JP2005022406A - 融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびこのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

【課題】融点および結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびそのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】原子％でＧａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなるするＳｂ基合金からなる融点の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、並びにこのＧａＳｂ系相変化型記録膜をスパッタリングにより形成するためのターゲット。
【選択図】 なし

Description

この発明は、ＣＤやＤＶＤなど各種相変化型記録媒体に使用される融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびそのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットに関するものである。

一般に、光ビーム照射による非晶質相と結晶相との可逆的な相変化を利用して情報の記録、再生および消去を行うＣＤやＤＶＤなどの記録媒体において用いられる記録膜は、Ｇａ−Ｓｂ二元共晶系相変化型記録膜が広く用いられており、その中でもＧａ_１２Ｓｂ_８８共晶組成を有するＧａ−Ｓｂ二元系相変化型記録膜は、結晶化速度が大きく高速記録に好適であるところから広く用いられている。このＧａ_１２Ｓｂ_８８共晶組成を有するＧａ−Ｓｂ二元系相変化型記録膜は、融点：５８８．０℃、結晶化温度：２０４．９℃を有し、このＧａ_１２Ｓｂ_８８共晶組成を有するＧａ−Ｓｂ二元系相変化型記録膜は、該膜と同一の成分組成を有する焼結合金からなるターゲットを用いてスパッタリングすることにより作製されることも知られている（例えば、非特許文献１参照）。
「ＰＣＯＳ２００２」Ｈｉｇｈ‐Ｄｅｎｓｉｔｙ＆Ｈｉｇｈ−Ｓｐｅｅｄ Ｐｈａｓｅ ＣｈａｎｇｅＲｅｃｏｒｄｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ｆｏｒ Ｆｕｔｕｒｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ Ｔｈｅ １４ｔｈ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍｏｎ Ｐｈａｓｅ Ｃｈａｎｇｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ Ｓｔｏｒａｇｅ ＰＣＯＳ２００２（２００２年１１月２８、２９日に静岡県伊東市の伊東大和館において開催）第１１〜１５頁。

しかし、前記従来のＧａ_１２Ｓｂ_８８の共晶組成を有するＧａ−Ｓｂ二元系相変化型記録膜は融点が５８８．０℃であり結晶化温度が２０４．９であるために融点および結晶化温度が高く、そのために書き込みおよび消去時に大きな電力を必要とし、回路への大きな負担となっていた。

そこで、本発明者らは、従来のＧａ_１２Ｓｂ_８８の共晶組成を有するＧａ−Ｓｂ二元系相変化型記録膜の融点（５８８．０℃）よりも低い融点を有するＧａＳｂ系相変化型記録膜を作製し、書き込み消去動作時に使用する電力を低減させるべく研究を行なった。その結果、
（イ）通常のＧａＳｂ共晶系相変化型記録膜において、Ｉｎ：５〜２０％未満（以下、％は原子％を示す）を含有せしめたＧａＳｂ系相変化型記録膜は、融点および結晶化温度を一層低くすることができ、したがって、書き込み消去動作時に使用する電力を一層低減させることができる、
（ロ）前記（イ）記載のＧａＳｂ系相変化型記録膜は、このＧａＳｂ系相変化型記録膜と同一の成分組成を有するターゲットを用いてスパッタリングすることにより得られる、という研究結果が得られたのである。

この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）原子％で（以下、％は原子％を示す）Ｇａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物の組成を有するＳｂ基合金からなる融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、
（２）前記（１）記載の組成を有するＳｂ基合金からからなる融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。

この発明の融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜の成分組成を前述のごとく限定した理由を説明する。
（ａ） Ｇａ
この発明のＧａＳｂ系相変化型記録膜に含まれるＧａを５〜２０％に限定したのは、Ｇａの含有量が５％未満では結晶化温度が低くなり過ぎてマーク安定性が悪くなるので好ましくなく、一方、Ｇａが２０％を越えて含有すると、結晶化温度が高くなり過ぎて結晶化が困難になるので好ましくないことによるものである。

（ｂ） Ｉｎ
Ｉｎ成分は、ＧａＳｂ系相変化型記録膜の融点および結晶化温度を下げるために添加するが、これら成分を５％未満添加しても膜の融点および結晶化温度を下げる効果が薄いので好ましくなく、一方、２０％以上を含有させると、融点および結晶化温度が高くなり過ぎてかえって結晶化が困難になるので好ましくない。したがって、この発明のＧａＳｂ系相変化型記録膜に含まれるＩｎ量を５〜２０％未満に定めた。Ｉｎ含有量のの一層好ましい範囲は９〜１５％である。

