JPH07316800A - スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲット及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH07316800A JPH07316800A JP13140094A JP13140094A JPH07316800A JP H07316800 A JPH07316800 A JP H07316800A JP 13140094 A JP13140094 A JP 13140094A JP 13140094 A JP13140094 A JP 13140094A JP H07316800 A JPH07316800 A JP H07316800A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- cadmium telluride
- purity
- crystal
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＣｄとＴｅとの合計量が９９．９９重量％以
上であり、残部が不可避不純物である高純度テルル化カ
ドミウム結晶からなるスパッタリング用ターゲット。純
度９９．９９９９重量％以上のカドミウム原料及びテル
ル原料を、それらに含まれるＣｄとＴｅのモル比（Ｃｄ
／Ｔｅ）が０．９９〜０．９９９９９となるように混合
し、溶融法によりテルル化カドミウムの結晶育成を行う
ことを特徴とする、前記スパッタリング用ターゲットの
製造方法。 【効果】 本発明のターゲットを用いてスパッタリング
を行うと、比抵抗値のばらつきが少なく、表面に微小な
凹凸のない薄膜を再現性よく形成することができる。ま
た、本発明の製造方法によれば、上記のターゲットを安
定的に製造することができる。
上であり、残部が不可避不純物である高純度テルル化カ
ドミウム結晶からなるスパッタリング用ターゲット。純
度９９．９９９９重量％以上のカドミウム原料及びテル
ル原料を、それらに含まれるＣｄとＴｅのモル比（Ｃｄ
／Ｔｅ）が０．９９〜０．９９９９９となるように混合
し、溶融法によりテルル化カドミウムの結晶育成を行う
ことを特徴とする、前記スパッタリング用ターゲットの
製造方法。 【効果】 本発明のターゲットを用いてスパッタリング
を行うと、比抵抗値のばらつきが少なく、表面に微小な
凹凸のない薄膜を再現性よく形成することができる。ま
た、本発明の製造方法によれば、上記のターゲットを安
定的に製造することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング法によ
り成膜する際に使用される、テルル化カドミウム結晶か
らなるターゲット及びその製造方法に関する。
り成膜する際に使用される、テルル化カドミウム結晶か
らなるターゲット及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ファクシミリ等の読み取り部な
どに用いられる光電変換膜としては、テルル化カドミウ
ム薄膜が使用されている。それらの薄膜は、主にスパッ
タリング法により形成されており、その際使用されるス
パッタリング用ターゲットとしてのテルル化カドミウム
結晶は粉末冶金法により製造されている。すなわち、粉
末のテルル原料とカドミウム原料とを適当な組成に混合
し、加圧成形した後、不活性ガス等の雰囲気中で加熱し
て焼結させることによって製造されている。
どに用いられる光電変換膜としては、テルル化カドミウ
ム薄膜が使用されている。それらの薄膜は、主にスパッ
タリング法により形成されており、その際使用されるス
パッタリング用ターゲットとしてのテルル化カドミウム
結晶は粉末冶金法により製造されている。すなわち、粉
末のテルル原料とカドミウム原料とを適当な組成に混合
し、加圧成形した後、不活性ガス等の雰囲気中で加熱し
て焼結させることによって製造されている。
【０００３】例えば、特開昭６２−１３５６９号公報に
は、原料粉末を冷間静水圧プレスを用いて加圧成形して
圧粉体とした後、該圧粉体を焼結することにより製造す
る方法が開示されている。また、特開平２−１７０９６
９号公報には、原料粉末を合金化してボールミルを用い
て粉砕した後、ホットプレス法により加圧焼結すること
により製造する方法が開示されている。
は、原料粉末を冷間静水圧プレスを用いて加圧成形して
圧粉体とした後、該圧粉体を焼結することにより製造す
る方法が開示されている。また、特開平２−１７０９６
９号公報には、原料粉末を合金化してボールミルを用い
て粉砕した後、ホットプレス法により加圧焼結すること
により製造する方法が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような粉末冶金法により得られたテルル化カドミウムに
は、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｂ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎ
ｉ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ等の不純物が種々の濃度で
混在していることが分光分析により確認されたが、それ
らの不純物の含有量を低減するのは粉末冶金法では極め
て困難である。そのような不純物が混在したテルル化カ
ドミウム結晶をターゲットとしてスパッタリングを行う
と、形成される薄膜中にも不純物が混在することから、
該薄膜の比抵抗値に４桁程度のばらつきが存在する。ま
た、前記薄膜の表面には、不純物によるものと考えられ
るが、微小な凹凸が発生する場合があり、歩留りが低下
するという問題もある。
ような粉末冶金法により得られたテルル化カドミウムに
は、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｂ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎ
ｉ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ等の不純物が種々の濃度で
混在していることが分光分析により確認されたが、それ
らの不純物の含有量を低減するのは粉末冶金法では極め
て困難である。そのような不純物が混在したテルル化カ
ドミウム結晶をターゲットとしてスパッタリングを行う
と、形成される薄膜中にも不純物が混在することから、
該薄膜の比抵抗値に４桁程度のばらつきが存在する。ま
た、前記薄膜の表面には、不純物によるものと考えられ
るが、微小な凹凸が発生する場合があり、歩留りが低下
するという問題もある。
【０００５】従って、本発明の課題は、本発明は、不純
物の含有量が低減された高純度テルル化カドミウム結晶
からなるスパッタリング用ターゲット及びそのようなタ
ーゲットを製造する方法を提供することにある。
物の含有量が低減された高純度テルル化カドミウム結晶
からなるスパッタリング用ターゲット及びそのようなタ
ーゲットを製造する方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、本発明は、ＣｄとＴｅとの合計量が９９．９９重量
％以上であり、残部が不可避不純物である高純度テルル
化カドミウム結晶からなるスパッタリング用ターゲット
を提供する。
に、本発明は、ＣｄとＴｅとの合計量が９９．９９重量
％以上であり、残部が不可避不純物である高純度テルル
化カドミウム結晶からなるスパッタリング用ターゲット
を提供する。
【０００７】また、本発明は、純度９９．９９９９重量
％以上のカドミウム原料及びテルル原料を、それらに含
まれるＣｄとＴｅのモル比（Ｃｄ／Ｔｅ）が０．９９〜
０．９９９９９となるように混合し、溶融法によりテル
ル化カドミウムの結晶育成を行うことを特徴とする、上
記の高純度テルル化カドミウム結晶からなるスパッタリ
ング用ターゲットの製造方法を提供する。
％以上のカドミウム原料及びテルル原料を、それらに含
まれるＣｄとＴｅのモル比（Ｃｄ／Ｔｅ）が０．９９〜
０．９９９９９となるように混合し、溶融法によりテル
ル化カドミウムの結晶育成を行うことを特徴とする、上
記の高純度テルル化カドミウム結晶からなるスパッタリ
ング用ターゲットの製造方法を提供する。
【０００８】本発明のターゲットは、ＣｄとＴｅとが合
計９９．９９重量％以上含まれ、残部が不可避不純物か
らなる高純度のテルル化カドミウム結晶からなる。Ｃｄ
及びＴｅは、例えば、公知の湿式分析法により測定され
る。特に、本発明のターゲットは、発光分光分析法によ
り測定される表１に示す各不可避不純物の含有量がそれ
ぞれ表１に示す許容値未満である結晶からなる。
計９９．９９重量％以上含まれ、残部が不可避不純物か
らなる高純度のテルル化カドミウム結晶からなる。Ｃｄ
及びＴｅは、例えば、公知の湿式分析法により測定され
る。特に、本発明のターゲットは、発光分光分析法によ
り測定される表１に示す各不可避不純物の含有量がそれ
ぞれ表１に示す許容値未満である結晶からなる。
【０００９】
【表１】
【００１０】また、粉末冶金法により得られる焼結テル
ル化カドミウムには、Ａｇ，Ａｌ，Ｂ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍ
ｇ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｉ，Ｓｎ及びＴｉの不純物元素が含
有されているが、本発明のターゲットは、それらの不純
物元素の総和は２０ｐｐｍ以下である。
ル化カドミウムには、Ａｇ，Ａｌ，Ｂ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍ
ｇ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｓｉ，Ｓｎ及びＴｉの不純物元素が含
有されているが、本発明のターゲットは、それらの不純
物元素の総和は２０ｐｐｍ以下である。
【００１１】本発明のターゲットに用いられるテルル化
カドミウム結晶は、純度９９．９９９９重量％以上のカ
ドミウム原料と、純度９９．９９９９重量％以上のテル
ル原料を、それらに含まれるＣｄとＴｅのモル比（Ｃｄ
／Ｔｅ）が０．９９〜０．９９９９９となるように混合
し、溶融法によりテルル化カドミウムの結晶育成を行う
ことにより製造することができる。（Ｃｄ／Ｔｅ）＜
０．９９の場合、結晶中のＴｅが過剰となるためＣｄと
化合しないＴｅが多量に析出し、結晶に部分的に組成変
動が生じるという不都合がある。また、（Ｃｄ／Ｔｅ）
＞０．９９９９９の場合、若干の組成変動により未反応
のＣｄが生じ、その結果、溶融法により結晶を育成する
際にＣｄの蒸気圧が上昇しアンプルを破損してしまうこ
とがあり、安定的に結晶を得ることが困難である。
カドミウム結晶は、純度９９．９９９９重量％以上のカ
ドミウム原料と、純度９９．９９９９重量％以上のテル
ル原料を、それらに含まれるＣｄとＴｅのモル比（Ｃｄ
／Ｔｅ）が０．９９〜０．９９９９９となるように混合
し、溶融法によりテルル化カドミウムの結晶育成を行う
ことにより製造することができる。（Ｃｄ／Ｔｅ）＜
０．９９の場合、結晶中のＴｅが過剰となるためＣｄと
化合しないＴｅが多量に析出し、結晶に部分的に組成変
動が生じるという不都合がある。また、（Ｃｄ／Ｔｅ）
＞０．９９９９９の場合、若干の組成変動により未反応
のＣｄが生じ、その結果、溶融法により結晶を育成する
際にＣｄの蒸気圧が上昇しアンプルを破損してしまうこ
とがあり、安定的に結晶を得ることが困難である。
【００１２】溶融法には、ブリッジマン法、グラディエ
ント・フリーズ法、チョクラルスキー法、トラベリング
・ヒーター法等があるが、その中でも、大型の結晶を安
定的に製造することができることからブリッジマン法及
びグラディエント・フリーズ法が好ましい。
ント・フリーズ法、チョクラルスキー法、トラベリング
・ヒーター法等があるが、その中でも、大型の結晶を安
定的に製造することができることからブリッジマン法及
びグラディエント・フリーズ法が好ましい。
【００１３】ブリッジマン法とは、原料を真空封入した
アンプルを適当な温度勾配をもつ炉中に設置し、原料を
溶融した後、アンプルを高温部（溶融温度）から低温部
にゆっくりと移動させることにより結晶成長を行う方法
をいう。
アンプルを適当な温度勾配をもつ炉中に設置し、原料を
溶融した後、アンプルを高温部（溶融温度）から低温部
にゆっくりと移動させることにより結晶成長を行う方法
をいう。
【００１４】また、グラディエント・フリーズ法とは、
原料を真空封入したアンプルを適当な温度勾配をもつ炉
中に設置し、原料を溶融した後、アンプルを固定したま
ま炉全体の温度を前記温度勾配を維持したままでゆっく
りと降温することにより結晶成長を行う方法をいう。
原料を真空封入したアンプルを適当な温度勾配をもつ炉
中に設置し、原料を溶融した後、アンプルを固定したま
ま炉全体の温度を前記温度勾配を維持したままでゆっく
りと降温することにより結晶成長を行う方法をいう。
【００１５】ブリッジマン法やクラディエント・フリー
ズ法によるテルル化カドミウムの結晶育成は、従来公知
の方法により行うことができる。
ズ法によるテルル化カドミウムの結晶育成は、従来公知
の方法により行うことができる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を詳
細に説明する。尚、以下の各表において＊印を付けたタ
ーゲットNo. 及び実験No. は比較例であり、それ以外の
ターゲットNo. 及び実験No. は本発明の実施例である。ターゲットＡの製造 純度９９．９９９９重量％のカドミウム１３４２．０ｇ
と純度９９．９９９９重量％のテルル１５２５．０ｇ
を、内径１００mmの石英容器に真空封入（１．０×１０
-6Ｔｏｒｒ以下）した。次に、前記石英容器を電気炉に
設置し、グラディエント・フリーズ法により結晶育成を
