formed on at least one side of the reflector 300. In this case, the other side of the reflector 300 in which the cooling port 400 is not disposed may be directly coupled to the chamber 100. In addition, when the cooling water (W) is supplied or discharged from all of the cooling ports 400 disposed at both sides, the cooling water path may be dually formed inside the reflector 300 to receive the cooling water from both sides.

또한, 본 발명의 실시 예에서는 반사체(300) 양 단부에 냉각포트(400)를 연결하고, 냉각포트(400)를 통해 냉각수를 공급받는 것으로 나타나 있으나, 반사체(300)는 챔버(100)를 관통하며 장착되어 반사체(300) 내부로 직접 냉각수를 공급받을 수도 있으며 이에 한정하지 않는다.In addition, in the embodiment of the present invention, although the cooling port 400 is connected to both ends of the reflector 300 and the cooling water is supplied through the cooling port 400, the reflector 300 penetrates the chamber 100. In addition, the coolant may be directly supplied into the reflector 300, but is not limited thereto.

그리고, 가열유닛(600)은 챔버(100)의 양측면을 관통하여 별도의 고정부재(270, 470) 및 밀폐부재(미도시)를 구비하여 챔버(100)에 고정될 수 있다. 이때, 도 1에 도시된 바와 같이, 가열유닛(600)의 열원유닛(200)을 고정하는 고정부재(270)와 냉각포트(400)를 고정하는 고정부재(470)가 각각 구비될 수 있으나, 이는 한정되지 않으며 고정부재를 적어도 하나 구비하여 열원유닛(200)과 냉각포트(400)를 같은 고정부재로 함께 챔버(100)에 고정할 수도 있다. 또한, 가열유닛(600)에는 기판(S)의 온도를 측정하는 온도감지부(미도시)가 구비될 수도 있다. 온도감지부는 기판(S)의 온도를 접촉방식 또는 비접촉방식으로 측정할 수 있다. 온도 감지 수단은 다양한 감지 기구들이 적용될 수 있는데, 특히 비접촉 장식으로 기판(S)의 온도를 측정하는 경우에는 기판(S)으로부터 방출되는 복사 에너지를 감지하여 온도를 측정할 수 있는 고온계(pyrometer)가 사용될 수도 있다. 또한, 온도감지부는 기판(S)의 크기에 따라 적어도 하나 이상이 구비되어 기판(S)의 온도를 부분적으로 측정할 수도 있다. 이때, 온도감지부를 복수개 구비하는 경우, 기판(S)에 전달되는 열이 균일하게 가해지는 것에 대한 정확도가 증가할 수 있는 이점이 있기 때문에 온도감지부는 적어도 하나 이상 구비되는 것이 바람직하다.
In addition, the heating unit 600 may be fixed to the chamber 100 by having separate fixing members 270 and 470 and a sealing member (not shown) to penetrate both sides of the chamber 100. At this time, as shown in Figure 1, the fixing member 270 for fixing the heat source unit 200 of the heating unit 600 and the fixing member 470 for fixing the cooling port 400 may be provided, respectively, This is not limited and may include at least one fixing member to fix the heat source unit 200 and the cooling port 400 to the chamber 100 together with the same fixing member. In addition, the heating unit 600 may be provided with a temperature sensing unit (not shown) for measuring the temperature of the substrate (S). The temperature sensing unit may measure the temperature of the substrate S by a contact method or a non-contact method. Various sensing mechanisms may be applied to the temperature sensing means. In particular, in the case of measuring the temperature of the substrate S with a non-contact decoration, a pyrometer capable of measuring temperature by sensing radiant energy emitted from the substrate S may be provided. May be used. In addition, at least one temperature sensing unit may be provided according to the size of the substrate S to partially measure the temperature of the substrate S. FIG. In this case, when the plurality of temperature sensing units are provided, since there is an advantage in that the accuracy of uniformly applying heat transferred to the substrate S may be increased, at least one temperature sensing unit is preferably provided.

이하에서는, 반사체(300)와 냉각포트(400)의 결합상태 및 내부구조에 대한 설명은 후에 도시되면 도면을 참조하여 자세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a description of the coupling state and the internal structure of the reflector 300 and the cooling port 400 will be described in detail with reference to the drawings.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 반사체와 냉각포트의 결합상태를 도시하는 도면이고, 도 8는 반사체 내부 구조를 도시하는 단면도 및 평면도이다. 도 7의 (a)는 반사체와 냉각포트 결합상태의 분리 사시도이고, 도 7의 (b)는 반사체와 냉각포트 결합상태의 단면도이다. 또한 도 8의 (a)는 반사체 내부구조를 나타내는 단면도이고, 도 8의 (b)는 반사체 내부구도를 나타내는 평면도이다.
FIG. 7 is a view illustrating a coupling state between a reflector and a cooling port according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a cross-sectional view and a plan view illustrating an internal structure of a reflector. FIG. 7A is an exploded perspective view of the coupling state of the reflector and the cooling port, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the coupling state of the reflector and the cooling port. 8A is a cross-sectional view illustrating the internal structure of the reflector, and FIG. 8B is a plan view illustrating the internal structure of the reflector.

