JP2007128979A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】オプティカルブラック領域の保護膜の下に遮光膜が配置されることに起因する暗電流の不均一性の問題を解決する。
【解決手段】固体撮像装置は、受光部102が形成された半導体部材101と、半導体部材101の上方に配置された水素供給能力を有する保護膜108と、半導体部材101と保護膜108との間に配置された少なくとも2つの金属層105、107とを備える。半導体部材101と保護膜108との間に配置された各金属層105、107において、オプティカルブラック領域400内のパターンの密度と有効画素領域300内のパターンの密度とを略同一にする。
【選択図】図5
【解決手段】固体撮像装置は、受光部102が形成された半導体部材101と、半導体部材101の上方に配置された水素供給能力を有する保護膜108と、半導体部材101と保護膜108との間に配置された少なくとも2つの金属層105、107とを備える。半導体部材101と保護膜108との間に配置された各金属層105、107において、オプティカルブラック領域400内のパターンの密度と有効画素領域300内のパターンの密度とを略同一にする。
【選択図】図5
Description
本発明は、オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置及びその製造方法に関する。
固体撮像装置は、有効画素領域の周辺にオプティカルブラック領域を有する。オプティカルブラック領域は、有効画素と同一の構造の画素の上に金属遮光膜を配置して構成される場合が多い。オプティカルブラック領域の画素には、光が入射しないのでオプティカルブラック領域の画素は、黒信号レベルの基準を得るために使用される。(特許文献1参照。)
固体撮像装置には、デジタルカメラの普及に伴って高画素化、低コスト化が求められており、そのために画素サイズの縮小化が進んでいる。画素サイズの縮小における問題は、実効的な受光領域の縮小に伴う感度の低下である。感度の低下は、SN比の低下をもたらす。ノイズの主要因は、シリコン基板表面の酸化膜界面近傍のダングリングボンド(未結合手)に起因して発生する暗電流である。
固体撮像装置には、デジタルカメラの普及に伴って高画素化、低コスト化が求められており、そのために画素サイズの縮小化が進んでいる。画素サイズの縮小における問題は、実効的な受光領域の縮小に伴う感度の低下である。感度の低下は、SN比の低下をもたらす。ノイズの主要因は、シリコン基板表面の酸化膜界面近傍のダングリングボンド(未結合手)に起因して発生する暗電流である。
暗電流を防止する方法としては、保護膜として形成するシリコン窒化膜を水素供給源として、シリコン窒化膜の成膜工程中、又は成膜後のアロイ化工程等において、熱処理を行う方法が知られている。この熱処理によってシリコン窒化膜からシリコン基板に水素原子が移動してダングリングボンドと結合する。この結合によって界面準位が減少して暗電流が低減される。(特許文献2参照。)
また、有効画素領域とオプティカルブラック領域との水素供給量の差による暗電流のばらつきを低減するために、CCD型の固体撮像素子において、オプティカルブラック領域の遮光膜に開口を有する構成が知られている。(特許文献3参照。)
特開平06−260628号公報
特開平01−245528号公報
特開2001−230402号公報
また、有効画素領域とオプティカルブラック領域との水素供給量の差による暗電流のばらつきを低減するために、CCD型の固体撮像素子において、オプティカルブラック領域の遮光膜に開口を有する構成が知られている。(特許文献3参照。)
図6〜図8は、複数の配線層を有し、オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置の基本的な製造方法を示す図である。まず、図6に示すように、シリコンからなる半導体部材201に素子分離領域203によって分離された受光部202が形成される。ここで、複数の受光部202が行列状に配列される。次いで、受光部202が形成された半導体部材201の上にエッチングストッパ層220及び第1の絶縁膜204が順に形成される。エッチングストッパ層は、トレンチ状の素子分離領域を保護するために必要に応じて設けられるものである。
次いで、第1の絶縁膜204の上であって素子分離領域203の上方の領域内に第1のパターン205が形成される。次いで、第1の絶縁膜204及び第1のパターン205を覆うように第2の絶縁膜206が形成される。次いで、第2の絶縁膜206の上に第2のパターン207が形成される。ここで、第2のパターン207は、オプティカルブラック領域400においては、その全体を覆うように、有効画素領域300においては、素子分離領域203の上方など受光部以外の領域に配置される。有効画素領域300の受光部202には、第2のパターン207の間隙を通して光が入射する。第2のパターン207は、例えば、アルミニウムで構成され、オプティカルブラック領域400においては、遮光膜として機能する。
