KR101126098B1 - Batch type substrate treatment appartus - Google Patents

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Abstract

배치식 기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 복수개의 기판(10)을 동시에 기판처리할 수 있는 배치식 기판처리 장치로서, 복수개의 기판(10)에 대하여 기판처리 공간을 제공하는 챔버(100); 챔버(100)의 내측에 배치되고 복수개의 기판(10)이 로딩되어 지지되는 보트(200); 및 챔버(100)의 내측에 배치되고 복수개의 기판(10)을 가열하는 복수개의 봉형 히터(300)를 포함하는 것을 특징으로 한다.A batch substrate processing apparatus is disclosed. The substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention is a batch type substrate processing apparatus capable of simultaneously processing a plurality of substrates 10, and a chamber providing substrate processing space for the plurality of substrates 10. 100; A boat 200 disposed inside the chamber 100 and having a plurality of substrates 10 loaded and supported thereon; And a plurality of rod-shaped heaters 300 disposed inside the chamber 100 and heating the plurality of substrates 10.

Description

배치식 기판처리 장치{BATCH TYPE SUBSTRATE TREATMENT APPARTUS}Batch type substrate processing apparatus {BATCH TYPE SUBSTRATE TREATMENT APPARTUS}

본 발명은 배치식 기판처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 기판의 전면적에 걸쳐 균일한 가열을 수행할 수 있는 배치식 기판처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a batch substrate processing apparatus. More specifically, the present invention relates to a batch type substrate processing apparatus capable of performing uniform heating over the entire surface of the substrate.

반도체, 평판 디스플레이 및 태양전지를 제조하기 위해서는 기판처리 장치를 이용하여 기판 상에 여러 가지 공정을 수행할 것이 요구된다. 이를 테면 기판처리 장치를 이용하여 기판 상에 증착 공정, 열처리(어닐링) 공정, 건조 공정 등을 수행할 것이 요구된다. 각 공정은 각 공정에서 최적의 기판처리 조건을 제공할 수 있는 챔버 내에서 수행되게 된다.In order to manufacture semiconductors, flat panel displays, and solar cells, it is required to perform various processes on a substrate using a substrate processing apparatus. For example, it is required to perform a deposition process, a heat treatment (annealing) process, a drying process, and the like on a substrate using a substrate processing apparatus. Each process is performed in a chamber that can provide optimum substrate processing conditions in each process.

위와 같은 각 공정에서 기판은 소정의 온도 이상으로 가열될 것이 요구된다. 이를 위하여 별도의 챔버에서 기판을 가열하고 가열된 기판을 해당 공정이 수행되는 챔버로 이송하는 방법이 이용되기도 하나 공정의 생산성을 위하여 해당 챔버에 히터를 설치하여 기판을 가열하는 방법이 주로 이용되고 있다.In each of the above processes, the substrate is required to be heated above a predetermined temperature. To this end, a method of heating a substrate in a separate chamber and transferring the heated substrate to a chamber where a corresponding process is performed is used, but a method of heating a substrate by installing a heater in a corresponding chamber is mainly used for the productivity of the process. .

대부분의 히터는 기판의 하부에서 기판을 가열하기 위하여 챔버의 하부에 설치된다. 이러한 히터의 설치 방법은 기판으로의 열 전달을 용이하게 수행할 수 있다는 장점이 있으나 한번에 복수개의 기판을 처리하는 배치식 기판처리 장치에 적용하기에는 적합하지 아니하다. 이는 히터와 인접한 위치에 있는 기판(즉, 챔버의 하부에 위치하는 기판)과 히터와 인접하지 아니한 위치에 있는 기판(즉. 챔버의 상부에 위치하는 기판)과의 열 공급량의 차이가 발생할 수 있기 때문이다. 이러한 차이는 결과적으로 공정의 신뢰성을 저하시키는 문제점을 야기시키게 된다.Most heaters are installed at the bottom of the chamber to heat the substrate at the bottom of the substrate. The installation method of such a heater has an advantage in that heat transfer to a substrate can be easily performed, but it is not suitable for application to a batch type substrate processing apparatus that processes a plurality of substrates at one time. This may cause a difference in heat supply between the substrate in a position adjacent to the heater (ie, the substrate located at the bottom of the chamber) and the substrate in a position not adjacent to the heater (ie, the substrate located at the top of the chamber). Because. This difference results in a problem of degrading the reliability of the process.

상술한 문제점을 해결하기 위하여, 챔버의 외부에 소정의 홈이 형성된 단열관을 설치하고 상기의 홈에 배치된 코일형 열선을 이용하여 복수개의 기판을 가열하는 방법이 도입되었다. 그러나, 이러한 종래의 방법에 따르면 히터가 챔버의 외부에 배치되는 까닭에 기판의 내부에까지 열 전달이 균일하게 이루어질 수 없어 기판의 안쪽 부분과 기판의 가장자리 부분에 온도 편차가 발생하는 문제점이 있었다. 이러한 문제점은 위와 같은 방법으로 처리된 기판이 채용된 소자의 품질을 저하시키는 원인이 되었다.In order to solve the above-mentioned problem, a method of heating a plurality of substrates by installing a heat insulation tube having a predetermined groove formed outside the chamber and using a coiled hot wire disposed in the groove has been introduced. However, according to this conventional method, since the heater is disposed outside the chamber, heat transfer cannot be made uniformly to the inside of the substrate, thereby causing a temperature variation in the inner portion of the substrate and the edge portion of the substrate. This problem has been a cause of lowering the quality of the device employing the substrate treated in the above manner.

더욱이 상술한 종래의 방법에 따르면 코일형 열선 일부에 이상이 발생하는 경우에 히터 전체를 분해하여 수리하여야 하므로 히터의 유지 보수가 용이하지 않은 문제점이 있었다.In addition, according to the conventional method described above, when an abnormality occurs in a part of the coil-type heating wire, the entire heater has to be disassembled and repaired.

이에 본 발명은 상기와 같은 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 기판의 전면적에 걸쳐 균일한 가열을 수행할 수 있는 배치식 기판처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a batch type substrate processing apparatus capable of performing uniform heating over the entire surface of a substrate, which is devised to solve the above problems of the prior art.

또한, 본 발명은 복수개의 기판을 균일하게 가열하여 해당 기판처리 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 배치식 기판처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a batch substrate processing apparatus capable of uniformly heating a plurality of substrates to improve the reliability of the substrate processing process.

또한, 본 발명은 히터의 유지 보수를 용이하게 수행할 수 있는 배치식 기판처리 장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a batch type substrate processing apparatus that can easily perform maintenance of the heater.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 배치식 기판처리 장치는 복수개의 기판을 동시에 기판처리할 수 있는 배치식 기판처리 장치로서, 상기 복수개의 기판에 대하여 기판처리 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버의 내측에 배치되고 상기 복수개의 기판이 로딩되어 지지되는 보트; 및 상기 챔버의 내측에 배치되고 상기 복수개의 기판을 가열하는 복수개의 봉형 히터를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the batch substrate processing apparatus according to the present invention is a batch substrate processing apparatus capable of simultaneously processing a plurality of substrates, the chamber for providing a substrate processing space for the plurality of substrates; A boat disposed inside the chamber and configured to load and support the plurality of substrates; And a plurality of rod heaters disposed inside the chamber and heating the plurality of substrates.

