JP2015076532A - 撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
0.50≦DLG3/DLG1≦1.50・・・(6a)
の関係を満足することが好ましい。さらに、
0.90≦DLG3/DLG1≦1.10・・・(6b)
の関係を満足することがより好ましい。
12 素子分離層
13 電極層
14 絶縁体膜
15 導電体部材
150 基準コンタクト
151 非基準コンタクト
31 第1配線層
32 第2配線層
40 誘電体部材40
1000 撮像装置
Claims (20)
- 画素回路が行列状に配された画素回路領域と、
前記画素回路領域の周辺に位置し周辺回路が配された周辺回路領域と、を備える撮像装置であって、
前記画素回路領域と前記周辺回路領域との間に位置して、前記画素回路領域および前記周辺回路領域と境界を成す中間領域をさらに備え、
前記画素回路領域には複数の導光部が設けられており、前記中間領域には複数のダミーの導光部と各々が前記画素回路の基準電位を供給するための複数のコンタクトとが設けられていることを特徴とする撮像装置。 - 前記画素回路領域、前記周辺回路領域および前記中間領域には、それぞれ半導体層と、前記半導体層の上に位置する絶縁体層が設けられており、
前記複数の導光部および前記複数のダミーの導光部の各々は、前記絶縁体層を貫通する誘電体部材である、請求項1に記載の撮像装置。 - 画素回路が行列状に配された画素回路領域と、
前記画素回路領域の周辺に位置し周辺回路が配された周辺回路領域と、を備える撮像装置であって、
前記画素回路領域と前記周辺回路領域との間に位置して、前記画素回路領域および前記周辺回路領域と境界を成す中間領域をさらに備え、
前記画素回路領域、前記周辺回路領域および前記中間領域には、それぞれ半導体層と、前記半導体層の上に位置する絶縁体層が設けられており、
前記中間領域には、各々が前記画素回路の基準電位を供給するための複数のコンタクトが設けられており、
前記画素回路領域および前記中間領域のそれぞれには、各々が前記絶縁体層を貫通する複数の誘電体部材が設けられていることを特徴とする撮像装置。 - 前記半導体層の受光面に沿った平面内において、前記中間領域に位置する前記誘電体部材の、前記中間領域の総面積に対する面積占有率は、前記画素回路領域における前記誘電体部材の前記画素回路領域の総面積に対する面積占有率の0.5倍以上1.5倍以下である、請求項2または3に記載の撮像装置。
- 前記半導体層の受光面に沿った平面内において、前記複数の画素回路の少なくとも1つの画素回路を包含する前記画素回路領域の区域を第1の区域とし、前記第1の区域の輪郭と合同な輪郭を有する前記中間領域の区域を第2の区域として、
前記第1の区域および前記第2の区域には前記誘電体部材が位置し、前記第2の区域における前記誘電体部材のパターンと前記第1の区域における前記誘電体部材のパターンとの一致率は50%以上である、請求項2乃至4のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記誘電体部材の誘電率は前記絶縁体層の誘電率よりも高い、請求項2乃至5のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記画素回路領域、前記周辺回路領域および前記中間領域には、前記半導体層に接続された導電体部材と、前記絶縁体層と前記半導体層との間に位置し、前記導電体部材が貫通した絶縁体膜が設けられており、
前記中間領域に位置する前記導電体部材の、前記中間領域の総面積に対する面積占有率は、前記画素回路領域に位置する前記導電体部材の、前記画素回路領域の総面積に対する面積占有率の0.5倍以上1.5倍以下である、請求項2乃至6のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記画素回路領域、前記周辺回路領域および前記中間領域には、半導体層の上に位置する1つの導電体層が設けられ、前記導電体層は、前記中間領域において前記画素回路と前記周辺回路とを接続する配線を含み、
前記中間領域に位置する前記導電体層の、前記中間領域の総面積に対する面積占有率は、前記画素回路領域における前記導電体層の前記画素回路領域の総面積に対する面積占有率の0.5倍以上1.5倍以下である、請求項2乃至6のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記半導体層の受光面に沿った平面内において、前記複数の画素回路の少なくとも1つの画素回路を包含する前記画素回路領域の区域を第1の区域とし、前記第1の区域の輪郭と合同な輪郭を有する前記中間領域の区域を第2の区域として、
