JP2010067957A - フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造およびその作製方法 - Google Patents

フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造およびその作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010067957A
JP2010067957A JP2009170039A JP2009170039A JP2010067957A JP 2010067957 A JP2010067957 A JP 2010067957A JP 2009170039 A JP2009170039 A JP 2009170039A JP 2009170039 A JP2009170039 A JP 2009170039A JP 2010067957 A JP2010067957 A JP 2010067957A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier
electronic device
substrate
substrate structure
flexible
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009170039A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4834758B2 (ja
Inventor
Chyi-Ming Leu
奇明 呂
Yueh-Chuan Huang
月娟 黄
Jung-Yu Liao
鎔楡 廖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Industrial Technology Research Institute ITRI
Original Assignee
Industrial Technology Research Institute ITRI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Industrial Technology Research Institute ITRI filed Critical Industrial Technology Research Institute ITRI
Publication of JP2010067957A publication Critical patent/JP2010067957A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4834758B2 publication Critical patent/JP4834758B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/283—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysiloxanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/285—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyethers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/286—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polysulphones; polysulfides
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/288—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyketones
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • B32B27/325—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins comprising polycycloolefins
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/36—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters
    • B32B27/365—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyesters comprising polycarbonates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/007—Manufacture or processing of a substrate for a printed circuit board supported by a temporary or sacrificial carrier
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/44—Number of layers variable across the laminate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/546—Flexural strength; Flexion stiffness
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50—Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/58—Cuttability
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
    • H05K2203/0147—Carriers and holders
    • H05K2203/016—Temporary inorganic, non-metallic carrier, e.g. for processing or transferring
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Abstract

【課題】フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造およびその作製方法を提供する。
【解決手段】本発明が提供するフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造１０は、キャリア１２、キャリア１２を第１の面積Ａ１で覆う剥離層１４、ならびに、剥離層１４およびキャリア１２を第２の面積Ａ２で覆うフレキシブル基板１６、を含み、第２の面積Ａ２が第１の面積Ａ１より大きく、 かつ、フレキシブル基板１６が、剥離層１４のキャリア１２に対する密着度より高い密着度を有する。本発明はまた該基板構造を作製する方法も提供する。
【選択図】 図１

