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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5315513B2 (ja) 2011-07-12 2013-10-16 丸文株式会社 発光素子及びその製造方法
WO2013134432A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 Soraa, Inc. Light emitting diodes with low refractive index material layers to reduce light guiding effects
WO2015008776A1 (ja) 2013-07-17 2015-01-22 丸文株式会社 半導体発光素子及び製造方法
JP5861947B2 (ja) * 2014-02-05 2016-02-16 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR101648079B1 (ko) * 2014-03-06 2016-08-12 마루분 가부시키가이샤 심자외 led 및 그 제조 방법
KR20190085170A (ko) * 2014-06-13 2019-07-17 우시오덴키 가부시키가이샤 질화물 반도체 발광 소자
JP2016039326A (ja) * 2014-08-08 2016-03-22 ウシオ電機株式会社 窒化物半導体発光素子
TWI577046B (zh) * 2014-12-23 2017-04-01 錼創科技股份有限公司 半導體發光元件及其製作方法
KR101848034B1 (ko) 2015-01-16 2018-04-11 마루분 가부시키가이샤 심자외 led 및 그 제조 방법
JP5953447B1 (ja) * 2015-02-05 2016-07-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP2017050439A (ja) * 2015-09-03 2017-03-09 豊田合成株式会社 紫外発光素子およびその製造方法
KR102056414B1 (ko) 2015-09-03 2020-01-22 마루분 가부시키가이샤 심자외 led 및 그 제조 방법
CN108140695B (zh) 2015-09-17 2021-02-09 晶体公司 包含二维空穴气体的紫外发光器件
CN107534072B (zh) 2016-03-30 2019-04-19 丸文株式会社 深紫外led及其制造方法
AT519500B1 (de) * 2017-01-03 2019-03-15 Univ Linz Lichtemittierendes Halbleiterelement
JP6438542B1 (ja) * 2017-07-27 2018-12-12 日機装株式会社 半導体発光素子
JP7316610B6 (ja) 2018-01-26 2024-02-19 丸文株式会社 深紫外ｌｅｄ及びその製造方法
JP2020021798A (ja) * 2018-07-31 2020-02-06 日機装株式会社 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
JP7140978B2 (ja) * 2019-05-27 2022-09-22 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2023184298A (ja) * 2022-06-17 2023-12-28 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子及びその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3439161B2 (ja) * 1999-08-03 2003-08-25 三洋電機株式会社 窒化物系発光素子
JP3614070B2 (ja) 2000-01-17 2005-01-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光ダイオード
JP2003017741A (ja) * 2001-03-21 2003-01-17 Furukawa Electric Co Ltd:The ＧａＮ系発光素子
US6833564B2 (en) * 2001-11-02 2004-12-21 Lumileds Lighting U.S., Llc Indium gallium nitride separate confinement heterostructure light emitting devices
US7005685B2 (en) * 2002-02-28 2006-02-28 Shiro Sakai Gallium-nitride-based compound semiconductor device
JP2003289156A (ja) * 2002-03-28 2003-10-10 Stanley Electric Co Ltd 窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法及び化合物半導体発光素子
JP2003309071A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Mitsubishi Cable Ind Ltd ＧａＮ系半導体結晶基材
GB2407700A (en) * 2003-10-28 2005-05-04 Sharp Kk MBE growth of nitride semiconductor lasers
GB2407701A (en) * 2003-10-28 2005-05-04 Sharp Kk Manufacture of a semiconductor light-emitting device
JP5003527B2 (ja) * 2008-02-22 2012-08-15 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物発光素子、及びｉｉｉ族窒化物系半導体発光素子を作製する方法
JP2009224397A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Sharp Corp 発光装置およびこれを利用した照明装置、表示装置
JP5191843B2 (ja) * 2008-09-09 2013-05-08 株式会社東芝 半導体発光素子及びウェーハ
JP2010258096A (ja) * 2009-04-22 2010-11-11 Panasonic Electric Works Co Ltd 窒化物半導体発光素子

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