상기 챔버의 외측에 상기 챔버와 일정한 간격을 가지면서 배치되는 단열관을 더 포함할 수 있다.The outer side of the chamber may further include a heat insulating tube disposed at a predetermined distance from the chamber.

상기 챔버와 상기 단열관 사이로는 냉각 가스가 공급될 수 있다.Cooling gas may be supplied between the chamber and the heat insulating tube.

상기 히터는 제1 관 및 상기 제1관의 내부에 배치되는 코일형 열선을 포함할 수 있다.The heater may include a first tube and a coiled hot wire disposed inside the first tube.

상기 히터는 상기 제1 관의 내부에 상기 제1 관과 일정한 간격을 가지면서 배치되는 제2관을 더 포함하며, 상기 코일형 열선은 상기 제2 관의 외주면에 감기면서 배치될 수 있다.The heater further includes a second tube disposed inside the first tube at regular intervals from the first tube, and the coiled heating wire may be disposed while being wound on an outer circumferential surface of the second tube.

상기 복수개의 히터는 서로 일정한 간격을 가지면서 상기 보트의 주위를 둘러싸면서 배치될 수 있다.The plurality of heaters may be arranged to surround the boat while having a predetermined distance from each other.

상기 보트의 하부에서 상기 보트를 지지하는 서셉터를 더 포함하며, 상기 서셉터의 내부에는 상기 복수개의 기판을 가열하는 서셉터 히터가 배치될 수 있다.A susceptor for supporting the boat under the boat may be further included, and a susceptor heater for heating the plurality of substrates may be disposed in the susceptor.

상기 챔버의 하부에 배치되어 상기 챔버로 공정 가스의 유입 및 유출을 매개하는 매니폴드(manifold)를 더 포함하며, 상기 히터는 상기 매니폴드를 관통한 상태로 배치될 수 있다.A manifold may be disposed below the chamber to mediate inflow and outflow of process gas into the chamber, and the heater may be disposed through the manifold.

상기 매니폴드를 관통한 상기 히터의 외주면을 감싸도록 배치되어 상기 히터가 기울어지는 것을 방지하는 고정부를 더 포함할 수 있다.The heater may further include a fixing part disposed to surround an outer circumferential surface of the heater passing through the manifold to prevent the heater from tilting.

상기 고정부는 상기 챔버의 밀봉을 위한 가스 실링 수단을 포함할 수 있다.The fixing part may include a gas sealing means for sealing the chamber.

상기 고정부는 냉각수가 유입되기 위한 냉각수 유입구를 포함할 수 있다.The fixing part may include a cooling water inlet for introducing the cooling water.

본 발명에 의하면, 챔버 내부에 봉형의 히터를 복수개 배치하여 기판과 인접한 위치에서 기판을 가열함으로써, 기판의 전면적에 걸쳐 균일한 가열을 수행할 수 있는 배치식 기판처리 장치를 제공할 수 있게 된다.According to the present invention, it is possible to provide a batch type substrate processing apparatus capable of performing uniform heating over the entire surface of the substrate by arranging a plurality of rod-shaped heaters inside the chamber and heating the substrate at a position adjacent to the substrate.

또한, 본 발명에 의하면, 복수개의 기판 각각과 히터 사이의 거리를 서로 동일하게 하여 복수개의 기판을 균일하게 가열할 수 있게 되므로, 해당 기판 처리 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 배치식 기판처리 장치를 제공할 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, a plurality of substrates can be uniformly heated by making the distance between each of the plurality of substrates and the heater equal to each other. It can be provided.

또한, 본 발명에 의하면, 히터 일부에 이상이 발생하는 경우에 히터 전체를 분해하여 보수할 필요가 없게 되므로, 히터의 유지 보수를 용이하게 수행할 수 있는 배치식 기판처리 장치를 제공할 수 있게 된다.In addition, according to the present invention, when an abnormality occurs in a part of the heater, it is not necessary to disassemble and repair the entire heater, thereby providing a batch type substrate processing apparatus that can easily perform maintenance of the heater. .

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치에 히터가 배치되는 구성을 상세하게 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고정부의 모습을 나타내는 도면이다.1 and 2 are diagrams schematically showing the configuration of a batch substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a view showing in detail the configuration in which the heater is disposed in the batch-type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
4 is a view showing a state of the fixing part according to an embodiment of the present invention.

후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.DETAILED DESCRIPTION The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that show, by way of illustration, specific embodiments in which the invention may be practiced. These embodiments are described in sufficient detail to enable those skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different but need not be mutually exclusive. For example, certain features, structures, and characteristics described herein may be implemented in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with an embodiment. It is also to be understood that the position or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment may be varied without departing from the spirit and scope of the invention. The following detailed description, therefore, is not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention, if properly described, is defined only by the appended claims, along with the full range of equivalents to which such claims are entitled. In the drawings, like reference numerals refer to the same or similar functions throughout the several aspects, and length, area, thickness, and the like may be exaggerated for convenience.

이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily implement the present invention.

도 1 및 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치(1)의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다. 참고로, 도 2에서는 도시상의 편의를 위하여 도 1에 도시된 고정 플랜지(800)의 구성을 생략하여 도시하였다.1 and 2 are diagrams schematically showing a configuration of a batch substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. For reference, in FIG. 2, the configuration of the fixing flange 800 shown in FIG. 1 is omitted for convenience of illustration.

먼저, 본 발명에서 처리될 수 있는 기판(10)의 종류는 특별하게 제한되지 아니한다. 따라서, 반도체 공정 전반에서 일반적으로 이용되는 글래스, 플라스틱, 폴리머, 실리콘 웨이퍼, 스테인레스 스틸, 사파이어 등 다양한 재질의 기판이 본 발명의 기판처리 장치(1)에서 처리될 수 있다. 또한, 본 발명에서 기판(10)을 처리한다 함은 기판(10) 그 자체뿐만 아니라 기판(10) 상에 형성된 소정의 막 또는 패턴 등을 처리하는 경우를 포함하는 것으로 이해될 수 있다.First, the type of substrate 10 that can be processed in the present invention is not particularly limited. Therefore, substrates of various materials, such as glass, plastic, polymer, silicon wafer, stainless steel, and sapphire, which are generally used throughout the semiconductor process, can be processed in the substrate processing apparatus 1 of the present invention. In addition, in the present invention, the processing of the substrate 10 may be understood to include a case of processing a predetermined film or pattern formed on the substrate 10 as well as the substrate 10 itself.