도 8을 참조하면, 반사체(300)와 냉각포트(400)를 결합하기 위해 반사체(300)에는 스터트볼트(340)가 구비된다. 또한 반사체(300)의 하부면에는 밀폐부재(500)가 배치되는 밀폐홈(505)이 형성된다. 이때, 냉각포트(400)의 결합부분에는 반사체(300)의 스터드볼트(340a, 340b, 340c, 340d)에 대향하는 위치에 스터드볼트(340)를 체결할 수 있는 체결홈(440a, 440b, 440c, 440d)이 형성되어 반사체(300)와 냉각포트(400)를 결합할 수 있다. 이때, 반사체(300)의 밀폐홈(505)에는 O-ring과 같은 밀폐부재(500)가 구비되어 냉각수가 냉각포트(400)에서 반사체(300)로 유입될 때 결합부분에서 냉각수가 새어나오는 것을 방지할 수 있다. 본 발명에서는 밀폐부재(500)로 O-ring을 사용하였으나 밀폐부재(500)는 이에 한정되지 않고, 반사체(300)와 냉각포트(400)를 분리 또는 결합에 있어 용이하고 공정 분위기에 의해 변형되지 않는 소재로 형성되는 것이 바람직하다. Referring to FIG. 8, the stud bolt 340 is provided at the reflector 300 to couple the reflector 300 and the cooling port 400. In addition, a sealing groove 505 in which the sealing member 500 is disposed is formed on the lower surface of the reflector 300. At this time, the coupling portion of the cooling port 400, the fastening grooves 440a, 440b, 440c for fastening the stud bolts 340 at positions opposite to the stud bolts 340a, 340b, 340c, and 340d of the reflector 300. , 440d may be formed to couple the reflector 300 to the cooling port 400. In this case, the sealing groove 505 of the reflector 300 is provided with a sealing member 500 such as an O-ring so that when the cooling water flows into the reflector 300 from the cooling port 400, the cooling water leaks from the coupling portion. It can prevent. In the present invention, the O-ring is used as the sealing member 500, but the sealing member 500 is not limited thereto, and is easy to separate or combine the reflector 300 and the cooling port 400 and is not deformed by a process atmosphere. It is preferably formed of a material that does not.

이와 같이 결합된 반사체(300)와 냉각포트(400)로 유입되는 냉각수는 냉각포트의 냉각라인(420)을 경유하며 냉각포트(400)의 내부로 흘러오고 냉각수는 냉각포트(400)와 반사체(300)의 연통으로 인해 반사체(300) 내부로 흘러들어오게 된다. 이때 반사체(300) 내부로 유입되는 냉각수는 냉각라인(320)을 따라 반사체(300)의 타측 방향으로 흘러가며 열원유닛(200)에 의해 과열되는 반사체(300)를 냉각시킬 수 있다.
The coolant flowing into the reflector 300 and the cooling port 400 coupled as described above flows into the cooling port 400 through the cooling line 420 of the cooling port, and the cooling water flows into the cooling port 400 and the reflector ( Due to the communication of the 300 is to flow into the reflector 300. In this case, the coolant flowing into the reflector 300 flows in the other direction of the reflector 300 along the cooling line 320 to cool the reflector 300 that is overheated by the heat source unit 200.

도 9는 본 발명의 변형 예에 따른 가열유닛을 나타내는 도면이다. 도 9의 (a)는 변형 예에 따른 가열유닛의 사시도이고, 도 9의 (b)는 가열유닛의 측면도이다.9 is a view showing a heating unit according to a modification of the present invention. 9A is a perspective view of a heating unit according to a modification, and FIG. 9B is a side view of the heating unit.

