JP2006103075A - 記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を作製するためのGaSb系相変化型記録膜およびこの記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット - Google Patents
記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を作製するためのGaSb系相変化型記録膜およびこの記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006103075A JP2006103075A JP2004290940A JP2004290940A JP2006103075A JP 2006103075 A JP2006103075 A JP 2006103075A JP 2004290940 A JP2004290940 A JP 2004290940A JP 2004290940 A JP2004290940 A JP 2004290940A JP 2006103075 A JP2006103075 A JP 2006103075A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase change
- recording film
- gasb
- phase changing
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
Abstract
【解決手段】Ga:5〜20%未満を含有し、さらにTe,Geの内の1種または2種を合計で0.2〜20%未満を含有し、さらに必要に応じてIn、BiおよびSnの内の1種または2種以上を合計で0.2〜20%未満を含有し、残部がSbおよび不可避不純物からなる組成を有する記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を形成するためのGaSb系相変化型記録膜、GaSb系相変化型記録膜形成用ターゲット。
【選択図】 なし
Description
(イ)通常のGa−Sb二元系相変化型記録膜にTe,Geの内の1種または2種を合計で0.2〜20%未満(以下、%は原子%を示す)を含有せしめたGaSb系相変化型記録膜を形成した相変化型記録媒体は、高温雰囲気に長時間放置しておいても優れた記録マークの保存安定性を有している、
(ロ)前記(イ)記載の記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体に形成するGaSb系相変化型記録膜は、このGaSb系相変化型記録膜と同一の成分組成を有するターゲットを用いてスパッタリングすることにより得られる、
(ハ)前記(イ)記載のTe,Geの内の1種または2種を合計で0.2〜20%未満を含有せしめたGaSb系相変化型記録膜に、さらにIn、BiおよびSnの内の1種または2種以上を合計で0.2〜20%未満含有せしめたGaSb系相変化型記録膜を形成した相変化型記録媒体は、さらに一層高温雰囲気に長時間放置しておいても優れた記録マークの保存安定性を有している、
(ニ)前記(ハ)記載の記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体に形成するGaSb系相変化型記録膜は、このGaSb系相変化型記録膜と同一の成分組成を有するターゲットを用いてスパッタリングすることにより得られる、という研究結果が得られたのである。
(1)Ga:5〜20%未満を含有し、さらにTe,Geの内の1種または2種を合計で0.2〜20%未満を含有し、残部がSbおよび不可避不純物からなる組成を有する記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を形成するためのGaSb系相変化型記録膜、
(2)Ga:5〜20%未満を含有し、さらにTe,Geの内の1種または2種を合計で0.2〜20%未満を含有し、残部がSbおよび不可避不純物からなる組成を有する前記(1)記載のGaSb系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット、
(3)Ga:5〜20%未満を含有し、さらにTe,Geの内の1種または2種を合計で0.2〜20%未満を含有し、さらにIn、BiおよびSnの内の1種または2種以上を合計で0.2〜20%未満を含有し、残部がSbおよび不可避不純物からなる組成を有する記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を形成するためのGaSb系相変化型記録膜、
(4)Ga:5〜20%未満を含有し、さらにTe,Geの内の1種または2種を合計で0.2〜20%未満を含有し、さらにIn、BiおよびSnの内の1種または2種以上を合計で0.2〜20%未満を含有し、残部がSbおよび不可避不純物からなる組成を有する前記(3)記載のGaSb系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
(a) Ga
この発明の記録マークの保存安定性に優れたGaSb系相変化型記録膜に含まれるGaを5〜20%未満に限定したのは、Gaの含有量が5%未満では結晶化温度が低くなり過ぎてマーク形成ができなくなるので好ましくなく、一方、Ga:20以上であると、結晶化温度が高くなり過ぎて結晶化が困難になるので好ましくないという理由によるものである。
これら成分は、記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を作製するためのGaSb系相変化型記録膜に添加する成分であるが、これら成分を0.2%未満添加しても記録マークを安定させる効果が薄いので好ましくなく、一方、20%以上を含有させると融点が高くなるためにアモルファス化がし難くなるので好ましくない。したがって、この発明のGaSb系相変化型記録膜に含まれるTe,Geのうちの1種または2種の合計を0.2〜20%未満に定めた。この発明のGaSb系相変化型記録膜に含まれるTe,Geの含有量の一層好ましい範囲は3〜15%である。
これら成分は、記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を作製するためのGaSb系相変化型記録膜に必要に応じて添加する成分であるが、これら成分を0.2%未満添加しても一層の記録マークを安定させる効果が得られず、一方、20%以上を含有させると融点が低くなりすぎるため、記録膜が変質し易くなるので好ましくない。したがって、この発明の相変化型記録媒体に形成するGaSb系相変化型記録膜に含まれるIn、BiおよびSnのうちの1種または2種以上の合計を0.2〜20%未満に定めた。この発明のGaSb系相変化型記録膜に含まれるIn、BiおよびSnの含有量の一層好ましい範囲は3〜15%である。
前記真空ホットプレスは、圧力:146〜155MPa、温度:370〜430℃、1〜2時間保持の条件で行なわれ、その後、モールドの温度が270〜300℃まで下がった時点で冷却速度:1〜3℃/min.で常温まで冷却することにより行われることが一層好ましい。
これら合金粉末を温度:400℃、圧力:146MPaで真空ホットプレスすることによりホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数:200rpmの条件で研削加工することにより直径:76.2mm、厚さ:3mmの寸法を有する円盤状の表1に示される成分組成を有する本発明ターゲット1〜27、比較ターゲット1〜6および従来ターゲット1を作製した。
・基板温度:室温、
・投入電力:DC100W、
の条件でスパッタリングを行い、ガラス基板の表面に、厚さ:30nmを有するいずれもアモルファス相である本発明GaSb系相変化型記録膜1〜27、比較GaSb系相変化型記録膜1〜6および従来GaSb系相変化型記録膜1を形成した。
Claims (5)
- 原子%で(以下、%は原子%を示す)Ga:5〜20%未満を含有し、さらにTe,Geの内の1種または2種を合計で0.2〜20%未満を含有し、残部がSbおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を形成するためのGaSb系相変化型記録膜。
- Ga:5〜20%未満を含有し、さらにTe,Geの内の1種または2種を合計で0.2〜20%未満を含有し、残部がSbおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項1記載のGaSb系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
- 原子%で(以下、%は原子%を示す)Ga:5〜20%未満を含有し、さらにTe,Geの内の1種または2種を合計で0.2〜20%未満を含有し、さらにIn、BiおよびSnの内の1種または2種以上を合計で0.2〜20%未満を含有し、残部がSbおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を形成するためのGaSb系相変化型記録膜。
