JP2010515285A - スケーラブルな2端子ナノチューブスイッチを有する、不揮発性抵抗変化メモリ、ラッチ回路、および動作回路 - Google Patents
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Abstract
ナノファブリック材料およびスケーラブルな不揮発性ナノチューブスイッチに基づく、スケーラブルなラッチ回路、不揮発性メモリおよび動作回路を提供する。
【解決手段】
不揮発性抵抗変化メモリが提供される。このメモリは少なくとも1つの不揮発性メモリセルと選択回路とを含む。各メモリセルは、導電端子間に配置され、かつ導電端子と電気的に結合しているナノチューブファブリック部材を有する2端子ナノチューブスイッチングデバイスを含む。選択回路は、読出しおよび書込み動作のために2端子ナノチューブスイッチングデバイスを選択するように動作する。制御信号に応答して、書込み制御回路が書込み信号を選択されたメモリセルに供給して、ナノチューブファブリック部材の抵抗変化を引き起こし、この抵抗がメモリセルの情報状態に対応する。選択されたメモリセルと結合している抵抗検知回路は、ナノチューブファブリック部材の抵抗を検知し、制御信号を書込み制御回路に提供する。読出し回路はメモリセルの対応する情報状態を読み出す。複数の不揮発性レジスタファイル内で使用する不揮発性ラッチ回路および不揮発性レジスタファイル構成回路もまた提供される。
【選択図】 図1A
Description
[関連出願の相互参照}
米国仮特許出願第60/836,343号の、発明の名称「電子ヒューズ置換素子としてのスケーラブルな不揮発性ナノチューブスイッチ(Scalable Nonvolatile Nanotube Switches as Electronic Fuse Replacement Elements)」、2006年8月8日出願、
米国仮特許出願第60/836,437号の、発明の名称「不揮発性ナノチューブダイオード(Nonvolatile Nanotube Diode)」、2006年8月8日出願、
米国仮特許出願第60/840,586号の、発明の名称「不揮発性ナノチューブダイオード(Nonvolatile Nanotube Diode)」、2006年8月28日出願、
米国仮特許出願第60/855,109号の、発明の名称「不揮発性ナノチューブキューブ(Nonvolatile Nanotube Cubes)」、2006年10月27日出願、および
米国仮特許出願第60/918,388号の、発明の名称「不揮発性ナノチューブブロックを使用するメモリ素子およびクロスポイントスイッチおよびそれらのアレイ」、2007年3月16日出願。
米国特許出願第11/280,786号の、発明の名称「2端子ナノチューブデバイスおよびシステムならびにそれら製造する方法(Two−Terminal Nanotube Devices And Systems And Methods Of Making Same)」、2005年11月15日出願、
米国特許出願第11/274,967号の、発明の名称「再プログラム可能な抵抗を有するナノチューブ部材を使用するメモリアレイ(Memory Arrays Using Nanotube Articles With Reprogrammable Resistance)」、2005年11月15日出願、および
米国特許出願第11/280,599号の、発明の名称「ナノチューブスイッチを使用する不揮発性シャドウラッチ(Non−Volatile Shadow Latch Using A Nanotube Switch)」、2005年11月15日出願。
米国特許出願(番号未定)の、発明の名称「電子ヒューズ置換素子としてスケーラブルな不揮発性ナノチューブスイッチを有するラッチ回路および動作回路(Latch Circuits and Operation Circuits Having Scalable Nonvolatile Nanotube Switches as Electronic Fuse Replacement Elements)」、同日出願、
米国特許出願(番号未定)の、発明の名称「スケーラブルな2端子ナノチューブスイッチを有する不揮発性抵抗メモリ(Nonvolatile Resistive Memories Having Scalable Two−terminal Nanotube Switches)」、同日出願、
米国特許出願(番号未定)の、発明の名称「不揮発性ナノチューブブロックを使用するメモリ素子、クロスポイントスイッチおよびこれらのアレイ(Memory Elements and Cross Point Switches and Arrays of Same Using Nonvolatile Nanotube Blocks)」、同日出願、
米国特許出願(番号未定)の、発明の名称「不揮発性ナノチューブダイオード、不揮発性ナノチューブブロック、およびそれらを使用するシステム、ならびにそれらを製造する方法(Nonvolatile Nanotube Diodes and Nonvolatile Nanotube Blocks and Systems Using Same and Methods of Making Same)」、同日出願、
米国特許出願(番号未定)の、発明の名称「不揮発性ナノチューブダイオード、不揮発性ナノチューブブロック、およびそれらを使用するシステム、ならびにそれらを製造する方法(Nonvolatile Nanotube Diodes and Nonvolatile Nanotube Blocks and Systems Using Same and Methods of Making Same)」、同日出願、
米国特許出願(番号未定)の、発明の名称「不揮発性ナノチューブダイオード、不揮発性ナノチューブブロック、およびそれらを使用するシステム、ならびにそれらを製造する方法(Nonvolatile Nanotube Diodes and Nonvolatile Nanotube Blocks and Systems Using Same and Methods of Making Same)」、同日出願、
米国特許出願(番号未定)の、発明の名称「不揮発性ナノチューブダイオード、不揮発性ナノチューブブロック、およびそれらを使用するシステム、ならびにそれらを製造する方法(Nonvolatile Nanotube Diodes and Nonvolatile Nanotube Blocks and Systems Using Same and Methods of Making Same)」、同日出願、
米国特許出願(番号未定)の、発明の名称「不揮発性ナノチューブダイオード、不揮発性ナノチューブブロック、およびそれらを使用するシステム、ならびにそれらを製造する方法(Nonvolatile Nanotube Diodes and Nonvolatile Nanotube Blocks and Systems Using Same and Methods of Making Same)」、同日出願、および
米国特許出願(番号未定)の、発明の名称「不揮発性ナノチューブダイオード、不揮発性ナノチューブブロック、およびそれらを使用するシステム、ならびにそれらを製造する方法(Nonvolatile Nanotube Diodes and Nonvolatile Nanotube Blocks and Systems Using Same and Methods of Making Same)」、同日出願。
不揮発性レジスタファイルステージ回路
不揮発性レジスタファイルの制限
揮発性マスタおよびスレーブラッチステージの性能の最適化
冗長ステージを備える不揮発性レジスタファイル
不揮発性レジスタファイルステージを選択するために使用されるルーティングスイッチ
不揮発性信号源による経路指定スイッチ制御
プログラミング手段としてヒューズのレーザーアブレーションを使用する不揮発性ラッチに基づく不揮発性信号源
プログラミング手段としてパターン化ナノファブリックヒューズのレーザーアブレーションを使用する不揮発性ラッチに基づく不揮発性信号源
プログラミング手段として電子ヒューズまたはアンチヒューズの両方を使用する不揮発性ラッチに基づく不揮発性信号源
プログラミング手段としての電子ヒューズまたはアンチヒューズとして不揮発性ナノチューブスイッチを使用する不揮発性ラッチに基づく不揮発性信号源
構成選択回路を用いる不揮発性ラッチ回路の選択
プログラミング手段として不揮発性ナノチューブスイッチを使用する不揮発性レジスタファイル20に基づく不揮発性信号ソース
プログラミング手段として不揮発性ナノチューブスイッチを使用する新しい直列構成ラッチに基づく不揮発性信号源
増加した歩留まりを有する高速化のための重要な経路タイミングを最適化するために使用されるナノチューブ不揮発性ラッチに基づく不揮発性制御信号源
不揮発性ナノチューブスイッチ抵抗のプログラミング電圧変調を用いるプログラミング複数NRAMセル抵抗状態
不揮発性ナノチューブスイッチ抵抗のプログラミング電流変調を使用する複数NRAMセル抵抗状態のプログラミング
マルチステート記憶および再プログラム可能な不揮発性インピーダンスネットワークを含む、不揮発性ナノチューブフラッシュ(NFlash)メモリを形成するために使用されるメモリセルの実装
抵抗およびキャパシタを含む不揮発性ナノチューブのプログラマブルインピーダンスネットワーク
[引用特許文献]
2001年7月25日出願の「Electromechanical Memory Array Using Nanotube Ribbons and Method for Making Same(ナノチューブリボンを使用する電気機械メモリアレイおよびそれを製造する方法)」(米国特許出願第09/915,093号、現在は米国特許第6,919,592号)、
2001年7月25日出願の「Electromechanical Memory Having Cell Selection Circuitry Constructed With Nanotube Technology(ナノチューブ技術を用いて形成されたセル選択回路を有する電気機械メモリ)」(米国特許出願第09/915,173号、現在は米国特許第6,643,165号)、
)2001年7月25日出願の「Hybrid Circuit Having Nanotube Electromechanical Memory(ナノチューブ電気機械メモリを有するハイブリッド回路)」(米国特許出願第09/915,095号、現在は米国特許第6,574,130号)、
2001年12月28日出願の「Electromechanical Three−Trace Junction Devices(電気機械3−トレース接合素子)」(米国特許出願第10/033,323号、現在は米国特許第6,911,682号)、
2001年12月28日出願の「Methods of Making Electromechanical Three−Trace Junction Devices(電気機械3−トレース接合素子を製造する方法)」(米国特許出願第10/033,032号、現在は米国特許第6,784,028号)、
2002年4月23日出願の「Nanotube Films and Articles(ナノチューブ膜および製品)」(米国特許出願第10/128,118号、現在は米国特許第6,706,402号)、
2002年4月23日出願の「Methods of Nanotube Films and Articles(ナノチューブ膜および製品の方法)」(米国特許出願第10/128,117号、現在は米国特許第6,835,591号)、
2003年1月13日出願の「Methods of Making Carbon Nanotube Films,Layers,Fabrics,Ribbons,Elements and Articles(カーボンナノチューブ膜、層、ファブリック、リボン、素子および製品を製造する方法)」(米国特許出願第10/341,005号)、
2003年1月13日出願の「Methods of Using Thin Metal Layers to Make Carbon Nanotube Films,Layers,Fabrics,Ribbons,Elements and Articles(薄い金属層を用いてカーボンナノチューブ膜、層、ファブリック、リボン、素子および製品を製造する方法)」(米国特許出願第10/341,055号)、
2003年1月13日出願の「Methods of Using Pre−formed Nanotubes to Make Carbon Nanotube Films,Layers,Fabrics,Ribbons,Elements and Articles(前もって形成されたナノチューブを用いてカーボンナノチューブ膜、層、ファブリック、リボン、素子および製品を製造する方法)」(米国特許出願第10/341,054号)、
2003年1月13日出願の「Carbon Nanotube Films,Layers,Fabrics,Ribbons,Elements and Articles(カーボンナノチューブ膜、層、ファブリック、リボン、素子および製品を製造する方法)」(米国特許出願第10/341,130号)、