또한, 본 발명의 배치식 기판 처리 장치(1)의 용도 역시 특별하게 제한되지 아니한다. 따라서 본 발명의 배치식 기판 처리 장치(1)를 이용하여 전반적인 반도체 공정, 이를 테면, 증착 공정, 식각 공정, 표면 개질 공정 등이 수행될 수 있다. 비록 이하의 명세서에서는 본 발명의 배치식 기판 처리 장치(1)를 구성하는 주요한 구성요소에 대해서만 설명되지만 본 발명이 이용되는 목적에 따라 다양한 구성요소(예를 들면, 플라즈마를 발생시키기 위한 전극 등)들이 본 발명의 배치식 기판 처리 장치(1)에 추가적으로 포함될 수 있음은 자명하다 할 것이다.In addition, the use of the batch type substrate processing apparatus 1 of the present invention is also not particularly limited. Therefore, an overall semiconductor process, such as a deposition process, an etching process, a surface modification process, and the like may be performed using the batch substrate processing apparatus 1 of the present invention. Although only the main components constituting the batch substrate processing apparatus 1 of the present invention are described in the following specification, various components (for example, electrodes for generating plasma, etc.) depending on the purpose of the present invention is used. It will be apparent that they may be additionally included in the batch substrate processing apparatus 1 of the present invention.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치(1)는 챔버(100)를 포함하여 구성된다. 챔버(100)는 공정이 수행되는 동안 실질적으로 내부 공간이 밀폐되도록 구성되어 기판(10)이 처리되는 공간을 제공하는 기능을 수행할 수 있다. 챔버(100)는 최적의 공정 조건을 유지하도록 구성되며 형태는 사각형 또는 원형의 형태로 제조될 수 있다. 챔버(100)의 재질은 석영(quartz)인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.1 and 2, a batch substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a chamber 100. The chamber 100 may be configured to substantially seal the internal space while the process is performed, thereby providing a space in which the substrate 10 is processed. The chamber 100 is configured to maintain optimal process conditions and may be manufactured in a square or circular shape. The material of the chamber 100 is preferably quartz, but is not necessarily limited thereto.

한편, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 챔버(100)의 외부에는 챔버(100)와 일정한 간격을 가지면서 배치되는 단열부(400)가 설치될 수 있다. 단열부(400)는 후술하는 히터(300)에서 기판(10)으로 인가된 열이 외부로 전달되는 것을 방지함으로써 보다 효율적인 열처리가 이루어질 수 있도록 한다. 이러한 의미에서 단열부(400)는 챔버(100) 외부의 전체 면적을 커버할 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다. 단열부(400)의 재질은 특별하게 제한되지 아니하나 세라믹 재질, 특히 고온에서의 내열성이 매우 우수한 세라믹 재질을 이용하여 단열부(400)를 제조하는 것이 바람직하다.On the other hand, referring to Figures 1 and 2, the outside of the chamber 100 may be provided with a heat insulating portion 400 which is disposed at a predetermined interval with the chamber 100. The heat insulating part 400 prevents heat applied to the substrate 10 from the heater 300 to be described later to be transferred to the outside, thereby enabling more efficient heat treatment. In this sense, the heat insulating part 400 is preferably installed to cover the entire area of the outside of the chamber 100. Although the material of the heat insulating part 400 is not particularly limited, it is preferable to manufacture the heat insulating part 400 using a ceramic material, especially a ceramic material having excellent heat resistance at high temperature.

단열부(400)이 설치됨에 따라 단열부(400)과 챔버(100) 사이에는 소정의 통로(420)가 형성되는데 이러한 소정의 통로(420)로 냉각용 가스가 흐를 수 있다. 이를 테면 챔버(100)의 하부에서 냉각용 가스가 유입되어 통로(420)를 지나서 단열부(400)의 상부 중앙으로 빠져나갈 수 있다. 냉각용 가스의 원활한 배출을 위하여 도 1에 도시된 바와 같이 단열부(400)의 상부에는 덕트(410)가 설치될 수 있다. 공급되는 냉각용 가스로는 헬륨, 공기, 질소 및 아르곤 등이 이용될 수 있으나 바람직하게는 질소가 이용될 수 있다. 또한, 바람직하게는 상온의 냉각용 가스가 이용될 수 있다.As the heat insulation part 400 is installed, a predetermined passage 420 is formed between the heat insulation portion 400 and the chamber 100, and cooling gas may flow into the predetermined passage 420. For example, the cooling gas may flow from the lower portion of the chamber 100 to pass through the passage 420 and exit to the upper center of the heat insulating part 400. In order to smoothly discharge the cooling gas, as illustrated in FIG. 1, the duct 410 may be installed at an upper portion of the heat insulating part 400. Helium, air, nitrogen and argon may be used as the cooling gas to be supplied, but preferably nitrogen may be used. In addition, a gas for cooling at room temperature may be preferably used.

한편, 도 1 및 도 2를 참조하면, 단열부(400)의 외부에는 외부 커버(500)가 더 설치될 수 있다. 외부 커버(500)는 외부의 충격 등으로부터 배치식 기판 처리 장치(1)의 각 구성요소를 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 외부 커버(500)는 단열부(400) 전체의 면적을 커버할 수 있도록 설치되는 것이 바람직하다.Meanwhile, referring to FIGS. 1 and 2, an outer cover 500 may be further installed outside the heat insulating part 400. The outer cover 500 may perform a function of protecting each component of the batch substrate processing apparatus 1 from an external impact or the like. As illustrated in FIGS. 1 and 2, the outer cover 500 may be installed to cover an entire area of the heat insulating part 400.

다음으로, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치(1)는 보트(200)를 포함하여 구성된다. 보트(200)는 챔버(100) 내부에 배치되어 기판(10)의 처리가 이루어지는 동안 복수개의 기판(10)을 지지하는 기능을 수행할 수 있다. 이때 보트(200)는 기판(10)의 장변측을 지지하도록 설치되는 것이 바람직하다. 보트(200)의 재질은 특별하게 제한되지 아니하나 바람직하게는 석영일 수 있다.Next, referring further to FIGS. 1 and 2, a batch substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention includes a boat 200. The boat 200 may be disposed in the chamber 100 to support a plurality of substrates 10 while the substrate 10 is processed. At this time, the boat 200 is preferably installed to support the long side of the substrate (10). The material of the boat 200 is not particularly limited but may be preferably quartz.

복수개의 기판(10)은 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 단독적으로 보트(200)에 로딩될 수도 있으나 바람직하게는 기판 홀더(미도시)에 안착된 상태로 보트(200)에 로딩될 수 있다. 후술하는 바와 같이, 기판처리 과정 중에는 기판(10)을 가열하는 열처리 과정이 포함될 수 있는데 열처리 온도가 상승됨에 따라 기판(10)에는 변형이 발생할 수 있다. 이를 테면, 글래스 기판의 경우 약 400℃ 내지 800℃의 온도에서 연화(softening)할 수 있는데, 이러한 기판의 연화는 기판 아래 방향으로의 휨 현상을 야기시킬 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기판(10)은 기판 홀더(미도시)에 안착된 상태로 기판처리될 수 있다.The plurality of substrates 10 may be loaded in the boat 200 alone as shown in FIGS. 1 and 2, but preferably, the plurality of substrates 10 may be loaded in the boat 200 while seated in a substrate holder (not shown). have. As described below, a heat treatment process for heating the substrate 10 may be included in the substrate treatment process. As the heat treatment temperature is increased, deformation may occur in the substrate 10. For example, a glass substrate may soften at a temperature of about 400 ° C. to 800 ° C., which may cause warpage of the substrate downward. In order to solve this problem, the substrate 10 may be treated with the substrate mounted on a substrate holder (not shown).

