KR102483236B1 - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법이 제공된다. 표시 장치는 베이스, 상기 베이스의 일면 상에 배치된 발광 소자, 및 상기 베이스의 타면 상에 배치된 판상 무기물층을 포함하되, 상기 판상 무기물층은, 제1 크기를 갖는 제1 판상 무기물 입자, 및 상기 제1 크기와 상이한 제2 크기를 갖는 제2 판상 무기물 입자를 포함한다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 멀티미디어의 발달과 함께 그 중요성이 점차 커지고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등과 같은 다양한 표시 장치가 개발되고 있다.
예를 들어, 유기 발광 표시 장치는 베이스 및 베이스 상에 배치된 유기 발광 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 대향하는 두 개의 전극 및 그 사이에 개재된 유기 발광층을 포함할 수 있다. 두 개의 전극으로부터 제공된 전자와 정공은 유기 발광층에서 재결합하여 엑시톤을 생성하고, 생성된 액시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 변화하며 광이 방출될 수 있다.
한편, 표시 장치의 적용예가 다변화됨에 따라 가요성을 갖는 표시 장치가 요구되고 있다. 표시 장치가 가요성을 갖기 위해서는 발광 소자를 지지하는 베이스 또한 가요성을 가져야 한다.
베이스가 가요성을 가질 경우 베이스 상에 배치되는 발광 소자 등의 형성 공정 중에 베이스가 상부의 구성요소들을 지지하지 못하는 문제가 있다. 가요성 베이스 상에 발광 소자를 형성하기 위한 한 가지 방법으로, 소정의 강성을 갖는 캐리어 기판 상에서 발광 소자 등의 형성 공정을 진행하고, 공정이 종료된 이후 레이저를 이용하여 캐리어 기판을 박리하는 방법을 예시할 수 있다.
그러나 레이저를 이용하여 캐리어 기판을 박리할 경우 레이저에 의해 베이스 등이 손상되는 문제가 있을 뿐만 아니라 레이저 설비를 유지/보수하기 위한 비용이 증가하고 공정성이 저하될 수 있다.
이에 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 레이저에 의한 손상 없이 캐리어 기판을 박리할 수 있는 구조를 갖는 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 기계적 방법을 통해 캐리어 기판을 제거하여 베이스의 손상 및 공정성 저하를 방지할 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
또, 임시 점착층을 이용하여 캐리어 기판과 베이스 간의 점착력을 최소화할 뿐만 아니라, 임시 점착층이 열 분해되어 발생하는 불량을 미연에 방지할 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스, 상기 베이스의 일면 상에 배치된 발광 소자, 및 상기 베이스의 타면 상에 배치된 판상 무기물층을 포함하되, 상기 판상 무기물층은, 제1 크기를 갖는 제1 판상 무기물 입자, 및 상기 제1 크기와 상이한 제2 크기를 갖는 제2 판상 무기물 입자를 포함한다.
상기 제1 판상 무기물 입자와 상기 제2 판상 무기물 입자는 서로 동일 층에 위치하고, 상기 제2 크기는 상기 제1 크기의 6배 이상일 수 있다.
또, 상기 제1 크기는 8.0㎛ 이하이고, 상기 제2 크기는 20.0㎛ 이상 50.0㎛ 이하일 수 있다.
상기 판상 무기물층은, 상기 베이스의 상기 타면 상에 직접 배치되고, 상기 제1 판상 무기물 입자를 포함하는 제1 판상 무기물층, 및 상기 제1 판상 무기물층 상에 직접 배치되고, 상기 제2 판상 무기물 입자를 포함하는 제2 판상 무기물층을 포함할 수 있다.
또, 상기 제1 판상 무기물 입자는 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하고, 질소원자를 불포함하는 판상 무기물 입자이고, 상기 제2 판상 무기물 입자는 탄소원자 및 수소원자를 포함하고, 질소원자를 더 포함하는 그래핀 산화물 입자일 수 있다.
또한, 상기 제1 판상 무기물 입자의 탄소원자, 수소원자 및 산소원자는, 히드록실기, 카르복실기 또는 에폭시기 중 하나 이상을 형성하고, 상기 제2 판상 무기물 입자의 탄소원자, 수소원자 및 질소원자는 아민기를 형성할 수 있다.
상기 제1 판상 무기물층은, 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하고, 질소원자를 불포함하며 상기 제1 크기와 상이한 제3 크기를 갖는 제3 판상 무기물 입자를 더 포함할 수 있다.
또, 상기 제2 판상 무기물층은, 탄소원자 및 수소원자를 포함하고, 질소원자를 더 포함하며 상기 제2 크기와 상이한 제4 크기를 갖는 제4 판상 무기물 입자를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제3 크기는 상기 제1 크기의 6배 이상이고, 상기 제2 크기는 상기 제4 크기의 6배 이상일 수 있다.
상기 판상 무기물층은, 상기 베이스의 상기 타면 상에 직접 배치되고, 상기 제1 판상 무기물 입자를 포함하는 제1 판상 무기물층, 상기 제1 판상 무기물층 상에 직접 배치되고, 상기 제1 판상 무기물 입자와 상이한 종류의 제2 판상 무기물 입자를 포함하는 제2 판상 무기물층, 상기 제2 판상 무기물층 상에 직접 배치되고, 상기 제1 판상 무기물과 동일한 종류의 제3 판상 무기물 입자를 포함하는 제3 판상 무기물층, 및 상기 제3 판상 무기물층 상에 직접 배치되고, 상기 제2 판상 무기물과 동일한 종류의 제4 판상 무기물 입자를 포함하는 제4 판상 무기물층을 포함할 수 있다.
상기 판상 무기물층 상에 직접 배치된 접착층을 더 포함하되, 상기 판상 무기물층은 상기 베이스의 상기 타면 상에 부분적으로만 배치되어 상기 타면을 부분적으로 노출시키고, 상기 접착층은 상기 베이스의 상기 타면과 맞닿을 수 있다.
또, 상기 발광 소자 상에 배치되고, 교번적으로 적층된 하나 이상의 무기층 및 하나 이상의 유기층을 포함하는 봉지층, 및 상기 접착층 상에 배치된 기능성 시트를 더 포함하되, 상기 기능성 시트는 차광 시트, 쿠션 시트 및 금속 시트 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치에는 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸며 영상이 표시되지 않는 비표시 영역이 정의되고, 상기 판상 무기물층은 상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역 내에 위치할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 베이스, 상기 베이스의 일면 상에 배치된 발광 소자, 및 상기 베이스의 타면 상에 배치되는 판상 무기물층으로서, 탄소원자, 수소원자 및 질소원자를 포함하는 제1 그래핀 산화물 입자를 포함하는 판상 무기물층을 포함한다.
상기 판상 무기물층은, 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하고, 질소원자를 불포함하는 제2 그래핀 산화물 입자를 더 포함할 수 있다.
또, 상기 제1 그래핀 산화물 입자의 크기와 상기 제2 그래핀 산화물 입자의 크기는 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 판상 무기물층은 판상 규산염 입자를 더 포함할 수 있다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 캐리어 기판 상에 제1 판상 무기물 입자를 포함하고, 제1 전하를 갖는 제1 임시 점착층을 형성하는 단계, 상기 제1 임시 점착층 상에 제2 판상 무기물 입자를 포함하고, 상기 제1 전하와 반대되는 제2 전하를 갖는 제2 임시 점착층을 형성하는 단계, 상기 제2 임시 접착층 상에 베이스를 형성하는 단계, 및 상기 베이스 상에 발광 소자를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 제1 임시 점착층은 상기 제1 판상 무기물 입자보다 큰 크기를 갖는 제3 판상 무기물 입자를 더 포함하며, 상기 제3 판상 무기물 입자의 크기는 상기 제1 판상 무기물 입자의 크기의 6배 이상일 수 있다.
상기 제2 판상 무기물 입자의 크기는 상기 제1 판상 무기물 입자의 크기보다 클 수 있다.
상기 제1 판상 무기물 입자는, 탄소원자, 수소원자 및 질소원자를 포함하는 그래핀 산화물 입자일 수 있다.
또, 상기 제2 판상 무기물 입자는, 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하고, 질소원자를 불포함하는 그래핀 산화물 입자이거나, 또는 판상 규산염 입자일 수 있다.
상기 제2 임시 점착층을 형성하는 단계와 상기 베이스를 형성하는 단계 사이에, 상기 제1 임시 점착층과 상기 제2 임시 점착층을 열처리하는 단계를 더 포함하되, 상기 베이스를 형성하는 단계에서, 상기 제1 임시 점착층과 상기 제2 임시 점착층은 각각 극성을 갖지 않을 수 있다.
상기 베이스를 형성하는 단계에서, 상기 베이스는 상기 제1 임시 점착층과 상기 제2 임시 점착층의 측면을 커버하고, 상기 캐리어 기판과 맞닿도록 형성될 수 있다.
또, 상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 발광 소자 상에 봉지층을 형성하는 단계, 및 상기 봉지층을 형성한 후에 상기 캐리어 기판을 박리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또, 상기 캐리어 기판을 박리하는 단계는, 상기 베이스의 가장자리부를 부분적으로 절개하여, 상기 제1 임시 점착층과 상기 제2 임시 점착층을 부분적으로 노출시키는 단계, 및 상기 제1 임시 점착층과 상기 제2 임시 점착층을 노출시킨 후에 상기 캐리어 기판을 기계적으로 박리하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 임시 점착층과 상기 제2 임시 점착층을 노출시킨 후에, 상기 캐리어 기판과 상기 베이스 사이의 점착력은 5.0gf/in 이하일 수 있다.
상기 베이스는 상기 제2 임시 점착층 상에 직접 형성되고, 상기 제1 임시 점착층 및 상기 제2 임시 점착층과 중첩하는 상기 베이스의 면적에 대한 상기 제1 판상 무기물 입자와 상기 제2 판상 무기물 입자의 커버리지는 95.0% 이상일 수 있다.
상기 베이스를 형성하는 단계와 상기 발광 소자를 형성하는 단계 사이에, 상기 베이스와 상기 발광 소자 사이에 구동 소자층을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 구동 소자층을 형성하는 단계는, 450℃ 이상의 온도에서 열 처리하는 단계를 포함할 수 있다.
또, 상기 캐리어 기판을 기계적으로 박리하는 단계 후에, 상기 제1 임시 점착층 또는 상기 제2 임시 점착층을 부분적으로 제거하여 상기 베이스 표면을 부분적으로 노출시키는 단계, 및 접착층을 개재하여 상기 베이스 상에 기능성 시트를 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스의 배면 상에 배치된 판상 무기물층을 포함하여, 가요성 베이스를 이용하는 경우에도 발광 소자 등을 안정적으로 형성할 수 있다.
또, 표시 장치의 제조 공정 중에 캐리어 기판과 베이스를 기계적인 방법으로 박리할 수 있을 뿐만 아니라, 캐리어 기판과 베이스 간의 점착력을 최소화할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 도 1의 표시 장치의 표시 영역과 비표시 영역을 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 판상 무기물층을 확대하여 나타낸 개략도이다.
도 4는 도 3의 판상 무기물 입자를 나타낸 화학 구조이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 판상 무기물층의 판상 무기물 입자를 나타낸 화학 구조이다.
도 6 내지 도 20은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치를 설명하기 위한 도면들이다.
도 21 내지 도 38은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 39 내지 도 43은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 44 내지 도 54는 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 55는 제조예 2의 임시 점착층의 이미지이다.
도 56은 비교예 2의 임시 점착층의 이미지이다.
도 57은 실험예에 따른 결과이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 '위(on)'로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 '직접 위(directly on)'로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. '및/또는'는 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
공간적으로 상대적인 용어인 '아래(below)', '아래(beneath)', '하부(lower)', '위(above)', '상부(upper)' 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 '아래(below 또는 beneath)'로 기술된 소자는 다른 소자의 '위(above)'에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 '아래'는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 제1 방향(X)은 평면 내 임의의 일 방향을 의미하고, 제2 방향(Y)은 상기 평면 내에서 제1 방향(X)과 교차하는 방향을 의미하며, 제3 방향(Z)은 상기 평면과 수직한 방향을 의미한다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 복수의 화소(PX)들을 포함하여 실질적인 영상 표시에 기여하는 영역일 수 있다. 본 명세서에서, '화소(pixel)'는 평면 시점에서 색 표시를 위해 표시 영역(DA)이 구획되어 정의되는 영역을 의미하며, 하나의 화소는 다른 화소와 서로 독립적으로 색을 표현할 수 있는 최소 단위로서의 단일 영역을 의미한다. 즉, 상기 각 화소(PX)는 색 표시를 구현하기 위해서 미리 정해진 기본색 중 하나의 색을 고유하게 표시할 수 있다. 상기 기본 색의 예로는 적색, 녹색 및 청색을 들 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 복수의 화소(PX)들은 제1 방향(X) 및 제2 방향(Y)을 따라 배열되어 평면상 대략 매트릭스 배열될 수 있다. 본 명세서에서, 다르게 정의되지 않는 한 '평면'이라 함은 제1 방향(X)과 제2 방향(Y)이 속하는 평면을 의미한다.
평면 시점에서, 표시 영역(DA)은 비표시 영역(NDA)에 의해 둘러싸일 수 있다. 비표시 영역(NDA)에는 표시 장치(1)의 구동에 필요한 구성요소들이 위치할 수 있다. 예를 들어, 비표시 영역(NDA)에는 복수의 패드들(미도시)이 위치할 수 있다. 패드들은 외부의 구동 회로 소자, 예컨대 인쇄 회로 기판(미도시) 또는 칩 온 필름 패키지(미도시) 등과 전기적으로 접속될 수 있다. 패드와 상기 구동 회로 소자의 접속은 이방 전도성 필름(anisotropic conductive film), 이방 전도성 접착제(anisotropic conductive adhesive) 또는 이방 전도성 페이스트(anisotropic conductive paste) 등을 개재하여 전기적으로 접속될 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 몇몇 실시예에서, 비표시 영역(NDA)의 일부, 예를 들어 패드(미도시)가 위치하는 비표시 영역(NA)의 적어도 일부는 벤딩될 수도 있다.
이하, 도 2를 더 참조하여 본 실시예에 따른 표시 장치(1)에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 2는 도 1의 표시 장치의 표시 영역과 비표시 영역을 나타낸 단면도로서, 표시 영역(DA) 내 임의의 화소(PX) 및 비표시 영역(NDA)을 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 각 화소(PX) 마다 배치된 발광 소자(400), 예컨대 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치일 수 있다. 이하에서 표시 장치(1)가 유기 발광 표시 장치인 경우를 예로 하여 설명하나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 표시 장치(1)는 액정 표시 장치 또는 전기 영동 표시 장치 등일 수도 있다.
예시적인 실시예에서, 표시 장치(1)는 베이스(BS), 구동 소자층(DE) 및 발광 소자(400)를 포함하고, 판상 무기물층(710)을 더 포함할 수 있다.
베이스(BS)는 투명하거나 불투명한 절연 기판 또는 절연 필름일 수 있다. 예를 들어, 베이스(BS)는 글라스 재료, 석영 재료 등으로 이루어지거나, 또는 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리아크릴레이트 등의 가요성 고분자 재료를 포함하여 이루어질 수도 있다.
베이스(BS)의 일면(도 2 기준 상면) 상에는 버퍼층(210)이 배치될 수 있다. 버퍼층(210)은 베이스(BS)를 보호하고 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 발광 소자(400)를 손상시키는 것을 방지할 수 있다. 또, 버퍼층(210)은 후술할 액티브층(110)을 제조하는 과정에서 베이스(BS)가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 버퍼층(210)은 질화규소(SiNx), 산화규소(SiOx), 질화산화규소(SiNxOy) 또는 산화질화규소(SiOxNy) 등의 무기 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 버퍼층(210)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 본 명세서에서, 복수의 영역들에 걸쳐서 배치된다는 의미는 상기 복수의 영역들이 제공하는 공간을 걸쳐 이어지는 것을 의미한다. 다른 실시예에서, 버퍼층(210)은 생략될 수도 있다.
버퍼층(210) 상에는 박막 트랜지스터(100), 보조 전극들(미도시), 배선들(미도시) 및 복수의 절연층들(230, 250)을 포함하는 구동 소자층(DE)이 배치될 수 있다.
박막 트랜지스터(100)는 제어 단자에 인가되는 신호에 따라 액티브층(110) 내 채널 영역(110a)을 통해 흐르는 전류의 양을 제어하여 특정 화소 내의 발광 소자(400)의 발광량을 제어하도록 구성된 구동 트랜지스터일 수 있다. 예를 들어, 박막 트랜지스터(100)는 제어 단자인 게이트 전극(130), 입력 단자인 드레인 전극(150), 출력 단자인 소스 전극(170) 및 채널을 형성하는 액티브층(110)을 포함할 수 있다. 도 2 등은 게이트 전극(130)이 액티브층(110) 보다 상측에 위치하는 탑 게이트 방식의 박막 트랜지스터를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
액티브층(110)은 버퍼층(210) 상에 배치될 수 있다. 액티브층(110)은 반도체 재료를 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 액티브층(110)은 다결정 규소를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 액티브층(110)은 단결정 규소, 또는 비정질 규소를 포함하거나, 산화물 반도체 등의 비규소계 반도체 물질을 포함할 수도 있다.
액티브층(110)은 채널 영역(110a), 드레인 영역(110b) 및 소스 영역(110c)을 포함할 수 있다. 채널 영역(110a)은 제어 단자인 게이트 전극(130)에 인가되는 전압에 따라 전자 또는 정공이 이동할 수 있는 통로(채널)가 형성되는 영역일 수 있다. 즉, 드레인 영역(110b)을 통해 제공된 전자 또는 정공은 채널 영역(110a)을 통해 소스 영역(110c) 측으로 이동하거나, 소스 영역(110c)을 통해 제공된 전자 또는 정공은 채널 영역(110a)을 통해 드레인 영역(110b) 측으로 이동할 수 있다.
드레인 영역(110b)과 소스 영역(110c)은 채널 영역(110a)을 사이에 두고 이격될 수 있다. 드레인 영역(110b)과 소스 영역(110c)은 각각 채널 영역(110a)에 비해 전기 전도도가 클 수 있다. 예를 들어, 드레인 영역(110b)과 소스 영역(110c)은 각각 플라즈마 처리 또는 이온 불순물 도핑에 의해 부분적으로 도체화될 수 있다. 드레인 영역(110b)은 후술할 입력 신호가 인가되는 드레인 전극(150)과 전기적으로 연결되고, 소스 영역(110c)은 후술할 소스 전극(170)과 전기적으로 연결될 수 있다. 본 명세서에서, '전기적으로 연결됨'은 두 개의 도전성 소자가 직접 맞닿아 도통되는 경우 뿐만 아니라 두 개의 소자 사이에 도전성 소자가 개재되어 도통되거나, 하나 이상의 박막 트랜지스터 등의 스위칭 소자가 개재되어 필요에 따라 도통되는 경우 등을 포함하는 의미이다.
액티브층(110) 상에는 게이트 전극(130)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(130)은 적어도 부분적으로 액티브층(110)의 채널 영역(110a)과 제3 방향(Z)으로 중첩하도록 배치될 수 있다. 게이트 전극(130)은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 또는 이들의 합금을 포함하여 이루어질 수 있다. 게이트 전극(130)은 특정 화소의 온/오프를 제어하는 스위칭 트랜지스터(미도시)의 출력 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(미도시)의 제어 단자와 입력 단자는 각각 주사 신호선(미도시) 및 데이터 신호선(미도시)과 전기적으로 연결되며, 상기 스위칭 트랜지스터는 제어 단자에 인가되는 신호에 따라 출력 단자가 온/오프되도록 구성될 수 있다.
액티브층(110)과 게이트 전극(130) 사이에는 제1 절연층(230)이 개재되어 액티브층(110)과 게이트 전극(130)을 서로 절연시킬 수 있다. 제1 절연층(230)은 질화규소, 산화규소, 질화산화규소 또는 산화질화규소 등의 무기 절연 재료로 이루어질 수 있다. 몇몇 실시예에서, 비표시 영역(NDA) 내에서 제1 절연층(230)은 버퍼층(210)의 측면을 커버할 수 있다.
게이트 전극(130) 상에는 제2 절연층(250)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(250)은 게이트 전극(130)과 그 상부의 구성요소들을 서로 절연시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제2 절연층(250)은 복수의 절연층들의 적층 구조일 수 있다. 제2 절연층(250)은 질화규소, 산화규소, 질화산화규소 또는 산화질화규소 등의 무기 절연 재료를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 비표시 영역(NDA) 내에서 제2 절연층(250)은 제1 절연층(230)의 측면을 커버할 수 있다.
제1 절연층(230) 및 제2 절연층(250)에는 액티브층(110)의 적어도 일부가 노출되는 관통홀이 형성될 수 있다. 예를 들어, 관통홀은 제1 절연층(230) 및 제2 절연층(250)을 관통하여 액티브층(110)의 드레인 영역(110b) 및 소스 영역(110c)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.
제2 절연층(250) 상에는 드레인 전극(150) 및 소스 전극(170)이 배치될 수 있다. 드레인 전극(150) 및 소스 전극(170)은 각각 상기 관통홀 내에 삽입되어 액티브층(110)의 드레인 영역(110b) 및 소스 영역(110c)과 맞닿을 수 있다. 또, 드레인 전극(150)은 구동 전압선(미도시)과 전기적으로 연결되고, 소스 전극(170)은 발광 소자(400)의 애노드 전극(410)과 전기적으로 연결될 수 있다.
구동 소자층(DE) 상에는 평탄화층(300)이 배치될 수 있다. 평탄화층(300)은 베이스(BS) 상에 배치된 구동 소자층(DE) 내 구성요소들, 예컨대 박막 트랜지스터(100), 보조 전극들(미도시) 및/또는 배선들(미도시)을 보호하거나, 구동 소자층(DE) 내 구성요소들이 형성한 단차를 최소화할 수 있다. 평탄화층(300)은 발광 소자(400)가 안정적으로 배치되기 위한 공간을 제공할 수 있다. 평탄화층(300)은 단일층으로 이루어지거나, 또는 적층 구조로 이루어질 수 있다. 평탄화층(300)은 절연 특성과 평탄화 특성을 갖는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지, 카도계 수지 또는 에스테르계 수지 등의 유기 재료 또는 무기 절연 재료를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 비표시 영역(NDA) 내에서 평탄화층(300)은 제2 절연층(250)의 측면을 커버할 수 있다.
평탄화층(300) 상에는 발광 소자(400)가 배치될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 발광 소자(400)는 서로 대향하는 애노드 전극(410)과 캐소드 전극(430) 및 그 사이에 배치되는 유기 발광층(450)을 포함하는 유기 발광 소자일 수 있다.
우선 애노드 전극(410)은 평탄화층(300) 상에 배치될 수 있다. 애노드 전극(410)은 평탄화층(300)을 관통하는 관통홀을 통해 소스 전극(170)과 전기적으로 연결될 수 있다. 애노드 전극(410)은 캐소드 전극(430)에 비해 일 함수가 큰 재료를 포함할 수 있다. 애노드 전극(410)은 투명 전극이거나, 불투명 전극이거나, 또는 투명 전극과 불투명 전극의 적층 구조일 수 있다. 상기 투명 전극을 형성하는 재료의 예로는 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide), 산화인듐(indium oxide) 등을 들 수 있고, 상기 불투명 전극을 형성하는 재료의 예로는 리튬(Li), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 은(Ag), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 등을 들 수 있다. 애노드 전극(410)은 표시 영역(DA) 내의 각 화소(PX) 마다 배치되어 서로 독립적인 구동 신호가 인가되는 화소 전극일 수 있다.
캐소드 전극(430)은 애노드 전극(410) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 캐소드 전극(430)은 애노드 전극(410)과 제3 방향(Z)으로 중첩하여 이격 배치될 수 있다. 캐소드 전극(430)은 애노드 전극(410)에 비해 일 함수가 작은 재료를 포함할 수 있다. 캐소드 전극(430)은 애노드 전극(410)과 투명 전극이거나, 불투명 전극이거나, 또는 투명 전극과 불투명 전극의 적층 구조일 수 있다. 캐소드 전극(430)은 화소(PX)의 구분 없이 배치될 수 있다.
유기 발광층(450)은 애노드 전극(410)과 캐소드 전극(430) 사이에 개재될 수 있다. 유기 발광층(450)은 애노드 전극(410)과 캐소드 전극(430)으로부터 전달되는 정공과 전자를 재결합시켜 광을 생성할 수 있다. 정공과 전자는 유기 발광층(450)에서 재결합되어 엑시톤을 형성하고, 상기 엑시톤이 여기 상태로부터 기저 상태로 변화하며 광을 방출할 수 있다. 유기 발광층(450)은 표시 장치(1)의 기본색 중 하나의 색을 발광할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층(450)은 약 430nm 내지 470nm 범위에서 피크 파장을 갖는 청색 광을 인광 또는 형광 발광하거나, 또는 약 530nm 내지 570nm 범위에서 피크 파장을 갖는 녹색 광을 인광 또는 형광 발광하거나, 또는 약 610nm 내지 650nm 범위에서 피크 파장을 갖는 적색 광을 인광 또는 형광 발광할 수 있다. 다른 실시예에서, 유기 발광층(450)은 청색 파장 대역, 녹색 파장 대역 및 적색 파장 대역을 모두 포함하는 백색 광을 방출할 수도 있다. 도면으로 나타내지 않았으나, 유기 발광층(450)과 애노드 전극(410) 사이, 또는 유기 발광층(450)과 캐소드 전극(430) 사이에는 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 저지층 등의 정공 제어 영역(미도시) 또는 전자 주입층, 전자 수송층, 전자 저지층 등의 전자 제어 영역(미도시) 중 하나 이상이 더 개재되어 발광 소자(400)의 발광 효율을 개선할 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 애노드 전극(410) 상에는 화소 정의막(500)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(500)은 표시 영역(DA) 내의 각 화소(PX)들을 구분하는 역할을 할 수 있다. 화소 정의막(500)은 애노드 전극(410)의 표면을 부분적으로 노출하는 개구를 갖도록 배치될 수 있다. 즉, 평면 시점에서 화소 정의막(500)은 각 화소(PX) 마다 배치된 애노드 전극(410)의 적어도 일부를 노출하는 개구를 가질 수 있다. 앞서 설명한 유기 발광층(450) 및 캐소드 전극(430)은 화소 정의막(500) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(500)은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 이미드계 수지 또는 에스테르계 수지 등의 유기 재료를 포함하여 이루어질 수 있다. 화소 정의막(500)은 부분적으로 비표시 영역(NDA) 내에 배치될 수도 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
발광 소자(400) 상에는 봉지층(600)이 배치될 수 있다. 봉지층(600)은 표시 장치(1)의 외부로부터 수분 또는 공기 등의 불순물이 침투하여 발광 소자(400)를 손상시키는 것을 방지할 수 있다. 즉, 봉지층(600)은 발광 소자(400)를 봉지하도록 배치될 수 있다. 봉지층(600)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 걸쳐서 배치될 수 있다.
봉지층(600)은 하나 이상의 유기 봉지층(630)과 하나 이상의 무기 봉지층(610, 650)을 포함하는 박막 봉지 필름일 수 있다. 예를 들어, 봉지층(600)은 서로 교번적으로 적층된 유기 봉지층(630)과 무기 봉지층(610, 650)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 봉지층(600)은 캐소드 전극(430) 상에 배치된 제1 무기 봉지층(610), 제1 무기 봉지층(610) 상에 배치된 유기 봉지층(630) 및 유기 봉지층(630) 상에 배치된 제2 무기 봉지층(650)을 포함할 수 있다.
제1 무기 봉지층(610)은 캐소드 전극(430) 상에 직접 배치될 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 무기 봉지층(610)의 적어도 일부는 비표시 영역(NDA) 내에 배치되고, 화소 정의막(500)의 측면을 커버하며 평탄화층(300)과 맞닿을 수 있다. 제2 무기 봉지층(650)은 봉지층(600)의 최상층을 형성할 수 있다. 제2 무기 봉지층(650)의 평면상 면적은 제1 무기 봉지층(610)의 평면상 면적보다 더 클 수 있다. 예를 들어, 제2 무기 봉지층(650)의 적어도 일부는 비표시 영역(NDA) 내에 배치되고, 유기 봉지층(630), 제1 무기 봉지층(610) 및 화소 정의막(500)의 측면을 커버하며 평탄화층(300)과 맞닿을 수 있다. 유기 봉지층(630)은 제1 무기 봉지층(610)과 제2 무기 봉지층(650) 사이에 개재될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 봉지층(600)은 헥사메틸디실록산 등의 실록산계 봉지층을 포함할 수도 있다. 도 2 등은 봉지층(600)이 제1 무기 봉지층(610), 유기 봉지층(630) 및 제2 무기 봉지층(650)을 포함하여 3층 적층 구조를 갖는 경우를 예시하고 있으나, 봉지층(600)은 2층 적층 구조를 갖거나, 또는 4층 이상의 적층 구조를 가질 수도 있다.
도면으로 나타내지 않았으나, 봉지층(600) 상에는 터치 유닛(미도시) 및/또는 윈도우 글라스(미도시)가 더 배치될 수 있다. 상기 터치 유닛은 사용자의 터치 동작에 의한 터치 신호를 감지할 수 있다. 상기 터치 신호는 터치 동작의 위치, 또는 터치 동작의 압력 크기 등을 포함할 수 있다. 윈도우 글라스는 표시 장치(1)를 보호하고 표시 장치(1)의 외관을 이룰 수 있다. 또, 표시 장치(1)에서 영상이 표시되는 표시면을 형성할 수 있다. 또, 윈도우 글라스는 사용자에 의한 터치 동작, 즉 표시 장치(1)와 사용자 간의 물리적인 접촉이 이루어지는 터치면을 형성할 수 있다.
이하, 도 3 및 도 4를 더욱 참조하여 본 실시예에 따른 표시 장치(1)에 대해 더 상세하게 설명한다. 도 3은 도 2의 판상 무기물층을 확대하여 나타낸 개략도이고, 도 4는 도 3의 판상 무기물 입자를 나타낸 예시적인 화학 구조이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 베이스(BS)의 타면(도 2 기준 하면) 상에는 판상 무기물층(710)이 배치될 수 있다. 판상 무기물층(710)은 표시 영역(DA) 뿐만 아니라 비표시 영역(NDA)에 걸쳐서 배치될 수 있다. 판상 무기물층(710)은 베이스(BS)의 상기 타면 상에 직접 배치될 수 있다. 판상 무기물층(710)은 수평 방향의 크기(예컨대, 길이)가 수직 방향의 크기(예컨대, 길이)보다 큰 판상의 무기물 입자(710a)들을 포함할 수 있다. 판상 무기물 입자(710a)의 폭(수평 방향의 크기)과 두께(수직 방향의 크기)의 비율(aspect ratio)은 약 50 이상, 또는 약 100 이상일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
예시적인 실시예에서, 판상 무기물 입자(710a)는 그래핀 산화물 입자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 판상 무기물층(710)은 그래핀 산화물 입자들을 포함하는 그래핀 산화물 입자층일 수 있다. 본 명세서에서, '무기물', '무기 재료' 및 '무기물 입자' 등은 탄소원자로만 이루어진 판상의 '그래핀(graphene)', 상기 그래핀이 적어도 부분적으로 산화된 '그래핀 산화물(graphene oxide)', 상기 산화된 그래핀 산화물이 적어도 부분적으로 환원된 '환원된 그래핀 산화물(reduced graphene oxide)' 및 상기 그래핀, 상기 그래핀 산화물 또는 상기 환원된 그래핀 산화물의 층상 구조체를 포함하는 의미이다.
그래핀 산화물 입자는 탄소원자들이 2차원적으로 배열되어 판상 입자 형태 또는 박편을 형성할 수 있다. 판상 무기물 입자(710a)는 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하되, 질소원자를 불포함하는 그래핀 산화물 입자를 포함할 수 있다. 그래핀 산화물 입자의 상기 탄소원자, 수소원자 및 산소원자는 히드록실기(hydroxyl group, -OH), 카르복실기(carboxyl group, -COOH) 또는 에폭시기(epoxy group, C-O-C) 중 하나 이상을 형성할 수 있다. 비제한적인 일례에서, 본 실시예에 따른 판상 무기물 입자(710a)는 도 4와 같이 표현되는 그래핀 산화물 입자일 수 있다. 판상 무기물층(710) 및 판상 무기물 입자(710a)는 극성을 갖지 않고 실질적으로 중성 상태일 수 있다. 판상 무기물층(710)과 판상 무기물 입자(710a)가 특정 전하의 극성을 갖지 않고 중성 상태를 갖도록 하여 표시 장치(1)의 내부 구성요소들이 극성 전하에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
판상 무기물 입자(710a)의 수평 방향의 크기, 예컨대 수평 방향으로의 최대 입경의 하한은 약 0.5㎛, 또는 약 0.6㎛, 또는 약 0.7㎛, 또는 약 0.8㎛, 또는 약 0.9㎛, 또는 약 1.0㎛일 수 있다. 판상 무기물 입자(710a)의 크기의 하한이 0.5㎛ 보다 크면 안정적인 판상 입자 구조를 유지할 수 있고, 제3 방향(Z)으로의 반데르발스 힘을 형성하여 결합 판상 무기물층(710)과 베이스(BS) 간의 결합을 유지할 수 있다. 판상 무기물 입자(710a)의 수평 방향의 크기의 상한은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 약 1,000㎛, 또는 약 500㎛, 또는 약 100㎛, 또는 약 50㎛, 또는 약 40㎛, 또는 약 30㎛, 또는 약 20㎛일 수 있다.
도 3은 복수의 판상 무기물 입자(710a)들이 수평 방향, 즉 평면 방향으로 중첩하는 경우를 예시하고 있으나, 몇몇 실시예에서 판상 무기물 입자(710a)들의 적어도 일부는 제3 방향(Z)으로 중첩하여 층상 구조를 형성할 수 있다. 즉, 판상 무기물 입자(710a) 자체는 공유 결합 등의 상대적으로 강한 결합을 형성하되, 제3 방향(Z)으로 인접한 판상 무기물 입자(710a) 간은 반데르발스 힘 등의 상대적으로 약한 결합력에 의해 평행하게 중첩된 상태일 수 있다. 판상 무기물층(710)의 제3 방향(Z)으로의 두께는 대략 0.3nm 내지 5nm일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
판상 무기물 입자(710a)를 포함하는 판상 무기물층(710)은 후술할 표시 장치의 제조 방법에 있어서 임시 점착층이 베이스(BS)의 배면에 잔존하는 것으로 이해될 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 판상 무기물 입자(710a)를 포함하는 판상 무기물층(710)은 음 전하를 갖는 임시 점착층이 중성화된 후 잔존하는 것일 수 있다.
본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 본 실시예에 따른 판상 무기물층(710)은 유기 재료, 예컨대 폴리머 재료 등은 포함하지 않고 판상 무기물 입자(710a)들만으로 구성될 수 있다.
몇몇 실시예에서, 판상 무기물층(710) 상에는 접착층(910) 및 기능성 시트(970)가 배치될 수 있다. 기능성 시트(970)는 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 걸쳐서 배치되고, 판상 무기물층(710)과 제3 방향(Z)으로 중첩 배치될 수 있다.
기능성 시트(970)는 차광 시트, 쿠션 시트 및 금속 시트 중 하나 이상을 포함할 수 있다. 도 2는 기능성 시트(970)가 1매로 이루어진 경우를 예시하고 있으나 다른 실시예에서 기능성 시트(970)는 2매 이상의 시트를 포함할 수도 있다.
예를 들어, 차광 시트는 지지층과 차광 패턴 인쇄층의 적층 구조를 포함할 수 있다. 차광 시트는 상측으로부터 표시 장치(1) 내부의 구성요소가 시인되는 것을 방지할 수 있다. 상기 차광 패턴 인쇄층은 표시 장치(1) 전면에 걸쳐 차광 기능을 수행하거나, 또는 부분적으로만 차광 기능을 수행하는 패턴층일 수 있다. 또, 쿠션 시트는 지지층과 쿠션층의 적층 구조를 포함할 수 있다. 쿠션 시트는 외부 충격의 적어도 일부를 흡수하거나, 또는 외부 충격을 분산시켜 표시 장치(1)를 보호할 수 있다. 쿠션층은 충격 흡수 및/또는 분산에 유리한 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 우레탄계 수지, 카보네이트계 수지, 고무 계열 수지, 또는 이들의 발포 성형물 등을 포함할 수 있다. 금속 시트는 표시 장치(1)의 강도를 향상시키거나, 표시 장치(1)에서 발생한 열의 적어도 일부를 흡수 및/또는 분산시키거나, 또는 표시 장치(1)에서 발생하는 전자파를 차폐할 수 있다.
접착층(910)은 판상 무기물층(710)과 기능성 시트(970) 사이에 배치될 수 있다. 접착층(910)은 판상 무기물층(710) 및 기능성 시트(970)와 접하며 이들을 결합시킬 수 있다. 접착층(910)은 광학 투명 접착제, 광학 투명 수지 또는 감압 접착제 등을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 접착층(910)의 판상 무기물층(710)과 대면하는 일면(도 2 기준 상면)에는 공기 등의 배출을 유도하여 공기층이 트랩되는 것을 방지하기 위한 엠포 패턴 등이 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다. 다만, 앞서 설명한 일 실시예에 따른 표시 장치(1)와 실질적으로 동일한 구성에 대한 중복되는 설명은 생략하며, 이는 첨부된 도면으로부터 본 기술분야에 속하는 통상의 기술자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 판상 무기물층의 판상 무기물 입자를 나타낸 화학 구조이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 판상 무기물층은 판상 무기물 입자(710a')를 포함하되, 판상 무기물 입자(710a')는 탄소원자 및 수소원자를 포함하고, 질소원자를 더 포함하는 그래핀 산화물 입자를 포함할 수 있다. 그래핀 산화물 입자의 상기 탄소원자, 수소원자 및 질소원자는 아민기(amine group)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 2차 아민기(secondary amine group, R2NH) 또는 3차 아민기(tertiary amine group, R3N) 중 하나 이상을 형성할 수 있다. 판상 무기물층 및 판상 무기물 입자(710a')는 극성을 갖지 않고 실질적으로 중성 상태일 수 있다. 판상 무기물 입자(710a')를 포함하는 판상 무기물층은 후술할 표시 장치의 제조 방법에 있어서 임시 점착층이 베이스(BS)의 배면에 잔존하는 것으로 이해될 수 있으나, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 판상 무기물 입자(710a')를 포함하는 판상 무기물층은 양 전하를 갖는 임시 점착층이 중성화된 후 잔존하는 것일 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 판상 무기물층을 확대하여 나타낸 개략도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 판상 무기물층(720)은 서로 다른 크기를 갖는 판상 무기물 입자들(720a, 720b)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 판상 무기물층(720)은 제1 크기를 갖는 제1 판상 무기물 입자(720a) 및 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기를 갖는 제2 판상 무기물 입자(720b)를 포함할 수 있다.
제1 판상 무기물 입자(720a) 및 제2 판상 무기물 입자(720b)는 모두 그래핀 산화물 입자를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(720a) 및 제2 판상 무기물 입자(720b)는 서로 실질적으로 동일한 종류의 판상 무기물 입자일 수 있다. 예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(720a) 및 제2 판상 무기물 입자(720b)는 각각 도 4와 같이 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하되, 질소원자를 불포함하는 그래핀 산화물 입자를 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(720a) 및 제2 판상 무기물 입자(720b)는 각각 도 5와 같이 탄소원자 및 수소원자를 포함하되, 질소원자를 더 포함하는 그래핀 산화물 입자를 포함할 수 있다. 판상 무기물층(720), 제1 판상 무기물 입자(720a) 및 제2 판상 무기물 입자(720b)는 극성을 갖지 않고 실질적으로 중성 상태일 수 있다.
제2 판상 무기물 입자(720b)의 크기, 예컨대 수평 방향으로의 최대 입경은 제1 판상 무기물 입자(720a)의 크기, 예컨대 수평 방향으로의 최대 입경보다 클 수 있다. 비제한적인 일례로서, 판상 무기물층(720)이 다양한 크기를 갖는 그래핀 산화물 입자들을 포함하는 경우, 판상 무기물층(720) 내의 그래핀 산화물 입자 크기의 분포는 두 개의 피크를 갖는 바이 모달(bimodal) 분포 또는 세 개 이상의 피크를 갖는 분포를 가질 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제2 판상 무기물 입자(720b)의 수평 방향의 크기의 하한은 약 20㎛, 또는 약 30㎛, 또는 약 40㎛일 수 있다. 제2 판상 무기물 입자(720b)의 크기의 하한이 상기 범위 내일 경우 후술할 제1 판상 무기물 입자(720a)와 함께 안정화된 배열을 나타낼 수 있고, 베이스(BS)에 대한 제1 판상 무기물 입자(720a) 및 제2 판상 무기물 입자(720b)의 커버리지를 향상시킬 수 있다. 제2 판상 무기물 입자(720b)의 수평 방향의 크기의 상한은 약 1,000㎛, 또는 약 500㎛, 또는 약 100㎛, 또는 약 50㎛일 수 있다.
또, 제1 판상 무기물 입자(720a)의 수평 방향의 크기의 상한은 약 8.0㎛, 또는 약 6.0㎛, 또는 약 5.0㎛, 또는 약 1.0㎛일 수 있다. 제1 판상 무기물 입자(720a)의 크기의 상한이 상기 범위 내일 경우 제2 판상 무기물 입자(720b)와 함께 안정화된 배열을 나타낼 수 있다. 제1 판상 무기물 입자(720a)의 수평 방향의 크기의 하한은 약 0.5㎛, 또는 약 0.6㎛, 또는 약 0.7㎛, 또는 약 0.8㎛, 또는 약 0.9㎛일 수 있다.
이하, 도 7을 더욱 참조하여 본 실시예에 따른 제1 판상 무기물 입자(720a)와 제2 판상 무기물 입자(720b)의 크기 및 배열에 대해 더 상세하게 설명한다. 도 7은 도 6의 제1 판상 무기물 입자와 제2 판상 무기물 입자의 배열을 나타낸 개략도이다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 판상 무기물 입자(720a)와 제2 판상 무기물 입자(720b)는 동일 층에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(720a)와 제2 판상 무기물 입자(720b)는 수평 방향, 즉 평면 방향으로 중첩하되, 인접한 제2 판상 무기물 입자(720b)들이 형성하는 보이드에 제1 판상 무기물 입자(720a)가 삽입될 수 있다. 즉, 어느 제1 판상 무기물 입자(720a)와 어느 제2 판상 무기물 입자(720b)는 제3 방향(Z)으로 비중첩할 수 있다. 또, 어느 제1 판상 무기물 입자(720a)는 베이스(BS)와 직접 대면하고, 어느 제2 판상 무기물 입자(720b)는 베이스(BS)와 직접 대면할 수 있다. 비제한적인 일례로서, 제1 판상 무기물 입자(720a)의 수평 방향으로의 최대 크기는 상기 보이드의 크기보다 작거나 같을 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제2 판상 무기물 입자(720b)의 크기(b), 예컨대 수평 방향으로의 최대 입경(b)은 제1 판상 무기물 입자(720a)의 크기(a), 예컨대 수평 방향으로의 최대 입경(a)의 6배 이상, 또는 약 6.1배 이상, 또는 약 6.2배 이상, 또는 약 6.3배 이상, 또는 약 6.4배 이상, 또는 약 6.5배 이상일 수 있다. 제1 판상 무기물 입자(720a)와 제2 판상 무기물 입자(720b)가 전술한 크기 범위를 만족하면서, 상기의 크기 관계에 있을 경우 도 7에 도시된 것과 같이 안정적인 배열을 나타낼 수 있다. 이를 통해 베이스(BS)에 대한 제1 판상 무기물 입자(720a)와 제2 판상 무기물 입자(720b)의 커버리지를 향상시킬 수 있고, 후술할 표시 장치의 제조 방법에 있어서 베이스(BS)와 캐리어 기판(미도시) 간의 점착력을 최소화할 수 있다.