前記第1の区域および前記第2の区域には導電体層が位置し、前記第2の区域における前記導電体層のパターンと前記第1の区域における前記導電体層のパターンとの一致率は50%以上である、請求項2乃至8のいずれか1項に記載の撮像装置。 - 前記導電体層は、前記中間領域から前記画素回路領域に渡って延在し、前記基準電位を供給する配線を含む、請求項8または9に記載の撮像装置。
- 前記画素回路領域、前記周辺回路領域および前記中間領域には、前記導電体層よりも前記半導体層の近くに位置する配線層が設けられ、前記配線層は、前記中間領域において前記画素回路と前記周辺回路とを接続する配線を含む、請求項8乃至10のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記絶縁体層は、前記導電体層と前記配線層との間に位置する、請求項11に記載の撮像装置。
- 前記中間領域に設けられた前記複数のコンタクトの数は、前記中間領域に設けられた前記複数のダミーの導光部の数よりも大きい、請求項1に記載の撮像装置。
- 前記中間領域に設けられた前記複数のコンタクトの数は、前記中間領域に設けられた前記複数の誘電体部材の数よりも大きい、請求項2乃至13のいずれか1項に記載の撮像装置、
- 前記画素回路領域に設けられた前記画素回路の基準電位を供給するためのコンタクトの数は前記画素回路領域に設けられた前記画素回路の数の1/3以下である、請求項1乃至14のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 前記画素回路領域は、受光可能な光電変換部および前記受光可能な光電変換部の電荷に基づく信号を生成する信号生成部を有する画素回路と、遮光された光電変換部および前記遮光された光電変換部の電荷に基づく信号を生成する信号生成部とを有する画素と、光電変換部を有さずに基準信号を生成する信号生成部を有する画素と、を含み、前記中間領域には画像を形成するための信号を出力する能動素子が設けられていない、請求項1乃至15のいずれか1項に記載の撮像装置。
- 撮像装置の製造方法であって、
前記撮像装置は、画素回路が行列状に配された画素回路領域と、前記画素回路領域の周辺に位置し周辺回路が配された周辺回路領域と、前記画素回路領域と前記周辺回路領域との間に位置して、前記画素回路領域および前記周辺回路領域と境界を成す中間領域を備え、
前記画素回路領域、前記周辺回路領域および前記中間領域には、それぞれ半導体層と、前記半導体層の上に位置する絶縁体層が設けられており、前記中間領域には、各々が前記画素回路の基準電位を供給するための複数のコンタクトが設けられており、前記画素回路領域および前記中間領域のそれぞれにおいて前記絶縁体層を貫通する孔を形成する工程と、前記孔に誘電体材料を埋め込む工程とを有することを特徴とする撮像装置の製造方法。 - 前記半導体層の受光面に沿った平面内において、前記中間領域に位置する前記の、前記中間領域の総面積に対する面積占有率は、前記画素回路領域における前記孔の前記画素回路領域の総面積に対する面積占有率の0.5倍以上1.5倍以下である、請求項17に記載の撮像装置の製造方法。
- 前記半導体層の受光面に沿った平面内において、前記複数の画素回路の少なくとも1つの画素回路を包含する前記画素回路領域の区域を第1の区域とし、前記第1の区域の輪郭と合同な輪郭を有する前記中間領域の区域を第2の区域として、
前記第1の区域および前記第2の区域には前記孔が位置し、前記第2の区域における前記孔のパターンと前記第1の区域における前記孔のパターンとの一致率は50%以上である、請求項17または18に記載の撮像装置の製造方法。 - 前記半導体層の受光面に沿った平面内において、前記複数の画素回路の少なくとも1つの画素回路を包含する前記画素回路領域の区域を第1の区域とし、前記第1の区域の輪郭と合同な輪郭を有する前記中間領域の区域を第2の区域として、
前記第1の区域および前記第2の区域には導電体層が位置し、前記第2の区域における前記導電体層のパターンと前記第1の区域における前記導電体層のパターンとの一致率は50%以上である、請求項16乃至19のいずれか1項に記載の撮像装置の製造方法。
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