JP2010209415A - 金微細構造体形成用無電解金めっき液およびこれを用いた金微細構造体形成方法ならびにこれを用いた金微細構造体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 微細部析出促進剤を含み、100μm以下の微細パターンを形成する、無電解金めっき液。
【選択図】 なし
Description
現在は、銅をベースとするバンプをはんだで接続する方法(特許文献1、非特許文献1)、銅および/またはニッケルをベースにパラジウムや金の薄膜を作製し、はんだを添付して接続する方法(特許文献2、非特許文献2)、電解めっき法(特許文献3および4)、乾式法、無電解めっき法等が行われている。
ニッケル母材の場合は、該母材の上に金の薄膜を設けて、さらにその上からはんだを用いた溶融接合を行うが、この場合も、上記の問題が発生する。
また、電解めっき法により金バンプのような微細構造体を複数作製する場合、高さの異なる構造体が発生しやすくなり、パターンが微細になるほど高さが均一なバンプすなわち大きさが均一な複数の微細構造体を形成するのが困難になる。
しかし、本件でのAu構造体はCuよりも化学的に安定であり、この方法を直接用いることはできない。
さらに、パターンの大小に関わらず金析出を高速化した場合、浴が自己分解反応を起こしやすくなり、実用化は困難である。
また、本発明は、微細部析出促進剤の濃度が0.001〜10,000mg/Lである、前記無電解金めっき液に関する。
さらに、本発明は、微細部析出促進剤が、高分子化合物、含窒素化合物および硫黄を含む水溶性炭化水素からなる群から選択される1または2以上の化合物を含む、前記無電解金めっき液に関する。
また、本発明は、微細部析出促進剤が、ポリエチレングリコール、1,10−フェナントロリニウムおよび2−メルカプトベンゾチアゾールからなる群から選択される1または2以上の化合物を含む、前記無電解金めっき液に関する。
また、本発明は、金析出促進剤が、水溶液中でハロゲンイオンを発生する化合物である、前記無電解金めっき液に関する。
さらに、本発明は、金析出促進剤の濃度が、0.001〜3.0mol/Lである、前記無電解金めっき液に関する。
また、本発明は、さらに金析出促進補助剤、錯化剤、pH緩衝剤、pH調整剤、還元剤および/または添加剤を含む、前記無電解金めっき液に関する。
また、本発明は、基板上に被覆されたレジストに単数または複数の開口部を形成し、該開口部を請求項1〜9のいずれかに記載の無電解金めっき液により埋設することによって微細パターンを形成する方法に関する。
さらに、本発明は、開口部が100μm以下の素地露出部の幅を有する、前記方法に関する。
また、本発明は、開口部が、バンプおよび配線パターンを含む微細パターンを形成するための開口部である、前記方法に関する。
また、本発明は、基板全面を金属膜で均一に被覆した素地および/またはリードのない独立したパターン上に微細パターンを形成する、前記方法に関する。
さらに、本発明は、金属膜が、金、ニッケル、銅、銀、アルミニウム、パラジウム、コバルト、チタン、タンタル、タングステンの1種以上またはこれらを含む合金で形成した単層または複層の膜である、前記方法に関する。
また、本発明は、基板に被覆されたレジストが、ポジまたはネガ型である、前記方法に関する。
また、本発明は、無電解金めっき液が、pH6〜8である、前記方法に関する。
さらに、本発明は、前記方法により製造した微細パターンに関する。
本発明の無電解金めっき液は、微細部析出促進剤および金源を含むものである。
微細部析出促進剤は、一般的には、金属表面に吸着し、反応を阻害する作用がある吸着剤として用いられてきたものであれば、何でもよく、銅やアルミニウムおよびこれらを含む合金の表面処理では、酸化反応の阻害を主目的とする、変色防止剤として用いられるものも含む。
微細部析出促進剤は、少量でも微細部の析出を促進するものの、添加量が不十分な場合、実用的な析出速度が得られない可能性がある。また、過剰に添加した場合、微細部においても反応を阻害する。
チオ尿素金錯塩以外の金源については、いずれもアルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニウムなどの塩の形態をとることができ、チオ尿素金錯塩については、過塩素酸、もしくは塩酸などの塩の形態をとることができる。
基板は、例えばシリコンウエハの場合、JEITAやSEMIで規格されるような標準的なものであればよい。
この際、金属膜の平面上部からみた形状は全面均一でもリードのない独立したパターンでもどちらでもよい。
マイクロメートルオーダーで、アスペクト比(深さを径で割った割合)は、3以下が望ましい。
金析出促進剤としては、アノード反応を促進する作用の強い成分が好ましく、水溶液中でハロゲンイオン、例えば塩化ナトリウム、塩化カリウム、ヨウ化ナトリウム、ヨウ化カリウムなどを発生する化合物すなわちハロゲンのアルカリまたはアルカリ土類塩が挙げられる。これらは、単独で用いても、併用してもよい。
アノード反応を促進する金析出促進剤は、従来、最大径1mmを超える大きな面に対して、大きな析出速度促進作用は持たず、パターンエッジのようなカソード反応に要する物質の供給が律速になりにくい部分を除く部分では、あまり析出を促進しない。
すなわち、本発明の無電解金めっき液は、アノード反応を促進する金析出促進剤をさらに含むことによって、大きなパターンでの金析出反応と比べてより微細部での金析出反応が促進される。
金析出促進剤の濃度は、0.001〜3.0mol/Lが好ましく、さらに好ましくは0.005〜2.0mol/Lである。例えば、ヨウ化カリウムまたは塩化ナトリウムを用いる場合、0.001〜3.0mol/Lが好ましく、さらに好ましくは0.005〜1.0mol/Lである。
金析出促進補助剤としては、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン、クエン酸といった、アミン類、ポリカルボン酸類、アミノカルボン酸類およびアミノホスホン酸類が挙げられ、特にアノード反応を促進する成分が好ましい。例えば、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム二水和物を用いる場合、その濃度は1〜10,000mg/Lが好ましく、さらに好ましくは10〜5,000mg/Lである。