다음으로, 도 1 및 도 2를 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치(1)는 복수개의 히터(300)를 포함하여 구성될 수 있다. 복수개의 히터(300)는 복수개의 기판(10)에 열을 가하여 기판(10)의 온도를 상승시키고 이를 유지시키는 기능을 수행할 수 있다.Next, referring further to FIGS. 1 and 2, the batch type substrate processing apparatus 1 according to the exemplary embodiment of the present invention may include a plurality of heaters 300. The plurality of heaters 300 may perform a function of raising and maintaining the temperature of the substrate 10 by applying heat to the plurality of substrates 10.

종래의 배치식 기판처리 장치(1)는 히터(300)가 챔버(100)의 외부에 배치되는 까닭에 기판(10) 내부에 까지 열 전달이 균일하게 이루어질 수 없는 문제점이 있었다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 봉 형태로 구성된 복수개의 히터(300)가 챔버(100)의 내부에 배치되는 것을 구성상의 특징으로 한다. 다시 말하여, 본 발명은 비교적 가늘고 긴 봉 형태로 구성된 복수개의 히터(300)가 기판(10)이 안착되는 면에 대하여 실질적으로 수직으로 챔버(100) 내부의 소정 위치에 배치되는 것을 구성상의 특징으로 한다.In the conventional batch type substrate processing apparatus 1, since the heater 300 is disposed outside the chamber 100, there is a problem in that heat transfer cannot be uniformly performed to the inside of the substrate 10. In order to solve such a problem, in the present invention, a plurality of heaters 300 having a rod shape are disposed in the chamber 100. In other words, the present invention is characterized in that the plurality of heaters 300, which are configured in a relatively thin and long rod shape, are disposed at predetermined positions inside the chamber 100 substantially perpendicular to the surface on which the substrate 10 is seated. It is done.

본 발명에서는 위와 같은 구성상의 특징을 채용함으로써 기판(10)과 인접한 위치에서 기판(10)을 가열할 수 있게 되므로 기판(10) 중앙부와 기판(10)의 가장자리에 공급되는 열의 차이를 최소화하여 기판(10)의 전면적을 균일하게 가열할 수 있게 된다.In the present invention, since the substrate 10 can be heated at a position adjacent to the substrate 10 by adopting the above-described structural features, the substrate is minimized by minimizing the difference between the heat supplied to the center portion of the substrate 10 and the edge of the substrate 10. The entire area of (10) can be heated uniformly.

또한, 본 발명에서는 위와 같은 구성상의 특징을 채용함으로써 복수개의 기판(10) 각각과 히터(300) 사이의 거리가 서로 동일하게 되므로(다시 말하여 임의의 기판(10)과 히터(300) 사이의 거리와 다른 임의의 기판(10)과 히터(300) 사이의 거리가 서로 동일하게 되므로) 어느 하나의 기판(10)에 편중되게 열이 공급되는 것을 방지할 수 있게 된다. 이에 따라 복수개의 기판(10)을 균일하게 가열할 수 있게 되므로 기판처리 공정의 신뢰성을 확보할 수 있게 된다.In addition, in the present invention, since the distance between each of the plurality of substrates 10 and the heater 300 is equal to each other by adopting the above configuration features (that is, between the arbitrary substrate 10 and the heater 300) Since the distance and the distance between any other substrate 10 and the heater 300 become equal to each other, it is possible to prevent heat from being supplied unbiased to any one substrate 10. Accordingly, the plurality of substrates 10 can be uniformly heated, thereby ensuring the reliability of the substrate processing process.

또한, 본 발명에서는 위와 같은 구성상의 특징으로 채용함으로써, 히터(300) 일부에 이상이 발생하는 경우에 히터(300) 전체를 분해할 필요 없이 복수개의 히터(300) 중에 이상이 발생한 히터(300)만 선택적으로 교체 또는 수리하면 되게 되므로, 히터(300)의 유지 보수가 용이해지는 효과를 달성할 수 있게 된다.In addition, in the present invention, by employing the above-described configuration features, when an abnormality occurs in a part of the heater 300, the heater 300 in which the abnormality occurs among the plurality of heaters 300 without having to disassemble the entire heater 300. Since only selective replacement or repair is required, the maintenance of the heater 300 can be easily achieved.

도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 상술한 바와 같이, 본 발명의 히터(300)는 복수개로 구성된다. 이는 하나의 히터(300)로만 구성되는 경우 히터(300)와 가까운 기판(10)의 국부적인 위치에 열이 편중되게 공급되는 것을 방지하기 위함이다.Referring back to Figures 1 and 2, as described above, the heater 300 of the present invention is composed of a plurality. This is to prevent the heat from being supplied unevenly to a local position of the substrate 10 close to the heater 300 when only one heater 300 is configured.

도 1 및 도 2에 명확하게 도시되지는 않았지만, 복수개의 히터(300)는 서로 일정한 간격을 가지면서 또한 보트(200)의 주위를 둘러싸면서 배치되는 것이 바람직하다. 이를 테면 총 8개의 히터(300)가 배치된다고 가정할 때 보트(200)의 중심점을 기준으로 0°, 45°, 90°, 135°, 180°, 225°, 270°, 315°의 위치에 각 히터(300)가 배치되는 것이 바람직하다. 이러한 구성에 의하여 복수개의 기판(10) 상에 보다 균일하게 열이 공급될 수 있게 된다.Although not clearly shown in FIGS. 1 and 2, the plurality of heaters 300 are preferably arranged at regular intervals from each other and surrounding the boat 200. For example, assuming that a total of eight heaters 300 are arranged, the positions of 0 °, 45 °, 90 °, 135 °, 180 °, 225 °, 270 °, and 315 ° with respect to the center point of the boat 200 are assumed. Each heater 300 is preferably arranged. By this configuration, heat can be supplied more uniformly on the plurality of substrates 10.

히터(300)가 복수개인 경우 복수개의 히터(300)는 서로 동일한 형상을 가지는 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서 임의의 히터(300)가 가지는 외경과 상기 임의의 히터(300)에 이웃하는 히터(300)의 외경은 서로 다르게 형성될 수도 있다.When there are a plurality of heaters 300 It is preferable that the plurality of heaters 300 have the same shape as each other, but is not necessarily limited thereto. Accordingly, the outer diameter of the heater 300 and the outer diameter of the heater 300 adjacent to the heater 300 may be different from each other.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치(1)에 히터(300)가 배치되는 구성을 상세하게 나타내는 도면이다.3 is a view showing in detail the configuration in which the heater 300 is disposed in the batch-type substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 히터(300)는 소정의 길이를 가지는 제1 관(310)을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 제1 관(310)은 히터(300)의 외면을 구성하는 구성요소로서 챔버(100) 내부에서 직접적으로 공정 가스와 접촉하는 구성요소를 의미할 수 있다. 제1 관(310)은 고온에서도 견딜 수 있도록 내열성이 강한 물질, 이를 테면 석영으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 3, the heater 300 may include a first tube 310 having a predetermined length. Here, the first tube 310 may be a component constituting the outer surface of the heater 300 may refer to a component in direct contact with the process gas inside the chamber 100. The first tube 310 may be made of a material having high heat resistance, such as quartz, to withstand high temperatures.

