JP2011216865A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Landscapes
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Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011031260A JP2011216865A (ja) | 2010-03-17 | 2011-02-16 | 固体撮像装置 |
| US13/034,194 US9024405B2 (en) | 2010-03-17 | 2011-02-24 | Solid-state image sensor |
| CN201110060175.8A CN102194844B (zh) | 2010-03-17 | 2011-03-14 | 固态图像传感器 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010061233 | 2010-03-17 | ||
| JP2010061233 | 2010-03-17 | ||
| JP2011031260A JP2011216865A (ja) | 2010-03-17 | 2011-02-16 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011216865A true JP2011216865A (ja) | 2011-10-27 |
| JP2011216865A5 JP2011216865A5 (enExample) | 2014-04-03 |
Family
ID=44602630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011031260A Pending JP2011216865A (ja) | 2010-03-17 | 2011-02-16 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9024405B2 (enExample) |
| JP (1) | JP2011216865A (enExample) |
| CN (1) | CN102194844B (enExample) |
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- 2011-02-16 JP JP2011031260A patent/JP2011216865A/ja active Pending
- 2011-02-24 US US13/034,194 patent/US9024405B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-14 CN CN201110060175.8A patent/CN102194844B/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102194844A (zh) | 2011-09-21 |
| US20110227182A1 (en) | 2011-09-22 |
| CN102194844B (zh) | 2014-01-08 |
| US9024405B2 (en) | 2015-05-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140217 |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150105 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160119 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160401 |