TWI555637B - 離型層、基板結構、與軟性電子元件製程 - Google Patents

離型層、基板結構、與軟性電子元件製程 Download PDF

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Description

離型層、基板結構、與軟性電子元件製程
本發明係有關於一種離型層，特別是有關於包括此離型層之基板結構與其製作方法。
由於2011年行動通訊快速興起與內容服務相結合之發展趨勢，軟性顯示器已成為新世代新穎顯示器的發展趨勢。世界各大研發公司均由現行厚重且易破碎的玻璃基板跨入非玻璃系(如重量更輕的軟性塑膠基板材料)，並朝向主動式全彩TFT顯示面板邁進。隨著平面顯示器在智慧手機(Smart Phone)與平板電腦(Tablet)的新應用需求，產品設計朝向薄化與重量更輕的趨勢邁進。另一個備受矚目的發展重點為可撓式/軟性顯示技術，未來可能開啟顯示器設計變革新紀元。隨著中小尺寸面板量產技術成熟，在輕薄、爭取電池空間之價值訴求下，有機會量產可撓式軟性顯示器。
軟性基板的製造方式可分成批次式(batch type)及捲對捲(roll to roll)兩種方式。若選擇批次式製作TFT元件，可利用現有TFT設備進行製作，具有相當優勢。但批次式必須發展所謂基板轉移或離膜技術，將軟性顯示器從玻璃上轉移到其它軟性基板上，或由玻璃基板上取下軟性基板。而捲對捲式則 必須利用全新設備來進行，並必須克服轉動及接觸所引發的相關問題。
以批次式式製作TFT元件如LTPS，因製程溫度高於400℃，所以需要耐高溫材料。由於批次式可使用現有玻璃基板的相關製程設備，可節省設備的成本支出。但如何在玻璃上的軟性基板上進行製程時不會產生離型狀況，且在完成元件後又可輕易將軟性基板取下而不黏附於玻璃上，將是一大關鍵。
綜上所述，目前亟需新的基板結構用於軟性電子元件製程。
本發明提供可耐高溫材料(例如400℃以上)，以應用於TFT製程，可使玻璃上的軟性基板上進行製程時不會產生離型狀況，且在完成元件後又可輕易將軟性基板取下而不黏附於玻璃。
本發明一實施例提供之離型層，係應用於軟性電子元件製程，且該離型層係芳香性聚亞醯胺。
本發明一實施例提供之基板結構，係應用於軟性電子元件製程，包括：支撐載體；離型層，以第一面積覆蓋支撐載體，其中離型層係芳香性聚亞醯胺；以及軟性基板，以第二面積覆蓋離型層與支撐載體，其中第二面積大於第一面積，且軟性基板與支撐載體之間的密著度大於離型層與支撐載體之間的密著度。
本發明一實施例提供之軟性電子元件製程，包括：提供支撐載體；形成第一面積之離型層覆蓋支撐載體，且 離型層係芳香性聚亞醯胺；形成第二面積之軟性基板覆蓋離型層與支撐載體，其中第二面積大於第一面積，且軟性基板與支撐載體之間的密著度大於離型層與支撐載體之間的密著度；形成元件於軟性基板上；以及分離支撐載體與離型層，且自支撐載體分離的離型層與軟性基板的面積實質上等於第二面積。
A1、A2‧‧‧面積
A’、B’‧‧‧切除點
10‧‧‧基板結構
12‧‧‧支撐載體
14‧‧‧離型層
16‧‧‧軟性基板
第1A圖係本發明一實施例中，基板結構的剖視圖。
第1B與1C圖係本發明一實施例中，基板結構的上視圖。
第2A至2E圖係本發明一實施例中，軟性電子元件的製程剖視圖。
本發明提供之基板結構具有耐高溫的特性。在支撐載體與軟性基板中間，導入耐高溫塗佈型的離型層材料。藉由離型層，可分隔軟性基板與支撐載體，避免軟性基板在後段高溫製程後，軟性基板與玻璃黏死而無法分離，造成無法取下軟性基板的問題。上述基板結構可提升製程良率。
請參閱第1A圖，本發明一實施例提供之基板結構10可用於軟性電子元件製程。基板結構10包括支撐載體12、離型層14、以及軟性基板16。支撐載體12可包括玻璃或矽晶圓。離型層14覆蓋支撐載體12的面積為A1，且離型層14的圖案可為一或多個區塊(如第1B或1C圖所示)。值得注意的是，上述離型層14的圖案僅用以舉例，本技術領域中具有通常知識者自可依需求選擇適當的離型層14之圖案的形狀、大小、與密度。離型 層14係芳香性聚亞醯胺，係由二胺與二酸酐共聚而成。二胺係4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、對苯二胺、2,2'-二(三氟甲基)二胺基聯苯、或上述之組合，且二酸酐係均苯四甲酸二酐、聯苯四羧酸二酐、4,4'-(六氟異丙烯)二酞酸酐、或上述之組合。二胺與二酸酐先聚合形成聚醯胺酸(Polyamic acid，PAA)後，再脫水形成聚亞醯胺(Polyimide，PI)，如式1所示。
在式1中，Ar1與Ar2各自為芳香基，而n為重複數目。在實際操作上，可先初步聚合二胺與二酸酐形成聚醯胺酸後，以極性非質子溶劑如二甲基乙醯胺(DMAc)調整聚醯胺酸溶液中的固含量。接著將聚醯胺酸溶液塗佈於支撐載體12上，加熱塗層使聚醯胺酸反應形成聚亞醯胺的離型層14。在本發明一實施例中，離型層14的厚度介於0.1μm至4μm之間。若離型層14的厚度過厚，則會增加成本且烘烤後膜面易不佳。若離型層14的厚度過薄，塗佈時則易產生不均勻導致部份離型失效。
接著形成軟性基板16覆蓋離型層14與支撐載體 12，且軟性基板16具有面積A2。值得注意的是，面積A2大於面積A1。在一實施例中，軟性基板16與支撐載體12之間的密著度可介於2B至5B之間(百格刀密著度測試)，且軟性基板16與支撐載體12之間的密著度，大於離型層14與支撐載體12之間的密著度。在實際操作上，可將軟性基板16之材料的溶液塗佈於支撐載體12及離型層14上以形成塗層。軟性基板16之組成不同於離型層14之組成。軟性基板16可為聚亞醯胺、聚碳酸酯、聚醚碸、聚丙烯酸酯、聚原冰烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚醚亞醯胺。在本發明一實施例中，可進一步添加粉末如二氧化矽、有機黏土、或上述之組合至軟性基板16之材料的溶液中，以進一步增加軟性基板16與支撐載體12之間的密著度。舉例來說，可採用某芳香性聚亞醯胺作為離型層14，再取相同芳香性聚亞醯胺與粉末的混合物作為軟性基板16。在此實施例中，軟性基板16中的芳香性聚亞醯胺與粉末之重量比介於1：0.11至1：0.43之間，且粉末的大小需小於200nm。若粉末的比例過高，則軟性基板16的可撓性下降甚至碎裂。若粉末的比例過低，則軟性基板16與支撐載體12之間的密著度不足，在高溫製程中可能產生剝離等問題。若粉末的粒徑過大，則會造成薄膜不透明或高霧度。在本發明其他實施例中，離型層14之芳香性聚亞醯胺不同於軟性基板之組成。軟性基板16的厚度介於5μm至40μm之間。若軟性基板16的厚度過厚，則會增加成本。若軟性基板16的厚度過薄，則可能無法提供成品足夠的機械強度。
第2A至2E圖係說明本發明之一實施例，一種軟性 電子元件之製程。首先提供第1A圖所示之基板結構10，再形成元件(未圖示)於基板結構10的軟性基板16上。上述元件可為薄膜電晶體(TFT)、微機電(MEM)元件、光電轉換元件、電致發光元件如有機發光二極體(OLED)、其他元件、或上述之組合。在本發明一實施例中，上述元件的製程溫度介於250℃至450℃之間。值得注意的是，若以其他組成作為離型層14，在上述元件的製程溫度中可能產生形變或碎裂等問題。
在完成元件後，分離支撐載體12與離型層14。在理想情況下，上述切割步驟如第2A圖所示，以離型層14的兩端點作為切除點(A’)。但在實際情況下，上述分離步驟以垂直支撐載體12表面的方向，切割離型層14與軟性基板16重疊的邊緣部份(切除點B’，見第2B圖)，以避免切割後的軟性基板16與支撐載體12之間殘留任何軟性基板16(見第2C圖)。自支撐載體12分離的軟性基板16與離型層14之面積，實質上等於面積A2。值得注意的是，雖然圖示中的切割步驟切穿支撐載體12，但實際操作時可切割至支撐載體12的表面，而不需完全穿過支撐載體12。
經上述切割步驟後，軟性基板16與支撐載體12之間只具有離型層14，且沒有任何軟性基板16與支撐載體12相連。如此一來，可輕易分離離型層14與支撐載體12，如第2D圖所示。在本發明一實施例中，可在上述步驟後分離離型層14與軟性基板16，如第2E圖所示。
上述離型層14可作為產品的保護膜，不需在分離支撐載體12與離型層14之步驟後立刻移除。舉例來說，可在產 品運送給使用者後，再由使用者自行分離離型層14與軟性基板16，且分離方式可為簡單撕除。另一方面，若上述具有元件於其上之軟性基板16為半成品，則可在運送至下個加工處後再移除離型層14。
為讓本發明之上述目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉實施例配合所附圖式，作詳細說明如下：
實施例
實施例1(聚醯胺酸高分子溶液的合成)
取16.53g(0.153mol)之對苯二胺(p-Phenylenediamine，PPD)溶於246.13g的二甲基乙醯胺(DMAc)中。將45g(0.153mol)之聯苯四羧酸二酐(3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride，BPDA)分三批次加入對苯二胺溶液中，每次間隔30分鐘。待BPDA全部加入後，於室溫下攪拌，此時反應會放熱且可得黏稠液體，持續攪拌至少8小時，之後再加入102.54g DMAc稀釋並持續攪拌均勻，使得整體固含量為15%，溶液黏度介於5,000cps~100,000cps。上述反應如式2所示。
實施例2(形成離型層)
取100g之實施例1的聚醯胺酸溶液，加入275g DMAc稀釋並持續攪拌均勻，可得整體固含量為4%聚醯胺酸溶液。將上述溶液塗佈於玻璃載體上，形成厚度為60μm的濕膜。經過50℃、150℃、210℃、400℃各半小時烘烤後，使聚醯胺酸脫水環化成聚亞醯胺(P1)，即得離型層於玻璃載體上。上述反應如式3所示：
以熱重分析儀(Thermogravimetric Analysis,TGA)分析離型層(P1)，於大氣下以10℃/min的升溫速度量測離型層(P1)的熱裂解溫度(Td)為614.19℃。
實施例3(基板結構)
取30g實施例1之固含量15%的聚醯胺酸溶液，與5.63g 20%二氧化矽溶膠(NCT DMAC sol)溶液混合，利用機械攪拌使其均勻分散，待其反應完全後，即得二氧化矽/聚醯胺酸混合溶液，其用以形成軟性基板。
接著將二氧化矽/聚醯胺酸混合溶液塗佈於實施例2之離型層與玻璃載體上，濕膜厚度為400μm，經過50℃、150℃、210℃、300℃各半小時，及400℃ 1小時烘烤後，使濕膜中的聚醯胺酸脫水環化成聚亞醯胺(見式3)，形成二氧化矽/聚亞醯胺(P1+SiO2)的軟性基板。至此完成軟性基板(P1+SiO2)覆 蓋離型層(P1)與玻璃載體的耐高溫基板結構。接著以刀片割開軟性基板與離型層重疊之邊緣部份(2公分寬)，量測其離型力(g)如第1與2表所示。
實施例4(聚醯胺酸高分子溶液的合成)
取30.63g(0.153mol)之4,4'-二胺基二苯醚(4,4'-Oxydianiline,ODA)溶於302.52g的二甲基乙醯胺(DMAc)中。將45g(0.153mol)之聯苯四羧酸二酐(3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride，BPDA)分三批次加入4,4'-二胺基二苯醚溶液中，每次間隔30分鐘。待BPDA全部加入後，於室溫下攪拌，此時反應會放熱且可得黏稠液體，持續攪拌至少8小時，之後再加入126.05g DMAc稀釋並持續攪拌均勻，使得整體固含量為15%，溶液黏度介於5,000cps~100,000cps。上述反應如式4所示。
實施例5(形成離型層)
取100g之實施例4的聚醯胺酸溶液，加入275g DMAc稀釋並持續攪拌均勻，可得整體固含量為4%聚醯胺酸溶液。將上述溶 液塗佈於玻璃載體上，形成厚度為60μm的濕膜。經過50℃、150℃、210℃、400℃各半小時烘烤後，使聚醯胺酸脫水環化成聚亞醯胺，即得離型層(P2)於玻璃載體上。上述反應如式5所示：
以熱重分析儀(Thermogravimetric Analysis,TGA)分析離型層(P2)，於大氣下以10℃/min的升溫速度量測離型層(P2)的熱裂解溫度(Td)為576.67℃。
實施例6(基板結構)
將實施例3製備之二氧化矽/聚醯胺酸混合溶液塗佈於實施例5之離型層與玻璃載體上，濕膜厚度為400μm，經過50℃、150℃、210℃、300℃各半小時，及400℃ 1小時烘烤後，使濕膜中的聚醯胺酸脫水環化成聚亞醯胺(見式3)，形成二氧化矽/聚亞醯胺(P1+SiO2)的軟性基板。至此完成軟性基板(P1+SiO2)覆蓋離型層(P2)與玻璃載體的耐高溫基板結構。接著以刀片割開軟性基板與離型層重疊之邊緣部份(2公分寬)，量測其離型力(g)如第1表所示。
實施例7(聚醯胺酸高分子溶液的合成)
取16.53g(0.153mol)之對苯二胺(p-Phenylenediamine,PPD)溶於236.72g的二甲基乙醯胺(DMAc)中。將35.98g(0.122mol)之聯苯四羧酸二酐(3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride,BPDA)及6.67g(0.03mol)均苯四甲酸二酐(Pyromellitic dianhydride,PMDA)分三批次加入對苯二胺溶液中，每次間隔30分鐘。待BPDA與PMDA全部加入後，於室溫下攪拌，此時反應會放熱且可得黏稠液體，持續攪拌至少8小時，之後再加入98.63g DMAc稀釋並持續攪拌均勻，使得整體固含量為15%，溶液黏度介於5,000cps~100,000cps。上述反應如式6所示。
實施例8(形成離型層)
取100g之實施例7的聚醯胺酸溶液，加入275g DMAc稀釋並持續攪拌均勻，可得整體固含量為4%聚醯胺酸溶液。將上述溶液塗佈於玻璃載體上，形成厚度為60μm的濕膜。經過50℃、150℃、210℃、400℃各半小時烘烤後，使聚醯胺酸脫水環化成聚亞醯胺，即得離型層(P3)於玻璃載體上。上述反應如式7所示：
以熱重分析儀(Thermogravimetric Analysis,TGA)分析離型層(P3)，於大氣下以10℃/min的升溫速度量測離型層(P3)的熱裂解溫度(Td)為601.59℃。
實施例9(基板結構)
將實施例3製備之二氧化矽/聚醯胺酸混合溶液塗佈於實施例8之離型層與玻璃載體上，濕膜厚度為400μm，經過50℃、150℃、210℃、300℃各半小時，及400℃ 1小時烘烤後，使濕膜中的聚醯胺酸脫水環化成聚亞醯胺(見式3)，形成二氧化矽/聚亞醯胺(P1+SiO2)的軟性基板。至此完成軟性基板(P1+SiO2)覆蓋離型層(P3)與玻璃載體的耐高溫基板結構。接著以刀片割開軟性基板與離型層重疊之邊緣部份(2公分寬)，量測其離型力(g)如第1表所示。
實施例10(聚醯胺酸高分子溶液的合成)
取10.81g(0.1mol)之對苯二胺(p-Phenylenediamine，PPD) 及5g(0.025mol)之4,4'-二氨基二苯醚(4,4'-Oxydianiline，ODA)溶於236.72g的二甲基乙醯胺(DMAc)中。將29.42g的(0.1mol)聯苯四羧酸二酐(3,3',4,4'-Biphenyltetracarboxylic dianhydride,BPDA)及5.45g(0.025mol)均苯四甲酸二酐(Pyromellitic dianhydride,PMDA)分三批次加入對苯二胺與4,4'-二氨基二苯醚的溶液中，每次間隔30分鐘。待BPDA與PMDA全部加入後，於室溫下攪拌，此時反應會放熱且可得黏稠液體，持續攪拌至少8小時，之後再加入1013.6g DMAc稀釋並持續攪拌均勻，使得整體固含量為4%，溶液黏度介於500cps~50cps。上述反應如式8所示。
實施例11 (基板結構)
將實施例10製備而成的聚醯胺酸高分子溶液(固含量4%)塗佈於玻璃載體上，形成厚度為60μm的濕膜。經過50℃、 150℃、210℃、400℃各半小時烘烤後，使聚醯胺酸脫水環化成聚亞醯胺，即得離型層(P4)於玻璃載體上。上述反應如式9所示：
以熱重分析儀(Thermogravimetric Analysis,TGA)分析離型層(P4)，於大氣下以10℃/min的升溫速度量測離型層(P4)的熱裂解溫度(Td)為603.62℃。
接著將實施例3製備之二氧化矽/聚醯胺酸混合溶液塗佈於上述離型層與玻璃載體上，形成濕膜(厚度為400μm)。經過50℃、150℃、210℃、300℃各半小時，及400℃ 1小時烘烤後，使濕膜中的聚醯胺酸脫水環化成聚亞醯胺(見式3)，形成二氧化矽/聚亞醯胺(P1+SiO2)的軟性基板。至此完成軟性基板(P1+SiO2)覆蓋離型層(P4)與玻璃載體的耐高溫基板結構。接著以刀片割開軟性基板與離型層重疊之邊緣部份(2公分寬)，量測其離型力(g)如第1表所示。
實施例12 (基板結構)
取30g實施例4之15%聚醯胺酸溶液，與0.18g之四乙氧基矽烷(TEOS)溶液混合，利用機械攪拌使其均勻分散，待其反應完 全後，即得四乙氧基矽烷/聚醯胺酸混合溶液，其用以形成軟性基板。
將四乙氧基矽烷/聚醯胺酸混合溶液塗佈於實施例2之離型層(P1)與玻璃載體上，形成濕膜(厚度為400μm)。經過50℃、150℃、210℃、300℃各半小時，及400℃ 1小時烘烤後，使濕膜中的聚醯胺酸脫水環化成聚亞醯胺(見式5)，形成二氧化矽/聚亞醯胺(P2+TEOS SiO2)的軟性基板。至此完成軟性基板(P2+TEOS SiO2)覆蓋離型層(P1)與玻璃載體的耐高溫基板結構。接著以刀片割開軟性基板與離型層重疊之邊緣部份(2公分寬)，量測其離型力(g)如第2表所示。
實施例13(基板結構)
取30g實施例7之15%聚醯胺酸溶液，與0.18g之γ-缩水甘油醚基丙基三甲氧基矽烷(Z-6040)溶液混合，利用機械攪拌使其均勻分散，待其反應完全後，即得γ-缩水甘油醚基丙基三甲氧基矽烷/聚醯胺酸混合溶液，其用以形成軟性基板。
將γ-缩水甘油醚基丙基三甲氧基矽烷/聚醯胺酸混合溶液塗佈於實施例2之離型層(P1)與玻璃載體上，形成濕膜(厚度為400μm)。經過50℃、150℃、210℃、300℃各半小時，及400℃ 1小時烘烤後，使濕膜中的聚醯胺酸脫水環化成聚亞醯胺(見式7)，形成二氧化矽/聚亞醯胺(P3+Z-6040 SiO2)的軟性基板。至此完成軟性基板(P3+Z-6040 SiO2)覆蓋離型層(P1)與玻璃載體的耐高溫基板結構。接著以刀片割開軟性基板與離型層重疊之邊緣部份(2公分寬)，量測其離型力(g)如第2表所示。
第1表
由第1與2表可知，於離型層區塊進行取下測試，皆可順利取下，且取下力道皆<15g(2cm寬)，顯示離型層P1、P2、P3、P4皆有其功效，且不同基板材料對於離型層P1亦具備離型效用，不會因不同基板材料而有所不同結果。
A1、A2‧‧‧面積
10‧‧‧基板結構
12‧‧‧支撐載體
14‧‧‧離型層
16‧‧‧軟性基板

Claims (12)

  1. 一種離型層，係應用於軟性電子元件製程，且該離型層係芳香性聚亞醯胺，其中該芳香性聚亞醯胺係由一二胺與一二酸酐共聚而成，該二胺係4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、對苯二胺、2,2'-二(三氟甲基)二胺基聯苯、或上述之組合，且該二酸酐係均苯四甲酸二酐、聯苯四羧酸二酐、4,4'-(六氟異丙烯)二酞酸酐、或上述之組合。
  2. 一種基板結構，包括：一支撐載體；一離型層，以一第一面積覆蓋該支撐載體，其中該離型層係芳香性聚亞醯胺；以及一軟性基板，以一第二面積覆蓋該離型層與該支撐載體，其中該第二面積大於該第一面積，且該軟性基板與該支撐載體之間的密著度大於該離型層與該支撐載體之間的密著度，其中該芳香性聚亞醯胺係由一二胺與一二酸酐共聚而成，該二胺係4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、對苯二胺、2,2'-二(三氟甲基)二胺基聯苯、或上述之組合，且該二酸酐係均苯四甲酸二酐、聯苯四羧酸二酐、4,4'-(六氟異丙烯)二酞酸酐、或上述之組合。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板結構，其中該支撐載體包括玻璃或矽晶圓。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之基板結構，其中該軟性基板之組成不同於該離型層之組成，且該軟性基板包括聚亞醯胺、聚碳酸酯、聚醚碸、聚丙烯酸酯、聚原冰烯、聚對苯二甲 酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚醚亞醯胺。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之基板結構，更包括一粉末混掺於該軟性基板中，且該軟性基板包含與該離型層之該芳香性聚亞醯胺相同之芳香性聚亞醯胺。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之基板結構，更包括一元件形成於該軟性基板上。
  7. 一種軟性電子元件製程，包括：提供一支撐載體；形成第一面積之一離型層覆蓋該支撐載體，且該離型層係芳香性聚亞醯胺；形成第二面積之一軟性基板覆蓋該離型層與該支撐載體，其中該第二面積大於該第一面積，且該軟性基板與該支撐載體之間的密著度大於該離型層與該支撐載體之間的密著度；形成一元件於該軟性基板上；以及分離該支撐載體與該離型層，且自該支撐載體分離的該離型層與該軟性基板的面積實質上等於該第二面積，其中該芳香性聚亞醯胺係由一二胺與一二酸酐共聚而成，該二胺係4,4'-二胺基二苯醚、3,4'-二胺基二苯醚、對苯二胺、2,2'-二(三氟甲基)二胺基聯苯、或上述之組合，且該二酸酐係均苯四甲酸二酐、聯苯四羧酸二酐、4,4'-(六氟異丙烯)二酞酸酐、或上述之組合。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之軟性電子元件製程，其中形成該元件於該軟性基板上之步驟的溫度介於250℃至450℃之間。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之軟性電子元件製程，其中分離該支撐載體與該離型層之步驟包括：以垂直該支撐載體表面的方向，切割該離型層與該軟性基板重疊的邊緣部份。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之軟性電子元件製程，更包括在分離該支撐載體與該離型層的步驟後，分離該軟性基板與該離型層。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之軟性電子元件製程，其中該軟性基板之組成不同於該離型層之組成，且該軟性基板包括聚亞醯胺、聚碳酸酯、聚醚碸、聚丙烯酸酯、聚原冰烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚醚亞醯胺。
  12. 如申請專利範圍第7項所述之軟性電子元件製程，更包括一粉末混掺於該軟性基板中，且該軟性基板包含與該離型層之該芳香性聚亞醯胺相同之芳香性聚亞醯胺。
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