JP2010236095A - 相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】3元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ1成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±1.0at%以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜とする。
【選択図】なし
Description
相変化光ディスクは、基板上のメモリー薄膜をレーザー光の照射によって加熱昇温させ、そのメモリー薄膜の構造に結晶学的な相変化(アモルファス⇔結晶)を起こさせて情報のメモリー・再生を行うものであり、より具体的にはその相間の光学定数の変化に起因する反射率の変化を検出して情報の再生が行われる。
このようなことから相変化光ディスクは、Ge−Sb−Te系、In−Sb−Te系等のメモリー薄膜層の両側を硫化亜鉛−ケイ酸化物(ZnS・SiO2)系の高融点誘電体の保護層で挟み、それにアルミニウム合金反射膜を設けた四層構造として使用されており、アンチモン(Sb)、テルル(Te)又はセレン(Se)は上記光メモリー媒体として重要な構成元素である。
このOUMの概略を説明すると、カルコゲナイドスパッタ薄膜を部分的に600°C以上に加熱すると1〜2nsで急速冷却しアモルファス相が形成される。この場合、加熱される領域は狭く、50×200nm2のデバイス寸法で、真中は600°Cに達するが、100nm離れると100°Cまでにしか温度が上昇しないというデータがある。
OUMはこのような特性を利用したもので、不揮発性、高密度、低電圧、低消費電力、1012回の書き換え回数、非破壊読み出し、Siプロセスとの統合が容易であること、ユニファイド・メモリーにできるなど多くの利点を持っている。
相変化光ディスク及びOUMはいずれもアンチモン、テルル、セレンの元素のカルコゲナイドスパッタ薄膜を利用するものであり、材料の特性に十分な配慮が必要である。
このようなことから、高純度で高密度のターゲットがいくつか提案されている。このような従来提案されている製法は、溶解法と粉末冶金法を組み合わせて製造するものである。しかし、アンチモン、テルル、セレンの元素は、蒸気圧が高く、溶解時にこれらの元素が優先蒸発するため、目的とする組成からずれており、またターゲットの中でも組成の偏析が生ずるという不具合があった。記録膜中の組成のずれは、結晶化速度の不均一化を引き起こし、書き換え特性に悪影響を与える。
また、加熱炉への蒸発を黙認しているので、工程毎に炉内が汚染されるという問題があり、また溶解を繰返している間に、ガス成分や前記炉内及び坩堝材からの汚染があり、高純度に保持することが難しいという問題があった。
本発明はこの知見に基づき、
1.3元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ1成分以上を主成分とし、目標組成に対する組成のずれが±1.0at%以下であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜
2.3元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ1成分以上を主成分とし、ターゲット内の任意の個所から採取した2個以上の各サンプル(i=2,3,4・・・)において、主成分を除く各成分元素の組成Ai(wt%)の平均値をA(wt%)とした場合、|A−Ai|≦0.15であることを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜
3.3元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ1成分以上を主成分とし、ターゲット内の任意の個所から採取した2個以上の各サンプル(i=2,3,4・・・)において、主成分を除く各成分元素の組成Ai(wt%)の平均値をA(wt%)とした場合、|A−Ai|≦0.15であることを特徴とする上記1記載の相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜
5.ターゲットの平均結晶粒径が50μm以下で、相対密度が90%以上であることを特徴とする上記1〜4のそれぞれに記載の相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜
6.副成分として遷移金属、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、錫から選択した1種以上を含有することを特徴とする上記1〜5のそれぞれに記載の相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜
を提供する。
7.真空中又は不活性雰囲気中の密閉系で溶解鋳造することを特徴とする上記1〜6のそれぞれに記載の相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法
8.内部を真空又は不活性雰囲気とした石英容器を用い、該容器を密閉して溶解鋳造することを特徴とする上記7記載の相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法
9.アルカリ成分が10ppm以下、OH−が5ppm以下の高純度石英を使用することを特徴とする上記8記載の相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法
10.溶解前の原料の純度が99.999wt%以上であることを特徴とする上記7〜9のそれぞれに記載の相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法
11.成分元素又は生成化合物の融点以上の温度で溶解鋳造することを特徴とする上記7〜10のそれぞれに記載の相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法、を提供する。
さらに、目標組成に対するターゲット組成のずれを±1.0at%以下とし、さらにターゲット内の成分偏析を減少させることにより、相変化型メモリーの書き換え特性及び結晶化速度を向上させることができるという著しい効果を有する。
ターゲット中の不純物は、メモリー点と非メモリー部との界面付近に偏析濃縮し、書き換え回数の低下の原因となる。また、不純物が多いと各構成元素がかなり均一に分布している非晶質状態から結晶状態にする際、不純物が原子の相互拡散を妨害するために時間がかかり、結晶化速度が遅くなるという問題がある。
