JP2011003885A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011003885A5 JP2011003885A5 JP2010086380A JP2010086380A JP2011003885A5 JP 2011003885 A5 JP2011003885 A5 JP 2011003885A5 JP 2010086380 A JP2010086380 A JP 2010086380A JP 2010086380 A JP2010086380 A JP 2010086380A JP 2011003885 A5 JP2011003885 A5 JP 2011003885A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- gas supply
- reaction chamber
- chlorine
- supply unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 20
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 12
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 12
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010086380A JP5564311B2 (ja) | 2009-05-19 | 2010-04-02 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法 |
| US12/782,090 US20100297832A1 (en) | 2009-05-19 | 2010-05-18 | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing apparatus, substrate manufacturing method |
| US13/732,460 US9177799B2 (en) | 2009-05-19 | 2013-01-02 | Semiconductor device manufacturing method and substrate manufacturing method of forming silicon carbide films on the substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009120882 | 2009-05-19 | ||
| JP2009120882 | 2009-05-19 | ||
| JP2010086380A JP5564311B2 (ja) | 2009-05-19 | 2010-04-02 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011003885A JP2011003885A (ja) | 2011-01-06 |
| JP2011003885A5 true JP2011003885A5 (enExample) | 2013-05-16 |
| JP5564311B2 JP5564311B2 (ja) | 2014-07-30 |
Family
ID=43124833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010086380A Active JP5564311B2 (ja) | 2009-05-19 | 2010-04-02 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20100297832A1 (enExample) |
| JP (1) | JP5564311B2 (enExample) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5564311B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2014-07-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法 |
| JP5529634B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2014-06-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法 |
| JP5732284B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2015-06-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
| JP5735304B2 (ja) * | 2010-12-21 | 2015-06-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板の製造方法、半導体デバイスの製造方法およびガス供給管 |
| JP2012174782A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| US9082694B2 (en) | 2011-02-24 | 2015-07-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method for manufacturing substrate, and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2012195565A (ja) * | 2011-02-28 | 2012-10-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP5901978B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2016-04-13 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、基板処理装置制御プログラム、及び半導体装置の製造方法 |
| TWI442012B (zh) * | 2011-11-17 | 2014-06-21 | Kern Energy Entpr Co Ltd | 垂直式熱處理爐結構 |
| JP6066571B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2017-01-25 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP5766647B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2015-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理システム、熱処理方法、及び、プログラム |
| JP6076615B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2017-02-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 不純物拡散方法、基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP6019938B2 (ja) * | 2012-08-30 | 2016-11-02 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
| US8860040B2 (en) | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Dow Corning Corporation | High voltage power semiconductor devices on SiC |
| US9018639B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
| US9738991B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-08-22 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a supporting shelf which permits thermal expansion |
| US9017804B2 (en) | 2013-02-05 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Method to reduce dislocations in SiC crystal growth |
| US9797064B2 (en) | 2013-02-05 | 2017-10-24 | Dow Corning Corporation | Method for growing a SiC crystal by vapor deposition onto a seed crystal provided on a support shelf which permits thermal expansion |
| US8940614B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-01-27 | Dow Corning Corporation | SiC substrate with SiC epitaxial film |
| US9279192B2 (en) | 2014-07-29 | 2016-03-08 | Dow Corning Corporation | Method for manufacturing SiC wafer fit for integration with power device manufacturing technology |
| KR102494614B1 (ko) * | 2015-03-20 | 2023-02-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 3d 형상추종성 처리를 위한 원자 층 프로세스 챔버 |
| CN110870050A (zh) * | 2017-09-25 | 2020-03-06 | 株式会社国际电气 | 衬底处理装置、石英反应管、清洁方法以及程序 |
| JP6820816B2 (ja) * | 2017-09-26 | 2021-01-27 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、反応管、半導体装置の製造方法、及びプログラム |
| US20210317574A1 (en) * | 2020-04-14 | 2021-10-14 | Wonik Ips Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| JP7741205B2 (ja) * | 2021-06-11 | 2025-09-17 | ジュスン エンジニアリング カンパニー リミテッド | パワー半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4263336A (en) * | 1979-11-23 | 1981-04-21 | Motorola, Inc. | Reduced pressure induction heated reactor and method |
| EP0235966B1 (en) * | 1986-02-07 | 1994-05-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Light receiving member |
| JPS62205361A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Canon Inc | 電子写真用光受容部材及びその製造方法 |
| JP2550024B2 (ja) | 1986-03-17 | 1996-10-30 | 富士通株式会社 | 減圧cvd装置 |
| JPH02262324A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-25 | Hoya Corp | X線透過膜およびその製造方法 |
| JP2556621B2 (ja) * | 1990-12-11 | 1996-11-20 | ホーヤ株式会社 | 炭化ケイ素膜の成膜方法 |
| JPH07118854A (ja) | 1993-10-22 | 1995-05-09 | Hoya Corp | 炭化ケイ素膜の形成方法 |
| JP2000297375A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-24 | Hoya Corp | 炭化珪素膜の製造方法及び製造装置、並びにx線マスクの製造方法 |
| US20030164143A1 (en) * | 2002-01-10 | 2003-09-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Batch-type remote plasma processing apparatus |
| JP4595702B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2010-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
| JP2006073997A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-03-16 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
| CN101032006A (zh) * | 2005-02-17 | 2007-09-05 | 株式会社日立国际电气 | 半导体器件的制造方法以及衬底处理装置 |
| US7629267B2 (en) * | 2005-03-07 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | High stress nitride film and method for formation thereof |
| JP2006321696A (ja) | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Hitachi Cable Ltd | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
| US8466049B2 (en) * | 2005-07-29 | 2013-06-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Semiconductor device producing method with selective epitaxial growth |
| JP4677873B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2011-04-27 | 株式会社デンソー | 成膜装置 |
| KR20080089403A (ko) * | 2005-12-22 | 2008-10-06 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 도핑된 반도체 물질들의 에피택시 증착 |
| JPWO2007116768A1 (ja) * | 2006-03-27 | 2009-08-20 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP4753841B2 (ja) * | 2006-11-10 | 2011-08-24 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法 |
| JP5051875B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2012-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
| US8012885B2 (en) * | 2007-04-02 | 2011-09-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of semiconductor device |
| KR20090033788A (ko) * | 2007-10-01 | 2009-04-06 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법과 기판 처리 장치 |
| JP4924395B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2012-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| JP4611414B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2011-01-12 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
| JP5213594B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-06-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP5665289B2 (ja) * | 2008-10-29 | 2015-02-04 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置 |
| JP5384291B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2014-01-08 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2010141223A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| JP2010153467A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP5658463B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-01-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP5730496B2 (ja) * | 2009-05-01 | 2015-06-10 | 株式会社日立国際電気 | 熱処理装置、半導体デバイスの製造方法および基板処理方法 |
| JP2010287877A (ja) * | 2009-05-11 | 2010-12-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置および熱処理方法 |
| JP5564311B2 (ja) | 2009-05-19 | 2014-07-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び基板の製造方法 |
-
2010
- 2010-04-02 JP JP2010086380A patent/JP5564311B2/ja active Active
- 2010-05-18 US US12/782,090 patent/US20100297832A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-01-02 US US13/732,460 patent/US9177799B2/en active Active