この発明のＧａＳｂ系相変化型記録膜は、この発明のＧａＳｂ系相変化型記録膜の成分組成と同じ成分組成を有する合金をＡｒガス雰囲気中で溶解した後、鉄製モールドに出湯して合金インゴットを作製し、これらを不活性ガス雰囲気中で粉砕して合金粉末を作製し、この合金粉末を真空ホットプレスすることによりスパッタリングターゲットを作製し、かかる条件で作製したスパッタリングターゲットを通常のスパッタリング装置に装入し、通常の条件でスパッタすることにより形成することができる。

前記真空ホットプレスは、圧力：１４６〜１５５ＭＰａ、温度：３７０〜４３０℃、１〜２時間保持の条件で行なわれ、その後、モールドの温度が２７０〜３００℃まで下がった時点で冷却速度：１〜３℃／ｍｉｎ．で常温まで冷却することにより行われることが一層好ましい。

この発明によると、適度に低い融点を有するＧａＳｂ系相変化型記録膜が得られ、書き込み消去動作時の電流値を低減し、書き換え速度の一層の高速化が可能となり、低消費電力化、デバイスの微小化に寄与し、光メモリー産業の発展に大いに貢献し得るものである。

Ｇａ、ＳｂおよびＩｎをＡｒガス雰囲気中で溶解してＧａ、ＳｂおよびＩｎを含む合金溶湯を作製し、この合金溶湯を鋳造して合金インゴットを作製し、この合金インゴットをＡｒ雰囲気中で粉砕することにより、いずれも粒径：２５０μｍ以下の合金粉末を作製した。
これら合金粉末を温度：４００℃、圧力：１４６ＭＰａで真空ホットプレスすることによりホットプレス体を作製し、これらホットプレス体を超硬バイトを使用し、旋盤回転数：２００ｒｐｍの条件で研削加工することにより直径：１２５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有する円盤状の表１に示される成分組成を有する本発明ターゲット１〜６、比較ターゲット１〜４および従来ターゲット１を作製した。

これら本発明ターゲット１〜６、比較ターゲット１〜４および従来ターゲット１をそれぞれ銅製の冷却用バッキングプレートに純度：９９．９９９重量％のインジウムろう材にてハンダ付けし、これを直流マグネトロンスパッタリング装置に装入し、ターゲットとポリカーボネート基板の間の距離を７０ｍｍになるようにセットした後、到達真空度：５×１０^-5Ｐａ以下になるまで真空引きを行い、その後、全圧：１．０ＰａになるまでＡｒガスを供給し、
・基板温度：室温、
・投入電力：５０Ｗ（０．４Ｗ／ｃｍ²）、
の条件でスパッタリングを行い、ポリカーボネート基板の表面に、厚さ：３μｍを有しアモルファス膜である本発明ＧａＳｂ系相変化型記録膜：１〜６、比較ＧａＳｂ系相変化型記録膜１〜４および従来ＧａＳｂ系相変化型記録膜１を形成した。
このようにして得られたアモルファス膜である本発明ＧａＳｂ系相変化型記録膜：１〜６、比較ＧａＳｂ系相変化型記録膜１〜４および従来ＧａＳｂ系相変化型記録膜１をポリカーボネート基板から１０ｍｇ剥離して粉末化したものについてＤＴＡ（示差熱分析法）により融点および結晶化温度を測定し、その結果を表２に示した。

表１〜２に示される結果から、本発明ターゲット１〜６を用いてスパッタリングすることにより得られた本発明ＧａＳｂ系相変化型記録膜：１〜６の結晶化温度は従来ターゲット１を用いてスパッタリングすることにより得られた従来ＧａＳｂ系相変化型記録膜１の結晶化温度（２０４．９℃）に比べて低く、かつ融点が大幅に低いことが分かる。しかし、この発明の条件から外れた成分組成を有する比較ターゲット１〜４を用いてスパッタリングすることにより得られた結晶化させた比較ＧａＳｂ系相変化型記録膜１〜４は、結晶化温度および融点の少なくとも一方が上がり過ぎたり下がり過ぎたりして好ましくないことが分かる。

Claims (2)

1. 原子％で（以下、％は原子％を示す）Ｇａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物の組成を有するＳｂ基合金からなることを特徴とする融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜。
2. 請求項１記載の組成を有するＳｂ基合金からからなる融点が低くかつ結晶化温度の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット。