JP2011510427A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
Description
なおも図12を参照するに、“記憶装置の容量を選択してください”という要求から明らかなように、顧客は、注文の一部として、どのような容量の記憶装置を欲するかに関する細目を入力する必要がある。図示した例において、顧客は欲する記憶装置の容量に関して5つの選択肢1210a−1210eを有している。選択肢1210a及び1210eは2のべき乗の容量である。選択肢1210b、1210c及び1210dは2のべき乗でない容量である。
Claims (26)
- 不揮発性記憶装置であって:
各ブロックが多数のページに分割されている複数のブロックを含む少なくとも1つのプレーンであり、各ブロックが、第1の次元に沿って、データを格納する第1の数のメモリセルによって定められ、第2の次元に沿って、データを格納する第2の数のメモリセルによって定められ、当該記憶装置が、当該プレーンのデータセクション内のメモリセルの総数と比例関係にある2のべき乗でない容量を有する、少なくとも1つのプレーン;及び
ページの数に対するローデコーダの数に関して、当該記憶装置内で、少なくとも実質的に1対1の関係が存在する複数のローデコーダであり、各ローデコーダが当該記憶装置の関連するページ上での読み出し動作を促すように構成された、複数のローデコーダ;
を有する不揮発性記憶装置。 - 前記複数のローデコーダは、2のべき乗でない個数のローデコーダである、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記少なくとも1つのプレーンは3つ以上のプレーンである、請求項1又は2に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記読み出し動作などの当該記憶装置の動作において必要とされる高電圧を供給する、前記プレーンの数より少ない個数の高電圧発生器、を更に有する請求項3に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記3つ以上のプレーンは、2のべき乗でない個数のプレーンである、請求項3又は4に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記読み出し動作などの当該記憶装置の動作において必要とされる高電圧を供給する、前記プレーンの数と等しい個数の高電圧発生器、を更に有する請求項1乃至3の何れか一項に記載の不揮発性記憶装置。
- フラッシュメモリデバイスである請求項1乃至6の何れか一項に記載の不揮発性記憶装置。
- NANDフラッシュメモリデバイスである請求項1乃至6の何れか一項に記載の不揮発性記憶装置。
- 各ブロックが多数のページに分割されている複数のブロックを含む少なくとも1つのプレーンを有する少なくとも1つの不揮発性記憶装置であり、各ブロックが、第1の次元に沿って、データを格納する第1の数のメモリセルによって定められ、第2の次元に沿って、データを格納する第2の数のメモリセルによって定められ、当該記憶装置が、前記プレーンのデータセクション内のメモリセルの総数と比例関係にある2のべき乗でない容量を有する、少なくとも1つの不揮発性記憶装置;及び
前記記憶装置と通信するコントローラであり、当該コントローラは、マップテーブルを格納する記憶部と、該マップテーブルにアクセスし、論理アドレスの物理アドレスへの翻訳を実行する管理モジュールとを含み、前記記憶装置の前記2のべき乗でない容量に起因する無効な物理アドレスが前記マップテーブルにてマッピング・アウトされる、コントローラ;
を有するメモリシステム。 - 前記記憶装置は複数のローデコーダを含み、ページの数に対するローデコーダの数に関して、前記記憶装置内で、少なくとも実質的に1対1の関係が存在し、各ローデコーダが前記記憶装置の関連するページ上での読み出し動作を促すように構成されている、請求項9に記載のメモリシステム。
- 前記複数のローデコーダは、2のべき乗でない個数のローデコーダである、請求項10に記載のメモリシステム。
- 前記少なくとも1つのプレーンは3つ以上のプレーンである、請求項9乃至11の何れか一項に記載のメモリシステム。
- 前記記憶装置は、当該記憶装置の読み出し動作及びその他の動作において必要とされる高電圧を供給する、前記プレーンの数より少ない個数の高電圧発生器を含む、請求項12に記載のメモリシステム。
- 前記3つ以上のプレーンは、2のべき乗でない個数のプレーンである、請求項12又は13に記載のメモリシステム。
- 前記記憶装置はNANDフラッシュメモリデバイスであり、前記記憶部はスタティック・ランダムアクセスメモリ(SRAM)であり、前記管理モジュールは、NANDフラッシュ・トランスレーション・レイヤ(NFTL)に従って論理アドレスの物理アドレスへの翻訳を取り扱うアロケータを含む、請求項9乃至14の何れか一項に記載のメモリシステム。
- 前記記憶装置はフラッシュメモリデバイスである、請求項9乃至14の何れか一項に記載のメモリシステム。
- メモリコントローラのランダムアクセスメモリに格納されたメモリコントローラテーブルをデータで充たす方法であって、前記メモリコントローラは、当該メモリコントローラの管理機能のために前記データを記憶する少なくとも1つのメモリセルアレイを有する少なくとも1つの不揮発性記憶装置と通信し、当該方法は:
前記少なくとも1つのメモリセルアレイから前記データを取り出す段階であり、前記少なくとも1つのメモリセルアレイは2のべき乗でない容量を有する、取り出す段階;
前記メモリコントローラ内で前記データを処理して、前記少なくとも1つのメモリセルアレイの前記2のべき乗でない容量に起因する無効な物理アドレスを決定する段階;及び
前記無効な物理アドレスをマッピング・アウトするように前記メモリコントローラテーブルを変更する段階;
を有する、方法。 - 前記少なくとも1つのメモリセルアレイは3以上の数のメモリセルアレイであり、前記3以上の数は2のべき乗でない数である、請求項17に記載の方法。
- 不良メモリセルをマッピング・アウトするように同一のメモリコントローラテーブルを変更する段階、を更に有する請求項17又は18に記載の方法。
- 前記データは前記少なくとも1つのメモリセルアレイのページ群のスペアフィールドから取り出される、請求項17乃至19の何れか一項に記載の方法。
- インターネットを介して伝送される通信の送信及び受信を行うことが可能なネットワークであって:
少なくとも1つのサーバ;及び
前記サーバと通信する少なくとも1つのデータ記憶装置;
を有し、
前記サーバは:i)2のべき乗でない容量を有する少なくとも1つの不揮発性メモリチップ、を含む少なくとも1つの品目の注文に対応する情報を含むデータを受信し;ii)前記データを処理して、前記データを前記少なくとも1つのデータ記憶装置での格納に適したものにし;且つiii)受注確認を顧客に提供するために、インターネットを介した伝送に適応された電子的な通知を生成する、
ネットワーク。 - 前記サーバは記憶装置製造会社のサーバである、請求項21に記載のネットワーク。
- 前記電子的な通知は電子メールである、請求項21に記載のネットワーク。
- 前記顧客は企業体である、請求項21に記載のネットワーク。
- 前記不揮発性メモリチップは2のべき乗でない個数のローデコーダを有する、請求項21に記載のネットワーク。
- 前記不揮発性メモリチップは2のべき乗でない個数のプレーンを有する、請求項21に記載のネットワーク。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US2166208P | 2008-01-17 | 2008-01-17 | |
US12/042,551 US7813212B2 (en) | 2008-01-17 | 2008-03-05 | Nonvolatile memory having non-power of two memory capacity |
PCT/CA2008/002206 WO2009089612A1 (en) | 2008-01-17 | 2008-12-16 | Nonvolatile semiconductor memory device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011510427A true JP2011510427A (ja) | 2011-03-31 |
JP2011510427A5 JP2011510427A5 (ja) | 2012-05-10 |
Family
ID=40877399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010542485A Pending JP2011510427A (ja) | 2008-01-17 | 2008-12-16 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7813212B2 (ja) |
EP (1) | EP2235721A4 (ja) |
JP (1) | JP2011510427A (ja) |
KR (1) | KR20100112109A (ja) |
CN (1) | CN101911202A (ja) |
TW (2) | TWI482173B (ja) |
WO (1) | WO2009089612A1 (ja) |
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- 2008-12-16 JP JP2010542485A patent/JP2011510427A/ja active Pending
- 2008-12-16 CN CN2008801247894A patent/CN101911202A/zh active Pending
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- 2008-12-16 EP EP08871140A patent/EP2235721A4/en not_active Withdrawn
- 2008-12-16 US US12/812,500 patent/US8533405B2/en active Active
- 2008-12-16 WO PCT/CA2008/002206 patent/WO2009089612A1/en active Application Filing
- 2008-12-30 TW TW097151473A patent/TWI482173B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-12-30 TW TW104101212A patent/TW201519252A/zh unknown
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