도 9를 참조하면, 가열유닛(600b)은 챔버(100) 내부를 가로지르며 배치되는 열원유닛(200)과, 열원유닛(200) 하부에 배치되며, 소정간격 이격되어 배치되는 복수의 반사체(300'), 반사체(300') 상부에 장착되어 기판(S)을 지지하는 지지체(340) 및 반사체(300')의 적어도 일측의 하부에 결합되고, 반사체(300') 내부로 냉각수를 공급하는 냉각포트(400)를 포함한다. Referring to FIG. 9, the heating unit 600b includes a heat source unit 200 disposed across the inside of the chamber 100, and a plurality of reflectors 300 disposed below the heat source unit 200 and spaced a predetermined distance apart. '), Mounted on an upper portion of the reflector 300', coupled to a support 340 supporting the substrate S and a lower portion of at least one side of the reflector 300 ', and cooling to supply cooling water into the reflector 300'. Port 400.

반사체(300')에는 오목홈이 별도로 형성되지 않고 바 형태의 반사체(300')의 상부가 사다리꼴 모양으로 경사면이 형성될 수 있다. 이에, 도 9의 (b)처럼 복수의 반사체(300') 사이에는 열원유닛(200)이 배치될 수 있는 공간이 형성된다. 이와 같이 가열유닛(600')이 형성되는 경우 지지체(340)는 반사체(300')의 중앙부에 장착될 수도 있다. 또한, 반사체(300') 사이의 이격공간은 복수의 가열유닛 집합체(600) 사이에 공급되는 반응가스가 배출될 수 있도록 이격공간을 형성하는 것이 좋다.
The concave groove may not be separately formed in the reflector 300 ', and an inclined surface may be formed in a trapezoidal shape at an upper part of the bar-shaped reflector 300'. Accordingly, a space in which the heat source unit 200 may be disposed is formed between the plurality of reflectors 300 ′ as shown in FIG. 9B. As such, when the heating unit 600 ′ is formed, the support 340 may be mounted at the central portion of the reflector 300 ′. In addition, the separation space between the reflector 300 ′ may form a separation space such that the reaction gas supplied between the plurality of heating unit assemblies 600 may be discharged.

상술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면, 챔버 내부에 복수의 기판을 처리하도록 가열유닛을 구비함으로써, 각각의 가열유닛 상에 기판을 배치시켜 공정의 생산성을 향상시킬 수 있고, 복수의 가열유닛들 사이에 반응가스를 공급하는 가스주입구를 챔버에 형성함으로써 복수의 기판들 사이로 반응가스를 균일하게 공급하여 박막의 균일 증착과 공정의 정밀도를 증가시킬 수 있다. As described above, according to an embodiment of the present invention, by providing a heating unit to process a plurality of substrates in the chamber, by placing the substrate on each heating unit to improve the productivity of the process, a plurality of heating By forming a gas inlet for supplying the reaction gas between the units in the chamber, the reaction gas may be uniformly supplied between the plurality of substrates to increase the uniform deposition of the thin film and the precision of the process.

또한, 기판 지지체로 핀 형태의 지지체를 반사체에 장착하기 때문에 기판의 로딩 및 언로딩이 용이하다.
In addition, since the support in the form of a pin is mounted on the reflector as the substrate support, loading and unloading of the substrate is easy.

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술 되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술 되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.Although the invention has been described with reference to the accompanying drawings and the preferred embodiments described above, the invention is not limited thereto, but is defined by the claims that follow. Accordingly, one of ordinary skill in the art may variously modify and modify the present invention without departing from the spirit of the following claims.

S : 기판 W : 냉각수
100 : 챔버 103 : 챔버 몸체
105 : 도어 150 : 가스주입구
170 : 가스배출구 200 : 열원유닛
300, 300' : 반사체 340 : 지지유닛
400 : 냉각포트 600 : 가열유닛 집합체
600a, 600b : 가열유닛 320, 420 : 냉각라인
270, 470 : 고정부재S: Substrate W: Coolant
100 chamber 103 chamber body
105: door 150: gas inlet
170: gas outlet 200: heat source unit
300, 300 ': reflector 340: support unit
400: cooling port 600: heating unit assembly
600a, 600b: heating unit 320, 420: cooling line
270, 470: fixed member

Claims (11)

