JP2011006783A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011006783A5
JP2011006783A5 JP2010115612A JP2010115612A JP2011006783A5 JP 2011006783 A5 JP2011006783 A5 JP 2011006783A5 JP 2010115612 A JP2010115612 A JP 2010115612A JP 2010115612 A JP2010115612 A JP 2010115612A JP 2011006783 A5 JP2011006783 A5 JP 2011006783A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
metal compound
reaction gas
metal
supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010115612A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP5774822B2 (ja
JP2011006783A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2010115612A priority Critical patent/JP5774822B2/ja
Priority claimed from JP2010115612A external-priority patent/JP5774822B2/ja
Priority to US12/801,082 priority patent/US20100297846A1/en
Priority to TW099116445A priority patent/TWI415190B/zh
Priority to KR1020100048697A priority patent/KR101107096B1/ko
Publication of JP2011006783A publication Critical patent/JP2011006783A/ja
Publication of JP2011006783A5 publication Critical patent/JP2011006783A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5774822B2 publication Critical patent/JP5774822B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2010115612A 2009-05-25 2010-05-19 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 Active JP5774822B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010115612A JP5774822B2 (ja) 2009-05-25 2010-05-19 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
US12/801,082 US20100297846A1 (en) 2009-05-25 2010-05-20 Method of manufacturing a semiconductor device and substrate processing apparatus
TW099116445A TWI415190B (zh) 2009-05-25 2010-05-24 半導體裝置之製造方法及基板處理裝置
KR1020100048697A KR101107096B1 (ko) 2009-05-25 2010-05-25 반도체 디바이스의 제조 방법 및 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009125113 2009-05-25
JP2009125113 2009-05-25
JP2010115612A JP5774822B2 (ja) 2009-05-25 2010-05-19 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011006783A JP2011006783A (ja) 2011-01-13
JP2011006783A5 true JP2011006783A5 (enExample) 2013-07-04
JP5774822B2 JP5774822B2 (ja) 2015-09-09

Family

ID=43124839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010115612A Active JP5774822B2 (ja) 2009-05-25 2010-05-19 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20100297846A1 (enExample)
JP (1) JP5774822B2 (enExample)
KR (1) KR101107096B1 (enExample)
TW (1) TWI415190B (enExample)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011055671A1 (ja) * 2009-11-04 2011-05-12 東京エレクトロン株式会社 成膜方法およびキャパシタの形成方法
US8652573B2 (en) 2010-07-15 2014-02-18 Asm International N.V. Method of CVD-depositing a film having a substantially uniform film thickness
US8133806B1 (en) * 2010-09-30 2012-03-13 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition
WO2012077680A1 (ja) * 2010-12-07 2012-06-14 株式会社日立国際電気 基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置
WO2012128044A1 (ja) * 2011-03-23 2012-09-27 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
JP5872904B2 (ja) * 2012-01-05 2016-03-01 東京エレクトロン株式会社 ＴｉＮ膜の成膜方法および記憶媒体
US20150325447A1 (en) 2013-01-18 2015-11-12 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device and substrate processing apparatus
US9059089B2 (en) 2013-02-28 2015-06-16 Hitachi Kokusai Electric Inc. Method of manufacturing semiconductor device
JP6245643B2 (ja) * 2013-03-28 2017-12-13 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6202681B2 (ja) 2014-03-26 2017-09-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム
JP6204570B2 (ja) 2014-03-28 2017-09-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
KR101849861B1 (ko) 2014-03-28 2018-05-31 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
JP6147693B2 (ja) 2014-03-31 2017-06-14 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP6294151B2 (ja) * 2014-05-12 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 成膜方法
JP6164775B2 (ja) 2014-08-21 2017-07-19 株式会社日立国際電気 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6086892B2 (ja) 2014-11-25 2017-03-01 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6086933B2 (ja) * 2015-01-06 2017-03-01 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6490470B2 (ja) 2015-03-27 2019-03-27 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP6416031B2 (ja) 2015-03-30 2018-10-31 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体デバイスの製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP2017069313A (ja) 2015-09-29 2017-04-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置、ガス供給システムおよびプログラム