Description

関連出願の相互参照
本出願は、出願日を２００８年９月１５日とする台湾特許出願第９７１３５３５１号の優先権を主張するものであり、その全体がここに参照として組み入れられる。
本発明は基板構造に関し、より詳細にはフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造およびその作製方法に関する。
新世代ディスプレイの発展の流れはフレキシブルディスプレイにある。従来の重く脆弱なガラス基板に代わり、軽量なフレキシブルプラスチック基板、特にアクティブフルカラー（active full-color ）ＴＦＴディスプレイパネルの開発がより求められている。現在、アクティブフレキシブルディスプレイの作製技術にはａ−Ｓｉ ＴＦＴ、 ＬＴＰＳ ＴＦＴおよびＯＴＦＴがあり、またディスプレイ媒体としてはＥＰＤ、ＥＣＤ、ＬＣＤおよびＥＬがある。
作製プロセスはバッチタイプ（batch type）とロール・トゥ・ロール（roll to roll）に分けられる。バッチタイプの作製プロセスは既存のＴＦＴ設備を利用することができるが、基板の転写および膜剥離（film separation）技術の開発が要される。フレキシブルディスプレイをガラスから別のプラスチック基板へ転写する必要があるからである。一方、フレキシブルディスプレイにロール・トゥ・ロールの作製プロセスを用いる場合には、新たな設備が必要となり、さらに回転と接触に起因するいくつかの問題を克服しなければならない。
バッチタイプの作製プロセスには三種類の方法がある。１つ目はSEC Corporationが提案する方法で、ＰＥＳ基板をシリコンウェハーに貼り合わせ、低温ａ−Ｓｉ ＴＦＴ技術を利用して７”ＶＧＡ（６４０×４８０）プラスチックＬＣＤを得るというものであるが、この方式においては、耐熱性、低熱膨張係数、低光ヒステリシスおよび化学安定性を備える透明基板材料が要され、かつ適切なゲル材料と高度な剥離技術を組み合わせる必要がある。２つ目はSeiko Epson Corporationが提案する方法で、ガラス上にＬＴＰＳ ＴＦＴ背面板を作製してから、該背面板をレーザーアニーリングによりガラスから取り去るというものである。この方法において転写技術は重要な役割を果たす。転写技術ではプラスチック基板による作製温度の制限がないことから、優れた特性のＴＦＴ素子が得られ、従来の透明プラスチック基板を使用することができる。３つ目はPhilips Corporationが提案する方法で、ａ−Ｓｉ ＴＦＴ−ＥＰＤディスプレイを開発するべく、ポリイミドをガラス上に塗布してから、転写技術を利用してポリイミド基板をガラスから引き離すというものである。ポリイミド基板をガラス上に直に塗布する場合、その耐熱性により作製温度を３００℃以上にすることができる。しかしながら、この方法でもガラス基板を取り去るのにレーザーアニーリングを用いることが要される。
上述した事情に鑑みて、本発明の目的は、フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造およびその作製方法を提供することにある。
本発明の１実施形態は、フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造であって、キャリア（carrier）、キャリアを第１の面積で覆う剥離層（release layer）、ならびに、剥離層およびキャリアを第２の面積で覆うフレキシブル基板、を含み、第２の面積が第１の面積より大きく、かつ、フレキシブル基板が、剥離層のキャリアに対する密着度よりも高い密着度を有する、基板構造を提供する。
本発明の１実施形態は、フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法であって、キャリア（carrier）を準備する工程、キャリア上に第１の面積で剥離層（release layer）を形成する工程、ならびに、剥離層およびキャリア上に第２の面積でフレキシブル基板を形成する工程、を含み、第２の面積が第１の面積より大きく、かつ、フレキシブル基板が、剥離層のキャリアに対する密着度よりも高い密着度を有する、作製方法を提供する。
本発明により提供されるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造は、既存の半導体設備を用いて簡単に作製することができ、２種類の剥離層のキャリアに対してのそれぞれ異なる密着度に特徴を有する。 先ず密着度が低い方の剥離層を小さ目の面積でキャリア上に形成してから、密着度が高いもう一方の剥離層（例えばフレキシブルディスプレイ基板）を該密着度の低い剥離層上により大きい面積で形成すると共にキャリアと接触させる。この作製方法によれば、ＴＦＴ製造工程中に確実に基板構造が剥がれないようになる。密着度の低い剥離層の両端に沿ってカットすることにより、密着度の高い剥離層をキャリアから容易に分離することができる。
本発明の１実施形態によるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の断面図である。 本発明の１実施形態によるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法を説明する断面図である。 本発明の１実施形態によるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法を説明する断面図である。 本発明の１実施形態によるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法を説明する断面図である。 本発明の１実施形態によるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法を説明する断面図である。
添付の図面を参照にしながら、以下の実施形態においてより詳細な説明を行う。
添付の図面を参照に下記の詳細な説明および実施例を読めば、本発明をより完全に理解することができる。
以下の記載は本発明を実施するための最良の形態である。この記載は本発明の主要な原理を説明するためのものであり、限定の意味で解されるべきではない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照に判断されなくてはならない。
本発明の１実施形態によるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造を図１に示す。基板構造１０はキャリア１２、剥離層（release layer）１４およびフレキシブル基板１６を含む。剥離層１４は、キャリア１２上に第１の面積Ａ１で形成される。フレキシブル基板１６は、剥離層１４およびキャリア１２上に第２の面積Ａ２で形成される。注目すべきは、第２の面積Ａ２が第１の面積Ａ１よりも大きく、かつ、フレキシブル基板１６が、剥離層１４のキャリア１２に対する密着度よりも高い密着度を持つという点である。
