JP2010283044A5 - - Google Patents

Description

例えば、サブトラクティブ法によって配線基板上に電極パッドを形成する場合、銅箔表面に開口部を有するレジストパターンを形成し、その開口部から露出する銅箔をエッチングした後、レジストパターンを剥離することによって、残存した銅箔からなる電極パッドが形成される。

図４５に、絶縁層１０３から露出する複数の電極パッド１０２を有する配線基板１０１を備えた半導体パッケージを示す。図４５に示す配線基板１０１では、前記特許文献１〜３記載の配線基板と同様に、複数の電極パッド１０２それぞれの搭載面が、絶縁層１０３に形成されている同じ凹み深さの凹部１０４から露出している。なお、配線基板１０１は、外部接続端子ともなる配線層１０５と、配線層１０５を覆うソルダレジスト１０６と、絶縁層１０３に形成され、電極パッド１０２と配線層１０５とを電気的に接続するビア（ＶＩＡ）１０７とを含んで構成されている。

本発明の目的は、配線基板に種々の部品を搭載する自由度を、高めることのできる技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

本発明の一実施形態における配線基板は、第１および第２電極パッドと、前記第１および第２電極パッドを埋設する絶縁層とを備えている。前記第１および第２電極パッドが、前記配線基板表面となる前記絶縁層の一方の面からの露出面を有している。前記第１および第２電極パッドの露出面の前記絶縁層の一方の面からの深さが互いに異なる。これにより、前記配線基板に種々の部品を搭載することに関しての自由度が、接続材の量制御の他、前記第１および第２電極パッドの搭載面（露出面）の深さ制御が加わることによって高まる。
ここで、配線基板は、前記絶縁層の一方の面とは反対側の他方の面に配線層を備えている。前記第１および第２電極パッドが、前記露出面とは反対側の反対面を有している。前記絶縁層の他方の面から前記第１および第２電極パッドの反対面にそれぞれ達する第１および第２ビア穴が、前記絶縁層に設けられている。前記配線層が、前記配線層が、前記第１ビア穴を介して前記第１電極パッドの反対面と電気的に接続され、前記第２ビア穴を介して前記第２電極パッドの反対面と電気的に接続された配線パターンとして設けられる。
また、配線基板では、前記絶縁層が、樹脂からなり、前記第１および第２電極パッドが、めっき膜からなる。

この一実施形態によれば、配線基板に種々の部品を搭載する自由度を、高めることができる。

めっき膜４は、例えば、１０〜２０μｍ程度の厚さのＣｕめっき膜である。本実施形態では、給電層５２としてＮｉめっき膜を形成しているので、めっき膜４はそれとは異なる材質のＣｕめっき膜を形成している。後工程で、Ｎｉめっき膜からなる給電層５２はエッチングによって除去されるが、その時にはめっき膜４は残存させておくので、めっき膜４には、Ｎｉめっき膜とエッチングレートの異なる材質であるＣｕめっき膜を形成している。

めっき膜４は、例えば、１０〜２０μｍ程度の厚さのＣｕめっき膜である。本実施形態では、給電層５２としてＮｉめっき膜を形成しているので、めっき膜４はそれとは異なる材質のＣｕめっき膜を形成している。後工程で、Ｎｉめっき膜からなる給電層５２はエッチングによって除去されるが、その時にはめっき膜４は残存させておくので、めっき膜４には、Ｎｉめっき膜とエッチングレートの異なる材質であるＣｕめっき膜を形成している。

Claims (16)

1. 第１および第２電極パッドと、
   前記第１および第２電極パッドを埋設する絶縁層と
   を備えた配線基板であって、
   前記第１および第２電極パッドが、前記配線基板表面となる前記絶縁層の一方の面からの露出面を有し、
   前記第１および第２電極パッドの露出面の前記絶縁層の一方の面からの深さが互いに異なることを特徴とする配線基板。
2. 請求項１記載の配線基板において、
   前記絶縁層の一方の面とは反対側の他方の面に配線層を備え、
   前記第１および第２電極パッドが、前記露出面とは反対側の反対面を有し、
   前記絶縁層の他方の面から前記第１および第２電極パッドの反対面にそれぞれ達する第１および第２ビア穴が、前記絶縁層に設けられ、
   前記配線層が、前記第１ビア穴を介して前記第１電極パッドの反対面と電気的に接続され、前記第２ビア穴を介して前記第２電極パッドの反対面と電気的に接続された配線パターンとして設けられることを特徴とする配線基板。
3. 請求項１または２記載の配線基板において、
   前記絶縁層が、樹脂からなり、
   前記第１および第２電極パッドが、めっき膜からなることを特徴とする配線基板。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板において、
   前記第１または第２電極パッドの露出面が、前記絶縁層の一方の面と同一面にあることを特徴とする配線基板。
5. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板において、
   前記第１電極パッドの前記絶縁層の一方の面からの深さが、前記第２電極パッドの前記絶縁層の一方の面からの深さより深くまたは浅く、
   前記第１電極パッドの露出面の面積が、前記第２電極パッドの露出面の面積より小さいまたは大きいことを特徴とする配線基板。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板において、
   前記第１および第２電極パッドの露出面の材質が互いに異なることを特徴とする配線基板。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板において、
   前記配線基板には、半導体チップおよび蓋体が搭載され、
   前記半導体チップの外部接続端子と、前記第１電極パッドとが電気的に接続され、
   前記蓋体の接続部と、前記第２電極パッドとが電気的に接続されることを特徴とする配線基板。
8. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板において、
   前記配線基板には、半導体チップおよび前記配線基板とは別の配線基板が搭載され、
   前記半導体チップの外部接続端子と、前記第１電極パッドとが電気的に接続され、
   前記別の配線基板の外部接続端子と、前記第２電極パッドとが電気的に接続されることを特徴とする配線基板。
9. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板において、
   前記配線基板には、半導体チップおよび電子部品が搭載され、
   前記半導体チップの外部接続端子と、前記第１電極パッドとが電気的に接続され、
   前記電子部品の外部接続端子と、前記第２電極パッドとが電気的に接続されることを特徴とする配線基板。
10. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板において、
    前記配線基板表面とは反対側の反対面から露出する第３電極パッドを備え、
    前記配線基板表面には、電子部品およびはんだボールが搭載され、
    前記配線基板の反対面には、半導体チップが搭載され、
    前記電子部品の外部接続端子と、前記第１電極パッドとが電気的に接続され、
    前記はんだボールと、前記第２電極パッドとが電気的に接続され、
    前記半導体チップの外部接続端子と、前記第３電極パッドとが電気的に接続されることを特徴とする配線基板。
11. 以下の工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法：
    （ａ）支持板上に開口部を有する第１レジスト層を形成する工程；
    （ｂ）前記（ａ）工程後に、前記第１レジスト層の開口部の前記支持板上に該支持板と材質が異なる深さ調整膜を形成する工程；
    （ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記第１レジスト層の開口部の前記深さ調整膜上に該深さ調整膜と材質が異なる第１めっき膜を形成する工程；
    （ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記第１レジスト層を除去する工程；
    （ｅ）前記支持板上に開口部を有する第２レジスト層を形成する工程；
    （ｆ）前記（ｅ）工程後に、前記第２レジスト層の開口部の前記支持板上に該支持板と材質が異なる第２めっき膜を形成する工程；
    （ｇ）前記（ｆ）工程後に、前記第２レジスト層を除去する工程；
    （ｈ）前記（ｄ）、（ｇ）工程後に、前記支持板上の前記第１および第２めっき膜を覆うように絶縁層を形成した後、該絶縁層上に前記第１および第２めっき膜と電気的に接続された配線層を形成する工程；
    （ｉ）前記（ｈ）工程後に、前記支持板を除去する工程；
    （ｊ）前記（ｉ）工程後に、前記深さ調整膜を除去する工程。
12. 請求項１１記載の配線基板の製造方法において、
    前記第１および第２めっき膜のそれぞれを、基板表面から露出する第１および第２電極パッドとして形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
13. 請求項１１または１２記載の配線基板の製造方法において、
    前記（ｆ）工程では、前記第１めっき膜と材質が異なる前記第２めっき膜を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
14. 以下の工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法：
    （ａ）支持板上に開口部を有する第１レジスト層を形成する工程；
    （ｂ）前記（ａ）工程後に、前記第１レジスト層の開口部の前記支持板上に該支持板と材質が異なる第１深さ調整膜を形成する工程；
    （ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記第１レジスト層の開口部の前記第１深さ調整膜上に該第１深さ調整膜と材質が異なる第１めっき膜を形成する工程；
    （ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記第１レジスト層を除去する工程；
    （ｅ）前記支持板上に開口部を有する第２レジスト層を形成する工程；
    （ｆ）前記（ｅ）工程後に、前記第２レジスト層の開口部の前記支持板上に該支持板と材質が同一の第２深さ調整膜を形成する工程；
    （ｇ）前記（ｆ）工程後に、前記第２レジスト層の開口部の前記第２深さ調整膜上に該第２深さ調整膜と材質が異なる第２めっき膜を形成する工程；
    （ｈ）前記（ｇ）工程後に、前記第２レジスト層を除去する工程；
    （ｉ）前記（ｄ）、（ｈ）工程後に、前記支持板上の前記第１および第２めっき膜を覆うように絶縁層を形成した後、該絶縁層上に前記第１および第２めっき膜と電気的に接続された配線層を形成する工程；
    （ｊ）前記（ｉ）工程後に、前記支持板および前記第２深さ調整膜を除去する工程；
    （ｋ）前記（ｊ）工程後に、前記第１深さ調整膜を除去する工程。
15. 請求項１４記載の配線基板の製造方法において、
    前記（ｇ）工程では、前記第１めっき膜と材質が異なる前記第２めっき膜を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
16. 請求項１４または１５記載の配線基板の製造方法において、
    前記（ｊ）工程では、エッチングによって前記支持板および前記第２深さ調整膜を除去することを特徴とする配線基板の製造方法。

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