行った。すなわち、前記石英容器内の原料を、１１００
℃の温度で１０時間を溶融し、その後、電気炉の温度を
０．３℃／時間の割合で１０５０℃まで冷却して結晶化
を行った後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し、結
晶を取り出した。
細に説明する。尚、以下の各表において＊印を付けたタ
ーゲットNo. 及び実験No. は比較例であり、それ以外の
ターゲットNo. 及び実験No. は本発明の実施例である。ターゲットＡの製造 純度９９．９９９９重量％のカドミウム１３４２．０ｇ
と純度９９．９９９９重量％のテルル１５２５．０ｇ
を、内径１００mmの石英容器に真空封入（１．０×１０
-6Ｔｏｒｒ以下）した。次に、前記石英容器を電気炉に
設置し、グラディエント・フリーズ法により結晶育成を
行った。すなわち、前記石英容器内の原料を、１１００
℃の温度で１０時間を溶融し、その後、電気炉の温度を
０．３℃／時間の割合で１０５０℃まで冷却して結晶化
を行った後、６０℃／時間の割合で室温まで冷却し、結
晶を取り出した。
【００１７】スライサーを用いて、上記で得られた結晶
から外形１００φ、厚さ３mmの円板状の結晶片を切り出
して、スパッタリング用ターゲットＡとした。
から外形１００φ、厚さ３mmの円板状の結晶片を切り出
して、スパッタリング用ターゲットＡとした。
【００１８】このターゲットＡの不純物含有量を発光分
光分析装置（島津製作所製、型式ＧＥ−１７０）を用い
て測定した。その結果を表２に示す。
光分析装置（島津製作所製、型式ＧＥ−１７０）を用い
て測定した。その結果を表２に示す。
【００１９】また、ターゲットＡのＣｄ及びＴｅの含有
量をそれぞれ下記に示すキレート滴定法及び酸化還元滴
定法により測定し、ＣｄとＴｅの合計含有量及びＣｄ／
Ｔｅモル比を求めた。その結果を表２に示す。
量をそれぞれ下記に示すキレート滴定法及び酸化還元滴
定法により測定し、ＣｄとＴｅの合計含有量及びＣｄ／
Ｔｅモル比を求めた。その結果を表２に示す。
【００２０】キレート滴定法 硝酸２００ｃｃ中に０．４〜０．５ｇのターゲットＡを
入れ、加熱して溶解した。得られた硝酸溶液を放冷し、
純粋５０ｃｃを加えて混合した。次に、得られた溶液か
ら５０ｃｃを分取して、そこにエチレンジアミン四酢酸
二ナトリウム（ＥＤＴＡ）を５０ｃｃ加え、パラニトロ
フェノール（ＰＮＰ）を１〜２滴加えた。得られた溶液
を水酸化ナトリウムで中和した後、pH調整液でpHを５．
５にした。pH調整後、溶液を７０〜８０℃に加熱した
後、放冷し、Ｚｎ（ＮＯ3 ）2 を添加して過剰のＥＤＴ
Ａと反応させることにより滴定を行った。ＥＤＴＡの量
とＺｎ（ＮＯ3 ）2 の量からＣｄの濃度を算出した。
入れ、加熱して溶解した。得られた硝酸溶液を放冷し、
純粋５０ｃｃを加えて混合した。次に、得られた溶液か
ら５０ｃｃを分取して、そこにエチレンジアミン四酢酸
二ナトリウム（ＥＤＴＡ）を５０ｃｃ加え、パラニトロ
フェノール（ＰＮＰ）を１〜２滴加えた。得られた溶液
を水酸化ナトリウムで中和した後、pH調整液でpHを５．
５にした。pH調整後、溶液を７０〜８０℃に加熱した
後、放冷し、Ｚｎ（ＮＯ3 ）2 を添加して過剰のＥＤＴ
Ａと反応させることにより滴定を行った。ＥＤＴＡの量
とＺｎ（ＮＯ3 ）2 の量からＣｄの濃度を算出した。
【００２１】酸化還元滴定法 硝酸２００ｃｃ中に０．４〜０．５ｇのターゲットＡを
入れ、加熱して溶解した。５０ｃｃを分取後、１０℃に
冷却した。次に、ＫＩを５〜７ｇ添加し、Ｉ2を抽出さ
せた。Ｉ2 にＮａ2 Ｓ2 Ｏ3 を添加して可溶性デンプン
を指示薬として用い、添加したＮａ2 Ｓ2 Ｏ3 の量から
Ｔｅの濃度を算出した。
入れ、加熱して溶解した。５０ｃｃを分取後、１０℃に
冷却した。次に、ＫＩを５〜７ｇ添加し、Ｉ2を抽出さ
せた。Ｉ2 にＮａ2 Ｓ2 Ｏ3 を添加して可溶性デンプン
を指示薬として用い、添加したＮａ2 Ｓ2 Ｏ3 の量から
Ｔｅの濃度を算出した。
【００２２】ターゲットＢの製造 ターゲットＡと同様の方法で結晶を製造し、結晶片を切
り出してターゲットＢとした。ターゲットＢについて、
ターゲットＡと同様の方法で不純物含有量を測定した。
その結果を表２に示す。また、ターゲットＡと同様の方
法でＣｄとＴｅの含有量を測定し、合計含有量及びＣｄ
／Ｔｅモル比を求めた。その結果を表２に示す。
り出してターゲットＢとした。ターゲットＢについて、
ターゲットＡと同様の方法で不純物含有量を測定した。
その結果を表２に示す。また、ターゲットＡと同様の方
法でＣｄとＴｅの含有量を測定し、合計含有量及びＣｄ
／Ｔｅモル比を求めた。その結果を表２に示す。