キャリア１２はガラスまたはシリコンウェハーを含み得る。剥離層１４のキャリア１２に対する密着度は０Ｂ〜１Ｂである。
剥離層１４はパリレン（parylene）または環状オレフィン共重合体（cyclic olefin copolymers，ＣＯＣ）を含み得る。フレキシブル基板１６は、フレキシブルディスプレイ基板、例えばアクティブフレキシブルディスプレイ基板とすることができる。フレキシブル基板１６のキャリア１２に対する密着度は１〜５Ｂである。フレキシブル基板１６は、ポリイミド（polyimide，ＰＩ）、ポリカーボネート（polycarbonate，ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（polyethersulfone，ＰＥＳ）、ポリアクリレート（polyacrylate，ＰＡ）、ポリノルボルネン（polynorbornene，ＰＮＢ）、ポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate，ＰＥＴ）、ポリエーテルエーテルケトン（polyetheretherketone，ＰＥＥＫ）、ポリエチレンナフタレート（polyethylene naphthalate，ＰＥＮ）またはポリエーテルイミド（polyetherimide，ＰＥＩ）を含み得る。
ポリイミド（ＰＩ）のフレキシブル基板１６は式（Ｉ）を有する。
Figure 2010067957
式（Ｉ）中、Ａは
Figure 2010067957
 、
Figure 2010067957
 、
Figure 2010067957
 、
Figure 2010067957
 、
または
Figure 2010067957
 を含んでいてよい。ＸおよびＹは水素、メチル、トリフルオロメチル、ヒドロキシル、−ＯＲ、臭素、塩素またはヨウ素を含んでいてよく、Ｚは−Ｏ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＳＯ２−、−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−、−Ａｒ−ＣＨ２−Ａｒ−、−Ａｒ−Ｃ（ＣＨ３）２−Ａｒ−または−Ａｒ−ＳＯ２−Ａｒ−を含んでいてよい。ＲはＣ１−１８アルキルを含んでいてよく、Ａｒはベンゼンである。Ｂは、
Figure 2010067957
 、
Figure 2010067957
 、
Figure 2010067957
 、
Figure 2010067957
 、
Figure 2010067957
 、
Figure 2010067957
 、
Figure 2010067957
 、
または
Figure 2010067957
 を含んでいてよい。ＸおよびＹは水素、メチル、トリフオロメチル、ヒドロキシル、−ＯＲ、臭素、塩素またはヨウ素を含んでいてよく、Ｚは−Ｏ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＳＯ２−、−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−、−Ａｒ−ＣＨ２−Ａｒ−、−Ａｒ−Ｃ（ＣＨ３）２−Ａｒ−または−Ａｒ−ＳＯ２−Ａｒ−を含んでいてよい。ＲはＣ１−１８アルキルを含んでいてよく、Ａｒはベンゼンである。ｎは１よりも大きい整数とすることができる。
フレキシブル基板１６はシロキサン化合物または二酸化シリコンをさらに含んでいてもよく、これによりキャリア１２に対する密着度が高まる。
１実施形態による本発明のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法を図２Ａ〜２Ｄに示す。
図２Ａを参照されたい。剥離層１４が第１の面積Ａ１でその上に形成されたキャリア１２を準備する。剥離層１４は、例えば塗布または蒸着によりキャリア１２上に形成する。
次に図２Ｂを参照されたい。例えば塗布により、剥離層１４およびキャリア１２上に第２の面積Ａ２でフレキシブル基板１６を形成する。注目すべきは、第２の面積Ａ２が第１の面積Ａ１よりも大きく、かつ、フレキシブル基板１６が、剥離層１４のキャリア１２に対する密着度よりも高い密着度を有するという点である。
次に図２Ｃを参照されたい。フレキシブル基板１６およびキャリア１２の一部を、剥離層１４の両端（ＣおよびＣ’）に沿ってカットし、図２Ｄに示すように剥離層１４およびフレキシブル基板１６とキャリア１２とを分離する。
本発明により提供されるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造は、既存の半導体設備を用いて簡単に作製することができ、２種類の剥離層のキャリアに対してのそれぞれ異なる密着度に特徴を有する。先ず密着度の低い剥離層を小さ目の面積でキャリア上に形成してから、密着度の高いもう一方の剥離層（例えばフレキシブルディスプレイ基板）を該密着度の低い剥離層上により大きい面積で形成すると共にキャリアと接触させる。この作製方法によれば、ＴＦＴ製造工程中に確実に基板構造が剥がれないようになる。密着度の低い剥離層の両端に沿ってカットすることにより、密着度の高い剥離層をキャリアから容易に分離することができる。
剥離層をＴＦＴガラス（例えば１５ｃｍ×１５ｃｍ）上に形成する。剥離層の面積は、中空パッド（hollow pad）のサイズ（例えば８ｃｍ×８ｃｍ）により調整することができる。次いで、剥離層よりも大きい面積（例えば１０ｃｍ×１０ｃｍ）で基板をガラス上に形成し、フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造を作る。デバイスの作製が完了したら、基板および剥離層の一部を、剥離層の両端または内側の部分に沿ってカットし、フレキシブル電子デバイスをガラスから分離する。
（実施例１）
パリレン剥離層の作製
パリレン前駆体（パリレンの二量体）を熱蒸着装置内に入れた。中空パッド（８ｃｍ×８ｃｍ）で覆ったクリーンなガラス（１５ｃｍ×１５ｃｍ）を試料室に置いた。真空中にてパリレン前駆体を１５０℃で気化させ、６５０℃で分解してから、試料室に導入した。そして、室温で、パッドに覆われていない領域上にパリレンを蒸着し、パリレン剥離層（８ｃｍ×８ｃｍ）を作製した。
（実施例２）
Ａｒｔｏｎ、ＴｏｐａｓおよびＺｅｏｎｏｒ剥離層の作製
Ａｒｔｏｎ、ＴｏｐａｓおよびＺｅｏｎｏｒ（トルエン中に固形分１０％で溶解）をスクレーパーを用いてガラス上に塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ０．５時間ずつべークし、剥離層（８ｃｍ×８ｃｍ）を作製した。
（実施例３）
ポリイミド（Ｂ１３１７−ＢＡＰＰｍ，ＢＢ）／パリレン／ガラス基板構造の作製