JP6604801B2 (ja) 2015-09-29 2019-11-13 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6538604B2 (ja) 2016-03-30 2019-07-03 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法および基板処理装置
KR102326377B1 (ko) 2016-06-07 2021-11-15 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
JP6548622B2 (ja) 2016-09-21 2019-07-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
CN111066124A (zh) * 2017-09-25 2020-04-24 株式会社国际电气 半导体装置的制造方法、基板处理装置及程序
KR102392389B1 (ko) 2017-09-28 2022-05-02 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램
CN111868300A (zh) 2018-03-30 2020-10-30 株式会社国际电气 半导体装置的制造方法、基板处理装置和程序
WO2020175314A1 (ja) 2019-02-28 2020-09-03 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
WO2020179474A1 (ja) 2019-03-06 2020-09-10 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置
US11482413B2 (en) * 2019-10-08 2022-10-25 Eugenus, Inc. Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same
JP7117336B2 (ja) 2020-01-30 2022-08-12 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、プログラム及び基板処理装置
WO2024176811A1 (ja) * 2023-02-20 2024-08-29 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および成膜装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6391785B1 (en) * 1999-08-24 2002-05-21 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for bottomless deposition of barrier layers in integrated circuit metallization schemes
US6482733B2 (en) * 2000-05-15 2002-11-19 Asm Microchemistry Oy Protective layers prior to alternating layer deposition
JP4236882B2 (ja) * 2001-08-01 2009-03-11 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置およびガス処理方法
JP4559223B2 (ja) * 2002-07-15 2010-10-06 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US7906393B2 (en) * 2004-01-28 2011-03-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming small-scale capacitor structures
US20060010495A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Oded Cohen Method for protecting a computer from suspicious objects
KR100587686B1 (ko) * 2004-07-15 2006-06-08 삼성전자주식회사 질화 티타늄막 형성방법 및 이를 이용한 커패시터 제조방법
KR100589285B1 (ko) * 2004-08-19 2006-06-14 주식회사 아이피에스 다중 적층막 구조의 금속 질화 막 증착 방법
KR100615602B1 (ko) * 2004-09-15 2006-08-25 삼성전자주식회사 매끄러운 표면을 갖는 타이타늄 나이트라이드 막의 형성방법들 및 이를 이용한 반도체 장치의 형성방법들
KR100841866B1 (ko) * 2005-02-17 2008-06-27 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 디바이스의 제조 방법 및 기판 처리 장치
JP4947922B2 (ja) * 2005-05-23 2012-06-06 東京エレクトロン株式会社 成膜方法およびコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体
JP4727667B2 (ja) * 2005-08-16 2011-07-20 株式会社日立国際電気 薄膜形成方法および半導体デバイスの製造方法
KR100734748B1 (ko) * 2005-09-08 2007-07-03 주식회사 아이피에스 인시튜 질화물(in-situ nitride) 박막증착방법
KR100975268B1 (ko) * 2005-11-18 2010-08-11 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치
US20070116888A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Tokyo Electron Limited Method and system for performing different deposition processes within a single chamber
KR100929944B1 (ko) * 2006-02-07 2009-12-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치의 제어 장치 및 기판 처리 장치의 제어 프로그램을 기록한 기억 매체
KR100897819B1 (ko) * 2007-06-21 2009-05-18 주식회사 동부하이텍 발광 다이오드 구동 회로
US8017182B2 (en) * 2007-06-21 2011-09-13 Asm International N.V. Method for depositing thin films by mixed pulsed CVD and ALD
JP5513767B2 (ja) * 2008-06-25 2014-06-04 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011006783A5 (enExample)
JP2011168881A5 (enExample)
JP2015067869A5 (enExample)
JP2015053445A5 (enExample)
JP2011006782A5 (enExample)
JP2012104720A5 (enExample)
JP2016131210A5 (enExample)
JP2014208883A5 (enExample)
JP2012146939A5 (enExample)
JP2010267925A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置
JP2011252221A5 (enExample)
WO2012118887A3 (en) Apparatus and process for atomic layer deposition
WO2010114274A3 (en) Apparatus for depositing film and method for depositing film and system for depositing film
JP2014165395A5 (enExample)
SG10201406621WA (en) Method and apparatus for depositing a material layer originating from process gas on a substrate wafer
JP2011003885A5 (enExample)
TW200943464A (en) Substrate treating apparatus
WO2012118952A3 (en) Apparatus and process for atomic layer deposition
JP2018166142A5 (enExample)
JP2013084898A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
JP2010034511A5 (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置および半導体装置
WO2012176996A3 (ko) 반도체 제조에 사용되는 분사부재 및 그것을 갖는 기판 처리 장치
JP2015138913A5 (enExample)
JP2015109419A5 (enExample)
JP2012212882A5 (enExample)