도 3을 더 참조하면, 히터(300)는 소정의 길이를 가지는 제2 관(320)을 포함하여 구성될 수 있다. 제2 관(320)은 제1 관(310)의 내부에 또한 제1 관(310)과 일정한 간격을 가지면서 배치될 수 있다. 반드시 그러한 것은 아니나 제2 관(320)의 중심축은 제1 관(310)의 중심축과 일치할 수 있다. 제1 관(310)과 유사하게 제2 관(320) 역시 고온에서도 견딜 수 있도록 내열성이 강한 물질, 이를 테면 석영으로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 3 further, the heater 300 may include a second tube 320 having a predetermined length. The second tube 320 may be disposed inside the first tube 310 and at a predetermined distance from the first tube 310. Although not necessarily, the central axis of the second tube 320 may coincide with the central axis of the first tube 310. Similar to the first tube 310, the second tube 320 may also be made of a material having a high heat resistance, such as quartz, to withstand high temperatures.

도 3을 더 참조하면, 히터(300)는 발열체에 해당하는 코일형 열선(330)을 포함하여 구성될 수 있다. 코일형 열선(330)은 다양한 형태로 제1 관(310)의 내부에 배치될 수 있으나 바람직하게는 도 3에 도시된 바와 같이 제2 관(320)의 외주면에 감겨서 배치될 수 있다. 열선(330)의 재질은 특별하게 제한되지 아니하나 바람직하게는 니크롬 또는 칸탈(Kanthal) 중 어느 하나일 수 있다.Referring to FIG. 3, the heater 300 may include a coiled heating wire 330 corresponding to a heating element. The coiled heating wire 330 may be disposed inside the first tube 310 in various forms, but may be preferably wound around the outer circumferential surface of the second tube 320 as shown in FIG. 3. The material of the heating wire 330 is not particularly limited, but may be any one of nichrome and Kanthal.

제1 관(310) 및 제2 관(320)의 외경, 내경, 두께, 코일형 열선(330)의 직경 및 두께 등은 특별하게 제한되지 아니하며 본 발명이 이용되는 목적에 따라 다양하게 변경될 수 있다.The outer diameter, inner diameter, thickness of the first tube 310 and the second tube 320, the diameter and thickness of the coiled heating wire 330 is not particularly limited and may be variously changed according to the purpose of the present invention is used. have.

도 3을 더 참조하면, 히터(300) 일단에는 단자(340)가 설치될 수 있다. 이러한 단자(340)는 외부의 전력을 히터(300)로 전달하여 히터(300)가 발열할 수 있도록 하는 기능을 수행할 수 있다. 히터(300)에 채용되는 단자(340)의 종류는 특별하게 한정되지 아니하며 공지의 여러 가지 단자(340)가 본 발명의 히터(300)에 채용될 수 있다.Referring to FIG. 3 further, the terminal 340 may be installed at one end of the heater 300. The terminal 340 may perform a function of transmitting external power to the heater 300 to allow the heater 300 to generate heat. The type of the terminal 340 employed in the heater 300 is not particularly limited, and various known terminals 340 may be employed in the heater 300 of the present invention.

한편, 도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치(1)는 챔버(100)의 하부에 배치되는 매니폴드(600)를 포함하여 구성될 수 있다. 매니폴드(600)는 챔버(100)의 하부에 배치되어 챔버(100) 내부를 외부 환경과 격리시키면서 챔버(100)로의 공정 가스의 유입과 유출을 매개하는 기능을 수행할 수 있다. 이를 위하여, 도시되지 않았지만, 매니폴드(600)에는 챔버(100)와 매니폴드(600)간의 접촉면을 밀봉하기 위한 실링 수단(미도시)이 설치될 수 있다.Meanwhile, referring to FIGS. 1 to 3, the batch type substrate processing apparatus 1 according to an exemplary embodiment of the present invention may include a manifold 600 disposed under the chamber 100. The manifold 600 may be disposed under the chamber 100 and may function to mediate the inflow and outflow of the process gas into the chamber 100 while isolating the interior of the chamber 100 from the external environment. For this purpose, although not shown, a sealing means (not shown) for sealing the contact surface between the chamber 100 and the manifold 600 may be installed in the manifold 600.

이때, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 복수개의 히터(300)는 매니폴드(600)를 관통한 상태로 배치될 수 있다. 이를 위하여, 매니폴드(600)에는 히터(300)가 관통되기 위한 관통홀(미도시)이 형성될 수 있다. 히터(300)가 매니폴드(600)를 관통하면서 매니폴드(600)와 밀착할 수 있도록 관통홀의 직경은 히터(300)의 외경[바람직하게는 제1 관(310)의 외경]과 실질적으로 동일한 것이 바람직하다.In this case, as shown in FIGS. 1 to 3, the plurality of heaters 300 may be disposed to pass through the manifold 600. To this end, a through hole (not shown) for penetrating the heater 300 may be formed in the manifold 600. The diameter of the through-hole is substantially the same as the outer diameter of the heater 300 (preferably the outer diameter of the first tube 310) so that the heater 300 can closely contact the manifold 600 while penetrating the manifold 600. It is preferable.

도 3에는 도시되지 않았지만, 매니폴드(600)는 가스 공급관(미도시) 및 가스 배기관(미도시)을 포함하여 구성될 수 있다. 가스 공급관은 외부로부터 공정 가스를 유입하는 기능을 수행할 수 있으며. 가스 배기관은 공정과 관련된 잔여 가스를 외부로 배기하는 기능을 수행할 수 있다. 가스 공급관 및 가스 배기관은 본 발명이 이용되는 목적에 따라 다양한 형상 및 개수를 가지며 매니폴드(600)에 설치될 수 있다.Although not shown in FIG. 3, the manifold 600 may include a gas supply pipe (not shown) and a gas exhaust pipe (not shown). The gas supply pipe may perform a function of introducing process gas from the outside. The gas exhaust pipe may serve to exhaust residual gas associated with the process to the outside. The gas supply pipe and the gas exhaust pipe may have various shapes and numbers according to the purpose of the present invention, and may be installed in the manifold 600.

한편, 도 3을 다시 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치(1)는 복수개의 고정부(350, 360)를 포함하여 구성될 수 있다. 고정부(350. 360)는 복수개의 히터(300) 중에서 하나의 히터(300)와 대응될 수 있다. 고정부(350)는 대응되는 히터(300)가 실질적으로 기판(10)이 안착되는 면에 대하여 수직을 유지할 수 있도록 히터(300)를 고정시키는 기능을 수행할 수 있다.Meanwhile, referring back to FIG. 3, the batch type substrate processing apparatus 1 according to the exemplary embodiment of the present invention may include a plurality of fixing parts 350 and 360. The fixing part 350. 360 may correspond to one heater 300 of the plurality of heaters 300. The fixing part 350 may perform a function of fixing the heater 300 so that the corresponding heater 300 may be substantially perpendicular to the surface on which the substrate 10 is seated.

