JP2004087565A5 - - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 9
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 7
- 150000002897 organic nitrogen compounds Chemical class 0.000 claims 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002243158A JP4284944B2 (ja) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002243158A JP4284944B2 (ja) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004087565A JP2004087565A (ja) | 2004-03-18 |
| JP2004087565A5 true JP2004087565A5 (enExample) | 2005-10-20 |
| JP4284944B2 JP4284944B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=32051987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002243158A Expired - Fee Related JP4284944B2 (ja) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4284944B2 (enExample) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4962829B2 (ja) * | 2004-08-30 | 2012-06-27 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP3816942B2 (ja) | 2004-10-27 | 2006-08-30 | 三菱電機株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
| JP4994656B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2012-08-08 | 三洋電機株式会社 | 光半導体素子の製造方法 |
| JP2008078186A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Mitsubishi Chemicals Corp | 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法 |
| JP5218117B2 (ja) * | 2008-03-18 | 2013-06-26 | 三菱電機株式会社 | 窒化物半導体積層構造及び光半導体装置並びにその製造方法 |
| JP5200829B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2013-06-05 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2011151074A (ja) * | 2010-01-19 | 2011-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 窒化物半導体装置の製造方法 |
| JP5896346B2 (ja) * | 2015-03-16 | 2016-03-30 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08316151A (ja) * | 1995-05-17 | 1996-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体の製造方法 |
| JPH09309796A (ja) * | 1996-05-23 | 1997-12-02 | Sony Corp | 窒素系iii−v族化合物半導体の成長方法 |
| JP3458625B2 (ja) * | 1996-11-13 | 2003-10-20 | ソニー株式会社 | 半導体の成長方法 |
| JP2001144325A (ja) * | 1999-11-12 | 2001-05-25 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
| JP3561243B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2004-09-02 | シャープ株式会社 | 化合物半導体の成長方法及び化合物半導体発光素子 |
-
2002
- 2002-08-23 JP JP2002243158A patent/JP4284944B2/ja not_active Expired - Fee Related
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