次いで、図7に示すように、第2の絶縁膜206及び第2のパターン207を覆うように保護膜208としてのシリコン窒化膜が形成される。次いで、アロイ化処理が実施される。アロイ化処理において、保護膜208としてのシリコン窒化膜中の水素原子が半導体部材201の方向に拡散する。
次いで、図8に示すように、保護膜208の上に中間層211、カラーフィルタ層212、平坦化層213、マイクロレンズ214が順に形成される。これにより、固体撮像装置が完成する。
上記の製造方法では、アロイ化処理において、図7の矢印で模式的に示すように水素原子が拡散すると考えられる。ここで、前述のように、オプティカルブラック領域400が完全に第2のパターン207で覆われている。したがって、オプティカルブラック領域400内の半導体部材に対する水素原子の供給は、水素原子の横方向の拡散のみによってなされるので、有効画素領域300内の半導体部材に対する水素原子の供給よりも少ないと考えられる。また、オプティカルブラック領域400内の半導体部材に対する水素原子の供給は、有効画素領域300から遠くなるにしたがって少なくなると考えられる。更に、有効画素領域300内の半導体部材に対する水素原子の供給も、オプティカルブラック領域300に近くなるにしたがって少なくなると考えられる。水素原子の供給が不十分であると、前述のようなダングリングボンドに起因する暗電流を低減することができない。
オプティカルブラック領域400に対する水素原子の供給の不足、及び、オプティカルブラック領域400及び有効画素領域300の周辺部に対する水素供給の不均一性は、図9に示すように、暗電流の不均一性をもたらす。このような暗電流の不均一性は、オプティカルブラック領域400を利用した黒信号レベルの基準決定を不完全にするほか、有効画素300の周辺部における黒信号レベルの不均一性をもたらし、ノイズの低減を困難にする。ノイズは、例えば、夜間の天体観測や望遠で高速撮影が要求されるスポーツシーンなど入射光量が極めて少ない場合において顕在化する。
また、上記の製造方法ではオプティカルブラック領域400の遮光層と有効画素領域300の最上層の配線とが第2のパターン207で形成される。配線を構成する第2のパターン207には、例えば、200〜800nm程度の厚さが要求されうる。第2のパターン207の上に保護膜208を介して形成される中間層211には、オプティカルブラック領域400と有効画素領域300とにおけるパターン密度差が反映される。したがって、中間層211は、オプティカルブラック領域400と有効画素領域300との境界領域を中心として段差又は傾斜を有することになる。すなわち、有効画素領域300では、第2のパターン207の間隙(開口部)が中間層211を形成する材料で埋め込まれるので、中間層211の表面の高さがオプティカルブラック領域400に対して低くなる。このような問題、第2のパターン207の厚さが大きくなるほど顕著になる。この段差又は傾斜は、その後に形成されるカラーフィルタ層212の膜厚分布にも影響を及ぼし、分光感度のばらつきをもたらすことから、有効画素領域300の周辺部における色シェーディングを増大させる。
本発明は、上記の課題認識を基礎としてなされたものであり、その主要な目的は、例えば、オプティカルブラック領域の保護膜の下に遮光膜が配置されることに起因する暗電流の不均一性の問題を解決することにある。
本発明の第1の側面は、オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置に係り、受光部が形成された半導体部材と、前記半導体部材の上方に配置された水素供給能力を有する保護膜と、前記半導体部材と前記保護膜との間に配置された少なくとも2つの金属層とを備え、前記半導体部材と前記保護膜との間に配置された各金属層において、前記オプティカルブラック領域内のパターンの密度と前記有効画素領域内のパターンの密度とが略同一であることを特徴とする。
本発明の好適な実施形態によれば、前記半導体部材と前記保護膜との間に配置された各金属層において、前記オプティカルブラック領域内のパターンのレイアウトと前記有効画素領域内のパターンのレイアウトとが略同一であることが好ましい。
本発明の好適な実施形態によれば、前記固体撮像装置は、前記保護膜の上方に前記オプティカルブラック領域を覆うように配置された遮光膜を更に備えることが好ましい。
本発明の好適な実施形態によれば、前記固体撮像装置は、前記保護膜及び前記遮光膜の上方に中間層を介してカラーフィルタ層を更に備えることが好ましい。
本発明の好適な実施形態によれば、前記遮光膜の厚さが200nm以下であることが好ましい。
本発明の好適な実施形態によれば、前記遮光膜がアルミニウムで構成され、厚さが80〜200nmの範囲内であることが好ましい。
本発明の好適な実施形態によれば、前記保護膜がシリコン窒化物を含むことが好ましい。
本発明の第2の側面は、オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置に係り、受光部が形成された半導体部材と、前記半導体部材の上方に配置された水素供給能力を有する保護膜と、前記半導体部材と前記保護膜との間に配置された少なくとも2つの金属層とを備え、前記半導体部材と前記保護膜との間に配置された各金属層が、前記オプティカルブラック領域内の受光部の鉛直上方に開口部を有することを特徴とする。
本発明の第3の側面は、オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置に係り、前記オプティカルブラック領域内の層数が前記有効画素領域内の層数よりも多いことを特徴とする。
本発明の第4の側面は、オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置に係り、前記有効画素領域に配置された少なくとも2つの金属層と、前記オプティカルブラック領域に配置された開口部を有する金属層と、前記有効画素領域内に配置された少なくとも2つの金属層のうち最上の金属層よりも上方の層として、前記有効画素領域及びオプティカルブラック領域に形成された水素供給能力を有する保護膜と、前記保護膜の上方に前記オプティカルブラック領域を覆うように形成された遮光膜とを備えることを特徴とする。
本発明の第5の側面は、オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置の製造方法に係り、半導体部材に受光部を形成する工程と、前記半導体部材の上方に金属層を形成する工程と、前記半導体部材の上方に水素供給能力を有する保護膜を形成する工程と、前記保護膜から水素を拡散させる工程と、前記保護膜の上方に前記オプティカルブラック領域を覆うように遮光膜を形成する工程とを含み、前記オプティカルブラック領域内の前記金属層が開口部を有することを特徴とする。
本発明によれば、有効画素領域とオプティカルブラック領域の暗電流の不均一性が低減される。
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
図1〜図4は、本発明の好適な実施形態のオプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置の製造方法を示す図である。なお、この実施形態は、例えば、CMOSイメージセンサ、CCDイメージセンサ等の種々の固体撮像装置に適用可能である。
まず、図1に示すように、シリコンからなる半導体部材101に素子分離領域103によって分離された受光部102が形成される。ここで、複数の受光部102が行列状に配列される。各受光部102は、入射した光を光電変換して電荷(電子及び正孔)を発生する。通常、一方の電荷(例えば電子)を信号電荷として、不図示の増幅部によって増幅されて画素信号として読み出される。
次いで、受光部102が形成された半導体部材101の上に必要に応じてエッチングストッパ層120が形成された後に、第1の絶縁膜104が形成される。ここで、第1の絶縁膜104は、例えば、熱酸化法、CVD法、スパッタリング法、又は塗布法等によって形成されうる。
次いで、第1の絶縁膜104の上に第1のパターン(第1の金属層)105が形成される。第1のパターン105は、有効画素領域300及びオプティカルブラック領域400の双方に形成され、画素を構成する配線パターン及び/又は画素に接続された配線パターンを含みうる。
第1のパターン105は、オプティカルブラック領域400において、受光部102の鉛直上方に開口部を有する。第1のパターン105は、有効画素領域300及びオプティカルブラック領域400とにおいて、ほぼ同一の密度で形成されることが好ましく、ほぼ同一形状のパターン(レイアウト)で形成されることが更に好ましい。ここで、密度とは、例えば、所定面積の領域を占めるパターンを構成する部分(金属)の面積として把握し得る。第1のパターン105は、受光部102に対する光の入射を妨げないように、素子分離領域103の上方の領域内に配置される。
第1のパターン105は、金属材料、例えば、Al、Mo、W、Ta、Ti及びCuからなるグループから選択される材料又はそれを主成分とする合金で形成されうる。第1のパターン105は、例えば、スパッタリング法、CVD法又は電解メッキ法等により金属膜を形成した後にこの金属膜をリソグラフィー技術によってパタニングすることによって形成されうる。
次いで、第1の絶縁膜104及び第1のパターン105を覆うように第2の絶縁膜106が形成される。第2の絶縁膜106は、例えば、CVD法、スパッタリング又は塗布法等によって形成されうる。
次いで、第2の絶縁膜106の上に第2のパターン(第2の金属層)107が形成される。第2のパターン107は、有効画素領域300及びオプティカルブラック領域400の双方に形成され、画素を構成する配線パターン及び/又は画素に接続された配線パターンを含みうる。なお、オプティカルブラック領域400に形成される第2のパターン107は、ダミーの配線パターンであってもよい。有効画素300内において、第2のパターン107は、受光部102に対する光の入射を妨げないように、素子分離領域103の上方の領域内に配置される。
第2のパターン107は、オプティカルブラック領域400において、受光部102の鉛直上方に開口部を有する。第2のパターン107は、有効画素領域300及びオプティカルブラック領域400とにおいて、ほぼ同一の密度で形成されることが好ましく、ほぼ同一形状のパターン(レイアウト)で形成されることが更に好ましい。
第2のパターン107は、金属材料、例えば、Al、Mo、W、Ta、Ti及びCuからなるグループから選択される材料又はそれを主成分とする合金で形成されうる。第2のパターン107は、例えば、スパッタリング法、CVD法又は電解メッキ法等により金属膜を形成した後にこの金属膜をリソグラフィー技術によってパタニングすることによって形成されうる。
次いで、図2に示すように、第2の絶縁膜106及び第2のパターン107を覆うように、水素供給能力を有する保護膜108としてのシリコン窒化膜が形成される。次いで、アロイ化処理が実施される。アロイ化処理において、図2に矢印によって模式的に示すように、保護膜108としてのシリコン窒化膜中の水素原子が半導体部材101の方向に拡散する。この際に、オプティカルブラック領域400において、水素原子は、第2のパターン107の開口部を通して半導体部材101に向かって拡散する。
前述のように、第1のパターン105は、有効画素領域300とオプティカルブラック領域400とにおいて、ほぼ同一の密度で形成されることが好ましく、ほぼ同一形状のパターンで形成されることが更に好ましい。また、第2のパターン107もまた、有効画素領域300とオプティカルブラック領域400とにおいて、ほぼ同一の密度で形成されることが好ましく、ほぼ同一形状のパターンで形成されることが更に好ましい。このように第1のパターン105及び第2のパターン107を構成することによって、有効画素領域300及びオプティカルブラック領域400の全体にわたって、ほぼ均一に水素原子を拡散させることができる。
次いで、図3に示すように、オプティカルブラック領域400の上方に保護膜108を覆うように遮光膜109が形成される。遮光膜109は、例えば、金属材料で構成されうる。金属材料としては、例えば、Al又はCr、若しくは、これを主成分とする合金であることが好ましい。遮光膜109は、例えば、金属膜等の遮光性の材料からなる膜をスパッタリング法、蒸着法等によって形成し、これをリソグラフィー技術によってパタニングすることによって形成されうる。或いは、遮光膜109は、リフトオフ法によって形成されてもよい。リフトオフ法では、有効画素領域300の領域にレジストパターンを形成した後に金属膜等の遮光性の膜を形成し、その後に、有機溶剤と超音波洗浄により有効画素領域300上のその膜のみが除去される。なお、遮光膜109は、遮光性を有する限りにおいて、金属以外の材料で構成されてもよい。
次いで、図7に示すように、保護膜108及び遮光膜109の上に中間層111、カラーフィルタ層112、平坦化層113、マイクロレンズ114が順に形成される。これにより、固体撮像装置が完成する。
図5は、有効画素領域とオプティカルブラック領域とにおいて、ほぼ同一の密度で第1のパターン及び第2のパターンがそれぞれ形成された固体撮像装置における暗電流の面内分布を模式的に示す図である。有効画素領域300及びオプティカルブラック領域400の全体にわたってほぼ均一に水素原子を拡散することによって、ダングリングボンドに起因する暗電流がほぼ均一に低減されるとともに、ほぼ均一なレベルになっている。
遮光膜109は、オプティカルブラック領域400の受光部102を遮光することを目的とするものである。例えば、厚さが80nmのアルミニウム膜は、λ=550nmの光の透過率が0.005%である。この程度の透過率を有する膜であれば、遮光膜109として採用することができる。すなわち、アルミニウムの膜であれば、厚さが80nm以上であれば、オプティカルブラック領域400の出力信号を黒信号レベルの基準として使用することができる。
一方、遮光膜108の膜厚が200nm以下であれば、オプティカルブラック領域400と有効画素領域300との境界領域における段差又は傾斜がカラーフィルタ層112の膜厚分布に与える影響が許容範囲内に収まる。すなわち、遮光膜108の膜厚が200nm以下であれば、分光感度のばらつきを実用上の許容範囲まで抑えることができる。したがって、色シェーディングの小さい固体撮像装置を提供することができる。
上記の固体撮像装置は、有効画素領域が2つの金属層を含んで構成され、オプティカルブラック領域が2つの金属層と遮光膜(例えば、金属膜)とを含んで構成されるので、オプティカルブラック領域内の層数が有効画素領域内の層数よりも多い。一般的な固体撮像装置においては、遮光層が有効画素領域の金属層と同層に同一工程で形成されるので、オプティカルブラック領域内の層数が有効画素領域内の層数と一致する。
上記の固体撮像装置は、半導体部材と保護膜との間に2つの金属層が配置されているが、3つ以上の金属層が配置されてもよい。
101:半導体部材
102:受光部
103:素子分離領域
104:第1の絶縁膜
105:第1のパターン
106:第2の絶縁膜
107:第2のパターン
108:保護膜
109:遮光膜
111:中間層
112:カラーフィルタ層
113:平坦化膜
114:マイクロレンズ、
300:有効画素領域
400:オプティカルブラック領域、
201:半導体部材
202:受光部
203:素子分離領域
204:第1の絶縁膜
205:第1のパターン
206:第2の絶縁膜
207:第2のパターン
208:保護膜
209:遮光膜
211:中間層
212:カラーフィルタ層
213:平坦化膜
214:マイクロレンズ
102:受光部
103:素子分離領域
104:第1の絶縁膜
105:第1のパターン
106:第2の絶縁膜
107:第2のパターン
108:保護膜
109:遮光膜
111:中間層
112:カラーフィルタ層
113:平坦化膜
114:マイクロレンズ、
300:有効画素領域
400:オプティカルブラック領域、
201:半導体部材
202:受光部
203:素子分離領域
204:第1の絶縁膜
205:第1のパターン
206:第2の絶縁膜
207:第2のパターン
208:保護膜
209:遮光膜
211:中間層
212:カラーフィルタ層
213:平坦化膜
214:マイクロレンズ
Claims (11)
- オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置であって、
受光部が形成された半導体部材と、
前記半導体部材の上方に配置された水素供給能力を有する保護膜と、
前記半導体部材と前記保護膜との間に配置された少なくとも2つの金属層と、
を備え、前記半導体部材と前記保護膜との間に配置された各金属層において、前記オプティカルブラック領域内のパターンの密度と前記有効画素領域内のパターンの密度とが略同一であることを特徴とする固体撮像装置。 - 前記半導体部材と前記保護膜との間に配置された各金属層において、前記オプティカルブラック領域内のパターンのレイアウトと前記有効画素領域内のパターンのレイアウトとが略同一であることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記保護膜の上方に前記オプティカルブラック領域を覆うように配置された遮光膜を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の固体撮像装置。
- 前記保護膜及び前記遮光膜の上方に中間層を介してカラーフィルタ層を更に備えることを特徴とする請求項3の固体撮像装置。
- 前記遮光膜の厚さが200nm以下であることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。
- 前記遮光膜がアルミニウムで構成され、厚さが80〜200nmの範囲内であることを特徴とする請求項3又は4に記載の固体撮像装置。
- 前記保護膜がシリコン窒化物を含むことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の固体撮像装置。
- オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置であって、
受光部が形成された半導体部材と、
前記半導体部材の上方に配置された水素供給能力を有する保護膜と、
前記半導体部材と前記保護膜との間に配置された少なくとも2つの金属層と、
を備え、前記半導体部材と前記保護膜との間に配置された各金属層が、前記オプティカルブラック領域内の受光部の鉛直上方に開口部を有することを特徴とする固体撮像装置。 - オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置であって、
前記オプティカルブラック領域内の層数が前記有効画素領域内の層数よりも多いことを特徴とする固体撮像装置。 - オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置であって、
前記有効画素領域に配置された少なくとも2つの金属層と、
前記オプティカルブラック領域に配置された開口部を有する金属層と、
前記有効画素領域内に配置された少なくとも2つの金属層のうち最上の金属層よりも上方の層として、前記有効画素領域及びオプティカルブラック領域に形成された水素供給能力を有する保護膜と、
前記保護膜の上方に前記オプティカルブラック領域を覆うように形成された遮光膜と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置。 - オプティカルブラック領域及び有効画素領域を有する固体撮像装置の製造方法であって、
半導体部材に受光部を形成する工程と、
前記半導体部材の上方に金属層を形成する工程と、
前記半導体部材の上方に水素供給能力を有する保護膜を形成する工程と、
前記保護膜から水素を拡散させる工程と、
前記保護膜の上方に前記オプティカルブラック領域を覆うように遮光膜を形成する工程と、
を含み、前記オプティカルブラック領域内の前記金属層が開口部を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
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