도 3에 도시된 바와 같이, 고정부(350, 360)는 제1 고정부(350)와 제2 고정부(360)로 구성될 수 있다. 여기서, 제1 고정부(350)는 히터(300)와 직접적으로 접촉하면서 히터(300)가 기울어지는 것을 방지하는 역할을 수행할 수 있으며, 제2 고정부(360)는 제1 고정부(350)를 견고하게 고정시킴으로써 히터(300)가 기울어지는 것을 보다 효율적으로 방지하는 역할을 수행할 수 있다.As shown in FIG. 3, the fixing parts 350 and 360 may include a first fixing part 350 and a second fixing part 360. Here, the first fixing part 350 may serve to prevent the heater 300 from inclining while directly contacting the heater 300, and the second fixing part 360 may include the first fixing part 350. ) To firmly fix the heater 300 may serve to more effectively prevent the heater 300 from tilting.

먼저, 제1 고정부(350)에 대해서 살펴보기로 한다.First, the first fixing part 350 will be described.

도 3을 참조하면, 제1 고정부(350)는 히터(300)의 외주면을 감싸면서 매니폴드(600)의 하부면과 접촉할 수 있다. 이때, 매니폴드(600)에 형성된 관통홀의 중심축과 제1 고정부(350) 내경의 중심축은 서로 일치할 수 있다. 이에 따라 히터(300)는 제1 고정부(350)를 관통하고 이어서 매니폴더(600)를 관통한 상태로 배치될 수 있게 된다. 매니폴드(600)와 제1 고정부(350)를 견고하게 연결시키기 위하여 제1 고정부(350)의 배치시에 용접 공정이 수반될 수 있으며 경우에 따라서는 나사(미도시)를 이용하여 매니폴드(600)와 제1 고정부(350)를 결합시킬 수도 있다.Referring to FIG. 3, the first fixing part 350 may contact the lower surface of the manifold 600 while surrounding the outer circumferential surface of the heater 300. In this case, the central axis of the through hole formed in the manifold 600 and the central axis of the inner diameter of the first fixing part 350 may coincide with each other. Accordingly, the heater 300 may be disposed to pass through the first fixing part 350 and then pass through the manifold 600. In order to firmly connect the manifold 600 and the first fixing part 350, a welding process may be involved in arranging the first fixing part 350, and in some cases, a manifold may be formed using a screw (not shown). The fold 600 and the first fixing part 350 may be combined.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 고정부의 모습을 나타내는 도면이다.4 is a view showing a state of the fixing part according to an embodiment of the present invention.

보다 구체적으로, 도 4의 (a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 고정부의 구성을 나타내는 사시도이고, 도 4의 (b)는 (a)의 A 부분의 수직 단면을 나타내는 도면이며, 도 4의 (c)는 (a)의 B 부분의 수평 단면을 나타내는 도면이다.More specifically, Figure 4 (a) is a perspective view showing the configuration of the fixing unit according to an embodiment of the present invention, Figure 4 (b) is a view showing a vertical cross section of the portion A of (a), 4 (c) is a diagram illustrating a horizontal cross section of the portion B of (a).

도 4를 참조하면, 제1 고정부(350)는 소정의 길이를 가지는 하우징 형태로 구성될 수 있다. 이때, 도 4의 (b)를 참조하면, 제1 고정부(350)의 내부 공간(351)은 서로 다른 직경을 가지는 상측 공간(352)과 하측 공간(353)으로 구분될 수 있다. 보다 구제적으로, 제1 고정부(350)의 내부 공간은 히터(300)의 직경[바람직하게는 제1 관(310)의 직경]과 실질적으로 동일한 직경을 가지는 상측 공간(352)과 히터(300)의 직경 보다 다소 큰 직경을 가지는 하측 공간(353)으로 구분될 수 있다.Referring to FIG. 4, the first fixing part 350 may be configured in the form of a housing having a predetermined length. In this case, referring to FIG. 4B, the inner space 351 of the first fixing part 350 may be divided into an upper space 352 and a lower space 353 having different diameters. More specifically, the inner space of the first fixing part 350 is the upper space 352 and the heater having a diameter substantially the same as the diameter of the heater 300 (preferably the diameter of the first tube 310) ( It may be divided into the lower space (353) having a diameter somewhat larger than the diameter of 300).

이러한 구성에 의하여 히터(300)는 제1 고정부(350)의 상측 공간(352)을 관통하면서는 제1 고정부(350)와 밀착하게 되지만 하측 공간(353)을 관통하면서는 제1 고정부(350)와 밀착되지 아니하게 된다. 이에 따라 제1 고정부(350)의 하측 공간(353)의 직경과 히터(300)의 외경 차이만큼의 너비가 일정한 관 형태의 틈새 공간(354)이 형성되게 되는데 이러한 틈새 공간(354)으로 가스 실링 수단이 배치될 수 있다.By this configuration, the heater 300 is in close contact with the first fixing part 350 while penetrating the upper space 352 of the first fixing part 350, but the first fixing part is penetrating the lower space 353. It is not in close contact with 350. Accordingly, the gap space 354 of a tubular shape having a width equal to the difference between the diameter of the lower space 353 of the first fixing part 350 and the outer diameter of the heater 300 is formed, and the gas into the gap space 354. Sealing means can be arranged.

도 3을 다시 참조하면, 가스 실링 수단으로는 복수개의 오 링(370) 및 관 형태의 칼라(collar; 380)가 이용될 수 있다. 칼라(380)가 제1 고정부(350)의 내주면에 밀착될 수 있도록 칼라(380)의 외경은 제1 고정부(350)의 하측 공간(353)의 직경과 실질적으로 동일한 것이 바람직하다. 칼라(380) 및 오 링(370)은 히터(300)와 제1 고정부(350) 사이에 발생될 수 있는 틈새를 밀폐시켜 챔버(100) 내부로의 가스의 유입을 방지할 수 있다.Referring back to FIG. 3, a plurality of o rings 370 and a tubular collar 380 may be used as the gas sealing means. It is preferable that the outer diameter of the collar 380 is substantially the same as the diameter of the lower space 353 of the first fixing part 350 so that the collar 380 may be in close contact with the inner circumferential surface of the first fixing part 350. The collar 380 and the o-ring 370 may close a gap that may occur between the heater 300 and the first fixing part 350 to prevent the inflow of gas into the chamber 100.