このようなことから、最近は結晶相変化を利用した記録用材料として使用されるアンチモン、テルル又はセレンを主体とする合金系ターゲットは、書き換え回数増加、高速度記録化、大容量化を目的とした記録部分の微小化に伴い、ターゲットの目的とする組成のずれ及びターゲット内の組成偏析をできるだけ低減させ、かつ高純度化することが必要とされる。
さらに、相変化型メモリーの膜組成の、目標とする組成からのずれは、書き換え特性及び結晶化速度に影響を及ぼし、特に結晶化速度への影響が大きい。このため、主成分及び副成分の組成ずれをより低減する必要がある。ターゲットの組成ずれは、そのまま膜組成のずれにつながるので、ターゲットの組成の制御は極めて重要である。
また、さらにターゲット内の任意の個所から採取した2個以上の各サンプル(i=2,3,4・・・)において、主成分を除く各成分元素の組成Ai(wt%)の平均値をA(wt%)とした場合、|A−Ai|≦0.15とした相変化型メモリー用スパッタリングターゲットである。
本発明の相変化型メモリー用スパッタリングターゲットは、副成分として遷移金属、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、錫から選択した1種以上を含有する。これによって、該ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜は、ターゲットの組成ずれ及び組成偏析が減少し、結果として目標とする組成の精度が向上し、再現性が良好となり、書き換え特性及び結晶化速度を著しく向上させることが可能となった。
また、ターゲットの組織は均一な成膜を行うために、できるだけ微細かつ緻密にすることが望ましく、本発明においては平均結晶粒径を50μm以下、相対密度を90%以上とする。
一方、アンチモン、テルル、セレンは粒界に不純物が偏析し易く、またインゴット等は粒界から割れるという現象があることが分かった。これは、すなわち割れた部分に不純物が濃縮しているということを意味する。
このようなことから、アンチモン、テルル、セレン原料を適度に破砕し、この原料を篩にかけて粒度調整した後、酸で洗浄することにより、前記のように濃縮した不純物を効果的に除去する。
溶解の際に表面に浮上したスラグは除去する。スラグがない場合は、この工程は省略することができる。
篩にかけたアンチモン、テルル、セレン原料は、0.5mm〜10mmに粒度調整することが望ましい。0.5mm未満では洗浄し難く、洗浄効率が上がらない。
洗浄用の酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、ふっ酸のいずれか1種又は2種以上の混酸を用いることができる。特に塩酸が洗浄用の酸として効果的である。酸濃度は0.5N〜6Nとする。0.5N未満では、酸洗浄に時間がかかり過ぎ、また6Nを超えると、アンチモン、テルル、セレンの一部溶解がおき、ロスとなるので、酸濃度を0.5N〜6Nとするのが望ましい。
原料としては2N〜3N(99wt%〜99.9wt%)レベル以上の純度のアンチモン、テルル、セレンを使用する。上記本発明の操作により、高純度化後の純度が4N〜5Nレベル以上とすることができる。
以上のように、酸洗浄と溶解という簡単な方法により、4Nレベル以上のアンチモン、テルル、セレンを安価に製造できる。
このようにして製造したアンチモン、テルル又はセレンと、副成分として遷移金属、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、錫から選択した1種以上を目標とする所定の混合比で混合し、溶解する。溶解前の原料の純度としは、99.999wt%以上であることが望ましい。
以上のように、予め原料を高純度化し、さらに酸化物、スラグ量を低減することにより、目標とする組成ずれを低減することが可能となる。発生したスラグ量は少量であり、これを除去しても影響は少なくなる。
この後、ボールミル等で粉砕して粉末とし、さらに所定の温度でホットプレスしてターゲットとする。
高純度化した5Nレベルの塊状ゲルマニウム、アンチモン及びテルルを、ゲルマニウム22.2at%、アンチモン22.2at%、テルル55.6at%となるように調合し、石英坩堝の中に入れ、真空に引きながら封止し、Ar雰囲気中900°Cで溶解した。
溶解後のインゴットを、ボールミルによりAr雰囲気中で粉砕し、粉砕後の材料をホットプレスし、さらに成形してスパッタリングターゲットとした。
表1に示すように、不純物はアルカリ金属及びアルカリ土類金属の総計が10ppm以下であり、成分元素以外の不純物金属元素については15ppm以下であり、炭素成分は10ppm以下、窒素成分は200ppm以下、酸素成分は100ppm以下、硫黄成分は10ppm以下であった。ターゲット内より採取したバルクの組織観察をしたところ、平均結晶粒径は30μmであった。
このターゲットの5箇所から採取したサンプルを組成分析したところ、表2に示すように、ゲルマニウム、アンチモン、テルルの目標成分に対する組成のずれ(5箇所の平均値)は、−0.1at%,−0.2at%,+0.3at%であり、いずれも本発明の条件を満たしていた。
高純度化した5Nレベルの塊状の銀、インジウム、アンチモン、テルルの原料を、銀5at%、インジウム5at%、アンチモン60at%、テルル30at%となるように調合し、石英坩堝に入れ真空に引きながら封止し、Ar雰囲気中1100°Cで溶解した。
溶解後のインゴットをアルミナのボールミルによりAr雰囲気中で粉砕し、粉砕後の材料をホットプレスし、さらに成形してスパッタリングターゲットとした。
表1に示すように、成分以外の金属元素は10ppm以下であり、炭素成分は10ppm、窒素成分は300ppm、酸素成分は300ppm以下、硫黄成分は10ppm以下であった。ターゲット内より採取したバルクの組織観察をしたところ、平均結晶粒径は30μmであった。
また、このターゲット内の5箇所から採取したサンプルを組成分析したところ、
表3に示すように、銀、インジウム、アンチモン、テルルの目標成分に対する組成のずれ(5箇所の平均値)は、それぞれ−0.1at%,+0.1at%,+0.3at%,−0.3at%であり、いずれも本発明の条件を満たしていた。
高純度化した5Nレベルの塊状ゲルマニウム、アンチモン及びテルルを、ゲルマニウム22.2at%、アンチモン22.2at%、テルル55.6at%となるように調合し、黒鉛坩堝の中に入れ、Ar雰囲気中800°Cで溶解した。
溶解後炉壁にアンチモン、テルル系の蒸着物が確認された。溶解後のインゴットを、アルミナのボールミルによりAr雰囲気中で粉砕し、粉砕後の材料をホットプレスし、さらに成形してスパッタリングターゲットとした。
表1に示すように、成分元素以外の不純物金属元素については約90ppmであり、炭素成分は500ppm、窒素成分は300ppm、酸素成分は500ppm、硫黄成分は50ppmであった。ターゲット内より採取したバルクの組織観察をしたところ、平均結晶粒径は60μmであった。
このターゲットの5箇所から採取したサンプルを組成分析したところ、表4に示すように、銀、ゲルマニウム,アンチモン,テルルの目標成分に対する組成のずれ(5箇所の平均値)は、それぞれ+0.5at%,+0.7at%,−1.2at%,−2.0at%であり、組成ずれが大きく問題のあるターゲットとなった。
Claims (5)
- 3元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ1成分以上を主成分とし、組成のずれが±1.0at%以下であり、かつターゲット内の任意の個所から採取した2個以上の各サンプル(i=2,3,4・・・)において、主成分を除く各成分元素の組成Ai(wt%)の平均値をA(wt%)とした場合、|A−Ai|≦0.15であり、ターゲットの平均結晶粒径が50μm以下、相対密度が90%以上、副成分として遷移金属、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、錫から選択した1種以上を含有することを特徴とする相変化型メモリー用スパッタリングターゲット。
- ガス成分を除く純度が99.995wt%以上であり、ガス成分である炭素、窒素、酸素、硫黄の総量が700ppm以下であることを特徴とする請求項2記載の相変化型メモリー用スパッタリングターゲット。
- 溶解前の純度が99.999wt%以上である原料を用い、この原料を真空中又は不活性雰囲気中の密閉系で、成分元素又は生成化合物の融点以上の温度で溶解鋳造し、これを粉砕後焼結することにより、3元系以上の元素からなり、アンチモン、テルル又はセレンから選んだ1成分以上を主成分とし、組成のずれが±1.0at%以下であり、かつターゲット内の任意の個所から採取した2個以上の各サンプル(i=2,3,4・・・)において、主成分を除く各成分元素の組成Ai(wt%)の平均値をA(wt%)とした場合、|A−Ai|≦0.15であり、ターゲットの平均結晶粒径が50μm以下、相対密度が90%以上、副成分として遷移金属、ガリウム、ゲルマニウム、インジウム、錫から選択した1種以上を含有する相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法。
- ガス成分を除く純度が99.995wt%以上であり、ガス成分である炭素、窒素、酸素、硫黄の総量が700ppm以下であることを特徴とする請求項3記載の相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法。
- 内部を真空又は不活性雰囲気とすると共に、アルカリ成分が10ppm以下、OH−が5ppm以下の高純度石英を使用し、該容器を密閉して溶解鋳造することを特徴とする請求項3又は4記載の相変化型メモリー用スパッタリングターゲットの製造方法。
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US7425735B2 (en) * | 2003-02-24 | 2008-09-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Multi-layer phase-changeable memory devices |
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KR100753328B1 (ko) * | 2003-03-04 | 2007-08-29 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟트, 광 정보기록 매체용 박막 및 그 제조방법 |
KR100632948B1 (ko) * | 2004-08-06 | 2006-10-11 | 삼성전자주식회사 | 칼코겐화합물 스퍼터링 형성 방법 및 이를 이용한 상변화 기억 소자 형성 방법 |
EP1826291B1 (en) * | 2004-11-30 | 2014-10-29 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te BASE ALLOY SINTERED SPATTERING TARGET |
CN101084324B (zh) * | 2004-12-24 | 2010-06-09 | 日矿金属株式会社 | Sb-Te系合金烧结体靶及其制造方法 |
ATE463314T1 (de) * | 2005-01-18 | 2010-04-15 | Nippon Mining Co | Pulver auf sb-te basierender legierung zum sintern und ein durch sintern des pulvers hergestelltes gesintertes sputtertarget und verfahren zur herstellung des pulvers auf sb-te basierender legierung zum sintern |
US20070007505A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide PVD components |
US20070099332A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-05-03 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide PVD components and methods of formation |
KR100782482B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2007-12-05 | 삼성전자주식회사 | GeBiTe막을 상변화 물질막으로 채택하는 상변화 기억 셀, 이를 구비하는 상변화 기억소자, 이를 구비하는 전자 장치 및 그 제조방법 |
KR100807228B1 (ko) * | 2006-09-19 | 2008-02-28 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치의 제조 방법 |