2004年6月9日出願の「Non−volatile Electromechanical Field Effect Devices and Circuits using Same and Methods of Forming Same(不揮発性電気機械電界効果デバイスおよびそれらを使用する回路およびそれらを形成する方法)」(米国特許出願第10/864,186号、米国特許公開第2005/0062035号)、
2004年2月11日出願の「Devices Having Horizontally−Disposed Nanofabric Articles and Methods of Making the Same(水平配置ナノファブリック部材を有するデバイスおよびそれらを製造する方法)」(米国特許出願第10/776,059号、米国特許公開第2004/0181630号)、
2004年2月11日出願の「Devices Having Vertically−Disposed Nanofabric Articles and Methods of Making the Same(垂直配置ナノファブリック部材を有するデバイスおよびそれらを製造する方法)」(米国特許出願第10/776,572号、現在の米国特許第6,924,536号)、および
「Patterned Nanoscopic Articles and Methods of Making the Same(パターン化ナノスケール部材およびそれらを製造する方法)」(米国特許出願第10/936,119号、米国特許公開第2005/0128788号)。
Claims (56)
- 論理状態を入力できる少なくとも1つの入力端子と、
論理状態を出力できる1つの出力端子と、
2つの導電接点の間に配置され、かつ前記導電接点と電気的に結合しているナノチューブファブリック部材を備えるナノチューブスイッチング素子であって、相対的に低い抵抗状態と相対的に高い抵抗状態との間で切り換えることができ、また相対的に低い抵抗状態または相対的に高い抵抗状態を不揮発的に保持できる、ナノチューブスイッチング素子と、
前記入力端子と前記ナノチューブスイッチング素子との間に電気的に配置され、かつ前記入力端子に入力される論理状態を受け取って揮発性の記憶ができる少なくとも1つの半導体素子を含む、揮発性ラッチ回路と、
を備える不揮発性ラッチ回路であって、
前記ナノチューブスイッチング素子が相対的に低い抵抗状態にあるとき、前記揮発性ラッチ回路は、第1論理状態を保持し、この第1論理状態を前記出力端子で出力し、また前記前記ナノチューブスイッチング素子が相対的に高い抵抗状態にあるとき、前記揮発性ラッチ回路は、第2論理状態を保持し、この第2論理状態を前記出力端子で出力する、
不揮発性ラッチ回路。 - 前記電子ラッチ回路は複数の電界効果トランジスタを備えるインバータ回路を含む、請求項1に記載の不揮発性ラッチ回路。
- 前記ナノチューブスイッチング素子は、相対的に低い抵抗状態と相対的に高い抵抗状態との間を複数回切り換えることができる、請求項1に記載の不揮発性ラッチ回路。
- 前記電子ラッチ回路は、前記ナノチューブスイッチング素子の相対的に低い抵抗状態を、前記出力端子で出力される前記第1論理状態に対応する相対的に高い電圧レベルに変換し、
前記電子ラッチ回路は、前記ナノチューブスイッチング素子の相対的に高い抵抗状態を、前記出力端子で出力される前記第2論理状態に対応する相対的に低い電圧レベルに変換する、請求項1に記載の不揮発性ラッチ回路。 - メモリセルとさらに電気的に結合している不揮発性ラッチ回路であって、この不揮発性ラッチ回路が前記第1論理状態を出力するとき、前記メモリセルがアクティブ(active)であり、前記不揮発性ラッチ回路が前記第2論理状態を出力するとき、前記メモリセルは非アクティブである、請求項1に記載の不揮発性ラッチ回路。
- 前記不揮発性ラッチ回路はメモリセルに対する冗長回路を備え、前記メモリセルが動作不能のときは、前記メモリセルをバイパスすることができる、請求項5に記載の不揮発性ラッチ回路。
- 前記メモリセルをバイパスすることはエラー訂正を含む、請求項5に記載の不揮発性ラッチ回路。
- 第1および第2メモリ状態を記憶できるメモリセルとさらに電気的に結合している不揮発性ラッチ回路であって、
前記第1メモリ状態は、第1論理状態として前記入力端子に入力され、また前記不揮発性ラッチ回路によって、前記第1論理状態として不揮発的に保持および出力され、
前記第2メモリ状態は、第2論理状態として前記入力端子に入力され、また前記不揮発性ラッチ回路によって、前記第1論理状態として不揮発的に保持および出力される、