- Ga:5〜20%未満を含有し、さらにTe,Geの内の1種または2種を合計で0.2〜20%未満を含有し、さらにIn、BiおよびSnの内の1種または2種以上を合計で0.2〜20%未満を含有し、残部がSbおよび不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする請求項3記載のGaSb系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
- 請求項1または3記載のGaSb系相変化型記録膜を形成した記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004290940A JP4465711B2 (ja) | 2004-10-04 | 2004-10-04 | 記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を作製するためのGaSb系相変化型記録膜およびこの記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004290940A JP4465711B2 (ja) | 2004-10-04 | 2004-10-04 | 記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を作製するためのGaSb系相変化型記録膜およびこの記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006103075A true JP2006103075A (ja) | 2006-04-20 |
JP4465711B2 JP4465711B2 (ja) | 2010-05-19 |
Family
ID=36373326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004290940A Expired - Fee Related JP4465711B2 (ja) | 2004-10-04 | 2004-10-04 | 記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を作製するためのGaSb系相変化型記録膜およびこの記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4465711B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007293966A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Mitsubishi Materials Corp | 記録マーク保存安定性に優れたGeSb系相変化型記録膜およびこのGeSb系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
-
2004
- 2004-10-04 JP JP2004290940A patent/JP4465711B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007293966A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Mitsubishi Materials Corp | 記録マーク保存安定性に優れたGeSb系相変化型記録膜およびこのGeSb系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4465711B2 (ja) | 2010-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2005020222A1 (ja) | 光記録媒体の反射膜および反射膜形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
JP4766441B2 (ja) | 半導体不揮発メモリー用相変化膜およびこの相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
JP3772972B2 (ja) | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
JP2006245251A (ja) | 非晶質状態が安定な相変化記録膜およびこの相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
CN103221568A (zh) | 磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质 | |
JP4465711B2 (ja) | 記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を作製するためのGaSb系相変化型記録膜およびこの記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
JP2005117030A (ja) | 半導体不揮発メモリー用相変化膜およびこの相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
JP4606721B2 (ja) | 電気抵抗が高い相変化記録膜 | |
JP2002373459A (ja) | 光ディスク保護膜用スパッタリング・ターゲット及びそれを用いて形成した光ディスク保護膜 | |
JP2007293966A (ja) | 記録マーク保存安定性に優れたGeSb系相変化型記録膜およびこのGeSb系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
JP4606720B2 (ja) | 電気抵抗が高い相変化記録膜 | |
JP2006181887A (ja) | 記録マークの保存安定性に優れたGaSb系相変化型記録膜およびこのGaSb系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
JP2005117031A (ja) | 半導体不揮発メモリー用相変化膜およびこの相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
JP2002038258A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JPWO2011062021A1 (ja) | Bi−Ge−O系焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光記録媒体 | |
WO2004081929A1 (ja) | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
JP2005022407A (ja) | 融点が低くかつ結晶化温度の低いGaSb系相変化型記録膜およびこのGaSb系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
JP2005022406A (ja) | 融点が低くかつ結晶化温度の低いGaSb系相変化型記録膜およびこのGaSb系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
JP2005022405A (ja) | 融点が低くかつ結晶化温度の低いGaSb系相変化型記録膜およびこのGaSb系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
JP4687949B2 (ja) | プレスパッタ時間の短い相変化記録膜形成用ターゲットの製造方法 | |
JP2005205643A (ja) | 結晶化速度の速いGaSb系相変化型記録膜およびこのGaSb系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
JP4172015B2 (ja) | 耐スパッタ割れ性に優れた相変化型メモリー膜形成用スパッタリングターゲット | |
JP3772971B2 (ja) | 光記録媒体の反射層形成用銀合金スパッタリングターゲット | |
JP5354199B2 (ja) | 光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット | |
JP4579224B2 (ja) | 相変化型光ディスク保護膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070329 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090611 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100201 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4465711 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |