TWI607876B - 元件疊層膜之製造方法、元件疊層膜及顯示裝置 - Google Patents

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Description

元件疊層膜之製造方法、元件疊層膜及顯示裝置
本發明係關於元件疊層膜之製造方法、元件疊層膜及顯示裝置。
在如有機EL顯示裝置、液晶顯示裝置之顯示裝置(電子裝置)中所使用的基板，必須具有透明性。因此，有人提案使用透明樹脂膜的基板作為此基板。
例如，專利文獻1揭示係顯示元件之可撓性元件之製造方法，包括: 將液狀之樹脂組成物塗佈於載體基板上並形成固體狀之樹脂膜的步驟、於樹脂膜上形成電路的步驟、及將樹脂膜從載體基板剝離的步驟。
依如此之可撓性元件之製造方法，能藉由在樹脂膜(透明樹脂膜)上形成半導體層或電極層等以製作對於顯示元件係必要的含薄膜電晶體等的電路。又，因易於將形成之樹脂膜(透明樹脂膜)之厚度做薄，故能謀求顯示元件之薄型化、輕量化。
另外，有人於專利文獻1提案從載體基板側對樹脂膜照射雷射的方法，作為將形成有電路的樹脂膜從載體基板剝離的方法。可藉由對樹脂膜照射雷射，以順利地在樹脂膜與載體基板之界面將樹脂膜從載體基板剝離。 【專利文獻】
【專利文獻1】 日本特開2010-202729號公報
【發明所欲解決之課題】
然而，由於照射雷射之裝置係大型且高價，故導致製造處理之高成本化。又，對半導體層照射雷射時，視雷射之波長，有時會有半導體層變質、劣化之疑慮。
再者，樹脂膜對載體基板的密合力容易受該等構成材料之組合左右。因此，視組合有時會有密合力顯著減小的情況。如此之情況，在可撓性元件之製造過程中，有可能只因為例如對樹脂膜吹送洗滌液，而導致樹脂膜從載體基板剝離。
本發明之目的係提供不使用特殊裝置而能效率良好地製造元件疊層膜的元件疊層膜之製造方法、以該元件疊層膜之製造方法製造而成的元件疊層膜、及具備該元件疊層膜的顯示裝置。 【解決課題之手段】
如此之目的係藉由下列(1)~(10)之本發明達成。 (1)一種元件疊層膜之製造方法，具有以下步驟: 準備附有膜之基板的步驟，其中，該附有膜之基板具備基板與膜，該基板具有包含第1部分與第2部分的主面，該膜係以該膜對該第1部分之密合力比該膜對該第2部分之密合力大之方式密合設置於該主面；及 於該膜之與該基板為相反之側形成元件的步驟；及 將該附有膜之基板沿厚度方向切斷以去除該附有膜之基板之對應該第1部分之部分之至少一部分的步驟；及 將該基板與該膜彼此分離而獲得元件疊層膜的步驟。
(2)如(1)之元件疊層膜之製造方法，其中，該準備附有膜之基板的步驟具有: 對該主面之該第1部分施加表面處理的步驟，及 於該主面上塗佈樹脂溶液並形成該膜的步驟。
(3)如(2)之元件疊層膜之製造方法，其中，該表面處理為無機塗層處理或偶聯劑處理。
(4)如(2)或(3)之元件疊層膜之製造方法，其中，該基板之構成材料為玻璃。
(5)如(4)之元件疊層膜之製造方法，其中，該玻璃為鈉玻璃或無鹼玻璃。
(6)如(1)至(5)中任一項之元件疊層膜之製造方法，其中，該第1部分係沿該主面之外緣設置。
(7)如(1)至(6)中任一項之元件疊層膜之製造方法，其中，該第1部分係以圍繞該第2部分之方式設置。
(8)如(1)至(7)中任一項之元件疊層膜之製造方法，其中，該膜之構成材料為聚醯胺系樹脂。
(9)一種元件疊層膜，係以如(1)至(8)中任一項之元件疊層膜之製造方法製造而成。 (10)一種顯示裝置，具備如(9)之元件疊層膜。 【發明之效果】
依本發明，能夠不使用如雷射照射裝置之特殊裝置而在必要時將膜剝離，故能效率良好地製造具有膜與形成於該膜上的元件的元件疊層膜。
又，依本發明，能獲得無雷射所致之不良影響的元件疊層膜。 又，依本發明，能獲得具備上述元件疊層膜的顯示裝置。
以下，根據發明圖式所示之較佳實施形態，詳細説明本發明之元件疊層膜之製造方法、元件疊層膜及顯示裝置。
首先，在說明本發明之元件疊層膜之製造方法前，先就係含元件疊層膜之顯示裝置之一實施形態的有機電致發光顯示裝置(有機EL顯示裝置)加以説明。
＜有機EL顯示裝置＞ 圖1為顯示係本發明之顯示裝置之一實施形態的有機EL顯示裝置的縱剖面圖。又，以下説明中，稱圖1中之上側為「上」，下側為「下」。
圖1所示之有機EL顯示裝置1具有: 樹脂膜A、對應每一畫素而各別設置的多數發光元件C、及驅動對應之發光元件C的多數薄膜電晶體B。
又，於本實施形態，有機EL顯示裝置1係將發光元件C發出的光從樹脂膜A側取出(使透過)的底部發光結構的顯示屏。
於樹脂膜A上，對應多數發光元件C設有多數薄膜電晶體B，並以覆蓋該等薄膜電晶體B之方式形成有以絕緣材料構成的平坦化層301。
各薄膜電晶體B具有: 形成於樹脂膜A上的閘極電極200、以覆蓋閘極電極200之方式設置而成的閘極絕緣層201、於閘極絕緣層201上各別設置的源極電極202及汲極電極204、及對應源極電極202與汲極電極204之間的通道區域而形成的以半導體材料構成的半導體層203。
又，半導體材料，例如可使用如單晶矽、多晶矽、非晶矽之矽系材料，此外還可使用氧化物半導體材料、有機半導體材料等。
氧化物半導體材料，例如可舉例: 含有係非金屬元素的氮(N)、氧(O)中的至少氧(O)，並且含有係半金屬元素的硼(B)、矽(Si)、鍺(Ge)、砷(As)、銻(Sb)、碲(Te)及釙(Po)中之至少1種，或含有係金屬元素的鋁(Al)、鋅(Zn)、鎵(Ga)、鋯(Zr)、鎘(Cd)、銦(In)、錫(Sn)、鉿 (Hf)、水銀(Hg)、鉈(Tl)、鉛 (Pb)及鉍(Bi)中之至少1種的半導體材料。
其中，宜使用In-Ga-Zn-O(IGZO)系材料、Zr-In-Zn-O系材料、Hf-In-Zn-O系材料、In-Si-O系材料、In-Ga-O系材料、In-Sn-Zn-O系材料、In-Al-Sn-Zn-O系材料等作為氧化物半導體材料。
又，有機半導體材料，例如可舉例如蒽、稠四苯(tetracene)或該等之衍生物之低分子有機半導體材料、或如茀-聯噻吩共聚物、茀-烯丙基胺共聚物或該等之衍生物之高分子有機半導體材料，可使用該等之中的1種或組合2種以上來使用。
又，於平坦化層301上，對應各薄膜電晶體B設置有發光元件(有機EL元件)C。
又，於本實施形態，以覆蓋該等發光元件C之方式形成有密封層400。藉此能確保發光元件C之氣密性，並防止氧氣、水分滲入有機EL顯示裝置1之內部。
又，本實施形態之發光元件C各具備: 陽極302及陰極306，及於該等之間從陽極302側依序疊層而成的電洞輸送層303、發光層304、與電子輸送層305。
又，各發光元件C之陽極302係透過導電部300電性連接於各薄膜電晶體B之汲極電極204。
該構成之有機EL顯示裝置1中，多數發光元件C包含紅色用之發光元件、綠色用之發光元件、與藍色用之發光元件，若使用各薄膜電晶體B控制對各發光元件C施加的電壓以調整從各發光元件C射出的光量(發光亮度)，有機EL顯示裝置1可全彩顯示。又，亦能藉由讓多數發光元件C同時發光，以使有機EL顯示裝置1以單色顯示。
因此，可藉由個別驅動各具有薄膜電晶體B與發光元件C的多數畫素電路10，以於有機EL顯示裝置1顯示所希望之圖像。
在此，本實施形態之薄膜電晶體B係設置於各互相垂直的多數數據線與多數選擇線之交點附近。
圖2為顯示係本發明之顯示裝置之一實施形態的有機EL顯示裝置具備的主動矩陣裝置之構成的方塊圖。又，圖1相當於圖2所示之單一畫素電路10及其附近的縱剖面圖。
圖2所示之主動矩陣裝置50具備互相垂直的多數數據線51及多數選擇線52、與各設置於該等之交點附近的多數畫素電路10。而且，雖未圖示，但各薄膜電晶體B具備的閘極電極200接於選擇線52，源極電極202接於數據線51。
另一方面，有機EL顯示裝置1，如圖2所示，具備信號處理電路55、數據驅動電路53、與行選擇電路54。
於有機EL顯示裝置1顯示圖像時，首先，基於顯示圖像的影像信號在未圖示的影像信號生成電路生成。然後，將生成之影像信號輸入信號處理電路55。於信號處理電路55，根據影像信號各生成數據信號與選擇信號，將數據信號輸入數據驅動電路53，並同時將選擇信號輸入行選擇電路54。
然後，從數據驅動電路53送出數據信號至各數據線51，並同時從行選擇電路54送出選擇信號至各選擇線52。於各畫素電路10，根據該等數據信號及選擇信號控制各薄膜電晶體B之驅動，並控制對應此的發光元件C之發光。藉此於有機EL顯示裝置1顯示所希望之圖像。
又，各畫素電路10，如圖2所示，係載置於俯視下呈長方形的樹脂膜A上。另一方面，信號處理電路55、數據驅動電路53及行選擇電路54係配置於樹脂膜A之外部。又，該等配置不特別限定，各電路也可配置於樹脂膜A上。
樹脂膜A之構成材料，例如可舉例聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂等各種聚合物。該等聚合物之中，尤其宜使用聚醯胺系樹脂作為樹脂膜A之構成材料。以下，就聚醯胺系樹脂加以詳述。
(聚醯胺系樹脂) 可藉使用聚醯胺系樹脂以獲得耐藥品性優異之樹脂膜A。在如此之樹脂膜A之上形成畫素電路10時，能抑制有機溶劑、處理氣體所致之變質、劣化等。
又，聚醯胺系樹脂宜包含含有羧基之來自二胺之結構。而且，此含有羧基之來自二胺之結構於聚醯胺系樹脂中的含量宜為30mol%以下，較佳為1~20mol%，更佳為1~10mol%。如此地設定含有羧基之來自二胺之結構之量，可使含聚醯胺系樹脂的樹脂膜A兼具優異之耐藥品性與優異之光學特性。
又，聚醯胺系樹脂宜為含有芳香族聚醯胺、半芳香族聚醯胺及脂環聚醯胺中的1種或2種以上的樹脂，較佳為含有芳香族聚醯胺的樹脂。如此之聚醯胺系樹脂能賦予樹脂膜A適合在有機EL顯示裝置1中使用的特性。亦即，聚醯胺系樹脂能賦予樹脂膜A禁得住畫素電路10之製造的充分之耐藥品性，並能賦予可在有機EL顯示裝置1實現優異畫質的光學特性。
又，芳香族聚醯胺宜為含有能與環氧基反應之1個以上之官能基的芳香族聚醯胺。再者，含有能與環氧基反應之1個以上之官能基的芳香族聚醯胺更佳為含有羧基的芳香族聚醯胺。如此之芳香族聚醯胺，因含有羧基，故能提高形成之樹脂膜A之耐溶劑性。可藉由提高樹脂膜A之耐溶劑性，以擴大於樹脂膜A上形成發光元件C時使用的液狀材料之選擇幅度。
再者，芳香族聚醯胺宜為全芳香族聚醯胺。藉此，能更提高形成之樹脂膜A之耐藥品性與光學特性。又，所謂全芳香族聚醯胺係指其主骨架所含之醯胺鍵彼此非以呈直鏈狀或環狀的脂肪族化合物連結，而是全部以芳香族化合物(芳香族環)連結而得之聚醯胺。
如此之芳香族聚醯胺宜具有下列通式(I)及(II)表示之重複單元(單體成分)中之至少一者，較佳係兩者皆具。(惟，x表示前述重複結構(I)之莫耳%，n表示1~4之整數，y表示前述重複結構(II)之莫耳%，Ar1 以下列通式(III)或(III’)表示，[p=4，R1 、R4 、R5 各自獨立，選自於由氫、鹵素(氟化物、氯化物、溴化物、及碘化物)、烷基、鹵化烷基等取代烷基、硝基、氰基、硫烷基、烷氧基、鹵化烷氧基等取代烷氧基、芳基或鹵化芳基等取代芳基、烷基酯、及取代烷基酯、以及其組合構成之群組，G1 選自於由共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基(惟X為鹵素)、CO基、O原子、S原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-茀基、取代9,9-茀、及OZO基構成之群組，Z為苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-雙苯基茀基、及取代9,9-雙苯基茀等芳基或取代芳基。]， Ar2 以下列通式(IV)或(V)表示，[p=4，R1 、R4 、R5 各自獨立，選自於由氫、鹵素(氟化物、氯化物、溴化物、及碘化物)、烷基、鹵化烷基等取代烷基、硝基、氰基、硫烷基、烷氧基、鹵化烷氧基等取代烷氧基、芳基或鹵化芳基等取代芳基、烷基酯、及取代烷基酯、以及其組合構成之群組，G1 選自於由共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基(惟X為鹵素)、CO基、O原子、S原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-茀基、取代9,9-茀、及OZO基構成之群組，Z為苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-雙苯基茀基、及取代9,9-雙苯基茀等芳基或取代芳基。]， Ar3 以下列通式(VI)或(VII)表示，[t=1~3，R9 、R10 、R11 各自獨立，選自於由氫、鹵素(氟化物、氯化物、溴化物、及碘化物)、烷基、鹵化烷基等取代烷基、硝基、氰基、硫烷基、烷氧基、鹵化烷氧基等取代烷氧基、芳基、鹵化芳基等取代芳基、烷基酯、及取代烷基酯、以及其組合構成之群組，G3 選自於由共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基(惟X為鹵素)、CO基、O原子、S原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-茀基、取代9,9-茀、及OZO基構成之群組，Z為苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-雙苯基茀基、及取代9,9-雙苯基茀等芳基或取代芳基。])。
又，關於上述芳香族聚醯胺，在本發明之1或多數實施形態中，上述通式(I)及(II)係以芳香族聚醯胺對於極性溶劑或含1種以上之極性溶劑的混合溶劑具可溶性之方式選擇。在本發明之1或多數實施形態中，通式(I)之x在90.0~99.99mol%之範圍變化，通式(II)之y在10.0~0.01mol%之範圍變化。在本發明之1或多數實施形態中，通式(I)之x在90.1~99.9mol%之範圍變化，通式(II)之y在9.9~0.1mol%之範圍變化。在本發明之1或多數實施形態中，通式(I)之x在90.0~99.0mol%之範圍變化，通式(II)之y在10.0~1.0莫耳%之範圍變化。在本發明之1或多數實施形態中，通式(I)之x在92.0~98.0mol%之範圍變化，通式(II)之y在8.0~2.0mol%之範圍變化。在本發明之1或多數實施形態中，通式(I)及(II)表示之多數重複單元中的Ar1 、Ar2 、Ar3 彼此可相同亦可不同。
又，芳香族聚醯胺宜含有剛直結構(剛直成分)50mol%以上之量，較佳係含有65mol%以上之量，更佳係含有80mol%以上之量，特佳係含有95mol%以上之量。可藉由將芳香族聚醯胺之剛直結構之量設定於該範圍，以更提高芳香族聚醯胺之結晶性。因此，能更提高樹脂膜A之耐藥品性。
又，本說明書中，所謂剛直結構係構成芳香族聚醯胺的單體成分(重複單元)，係指於其主骨架具有直線性的單體成分。具體而言，剛直結構例如為上述通式(I)表示之重複單元及上述通式(II)表示之重複單元，Ar1 以下列通式(A)或(B)表示， [p=4，R1 、R4 、R5 各自獨立，選自於由氫、鹵素(氟化物、氯化物、溴化物、及碘化物)、烷基、鹵化烷基等取代烷基、硝基、氰基、硫烷基、烷氧基、鹵化烷氧基等取代烷氧基、芳基或鹵化芳基等取代芳基、烷基酯、及取代烷基酯、以及其組合構成之群組，G1 選自於由共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基(惟X為鹵素)、CO基、O原子、S原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-茀基、取代9,9-茀、及OZO基構成之群組，Z為苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-雙苯基茀基、及取代9,9-雙苯基茀等芳基或取代芳基。]， Ar2 以下列通式(C)或(D)表示， [p=4，R6 、R7 、R8 各自獨立，選自於由氫、鹵素(氟化物、氯化物、溴化物、及碘化物)、烷基、鹵化烷基等取代烷基、硝基、氰基、硫烷基、烷氧基、鹵化烷氧基等取代烷氧基、芳基、鹵化芳基等取代芳基、烷基酯、及取代烷基酯、以及其組合構成之群組，G2 選自於由共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基(惟X為鹵素)、CO基、O原子、S原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-茀基、取代9,9-茀、及OZO基構成之群組，Z為苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-雙苯基茀基、及取代9,9-雙苯基茀等芳基或取代芳基。]， Ar3 為以下列通式(E)或(F)表示之重複單元。 [t=1~3，R9 、R10 、R11 各自獨立，選自於由氫、鹵素(氟化物、氯化物、溴化物、及碘化物)、烷基、鹵化烷基等取代烷基、硝基、氰基、硫烷基、烷氧基、鹵化烷氧基等取代烷氧基、芳基、鹵化芳基等取代芳基、烷基酯、及取代烷基酯、以及其組合構成之群組，G3 選自於由共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基(惟X為鹵素)、CO基、O原子、S原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-茀基、取代9,9-茀、及OZO基構成之群組，Z為苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-雙苯基茀基、及取代9,9-雙苯基茀等芳基或取代芳基。]。
再者，Ar1 之具體例，例如可舉例來自對苯二甲醯氯(TPC:Terephthaloyl dichloride)之結構；Ar2 之具體例，例如可舉例來自4,4’-二胺基-2,2’-雙三氟甲基聯苯胺(PFMB:4, 4’-Diamino-2, 2’-bistrifluoromethylbenzidine)之結構，Ar3 之具體例，例如可舉例: 來自4,4’-二胺基聯苯二甲酸(DADP:4, 4’-Diaminodiphenic acid)之結構、來自4,4’-二胺基二苯基碸(DDS:4,4’-diaminodiphenyl sulfone)之結構、及來自3,5-二胺基苯甲酸(DAB:3, 5-Diaminobenzoic acid)之結構。
又，芳香族聚醯胺之數目平均分子量(Mn)宜為6.0×104 以上，較佳為6.5×104 以上，更佳為7.0×104 以上，更佳為7.5×104 以上，又更佳為8.0×104 以上。又，數目平均分子量宜為1.0×106 以下，較佳為8.0×105 以下，更佳為6.0×105 以下，又更佳為4.0×105 以下。可藉由使用滿足上述條件的芳香族聚醯胺，以使樹脂膜A確實發揮作為有機EL顯示裝置1中的底層的機能。
又，本說明書中，聚醯胺之數目平均分子量(Mn)及重量平均分子量(Mw)係利用凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography)測定。
再者，芳香族聚醯胺之分子量分布(=Mw/Mn)宜為5.0以下，較佳為4.0以下，更佳為3.0以下，更佳為2.8以下，更佳為2.6以下，又更佳為2.4以下，特佳為2.0以上。可藉由使用滿足上述條件的芳香族聚醯胺，以使樹脂膜A確實發揮作為有機EL顯示裝置1中的底層的機能。
又，芳香族聚醯胺宜藉由在合成芳香族聚醯胺後經再沉澱步驟獲得。可藉由使用經再沉澱步驟獲得之芳香族聚醯胺，以使樹脂膜A確實發揮作為有機EL顯示裝置1中的底層的機能。
(聚醯胺系樹脂之製造方法) 其次，說明上述聚醯胺系樹脂之製造方法之一例。
上述聚醯胺系樹脂，例如可使用包括下列步驟(a)~(e)的製造方法製造。 又，以下，針對使用含有能與環氧基反應之1個以上之官能基的芳香族聚醯胺作為聚醯胺系樹脂，並於聚醯胺系樹脂中含有無機填料的情形加以説明。 惟，聚醯胺系樹脂不限定於以下列製造方法製造而成之聚合物。
實施步驟(a)之目的係使至少1種之芳香族二胺溶解於溶劑以獲得混合物。實施步驟(b)之目的係於溶劑內使至少1種之芳香族二胺與至少1種之芳香族二醯氯反應以獲得游離鹽酸與聚醯胺溶液。實施步驟(c)之目的係藉由捕集試劑所為之反應從混合物中去除游離鹽酸。實施步驟(d)之目的係將無機填料添加於混合物中。步驟(e)為任意(選擇性)步驟，係為了添加多官能環氧化物而實施。
本製造方法中使用的芳香族二醯氯，例如可舉例包括下列通式表示之化合物者。
p=4，R1 、R4 、R5 各自獨立，選自於由氫、鹵素(氟化物、氯化物、溴化物、及碘化物)、烷基、鹵化烷基等取代烷基、硝基、氰基、硫烷基、烷氧基、鹵化烷氧基等取代烷氧基、芳基或鹵化芳基等取代芳基、烷基酯、及取代烷基酯、以及其組合構成之群組，G1 選自於由共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基(惟X為鹵素)、CO基、O原子、S原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-茀基、取代9,9-茀、及OZO基構成之群組，Z為苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-雙苯基茀基、及取代9,9-雙苯基茀等芳基或取代芳基。
如以上之芳香族二醯氯，具體而言，可舉例下列者。 對苯二甲醯氯(Terephthaloyl dichloride)(TPC)
間苯二甲醯氯(Isophthaloyl dichloride)(IPC)
4,4-聯苯二甲醯氯(4, 4’-Biphenyldicarbonyl dichloride)(BPDC)
在製造聚醯胺溶液之方法之1或多數實施形態中，芳香族二胺例如可舉例包括下列通式表示之化合物者。 在此，p=4，m=1或2，t=1~3，R6 、R7 、R8 、R9 、R10 、R11 各自獨立，選自於由氫、鹵素(氟化物、氯化物、溴化物、及碘化物)、烷基、鹵化烷基等取代烷基、硝基、氰基、硫烷基、烷氧基、鹵化烷氧基等取代烷氧基、芳基或鹵化芳基等取代芳基、烷基酯、及取代烷基酯、以及其組合構成之群組，各R6 可相同也可不同，R7 各自可相同也可不同，R8 各自可相同也可不同，R9 各自可相同也可不同，R10 各自可相同也可不同，R11 各自可相同也可不同，G2 及G3 選自於由共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基(惟X為鹵素)、CO基、O原子、S原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-茀基、取代9,9-茀、及OZO基構成之群組，Z為苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-雙苯基茀基、及取代9,9-雙苯基茀等芳基或取代芳基。
如以上之芳香族二胺，具體而言，可舉例下列者。 4,4’-二胺基-2,2’-雙三氟甲基聯苯胺(4, 4’-Diamino-2, 2’- bistrifluoromethylbenzidine)(PFMB)
9,9雙(4-胺基苯基)茀(9, 9-Bis4-aminophenyl)fluorine)(FDA)
9,9雙(3-氟-4-胺基苯基)茀(9,9-Bis(3-fluoro-4-aminophenyl)fluorine)(FFDA)
4,4’-二胺基聯苯二甲酸(4, 4’-Diaminodiphenic acid)(DADP)
3,5-二胺基苯甲酸(3, 5-Diaminobenzoic acid)(DAB)
4,4’-二胺基-2,2-雙三氟甲氧基聯苯胺(4,4’-Diamino-2,2’- bistrifluoromethoxylbenzidine)(PFMOB)
4,4’-二胺基-2,2’-雙三氟甲基二苯基醚(4,4’-Diamino- 2,2’-bistrifluoromethyldiphenyl ether)(6FODA)
雙(4-胺基-2-三氟甲基苯基氧基)苯(Bis(4-amino-2-trifluoromethylphenyloxyl) benzene)(6FOQDA)
雙(4-胺基-2三氟甲基苯基氧基)聯苯(Bis(4-amino-2- trifluoromethylphenyloxyl) biphenyl)(6FOBDA)4,4’-二胺基二苯基碸(Diaminodiphenyl sulfone)(DDS)又，二胺基二苯基碸可為如上式之4,4’- 二胺基二苯基碸(4,4’- Diaminodiphenyl sulfone)，也可為3,3’- 二胺基二苯基碸(3,3’-Diaminodiphenyl sulfone)或2,2’- 二胺基二苯基碸(2,2’-Diaminodiphenyl sulfone)。
在製造聚醯胺溶液之方法之1或多數實施形態中，含有能與環氧基反應之官能基的芳香族二胺之官能基，較二胺混合物之約1mol%多，較二胺混合物之約10mol%少。在製造聚醯胺溶液之方法之1或多數實施形態中，含有能與環氧基反應之官能基的芳香族二胺之官能基為羧基。在製造聚醯胺溶液之方法之1或多數實施形態中，二胺之任1者為4,4’-二胺基聯苯二甲酸或3,5-二胺基苯甲酸。在製造聚醯胺溶液之方法之1或多數實施形態中，含有能與環氧基反應之官能基的芳香族二胺之官能基為羥基。
在製造聚醯胺溶液之方法之1或多數實施形態中，芳香族聚醯胺係藉由溶劑中之縮合聚合進行精製。在此，於反應中產生之鹽酸係利用如環氧丙烷(PrO)之捕集試劑進行捕集。又，由鹽酸與捕集試劑之反應產生揮發性生成物。
從本方法中的聚醯胺溶液使用之觀點，捕集試劑為環氧丙烷。捕集試劑係在步驟(c)之前或在步驟(c)進行當中添加。可藉由在步驟(c)之前或在步驟(c)進行當中添加捕集試劑，以使步驟(c)後的混合物內之冷凝發生或黏度減低，因此能提高聚醯胺溶液之生產性。當捕集試劑為如環氧丙烷之有機試劑時，該等效果特別顯著。
從提高樹脂膜A之耐熱性之觀點，本方法更包括將芳香族聚醯胺之末端-COOH基及末端-NH2 基之一方或雙方進行封端之步驟。芳香族聚醯胺之末端，當各末端為-NH2 時，可藉由使用苯甲醯氯之反應進行封端，當各末端為-COOH時，可藉由使用苯胺之反應進行封端。然而，封端之方法不限於此。
多官能環氧化物選自於由苯酚環氧化物及環狀脂肪族環氧化物構成之群組。具體而言，多官能環氧化物選自於包含二環氧丙基1,2-環己烷羧酸酯、三環氧丙基異三聚氰酸酯、四環氧丙基4,4’-二胺基苯基甲烷、2,2-雙(4-環氧丙氧基苯基)丙烷、及該等之高分子量同系物、酚醛清漆環氧化物、7H-[1,2-b:5,6-b’]雙環氧乙烯八氫(7H-[1,2-b:5,6-b’]bisoxirene octahydro)、及環氧環己基甲基3,4-環氧環己烷羧酸酯之群組。多官能環氧化物之量為芳香族聚醯胺之重量之約2~10%。
從本方法中的聚醯胺溶液使用之觀點，芳香族聚醯胺係最初藉由在添加無機填料及多官能環氧化物之至少一方前的溶劑內之沉澱及再溶解，而從聚醯胺溶液分離。
再沉澱能以通常方法實施。再沉澱，例如可藉由以下方式實施: 將芳香族聚醯胺添加至甲醇、乙醇、異丙醇等使其沉澱，洗滌芳香族聚醯胺，並將其溶解於溶劑。 此溶劑可使用後述者。
從本方法中的聚醯胺溶液使用之觀點，聚醯胺溶液係以不含無機鹽之方式製造。 可經由如以上步驟製造聚醯胺系樹脂。
又，樹脂膜A於鈉線(D線)照射下之全光線透光率，宜定為40%以上，較佳係定為45%以上，更佳係定為50%以上，特佳係定為60%以上。可藉由將樹脂膜A之全光線透光率設定於如上述範圍內，以使樹脂膜A適用於顯示器用元件、光學用元件、照明用元件或感測元件之製造。
又，樹脂膜A之厚度方向之波長400nm之遲滯(Rth)宜為200.0nm以下，較佳為190.0nm以下，更佳為180.0nm以下，更佳為175.0nm以下，又更佳為173.0nm以下。又，樹脂膜A之Rth可利用相位差測定裝置算出。
又，樹脂膜A之熱膨脹係數(CTE)宜為100.0ppm/K以下，較佳為80ppm/K以下，更佳為60ppm/K以下，又更佳為40ppm/K以下。又，樹脂膜A之CTE可利用熱機械分析裝置(TMA)測定。
各令Rth及CTE為前述範圍內，可確實地抑制或防止在具備樹脂膜A的基板發生翹曲。因此，可提高使用該基板而得之有機EL顯示裝置1之製造產率。
又，樹脂膜A之平均厚度不特別限定，宜為約1~50μm，較佳為約5~30μm。可藉由將樹脂膜A之平均厚度定為前述範圍內，以賦予樹脂膜A支持畫素電路10所需且充分的機械強度。又，同時可賦予樹脂膜A良好的可撓性。
(填料) 又，亦可視需要於樹脂膜A添加各種填料。藉此能減低樹脂膜A之熱線膨脹率。 此填料之構成材料，例如可舉例二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦等金屬氧化物、雲母等礦物、玻璃、或該等之混合物，可使用該等中之1種或組合2種以上來使用。又，玻璃之種類，可舉例E玻璃、C玻璃、A玻璃、S玻璃、D玻璃、NE玻璃、T玻璃、低介電率玻璃、高介電率玻璃等。 又，尤其宜使用無機填料作為填料。無機填料之形狀，例如可舉例粒子狀、纖維狀等。
當無機填料為纖維時，該纖維之平均纖維徑宜為1~1000nm。使用含有具如上述之平均纖維徑之無機填料的樹脂組成物(聚合物溶液)，能夠不損光學特性或可撓性而減低樹脂膜A之熱線膨脹率。
在此，前述纖維可為由多數單纖維構成者。此多數單纖維並未被拉齊，且相互間充分地分離而使基質樹脂之液狀前驅體得以進入。此時，平均纖維徑為多數單纖維之平均徑。又，前述纖維亦可為多根單纖維集合成束狀並構成1根絲線者，此時，平均纖維徑定義為1根絲線之徑長之平均值。又，從提高膜之透明性之觀點，前述纖維之平均纖維徑越小越好，又，用於樹脂膜A之製造的樹脂組成物所含有的聚合物(聚醯胺等)之折射率與纖維之折射率越接近越好。例如，纖維中使用之材質與聚合物在589nm的折射率之差為0.01以下時，無論纖維徑為何皆能形成透明性高的膜。又，平均纖維徑之測定方法，例如可舉例以電子顯微鏡進行之觀察等。
又，無機填料為粒子時，該粒子之平均粒徑宜為1~1000nm。使用含有具有如上述之平均粒徑之粒子形態之無機填料的樹脂組成物，能夠不損光學特性或可撓性而減低樹脂膜A之熱線膨脹率。 在此，前述粒子之平均粒徑係指平均投影圓相當直徑。
前述粒子之形狀不特別限定，例如可舉例球狀或正球狀、桿狀、平板狀、或該等之結合形狀。
又，樹脂組成物之固體成分中之無機填料之比例不特別限定，宜為1體積%~50體積%，較佳為2體積%~40體積%，更佳為3體積%~30體積%。再者，樹脂組成物之固體成分中之聚合物之比例不特別限定，宜為50體積%~99體積%，較佳為60~98體積%，更佳為70~97體積%。
又，本說明書中，「固體成分」係指樹脂組成物中之溶劑以外之成分。固體成分之體積換算、無機填料之體積換算、及/或聚合物之體積換算，可從製備聚合物溶液時的成分之投入量算出。或，亦可藉由從聚合物溶液去除溶劑算出。
(環氧試劑) 又，樹脂組成物，從降低樹脂組成物之硬化溫度，且提高得自於此樹脂組成物的樹脂膜A對有機溶劑之耐性之觀點，除了含有聚醯胺系樹脂外，還可視需要含有環氧試劑。又，樹脂組成物中含有的環氧試劑宜為多官能環氧化物。
在本發明之1或多數實施形態中，多官能環氧化物為含有2個以上之環氧丙基環氧基的環氧化物、或含有2個以上之脂環基的環氧化物。
樹脂組成物含有多官能環氧化物時，多官能環氧化物之含量，在本發明之1或多數實施形態中，較佳係相對於聚醯胺系樹脂之重量為約0.1~10重量%。
含有多官能環氧化物之樹脂組成物，在本發明之1或多數實施形態中，能夠降低樹脂膜A之硬化溫度，在非限定之1或多數實施形態中，能夠使樹脂膜A之硬化溫度成為約200℃~約300℃。 又，含有多官能環氧化物之樹脂組成物，在本發明之1或多數實施形態中，能夠賦予由樹脂組成物製作而成的樹脂膜A對於有機溶劑之耐性。該有機溶劑，包括N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)、二甲基亞碸(DMSO)、γ-丁內酯(GBL)等極性溶劑。
含有多官能環氧化物的樹脂組成物之硬化溫度降低與對於有機溶劑之耐性提高之效果，推測係藉由環氧化物所為之交聯獲得。從促進環氧化物所為之交聯之觀點，該樹脂組成物中所含之聚醯胺系樹脂，在本發明之1或多數實施形態中，宜於其主鏈具有自由之懸垂羧基，或係使用具羧基之二胺單體合成。
在本發明之1或多數實施形態中，多官能環氧化物選自於包含下列通式結構(α)及(β)之群組。(惟，l表示環氧丙基之數目，R選自於包含及之群組[m=1~4，n及s為各自獨立之單元之平均數，為0~30；各R12 各自獨立，選自於由氫、鹵素(氟化物、氯化物、溴化物、及碘化物)、烷基、鹵化烷基等取代烷基、硝基、氰基、硫烷基、烷氧基、鹵化烷氧基等取代烷氧基、芳基、鹵化芳基等取代芳基、烷基酯、及取代烷基酯、以及其組合構成之群組，G4 選自於由共價鍵、CH2 基、C(CH3 )2 基、C(CF3 )2 基、C(CX3 )2 基(惟X為鹵素)、CO基、O原子、S原子、SO2 基、Si(CH3 )2 基、9,9-茀基、取代9,9-茀、及OZO基構成之群組，Z為苯基、聯苯基、全氟聯苯基、9,9-雙苯基茀基、及取代9,9-雙苯基茀等芳基或取代芳基，R13 為氫原子或甲基，R14 為二價有機基。]。)(惟，環狀結構(cyclic structure)選自於包含及之群組[R15 為含有碳數2~18之烷基鏈，該烷基鏈為直鏈、分支鏈或具環狀骨架之鏈，m及n各自獨立，為1~30之整數，a、b、c、d、e及f為各自獨立之0~30之整數。]。)
在本發明之1或多數實施形態中，多官能環氧化物選自於包含，之群組(R16 為含有碳數2~18之烷基鏈，該烷基鏈為直鏈、分支鏈或具環狀骨架之鏈，t及u各自獨立，為1~30之整數)。
又，在本發明之1或多數實施形態中，多官能環氧化物，具體而言，可舉例: Diglycidyl 1,2-cyclohexanedicarboxylate (DG)Triglycidyl isocyanurate (TG)Tetraglycidyl 4, 4’-diaminophenyl methane (TTG)(3,3’, 4,4’-diepoxy) bicyclohexyl此外，還可舉例:等。
(其他成分) 再者，樹脂膜A亦可含有其他成分。 其他成分，例如可舉例抗氧化劑、紫外線吸收劑、染顏料等。 又，樹脂膜A係將如以上之聚合物、填料及其他成分等與前述溶劑混合，使用獲得之聚合物溶液(樹脂組成物)加以製造。
聚合物溶液之製造用溶劑，例如宜為: 甲酚;N,N-二甲基乙醯胺(DMAc);N-甲基-2-吡咯啶酮(N-methyl-2-pyrrolidinone)(NMP);二甲基亞碸(DMSO);1,3-二甲基-咪唑啶酮(DMI);N,N-二甲基甲醯胺(DMF);丁基賽珞蘇(BCS);γ-丁內酯(GBL);或包含甲酚、N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)、N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)、二甲基亞碸(DMSO);1,3-二甲基-咪唑啶酮(DMI)、N,N-二甲基甲醯胺(DMF)、丁基賽珞蘇(BCS)、γ-丁內酯(GBL)中之至少1種的混合溶劑;該等之組合;或含有該等極性溶劑至少1種的混合溶劑。
以上，已針對有機EL顯示裝置1加以説明，但本發明之顯示裝置不限定應用於有機EL顯示裝置，亦可應用於如無機EL顯示裝置、液晶顯示裝置、電子紙之顯示裝置。
又，將具有樹脂膜A與設於其上之多數薄膜電晶體B的結構體做成「元件疊層膜(本發明之元件疊層膜之實施形態)」時，本發明之元件疊層膜不限定應用於顯示裝置，亦可應用於例如演算裝置、驅動裝置、控制裝置、光電變換裝置、照明裝置、感測裝置等顯示裝置以外之各種元件。
又，上述主動矩陣裝置不限於上述構成，亦可為其他構成。
＜有機EL顯示裝置之製造方法＞ ≪第1實施形態≫ 接著，針對包含本發明之元件疊層膜之製造方法之第1實施形態的有機EL顯示裝置1之製造方法加以説明。
圖3~5各為用以說明圖1所示之有機EL顯示裝置之製造方法(本發明之元件疊層膜之製造方法之第1實施形態)之縱剖面圖。又，圖6為圖3(b)所示之有機EL顯示裝置之平面圖。又，以下説明中，為方便説明，稱圖3~5中之上側為「上」，下側為「下」。
製造有機EL顯示裝置1之方法，具有: [1]表面處理步驟，即，準備載體基板7並沿其頂面71(主面)之邊緣部711(第1部分)形成無機塗層72之表面處理步驟；[2]膜形成步驟，即，於頂面71上塗佈樹脂溶液A0(樹脂組成物)並形成樹脂膜A，藉此獲得疊層體8(附有膜之基板)之膜形成步驟；[3]元件形成步驟，即，對於樹脂膜A形成畫素電路10(元件)並且形成密封層400之元件形成步驟；[4]切斷步驟，即，將疊層體8沿厚度方向切斷以去除疊層體8之對應邊緣部711之部分之切斷步驟；及[5]剝離步驟，即，從載體基板7剝離樹脂膜A(將樹脂膜A與載體基板7分離)之剝離步驟。
以下，依序説明各步驟。 [1]表面處理步驟 [1-1]首先，準備載體基板7(參照圖3(a))。
載體基板7只要具有支持樹脂膜A的充分剛性，任何基板皆可。又，在有機EL顯示裝置1之製造處理中將載體基板7曝露於高溫之情況，宜使用具耐熱性之基板。
載體基板7之俯視形狀不特別限定，本實施形態中之一例呈長方形。
載體基板7之構成材料，例如可舉例: 如鈉玻璃、硼矽酸玻璃、無鹼玻璃、石英玻璃之各種玻璃材料；如單晶矽、多晶矽之各種矽材料；如藍寶石、氧化鋁之各種陶瓷材料；如不鏽鋼、鋁之各種金屬材料；如聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二醇酯之各種樹脂材料等。載體基板7之構成材料，尤其宜使用具透光性之材料，較佳係使用玻璃材料。由於玻璃材料具透光性，故使樹脂溶液A0硬化時，就可從載體基板7側進行曝光之觀點係有用。又，由於玻璃材料較為價廉，且耐磨耗性也高，故從製造處理之低成本化之觀點亦為有用。
又，玻璃材料尤其宜使用鈉玻璃或無鹼玻璃，較佳係使用鈉玻璃。由於該等作為玻璃材料已廣泛地流通，故容易取得且品質較穩定。因此，即使是面積寬廣之基板平坦度仍高，故可使用該基板作為載體基板7以製造最終平坦性優異之有機EL顯示裝置1。又，該載體基板7之表面粗糙度亦小，故可抑制在後述剝離步驟中加諸於樹脂膜A之負擔，並易於將樹脂膜A從載體基板7剝離。
再者，鈉玻璃具有與樹脂膜A之密合性較小之特徵。因此，可藉由使用由鈉玻璃構成之載體基板7，以特別抑制在後述剝離步驟中加諸於樹脂膜A之負擔，並將樹脂膜A從載體基板7剝離。
又，載體基板7不一定由單層(單板)構成，也可由多數層構成。此時，只要在後述膜形成步驟中使用上述玻璃材料作為位置最靠近樹脂膜A之層之構成材料即可。
又，亦可視需要對於載體基板7之頂面71施加各種研磨處理、各種粗面化處理等。
[1-2]接著，如圖3(b)所示，沿載體基板7之頂面71(主面)之邊緣部711(第1部分)形成無機塗層72。可藉由設置此無機塗層72，以相對地提高頂面71之邊緣部711對樹脂膜A之密合性。亦即，將頂面71區分為邊緣部711(第1部分)與中央部712(第2部分)時，可藉由在邊緣部711形成無機塗層72，以使樹脂膜A對邊緣部711之密合力大於樹脂膜A對中央部712之密合力。由此，樹脂膜A變得不易從載體基板7剝離，能在有機EL顯示裝置1之製造處理期間，藉由載體基板7更確實地支持樹脂膜A。
無機塗層72之構成材料，例如可舉例: 如氧化矽、氧化鋅、銦氧化物(IO)、銦錫氧化物(ITO)、摻雜氟之氧化錫(FTO)之各種氧化物材料；如氮化矽、氮化鈦、氮化鋁之各種氮化物材料；如碳化矽、碳化鈦之各種碳化物材料等。無機塗層72之構成材料，尤其宜使用氧化物材料。由於可利用氧化物材料以特別提高樹脂膜A對無機塗層72之密合力，故即使無機塗層72之面積小仍可更確實地支持樹脂膜A。因此，在後述切斷步驟中，可充分減小疊層體8之去除部分之面積，可抑制廢棄物之量，亦即可抑制製造處理上之浪費。同時，能夠不改變載體基板7之大小，而製造更大型之有機EL顯示裝置1。
又，本實施形態係於載體基板7之頂面71之邊緣部711形成無機塗層72。具體而言，如圖6所示，本實施形態之載體基板7之俯視形狀呈長方形，頂面71之邊緣部711之俯視形狀，沿載體基板7之外緣呈長方形之框狀。
而且，藉由如上述在沿頂面71之外緣設定而成之邊緣部711形成無機塗層72，即使如在製造處理中對疊層體8施加外力之情況，在疊層體8之外緣樹脂膜A仍不易從載體基板7剝離。因此，能防止以疊層體8之外緣為起點之剝離加劇，並能防止在製造處理中樹脂膜A從載體基板7脱落。
又，換言之，本實施形態係以圍繞中央部712之方式形成無機塗層72(設置第1部分)。因此，即使於製造處理中對於疊層體8施加外力，並假設於中央部712樹脂膜A從載體基板7剝離，仍可防止樹脂膜A從載體基板7脱落、捲曲、或相對於載體基板7位置偏離。此結果，在後述元件形成步驟中，能以高位置精度形成畫素電路10(元件)，能製造高精細之有機EL顯示裝置1。
又，本製造方法，最終藉由從載體基板7將樹脂膜A剝離以製造有機EL顯示裝置1。因此，在後述切斷步驟將疊層體8之對應於形成有無機塗層72之邊緣部711(第1部分)之部分去除，以易於進行之後之剝離步驟之剝離作業。因此，樹脂膜A對於邊緣部711之密合力，從使樹脂膜A在剝離步驟前不易從載體基板7剝離(使樹脂膜A不易脱落)之觀點，宜盡可能地大。
另一方面，樹脂膜A對於中央部712之密合力，從使樹脂膜A在剝離步驟容易從載體基板7剝離之觀點，宜盡可能地小。然而，密合量若過小，恐有在切斷步驟後，未給予任何開端樹脂膜A即從載體基板7脱落之疑慮。因此，從切斷步驟後之製造處理時的疊層體8之操作性之觀點，樹脂膜A對中央部712之密合力，宜為未有開端係不會剝離之程度。
又，本說明書中的「密合力」係指每單位面積之密合強度，其值可使用如MPa等作為單位來表示。
又，本發明中，形成無機塗層72之區域不限定於頂面71之邊緣部711。例如在後述切斷步驟中將疊層體8之去除部分設定成對應邊緣部711以外的情況下，只要因應此來設定形成無機塗層72之區域即可。又，在例如於載體基板7上製造多數有機EL顯示裝置1，之後進行切斷並分割成各個有機EL顯示裝置1後，最終從載體基板7將有機EL顯示裝置1剝離之情況下，形成無機塗層72之區域亦可因應分割線之圖案適當設定在邊緣部711以外之區域。
又，當以圍繞中央部712之方式形成無機塗層72時，無機塗層72宜連續，但亦可一部分間斷(斷續的)。
又，亦可於中央部712形成指定面積之無機塗層72。例如，亦可藉由在中央部712點狀地形成小面積之無機塗層72，以提高(調整)中央部712之樹脂膜A對於載體基板7之密合力。
又，無機塗層72之平均厚度不特別限定，宜為約0.01~20μm，較佳係約0.05~10μm。藉由將無機塗層72之平均厚度設定在前述範圍內，能充分提高樹脂膜A對於邊緣部711之密合力，並且能防止在邊緣部711與中央部712間產生大的高低差。藉此能避免樹脂膜A之形狀變得不良。
又，亦可於邊緣部711(第1部分)施加偶聯劑處理以替代形成無機塗層72。偶聯劑處理，與無機塗層72同樣，亦能使樹脂膜A對於邊緣部711之密合力大於樹脂膜A對於中央部712之密合力。因此，與無機塗層72同樣，可在製造處理中防止樹脂膜A從載體基板7脱落、捲曲、或相對於載體基板7位置偏離，使高精細之有機EL顯示裝置1之製造成為可能。
偶聯劑只要為能提高樹脂膜A對於載體基板7之密合力者即可，不特別限定。然而，偶聯劑，可舉例具有能藉由脱水縮合與羥基反應的水解性基及能與樹脂膜A反應鍵結的反應性官能基的矽烷系偶聯劑或鈦系偶聯劑、改性矽酮油等作為一例。
反應性官能基，例如可舉例胺基、環氧基、烷基、苯基、羧基、羥基、巰基、異氰酸酯基、甲醇基、醯氯化物等。反應性官能基亦可包含該等之多數種。又，反應性官能基尤以胺基為佳。使用含胺基作為反應性官能基之偶聯劑，即使是於小面積區域施加偶聯處理之情況，亦能發揮充分之密合力。
具有胺基作為反應性官能基之偶聯劑，例如可舉例: N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(乙烯基苄基)-2-胺基乙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、或該等之鹽酸鹽等。
又，於載體基板7之頂面71施加偶聯劑處理時，溶解偶聯劑之溶劑，除了水之外，還可使用如甲醇、乙醇、異丙醇之低級醇類、如甲乙酮、丙酮之酮類、如四氫呋喃、二烷之環狀醚類、如苯酚、甲酚之苯酚類、如乙酸之羧酸等。此時，偶聯劑之濃度宜為約0.05~10質量%，較佳為約0.1~5質量%。
又，亦可對於邊緣部711(第1部分)施加各種表面處理以替代無機塗層72之形成或偶聯劑處理。
如此之表面處理，例如可舉例: 電子束照射處理、電暈放電處理、電弧放電處理、準分子光之照射處理、電漿處理、蝕刻處理等。
又，宜藉由該等表面處理以賦予邊緣部711指定之撥水性。
具體而言，表面處理後之水對於邊緣部711之接觸角宜為約8~40°，較佳為約10~35°，更佳為約12~30°。適當選擇表面處理使接觸角落於前述範圍內，藉此能特別提高樹脂膜A對於邊緣部711之密合力。
又，水之接觸角若小於前述下限值，邊緣部711之親水性雖變高，但樹脂溶液對於邊緣部711之親和性降低，有樹脂膜A之密合力降低之疑慮。另一方面，水之接觸角若大於前述上限值，邊緣部711之親油性雖變高，但如偶聯劑之水解性基對於邊緣部711之鍵結性降低，仍有樹脂膜A之密合力降低之疑慮。
又，邊緣部711之水之接觸角，係依據JIS R 3257(1999)之靜滴法，以設定於25℃之溫度之方法測定而得之值。
[2]膜形成步驟 其次，如圖3(c)所示，對載體基板7之頂面71(主面)塗佈樹脂溶液A0。藉此形成塗佈膜。又，圖3(c)中，以將載體基板7之頂面71整體覆蓋之方式形成塗佈膜，但塗佈膜之形成區域不限於此，也可以以將包含邊緣部711之一部分之頂面71部分地覆蓋之方式形成。
塗佈樹脂溶液A0之方法，例如可使用模塗法、噴墨法、旋塗法、桿塗法、輥塗法、線棒塗佈法、浸塗法等各種液相成膜法。
又，用於製備樹脂溶液A0之溶劑，可舉例: 甲苯、二甲苯、苯、二甲基甲醯胺、四氫呋喃、乙基賽珞蘇、乙酸乙酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、γ-丁內酯、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丁醚、丙二醇單甲醚、二丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、甲乙酮、環己酮、四氫呋喃、甲基-1,3-丁二醇乙酸酯、1,3-丁二醇-3-單甲醚、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯等，可使用該等中之1種或組合2種以上來使用。此時，樹脂成分之濃度宜為約0.5~25質量%，較佳為約1~20質量%。
其次，使塗佈膜乾燥、硬化，獲得樹脂膜A。藉此獲得疊層體8(參照圖4(d))。
使塗佈膜硬化時之加熱溫度可因應樹脂溶液A0之組成適當設定，例如宜為約220~420℃，較佳為約280~400℃，更佳為約330~370℃。
又，使塗佈膜硬化時之加熱時間可因應加熱溫度適當設定，例如宜為約5~300分鐘，較佳為約30~240分鐘。
又，前述表面處理步驟、膜形成步驟，視需要實施即可。例如，在疊層體8已有市售之情況，亦可在後述元件形成步驟使用該疊層體8。此時，可省略表面處理步驟、膜形成步驟。
又，邊緣部711之幅寬，可因應樹脂膜A對於邊緣部711之密合力適當設定。例如，以考量在有機EL顯示裝置1之製造處理中加諸於疊層體8之外力大小，並形成即使加諸該外力樹脂膜A仍不會從邊緣部711剝離之程度之密合力之方式設定邊緣部711之幅寬即可。邊緣部711之幅寬會因載體基板7之大小而異，但可設定在約2~50mm作為一例。邊緣部711之幅寬若小於前述下限值，視每單位面積之密合強度之大小，有時即使是邊緣部711仍有樹脂膜A易剝離之疑慮。另一方面，邊緣部711之幅寬若大於前述上限值，在後述切斷步驟中去除之疊層體8之部分之比例增大，恐有廢棄物量增加之疑慮。
又，針對施行了前述無機塗層72之形成等表面處理的區域之密合力，可利用例如依據ASTM D3359-B等規定之膠帶附著試驗之方法進行評價。
具體而言，首先，使疊層體8之頂面(樹脂膜A之頂面)之對應邊緣部711之部分有裂縫。此裂縫係以貫穿樹脂膜A並到達載體基板7之方式形成。又，此裂縫係使用具有刃之節距為1mm之多重刃的切割夾具形成。
其次，於疊層體8之頂面之有裂縫之部分貼上黏著膠帶(例如Nichiban(股)製Cellotape(註冊商標))。之後，將黏著膠帶充分地壓向疊層體8。
其次，握持黏著膠帶之一端，以相對於疊層體8之頂面(貼附面)呈45°之角度用力拉，從疊層體8剝下黏著膠帶。
其次，觀察疊層體8之頂面(剝離面)，將樹脂膜A剝離之面積套入以下評價基準，藉此評價樹脂膜A對於邊緣部711之密合力。
(密合力之評價基準) 5B:無剝離(剝離面積為0%)。 4B:剝離面積低於5%。 3B:剝離面積為5%以上低於15%。 2B:剝離面積為15%以上低於35%。 1B:剝離面積為35%以上低於65%。 0B:剝離面積為65%以上。
依如此之評價方法，可定量地評價樹脂膜A對於載體基板7之密合力。
例如，樹脂膜A對於邊緣部711之密合力，宜相當於上述2B~5B之評價，較佳係相當於4B或5B之評價。當密合力相當於如此之評價時，即使是邊緣部711之面積為小之情況，仍可防止在製造處理中樹脂膜A從載體基板7剝離。
另一方面，樹脂膜A對於中央部712之密合力只要較樹脂膜A對於邊緣部711之密合力小即可，不特別限定。樹脂膜A對於中央部712之密合力與樹脂膜A對於邊緣部711之密合力之差，根據在上述評價試驗剝離之面積，宜為5%以上，較佳為約10~50%。藉此，可防止樹脂膜A未有任何開端而從載體基板7剝離，並且最終可較容易地將樹脂膜A從載體基板7剝離。
[3]元件形成步驟 [3-1]其次，如圖4(e)所示，於樹脂膜A上(樹脂膜A之與載體基板7為相反之側)形成畫素電路10(元件)。
具體而言，首先，於樹脂膜A上形成導電膜，然後將此導電膜圖案化，藉此形成閘極電極200。
於樹脂膜A上之導電膜之形成，例如可利用濺鍍法等各種氣相成膜法供給鋁、鉭、鉬、鈦、鎢等金屬材料以實行。
接著，以覆蓋各閘極電極200之方式形成閘極絕緣層201。 此閘極絕緣層201，係以例如氧化矽或氮化矽等作為主材料而構成。該閘極絕緣層201，可藉由使用TEOS(四乙氧基矽烷)或氧氣及氮氣等作為原料氣體並實施電漿CVD法等以形成。
接著，於各閘極絕緣層201上形成導電膜，然後將此導電膜圖案化，藉此形成源極電極202及汲極電極204。
於閘極絕緣層201上之導電膜之形成，可使用與形成閘極電極200同樣之方法實行。
接著，對應各源極電極202與各汲極電極204之間之通道區域形成半導體層203。
此半導體層203，可利用以下方法形成，例如: 使用含有係前述半導體材料之構成元素之一部分的半金屬元素及/或金屬元素的金屬靶，在含有氧氣及/或氮氣之環境下實施濺鍍法之方法；或其他各種氣相成膜法；或各種液相成膜法。 由以上方式形成薄膜電晶體B。
其次，以覆蓋樹脂膜A及形成於此樹脂膜A上之薄膜電晶體B之方式，形成平坦化層301。
接著，以沿厚度方向貫穿平坦化層301之方式形成接觸孔洞，之後，於接觸孔洞內形成導電部300。
於平坦化層301上形成陽極(個別電極)302，使其各對應於各導電部300。
接著，以覆蓋各陽極302之方式各自形成電洞輸送層303。 接著，以覆蓋各電洞輸送層303之方式各自形成發光層304。
接著，以覆蓋各發光層304之方式各自形成電子輸送層305。 接著，以覆蓋各電子輸送層305之方式各自形成陰極306。
又，該等各層，可使用例如濺鍍法、真空蒸鍍法、CVD法等氣相成膜法、或噴墨法、旋塗法、澆鑄法等液相成膜法形成。
由以上方式形成發光元件C，並且形成由薄膜電晶體B及發光元件C構成之畫素電路10。
[3-2]其次，如圖4(f)所示，以覆蓋畫素電路10之方式形成密封層400。
[4]切斷步驟 其次，將疊層體8沿厚度方向切斷，以去除(以切掉)疊層體8之對應邊緣部711之部分(參照圖5(g))。亦即，將疊層體8沿厚度方向切斷，以分別去除對應邊緣部711之載體基板7、樹脂膜A及密封層400。
此切斷，可藉由例如利用切割等之機械方法、雷射加工法、電子束加工法、水刀加工法等實行。圖5(g)中，圖示利用鑽石切割機9之切斷方法作為一例。
本實施形態之邊緣部711，如圖6所示，呈長方形之框狀。因此，本步驟係去除疊層體8之對應呈框狀之邊緣部711之部分。
藉由上述之切斷，可從疊層體8去除俯視下呈長方形之框狀之部分(去除部分81)。其結果，疊層體8之對應位於該去除部分81之內側且俯視形狀呈長方形之中央部712之部分(殘留部分82)會殘留。
相較於去除部分81，在該殘留部分82中，樹脂膜A以相對較小之密合力密合於載體基板7。
[5]剝離步驟 最後，對於殘留部分82，將樹脂膜A從載體基板7剝離。藉此獲得有機EL顯示裝置1。
如前述，相較於去除部分81，在殘留部分82中，樹脂膜A以相對較小之密合力密合於載體基板7。因此，於殘留部分82之將樹脂膜A從載體基板7剝離之作業能較容易進行。例如，對於殘留部分82以人手輕輕施力、吹拂氣體、施加振動、或使殘留部分82彎曲之作業會產生剝離之開端。此開端產生後，能夠容易地將樹脂膜A從載體基板7剝離。
又，剝離若容易，會減輕剝離時加諸於樹脂膜A之負荷。因此，依本發明，能抑制加諸於樹脂膜A之負荷對於形成於樹脂膜A上之畫素電路10造成不良影響之情形，藉此能減低畫素電路10之特性劣化。
再者，亦能藉由減低加諸於樹脂膜A之負荷，以抑制樹脂膜A之光學特性降低。藉此，能抑制樹脂膜A之透光性降低，並抑制有機EL顯示裝置1之顯示明度或對比度之降低。
又，此剝離步驟，如上述能使樹脂膜A較容易地從載體基板7剝離。因此，當從載體基板7剝離樹脂膜A時，能夠省略使用雷射照射等的剝離處理，或謀求照射能量之減低。因此，能夠防止雷射照射所致之不良情況，例如因樹脂膜A、畫素電路10之發熱導致之變質、劣化等。其結果，能製造可靠性更高之有機EL顯示裝置1。
≪第2實施形態≫ 其次，針對包含本發明之元件疊層膜之製造方法之第2實施形態的有機EL顯示裝置1之製造方法加以説明。
圖7係用以說明圖1所示之有機EL顯示裝置之另一製造方法(本發明之元件疊層膜之製造方法之第2實施形態)之縱剖面圖。又，以下説明中，為了方便説明，稱圖7中之上側為「上」，下側為「下」。
以下就第2實施形態加以説明，但以下説明係以與第1實施形態之差異點為中心進行説明，就同樣事項省略其説明。
包含第2實施形態之元件疊層膜之製造方法的有機EL顯示裝置1之製造方法，除了切斷步驟之切斷位置不同以外，係與包含第1實施形態之元件疊層膜之製造方法的有機EL顯示裝置1之製造方法同樣。
亦即，本製造方法之切斷步驟，並非以將疊層體8之對應設置於載體基板7之頂面71之邊緣部711(第1部分)的無機塗層72之部分全部去除之方式，將疊層體8沿厚度方向切斷，而是如圖7(a)所示，以只將疊層體8之對應無機塗層72之部分局部去除之方式，將疊層體8沿厚度方向切斷。藉此，疊層體8之對應無機塗層72之部分之局部未被去除而殘留。其結果，就殘留部分82中未設置無機塗層72之部分而言，樹脂膜A對載體基板7之密合力相對較小。另一方面，就殘留部分82中殘留有無機塗層72之部分而言，因無機塗層72之作用，樹脂膜A對載體基板7之密合力相對較大。
因此，本實施形態，藉由在切斷步驟中適當調整疊層體8之對應無機塗層72之部分之去除面積，換言之，藉由在切斷步驟中適當調整疊層體8之對應無機塗層72之部分之殘留面積，能夠自由地控制殘留部分82中的樹脂膜A對載體基板7之剝離容易性。因此，例如，當在中央部712之樹脂膜A對載體基板7之密合力過小時，亦有在切斷作業中樹脂膜A從載體基板7剝離之疑慮。因此，為確保能防止此剝離之程度之密合力，使指定面積的疊層體8之對應無機塗層72之部分殘留即可。
又，於殘留部分82側殘留的無機塗層72之面積，可因應殘留部分82中所需的樹脂膜A對載體基板7之密合力、或樹脂膜A對無機塗層72之每單位面積之密合強度適當設定，並不限定。作為一例，宜以無機塗層72之全部面積之50%以下殘留於殘留部分82側之方式將疊層體8切斷，較佳係以約1~40%殘留之方式將疊層體8切斷，更佳係以約3~30%殘留之方式將疊層體8切斷。藉此，能在切斷作業中抑制在殘留部分82樹脂膜A從載體基板7剝離之情形，並能藉由在切斷作業結束後施予簡單之開端，以容易地將樹脂膜A從載體基板7剝離。
然後，於剝離步驟中使樹脂膜A從載體基板7剝離，藉此獲得圖7(c)所示之有機EL顯示裝置1。此時，可藉由調整殘留之無機塗層72之面積，以使伴隨剝離作業而加諸於樹脂膜A的負荷止於最小，並使加諸於樹脂膜A、畫素電路10之不良影響止於最小。
又，當殘留之無機塗層72之面積小時，亦可利用雷射照射進行從無機塗層72剝離樹脂膜A之剝離作業。可藉由減小殘留之無機塗層72之面積，以使雷射照射所致之加諸於樹脂膜A、畫素電路10之不良影響止於最小。
用於此雷射照射之雷射光，可舉例脈衝振盪型或連續發光型之準分子雷射、二氧化碳雷射、YAG雷射及YVO4 雷射等。
又，圖7(c)中，雖圖示無機塗層72附著於樹脂膜A之狀態，但無機塗層72亦可殘留於載體基板7上。 又，可藉由適當設定無機塗層72之成膜區域(第1部分)，以防止無機塗層72對有機EL顯示裝置1之光學特性造成不良影響。
如以上之包含本發明之元件疊層膜之製造方法之第2實施形態的有機EL顯示裝置1之製造方法，亦發揮與前述包含第1實施形態的有機EL顯示裝置1之製造方法同樣之效果。
以上，已就本發明之元件疊層膜之製造方法、元件疊層膜及顯示裝置加以説明，但本發明不限於此。例如，亦可於元件疊層膜之製造方法追加任意目的之步驟。 【實施例】
其次，說明本發明之具體實施例。 1.評價用試片之製作 (樣本No.1) [樹脂組成物之製備] ＜1＞為了獲得溶液，於具備機械式攪拌機、與氮氣注入口及排出口的250ml三頸圓底燒瓶加入PFMB(3.2024g，0.01mol)及DMAc(30ml)。
＜2＞PFMB完全溶解於溶液中後，將PrO(1.7g，0.03mol)添加於溶液。然後，將溶液冷卻至0℃。
＜3＞於攪拌中將TPC(0.203g，0.001mol)及IPC(1.827g，0.0090mol)添加於溶液，然後，以DMAc(1.5ml)洗滌燒瓶壁。
＜4＞2小時後，將苯甲醯氯(0.032g，0.23mmol)添加於溶液，再攪拌2小時。
[表面處理] 其次，準備鈉玻璃製之載體基板(直徑125mm)，對其一面施加偶聯劑處理。又，使用3-胺基丙基三甲氧基矽烷之異丙醇溶液(濃度1質量%)作為偶聯劑。
[樹脂膜之製作] 使用製備好的樹脂組成物，於載體基板上形成樹脂膜。
亦即，首先，以旋塗法將樹脂組成物塗佈於平坦之載體基板上。
其次，藉由將樹脂組成物在100℃乾燥1分鐘，然後在鈍性環境下在350℃維持30分鐘，以對膜進行硬化處理。藉此，獲得於載體基板上形成樹脂膜而成之評價用試片。 又，獲得之樹脂膜之平均厚度為10μm。
(樣本No.2) [樹脂組成物之製備] ＜1＞為了獲得溶液，於具備機械式攪拌機、與氮注入口及排出口的250ml三頸圓底燒瓶加入PFMB(3.041g，0.0095mol)、DAB(0.0761g，0.0005mol)及DMAc(30ml)。
＜2＞PFMB完全溶解於溶液中後，將PrO(1.7g，0.03mol)添加於溶液。然後，將溶液冷卻至0℃。
＜3＞於攪拌中將TPC(0.203g，0.001mol)及IPC(1.827g，0.0090mol)添加於溶液，然後，以DMAc(1.5ml)洗滌燒瓶壁。
＜4＞2小時後，將苯甲醯氯(0.032g，0.23mmol)添加於溶液，再攪拌2小時。
其次，以與樣本No.1同樣之方式施加表面處理並形成樹脂膜，獲得評價用試片。
(樣本No.3) 將偶聯劑變更為3-胺基丙基三乙氧基矽烷，除此以外，以與樣本No.1同樣之方式獲得評價用試片。
(樣本No.4) 將偶聯劑變更為N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷，除此以外，以與樣本No.1同樣之方式獲得評價用試片。
(樣本No.5) 實施利用氧化矽蒸鍍之無機塗層處理以替代偶聯劑處理，除此以外，以與樣本No.1同樣之方式獲得評價用試片。
(樣本No.6) 使用無機鹼玻璃製之基板作為載體基板，除此以外，以與樣本No.1同樣之方式獲得評價用試片。
(樣本No.7) 使用無機鹼玻璃製之基板作為載體基板，除此以外，以與樣本No.5同樣之方式獲得評價用試片。
(樣本No.8) 省略表面處理，除此以外，以與樣本No.1同樣之方式獲得評價用試片。
(樣本No.9) 省略表面處理，除此以外，以與樣本No.6同樣之方式獲得評價用試片。
2.評價用試片之評價 利用以下方法評價各樣本No.之評價用試片。
2.1 全光線透光率 使用霧度計(NDH-2000，日本電色公司製)，測定各評價用試片在D線(鈉線)照射下之全光線透光率。
其結果，各樣本No.之評價用試片之全光線透光率均為60%以上，為良好。
2.2 密合性 提供各評價用試片以進行在依據了ASTM D3359-B規定之膠帶附著試驗之方法下之試驗，並評價樹脂膜對載體基板之密合性。
其結果，施加了表面處理的評價用試片之密合力評價為4B或5B，密合性良好。
另一方面，省略表面處理的評價用試片之密合力評價為0B或1B，密合性低。
由以上結果，依本發明，能藉由局部地加大載體基板之板面(主面)之至少一部分之密合力，以抑制例如在顯示裝置之製造處理中樹脂膜從載體基板剝離。又，之後，藉由去除密合力大之部分，能簡單地將樹脂膜從載體基板剝離。
又，使用聚醯亞胺系樹脂以替代聚醯胺系樹脂，並以與前述各樣本No.同樣之方式製作評價用試片。
對此試片進行評價，結果與聚醯胺系樹脂之情況同樣，確定可藉由表面處理以謀求密合力之增強。 【產業上利用性】
本發明之元件疊層膜之製造方法，具有以下步驟:準備附有膜之基板的步驟，其中，該附有膜之基板具備基板與膜，該基板具有包含第1部分與第2部分的主面，該膜係以該膜對該第1部分之密合力比該膜對該第2部分之密合力大之方式密合設置於該主面；及於該膜之與該基板為相反之側形成元件的步驟；及將該附有膜之基板沿厚度方向切斷以去除該附有膜之基板之對應該第1部分之部分之至少一部分的步驟；及將該基板與該膜分離而獲得元件疊層膜的步驟。藉此，可不使用特殊裝置而效率良好地製造元件疊層膜。
A‧‧‧樹脂膜
A0‧‧‧樹脂溶液
B‧‧‧薄膜電晶體
C‧‧‧發光元件
1‧‧‧有機EL顯示裝置
7‧‧‧載體基板
8‧‧‧疊層體
9‧‧‧鑽石切割機
10‧‧‧畫素電路
50‧‧‧主動矩陣裝置
51‧‧‧數據線
52‧‧‧選擇線
53‧‧‧數據驅動電路
54‧‧‧行選擇電路
55‧‧‧信號處理電路
71‧‧‧頂面
72‧‧‧無機塗層
81‧‧‧去除部分
82‧‧‧殘留部分
200‧‧‧閘極電極
201‧‧‧閘極絕緣層
202‧‧‧源極電極
203‧‧‧半導體層
204‧‧‧汲極電極
300‧‧‧導電部
301‧‧‧平坦化層
302‧‧‧陽極
303‧‧‧電洞輸送層
304‧‧‧發光層
305‧‧‧電子輸送層
306‧‧‧陰極
400‧‧‧密封層
711‧‧‧邊緣部
712‧‧‧中央部
【圖1】係顯示係本發明之顯示裝置之一實施形態的有機EL顯示裝置的縱剖面圖。 【圖2】圖2係顯示係本發明之顯示裝置之一實施形態的有機EL顯示裝置具備的主動矩陣裝置之構成的方塊圖。 【圖3】(a)~(c)係用以說明圖1所示之有機EL顯示裝置之製造方法(本發明之元件疊層膜之製造方法之第1實施形態)的縱剖面圖。 【圖4】(d)~(f)係用以說明圖1所示之有機EL顯示裝置之製造方法(本發明之元件疊層膜之製造方法之第1實施形態)的縱剖面圖。 【圖5】(g)~(i)係用以說明圖1所示之有機EL顯示裝置之製造方法(本發明之元件疊層膜之製造方法之第1實施形態)的縱剖面圖。 【圖6】係圖3(b)所示之有機EL顯示裝置之平面圖。 【圖7】(a)~(c)係用以說明圖1所示之有機EL顯示裝置之另一製造方法(本發明之元件疊層膜之製造方法之第2實施形態)的縱剖面圖。
無。

Claims (7)

  1. 一種元件疊層膜之製造方法，具有以下步驟：對具有包含第1部分與被第1部分圍繞之第2部分之主面之基板的該第1部分施加表面處理的步驟；及藉由在該主面上塗佈樹脂溶液，形成係以對該第1部分之密合力比對該第2部分之密合力大之方式密合設置於該主面的膜，並獲得具備該基板與該膜的附有膜之基板的步驟；及於該膜之與該基板為相反之側且對應該基板之該第2部分的區域形成元件的步驟；及藉由去除該附有膜之基板之對應該第1部分之部分的一部分，將該附有膜之基板沿厚度方向切斷以使對應該第1部分之部分之全部面積之50%以下殘留的步驟；及將該基板與該膜彼此分離而獲得元件疊層膜的步驟；該膜之構成材料包含聚醯亞胺系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯胺醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂、丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系樹脂、聚酯系樹脂及聚碳酸酯系樹脂中之至少一種。
  2. 如申請專利範圍第1項之元件疊層膜之製造方法，其中，該表面處理為無機塗層處理或偶聯劑處理。
  3. 如申請專利範圍第1項之元件疊層膜之製造方法，其中，該基板之構成材料為玻 璃。
  4. 如申請專利範圍第3項之元件疊層膜之製造方法，其中，該玻璃為鈉玻璃或無鹼玻璃。
  5. 如申請專利範圍第1項之元件疊層膜之製造方法，其中，該第1部分係沿該主面之外緣設置。
  6. 如申請專利範圍第1項之元件疊層膜之製造方法，其中，該膜之構成材料為聚醯胺系樹脂。
  7. 如申請專利範圍第1項之元件疊層膜之製造方法，其中，該表面處理係處理後之水之接觸角成為8~40°的處理。
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