請求項1に記載の不揮発性ラッチ回路。 - 前記不揮発性ラッチ回路は、前記メモリセルに対する冗長回路を備え、また前記第1および前記第2メモリ状態にそれぞれ対応する前記第1および前記第2論理状態を不揮発的に保持できる、請求項8に記載の不揮発性ラッチ回路。
- 前記メモリセルはNRAMアレイ内にセルを備える、請求項8に記載の不揮発性ラッチ回路。
- 前記第1および前記第2論理状態のうちの1つを不揮発的に保持する、請求項9に記載の不揮発性ラッチ回路。
- メモリ回路とさらに電気的に結合している不揮発性ラッチ回路であって、
前記入力端子で入力される前記電気刺激は時間変化電気刺激を含み、
前記出力端子で出力される電気刺激は時間変化電気信号を含み、
前記不揮発性ラッチ回路は、前記入力端子および前記出力端子における前記時間変化電気刺激間に制御可能な遅延を生成することにより、前記メモリ回路の動作を制御する、
請求項1に記載の不揮発性ラッチ回路。 - 制御可能な遅延を生成することが、実質的に選択される立上り時間と実質的に選択される立下り時間とを有する実質的に2モード信号を提供することをさらに含む、請求項12に記載の不揮発性ラッチ回路。
- 前記ナノチューブスイッチング素子は、前記相対的に低い抵抗状態から、前記相対的に高い抵抗状態にのみ切り換えることができるワンタイム・プログラマブル・ヒューズを備える、請求項1に記載の不揮発性ラッチ回路。
- 前記ワンタイム・プログラマブル・ヒューズは、前記ナノチューブファブリック部材上に置かれた絶縁材料をさらに備える、請求項14に記載の不揮発性ラッチ回路。
- 前記ナノチューブファブリック部材は、前記絶縁材料中の開口により画定された部分で露出され、
前記ワンタイム・プログラマブル・ヒューズは、レーザーアブレーションによって、前記相対的に低い抵抗状態から前記相対的に高い抵抗状態に切り換えることができる、請求項15に記載の不揮発性ラッチ回路。 - 前記ナノチューブスイッチング素子は、オフ状態からオン状態に切り換えできるワンタイム・プログラマブル・アンチヒューズを備える、請求項1に記載の不揮発性ラッチ回路。
- 複数の不揮発性レジスタファイルと共に使用する不揮発性レジスタファイル構成回路であって、
入力電圧端子と、
選択回路と、
前記入力電圧端子と電気的に結合している複数のナノチューブヒューズ素子であって、各ナノチューブヒューズ素子は前記複数の不揮発性レジスタファイルのうちの1つと電気的に結合し、各ナノチューブヒューズ素子は前記選択回路と電気的に結合している、複数のナノチューブヒューズ素子と、
を備え、
前記ナノチューブヒューズ素子のそれぞれは、
ナノチューブファブリック部材と2つの導電接点とを備え、前記ナノチューブファブリック部材は前記2つの導電接点の間に配置され、それらと電気的に結合しており、
前記ナノチューブヒューズ素子はオフ状態からオン状態に切り換えることができ、前記オン状態は前記第1端子と前記第2端子との間の相対的に低い抵抗に対応し、前記オフ状態は、電気信号に応答して前記2つの導電接点間の相対的に低い抵抗に対応し、
前記ナノチューブヒューズ素子がオン状態のとき、前記対応する不揮発性レジスタファイルはアクティブであって、前記入力電圧端子における電気刺激に応答し、前記ナノチューブヒューズ素子がオフ状態のとき、対応する不揮発性レジスタファイルは非アクティブであって、前記入力電圧端子における電気刺激に応答せず、
前記選択回路は電気刺激を前記選択されたナノチューブヒューズ素子のそれぞれに印加することにより、前記対応するレジスタファイルを選択的にバイパスできる、
不揮発性レジスタファイル構成回路。 - 前記選択回路は、欠陥のある前記レジスタファイルに応答して、前記複数のレジスタファイルのうちの1つを選択的にバイパスする、請求項18に記載の不揮発性レジスタファイル構成回路。
- 前記複数のナノチューブヒューズ素子のうちの1つがオン状態のとき、前記対応する不揮発性レジスタファイルは、前記入力電圧端子における電気刺激に応答して複数の情報状態で動作できる、請求項18に記載の不揮発性レジスタファイル構成回路。
- 前記ナノチューブヒューズ素子はワンタイム・プログラマブルである、請求項18に記載の不揮発性レジスタファイル構成回路。
- 前記ナノチューブヒューズ素子はさらに、前記オフ状態からオン状態に切り換わることができる、請求項18に記載の不揮発性レジスタファイル構成回路。
- ビット線と、
ワード線と、
少なくとも1つの不揮発性メモリセルと、
