JP2011201771A5 - 合成石英ガラスの製造方法 - Google Patents
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本発明は、合成石英ガラスの製造方法に関するものであり、詳しくは、紫外線レーザと共に使用される光学部材等の材料として有用な合成石英ガラスの製造方法に関するものである。
本発明は上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、投影光学装置(ステッパ)の光学系を構成する光学部材(光学素子)等の材料として有用な、KrFエキシマレーザーやArFエキシマレーザーなどの短い波長を有する光源とともに用いる場合であっても光学系における十分に高い結像性能及び投影露光装置における十分に高い解像度を得ることが可能な合成石英ガラスの製造方法を提供することを目的とする。
すなわち、本発明の合成石英ガラスの製造方法は、ケイ素化合物と、酸素及び水素を含有する燃焼ガスと、をバーナから噴出させて前記ケイ素化合物を酸水素火炎中で加水分解させることにより石英ガラス微粒子を生成させた後、前記石英ガラス微粒子を前記バーナと対向するターゲット上に堆積させるとともに透明化して合成石英ガラスインゴットを得る第一のステップと、
前記第一のステップで得られた合成石英ガラスインゴット又は前記合成石英ガラスインゴットを切断加工して得られる合成石英ガラスブロックを900℃以上の範囲内にある第一の保持温度まで加熱し、所定の時間保持した後、500℃以下の温度まで10℃/h以下の降温速度で冷却する第二のステップと、
前記第二のステップで得られた合成石英ガラスインゴット又は合成石英ガラスブロックを500℃以上800℃以下の範囲内にある第二の保持温度まで加熱し、所定の時間保持した後、前記第二の保持温度より100℃低い温度まで50℃/h以上の降温速度で冷却する第三のステップと、
を含むものである。
前記第一のステップで得られた合成石英ガラスインゴット又は前記合成石英ガラスインゴットを切断加工して得られる合成石英ガラスブロックを900℃以上の範囲内にある第一の保持温度まで加熱し、所定の時間保持した後、500℃以下の温度まで10℃/h以下の降温速度で冷却する第二のステップと、
前記第二のステップで得られた合成石英ガラスインゴット又は合成石英ガラスブロックを500℃以上800℃以下の範囲内にある第二の保持温度まで加熱し、所定の時間保持した後、前記第二の保持温度より100℃低い温度まで50℃/h以上の降温速度で冷却する第三のステップと、
を含むものである。
これに対して、本発明の製造方法によれば、前記第一のステップで得られた合成石英ガラスインゴット又は前記合成石英ガラスインゴットを切断加工して得られる合成石英ガラスブロックを900℃以上の範囲内にある第一の保持温度まで加熱し、所定の時間保持した後、500℃以下の温度まで10℃/h以下の降温速度で冷却し、さらに、500℃以上800℃以下の範囲内にある第二の保持温度まで加熱し、所定の時間保持した後、前記第二の保持温度より100℃低い温度まで50℃/h以上の降温速度で冷却することによって、冷却過程における合成石英ガラスの温度分布に起因する複屈折値分布の不均質性に加えて、合成時の熱履歴や不純物の分布などに起因する符号付複屈折値の分布の不均質性をも改善することができるものと本発明者らは推察する。
また、本発明の製造方法において、降温速度とは、保持温度から所定の温度に到達するまでの平均の降温速度をいう。すなわち、本発明にかかる第二のステップにおいて、降温速度とは900℃以上の範囲内にある第一の保持温度から500℃以下の所定の温度までの冷却工程における平均の降温速度をいう。他方、本発明にかがる第三のステップにおいて、降温速度とは500℃以上800℃以下の範囲内にある第二の保持温度から100℃低い温度までの冷却工程における平均の降温速度をいい、冷却開始後100℃降温するまでに要した時間をt[h]で表すとき、降温速度は下記式:
(降温速度[℃/h])=100/t
で与えられる。
(降温速度[℃/h])=100/t
で与えられる。
ここで、前記第一の保持温度は、前述の通り900℃以上であり、好ましくは1000℃以上1200℃以下である。第一の保持温度が900℃未満であると、合成石英ガラスの複屈折値の分布の均質化が不十分となる。他方、第一の保持温度が1200℃を超えると、合成石英ガラス表面が変質したり水素等の含有ガスが放出されたりして物性変化を生じる傾向にある。
