JP2011253607A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012061633A2 (en) 2010-11-03 2012-05-10 Netlist, Inc. Method and apparatus for optimizing driver load in a memory package
JP6083576B2 (ja) * 2011-12-23 2017-02-22 インテル・コーポレーション メモリデバイス、方法、およびシステム
KR20130098681A (ko) * 2012-02-28 2013-09-05 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치
US9312257B2 (en) 2012-02-29 2016-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9298573B2 (en) 2012-03-30 2016-03-29 Intel Corporation Built-in self-test for stacked memory architecture
JP2014063974A (ja) * 2012-08-27 2014-04-10 Ps4 Luxco S A R L チップ積層体、該チップ積層体を備えた半導体装置、及び半導体装置の製造方法
TWI501361B (zh) 2012-12-27 2015-09-21 財團法人工業技術研究院 矽穿孔修補電路
US9679615B2 (en) 2013-03-15 2017-06-13 Micron Technology, Inc. Flexible memory system with a controller and a stack of memory
US8890607B2 (en) 2013-03-15 2014-11-18 IPEnval Consultant Inc. Stacked chip system
US9136843B2 (en) 2013-04-21 2015-09-15 Industrial Technology Research Institute Through silicon via repair circuit of semiconductor device
KR102273094B1 (ko) * 2013-05-16 2021-07-05 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 영역-특정 메모리 액세스 스케줄링을 가진 메모리 시스템
US9170296B2 (en) 2013-08-06 2015-10-27 Globalfoundries U.S.2 Llc Semiconductor device defect monitoring using a plurality of temperature sensing devices in an adjacent semiconductor device
KR102104578B1 (ko) * 2013-08-30 2020-04-27 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 비트 인버전 기능을 갖는 반도체 장치
KR102111742B1 (ko) 2014-01-14 2020-05-15 삼성전자주식회사 적층 반도체 패키지
KR101583939B1 (ko) 2014-06-10 2016-01-22 한양대학교 에리카산학협력단 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
KR102125340B1 (ko) 2014-06-19 2020-06-23 삼성전자주식회사 신호 전달을 위한 주 경로 및 우회 경로를 갖는 집적 회로 및 그것을 포함하는 집적 회로 패키지
KR20160006991A (ko) * 2014-07-10 2016-01-20 에스케이하이닉스 주식회사 복수의 채널 및 관통 비아를 포함하는 반도체 장치
KR101503737B1 (ko) * 2014-07-15 2015-03-20 연세대학교 산학협력단 반도체 장치
KR102313949B1 (ko) * 2014-11-11 2021-10-18 삼성전자주식회사 스택 반도체 장치 및 이를 포함하는 메모리 장치
TWI556247B (zh) 2014-11-12 2016-11-01 財團法人工業技術研究院 錯誤容忍穿矽孔介面及其控制方法
US9627088B2 (en) * 2015-02-25 2017-04-18 Ememory Technology Inc. One time programmable non-volatile memory and read sensing method thereof
US10832127B2 (en) * 2015-11-30 2020-11-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional integration of neurosynaptic chips
WO2017137015A2 (zh) * 2016-02-13 2017-08-17 成都海存艾匹科技有限公司 含有三维存储阵列的处理器
KR102451996B1 (ko) * 2016-03-31 2022-10-07 삼성전자주식회사 기준 전압의 셀프 트레이닝을 수행하는 수신 인터페이스 회로 및 이를 포함하는 메모리 시스템
KR102416942B1 (ko) * 2017-11-13 2022-07-07 에스케이하이닉스 주식회사 적층 반도체 장치 및 반도체 시스템
KR102498883B1 (ko) * 2018-01-31 2023-02-13 삼성전자주식회사 전류를 분산시키는 관통 전극들을 포함하는 반도체 장치
KR20190105346A (ko) * 2018-03-05 2019-09-17 삼성전자주식회사 메모리 패키지 및 메모리 장치
KR102471416B1 (ko) * 2018-05-23 2022-11-29 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치 및 이를 포함하는 메모리 모듈
US12300688B2 (en) * 2018-07-02 2025-05-13 Shanghai Denglin Technologies Co. Ltd Configurable random-access memory (RAM) array including through-silicon via (TSV) bypassing physical layer
CN109817540B (zh) * 2019-01-30 2021-06-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆检测缺陷的分类方法
US11164856B2 (en) 2019-09-19 2021-11-02 Micron Technology, Inc. TSV check circuit with replica path
KR102818456B1 (ko) * 2019-09-23 2025-06-10 삼성전자주식회사 솔리드 스테이트 드라이브 장치 및 그 제조 방법
US10916489B1 (en) * 2019-10-02 2021-02-09 Micron Technology, Inc. Memory core chip having TSVS
US11393790B2 (en) * 2019-12-06 2022-07-19 Micron Technology, Inc. Memory with TSV health monitor circuitry
KR102728552B1 (ko) * 2019-12-23 2024-11-12 에스케이하이닉스 주식회사 적층형 반도체 장치 및 이의 테스트 방법
US12477751B2 (en) 2022-04-14 2025-11-18 Samsung Electronics Co., Ltd. SRAM device and 3D semiconductor integrated circuit thereof
JP2025068884A (ja) * 2023-10-17 2025-04-30 国立大学法人東京科学大学 半導体装置および半導体チップ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004095799A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JP4063796B2 (ja) 2004-06-30 2008-03-19 日本電気株式会社 積層型半導体装置
WO2007032184A1 (ja) * 2005-08-23 2007-03-22 Nec Corporation 半導体装置、半導体チップ、チップ間配線のテスト方法、および、チップ間配線切り替え方法
JP4708176B2 (ja) 2005-12-08 2011-06-22 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置
US7494846B2 (en) * 2007-03-09 2009-02-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Design techniques for stacking identical memory dies
KR100909902B1 (ko) * 2007-04-27 2009-07-30 삼성전자주식회사 플래쉬 메모리 장치 및 플래쉬 메모리 시스템
KR101519440B1 (ko) 2007-10-04 2015-05-13 삼성전자주식회사 구성 가능한 수직 입출력 라인을 가지는 적층된 반도체 장치 및 그 방법
US7816934B2 (en) * 2007-10-16 2010-10-19 Micron Technology, Inc. Reconfigurable connections for stacked semiconductor devices
US8756486B2 (en) * 2008-07-02 2014-06-17 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for repairing high capacity/high bandwidth memory devices
JP5632584B2 (ja) * 2009-02-05 2014-11-26 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． 半導体装置
JP5564230B2 (ja) * 2009-10-09 2014-07-30 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル 積層型半導体装置
US8866303B2 (en) * 2010-06-17 2014-10-21 Conversant Intellectual Property Management Inc. Semiconductor device with configurable through-silicon vias
KR20130011138A (ko) * 2011-07-20 2013-01-30 삼성전자주식회사 모노 랭크와 멀티 랭크로 호환 가능한 메모리 장치
JP2014236186A (ja) * 2013-06-05 2014-12-15 ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルＰＳ４ Ｌｕｘｃｏ Ｓ．ａ．ｒ．ｌ． 半導体装置

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