【００２３】ターゲットＣの製造 ターゲットＡと同様の方法で結晶を製造し、結晶片を２
個切り出してターゲットＣ−１、Ｃ−２とした。ターゲ
ットＣ−１、Ｃ−２について、ターゲットＡと同様の方
法で不純物含有量を測定した。その結果を表２に示す。
また、ターゲットＡと同様の方法でＣｄとＴｅの含有量
を測定し、合計含有量及びＣｄ／Ｔｅモル比を求めた。
その結果を表２に示す。
個切り出してターゲットＣ−１、Ｃ−２とした。ターゲ
ットＣ−１、Ｃ−２について、ターゲットＡと同様の方
法で不純物含有量を測定した。その結果を表２に示す。
また、ターゲットＡと同様の方法でＣｄとＴｅの含有量
を測定し、合計含有量及びＣｄ／Ｔｅモル比を求めた。
その結果を表２に示す。
【００２４】ターゲットＤ フルウチ化学株式会社から市販されている 粉末冶金法に
より製造されたターゲット用テルル化カドミウム結晶か
ら、ターゲットＡと同様の方法で結晶片を２個切り出し
てそれぞれターゲットＤ−１、Ｄ−２とした。ターゲッ
トＤ−１、Ｄ−２についてターゲットＡと同様の方法で
不純物含有量を測定した。その結果を表２に示す。ま
た、ターゲットＡと同様の方法でＣｄとＴｅの含有量を
測定し、合計含有量及びＣｄ／Ｔｅモル比を求めた。そ
の結果を表２に示す。
より製造されたターゲット用テルル化カドミウム結晶か
ら、ターゲットＡと同様の方法で結晶片を２個切り出し
てそれぞれターゲットＤ−１、Ｄ−２とした。ターゲッ
トＤ−１、Ｄ−２についてターゲットＡと同様の方法で
不純物含有量を測定した。その結果を表２に示す。ま
た、ターゲットＡと同様の方法でＣｄとＴｅの含有量を
測定し、合計含有量及びＣｄ／Ｔｅモル比を求めた。そ
の結果を表２に示す。
【００２５】ターゲットＥ フルウチ化学株式会社から市販されている粉末冶金法に
より製造されたターゲット用テルル化カドミウム結晶で
あって、上記のターゲットＤとは種類の異なるものか
ら、ターゲットＡと同様の方法で結晶片を４個切り出し
てそれぞれターゲットＥ−１、Ｅ−２、Ｅ−３、Ｅ−４
とした。ターゲットＥ−１、Ｅ−２、Ｅ−３、Ｅ−４に
ついてターゲットＡと同様の方法で不純物含有量を測定
した。その結果を表２に示す。また、ターゲットＡと同
様の方法でＣｄとＴｅの含有量を測定し、合計含有量及
びＣｄ／Ｔｅモル比を求めた。その結果を表２に示す。
より製造されたターゲット用テルル化カドミウム結晶で
あって、上記のターゲットＤとは種類の異なるものか
ら、ターゲットＡと同様の方法で結晶片を４個切り出し
てそれぞれターゲットＥ−１、Ｅ−２、Ｅ−３、Ｅ−４
とした。ターゲットＥ−１、Ｅ−２、Ｅ−３、Ｅ−４に
ついてターゲットＡと同様の方法で不純物含有量を測定
した。その結果を表２に示す。また、ターゲットＡと同
様の方法でＣｄとＴｅの含有量を測定し、合計含有量及
びＣｄ／Ｔｅモル比を求めた。その結果を表２に示す。
【００２６】
【表２】
【００２７】Ａｓ，Ａｕ，Ｂａ，Ｂｅ，Ｂｉ，Ｃａ，Ｃ
ｏ，Ｃｒ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｈｇ，Ｉｎ，Ｋ，Ｍｎ，Ｍｏ，
Ｎａ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｓｂ，Ｓｔ，Ｔｌ，Ｖ，
Ｚｎ及びＺｒの元素に関してはすべての試料において検
出限界以下であったが、ターゲットＤ−１及びＤ−２、
並びにターゲットＥ−１、Ｅ−２、Ｅ−３及びＥ−４に
おいては、Ａｇ，Ａｌ，Ｂ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｎｉ，
Ｐｂ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｔｉの不純物が検出される。また、
同じ結晶から切り出されたターゲットＤ−１とＤ−２、
Ｅ−１〜Ｅ−４においても不純物の含有量にばらつきが
みられる。
ｏ，Ｃｒ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｈｇ，Ｉｎ，Ｋ，Ｍｎ，Ｍｏ，
Ｎａ，Ｐ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｓｂ，Ｓｔ，Ｔｌ，Ｖ，
Ｚｎ及びＺｒの元素に関してはすべての試料において検
出限界以下であったが、ターゲットＤ−１及びＤ−２、
並びにターゲットＥ−１、Ｅ−２、Ｅ−３及びＥ−４に
おいては、Ａｇ，Ａｌ，Ｂ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｎｉ，
Ｐｂ，Ｓｉ，Ｓｎ，Ｔｉの不純物が検出される。また、
同じ結晶から切り出されたターゲットＤ−１とＤ−２、