도 3을 더 참조하면, 제1 고정부(350)의 하단에는 고정캡(390)이 더 설치될 수 있다. 보다 구체적으로, 제1 고정부(350)의 하단에는 제1 고정부(350)의 외주면 및 제1 고정부(350)에서 연장된 히터(300)의 외주면을 감싸는 고정캡(390)이 더 설치될 수 있다. 이러한 고정캡(390)에 의하여 오 링(370) 및 칼라(380)는 보다 견고하게 고정될 수 있으며 챔버(100)의 밀봉 효과는 더욱 극대화될 수 있다.Referring to FIG. 3 further, a fixing cap 390 may be further installed at the lower end of the first fixing part 350. More specifically, the lower end of the first fixing part 350 is further provided with a fixing cap 390 surrounding the outer circumferential surface of the first fixing part 350 and the outer circumferential surface of the heater 300 extending from the first fixing part 350. Can be. By the fixing cap 390, the o-ring 370 and the collar 380 may be more firmly fixed, and the sealing effect of the chamber 100 may be further maximized.

한편, 본 발명의 제1 고정부(350)에는 냉각수(PCW; Process Cooling Water)가 흐르는 구성이 채용될 수 있다. 이를 테면, 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 고정부(350)는 냉각수가 유입되는 냉각수 유입구(355), 유입된 냉각수가 순환되는 냉각 라인(356), 및 냉각 라인(356)을 통하여 순환된 냉각수가 배출되는 냉각수 배출구(357)를 포함하여 구성될 수 있다. 이 때, 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이, 냉각수 유입구(355), 냉각 라인(356) 및 냉각수 배출구(357)는 제1 고정부(350)의 외주면과 내주면 사이에 형성되는 것이 바람직하다. 여기서, 냉각수는 가스 실링 수단 등 제1 고정부(350) 주변의 구성 요소가 고온에 의하여 변형되는 것을 방지하는 기능을 수행할 수 있다.Meanwhile, a configuration in which process cooling water (PCW) flows may be employed in the first fixing part 350 of the present invention. For example, as illustrated in FIGS. 3 and 4, the first fixing part 350 of the present invention includes a coolant inlet 355 through which coolant is introduced, a cooling line 356 through which the introduced coolant is circulated, and a cooling line. The cooling water circulated through the 356 may be configured to include a cooling water outlet 357 is discharged. At this time, as shown in (c) of Figure 4, the cooling water inlet 355, the cooling line 356 and the cooling water outlet 357 is preferably formed between the outer peripheral surface and the inner peripheral surface of the first fixing part 350. Do. Here, the cooling water may perform a function of preventing the components around the first fixing part 350 such as the gas sealing means from being deformed by the high temperature.

다음으로, 제 2 고정부(360)에 대하여 살펴보기로 한다.Next, the second fixing part 360 will be described.

도 3을 참조하면, 제2 고정부(360)는 제1 고정부(350)의 외주면을 감싸면서 매니폴드(600)의 하부면과 접촉할 수 있다. 제2 고정부(360)가 제1 고정부(350)의 외주면에 밀착될 수 있도록 제2 고정부(360)의 내경은 제1 고정부(350)의 외경과 실질적으로 동일한 것이 바람직하다. 제1 고정부(350)와 유사하게 매니폴드(600)와 제2 고정부(360)를 견고하게 연결시키기 위하여 제2 고정부(360)의 배치시에 용접 공정이 수반될 수 있으며 경우에 따라서는 나사를 이용하여 매니폴드(600)와 제2 고정부(360)를 결합시킬 수도 있다.Referring to FIG. 3, the second fixing part 360 may contact the lower surface of the manifold 600 while surrounding the outer circumferential surface of the first fixing part 350. The inner diameter of the second fixing part 360 may be substantially the same as the outer diameter of the first fixing part 350 so that the second fixing part 360 may be in close contact with the outer circumferential surface of the first fixing part 350. Similar to the first fixing part 350, a welding process may be involved in arranging the second fixing part 360 to firmly connect the manifold 600 and the second fixing part 360, and in some cases The screw may couple the manifold 600 and the second fixing part 360 by using a screw.

한편, 도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치(1)는 서셉터(700)를 더 포함하여 구성될 수 있다. 여기서 서셉터(700)는 복수개의 기판이 안착된 보트(200)를 지지하는 기능을 수행할 수 있다. 서셉터(700)의 재질은 특별하게 한정되지 아니하나 석영 또는 세라믹과 같은 내열성이 우수한 재질로 서셉터(700)를 제조하는 것이 바람직하다.Meanwhile, referring back to FIGS. 1 and 2, the batch type substrate processing apparatus 1 according to the exemplary embodiment of the present invention may further include a susceptor 700. The susceptor 700 may perform a function of supporting the boat 200 on which the plurality of substrates are seated. Although the material of the susceptor 700 is not particularly limited, it is preferable to manufacture the susceptor 700 with a material having excellent heat resistance such as quartz or ceramic.

도 1 및 도 2를 더 참조하면, 서셉터(700)에는 서셉터 히터(710)가 설치될 수 있다. 서셉터 히터(710)는 봉형의 히터(300)에 보조하여 복수개의 기판(10)을 가열하는 기능을 수행할 수 있다. 서셉터 히터(710)는 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 판 형상의 스테인레스 스틸 재질의 발열체가 복수개로 적층되어 있는 구조로 서셉터(700) 내부에 설치될 수 있다.1 and 2, a susceptor heater 710 may be installed in the susceptor 700. The susceptor heater 710 may perform a function of heating the plurality of substrates 10 by assisting the rod-shaped heater 300. The susceptor heater 710 may be installed in the susceptor 700 in a structure in which a plurality of plate-shaped stainless steel heating elements are stacked as illustrated in FIGS. 1 and 2.

도 1을 더 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치(1)는 고정 플랜지(800)를 포함하여 구성될 수 있다. 고정 플랜지(800)는 보트(200)와 서셉터(700)가 배치되어 이들을 지지하는 기능을 수행할 수 있다. 또한, 고정 플랜지(800)는 보트(200)와 서셉터(700)를 지지한 상태에서 향후 설명될 승강부에 의해 상승 또는 하강하면서 챔버(100)에 기판(10)을 로딩하거나 챔버(100)로부터 기판(10)을 언로딩하는 기능을 수행할 수 있다. 챔버(100) 내에 기판(10) 로딩 과정이 완료되면 고정 플랜지(800)는 매니폴드(600)와 접하면서 챔버(100) 내부를 외부 환경과 격리시킬 수 있다.Referring to FIG. 1, the batch substrate processing apparatus 1 according to the exemplary embodiment of the present invention may include a fixing flange 800. The fixed flange 800 may be disposed to support the boat 200 and the susceptor 700 are supported. In addition, the fixing flange 800 loads the substrate 10 to the chamber 100 or raises or lowers the chamber 100 by raising or lowering the elevator 200 to be described later while supporting the boat 200 and the susceptor 700. The function of unloading the substrate 10 may be performed. When the loading process of the substrate 10 in the chamber 100 is completed, the fixing flange 800 may contact the manifold 600 to isolate the inside of the chamber 100 from the external environment.