기판이 처리되는 내부공간이 형성되는 챔버와;
나란하게 배치되는 복수의 가열 유닛을 각각 포함하여 상기 챔버 내부에 상하방향으로 이격되어 배치되는 복수의 가열유닛 집합체;를 포함하고,
상기 가열유닛은, 방사광을 방출하는 열원유닛;
상기 열원유닛 하부에 상기 열원유닛의 길이 방향을 따라 배치되어 상기 열원유닛에서 방출되는 방사광을 반사시키고, 내부에 냉각 라인이 형성된 반사체; 및
상기 반사체의 상부에 설치되어, 상기 기판을 지지하는 적어도 하나의 지지체를 포함하며,
상기 챔버를 관통하여 상기 냉각 라인과 연통되도록 상기 반사체에 연결되는 냉각 포트가 구비되고, 상기 냉각 포트는 상기 반사체를 지지하여 상기 챔버에 고정시키는 기판 처리 장치.A chamber in which an inner space in which the substrate is processed is formed;
And a plurality of heating unit assemblies including a plurality of heating units disposed side by side and spaced apart vertically in the chamber.
The heating unit, the heat source unit for emitting radiation;
A reflector disposed below the heat source unit along a length direction of the heat source unit to reflect the emission light emitted from the heat source unit, and having a cooling line formed therein; And
Is installed on top of the reflector, includes at least one support for supporting the substrate,
And a cooling port connected to the reflector so as to communicate with the cooling line through the chamber, wherein the cooling port supports and fixes the reflector to the chamber. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 열원유닛은,
열원과,
내부에 상기 열원이 배치되는 투과창을 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The heat source unit,
Heat source,
And a transmission window in which the heat source is disposed. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 반사체는 상부면의 일부에 경사면이 형성되는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
And the reflector has an inclined surface formed on a portion of an upper surface thereof. 청구항 7 에 있어서,
상기 열원유닛의 하부에 상기 반사체의 경사면이 배치되는 기판 처리 장치.The method of claim 7,
And an inclined surface of the reflector is disposed below the heat source unit. 청구항 1에 있어서,
상기 지지체는 상기 열원유닛 상부까지 연장 형성되는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
And the support extends to an upper portion of the heat source unit. 청구항 1에 있어서,
상기 가열유닛은 온도 감지부를 포함하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
The heating unit substrate processing apparatus including a temperature sensing unit. 청구항 1 에 있어서,
상기 챔버의 적어도 일측에는,
상기 챔버 내벽을 관통하며 형성되는 가스주입구가 형성되고,
상기 가스주입구는,
상기 가열유닛 집합체 사이에 형성되는 기판 처리 장치. The method according to claim 1,
At least one side of the chamber,
A gas injection hole formed through the inner wall of the chamber is formed,
The gas inlet,
Substrate processing apparatus formed between the heating unit assembly.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101484553B1 (en) * 2013-10-24 2015-01-20 주식회사 테라세미콘 Cluster type apparatus for processing substrate
KR20150122884A (en) * 2014-04-23 2015-11-03 주식회사 제우스 Heat treatment apparatus for substrate
KR101877403B1 (en) * 2016-01-12 2018-07-13 에이피시스템 주식회사 Substrate processing apparatus and method
KR20180138239A (en) * 2017-06-19 2018-12-31 삼성전자주식회사 Process chamber and substrate treating apparatus including the same
KR20190051692A (en) * 2017-11-07 2019-05-15 주식회사 원익아이피에스 Heating process system
KR101992378B1 (en) 2018-12-05 2019-06-25 (주)앤피에스 Substrate processing apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100008722A (en) * 2008-07-16 2010-01-26 주식회사 테라세미콘 Batch type heat treatment apparatus
JP2012084637A (en) * 2010-10-08 2012-04-26 Espec Corp Heat treatment apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100008722A (en) * 2008-07-16 2010-01-26 주식회사 테라세미콘 Batch type heat treatment apparatus
JP2012084637A (en) * 2010-10-08 2012-04-26 Espec Corp Heat treatment apparatus

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101484553B1 (en) * 2013-10-24 2015-01-20 주식회사 테라세미콘 Cluster type apparatus for processing substrate
KR20150122884A (en) * 2014-04-23 2015-11-03 주식회사 제우스 Heat treatment apparatus for substrate
KR102154654B1 (en) 2014-04-23 2020-09-22 주식회사 제우스 Heat treatment apparatus for substrate
KR101877403B1 (en) * 2016-01-12 2018-07-13 에이피시스템 주식회사 Substrate processing apparatus and method
KR20180138239A (en) * 2017-06-19 2018-12-31 삼성전자주식회사 Process chamber and substrate treating apparatus including the same
KR102400186B1 (en) 2017-06-19 2022-05-20 삼성전자주식회사 Process chamber and substrate treating apparatus including the same
US11610788B2 (en) 2017-06-19 2023-03-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Process chamber and substrate processing apparatus including the same
KR20190051692A (en) * 2017-11-07 2019-05-15 주식회사 원익아이피에스 Heating process system
KR102243269B1 (en) * 2017-11-07 2021-04-22 주식회사 원익아이피에스 Heating process system
KR101992378B1 (en) 2018-12-05 2019-06-25 (주)앤피에스 Substrate processing apparatus

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