KR100810615B1 (ko) * | 2006-09-20 | 2008-03-06 | 삼성전자주식회사 | 고온 상전이 패턴을 구비한 상전이 메모리소자 및 그제조방법 |
KR100807230B1 (ko) | 2006-09-27 | 2008-02-28 | 삼성전자주식회사 | 상변화 물질층 및 이를 포함하는 상변화 메모리 장치 |
WO2008044626A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Sb-Te BASE ALLOY SINTER SPUTTERING TARGET |
US20080112878A1 (en) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Honeywell International Inc. | Alloy casting apparatuses and chalcogenide compound synthesis methods |
KR100814393B1 (ko) * | 2007-03-21 | 2008-03-18 | 삼성전자주식회사 | 상변화 물질층 형성 방법 및 이를 이용한 상변화 메모리장치의 제조 방법 |
KR101175091B1 (ko) * | 2007-09-13 | 2012-08-21 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 소결체의 제조 방법, 소결체, 당해 소결체로 이루어지는 스퍼터링 타겟 및 스퍼터링 타겟-백킹 플레이트 조립체 |
EP2270252B1 (en) * | 2008-03-17 | 2016-06-22 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Sintered target and method for production of sintered material |
US20100108503A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Applied Quantum Technology, Llc | Chalcogenide alloy sputter targets for photovoltaic applications and methods of manufacturing the same |
KR20160145839A (ko) | 2009-05-27 | 2016-12-20 | 제이엑스금속주식회사 | 소결체 타겟 및 소결체의 제조 방법 |
CN102227015B (zh) * | 2011-05-24 | 2015-07-01 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种相变存储材料及其制备方法 |
TWI493047B (zh) * | 2012-07-31 | 2015-07-21 | Thintech Materials Technology Co Ltd | 高蒸氣壓不包含硫之硫屬元素合金塊材之製造方法 |
US10889887B2 (en) | 2016-08-22 | 2021-01-12 | Honeywell International Inc. | Chalcogenide sputtering target and method of making the same |
US10381409B1 (en) | 2018-06-07 | 2019-08-13 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional phase change memory array including discrete middle electrodes and methods of making the same |
US10381559B1 (en) | 2018-06-07 | 2019-08-13 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional phase change memory array including discrete middle electrodes and methods of making the same |
JP2020158846A (ja) | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット |
JP2021169638A (ja) * | 2020-04-14 | 2021-10-28 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット、および、スパッタリングターゲットの製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0547053A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Dowa Mining Co Ltd | 光記録膜作製用高純度ターゲツトおよびその製造法 |
JPH1081961A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JPH10188372A (ja) * | 1988-02-29 | 1998-07-21 | Hoya Corp | 書き替え可能な相変化型光メモリ媒体の製造方法 |
JP2000087228A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2000288380A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-17 | Kisan Kinzoku Kk | 高純度化合物粉末の製造法 |
JP2003166023A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Nikko Materials Co Ltd | アンチモン又はテルルの高純度化方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61227167A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-09 | Mitsubishi Metal Corp | 焼結合金タ−ゲツト材 |