Ｅ−１〜Ｅ−４においても不純物の含有量にばらつきが
みられる。
【００２８】実施例１ 実験No.101〜107 各実験において、表３に示すターゲットを用いて、以下
のようにしてスパッタリングを行った。スパッタ装置に
ターゲット及び薄膜形成用のスライドガラス基板を設置
した。ターゲットと基板の距離は、１４５mmとし、装置
内には約１×１０-3ＴｏｒｒのＡｒガスを導入した。ま
た、スパッタリング電力は５０Ｗとしてスパッタリング
を行った。スパッタリングにより得られた薄膜の表面状
態を微分干渉顕微鏡を用いて観察した結果を表３に示
す。また、得られた薄膜に電圧を印加して比抵抗値を測
定した結果を表３に示す。
のようにしてスパッタリングを行った。スパッタ装置に
ターゲット及び薄膜形成用のスライドガラス基板を設置
した。ターゲットと基板の距離は、１４５mmとし、装置
内には約１×１０-3ＴｏｒｒのＡｒガスを導入した。ま
た、スパッタリング電力は５０Ｗとしてスパッタリング
を行った。スパッタリングにより得られた薄膜の表面状
態を微分干渉顕微鏡を用いて観察した結果を表３に示
す。また、得られた薄膜に電圧を印加して比抵抗値を測
定した結果を表３に示す。
【００２９】
【表３】
【００３０】本発明の実施例であるターゲットＡ、Ｂ、
Ｃ−１及びＣ−２を用いて得られた薄膜は、凹凸がなく
表面状態が良好である。しかも、各薄膜の比抵抗値もほ
ぼ均一であり、ばらつきが少ない。一方、比較例である
ターゲットＢ−１、Ｂ−２及びＣ−１を用いて得られた
薄膜は、多少凹凸ができる場合があり、各薄膜の比抵抗
値を比較すると、かなり大きなばらつきが見られる。
Ｃ−１及びＣ−２を用いて得られた薄膜は、凹凸がなく
表面状態が良好である。しかも、各薄膜の比抵抗値もほ
ぼ均一であり、ばらつきが少ない。一方、比較例である
ターゲットＢ−１、Ｂ−２及びＣ−１を用いて得られた
薄膜は、多少凹凸ができる場合があり、各薄膜の比抵抗
値を比較すると、かなり大きなばらつきが見られる。
【００３１】実施例２ 実験No.201〜206 各実験において、Ｃｄ／Ｔｅモル比の影響について調べ
た。各実験において、表４に示すＣｄ／Ｔｅモル比で、
表４に示す結晶育成法により純度９９．９９９９重量％
のカドミウム及び純度９９．９９９９重量％のテルルを
用いてテルル化カドミウム結晶の育成を行った。尚、ブ
リッジマン法による結晶育成法は、以下のようにして行
った。
た。各実験において、表４に示すＣｄ／Ｔｅモル比で、
表４に示す結晶育成法により純度９９．９９９９重量％
のカドミウム及び純度９９．９９９９重量％のテルルを
用いてテルル化カドミウム結晶の育成を行った。尚、ブ
リッジマン法による結晶育成法は、以下のようにして行
った。
【００３２】ブリッジマン法 純度９９．９９９９重量％のカドミウム１３１４．５ｇ
と、純度９９．９９９９重量％のテルル１４９４．２ｇ
を、内径１００mmの石英容器に真空封入（１．０×１０
-6ｔｏｒｒ以下）した。次に、前記石英容器を電気炉に
設置し、ブリッジマン法により結晶育成を行った。すな
わち、電気炉の温度を１１００℃に昇温し、石英容器内
の原料を溶融した後、前記石英容器を電気炉の高温部か
ら低温部へ２．５mm／時間の速度で移動させることによ
り結晶化を行った後、６０℃／時間の割合で室温まで冷
却し、結晶を取り出した。
と、純度９９．９９９９重量％のテルル１４９４．２ｇ
を、内径１００mmの石英容器に真空封入（１．０×１０
-6ｔｏｒｒ以下）した。次に、前記石英容器を電気炉に
設置し、ブリッジマン法により結晶育成を行った。すな
わち、電気炉の温度を１１００℃に昇温し、石英容器内
の原料を溶融した後、前記石英容器を電気炉の高温部か
ら低温部へ２．５mm／時間の速度で移動させることによ
り結晶化を行った後、６０℃／時間の割合で室温まで冷
却し、結晶を取り出した。
【００３３】実験No.201〜204 においてはいずれも良好
な結晶が得られた。実験No.205において得られた結晶を
赤外顕微鏡で観察したところ、多量のＴｅの析出がみら
れ、また結晶表面にも未反応なＴｅが析出しているのが
肉眼で確認でき、健全なテルル化カドミウム結晶が得ら
れなかった。また、実験No.206においては、未反応なＣ
ｄの蒸気圧の影響で石英容器の内圧が上昇したため、結
晶育成中に石英容器が破裂してしまい、結晶を得ること
ができなかった。
な結晶が得られた。実験No.205において得られた結晶を
赤外顕微鏡で観察したところ、多量のＴｅの析出がみら
れ、また結晶表面にも未反応なＴｅが析出しているのが
肉眼で確認でき、健全なテルル化カドミウム結晶が得ら
れなかった。また、実験No.206においては、未反応なＣ