ジフェニルアミン（ＢＡＰＰｍ）０．０１４７モルを室温、窒素下でクレゾール３２．９４ｇ中に完全に溶解した。次いで、二無水物（Ｂ１３１７）０．０１５モルを加え、二無水物（Ｂ１３１７）が完全に溶けた後、１時間攪拌を続け、粘性のあるポリアミド酸（ＰＡＡ）溶液を作った。続いて、そのＰＡＡ溶液を熱イミド化し（２２０℃、３時間）、同時に水分を除去した。最後に、得られた溶液にメタノールを加えてポリイミドを沈殿させ、真空オーブンで１２時間べークした。べーク後、 ポリイミドを（固形分２０％で）ＤＭＡｃ中に溶解してポリイミド溶液を作った。そして、そのポリイミド溶液を、スクレーパーを用い、８ｃｍ×８ｃｍパリレンがめっきされたガラス上に面積１０ｃｍ×１０ｃｍで塗布した。そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、ポリイミド（ＢＢ）／パリレン／ガラス基板構造を作製した。
Figure 2010067957
（実施例４）
二酸化シリコン／ポリイミド（ＢＢ−３７）／パリレン／ガラス基板構造の作製
二酸化シリコン３ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解) およびＢ１３１７−ＢＡＰＰｍ（ＢＢ）７ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解）を試料瓶に入れてから、アミノシロキサン（amino siloxane）０．３gを加えて溶液を作り、室温下で３０分間攪拌した。次に、その溶液を、パリレンがめっきされたガラス上にスクレーパーを用いて塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、二酸化シリコン／ポリイミド（ＢＢ−３７）／パリレン／ガラス基板構造を作製した。
（実施例５）
二酸化シリコン／ポリイミド（ＢＢ−５５）／パリレン／ガラス基板構造の作製
二酸化シリコン５ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解) およびＢ１３１７−ＢＡＰＰｍ（ＢＢ）５ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解）を試料瓶に入れてから、アミノシロキサン０．２gを加えて溶液を作り、室温下で３０分間攪拌した。次に、その溶液を、パリレンがめっきされたガラス上にスクレーパーを用いて塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、二酸化シリコン／ポリイミド（ＢＢ−５５）／パリレン／ガラス基板構造を作製した。
（実施例６）
二酸化シリコン／ポリイミド（ＢＢ−７３）／パリレン／ガラス基板構造の作製
二酸化シリコン７ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解) およびＢ１３１７−ＢＡＰＰｍ（ＢＢ）３ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解）を試料瓶に入れてから、アミノシロキサン０．１２gを加えて溶液を作り、室温下で３０分間攪拌した。次に、その溶液を、パリレンがめっきされたガラス上にスクレーパーを用いて塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、二酸化シリコン／ポリイミド（ＢＢ−７３）／パリレン／ガラス基板構造を作製した。
（実施例７）
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）／ポリイミド（ＢＢ）／Ｔｏｐａｓ／ガラス基板構造の作製
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）０．２ｇおよびＢ１３１７−ＢＡＰＰｍ（ＢＢ）１０ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解）を試料瓶に入れて溶液を作った。次いで、その溶液を、Ｔｏｐａｓが塗布されたガラス上にスクレーパーを用いて塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）／ポリイミド（ＢＢ）／Ｔｏｐａｓ／ガラス基板構造を作製した。
（実施例８）
アミノシラン／ポリイミド（ＢＢ）／Ｚｅｏｎｏｒ／ガラス基板構造の作製
アミノシラン０．２ｇおよびＢ１３１７−ＢＡＰＰｍ（ＢＢ）１０ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解）を試料瓶に入れて溶液を作った。次いで、その溶液を、Ｚｅｏｎｏｒが塗布されたガラス上にスクレーパーを用いて塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、アミノシラン／ポリイミド（ＢＢ）／Ｚｅｏｎｏｒ／ガラス基板構造を作製した。
（実施例９）
３−（メタクリロキシ）プロピルトリメトキシシラン（3-(methacryloxy) propyl trimethoxy silane，ＭＰＭＳ）／ポリイミド（ＢＢ）／Ａｒｔｏｎ／ガラス基板構造の作製
３−（メタクリロキシ）プロピルトリメトキシシラン（ＭＰＭＳ）０．２ｇおよびＢ１３１７−ＢＡＰＰｍ（ＢＢ）１０ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解）を試料瓶に入れて溶液を作った。次いで、その溶液を、Ａｒｔｏｎが塗布されたガラス上にスクレーパーを用いて塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、３−（メタクリロキシ）プロピルトリメトキシシラン（ＭＰＭＳ）／ポリイミド（ＢＢ）／Ａｒｔｏｎ／ガラス基板構造を作製した。
基板構造を作製した後、電子デバイスをその剥離層の範囲内に形成した。デバイスの作製が完了したら、基板および剥離層の一部を剥離層の両端または内側の部分に沿ってカットし、基板および電子デバイスをガラスから分離した。
剥離層およびフレキシブル基板のキャリアに対する密着度を表１および表２に示す。なお、密着度は、クロスカット法に従い、実施例１〜８の基板構造に対してクロスカットで垂直な切り込みを行い、１ｍｍ角の碁盤目を１００個作成し、粘着テープ（３Ｍテープ＃６００）を貼り付け、テープの一端を持って基板に対して直角方向に瞬間的に引き剥がし、基板の剥がれの面積を測定し、下記の０〜５（Ｂ）の６段階で評価した。１Ｂ〜５Ｂの場合を良好な基板構造とした。
＜密着度の６段階評価＞
５Ｂ…どの格子の目にもはがれがない
４Ｂ…剥離面積５％未満
３Ｂ…剥離面積５％以上１５％未満
２Ｂ…剥離面積１５％以上３５％未満
１Ｂ…剥離面積３５％以上６５％未満
０Ｂ…剥離面積６５％以上
Figure 2010067957
Figure 2010067957
以上、実施例および好適な実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらに限定はされないと解されるべきである。本発明は、(当業者には明らかであるように) 各種の変更および類似のアレンジが包含されるよう意図されている。よって、添付の特許請求の範囲は、かかる変更および類似のアレンジがすべて包含されるように、最も広い意味に解釈されなければならない。
１０ 基板構造
１２ キャリア
１４ 剥離層
１６ フレキシブル基板
Ａ１、Ａ２ 面積

Claims (13)

  1. フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造であって、
    キャリア（carrier）、
    前記キャリアを第１の面積で覆う剥離層（release layer）、ならびに、
    前記剥離層および前記キャリアを第２の面積で覆うフレキシブル基板、
    を含み、
    前記第２の面積が前記第１の面積より大きく、かつ、前記フレキシブル基板が、前記剥離層の前記キャリアに対する密着度よりも高い密着度を有する、基板構造。
  2. 前記キャリアがガラスまたはシリコンウェハーを含む請求項１に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  3. 前記剥離層の前記キャリアに対する密着度が０Ｂ〜１Ｂである請求項１に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  4. 前記剥離層がパリレン（parylene）または環状オレフィン共重合体（cyclic olefin copolymers，ＣＯＣ）を含む請求項１に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  5. 前記フレキシブル基板の前記キャリアに対する密着度が１〜５Ｂである請求項１に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  6. 前記フレキシブル基板が、ポリイミド（polyimide，ＰＩ）、ポリカーボネート（polycarbonate，ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（polyethersulfone，ＰＥＳ）、ポリアクリレート（polyacrylate，ＰＡ）、ポリノルボルネン（polynorbornene，ＰＮＢ）、ポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate，ＰＥＴ）、ポリエーテルエーテルケトン（polyetheretherketone ，ＰＥＥＫ）、ポリエチレンナフタレート（polyethylene naphthalate，ＰＥＮ）またはポリエーテルイミド（polyetherimide，ＰＥＩ）を含む請求項１に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  7. 前記ポリイミド（ＰＩ）が式（Ｉ）を有する請求項６に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
    Figure 2010067957
     （式中、Ａは
    Figure 2010067957
     、
    Figure 2010067957
     、
    Figure 2010067957
     、
    Figure 2010067957
     または
    Figure 2010067957
     を含む。ＸおよびＹは水素、メチル、トリフルオロメチル、ヒドロキシル、−ＯＲ、臭素、塩素またはヨウ素を含み、Ｚは−Ｏ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＳＯ２−、−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−、−Ａｒ−ＣＨ２−Ａｒ−、−Ａｒ−Ｃ（ＣＨ３）２−Ａｒ−または−Ａｒ−ＳＯ２−Ａｒ−を含む。ＲはＣ１−１８アルキルを含み、Ａｒはベンゼンである。Ｂは、
    Figure 2010067957
     、
    Figure 2010067957
     、
    Figure 2010067957
     、
    Figure 2010067957
     、
    Figure 2010067957
     、
    Figure 2010067957
     、
    Figure 2010067957
     または
    Figure 2010067957
     を含む。ＸおよびＹは水素、メチル、トリフルオロメチル、ヒドロキシル、−ＯＲ、臭素、塩素またはヨウ素を含み、Ｚは−Ｏ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＳＯ２−、−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−、−Ａｒ−ＣＨ２−Ａｒ−、−Ａｒ−Ｃ（ＣＨ３）２−Ａｒ−または−Ａｒ−ＳＯ２−Ａｒ−を含む。ＲはＣ１−１８アルキルを含み、Ａｒはベンゼンである。ｎは１よりも大きい整数である。）
  8. 前記フレキシブル基板がシロキサン化合物をさらに含む請求項６に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  9. 前記フレキシブル基板が酸化シリコンをさらに含む請求項８に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  10. フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法であって、
    キャリア（carrier）を準備する工程、
    前記キャリア上に第１の面積で剥離層（release layer）を形成する工程、ならびに、
    前記剥離層および前記キャリア上に第２の面積でフレキシブル基板を形成する工程、
    を含み、
    前記第２の面積が前記第１の面積より大きく、かつ、前記フレキシブル基板が、前記剥離層の前記キャリアに対する密着度よりも高い密着度を有する、作製方法。
  11. 前記剥離層が塗布または蒸着により前記キャリア上に形成される請求項１０に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法。
  12. 前記フレキシブル基板が塗布によって前記剥離層および前記キャリア上に形成される請求項１０に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法。
  13. 前記剥離層の両端または内側の部分に沿って前記フレキシブル基板および前記キャリアの一部をカットして、前記剥離層および前記フレキシブル基板と前記キャリアとを分離する工程をさらに含む請求項１０に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法。
JP2009170039A 2008-09-15 2009-07-21 フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造およびその作製方法 Active JP4834758B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW097135351A TWI354854B (en) 2008-09-15 2008-09-15 Substrate structures applied in flexible electrica
TW097135351 2008-09-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010067957A true JP2010067957A (ja) 2010-03-25
JP4834758B2 JP4834758B2 (ja) 2011-12-14

Family

ID=42007494

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009170039A Active JP4834758B2 (ja) 2008-09-15 2009-07-21 フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造およびその作製方法
JP2009213651A Active JP5357675B2 (ja) 2008-09-15 2009-09-15 剥離層材料、それを含む基板構造およびその作製方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009213651A Active JP5357675B2 (ja) 2008-09-15 2009-09-15 剥離層材料、それを含む基板構造およびその作製方法

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8173249B2 (ja)
JP (2) JP4834758B2 (ja)
TW (1) TWI354854B (ja)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014050347A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法
JP2015004062A (ja) * 2013-06-21 2015-01-08 奇美實業股▲分▼有限公司 フレキシブル基板用組成物及びフレキシブル基板
WO2015012339A1 (ja) * 2013-07-24 2015-01-29 ユニチカ株式会社 積層体およびその処理法ならびにフレキシブルデバイスの製造方法
JP2015074783A (ja) * 2013-10-04 2015-04-20 財團法人工業技術研究院Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ 離型層、基板構造、およびフレキシブル電子デバイスの製造方法
KR20150060716A (ko) 2012-09-27 2015-06-03 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 표시 장치의 제조 방법
US9093397B2 (en) 2011-07-06 2015-07-28 Panasonic Corporation Flexible device manufacturing method and flexible device
JP2015136868A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 旭化成イーマテリアルズ株式会社 所定構造を有するフレキシブル電子デバイスに適用される基板及びその作製方法
KR20150102716A (ko) 2014-02-28 2015-09-07 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 표시장치의 제조 방법 및 표시장치용 수지용액
WO2016046997A1 (ja) * 2014-09-26 2016-03-31 住友ベークライト株式会社 素子積層フィルムの製造方法、素子積層フィルムおよび表示装置
KR20170113416A (ko) 2016-03-31 2017-10-12 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 플렉시블 기판의 제조 방법
JP2018020957A (ja) * 2012-02-08 2018-02-08 コーニング インコーポレイテッド 担体付のフレキシブルガラスの処理
KR20180095895A (ko) * 2016-02-29 2018-08-28 미쓰이금속광업주식회사 캐리어를 구비한 구리박 및 그 제조 방법, 그리고 배선층을 구비한 코어리스 지지체 및 프린트 배선판의 제조 방법
WO2019208590A1 (ja) 2018-04-23 2019-10-31 信越化学工業株式会社 ケイ素含有化合物
KR20190124712A (ko) 2018-04-23 2019-11-05 아사히 가세이 가부시키가이샤 폴리이미드 전구체 수지 조성물
KR20210138663A (ko) 2019-05-24 2021-11-19 아사히 가세이 가부시키가이샤 폴리이미드 전구체 및 폴리이미드 수지 조성물
KR20220007595A (ko) 2019-05-09 2022-01-18 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 적층체
KR20220080095A (ko) 2019-10-11 2022-06-14 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 폴리이미드 수지 조성물, 폴리이미드 바니시 및 폴리이미드 필름
KR20230038474A (ko) 2020-07-16 2023-03-20 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 적층체
JP7279840B1 (ja) 2022-08-23 2023-05-23 Ａｇｃ株式会社 積層体

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI505410B (zh) * 2008-12-30 2015-10-21 Ind Tech Res Inst 應用於軟性電子元件之基板結構及其製造方法
TWI410329B (zh) * 2009-03-09 2013-10-01 Ind Tech Res Inst 可撓式裝置的取下設備及其取下方法
KR101125567B1 (ko) * 2009-12-24 2012-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 고분자 기판 및 그 제조 방법과 상기 고분자 기판을 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI362398B (en) * 2009-12-31 2012-04-21 Ind Tech Res Inst Polyimide polymers for flexible electrical device substrate material and flexible electrical devices comprising the same
US20110291544A1 (en) * 2010-05-31 2011-12-01 Industrial Technology Research Institute Gas barrier substrate, package of organic electro-luminenscent device and packaging method thereof
US9142797B2 (en) 2010-05-31 2015-09-22 Industrial Technology Research Institute Gas barrier substrate and organic electro-luminescent device
KR101147988B1 (ko) * 2010-07-13 2012-05-24 포항공과대학교 산학협력단 물리적 박리 방법을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판
TWI457614B (zh) * 2010-10-05 2014-10-21 E Ink Holdings Inc 可撓性彩色濾光基板的製造方法
TWI486259B (zh) 2010-12-27 2015-06-01 Au Optronics Corp 可撓式基板結構及其製作方法
TWI432838B (zh) 2011-02-25 2014-04-01 Innolux Corp 顯示器及其製造方法
TWI433625B (zh) 2011-07-04 2014-04-01 Ind Tech Res Inst 軟性電子元件的製法
TWI424797B (zh) * 2011-09-01 2014-01-21 Ind Tech Res Inst 軟性基板結構及其製造方法
US20130115426A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-09 Au Optronics Corporation Method of manufacturing flexible electronic device
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
TWI440414B (zh) * 2012-05-11 2014-06-01 Au Optronics Corp 基板製造方法及多層堆疊結構
TWI492373B (zh) * 2012-08-09 2015-07-11 Au Optronics Corp 可撓式顯示模組的製作方法
TWI596751B (zh) * 2012-08-30 2017-08-21 財團法人工業技術研究院 軟性顯示器與其製法
EP2717307A1 (en) 2012-10-04 2014-04-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Releasable substrate on a carrier
TWM450934U (zh) * 2012-10-09 2013-04-11 Unimicron Technology Corp 軟性電路板
WO2014084529A1 (ko) 2012-11-30 2014-06-05 주식회사 엘지화학 플렉서블 기판을 포함하는 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US10014177B2 (en) 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
TWI596404B (zh) * 2013-02-06 2017-08-21 財團法人工業技術研究院 膜層結構以及軟性有機二極體顯示器製作方法
US9023448B2 (en) 2013-02-22 2015-05-05 Industrial Technology Research Institute Substrate structures applied in flexible devices
CN103151306B (zh) * 2013-03-08 2015-06-17 上海和辉光电有限公司 一种柔性电子器件的制备方法
KR101802558B1 (ko) 2013-04-09 2017-11-29 주식회사 엘지화학 디스플레이 소자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 디스플레이 소자
TW201500306A (zh) * 2013-05-22 2015-01-01 Corning Inc 利用玻璃載體處理可撓性薄片玻璃基板之方法
KR102108360B1 (ko) * 2013-06-19 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 기판 처리방법 및 이를 이용해 제조된 플렉서블 디스플레이 장치
WO2015000095A1 (en) 2013-07-05 2015-01-08 Industrial Technology Research Institute Flexible display and method for fabricating the same
TWI555637B (zh) * 2013-10-04 2016-11-01 財團法人工業技術研究院 離型層、基板結構、與軟性電子元件製程
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
CN103682177B (zh) * 2013-12-16 2015-03-25 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled面板的制作方法
US20160181574A1 (en) * 2014-01-03 2016-06-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for manufacturing flexible oled (organic light emitting diode) panel
TWI532163B (zh) 2014-01-10 2016-05-01 友達光電股份有限公司 可撓式顯示面板及可撓式顯示面板之製作方法
EP3099483B1 (en) 2014-01-27 2022-06-01 Corning Incorporated Articles and methods for controlled bonding of thin sheets with carriers
EP3129221A1 (en) 2014-04-09 2017-02-15 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
TWI545996B (zh) 2014-04-23 2016-08-11 財團法人工業技術研究院 基板結構、其製造方法、及電子裝置之製造方法
US10074816B2 (en) 2014-12-22 2018-09-11 Industrial Technology Research Institute Substrate structure for electronic device and production method thereof
EP3284118A4 (en) 2015-04-13 2019-04-03 Royole Corporation SUPPORT AND SEPARATION OF SOFT SUBSTRATES
US11167532B2 (en) 2015-05-19 2021-11-09 Corning Incorporated Articles and methods for bonding sheets with carriers
KR102524620B1 (ko) 2015-06-26 2023-04-21 코닝 인코포레이티드 시트 및 캐리어를 포함하는 방법들 및 물품들
WO2017065319A1 (ja) 2015-10-15 2017-04-20 新日鉄住金化学株式会社 ポリイミド積層体及びその製造方法
WO2017204186A1 (ja) 2016-05-23 2017-11-30 日産化学工業株式会社 剥離層形成用組成物及び剥離層
TWI782915B (zh) 2016-05-23 2022-11-11 日商日產化學工業股份有限公司 剝離層形成用組成物及剝離層
TWI723166B (zh) 2016-05-23 2021-04-01 日商日產化學工業股份有限公司 剝離層形成用組成物及剝離層
KR102365302B1 (ko) * 2016-08-03 2022-02-22 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 투명 수지 기판용 박리층 형성용 조성물
CN109476951B (zh) 2016-08-03 2022-07-29 日产化学株式会社 剥离层形成用组合物和剥离层
TW202216444A (zh) 2016-08-30 2022-05-01 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
TWI810161B (zh) 2016-08-31 2023-08-01 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
CN110062784B (zh) 2016-12-08 2023-01-10 日产化学株式会社 剥离层的制造方法
CN110099974B (zh) 2016-12-27 2022-02-25 日产化学株式会社 基板保护层形成用组合物
JP7116366B2 (ja) * 2017-06-08 2022-08-10 日産化学株式会社 フレキシブルデバイス用基板の製造方法
KR102483236B1 (ko) 2017-11-09 2022-12-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
US11331692B2 (en) 2017-12-15 2022-05-17 Corning Incorporated Methods for treating a substrate and method for making articles comprising bonded sheets
KR20200054425A (ko) * 2018-11-09 2020-05-20 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799379A (ja) * 1993-08-05 1995-04-11 Fujikura Ltd フレキシブル印刷配線板の製造方法
JP2004186324A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Sony Chem Corp フレキシブル配線回路基板の製造方法
JP2007251080A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Fujifilm Corp プラスチック基板の固定方法、回路基板およびその製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6589623B2 (en) * 2001-03-22 2003-07-08 Ncr Corporation Duplex label pocket
GB0327093D0 (en) 2003-11-21 2003-12-24 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates
US7824515B2 (en) 2005-03-30 2010-11-02 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for image formation, intermediate transfer recording medium, and image formed object
TWI276191B (en) 2005-08-30 2007-03-11 Ind Tech Res Inst Alignment precision enhancement of electronic component process on flexible substrate device and method thereof the same
TWI288493B (en) 2005-09-13 2007-10-11 Ind Tech Res Inst Method for fabricating a device with flexible substrate and method for stripping flexible-substrate
TWI321241B (en) 2005-09-14 2010-03-01 Ind Tech Res Inst Flexible pixel array substrate and method of fabricating the same
JP2008040982A (ja) 2006-08-09 2008-02-21 Toshiba Microelectronics Corp マイクロプロセッサおよびその制御方法
JP5023880B2 (ja) * 2007-08-11 2012-09-12 住友ベークライト株式会社 離型フィルム

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0799379A (ja) * 1993-08-05 1995-04-11 Fujikura Ltd フレキシブル印刷配線板の製造方法
JP2004186324A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Sony Chem Corp フレキシブル配線回路基板の製造方法
JP2007251080A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Fujifilm Corp プラスチック基板の固定方法、回路基板およびその製造方法

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9093397B2 (en) 2011-07-06 2015-07-28 Panasonic Corporation Flexible device manufacturing method and flexible device
JP2018020957A (ja) * 2012-02-08 2018-02-08 コーニング インコーポレイテッド 担体付のフレキシブルガラスの処理
KR20200026322A (ko) 2012-09-27 2020-03-10 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 표시 장치의 제조 방법
KR20150060716A (ko) 2012-09-27 2015-06-03 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 표시 장치의 제조 방법
JP2014072451A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Fujifilm Corp 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法。
WO2014050347A1 (ja) * 2012-09-28 2014-04-03 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法
KR20150046230A (ko) * 2012-09-28 2015-04-29 후지필름 가부시키가이샤 반도체 장치 제조용 가접합층, 적층체, 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101669829B1 (ko) * 2012-09-28 2016-11-09 후지필름 가부시키가이샤 반도체 장치 제조용 가접합층, 적층체, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2015004062A (ja) * 2013-06-21 2015-01-08 奇美實業股▲分▼有限公司 フレキシブル基板用組成物及びフレキシブル基板
WO2015012339A1 (ja) * 2013-07-24 2015-01-29 ユニチカ株式会社 積層体およびその処理法ならびにフレキシブルデバイスの製造方法
JPWO2015012339A1 (ja) * 2013-07-24 2017-03-02 ユニチカ株式会社 積層体およびその処理法ならびにフレキシブルデバイスの製造方法
US9388278B2 (en) 2013-10-04 2016-07-12 Industrial Technology Research Institute Release layer, substrate structure, and method for manufacturing flexible electronic device
JP2015074783A (ja) * 2013-10-04 2015-04-20 財團法人工業技術研究院Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ 離型層、基板構造、およびフレキシブル電子デバイスの製造方法
JP2015136868A (ja) * 2014-01-23 2015-07-30 旭化成イーマテリアルズ株式会社 所定構造を有するフレキシブル電子デバイスに適用される基板及びその作製方法
KR20150102716A (ko) 2014-02-28 2015-09-07 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 표시장치의 제조 방법 및 표시장치용 수지용액
TWI607876B (zh) * 2014-09-26 2017-12-11 住友電木股份有限公司 元件疊層膜之製造方法、元件疊層膜及顯示裝置
JPWO2016046997A1 (ja) * 2014-09-26 2017-04-27 住友ベークライト株式会社 素子積層フィルムの製造方法
WO2016046997A1 (ja) * 2014-09-26 2016-03-31 住友ベークライト株式会社 素子積層フィルムの製造方法、素子積層フィルムおよび表示装置
KR20200035173A (ko) * 2016-02-29 2020-04-01 미쓰이금속광업주식회사 캐리어를 구비한 구리박 및 그 제조 방법, 그리고 배선층을 구비한 코어리스 지지체 및 프린트 배선판의 제조 방법
KR20180095895A (ko) * 2016-02-29 2018-08-28 미쓰이금속광업주식회사 캐리어를 구비한 구리박 및 그 제조 방법, 그리고 배선층을 구비한 코어리스 지지체 및 프린트 배선판의 제조 방법
KR102426429B1 (ko) 2016-02-29 2022-07-29 미쓰이금속광업주식회사 캐리어를 구비한 구리박 및 그 제조 방법, 그리고 배선층을 구비한 코어리스 지지체 및 프린트 배선판의 제조 방법
KR102095279B1 (ko) 2016-02-29 2020-04-01 미쓰이금속광업주식회사 캐리어를 구비한 구리박 및 그 제조 방법, 그리고 배선층을 구비한 코어리스 지지체 및 프린트 배선판의 제조 방법
KR20170113416A (ko) 2016-03-31 2017-10-12 신닛테츠 수미킨 가가쿠 가부시키가이샤 플렉시블 기판의 제조 방법
KR20190124712A (ko) 2018-04-23 2019-11-05 아사히 가세이 가부시키가이샤 폴리이미드 전구체 수지 조성물
KR20200133772A (ko) 2018-04-23 2020-11-30 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 규소 함유 화합물
WO2019208590A1 (ja) 2018-04-23 2019-10-31 信越化学工業株式会社 ケイ素含有化合物
KR20220007595A (ko) 2019-05-09 2022-01-18 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 적층체
KR20210138663A (ko) 2019-05-24 2021-11-19 아사히 가세이 가부시키가이샤 폴리이미드 전구체 및 폴리이미드 수지 조성물
KR20220080095A (ko) 2019-10-11 2022-06-14 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 폴리이미드 수지 조성물, 폴리이미드 바니시 및 폴리이미드 필름
KR20230038474A (ko) 2020-07-16 2023-03-20 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 적층체
JP7279840B1 (ja) 2022-08-23 2023-05-23 Ａｇｃ株式会社 積層体
JP2024030000A (ja) * 2022-08-23 2024-03-07 Ａｇｃ株式会社 積層体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010111853A (ja) 2010-05-20
TWI354854B (en) 2011-12-21
JP4834758B2 (ja) 2011-12-14
JP5357675B2 (ja) 2013-12-04
US8388779B2 (en) 2013-03-05
US20120201961A1 (en) 2012-08-09
TW201011427A (en) 2010-03-16
US8173249B2 (en) 2012-05-08
US20100068483A1 (en) 2010-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4834758B2 (ja) フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造およびその作製方法
JP5881209B2 (ja) フレキシブルデバイスを製造する方法
JP6062894B2 (ja) 基板構造、およびフレキシブル電子デバイスの製造方法
TWI377646B (en) Substrate structures applied in flexible electrical devices and fabrication method thereof
US9833977B2 (en) Substrate structures applied in flexible electrical devices and fabrication method thereof
US8273439B2 (en) Release layer materials, substrate structures comprising the same and fabrication method thereof
EP2535764B1 (en) Substrate tray and manufacturing method of a flexible electronic display device with said substrate tray
WO2016050017A1 (zh) 柔性显示基板的制作方法及柔性显示基板母板
JPWO2012053548A1 (ja) 樹脂組成物、積層体およびその製造方法、構造体およびその製造方法、ならびに電子デバイスの製造方法
KR102475698B1 (ko) 적층 기판 및 전자 디바이스의 제조 방법
TWI820384B (zh) 積層基板、積層體之製造方法、積層體、附電子裝置用構件之積層體、電子裝置之製造方法
KR102526047B1 (ko) 유리 적층체 및 그의 제조 방법
US9023448B2 (en) Substrate structures applied in flexible devices
JP2018099802A (ja) 積層体、積層体の製造方法およびフレキシブルデバイスの製造方法
JP6969111B2 (ja) ガスバリア層付きポリイミド／無機基板積層体およびその製造方法
JP2018099800A (ja) 積層体、積層体の製造方法およびフレキシブルデバイスの製造方法
TWI354678B (en) Release layer materials, substrate structures comp
CN106356375B (zh) 基板单元、元件基板、显示装置及显示装置的制造方法
JP2018094790A (ja) 積層体、積層体の製造方法およびフレキシブルデバイスの製造方法
JP2018099801A (ja) 積層体、積層体の製造方法およびフレキシブルデバイスの製造方法
KR101073737B1 (ko) 희생층을 절연층으로 사용하는 플렉서블 탑 게이트 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR20180128541A (ko) 유기반도체의 용액공정에 적용되는 선택적 박막 형성 방법, 이에 사용되는 도포방지 필름 및 용액공정을 적용한 oled 조명의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110830

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110926

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4834758

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140930

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250