を備え、
前記不揮発性メモリセルはそれぞれ、
第1および第2導電端子の間に配置され、それらと電気的に結合する第1と第2導電端子とを備える、前記2端子ナノチューブスイッチングデバイスと、
前記ビット線および前記ワード線と電気的に結合しており、前記ビット線および前記ワード線のうちの少なくとも1つの起動に応答して、読出しおよび書込み動作のために2端子ナノチューブスイッチングデバイスセルを選択するセル選択回路と、を有し、
さらに、
制御信号に応答して、書込み信号を選択されたメモリセルに供給して前記ナノチューブファブリック部材の抵抗変化を発生させる、書込み制御回路であって、前記ナノチューブファブリック部材の抵抗値が前記メモリセルの情報状態に対応する、書込み制御回路と
前記ナノチューブファブリック部材の抵抗を検知し、前記制御信号を前記書込み制御回路に提供するために、選択された不揮発性メモリセルと電気的に結合している抵抗検知回路と、
前記メモリセルの前記対応する情報状態を読み出すために、選択された不揮発性メモリセルと電気的に結合している読出し回路と、
を備える、不揮発性メモリ。 - 前記ナノチューブスイッチングデバイスの前記第1導電端子は、前記セル選択回路と電気的に結合し、
前記ナノチューブスイッチングデバイスの前記第2導電端子は、基準電圧線と電気的に結合している、請求項23に記載の不揮発性メモリ。 - 前記書込み制御回路は、前記ビット線および前記ワード線と電気的に結合している、請求項23に記載の不揮発性メモリ。
- 前記ナノチューブスイッチングデバイスの前記第1導電端子は、前記書込み制御回路により供給される前記書込み信号を受け取り、前記ナノチューブスイッチングデバイスの前記第2導電端子は、前記ワード線および前記ビット線の内の少なくとも一方に電気的に結合している、請求項23に記載の不揮発性メモリ。
- 書込み信号を供給することは、選択された電圧を有する電気刺激を供給することを含む、請求項23に記載の不揮発性メモリ。
- 書込み信号を供給することは、選択された電流を有する電気刺激を供給することを含む、
請求項23に記載の不揮発性メモリ。 - 前記ナノチューブスイッチング素子は、前記ナノチューブファブリック部材の実質的に反対側に配置された第1および第2絶縁体領域をさらに備える、請求項23に記載の不揮発性メモリおよび動作回路。
- 前記第1および前記第2絶縁体領域のうちの少なくとも1つは誘電材料を含む、請求項29に記載の不揮発性メモリ。
- 前記ナノチューブファブリック部材の少なくとも一部は、前記第1および前記第2絶縁体領域のうちの1つの少なくとも一部から間隙により分離されている、請求項29に記載の不揮発性メモリ。
- 前記メモリセルの前記情報状態は、複数回数プログラムし、消去することができる、請求項29に記載の不揮発性メモリ。
- 前記書込み制御回路は少なくとも3つの書込み信号を書き込むための回路を含み、前記少なくとも3つの書込み信号のそれぞれは、他の書込み信号に対応する抵抗値とは異なる対応する抵抗値を、前記ナノチューブファブリック部材に発生させる信号である、請求項23に記載の不揮発性メモリ。
- 前記少なくとも3つの書込み信号により引き起こされる前記対応する抵抗値は、複数の低い抵抗値と1つの高い抵抗値とを含む、請求項33に記載の不揮発性メモリ。
- 前記複数の低い抵抗値はそれぞれ、約1キロオームから約1メガオームの範囲にあり、前記高い抵抗値は少なくとも100メガオームである、請求項34に記載の不揮発性メモリ。
- 前記書込み制御回路は4つの書込み信号を書き込むための回路を含み、これにより、前記メモリセルは第1の情報状態、第2の情報状態、第3の情報状態および第4の情報状態のうちの1つを記憶することができる、請求項34に記載の不揮発性メモリ。
- 前記抵抗検知回路は前記選択された不揮発性メモリセルと、基準抵抗値とに電気的に結合しているフィードバック回路とを備え、前記フィードバック回路は、前記選択された不揮発性メモリセルのナノチューブファブリック部材の前記抵抗値と前記基準抵抗値とを比較し、前記選択された不揮発性メモリセルへの書込み信号を選択的に遮断できる、請求項23に記載の不揮発性メモリ。
- 前記ナノチューブファブリック部材の前記抵抗値は、相対的に低い抵抗値および相対的に高い抵抗値のうちの1つから選択される、請求項37に記載の不揮発性メモリ。
- 前記相対的に低い抵抗値は第1の情報状態に対応し、前記相対的に高い抵抗値は第2の情報状態に対応する、請求項38に記載の不揮発性メモリ。
