JPS62287070A - 薄膜形成用合金タ−ゲツト及びその製造法 - Google Patents

薄膜形成用合金タ−ゲツト及びその製造法

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JPS62287070A
JPS62287070A JP12986086A JP12986086A JPS62287070A JP S62287070 A JPS62287070 A JP S62287070A JP 12986086 A JP12986086 A JP 12986086A JP 12986086 A JP12986086 A JP 12986086A JP S62287070 A JPS62287070 A JP S62287070A
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thin film
forming
rare earth
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earth element
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JP12986086A
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Junichi Ishii
純一 石井
Junya Tada
多田 準也
Koichi Oka
岡 公一
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Continuous Casting (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の詳細な説明 〈産業上の利用分野〉 この発明は薄膜形成用合金ターゲットとその製造法に関
するものである。
〈従来の技術〉 例えば光磁気記録ディスク用磁性体薄膜をPVD法(物
理的蒸着法)でディスク面上に作成するには、薄膜形成
用合金ターゲットが使用される。
光磁気メモリに2、一般に使用でれるフロッピーディス
クなどの磁気メモリとは異なシ、非接触状態で使用され
、高密度配設され且つ書き替え可能に形成される。光磁
気メモリにおいては、ディスク面」二に形成をれる磁、
性体薄膜に対して、レーザ光が照射され、とのレーザ光
の熱によって記録が行なわれる。
この種の磁性体薄膜としては、一般に希土類−遷移金属
系の磁性体薄膜が用いられる。現在まで使用され或は提
案されている希土類−遷移金属系の磁性体薄膜としては
、Gd−Fe + Tb−Fe + Gd −Co +
Dy−Co + Tb−FeCo + TbGd−Fe
 + Gd−FeCo、 TbDy −Fe +GdT
bDy −Fe 、 TbDy −FeCoなどの合金
薄膜がある。
これらの磁性体薄膜をディスク面上に形成するには、真
空槽内にディスクを配設し、このディスクに対向して薄
膜形成用ターゲットを配置し、真空槽内に例えば1O−
3Torrの圧力にArガスを導入し、10数■tで1
〜2KVの高周波を印加してプラズマを発生させる。
生じたプラズマ中のArイオンが薄膜形成用ターケゝソ
トに衝突し、Arイオンの衝突エネルギによジターグツ
トを構成する金属が薄膜形成用ターゲットから放出され
、ディスクに付着して磁性体薄膜が形成される。
薄膜形成用ターゲットとしては、単体の希土類元素片と
遷移金属片とを所定の配合比になるように組合せ配列し
たものが使用されていた。しかしこの方式では、所定の
配合比となるような設定が難かしく、配合位置との関係
で、ディスク面上に形成される磁性体薄膜が均一に構成
されない。
この欠点を補うために、特開昭60−230903号公
報に薄膜形成用ターゲットを合金化する方式が提案され
ている。
この提案されている方式によると、形成される磁性体薄
膜の均一性の点では優れたものが得られる。しかし希土
類−遷移金属合金が金属間化合物を形成するため、溶融
鋳塊では割れ、欠けなどが発生するために一定形状に加
工することが困難で、大型ターゲットを作成することが
難かしい。
従って提案されている方式では、溶融鋳塊を微粉砕し焼
結するという工程が必要である。このために希土類元素
の酸化による組成ずれが生じ、所定の組成のものが得に
くいと共に、酸素が含有されるため特性が劣化するとい
う欠点がある。また微粉砕工程によって製造に長時間を
要するという難点もある。
〈発明が解決しようとする問題点〉 従来提案されている薄膜形成用ターゲットを合金化する
方式では、前述のように組成ずれが発生し易く、酸素の
含有による特性の劣化が生じ易く、微粉砕工程が必要な
ために製造に長時間を要する。
この発明は、従来提案されている薄膜形成用ターゲット
を合金化する方式の現状に鑑みてなされたものであり、
その目的は所定組成のものが得られ、製造工程も簡単で
特別の手段を要せずに得られる薄膜形成用合金ターゲッ
トとその製造法を提供することにある。
く問題点を解決するだめの手段〉 この発明の薄膜形成用合金ターゲットは、希土類元素−
遷移金属系非晶質物を含む焼結体で構成される。
この場合の焼結体は、希土類元素−遷移金属系非晶質物
を含む薄帯片が複数層重畳された構成とされるか或は、
希土類元素−遷移金属系非晶質物を含む粉末の焼結物か
ら構成される。
希土類元素−遷移金属系非晶質物を含む薄帯片で焼結体
が構成される薄膜形成用合金ターゲットを製造するには
、溶融工程によシ希土類−遷移金属系合金を溶融する。
次いで薄帯用生成工程によシ、溶融工程で得られた溶湯
から希土類元素−遷移金属系非晶質物の薄帯片が形成さ
れる。最後に成形焼結工程により、薄帯用生成工程で得
られた薄帯片が複数片重畳され成形焼結される。
希土類元素−遷移金属系非晶質物を含む粉末の焼結物で
焼結体が構成される薄膜形成用合金ターゲットを製造す
るには、溶融工程で希土類元素−遷移金属系合金を溶融
する。
次いで粉末生成工程によシ、溶融工程で得られた溶湯か
ら希土類元素−遷移金属系非晶質物の粉末が得られる。
最後に成形焼結工程によシ粉末生成工程で得られた粉末
が成形焼結される。
〈作用〉 この発明によると所定の高精度組成を有する薄膜形成用
合金ターゲットが比較的簡単な製造工程で提供される。
〈実施例〉 以下この発明をその実施例に基づき図面を使用して詳細
に説明する。
最初に、希土類元素−遷移金属系非晶質物を含む焼結体
からなり、焼結体が薄帯片が複数層重畳された構成とな
っている薄膜形成用合金ターケ9ソトを、その製造法に
沿って説明する。
第1図はこの第1の実施例の製造の一工程を示すもので
、例えばクロム鋼製の冷却ロール21が、図示していな
い回転手段により、回転軸22を介して例えば120O
rpmという回転速度で回転可能に構成される。
この冷却ロール21の上方周面に近接して溶湯容器23
が配設される。溶湯容器23の冷却ロール21との対向
面に、噴出ノズル24が形成きれ、この噴出ノズル24
は冷却ロール21の周面に間隔1喘を保って配設される
溶湯容器23の外周には高周波コイル25が巻装され、
この高周波コイル25によって溶湯容器23内に配され
る希土類元素−遷移金属系合金原材が溶融状態となるよ
うに構成される。
溶湯容器23を挾むようにして、放出管27゜28が配
され、これらの放出管27.28の放出口が冷却ロール
21の周面に近接対向して配設される。これらの放出管
27.28内にはArガスが導入される。放出管27.
28内に導入されたArガスは、放出管27.28の放
出口から冷却ロール21の周面に対して噴出される。
まだ、図示していないが溶湯容器23には加圧手段が設
けられていて、溶湯容器23内で溶融された希土類元素
−遷移金属系合金は、溶湯状態で噴出ノズル24から冷
却ロール21の周面に噴出される。
従って、溶融工程により溶湯容器23内に所望の組成比
を有する希土類元素−遷移金属系合金が入れられ、高周
波コイル25で加熱され溶融状態ときれる。
実施例では、溶湯容器23に入れられる希土類元素−遷
移金属系合金として、Gd ]、 7.0原子係、Tb
100原子チ、Fe’73.0原子チの組成のものが選
定された。このような組成の希土類元素−遷移金属系合
金が溶湯容器23内に配され、Arガス雰囲気中で高周
波コイル25により加熱され溶湯状態となる。
次に薄帯片生成工程により、溶融工程で得られた溶湯か
ら希土類元素−遷移金属系非晶質物の薄帯片が作成され
る。
実施例においては冷却ロール21を1.200 rpm
の回転速度で回転させ、加圧手段によV) 300 k
l? /cm2の圧力のArガスを与え、噴出ノズル2
4から溶湯を冷却ロール21の周面に噴出させる。放出
管27゜28から放出されるArガスは、冷却ロール2
1の周面に噴出される溶湯に対して酸化防止の働きをす
る。
冷却ロール210周面に噴出された溶湯は、例えば10
℃/ Seeという冷却速度で冷却され、例えば幅40
tan、厚み50μmのほぼ完全々非晶質の薄帯片が形
成される。
このようにして、実施例においてはGd i 7. O
原子チ、Tb ]、 O,O原子チ、Fe73.0原子
係の組成の希土類元素−遷移金属系非晶質薄帯片が形成
され、例えば幅40mm、厚み50μmの形状で冷却ロ
ール21により送り出される。
成形焼結工程で薄帯片生成工程で得られた薄帯片が重畳
され成形焼結される。
冷却ロールにより送り出される薄帯片3oは所定の長さ
に切断され、切断された薄帯片が複数層に重畳される。
実施例においては、冷却ロール21より送シ出される幅
40咽、厚み50μmの薄帯片は長さ300+mnに切
断され、120枚重畳されて全体の厚みがほぼ10mm
に々るように配置される。
このようにして複数層に重畳された状態とされ、所定の
形状とされだ薄帯片体31が、第2図に示すように熱間
静水圧プレス35内に配される。この状態でヒータ36
により500〜7oo℃の温度下で15分間加熱状態と
されながら周囲からArガスなどの加圧ガスにより矢印
に示す方向に10〜]、 4 t/1M  の圧力で加
圧される。
このような加圧状態下での成形焼結により、幅39m、
厚み5. ]、 mm、長さ285調の板状焼結体の薄
膜形成用合金ターゲットが得られる。
実施例においては、所定長に切断した複数の薄帯片30
を所望の厚みに重畳して得た薄帯片体31を用いる場合
について説明した。しかし円柱状の薄膜形成用合金ター
ゲットを形成する場合には、薄帯片30をロール状に巻
回して所定の半径の円柱状体を形成する。
この場合も全く同様にして、円柱状に形成された薄帯片
体31が熱間静水圧プレス35内に配され、加熱状態下
で加圧されて薄膜形成用合金ターゲットが得られる。
発明者等の実験の結果、このようにして得られた薄膜形
成用合金ターゲットは、機械研磨等の加工手段を施すこ
となく、ス・やツタ装置などの薄膜形成用合金ターゲッ
トとして使用可能であった。
また、得られた薄膜形成用合金ターゲットを組成分析し
た所、Gd16.9原子チ、Tb9.9原子%、Fe7
3.2原子俤なる結果が得られ、酸素の含有量は001
重量%であった。更に、このターゲットをX線回折した
所、非晶質状態を示すノ・ローパターンをベースとした
結晶の回折ピークが認められた。
この発明で得られた薄膜形成用合金ターゲットを、スi
R7タ装置のターゲットホルダに装着し、Arガス雰囲
気内でスノeツタを行ない、基板上に付着したGd T
b −Fe膜は組成の均質な磁性体薄膜となっているこ
とが確認された。
発明者等はこの発明の薄膜形成用合金ターゲットの効果
を確認するため、実施例と同一組成の合金を溶解鋳造し
、・ショークラッシャで粗粉砕した後に、ゴールミルで
微粉砕し、熱間静水圧加圧の手段で成形焼結して得られ
る合金ターゲットとの組成の比較を行なった。その結果
、実施例と同一組成の合金を溶解鋳造し、ショークラッ
シャで粗粉砕した後にゾールミルで微粉砕し熱間静水圧
加圧の手段で成形焼結した合金ターゲットでは、Gd1
6.1原子チ、Tb8.9原子係、Fe74.5原子係
となった。
この組成比は目標組成であるGd17.0原子チ、Tb
1O,O原子チ、Fe73.0原子係よりずれており、
またこの場合には含有酸素量も05重量%でか々シ酸化
していることが確認された。さらに焼結前後における収
縮率も20チ程度認められ、所望サイズよりも小さなタ
ーゲットとなる。
この発明の薄膜形成用合金ターゲットは、完全に非晶質
である必要はなく結晶質の部分を含んだものでもよい。
発明者等の実測の結果では、薄帯片が75μmを超えた
厚みになると結晶質の比率が増大し、酸素濃度が増加し
もろく折れ易くなって、一定形状に切断することも困難
となる。
希土類元素−遷移金属合金は単に溶解鋳造しただけでは
割れ欠けが生じターゲットに成形し難い。
しかしこの発明の薄膜形成用合金ターゲットでは、薄帯
片間の間隙が加圧加熱により焼結されるため、高密度の
合金ターゲットが得られる。
また薄帯片が重畳された構成なので、スパッタ時に薄帯
片表面から酸素や水分などの不純物が放出されることも
なく、優れた組成特性の薄膜形成用合金ターゲットを得
ることが出来る。
従って、酸化し易い希土類金属を多量に含む光磁気磁性
薄膜を形成する場合に優れた効果を発揮C13) する。製造の過程で粉体化する必要がないので、粉砕に
要する工数が不要で、薄帯片を切断した多巻回したりす
るだけの工程で、焼結工程に進むことが出来る。薄帯片
が重畳された構成は、粉体のつめ込み構成に比較すると
、空隙が少なく、焼結時における収縮率も小さく、寸法
精度のよい薄膜形成用合金ターゲットが得られる。
次に、希土類元素−遷移金属系非晶質物を含む焼結体か
らなシ、焼結体が粉末の焼結物から構成されている薄膜
形成用合金ターゲットをその製造法に沿って説明する。
第3図は、この第2の実施例の製造の一工程を示すもの
で、筒状の密封可能な反応容器41が設けられ、この反
応容器41は隔壁42によ如上下に部分される。隔壁4
2で部分された反応容器旧の上方側に湯だめ43が配さ
れ、湯だめ43の底部には管状の放出口44が突出形成
される。
湯だめ43は、この放出口44を隔壁42に形成された
連結口45から反応容器41の下方側に突出させて配設
される。湯だめ43の内周に耐火材層46が形成され、
湯だめ43の外周面を被うようにして湯ため43には高
周波コイル47が配設される。
湯だめ43と高周波コイル47間には、湯だめ43の外
周に沿ってArガスの噴出路48が形成されている。こ
の噴出路48内には例えば噴霧圧力1、05に’j/l
yn  、流量280t/minでArガスが流きれ、
放出口44から噴射される。
湯だめ43内に、希土類元素−遷移金属系合金として、
Gd2O原子係、Dy5原子チ及びFe 75原子係を
入れ、高周波コイル47によって溶解し、図示していな
い加圧手段によI) 300kg/c1n2のAr加圧
ガスを用いて合金溶湯面を加圧し、放出口44よシこの
合金溶湯を噴出させる。
放出口44より噴出される溶解状態の希土類−遷移金属
合金は、噴出路48からの高速Arガスにより引き出さ
れ、且つ高速ガスの霧吹き作用により霧状とされる。
反応容器41の隔壁42の下方側に、碗状の水冷回転テ
ーブル50が細心を中心にモータ51によって回転自在
に取り付けられている。回転テーブル50は、例えば1
20Orpmという回転速度で回転される。回転テーブ
ル50には図示していない水冷手段に」:って水冷が施
されている。
放出′口44から噴出された噴霧状の希土類元素−遷移
金属系合金は、回転テーブル50に吹き4勺けられて所
謂ガスアトマイズ法によシ微粒子化され、1〜5μmの
平均粒径の希土類元素−遷移金属系非晶質物の粉末が得
られる。この工程で得られた微粉末は、X線回折の手段
によシ非晶質であることが確認された。
この微粉末が反応容器41の底部に集められ、ケゞ−ト
バルブ52によって反応容器4】から容器53内に集め
られる。第4図に示すように、容器53内に集められた
微粉末54が金型55内に例えば300g採取され、熱
間静水圧加圧器58内に配設される。金型55にはヒー
ター59が設けられ、ヒーター59によって金型55内
の微粉末54が加熱される。
金型55に対して油圧シリンダ60が配され、油圧シリ
ンダ60によシ、例えばlot/lynの加圧が行なわ
れ、同時にヒーター59によって/100℃で1時間程
度の加熱が施される。このような加熱加圧状態で、金型
55内の微粉末54が成形焼結される。
実施例で得られた薄膜形成用合金ターケゝノドの組成は
、Gd19.8原子係、Dy48原子係、Fe75.3
原子ヂ、酸素0.03重量%であった。まだ、この合金
ターゲットをX線回折した所、非晶質状態を示すハロー
・ぐターンをベースとした結晶の回折ピークが認められ
て、薄膜形成用合金ターゲットとして充分な特性を有す
ることが確認された。
実施例で得られた薄膜形成用合金ターゲットを、スパッ
タ装置のターゲットホルダーに設置してArガス雰囲気
内でス・ぐツタリングを行ない、形成されだGd Tb
 −Fe薄膜を分析して均質な組成の薄膜が得られてい
ることが確認された。
この発明の効果を確認するために、発明者等は、実施例
と同一組成の合金を溶解鋳造し、ショークラッシャで粗
粉砕後にボールミルで微粉砕し、熱間静水加圧によし成
形焼結して得た合金ターゲットと、この発明の薄膜形成
用合金ターゲットとを比較した。
溶M鋳造後微粉砕過程を経て成形焼結した合金ターゲッ
トは、Gd18.5原子係、Dy4.5原子係、Fe7
6.5原子係となり、目標組成であるGd 20原子チ
、Dy 5原子チ、Fe 75原子チより組成がずれて
いることが確認された。また酸素の含有量も05重量%
であり、酸化が生じていることも確認された。
第2の実施例のものも耐酸化性が優れた希土類元素−遷
移金属系非晶質物の粉末が成形焼結された構成であり、
希土類元素を多く含む光磁気用薄膜形成用合金ターゲッ
トとして優れている。製造過程で粉砕工程が存在しない
ので、短時間で製造可能であり、また、希土類元素−遷
移金属系非晶質物の粉末を使用するために、組成のばら
つきが小さく均一組成の薄膜形成用合金ターゲットが得
られる。
希土類元素−遷移金属系非晶質物を含む焼結体が薄帯片
が複数層重畳された構成のもの、及び希土類元素−遷移
金属系非晶質物を含む焼結体が粉末の焼結物から構成さ
れたものいずれでも、この発明の薄膜形成用合金ターゲ
ットを識別することが可能である。
第5図は焼結体が薄帯片を重畳して構成された場合で、
500℃で焼結を行々ったものの模式図である。光学顕
微鏡によって識別可能に重畳の層線が、互に平行に生じ
ている。
第6図は焼結体が粉末の焼結物から構成される場合で、
500℃で焼結が行なわれたものの模式図で、光学顕微
鏡によって識別可能に粒界が認められる。
〈発明の効果〉 この発明によると簡単な製造工程によシ短かい製造時間
で製造可能であシ、高組成精度で均一性の高い組成を有
し、耐酸化性にも優れた薄膜形成用合金ターゲットが提
供される。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の、複数層に薄帯片が重畳されて焼結
体が構成された場合における、製造法の溶融工程及び薄
帯片生成工程を示す図、第2図はこの発明の、複数層に
薄帯片が重畳されて焼結体が構成された場合における、
製造法の成形焼結工程を示す図、第3図はこの発明の、
焼結体が粉末の焼結物から構成された場合における、製
造法の溶融工程及び粉末生成工程を示す図、第4図はこ
の発明の焼結体が粉末の焼結物から構成された場合にお
ける製造法の成形焼結工程を示す図、第5図は薄帯片が
複数層重畳されてなる構成のこの発明の薄膜形成用合金
ターグットの一例における模式図、第6図は焼結体が粉
末の焼結物から構成されたこの発明の薄膜形成用合金タ
ーゲットの一例における模式図である。 21:冷却ロール、22:回転軸、23:溶湯容器、2
4:噴出ノズル、25:高周波コイル、27 、28 
:放出管、31:薄帯片、35:熱間静水圧プレス、3
6:ヒーター、41:反応容器、42:隔壁、43:湯
だめ、44:放出口、46:耐人材層、47:高周波コ
イル、48:噴出路、50:回転テーブル、51:モー
タ、54:微粉末、58:熱間静水圧加圧器、55:金
型。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)希土類元素−遷移金属系非晶質物を含む焼結体か
    らなることを特徴とする薄膜形成用合金ターゲット。
  2. (2)焼結体は薄帯片が複数層重畳された構成であるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄膜形成用
    合金ターゲット。
  3. (3)焼結体は粉末の焼結物から構成されてなることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄膜形成用合金
    ターゲット。
  4. (4)希土類元素−遷移金属系合金を溶融する溶融工程
    と、この溶融工程で得られた溶湯から希土類元素−遷移
    金属系非晶質物の薄帯片を得る薄帯片生成工程と、この
    薄帯片生成工程で得られた薄帯片を重畳して成形焼結す
    る成形焼結工程とを有することを特徴とする薄膜形成用
    合金ターゲットの製造方法。
  5. (5)希土類元素−遷移金属系合金を溶融する溶融工程
    と、この溶融工程で得られた溶湯から希土類元素−遷移
    金属系非晶質物の粉末を得る粉末生成工程と、この粉末
    生成工程で得られた粉末を成形焼結する成形焼結工程と
    を有することを特徴とする薄膜形成用合金ターゲットの
    製造方法。
JP12986086A 1986-06-04 1986-06-04 薄膜形成用合金タ−ゲツト及びその製造法 Pending JPS62287070A (ja)

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