JP4834758B2 - フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造およびその作製方法 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、出願日を２００８年９月１５日とする台湾特許出願第９７１３５３５１号の優先権を主張するものであり、その全体がここに参照として組み入れられる。
本発明は基板構造に関し、より詳細にはフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造およびその作製方法に関する。
新世代ディスプレイの発展の流れはフレキシブルディスプレイにある。従来の重く脆弱なガラス基板に代わり、軽量なフレキシブルプラスチック基板、特にアクティブフルカラー（active full-color ）ＴＦＴディスプレイパネルの開発がより求められている。現在、アクティブフレキシブルディスプレイの作製技術にはａ−Ｓｉ ＴＦＴ、 ＬＴＰＳ ＴＦＴおよびＯＴＦＴがあり、またディスプレイ媒体としてはＥＰＤ、ＥＣＤ、ＬＣＤおよびＥＬがある。
作製プロセスはバッチタイプ（batch type）とロール・トゥ・ロール（roll to roll）に分けられる。バッチタイプの作製プロセスは既存のＴＦＴ設備を利用することができるが、基板の転写および膜剥離（film separation）技術の開発が要される。フレキシブルディスプレイをガラスから別のプラスチック基板へ転写する必要があるからである。一方、フレキシブルディスプレイにロール・トゥ・ロールの作製プロセスを用いる場合には、新たな設備が必要となり、さらに回転と接触に起因するいくつかの問題を克服しなければならない。
バッチタイプの作製プロセスには三種類の方法がある。１つ目はSEC Corporationが提案する方法で、ＰＥＳ基板をシリコンウェハーに貼り合わせ、低温ａ−Ｓｉ ＴＦＴ技術を利用して７”ＶＧＡ（６４０×４８０）プラスチックＬＣＤを得るというものであるが、この方式においては、耐熱性、低熱膨張係数、低光ヒステリシスおよび化学安定性を備える透明基板材料が要され、かつ適切なゲル材料と高度な剥離技術を組み合わせる必要がある。２つ目はSeiko Epson Corporationが提案する方法で、ガラス上にＬＴＰＳ ＴＦＴ背面板を作製してから、該背面板をレーザーアニーリングによりガラスから取り去るというものである。この方法において転写技術は重要な役割を果たす。転写技術ではプラスチック基板による作製温度の制限がないことから、優れた特性のＴＦＴ素子が得られ、従来の透明プラスチック基板を使用することができる。３つ目はPhilips Corporationが提案する方法で、ａ−Ｓｉ ＴＦＴ−ＥＰＤディスプレイを開発するべく、ポリイミドをガラス上に塗布してから、転写技術を利用してポリイミド基板をガラスから引き離すというものである。ポリイミド基板をガラス上に直に塗布する場合、その耐熱性により作製温度を３００℃以上にすることができる。しかしながら、この方法でもガラス基板を取り去るのにレーザーアニーリングを用いることが要される。
上述した事情に鑑みて、本発明の目的は、フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造およびその作製方法を提供することにある。
本発明の１実施形態は、フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造であって、キャリア（carrier）、キャリアを第１の面積で覆う剥離層（release layer）、ならびに、剥離層およびキャリアを第２の面積で覆うフレキシブル基板、を含み、第２の面積が第１の面積より大きく、かつ、フレキシブル基板が、剥離層のキャリアに対する密着度よりも高い密着度を有する、基板構造を提供する。
本発明の１実施形態は、フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法であって、キャリア（carrier）を準備する工程、キャリア上に第１の面積で剥離層（release layer）を形成する工程、ならびに、剥離層およびキャリア上に第２の面積でフレキシブル基板を形成する工程、を含み、第２の面積が第１の面積より大きく、かつ、フレキシブル基板が、剥離層のキャリアに対する密着度よりも高い密着度を有する、作製方法を提供する。
本発明により提供されるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造は、既存の半導体設備を用いて簡単に作製することができ、２種類の剥離層のキャリアに対してのそれぞれ異なる密着度に特徴を有する。 先ず密着度が低い方の剥離層を小さ目の面積でキャリア上に形成してから、密着度が高いもう一方の剥離層（例えばフレキシブルディスプレイ基板）を該密着度の低い剥離層上により大きい面積で形成すると共にキャリアと接触させる。この作製方法によれば、ＴＦＴ製造工程中に確実に基板構造が剥がれないようになる。密着度の低い剥離層の両端に沿ってカットすることにより、密着度の高い剥離層をキャリアから容易に分離することができる。
本発明の１実施形態によるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の断面図である。 本発明の１実施形態によるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法を説明する断面図である。 本発明の１実施形態によるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法を説明する断面図である。 本発明の１実施形態によるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法を説明する断面図である。 本発明の１実施形態によるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法を説明する断面図である。
添付の図面を参照にしながら、以下の実施形態においてより詳細な説明を行う。
添付の図面を参照に下記の詳細な説明および実施例を読めば、本発明をより完全に理解することができる。
以下の記載は本発明を実施するための最良の形態である。この記載は本発明の主要な原理を説明するためのものであり、限定の意味で解されるべきではない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照に判断されなくてはならない。
本発明の１実施形態によるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造を図１に示す。基板構造１０はキャリア１２、剥離層（release layer）１４およびフレキシブル基板１６を含む。剥離層１４は、キャリア１２上に第１の面積Ａ１で形成される。フレキシブル基板１６は、剥離層１４およびキャリア１２上に第２の面積Ａ２で形成される。注目すべきは、第２の面積Ａ２が第１の面積Ａ１よりも大きく、かつ、フレキシブル基板１６が、剥離層１４のキャリア１２に対する密着度よりも高い密着度を持つという点である。
キャリア１２はガラスまたはシリコンウェハーを含み得る。剥離層１４のキャリア１２に対する密着度は０Ｂ〜１Ｂである。
剥離層１４はパリレン（parylene）または環状オレフィン共重合体（cyclic olefin copolymers，ＣＯＣ）を含み得る。フレキシブル基板１６は、フレキシブルディスプレイ基板、例えばアクティブフレキシブルディスプレイ基板とすることができる。フレキシブル基板１６のキャリア１２に対する密着度は１〜５Ｂである。フレキシブル基板１６は、ポリイミド（polyimide，ＰＩ）、ポリカーボネート（polycarbonate，ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（polyethersulfone，ＰＥＳ）、ポリアクリレート（polyacrylate，ＰＡ）、ポリノルボルネン（polynorbornene，ＰＮＢ）、ポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate，ＰＥＴ）、ポリエーテルエーテルケトン（polyetheretherketone，ＰＥＥＫ）、ポリエチレンナフタレート（polyethylene naphthalate，ＰＥＮ）またはポリエーテルイミド（polyetherimide，ＰＥＩ）を含み得る。
ポリイミド（ＰＩ）のフレキシブル基板１６は式（Ｉ）を有する。
Figure 0004834758
式（Ｉ）中、Ａは
Figure 0004834758
 、
Figure 0004834758
 、
Figure 0004834758
 、
Figure 0004834758
 、
または
Figure 0004834758
 を含んでいてよい。ＸおよびＹは水素、メチル、トリフルオロメチル、ヒドロキシル、−ＯＲ、臭素、塩素またはヨウ素を含んでいてよく、Ｚは−Ｏ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＳＯ２−、−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−、−Ａｒ−ＣＨ２−Ａｒ−、−Ａｒ−Ｃ（ＣＨ３）２−Ａｒ−または−Ａｒ−ＳＯ２−Ａｒ−を含んでいてよい。ＲはＣ１−１８アルキルを含んでいてよく、Ａｒはベンゼンである。Ｂは、
Figure 0004834758
 、
Figure 0004834758
 、
Figure 0004834758
 、
Figure 0004834758
 、
Figure 0004834758
 、
Figure 0004834758
 、
Figure 0004834758
 、
または
Figure 0004834758
 を含んでいてよい。ＸおよびＹは水素、メチル、トリフオロメチル、ヒドロキシル、−ＯＲ、臭素、塩素またはヨウ素を含んでいてよく、Ｚは−Ｏ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＳＯ２−、−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−、−Ａｒ−ＣＨ２−Ａｒ−、−Ａｒ−Ｃ（ＣＨ３）２−Ａｒ−または−Ａｒ−ＳＯ２−Ａｒ−を含んでいてよい。ＲはＣ１−１８アルキルを含んでいてよく、Ａｒはベンゼンである。ｎは１よりも大きい整数とすることができる。
フレキシブル基板１６はシロキサン化合物または二酸化シリコンをさらに含んでいてもよく、これによりキャリア１２に対する密着度が高まる。
１実施形態による本発明のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法を図２Ａ〜２Ｄに示す。
図２Ａを参照されたい。剥離層１４が第１の面積Ａ１でその上に形成されたキャリア１２を準備する。剥離層１４は、例えば塗布または蒸着によりキャリア１２上に形成する。
次に図２Ｂを参照されたい。例えば塗布により、剥離層１４およびキャリア１２上に第２の面積Ａ２でフレキシブル基板１６を形成する。注目すべきは、第２の面積Ａ２が第１の面積Ａ１よりも大きく、かつ、フレキシブル基板１６が、剥離層１４のキャリア１２に対する密着度よりも高い密着度を有するという点である。
次に図２Ｃを参照されたい。フレキシブル基板１６およびキャリア１２の一部を、剥離層１４の両端（ＣおよびＣ’）に沿ってカットし、図２Ｄに示すように剥離層１４およびフレキシブル基板１６とキャリア１２とを分離する。
本発明により提供されるフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造は、既存の半導体設備を用いて簡単に作製することができ、２種類の剥離層のキャリアに対してのそれぞれ異なる密着度に特徴を有する。先ず密着度の低い剥離層を小さ目の面積でキャリア上に形成してから、密着度の高いもう一方の剥離層（例えばフレキシブルディスプレイ基板）を該密着度の低い剥離層上により大きい面積で形成すると共にキャリアと接触させる。この作製方法によれば、ＴＦＴ製造工程中に確実に基板構造が剥がれないようになる。密着度の低い剥離層の両端に沿ってカットすることにより、密着度の高い剥離層をキャリアから容易に分離することができる。
剥離層をＴＦＴガラス（例えば１５ｃｍ×１５ｃｍ）上に形成する。剥離層の面積は、中空パッド（hollow pad）のサイズ（例えば８ｃｍ×８ｃｍ）により調整することができる。次いで、剥離層よりも大きい面積（例えば１０ｃｍ×１０ｃｍ）で基板をガラス上に形成し、フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造を作る。デバイスの作製が完了したら、基板および剥離層の一部を、剥離層の両端または内側の部分に沿ってカットし、フレキシブル電子デバイスをガラスから分離する。
（実施例１）
パリレン剥離層の作製
パリレン前駆体（パリレンの二量体）を熱蒸着装置内に入れた。中空パッド（８ｃｍ×８ｃｍ）で覆ったクリーンなガラス（１５ｃｍ×１５ｃｍ）を試料室に置いた。真空中にてパリレン前駆体を１５０℃で気化させ、６５０℃で分解してから、試料室に導入した。そして、室温で、パッドに覆われていない領域上にパリレンを蒸着し、パリレン剥離層（８ｃｍ×８ｃｍ）を作製した。
（実施例２）
Ａｒｔｏｎ、ＴｏｐａｓおよびＺｅｏｎｏｒ剥離層の作製
Ａｒｔｏｎ、ＴｏｐａｓおよびＺｅｏｎｏｒ（トルエン中に固形分１０％で溶解）をスクレーパーを用いてガラス上に塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ０．５時間ずつべークし、剥離層（８ｃｍ×８ｃｍ）を作製した。
（実施例３）
ポリイミド（Ｂ１３１７−ＢＡＰＰｍ，ＢＢ）／パリレン／ガラス基板構造の作製
ジフェニルアミン（ＢＡＰＰｍ）０．０１４７モルを室温、窒素下でクレゾール３２．９４ｇ中に完全に溶解した。次いで、二無水物（Ｂ１３１７）０．０１５モルを加え、二無水物（Ｂ１３１７）が完全に溶けた後、１時間攪拌を続け、粘性のあるポリアミド酸（ＰＡＡ）溶液を作った。続いて、そのＰＡＡ溶液を熱イミド化し（２２０℃、３時間）、同時に水分を除去した。最後に、得られた溶液にメタノールを加えてポリイミドを沈殿させ、真空オーブンで１２時間べークした。べーク後、 ポリイミドを（固形分２０％で）ＤＭＡｃ中に溶解してポリイミド溶液を作った。そして、そのポリイミド溶液を、スクレーパーを用い、８ｃｍ×８ｃｍパリレンがめっきされたガラス上に面積１０ｃｍ×１０ｃｍで塗布した。そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、ポリイミド（ＢＢ）／パリレン／ガラス基板構造を作製した。
Figure 0004834758
（実施例４）
二酸化シリコン／ポリイミド（ＢＢ−３７）／パリレン／ガラス基板構造の作製
二酸化シリコン３ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解) およびＢ１３１７−ＢＡＰＰｍ（ＢＢ）７ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解）を試料瓶に入れてから、アミノシロキサン（amino siloxane）０．３gを加えて溶液を作り、室温下で３０分間攪拌した。次に、その溶液を、パリレンがめっきされたガラス上にスクレーパーを用いて塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、二酸化シリコン／ポリイミド（ＢＢ−３７）／パリレン／ガラス基板構造を作製した。
（実施例５）
二酸化シリコン／ポリイミド（ＢＢ−５５）／パリレン／ガラス基板構造の作製
二酸化シリコン５ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解) およびＢ１３１７−ＢＡＰＰｍ（ＢＢ）５ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解）を試料瓶に入れてから、アミノシロキサン０．２gを加えて溶液を作り、室温下で３０分間攪拌した。次に、その溶液を、パリレンがめっきされたガラス上にスクレーパーを用いて塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、二酸化シリコン／ポリイミド（ＢＢ−５５）／パリレン／ガラス基板構造を作製した。
（実施例６）
二酸化シリコン／ポリイミド（ＢＢ−７３）／パリレン／ガラス基板構造の作製
二酸化シリコン７ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解) およびＢ１３１７−ＢＡＰＰｍ（ＢＢ）３ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解）を試料瓶に入れてから、アミノシロキサン０．１２gを加えて溶液を作り、室温下で３０分間攪拌した。次に、その溶液を、パリレンがめっきされたガラス上にスクレーパーを用いて塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、二酸化シリコン／ポリイミド（ＢＢ−７３）／パリレン／ガラス基板構造を作製した。
（実施例７）
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）／ポリイミド（ＢＢ）／Ｔｏｐａｓ／ガラス基板構造の作製
テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）０．２ｇおよびＢ１３１７−ＢＡＰＰｍ（ＢＢ）１０ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解）を試料瓶に入れて溶液を作った。次いで、その溶液を、Ｔｏｐａｓが塗布されたガラス上にスクレーパーを用いて塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）／ポリイミド（ＢＢ）／Ｔｏｐａｓ／ガラス基板構造を作製した。
（実施例８）
アミノシラン／ポリイミド（ＢＢ）／Ｚｅｏｎｏｒ／ガラス基板構造の作製
アミノシラン０．２ｇおよびＢ１３１７−ＢＡＰＰｍ（ＢＢ）１０ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解）を試料瓶に入れて溶液を作った。次いで、その溶液を、Ｚｅｏｎｏｒが塗布されたガラス上にスクレーパーを用いて塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、アミノシラン／ポリイミド（ＢＢ）／Ｚｅｏｎｏｒ／ガラス基板構造を作製した。
（実施例９）
３−（メタクリロキシ）プロピルトリメトキシシラン（3-(methacryloxy) propyl trimethoxy silane，ＭＰＭＳ）／ポリイミド（ＢＢ）／Ａｒｔｏｎ／ガラス基板構造の作製
３−（メタクリロキシ）プロピルトリメトキシシラン（ＭＰＭＳ）０．２ｇおよびＢ１３１７−ＢＡＰＰｍ（ＢＢ）１０ｇ（ＤＭＡｃ中に固形分２０％で溶解）を試料瓶に入れて溶液を作った。次いで、その溶液を、Ａｒｔｏｎが塗布されたガラス上にスクレーパーを用いて塗布した。そして、そのガラスを各種温度のオーブン（８０℃および１５０℃）でそれぞれ１時間ずつべークし、３−（メタクリロキシ）プロピルトリメトキシシラン（ＭＰＭＳ）／ポリイミド（ＢＢ）／Ａｒｔｏｎ／ガラス基板構造を作製した。
基板構造を作製した後、電子デバイスをその剥離層の範囲内に形成した。デバイスの作製が完了したら、基板および剥離層の一部を剥離層の両端または内側の部分に沿ってカットし、基板および電子デバイスをガラスから分離した。
剥離層およびフレキシブル基板のキャリアに対する密着度を表１および表２に示す。なお、密着度は、クロスカット法に従い、実施例１〜８の基板構造に対してクロスカットで垂直な切り込みを行い、１ｍｍ角の碁盤目を１００個作成し、粘着テープ（３Ｍテープ＃６００）を貼り付け、テープの一端を持って基板に対して直角方向に瞬間的に引き剥がし、基板の剥がれの面積を測定し、下記の０〜５（Ｂ）の６段階で評価した。１Ｂ〜５Ｂの場合を良好な基板構造とした。
＜密着度の６段階評価＞
５Ｂ…どの格子の目にもはがれがない
４Ｂ…剥離面積５％未満
３Ｂ…剥離面積５％以上１５％未満
２Ｂ…剥離面積１５％以上３５％未満
１Ｂ…剥離面積３５％以上６５％未満
０Ｂ…剥離面積６５％以上
Figure 0004834758
Figure 0004834758
以上、実施例および好適な実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらに限定はされないと解されるべきである。本発明は、(当業者には明らかであるように) 各種の変更および類似のアレンジが包含されるよう意図されている。よって、添付の特許請求の範囲は、かかる変更および類似のアレンジがすべて包含されるように、最も広い意味に解釈されなければならない。
１０ 基板構造
１２ キャリア
１４ 剥離層
１６ フレキシブル基板
Ａ１、Ａ２ 面積

Claims (13)

  1. フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造であって、
    キャリア（carrier）、
    前記キャリアを第１の面積で覆う剥離層（release layer）、ならびに、
    前記剥離層および前記キャリアを第２の面積で覆うフレキシブル基板、
    を含み、
    前記第２の面積が前記第１の面積より大きく、かつ、前記フレキシブル基板が、前記剥離層の前記キャリアに対する密着度よりも高い密着度を有する、基板構造。
  2. 前記キャリアがガラスまたはシリコンウェハーを含む請求項１に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  3. 前記剥離層の前記キャリアに対する密着度が０Ｂ〜１Ｂである請求項１に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  4. 前記剥離層がパリレン（parylene）または環状オレフィン共重合体（cyclic olefin copolymers，ＣＯＣ）を含む請求項１に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  5. 前記フレキシブル基板の前記キャリアに対する密着度が１〜５Ｂである請求項１に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  6. 前記フレキシブル基板が、ポリイミド（polyimide，ＰＩ）、ポリカーボネート（polycarbonate，ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（polyethersulfone，ＰＥＳ）、ポリアクリレート（polyacrylate，ＰＡ）、ポリノルボルネン（polynorbornene，ＰＮＢ）、ポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate，ＰＥＴ）、ポリエーテルエーテルケトン（polyetheretherketone ，ＰＥＥＫ）、ポリエチレンナフタレート（polyethylene naphthalate，ＰＥＮ）またはポリエーテルイミド（polyetherimide，ＰＥＩ）を含む請求項１に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  7. 前記ポリイミド（ＰＩ）が式（Ｉ）を有する請求項６に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
    Figure 0004834758
     （式中、Ａは
    Figure 0004834758
     、
    Figure 0004834758
     、
    Figure 0004834758
     、
    Figure 0004834758
     または
    Figure 0004834758
     を含む。ＸおよびＹは水素、メチル、トリフルオロメチル、ヒドロキシル、−ＯＲ、臭素、塩素またはヨウ素を含み、Ｚは−Ｏ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＳＯ２−、−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−、−Ａｒ−ＣＨ２−Ａｒ−、−Ａｒ−Ｃ（ＣＨ３）２−Ａｒ−または−Ａｒ−ＳＯ２−Ａｒ−を含む。ＲはＣ１−１８アルキルを含み、Ａｒはベンゼンである。Ｂは、
    Figure 0004834758
     、
    Figure 0004834758
     、
    Figure 0004834758
     、
    Figure 0004834758
     、
    Figure 0004834758
     、
    Figure 0004834758
     、
    Figure 0004834758
     または
    Figure 0004834758
     を含む。ＸおよびＹは水素、メチル、トリフルオロメチル、ヒドロキシル、−ＯＲ、臭素、塩素またはヨウ素を含み、Ｚは−Ｏ−、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−ＳＯ２−、−Ａｒ−Ｏ−Ａｒ−、−Ａｒ−ＣＨ２−Ａｒ−、−Ａｒ−Ｃ（ＣＨ３）２−Ａｒ−または−Ａｒ−ＳＯ２−Ａｒ−を含む。ＲはＣ１−１８アルキルを含み、Ａｒはベンゼンである。ｎは１よりも大きい整数である。）
  8. 前記フレキシブル基板がシロキサン化合物をさらに含む請求項６に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  9. 前記フレキシブル基板が酸化シリコンをさらに含む請求項８に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造。
  10. フレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法であって、
    キャリア（carrier）を準備する工程、
    前記キャリア上に第１の面積で剥離層（release layer）を形成する工程、ならびに、
    前記剥離層および前記キャリア上に第２の面積でフレキシブル基板を形成する工程、
    を含み、
    前記第２の面積が前記第１の面積より大きく、かつ、前記フレキシブル基板が、前記剥離層の前記キャリアに対する密着度よりも高い密着度を有する、作製方法。
  11. 前記剥離層が塗布または蒸着により前記キャリア上に形成される請求項１０に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法。
  12. 前記フレキシブル基板が塗布によって前記剥離層および前記キャリア上に形成される請求項１０に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法。
  13. 前記剥離層の両端または内側の部分に沿って前記フレキシブル基板および前記キャリアの一部をカットして、前記剥離層および前記フレキシブル基板と前記キャリアとを分離する工程をさらに含む請求項１０に記載のフレキシブル電子デバイスに適用される基板構造の作製方法。
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