JPS621146A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 光記録用スパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法 |
JPS62114137A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-25 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 光記録用スパツタリングタ−ゲツトの製造方法 |
JPS62287070A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 薄膜形成用合金タ−ゲツト及びその製造法 |
JPS63100632A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-05-02 | Sony Corp | 光記録媒体 |
JPS63142542A (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録薄膜形成用スパツタリングタ−ゲツト |
JPS63216966A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
JPS63227771A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-22 | Tosoh Corp | 高純度チタンシリサイドからなるスパツタリング用タ−ゲツト及びその製造方法 |
JP2769153B2 (ja) * | 1987-09-03 | 1998-06-25 | 松下電器産業株式会社 | 情報記録薄膜形成用スパッタリングターゲット |
JP2970813B2 (ja) * | 1989-11-20 | 1999-11-02 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法,およびそのターゲットを用いて形成された記録薄膜,光ディスク |
JPH0488166A (ja) * | 1990-08-01 | 1992-03-23 | Nkk Corp | 真空成膜装置における冷却機構 |
JP3109905B2 (ja) * | 1991-07-01 | 2000-11-20 | 中部電力株式会社 | 電子冷却素子用材料の製造方法 |
JPH07316800A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-12-05 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
JP3810025B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2006-08-16 | 株式会社リコー | スパッタリング用ターゲット、その製造方法、そのターゲットを用いた光記録媒体、その光記録媒体の成膜方法、及び光記録方法 |
JPH09256145A (ja) * | 1996-03-25 | 1997-09-30 | Osaka Gas Co Ltd | 複合材料の作製方法 |
JPH1060634A (ja) * | 1996-08-20 | 1998-03-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリング用焼結合金ターゲット材及びその製造方法 |
JPH1081962A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Ge−Te−Sb系スパッタリング用ターゲット材の製造方法 |
JPH11335821A (ja) * | 1998-05-20 | 1999-12-07 | Japan Energy Corp | 磁性薄膜形成用Ni−Fe合金スパッタリングターゲット、磁性薄膜および磁性薄膜形成用Ni−Fe合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2000239836A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-05 | Japan Energy Corp | 高純度銅または銅合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
WO2001006030A1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-01-25 | Young Park | High throughput thin film deposition for optical disk processing |
EP1826291B1 (en) * | 2004-11-30 | 2014-10-29 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Sb-Te BASE ALLOY SINTERED SPATTERING TARGET |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10188372A (ja) * | 1988-02-29 | 1998-07-21 | Hoya Corp | 書き替え可能な相変化型光メモリ媒体の製造方法 |
JPH0547053A (ja) * | 1991-08-09 | 1993-02-26 | Dowa Mining Co Ltd | 光記録膜作製用高純度ターゲツトおよびその製造法 |
JPH1081961A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | スパッタリングターゲット |
JP2000087228A (ja) * | 1998-09-04 | 2000-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
JP2000288380A (ja) * | 1999-04-09 | 2000-10-17 | Kisan Kinzoku Kk | 高純度化合物粉末の製造法 |
JP2003166023A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Nikko Materials Co Ltd | アンチモン又はテルルの高純度化方法 |
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