錯化剤の濃度は、0.001〜3.0mol/Lが好ましく、さらに好ましくは0.005〜2.0mol/Lである。例えば亜硫酸カリウムおよびチオ硫酸ナトリウムを用いる場合には、その濃度範囲は、それぞれ0.05〜2.0mol/L、1.0mol/L以下が好ましく、さらに好ましくは0.1〜1.5mol/L、0.01〜0.1mol/Lであり、その好適組成比は1:0.01〜0.8の範囲である。
上記範囲以上の濃度のチオ硫酸の使用は、その還元作用から析出速度を速くするものの、同時に浴の不安定化も引き起こし、さらに微細部の析出を阻害し得る。
具体的には、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素一カリウム、リン酸二水素一ナトリウム、四ホウ酸カリウムおよび四ホウ酸ナトリウムが挙げられる。
pH緩衝剤を単独または混合で用いる場合、使用するpHにより緩衝作用が異なる。具体的には、pH6〜8の範囲であれば、リン酸緩衝液を使用することができる。一方、高pHで、pHが安定しない場合、ホウ酸あるいは四ホウ酸緩衝液を併用することができる。
pH調整剤として、例えばリン酸緩衝液を用いる場合は、リン酸あるいは硫酸ならびに水酸化ナトリウムあるいは水酸化カリウムにより行なうのが好ましい。
本発明に用いられる無電解金めっき液のpHは、6〜8が好ましい。
また、チオ尿素類のような含硫黄化合物は、還元剤だけではなく微細部析出促進剤としての作用も合わせもつため、上記の微細部析出促進剤としても使用可能である。
また、これら還元剤の中には、ヒドラジンのように人体に有害な作用を及ぼし得るものもあるため、使用の際には目的や使用環境に合わせて選択する必要がある。
還元剤は、添加量が不十分な場合、金の析出速度が極端に遅くなり、実用的な速度が得られないことがある。また、多量に添加した場合、浴の不安定化を招く可能性がある。
本発明の無電解めっき液は、シアン化合物を含まないことが好ましい。
なお、下記の例において、各処理、分析、測定の方法及び条件は、以下のとおりである。
この基板に1.3 wt%のTMAH (=Tetramethylammonium hydroxide)で60秒、約3 wt%の塩酸で30秒の前処理を行い、表1〜6に示す組成の無電解金めっき液で処理した(以下、「前処理A」と示す)。
この平面板に、電解脱脂(EEJA製イートレックス12)を60℃、5 Vで40 A・s、10 %の硫酸に室温で30秒の前処理を施した後、上記基板と同時にめっき液に浸漬した(以下、「前処理B」と示す)。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRにφ5μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表1に示す無電解金めっき液および条件で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表1に示す。
基板上に得られた構造体は、平面板でのAu析出膜厚と比べて十分に高く、この無電解金めっき液は微細部析出促進作用があることを確認した。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRにφ10μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表1に示す無電解金めっき液および条件で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表1に示す。
基板上に得られた構造体は、平面板でのAu析出膜厚と比べて十分に高く、この無電解金めっき液は微細部析出促進作用があることを確認した。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRにφ5μm、20μmピッチの開口部を複数およびφ10μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表1に示す無電解金めっき液および条件で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表1に示す。
基板上に形成された構造体は、平面板でのAu析出膜厚と比べて十分に高く、この無電解金めっき液は微細部析出促進作用があることを確認した。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRに表1に示すように10〜50μm□、20〜100μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表1に示す無電解金めっき液および条件で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表1に示す。
基板上に形成された構造体は、平面板でのAu析出膜厚と比べて十分に高く、この無電解金めっき液は微細部析出促進作用があることを確認した。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRにφ5μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表2に示す無電解金めっき液および条件で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表2に示す。
基板上に形成された構造体は、平面板でのAu析出膜厚と比べて十分に高く、この無電解金めっき液は微細部析出促進作用があることを確認した。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRにφ5μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表2に示す無電解金めっき液および条件で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表2に示す。
基板上に形成された構造体は、平面板でのAu析出膜厚と比べて十分に高く、この無電解金めっき液は微細部析出促進作用があることを確認した。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRにφ5μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表2に示す無電解金めっき液および条件で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表2に示す。
基板上に形成された構造体は、平面板でのAu析出膜厚と比べて十分に高く、この無電解金めっき液は微細部析出促進作用があることを確認した。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRにφ5μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表2に示す無電解金めっき液および条件で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表2に示す。
基板上に形成された構造体は、平面板でのAu析出膜厚と比べて十分に高く、この無電解金めっき液は微細部析出促進作用があることを確認した。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRにφ5μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表3に示す無電解金めっき液および条件で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表3に示す。
基板上に形成された構造体は、平面板でのAu析出膜厚と比べて十分に高く、この無電解金めっき液は微細部析出促進作用があることを確認した。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μm のPRにφ5μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表4に示す無電解金めっき液および条件で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表4に示す。
基板上に形成された構造体は、平面板でのAu析出膜厚と比べて十分に高く、この無電解金めっき液は微細部析出促進作用があることを確認した。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRに表1に示すように10〜20μm□、20〜50μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表4に示す無電解金めっき液および条件で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表4に示す。
基板上に形成された構造体は、平面板でのAu析出膜厚と比べて十分に高く、この無電解金めっき液は微細部析出促進作用があることを確認した。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRに10〜20μm□、20〜50μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表5に示す無電解金めっき液および条件で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表5に示す。
基板上に形成された構造体は、平面板でのAu析出膜厚と比べて十分に高く、この無電解金めっき液は微細部析出促進作用があることを確認した。
3 inch wafer/Ti 10nm/Cu蒸着100nm(配線パターン)/Cuめっき500nm/Ni無電解めっき500nm PR 10μmのPRにφ10μm、30μmピッチの開口部を複数作製した。TiからNiまでの層は配線パターンとなっており、部分的にリードの取れない、独立した構造となっている。この基板に市販の非シアン置換Auめっきを用いてNi上にAu膜を50〜80 nm形成して、シード層とした後、表5に示す無電解金めっき液で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、φ10μm、平均高さ8μmの構造体を作製した。このように、Ti、Cu、Ni、Au、複数の金属を積層した下地で、かつ独立したパターンであっても微細パターンの作製が可能だった。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRにφ5μm、20μmピッチの開口部を複数およびφ10μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表6に示す無電解金めっき液で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表6に示す。基板上に形成された構造体は平面板でのAu析出膜厚と比べて、同程度か若干厚い程度で、微細部析出を促進していない条件、すなわち細部析出促進剤(吸着剤)、析出促進剤(アノード反応促進剤)を含まない無電解金めっき液を使用する条件では、実施例に示した促進した条件と比べて、低い構造体しか得られなかった。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRにφ5μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表6に示す無電解金めっき液で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表6に示す。還元剤として使用したチオ尿素は微細部析出促進剤としても働くため、基板上に形成された構造体は平面板でのAu析出膜厚と比べて、厚くなるものの、十分な高さは得られなかった。微細部析出を促進していない条件では、実施例に示した促進した条件と比べて、低い構造体しか得られなかった。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRにφ5μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表6に示す無電解金めっき液で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表6に示す。