次に、本発明の製造方法における第三のステップ、すなわち、上記第二のステップで得られた合成石英ガラスを500℃以上800℃以下の範囲内にある第二の保持温度まで加熱し、所定の時間保持した後、前記第二の保持温度より100℃低い温度まで50℃/h以上の降温速度で冷却することによって、符号付複屈折値の分布が十分に均質化された合成石英ガラスを得ることができる。
ここで、前記第二の保持温度は、前述の通り500℃以上800℃以下であり、好ましくは600℃以上800℃以下である。第二の保持温度が500℃未満であると符号付複屈折値の分布の均質化が不十分となる。他方、第二の保持温度が1100℃を超えると、合成石英ガラス表面が変質したり水素等の含有ガスが放出されたりして物性変化を生じてしまう。
図10Aは、照明光学系302を図9のY方向からみた場合の正面図であり、図10Bは、照明光学系302を図9のX方向からみた場合の正面図である。なお、いずれの図においても照明光学系302に入射する露光光の一部を分岐して使用するアライメント系302を省略している。
比較例3
(熱処理1)
先ず、実施例1と同様にして作製した合成石英ガラスインゴットの上部及び下部からブロックを切り出し、それぞれ切断・丸め加工を施して直径300mm、厚さ80mmのブロックK及びLを得た。
(熱処理1)
先ず、実施例1と同様にして作製した合成石英ガラスインゴットの上部及び下部からブロックを切り出し、それぞれ切断・丸め加工を施して直径300mm、厚さ80mmのブロックK及びLを得た。
(熱処理2)
このようにして得られたブロックK及びLを、図5に示す熱処理装置を用いて400℃に加熱し、同温で30分間保持した後、炉内で降温速度280℃/hで冷却した。この工程におけるブロックの表面温度と時間との関係を図20に示す。また、このようにして得られたブロックK及びLの符号付複屈折値の分布を図21Bに示す。ブロックKの場合は中心から径方向に単調増加し、さらに極大点を超えて単調減少する符号付複屈折値の分布を示し、その最大値は+1.7nm/cmであった。また、ブロックLの場合は中心から径方向に単調減少する符号付複屈折値の分布を示し、その最小値は−1.8nm/cmであった。
このようにして得られたブロックK及びLを、図5に示す熱処理装置を用いて400℃に加熱し、同温で30分間保持した後、炉内で降温速度280℃/hで冷却した。この工程におけるブロックの表面温度と時間との関係を図20に示す。また、このようにして得られたブロックK及びLの符号付複屈折値の分布を図21Bに示す。ブロックKの場合は中心から径方向に単調増加し、さらに極大点を超えて単調減少する符号付複屈折値の分布を示し、その最大値は+1.7nm/cmであった。また、ブロックLの場合は中心から径方向に単調減少する符号付複屈折値の分布を示し、その最小値は−1.8nm/cmであった。
Claims (4)
- ケイ素化合物と、酸素及び水素を含有する燃焼ガスと、をバーナから噴出させて前記ケイ素化合物を酸水素火炎中で加水分解させることにより石英ガラス微粒子を生成させた後、前記石英ガラス微粒子を前記バーナと対向するターゲット上に堆積させるとともに透明化して合成石英ガラスインゴットを得る第一のステップと、
前記第一のステップで得られた合成石英ガラスインゴット又は前記合成石英ガラスインゴットを切断加工して得られる合成石英ガラスブロックを900℃以上の範囲内にある第一の保持温度まで加熱し、所定の時間保持した後、500℃以下の温度まで10℃/h以下の降温速度で冷却する第二のステップと、
前記第二のステップで得られた合成石英ガラスインゴット又は合成石英ガラスブロックを500℃以上800℃以下の範囲内にある第二の保持温度まで加熱し、所定の時間保持した後、前記第二の保持温度より100℃低い温度まで50℃/h以上の降温速度で冷却する第三のステップと、
を含む合成石英ガラスの製造方法。 - 前記第三のステップにおける降温速度が70℃/h以上800℃/h以下である請求項1に記載の合成石英ガラスの製造方法。
- 前記第二のステップ及び前記第三のステップにおいて同一の炉を用い、前記第二のステップの後、前記合成石英ガラスインゴット又は前記合成石英ガラスブロックを前記炉外に取り出すことなく連続的に第三のステップを行う請求項1に記載の合成石英ガラスの製造方法。
- 前記第三のステップにおいて、合成石英ガラスインゴット又は合成石英ガラスブロックを回転させながら加熱、保持及び冷却を順次行う請求項1に記載の合成石英ガラスの製造方法。
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