- 書込み信号を供給することは、選択された間隔で、複数の連続的な、増加的に変化する電圧パルスを供給することを含む、請求項37に記載の不揮発性メモリ。
- 各電圧パルスが前記書込み制御回路により供給された後、前記フィードバック回路は、前記ナノチューブファブリック部材の前記抵抗を検知し、前記ナノチューブファブリック部材の前記抵抗値と前記基準抵抗値とを比較する、請求項40に記載の不揮発性メモリ。
- 第1書込み動作が可能であって、この書込み動作では、前記フィードバック回路が前記ナノチューブファブリック部材の前記抵抗として相対的に低い抵抗値を検知し、および書込み信号を選択的に遮断するまで、前記電圧パルスが印加される、請求項41に記載の不揮発性メモリ。
- 第2書込み動作が可能であって、この書込み動作では、前記フィードバック回路は、前記ナノチューブファブリック部材の前記抵抗として相対的に高い抵抗値を検知し、および書込み信号を選択的に遮断するまで、前記電圧パルスが印加される、請求項42に記載の不揮発性メモリ。
- 前記ナノチューブスイッチング素子はワンタイム・プログラマブル・ナノチューブヒューズを備え、前記ナノチューブファブリック部材は前記相対的に低い抵抗値から前記相対的に高い抵抗値にのみ切り換えることができる、請求項38に記載の不揮発性メモリ。
- 前記書込み制御回路は、ある範囲の抵抗値から前記基準抵抗値を選択する、請求項37に記載の不揮発性メモリ。
- 前記フィードバック回路は、前記ナノチューブスイッチング部材の前記抵抗値が前記基準抵抗値とほぼ等しいとき、前記選択された不揮発性メモリセルの前記ナノチューブスイッチングデバイスへの前記ビット線における書込み信号を選択的に遮断する、請求項45に記載の不揮発性メモリ。
- 前記読出し回路はセンス増幅器回路を含み、前記抵抗検知回路は前記センス増幅器回路と電気的に結合し、
前記抵抗検知回路は、前記センス増幅器回路に応答して前記制御信号を前記書込み制御回路に提供し、前記書込み制御回路が前記選択された不揮発性メモリセルに書込み信号を供給することを選択的に停止させる、請求項23に記載の不揮発性メモリ。 - 前記センス増幅器回路によって前記抵抗検知回路に提供される前記制御信号は、前記書込み制御回路が前記ナノチューブファブリック部材の前記抵抗の変化を引き起こすことを選択的に停止させる、請求項47に記載の不揮発性メモリ。
- 前記ナノチューブファブリック部材の前記抵抗値は、複数の低い抵抗値と1つの相対的に高い抵抗値とを含む複数の抵抗値のうちの1つから選択される、請求項47に記載の不揮発性メモリ。
- 書込み信号を供給することは、選択された間隔で、複数の連続的な、増加的に変化する電圧パルスを供給することを含む、請求項47に記載の不揮発性メモリ。
- 前記センス増幅器回路は、各電圧パルスが前記書込み制御回路により供給された後に、前記ナノチューブファブリック部材の前記抵抗値を検出する、請求項50に記載の不揮発性メモリ。
- 第1書込み動作が可能であって、この書込み動作では、前記複数の低い抵抗値のうちの少なくとも1つが前記センス増幅器回路により検出されるまで、前記電圧パルスが前記選択された不揮発性メモリセルに供給される、請求項51に記載の不揮発性メモリ。
- 前記センス増幅器回路が前記選択されたメモリセル内の前記複数の低い抵抗値のうちの少なくとも1つを検出すると、前記抵抗検知回路は前記センス増幅器回路に応答して、前記書込み制御回路が前記選択されたメモリセルの前記情報状態を書き込むことを選択的に停止させる、請求項51に記載の不揮発性メモリ。
- 第2書込み動作が可能であって、この書込み動作では、前記相対的に高い抵抗値が検出されるまで、前記電圧パルスが前記選択された不揮発性メモリセルに供給される、請求項52に記載の不揮発性メモリ。
- 前記センス増幅器回路が前記選択された不揮発性メモリセル内の前記相対的に高い抵抗値を検出すると、前記抵抗検知回路は前記センス増幅器回路に応答して、前記書込み制御回路が前記選択されたメモリセルの前記情報状態を書き込むことを選択的に停止させる、請求項52に記載の不揮発性メモリ。
- 前記ナノチューブスイッチング素子は、第1抵抗値から第2抵抗値にのみ切り換えることが可能なナノチューブファブリック部材を有する、ワンタイム・プログラマブル・ナノチューブヒューズを備える、請求項47に記載の不揮発性メモリ。
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