한편, 도시되지 않았지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치(1)는 가스 분사관(미도시)을 더 포함하여 구성될 수 있다. 가스 분사관은 매니폴드(600)의 가스 공급관을 통하여 공정 가스를 전달 받아 챔버(100) 내부로 분사하는 기능을 수행할 수 있다. 이때 챔버(100) 내부로 분사되는 공정 가스의 종류는 특별하게 한정되지 아니하며 배치식 기판처리 장치(1)가 이용되는 목적에 따라 다양하게 변경될 수 있다.On the other hand, although not shown, the batch type substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may further include a gas injection tube (not shown). The gas injection pipe may perform a function of receiving the process gas through the gas supply pipe of the manifold 600 and injecting it into the chamber 100. In this case, the type of process gas injected into the chamber 100 is not particularly limited and may be variously changed according to the purpose of the batch type substrate processing apparatus 1.

또한, 도시되지 않았지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판처리 장치(1)는 승강부를 포함하여 구성될 수 있다. 승강부는 서셉터(700)의 하부에서 보트(200) 및 서셉터(700)를 지지하며 보트(200) 및 서셉터(700)를 챔버(100) 내부로 또는 외부로 이송시키는 기능을 수행할 수 있다. 보다 구체적으로, 승강부는 챔버(100)의 하부에서 챔버(100)와 일정한 거리를 가지면서 보트(200) 및 서셉터(700)를 지지하고 있다가 기판(10)의 보트(200)로의 로딩이 완료되면 상향 이동하여 보트(200) 및 서셉터(700)를 챔버(100) 내부로 이송시키고 기판처리가 완료되면 하향 이동하여 보트(200) 및 서셉터(700)를 챔버(100) 외부로 이송시키는 기능을 수행할 수 있다.In addition, although not shown, the batch type substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention may be configured to include a lifting unit. The lifting unit supports the boat 200 and the susceptor 700 at the bottom of the susceptor 700, and performs the function of transferring the boat 200 and the susceptor 700 into or out of the chamber 100. have. More specifically, the lifting unit supports the boat 200 and the susceptor 700 while having a predetermined distance from the chamber 100 at the lower portion of the chamber 100, and then loading of the substrate 10 into the boat 200 is prevented. When completed, the upward movement moves the boat 200 and the susceptor 700 into the chamber 100, and when the substrate processing is completed, the downward movement moves the boat 200 and the susceptor 700 out of the chamber 100. To perform the function.

본 발명은 상술한 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변형과 변경이 가능하다. 그러한 변형예 및 변경예는 본 발명과 첨부된 특허청구범위의 범위 내에 속하는 것으로 보아야 한다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken in conjunction with the present invention. Variations and changes are possible. Such modifications and variations are intended to fall within the scope of the invention and the appended claims.

1: 기판처리 장치
10: 기판
100: 챔버
200: 보트
300: 히터
310: 제1 관
320: 제2 관
330: 열선
340: 단자
350: 제1 고정부
355: 냉각수 유입구
356: 냉각 라인
357: 냉각수 배출구
360: 제2 고정부
370: 오 링
380: 칼라
390: 고정캡
400: 단열부
410: 덕트
420: 통로
500: 외부 커버
600: 매니폴드
700: 서셉터
710: 서셉터 히터
800: 고정 플랜지1: substrate processing apparatus
10: Substrate
100: chamber
200: boat
300: heater
310: first tube
320: second tube
330: heating wire
340: terminal
350: first fixing part
355: coolant inlet
356: cooling line
357: coolant outlet
360: second fixing part
370: o ring
380 color
390: fixed cap
400: heat insulation
410: duct
420: passage
500: outer cover
600: manifold
700: susceptor
710: susceptor heater
800: fixed flange

Claims (11)

복수개의 기판을 동시에 기판처리할 수 있는 배치식 기판처리 장치로서,
상기 복수개의 기판에 대하여 기판처리 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버의 내측에 배치되고 상기 복수개의 기판이 로딩되어 지지되는 보트;
상기 챔버의 내측에 배치되고 상기 복수개의 기판을 가열하는 복수개의 봉형 히터; 및
상기 챔버의 외측에 상기 챔버와 일정한 간격을 가지면서 배치되는 단열부
를 포함하며,
상기 챔버와 상기 단열부 사이로는 냉각 가스가 공급될 수 있는 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리 장치.A batch substrate processing apparatus capable of simultaneously processing a plurality of substrates,
A chamber providing a substrate processing space for the plurality of substrates;
A boat disposed inside the chamber and configured to load and support the plurality of substrates;
A plurality of rod heaters disposed inside the chamber and heating the plurality of substrates; And
An insulation part disposed at an outer side of the chamber at regular intervals from the chamber;
Including;
And a cooling gas can be supplied between the chamber and the heat insulating part. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 히터는 제1 관 및 상기 제1관의 내부에 배치되는 코일형 열선을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리 장치.The method of claim 1,
The heater is a batch type substrate processing apparatus, characterized in that it comprises a first tube and a coiled hot wire disposed inside the first tube. 제4항에 있어서,
상기 히터는 상기 제1 관의 내부에 상기 제1 관과 일정한 간격을 가지면서 배치되는 제2관을 더 포함하며, 상기 코일형 열선은 상기 제2 관의 외주면에 감기면서 배치되는 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리 장치.The method of claim 4, wherein
The heater further includes a second tube disposed inside the first tube with a predetermined distance from the first tube, wherein the coiled heating wire is disposed while winding on the outer peripheral surface of the second tube. Batch substrate processing apparatus. 제1항에 있어서,
상기 복수개의 히터는 서로 일정한 간격을 가지면서 상기 보트의 주위를 둘러싸면서 배치되는 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리 장치.The method of claim 1,
And the plurality of heaters are disposed to surround the boat while having a predetermined distance from each other. 제1항에 있어서,
상기 보트의 하부에서 상기 보트를 지지하는 서셉터를 더 포함하며, 상기 서셉터의 내부에는 상기 복수개의 기판을 가열하는 서셉터 히터가 배치되는 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리 장치.The method of claim 1,
And a susceptor for supporting the boat at a lower portion of the boat, wherein a susceptor heater for heating the plurality of substrates is disposed in the susceptor. 제1항에 있어서,
상기 챔버의 하부에 배치되어 상기 챔버로 공정 가스의 유입 및 유출을 매개하는 매니폴드(manifold)를 더 포함하며, 상기 히터는 상기 매니폴드를 관통한 상태로 배치되는 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리 장치.The method of claim 1,
And a manifold disposed under the chamber to mediate inflow and outflow of process gas into the chamber, wherein the heater is disposed through the manifold. Device. 제8항에 있어서,
상기 매니폴드를 관통한 상기 히터의 외주면을 감싸도록 배치되어 상기 히터가 기울어지는 것을 방지하는 고정부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리 장치.The method of claim 8,
And a fixing part disposed to surround an outer circumferential surface of the heater passing through the manifold to prevent the heater from tilting. 제9항에 있어서,
상기 고정부는 상기 챔버의 밀봉을 위한 가스 실링 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리 장치.10. The method of claim 9,
And said fixing part comprises gas sealing means for sealing said chamber. 제9항에 있어서,
상기 고정부는 냉각수가 유입되기 위한 냉각수 유입구를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판처리 장치.10. The method of claim 9,
The fixed part is a batch type substrate processing apparatus, characterized in that it comprises a cooling water inlet for the cooling water inlet.
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