ｄの蒸気圧の影響で石英容器の内圧が上昇したため、結
晶育成中に石英容器が破裂してしまい、結晶を得ること
ができなかった。
【００３４】
【表４】
【００３５】
【発明の効果】本発明のターゲットは、高純度のテルル
化カドミウム結晶からなる。従って、本発明のターゲッ
トを用いてスパッタリングを行うと、比抵抗値のばらつ
きが少なく、表面に微小な凹凸のない薄膜を再現性よく
形成することができる。従って、本発明のターゲット
は、例えば、ファクシミリ等の読み取り部に用いられる
ような光電変換膜等をスパッタリングにより形成するの
に有用である。また、本発明の製造方法によれば、上記
のターゲットを安定的に製造することができる。
化カドミウム結晶からなる。従って、本発明のターゲッ
トを用いてスパッタリングを行うと、比抵抗値のばらつ
きが少なく、表面に微小な凹凸のない薄膜を再現性よく
形成することができる。従って、本発明のターゲット
は、例えば、ファクシミリ等の読み取り部に用いられる
ような光電変換膜等をスパッタリングにより形成するの
に有用である。また、本発明の製造方法によれば、上記
のターゲットを安定的に製造することができる。
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣｄとＴｅとの合計量が９９．９９重量
％以上であり、残部が不可避不純物である高純度テルル
化カドミウム結晶からなるスパッタリング用ターゲッ
ト。 - 【請求項２】 請求項１のターゲットであって、Ａｇ、
Ａｌ、Ｂ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ｓｎ
及びＴｉからなる不可避不純物の総和が２０ｐｐｍ以下
であるターゲット。 - 【請求項３】 純度９９．９９９９重量％以上のカドミ
ウム原料及びテルル原料を、それらに含まれるＣｄとＴ
ｅのモル比（Ｃｄ／Ｔｅ）が０．９９〜０．９９９９９
となるように混合し、溶融法によりテルル化カドミウム
の結晶育成を行うことを特徴とする、請求項１又は２に
記載の高純度テルル化カドミウム結晶からなるスパッタ
リング用ターゲットの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の高純度テルル化カドミ
ウムからなるスパッタリング用ターゲット材の製造方法
であって、前記溶融法がグラディエント・フリーズ法又
はブリッジマン法である方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13140094A JPH07316800A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13140094A JPH07316800A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07316800A true JPH07316800A (ja) | 1995-12-05 |
Family
ID=15057096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13140094A Pending JPH07316800A (ja) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07316800A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010003402A (ja) * | 2002-02-25 | 2010-01-07 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜並びに同ターゲットの製造方法 |
-
1994
- 1994-05-20 JP JP13140094A patent/JPH07316800A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010003402A (ja) * | 2002-02-25 | 2010-01-07 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 相変化型メモリー用スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された相変化メモリー用膜並びに同ターゲットの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Owen et al. | XXIX. Factors affecting the limit of solubility of elements in copper and silver | |
| CN111477736B (zh) | 一种碲化铋基热电材料及其制备方法 | |
| CN101454487A (zh) | 氮化铝块状晶体的可控掺杂方法 | |
| Odile et al. | Crystal growth and characterization of the transition-metal phosphides copper diphosphide, nickel diphosphide, and rhodium triphosphide | |
| US20070099332A1 (en) | Chalcogenide PVD components and methods of formation | |
| Caillat et al. | Study of the Bi-Sb-Te ternary phase diagram | |
| US20080112878A1 (en) | Alloy casting apparatuses and chalcogenide compound synthesis methods | |
| EP0573484B1 (en) | Titanium-based alloy produced by vapour quenching | |
| Mason et al. | Osmium disilicide: preparation, crystal growth, and physical properties of a new semiconducting compound | |
| JPH07316800A (ja) | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 | |
| US4620968A (en) | Monoclinic phosphorus formed from vapor in the presence of an alkali metal | |
| US7705233B2 (en) | Filled skutterudite-based alloy, production method thereof and thermoelectric conversion device fabricated using the alloy | |
| US5998313A (en) | Cesium-lithium borate crystal | |
| EP0199440A1 (en) | A method of manufacturing a single crystal of BaPb1-xBix03 | |
| Das et al. | A thermodynamic investigation of crystalline and amorphous Se− Te alloys | |
| US4374684A (en) | Heat treatment of cadmium mercury telluride | |
| Klepp et al. | Über die Phase CrTe 3 | |
| US4344476A (en) | Supercool method for producing single crystal mercury cadmium telluride | |
| CN112593288A (zh) | 一种准一维超导材料Li0.9Mo6O17的单晶制备方法 | |
| Franc et al. | Development of inclusion-free CdZnTe substrates from crystals grown by the vertical-gradient freeze method | |
| JP6782881B2 (ja) | 単結晶体、赤外線受光素子及び単結晶体の製造方法 | |
| EP0786542B1 (en) | Cesium-lithium borate crystal | |
| Oishi et al. | Growth of emerald crystals by evaporation of a K 2 O–MoO 3 flux | |
| JP3237408B2 (ja) | 化合物半導体結晶の製造方法 | |
| RU2783391C1 (ru) | Полупроводниковый материал, инфракрасный светоприемный элемент и способ производства полупроводникового материала |