JP2003166023A - アンチモン又はテルルの高純度化方法 - Google Patents
アンチモン又はテルルの高純度化方法Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の電解法、真空蒸留法、ゾーンメルティ
ング法等を使用せず、コストを低減し、大量生産できる
アンチモン又はテルルの高純度化方法を得ることを目的
とする。 【解決手段】 アンチモン又はテルル原料を篩にかけて
粒度調整した後、酸で洗浄し、さらにこれを溶解鋳造し
て純度の高いアンチモン又はテルルインゴットを得るこ
とを特徴とするアンチモン又はテルルの高純度化方法。
ング法等を使用せず、コストを低減し、大量生産できる
アンチモン又はテルルの高純度化方法を得ることを目的
とする。 【解決手段】 アンチモン又はテルル原料を篩にかけて
粒度調整した後、酸で洗浄し、さらにこれを溶解鋳造し
て純度の高いアンチモン又はテルルインゴットを得るこ
とを特徴とするアンチモン又はテルルの高純度化方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コストを低減し、
大量生産できるアンチモン又はテルルの高純度化方法に
関する。
大量生産できるアンチモン又はテルルの高純度化方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ヘッドを必要とせずに記録・
再生ができる高密度記録光ディスク技術が開発され、急
速に関心が高まっている。この光ディスクは再生専用
型、追記型、書き換え型の３種類に分けられるが、特に
追記型又は書き換え型で使用されている相変化方式が注
目されている。相変化光ディスクは、基板上の記録薄膜
をレーザー光の照射によって加熱昇温させ、その記録薄
膜の構造に結晶学的な相変化（アモルファス⇔結晶）を
起こさせて情報の記録・再生を行うものであり、より具
体的にはその相間の光学定数の変化に起因する反射率の
変化を検出して情報の再生が行われる。
再生ができる高密度記録光ディスク技術が開発され、急
速に関心が高まっている。この光ディスクは再生専用
型、追記型、書き換え型の３種類に分けられるが、特に
追記型又は書き換え型で使用されている相変化方式が注
目されている。相変化光ディスクは、基板上の記録薄膜
をレーザー光の照射によって加熱昇温させ、その記録薄
膜の構造に結晶学的な相変化（アモルファス⇔結晶）を
起こさせて情報の記録・再生を行うものであり、より具
体的にはその相間の光学定数の変化に起因する反射率の
変化を検出して情報の再生が行われる。
【０００３】上記の相変化は１〜数μｍ程度の径に絞っ
たレーザー光の照射によって行なわれる。この場合、例
えば１μｍのレーザービームが１０ｍ／ｓの線速度で通
過するとき、光ディスクのある点に光が照射される時間
は１００ｎｓであり、この時間内で上記相変化と反射率
の検出が行われ、上記結晶学的な相変化すなわちアモル
ファスと結晶との相変化を実現することが必要である。
たレーザー光の照射によって行なわれる。この場合、例
えば１μｍのレーザービームが１０ｍ／ｓの線速度で通
過するとき、光ディスクのある点に光が照射される時間
は１００ｎｓであり、この時間内で上記相変化と反射率
の検出が行われ、上記結晶学的な相変化すなわちアモル
ファスと結晶との相変化を実現することが必要である。
【０００４】このようなことから相変化光ディスクは、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録薄膜
層の両側を硫化亜鉛−ケイ酸化物（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）
系の高融点誘電体の保護層で挟み、それにアルミニウム
合金反射膜を設けた四層構造として使用されており、ア
ンチモン（Ｓｂ）又はテルル（Ｔｅ）は上記光記録媒体
として重要な構成元素である。このような光記録媒体で
ある記録薄膜層は、通常スパッタリング法により形成さ
れている。このスパッタリング法は正の電極と負の電極
とからなるターゲットとを対向させ、不活性ガス雰囲気
下でこれらの基板とターゲットの間に高電圧を印加して
電場を発生させるものであり、この時電離した電子と不
活性ガスが衝突してプラズマが形成され、このプラズマ
中の陽イオンがターゲット（負の電極）表面に衝突して
ターゲット構成原子を叩きだし、この飛び出した原子が
対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理
を用いたものである。
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系等の記録薄膜
層の両側を硫化亜鉛−ケイ酸化物（ＺｎＳ・ＳｉＯ２）
系の高融点誘電体の保護層で挟み、それにアルミニウム
合金反射膜を設けた四層構造として使用されており、ア
ンチモン（Ｓｂ）又はテルル（Ｔｅ）は上記光記録媒体
として重要な構成元素である。このような光記録媒体で
ある記録薄膜層は、通常スパッタリング法により形成さ
れている。このスパッタリング法は正の電極と負の電極
とからなるターゲットとを対向させ、不活性ガス雰囲気
下でこれらの基板とターゲットの間に高電圧を印加して
電場を発生させるものであり、この時電離した電子と不
活性ガスが衝突してプラズマが形成され、このプラズマ
中の陽イオンがターゲット（負の電極）表面に衝突して
ターゲット構成原子を叩きだし、この飛び出した原子が
対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理
を用いたものである。
【０００５】ところで、記録媒体中に不純物が混入する
と、記録−消去に伴う液相−固相間の相変化の繰返しと
ともに、記録点と非記録部との界面付近に濃縮するよう
になり、またこのような記録点周辺において粗大結晶粒
の発生源となる結晶成長核が生成し、書き換え回数や消
去回数の低下となる原因となった。このようなことか
ら、光記録媒体としての構成元素であるアンチモン又は
テルルの高純度化が要請されている。一般に、アンチモ
ン又はテルルを高純度化する手法として、電解法、真空
蒸留法、ゾーンメルティング法などが知られている。し
かし、これらの方法はいずれも大量生産が難しく、コス
ト高となる欠点を有していた。
と、記録−消去に伴う液相−固相間の相変化の繰返しと
ともに、記録点と非記録部との界面付近に濃縮するよう
になり、またこのような記録点周辺において粗大結晶粒
の発生源となる結晶成長核が生成し、書き換え回数や消
去回数の低下となる原因となった。このようなことか
ら、光記録媒体としての構成元素であるアンチモン又は
テルルの高純度化が要請されている。一般に、アンチモ
ン又はテルルを高純度化する手法として、電解法、真空
蒸留法、ゾーンメルティング法などが知られている。し
かし、これらの方法はいずれも大量生産が難しく、コス
ト高となる欠点を有していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上から、本発明は、
従来の電解法、真空蒸留法、ゾーンメルティング法等を
使用せず、コストを低減し、大量生産できるアンチモン
又はテルルの高純度化方法を得ることを目的とする。
従来の電解法、真空蒸留法、ゾーンメルティング法等を
使用せず、コストを低減し、大量生産できるアンチモン
又はテルルの高純度化方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明者らは鋭意研究を行った結果、アンチモン
又はテルルの粒度を調整し、簡単な酸洗浄によって、ア
ンチモン又はテルルを高純度化できるとの知見を得た。
本発明はこの知見に基づき、 １． アンチモン又はテルル原料を篩にかけて粒度調整
した後、酸で洗浄し、さらにこれを溶解鋳造して純度の
高いアンチモン又はテルルインゴットを得ることを特徴
とするアンチモン又はテルルの高純度化方法 ２． 溶解の際に表面に浮上したスラグを除去すること
を特徴とする上記１記載のアンチモン又はテルルの高純
度化方法 ３． アンチモン又はテルル原料を篩にかけて０．５ｍ
ｍ〜１０ｍｍに粒度調整することを特徴とする請求項１
又は２記載のアンチモン又はテルルの高純度化方法。 ４． アンチモン又はテルル原料を篩にかけて１ｍｍ〜
５ｍｍに粒度調整することを特徴とする上記１又は２記
載のアンチモン又はテルルの高純度化方法 ５． 塩酸、硝酸、硫酸、ふっ酸のいずれか１種又は２
種以上の混酸を用いて酸 洗浄することを特徴とすることを特徴とする上記１〜４
のそれぞれに記載のアンチモン又はテルルの高純度化方
法 ６． 酸濃度を０．５Ｎ〜６Ｎとすることを特徴とする
上記１〜５のそれぞれに記載のアンチモン又はテルルの
高純度化方法 ７． 温度１０°Ｃ〜８０°Ｃで酸洗浄することを特徴
とする上記１〜６のそれぞれに記載のアンチモン又はテ
ルルの高純度化方法 ８． ６５０°Ｃ〜１１００°Ｃで溶解することを特徴
とする上記１〜７記載のアンチモンの高純度化方法 ９． ４６０°Ｃ〜１０００°Ｃで溶解することを特徴
とする上記１〜７記載のテルルの高純度化方法 １０． アンチモン又はテルル原料の純度が２Ｎ〜３Ｎ
レベルの純度であることを特徴とする上記１〜９記載の
アンチモン又はテルルの高純度化方法 １１． 高純度化後の純度が４Ｎレベル以上であること
を特徴とする上記１〜１０記載のアンチモン又はテルル
の高純度化方法を提供する。
めに、本発明者らは鋭意研究を行った結果、アンチモン
又はテルルの粒度を調整し、簡単な酸洗浄によって、ア
ンチモン又はテルルを高純度化できるとの知見を得た。
本発明はこの知見に基づき、 １． アンチモン又はテルル原料を篩にかけて粒度調整
した後、酸で洗浄し、さらにこれを溶解鋳造して純度の
高いアンチモン又はテルルインゴットを得ることを特徴
とするアンチモン又はテルルの高純度化方法 ２． 溶解の際に表面に浮上したスラグを除去すること
を特徴とする上記１記載のアンチモン又はテルルの高純
度化方法 ３． アンチモン又はテルル原料を篩にかけて０．５ｍ
ｍ〜１０ｍｍに粒度調整することを特徴とする請求項１
又は２記載のアンチモン又はテルルの高純度化方法。 ４． アンチモン又はテルル原料を篩にかけて１ｍｍ〜
５ｍｍに粒度調整することを特徴とする上記１又は２記
載のアンチモン又はテルルの高純度化方法 ５． 塩酸、硝酸、硫酸、ふっ酸のいずれか１種又は２
種以上の混酸を用いて酸 洗浄することを特徴とすることを特徴とする上記１〜４
のそれぞれに記載のアンチモン又はテルルの高純度化方
法 ６． 酸濃度を０．５Ｎ〜６Ｎとすることを特徴とする
上記１〜５のそれぞれに記載のアンチモン又はテルルの
高純度化方法 ７． 温度１０°Ｃ〜８０°Ｃで酸洗浄することを特徴
とする上記１〜６のそれぞれに記載のアンチモン又はテ
ルルの高純度化方法 ８． ６５０°Ｃ〜１１００°Ｃで溶解することを特徴
とする上記１〜７記載のアンチモンの高純度化方法 ９． ４６０°Ｃ〜１０００°Ｃで溶解することを特徴
とする上記１〜７記載のテルルの高純度化方法 １０． アンチモン又はテルル原料の純度が２Ｎ〜３Ｎ
レベルの純度であることを特徴とする上記１〜９記載の
アンチモン又はテルルの高純度化方法 １１． 高純度化後の純度が４Ｎレベル以上であること
を特徴とする上記１〜１０記載のアンチモン又はテルル
の高純度化方法を提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】アンチモン及びテルルは非常に脆
く、酸洗すると酸が中に残留し、後工程で酸素等が増加
する原因となるので、従来酸洗処理は行われていなかっ
た。一方、アンチモン及びテルルは粒界に不純物が偏析
し易く、またインゴット等は粒界から割れるという現象
があることが分かった。これは、すなわち割れた部分に
不純物が濃縮しているということを意味する。このよう
なことから、アンチモン及びテルル原料を適度に破砕
し、この原料を篩にかけて粒度調整した後、酸で洗浄す
ることにより、前記のように濃縮した不純物を効果的に
除去できることが分かった。このように、酸で不純物を
酸洗浄により除去した後、この原料をアンチモンの場合
は６５０°Ｃ〜１１００°Ｃで、テルルの場合は４６０
°Ｃ〜１０００°Ｃで溶解し、鋳造して高純度のアンチ
モン又はテルルインゴットを得る。アンチモンは６５０
°Ｃ未満、テルルは４６０°Ｃ未満では溶解せず、前者
は１１００°Ｃ、後者は１０００°Ｃを超える温度で
は、蒸気圧が高くなりロスが多くなるので、上記の温度
の範囲で溶解する。溶解の際に表面に浮上したスラグは
除去する。
く、酸洗すると酸が中に残留し、後工程で酸素等が増加
する原因となるので、従来酸洗処理は行われていなかっ
た。一方、アンチモン及びテルルは粒界に不純物が偏析
し易く、またインゴット等は粒界から割れるという現象
があることが分かった。これは、すなわち割れた部分に
不純物が濃縮しているということを意味する。このよう
なことから、アンチモン及びテルル原料を適度に破砕
し、この原料を篩にかけて粒度調整した後、酸で洗浄す
ることにより、前記のように濃縮した不純物を効果的に
除去できることが分かった。このように、酸で不純物を
酸洗浄により除去した後、この原料をアンチモンの場合
は６５０°Ｃ〜１１００°Ｃで、テルルの場合は４６０
°Ｃ〜１０００°Ｃで溶解し、鋳造して高純度のアンチ
モン又はテルルインゴットを得る。アンチモンは６５０
°Ｃ未満、テルルは４６０°Ｃ未満では溶解せず、前者
は１１００°Ｃ、後者は１０００°Ｃを超える温度で
は、蒸気圧が高くなりロスが多くなるので、上記の温度
の範囲で溶解する。溶解の際に表面に浮上したスラグは
除去する。
【０００８】篩にかけたアンチモン又はテルル原料は、
０．５ｍｍ〜１０ｍｍに粒度調整することが望ましい。
０．５ｍｍ未満では洗浄し難く、洗浄効率が上がらな
い。また１０ｍｍを超えると原料粉末に不純物が残存
し、十分な洗浄ができないという問題がある。したがっ
て、篩によりアンチモン又はテルル原料粉を０．５ｍｍ
〜１０ｍｍに粒度調整する。より好ましい範囲は１ｍｍ
〜５ｍｍである。洗浄用の酸としては、塩酸、硝酸、硫
酸、ふっ酸のいずれか１種又は２種以上の混酸を用いる
ことができる。特に塩酸が洗浄用の酸として効果的であ
る。酸濃度は０．５Ｎ〜６Ｎとする。０．５Ｎ未満で
は、酸洗浄に時間がかかり過ぎ、また６Ｎを超えると、
アンチモン又はテルルの一部溶解がおき、ロスとなるの
で、酸濃度を０．５Ｎ〜６Ｎとするのが望ましい。
０．５ｍｍ〜１０ｍｍに粒度調整することが望ましい。
０．５ｍｍ未満では洗浄し難く、洗浄効率が上がらな
い。また１０ｍｍを超えると原料粉末に不純物が残存
し、十分な洗浄ができないという問題がある。したがっ
て、篩によりアンチモン又はテルル原料粉を０．５ｍｍ
〜１０ｍｍに粒度調整する。より好ましい範囲は１ｍｍ
〜５ｍｍである。洗浄用の酸としては、塩酸、硝酸、硫
酸、ふっ酸のいずれか１種又は２種以上の混酸を用いる
ことができる。特に塩酸が洗浄用の酸として効果的であ
る。酸濃度は０．５Ｎ〜６Ｎとする。０．５Ｎ未満で
は、酸洗浄に時間がかかり過ぎ、また６Ｎを超えると、
アンチモン又はテルルの一部溶解がおき、ロスとなるの
で、酸濃度を０．５Ｎ〜６Ｎとするのが望ましい。
【０００９】また、酸洗浄は、温度１０°Ｃ〜８０°Ｃ
で行う。１０°Ｃ未満では不純物除去が効果的に行われ
ず、また８０°Ｃを超えると液の蒸発が大きく、酸のロ
スが大きくなるので、好ましくない。原料としては２Ｎ
〜３Ｎ（９９ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％）レベル以上の純
度のアンチモン又はテルルを使用する。上記本発明の操
作により、高純度化後の純度が４Ｎ〜５Ｎレベル以上と
することができる。酸洗浄後、アンチモン又はテルル原
料粉を純水で洗浄し、乾燥後、アルゴンガス等の不活性
雰囲気中又は真空中で溶解し、鋳造して高純度アンチモ
ン又はテルルインゴットを得る。以上のように、酸洗浄
と溶解という簡単な方法により、４Ｎレベル以上のアン
チモン又はテルルを安価に製造できる。
で行う。１０°Ｃ未満では不純物除去が効果的に行われ
ず、また８０°Ｃを超えると液の蒸発が大きく、酸のロ
スが大きくなるので、好ましくない。原料としては２Ｎ
〜３Ｎ（９９ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％）レベル以上の純
度のアンチモン又はテルルを使用する。上記本発明の操
作により、高純度化後の純度が４Ｎ〜５Ｎレベル以上と
することができる。酸洗浄後、アンチモン又はテルル原
料粉を純水で洗浄し、乾燥後、アルゴンガス等の不活性
雰囲気中又は真空中で溶解し、鋳造して高純度アンチモ
ン又はテルルインゴットを得る。以上のように、酸洗浄
と溶解という簡単な方法により、４Ｎレベル以上のアン
チモン又はテルルを安価に製造できる。
【００１０】
【実施例および比較例】以下、実施例および比較例に基
づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であ
り、この例によって何ら制限されるものではない。すな
わち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限される
ものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形
を包含するものである。
づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であ
り、この例によって何ら制限されるものではない。すな
わち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限される
ものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形
を包含するものである。
【００１１】（実施例１）原料となる３Ｎレベルの塊状
アンチモンの原料分析値を表１に示す。この原料を篩に
かけ１．５ｍｍ〜５ｍｍに調整した。この原料を、塩酸
３Ｎで６０分、温度５０°Ｃで酸洗浄した。これを純水
で２回洗浄後、１４０°Ｃで乾燥した。これを石英管の
中に入れ７００°Ｃで溶解した。上部に黒いスラグが浮
いたため、石英管を割って除去した。分析値を表１に示
す。
アンチモンの原料分析値を表１に示す。この原料を篩に
かけ１．５ｍｍ〜５ｍｍに調整した。この原料を、塩酸
３Ｎで６０分、温度５０°Ｃで酸洗浄した。これを純水
で２回洗浄後、１４０°Ｃで乾燥した。これを石英管の
中に入れ７００°Ｃで溶解した。上部に黒いスラグが浮
いたため、石英管を割って除去した。分析値を表１に示
す。
【００１２】（実施例２）実施例１と同じ原料となる３
Ｎレベルの塊状アンチモン原料を篩にかけ０．５ｍｍ〜
８ｍｍに調整した。この原料を、塩酸３Ｎで３０分、温
度３０°Ｃで酸洗浄した。これを純水で２回洗浄後、１
６０°Ｃで乾燥した。これを石英管の中に入れ７５０°
Ｃで溶解した。上部に黒いスラグが浮いたため、石英管
を割って除去した。分析値を表１に示す。
Ｎレベルの塊状アンチモン原料を篩にかけ０．５ｍｍ〜
８ｍｍに調整した。この原料を、塩酸３Ｎで３０分、温
度３０°Ｃで酸洗浄した。これを純水で２回洗浄後、１
６０°Ｃで乾燥した。これを石英管の中に入れ７５０°
Ｃで溶解した。上部に黒いスラグが浮いたため、石英管
を割って除去した。分析値を表１に示す。
【００１３】（比較例１）実施例１と同じ３Ｎレベルの
塊状アンチモンの原料を石英管の中に入れ７５０°Ｃで
溶解した。上部に黒いスラグが浮いたため、石英管を割
って除去した。分析値を表１に示す。
塊状アンチモンの原料を石英管の中に入れ７５０°Ｃで
溶解した。上部に黒いスラグが浮いたため、石英管を割
って除去した。分析値を表１に示す。
【００１４】表１に示すように、原料及び比較例１に示
す不純物含有量に比べて、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ等の遷移金属元素、重金属元素が大幅に減少し、Ｕ，
Ｔｈ等の放射性元素、Ｎａ，Ｋ等のアルカリ金属元素、
Ｍｇ，Ｃ量も減少している。また、比較例では酸素が大
きく増加しているが、実施例１及び２では酸素量も減少
している。このように、酸洗浄と溶解という簡単な方法
により、４Ｎレベル以上のアンチモンを製造できること
が分かる。
す不純物含有量に比べて、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ等の遷移金属元素、重金属元素が大幅に減少し、Ｕ，
Ｔｈ等の放射性元素、Ｎａ，Ｋ等のアルカリ金属元素、
Ｍｇ，Ｃ量も減少している。また、比較例では酸素が大
きく増加しているが、実施例１及び２では酸素量も減少
している。このように、酸洗浄と溶解という簡単な方法
により、４Ｎレベル以上のアンチモンを製造できること
が分かる。
【００１５】
【表１】
【００１６】（実施例３）原料となる３Ｎレベルの塊状
テルルの原料分析値を表２に示す。この原料を篩にかけ
１．５ｍｍ〜５ｍｍに調整した。この原料を、塩酸３Ｎ
で６０分、温度５０°Ｃで酸洗浄した。これを純水で２
回洗浄後、１４０°Ｃで乾燥した。これを石英管の中に
入れ７００°Ｃで溶解した。上部に黒いスラグが浮いた
ため、石英管を割って除去した。分析値を表２に示す。
テルルの原料分析値を表２に示す。この原料を篩にかけ
１．５ｍｍ〜５ｍｍに調整した。この原料を、塩酸３Ｎ
で６０分、温度５０°Ｃで酸洗浄した。これを純水で２
回洗浄後、１４０°Ｃで乾燥した。これを石英管の中に
入れ７００°Ｃで溶解した。上部に黒いスラグが浮いた
ため、石英管を割って除去した。分析値を表２に示す。
【００１７】（実施例４）実施例３と同じ原料となる３
Ｎレベルの塊状テルル原料を篩にかけ０．５ｍｍ〜８ｍ
ｍに調整した。この原料を、硝酸３Ｎで３０分、温度３
０°Ｃで酸洗浄した。これを純水で２回洗浄後、１６０
°Ｃで乾燥した。これを石英管の中に入れ７５０°Ｃで
溶解した。上部に黒いスラグが浮いたため、石英管を割
って除去した。分析値を表２に示す。
Ｎレベルの塊状テルル原料を篩にかけ０．５ｍｍ〜８ｍ
ｍに調整した。この原料を、硝酸３Ｎで３０分、温度３
０°Ｃで酸洗浄した。これを純水で２回洗浄後、１６０
°Ｃで乾燥した。これを石英管の中に入れ７５０°Ｃで
溶解した。上部に黒いスラグが浮いたため、石英管を割
って除去した。分析値を表２に示す。
【００１８】（比較例２）実施例３と同じ３Ｎレベルの
塊状テルルの原料を石英管の中に入れ７５０°Ｃで溶解
した。上部に黒いスラグが浮いたため、石英管を割って
除去した。分析値を表２に示す。
塊状テルルの原料を石英管の中に入れ７５０°Ｃで溶解
した。上部に黒いスラグが浮いたため、石英管を割って
除去した。分析値を表２に示す。
【００１９】
【表２】
【００２０】表２に示すように、原料及び比較例２に示
す不純物含有量に比べて、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ等の遷移金属元素、重金属元素が大幅に減少し、Ｕ，
Ｔｈ等の放射性元素、Ｎａ，Ｋ等のアルカリ金属元素、
Ｍｇ，Ｃ量も減少している。また、比較例では酸素が大
きく増加しているが、実施例１及び２では酸素量も減少
している。このように、酸洗浄と溶解という簡単な方法
により、４Ｎレベル以上のテルルを製造できることが分
かる。
す不純物含有量に比べて、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ等の遷移金属元素、重金属元素が大幅に減少し、Ｕ，
Ｔｈ等の放射性元素、Ｎａ，Ｋ等のアルカリ金属元素、
Ｍｇ，Ｃ量も減少している。また、比較例では酸素が大
きく増加しているが、実施例１及び２では酸素量も減少
している。このように、酸洗浄と溶解という簡単な方法
により、４Ｎレベル以上のテルルを製造できることが分
かる。
【００２１】
【発明の効果】本発明は、従来のコスト高となる電解
法、真空蒸留法、ゾーンメルティング法等を使用せず、
低コストで大量生産できるアンチモン又はテルルの優れ
た高純度化方法を提供することができ、光記録媒体とし
ての構成元素である高純度のアンチモン又はテルルを安
価に提供できるという著しい効果を有する。
法、真空蒸留法、ゾーンメルティング法等を使用せず、
低コストで大量生産できるアンチモン又はテルルの優れ
た高純度化方法を提供することができ、光記録媒体とし
ての構成元素である高純度のアンチモン又はテルルを安
価に提供できるという著しい効果を有する。
Claims (11)
- 【請求項１】 アンチモン又はテルル原料を篩にかけて
粒度調整した後、酸で洗浄し、さらにこれを溶解鋳造し
て純度の高いアンチモン又はテルルインゴットを得るこ
とを特徴とするアンチモン又はテルルの高純度化方法。 - 【請求項２】 溶解の際に表面に浮上したスラグを除去
することを特徴とする請求項１記載のアンチモン又はテ
ルルの高純度化方法。 - 【請求項３】 アンチモン又はテルル原料を篩にかけて
０．５ｍｍ〜１０ｍｍに粒度調整することを特徴とする
請求項１又は２記載のアンチモン又はテルルの高純度化
方法。 - 【請求項４】 アンチモン又はテルル原料を篩にかけて
１ｍｍ〜５ｍｍに粒度調整することを特徴とする請求項
１又は２記載のアンチモン又はテルルの高純度化方法。 - 【請求項５】 塩酸、硝酸、硫酸、ふっ酸のいずれか１
種又は２種以上の混酸を用いて酸洗浄することを特徴と
することを特徴とする請求項１〜４のそれぞれに記載の
アンチモン又はテルルの高純度化方法。 - 【請求項６】 酸濃度を０．５Ｎ〜６Ｎとすることを特
徴とする請求項１〜５のそれぞれに記載のアンチモン又
はテルルの高純度化方法。 - 【請求項７】 温度１０°Ｃ〜８０°Ｃで酸洗浄するこ
とを特徴とする請求項１〜６のそれぞれに記載のアンチ
モン又はテルルの高純度化方法。 - 【請求項８】 ６５０°Ｃ〜１１００°Ｃで溶解するこ
とを特徴とする請求項１〜７記載のアンチモンの高純度
化方法。 - 【請求項９】 ４６０°Ｃ〜１０００°Ｃで溶解するこ
とを特徴とする請求項１〜７記載のテルルの高純度化方
法。 - 【請求項１０】 アンチモン又はテルル原料の純度が２
Ｎ〜３Ｎレベルの純度であることを特徴とする請求項１
〜９記載のアンチモン又はテルルの高純度化方法。 - 【請求項１１】 高純度化後の純度が４Ｎレベル以上で
あることを特徴とする請求項１〜１０記載のアンチモン
又はテルルの高純度化方法。
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|---|---|---|---|
| JP2001365633A JP2003166023A (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | アンチモン又はテルルの高純度化方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001365633A JP2003166023A (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | アンチモン又はテルルの高純度化方法 |
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|---|---|
| JP2003166023A true JP2003166023A (ja) | 2003-06-13 |
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|---|---|---|---|
| JP2001365633A Withdrawn JP2003166023A (ja) | 2001-11-30 | 2001-11-30 | アンチモン又はテルルの高純度化方法 |
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| JP (1) | JP2003166023A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN114250371A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-03-29 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种高纯锑棒的制备方法 |
| CN114951608A (zh) * | 2022-05-31 | 2022-08-30 | 广东先导微电子科技有限公司 | 一种高纯锑棒的制备方法 |
-
2001
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