Au析出膜厚は平面および開口部ともに薄かった。微細部析出促進剤は実施例に示したように、微細部における析出を促進する作用があるものの、過剰添加時には析出を抑制するため、その使用可能な濃度範囲は限定される。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRにφ5μm、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表6に示す無電解金めっき液で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表6に示す。Au析出膜厚は平面、開口部で大差なかった。促進剤として使用したヨウ化カリウムは、添加により所望のパターンのみならず、パターン外の析出も促進し、結果としてパターン外析出の多発、非線形供給構造が保てなくなったためである。このように、促進剤には添加により不具合を招く場合があるため、その濃度範囲は適切に保つ必要がある。ただし、このパターン外析出は、微細部析出促進剤併用時には起きないため、実施例のように、微細部のみを適切に析出促進可能である。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRに50μm□、100μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表6に示す無電解金めっき液で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表6に示す。Au析出膜厚は平面および開口部ともに薄かった。微細部析出促進剤は実施例に示したように、開口部析出を促進する作用があるものの、過剰添加時には析出を抑制するため、その使用可能な濃度範囲は限定される。また、この例のように、開口部の大きさにより効果は異なるため、作製する構造体に合わせて適切な化合物と濃度を選択する必要がある。
3 inch Si wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRに1 mm□、2 mmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。参考用の平面板には、前処理Bを実施した。これらの前処理を行った基板および平面板を、表6に示す無電解金めっき液で処理した。めっき処理した後、レジストを除去し、構造体の高さを測定した。構造体の高さおよび変動幅を表6に示す。Au析出膜厚は平面および開口部とも同程度だった。このように、ミリメートルオーダーの大きな構造体に対しては、微細部析出促進作用は現れにくい。
3 inch wafer/Ti 20nm/Au 100nm/PR 10μmのPRに10μm□、20μmピッチの開口部を複数作製したものを基板とし、前処理Aを実施した。表6に示す非シアン電解金めっき液(Osaka, T. et al., J. Electrochem. Soc., 148 (10), C659-C662, (2001))を用い、10mA/cm2で16分間通電したところ構造体高さは8μm±2μmの範囲で、無電解金めっき液を使用した実施例よりもばらつきが大きかった。
Claims (19)
- 100μm以下の微細パターンを形成する無電解金めっき液であって、微細部析出促進剤および金源を含む、前記無電解金めっき液。
- 微細部析出促進剤の濃度が0.001〜10,000mg/Lである、請求項1に記載の無電解金めっき液。
- 微細部析出促進剤が、高分子化合物、含窒素化合物および硫黄を含む水溶性炭化水素からなる群から選択される1または2以上の化合物を含む、請求項1〜3のいずれかに記載の無電解金めっき液。
- 微細部析出促進剤が、ポリエチレングリコール、1,10−フェナントロリニウムおよび2−メルカプトベンゾチアゾールからなる群から選択される1または2以上の化合物を含む、請求項1〜4のいずれかに記載の無電解金めっき液。
- さらに金析出促進剤を含む、請求項1または2に記載の無電解金めっき液。
- 金析出促進剤が、水溶液中でハロゲンイオンを発生する化合物である、請求項1〜5のいずれかに記載の無電解金めっき液。
- 金析出促進剤の濃度が、0.001〜3.0mol/Lである、請求項1〜6のいずれかに記載の無電解金めっき液。
- さらに金析出促進補助剤、錯化剤、pH緩衝剤、pH調整剤、還元剤および/または添加剤を含む、請求項1〜7のいずれかに記載の無電解金めっき液。
- シアン化合物を含まない、請求項1〜8のいずれかに記載の無電解金めっき液。
- 基板上に被覆されたレジストに単数または複数の開口部を形成し、該開口部を請求項1〜9のいずれかに記載の無電解金めっき液により埋設することによって微細パターンを形成する方法。
- 開口部が100μm以下の素地露出部の幅を有する、請求項10に記載の方法。
- 開口部が、バンプおよび配線パターンを含む微細パターンを形成するための開口部である、請求項10または11に記載の方法。
- 120分以内に高さ3μm以上の微細パターンを形成する、請求項10〜12のいずれかに記載の方法。
- 基板全面を金属膜で均一に被覆した素地および/またはリードのない独立したパターン上に微細パターンを形成する、請求項10〜13のいずれかに記載の方法。
- 金属膜が、金、ニッケル、銅、銀、アルミニウム、パラジウム、コバルト、チタン、タンタル、タングステンの1種以上またはこれらを含む合金で形成した単層または複層の膜である、請求項10〜14のいずれかに記載の方法。
- 基板に被覆されたレジストが、ポジまたはネガ型である、請求項10〜15のいずれかに記載の方法。
- 無電解金めっき時の温度が、20〜60℃である、請求項10〜16のいずれかに記載の方法。
- 無電解金めっき液が、pH6〜8である、請求項10〜17のいずれかに記載の方法。
- 請求項10〜18のいずれかに記載の方法により製造した微細パターン。
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