본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 제1 판상 무기물 입자(720a)와 제2 판상 무기물 입자(720b)를 포함하는 판상 무기물층(720)은 음 전하를 갖는 임시 점착층이 중성화되어 잔존하거나, 또는 양 전하를 갖는 임시 점착층이 중성화되어 잔존하는 것으로 이해될 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 9는 도 8의 판상 무기물층을 확대하여 나타낸 개략도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(3)의 판상 무기물층(730)은 부분적으로 제거되어 베이스(BS)의 타면(도 8 기준 하면)을 부분적으로 노출하는 점이 도 2 등의 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 판상 무기물 입자(730a)를 포함하는 판상 무기물층(730)은 베이스(BS)의 타면 상에 배치되되, 부분적으로 제거된 상태일 수 있다. 즉, 판상 무기물층(730)은 베이스(BS)의 타면 상에 부분적으로만 배치되어 베이스(BS)의 타면을 부분적으로 노출시킬 수 있다.
또, 접착층(920)은 판상 무기물층(730) 및 베이스(BS)와 접하되, 베이스(BS)의 상기 타면과 더 맞닿을 수 있다. 예를 들어, 접착층(920)은 부분적으로 인접한 판상 무기물층(730)들 사이에 위치할 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치(3)는 판상 무기물층(730)이 부분적으로 제거되어 베이스(BS)와 접착층(920)을 직접 결합시킬 수 있다. 이를 통해 베이스(BS), 판상 무기물층(730) 및 베이스(BS) 간의 결합을 보다 개선할 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 11은 도 10의 판상 무기물층을 확대하여 나타낸 개략도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(4)의 판상 무기물층(740)은 서로 적층된 제1 판상 무기물층(741)과 제2 판상 무기물층(742)을 포함하는 점이 도 2 등의 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이한 점이다.
판상 무기물층(740)은 베이스(BS)의 타면(도 10 기준 하면) 상에 배치된 제1 판상 무기물층(741) 및 제1 판상 무기물층(741) 상에 배치된 제2 판상 무기물층(742)을 포함할 수 있다. 제1 판상 무기물층(741)과 제2 판상 무기물층(742)은 각각 제1 판상 무기물 입자(741a)와 제2 판상 무기물 입자(742a)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(741a) 및 제2 판상 무기물 입자(742a)는 모두 그래핀 산화물 입자를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(741a)와 제2 판상 무기물 입자(742a)는 서로 다른 종류의 판상 무기물 입자일 수 있다. 예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(741a)는 도 4와 같이 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하되, 질소원자를 불포함하는 그래핀 산화물 입자를 포함하고, 제2 판상 무기물 입자(742a)는 도 5와 같이 탄소원자 및 수소원자를 포함하되, 질소원자를 더 포함하는 그래핀 산화물 입자를 포함할 수 있다. 제1 판상 무기물층(741), 제1 판상 무기물 입자(741a), 제2 판상 무기물층(742) 및 제2 판상 무기물 입자(742a)는 각각 극성을 갖지 않고 실질적으로 중성 상태일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(741a)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자를 포함하고, 제2 판상 무기물 입자(742a)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자를 포함할 수도 있다. 제1 판상 무기물 입자(741a)와 제2 판상 무기물 입자(742a)의 크기는 대략 동일하거나, 또는 상이할 수 있다.
복수의 제1 판상 무기물 입자(741a)들은 제1 판상 무기물층(741) 내에서 수평 방향으로 중첩하고, 복수의 제2 판상 무기물 입자(742a)들은 제2 판상 무기물층(742) 내에서 수평 방향으로 중첩할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 제1 판상 무기물층(741) 내의 제1 판상 무기물 입자(741a)와 제2 판상 무기물층(742) 내의 제2 판상 무기물 입자(742a)는 부분적으로 제3 방향(Z)으로 중첩할 수 있다. 제1 판상 무기물 입자(741a)와 제2 판상 무기물 입자(742a)는 반데르발스 힘 등에 의한 약한 결합력을 갖는 상태일 수 있다. 제1 판상 무기물층(741)과 제2 판상 무기물층(742)의 두께는 각각 대략 0.3nm 내지 5nm일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 제1 판상 무기물 입자(741a)를 포함하는 제1 판상 무기물층(741)은 제1 전하를 갖는 임시 점착층이 중성화되어 잔존하고, 제2 판상 무기물 입자(742a)를 포함하는 제2 판상 무기물층(742)은 상기 제1 전하와 반대되는 극성을 갖는 제2 전하를 갖는 임시 점착층이 중성화되어 잔존하는 것으로 이해될 수 있다.
다른 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(741a)와 제2 판상 무기물 입자(742a) 중 어느 하나는 도 5와 같이 탄소원자 및 수소원자를 포함하되, 질소원자를 더 포함하는 그래핀 산화물 입자를 포함하고, 다른 하나는 판상 규산염 입자를 포함할 수도 있다.
판상 규산염 입자의 예로는 카올리나이트, 디카이트, 내크라이트, 할로이사이트 등의 카올린계 무기물 입자, 몬모릴로나이트, 벤토나이트, 헥토라이트, 사포나이트, 소코나이트, 논트로나이트 등의 몬모릴로나이트계 무기물 입자, 또는 그 외 제올라이트계, 일라이트계, 파이로필라이트계, 버미큘라이트계 등의 무기물 입자 등을 들 수 있다.
도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 판상 무기물층을 확대하여 나타낸 개략도이다.
도 12를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 판상 무기물층(750)은 제1 판상 무기물층(751) 및 제2 판상 무기물층(752)을 포함하되, 제1 판상 무기물층(751)은 제1 크기를 갖는 제1 판상 무기물 입자(751a)를 포함하고, 제2 판상 무기물층(752)은 상기 제1 크기와 상이한 제2 크기를 갖는 제2 판상 무기물 입자(752a)를 포함하는 점이 도 11 등의 실시예에 따른 표시 장치(4)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(751a)와 제2 판상 무기물 입자(752a)는 서로 다른 종류의 판상 무기물 입자일 수 있다. 예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(751a)는 도 4와 같이 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하되, 질소원자를 불포함하는 그래핀 산화물 입자를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(751a)는 판상 규산염 입자를 포함할 수 있다. 또, 제2 판상 무기물 입자(752a)는 도 5와 같이 탄소원자 및 수소원자를 포함하되, 질소원자를 더 포함하는 그래핀 산화물 입자를 포함할 수 있다. 제1 판상 무기물 입자(751a) 및 제2 판상 무기물 입자(752a)는 각각 극성을 갖지 않고 실질적으로 중성 상태일 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(751a)의 크기, 예컨대 수평 방향으로의 최대 입경은 제2 판상 무기물 입자(752a)의 크기, 예컨대 수평 방향으로의 최대 입경보다 클 수 있다. 제1 판상 무기물 입자(751a)가 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자를 포함하고, 제2 판상 무기물 입자(752a)가 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자를 포함하는 경우, 제1 판상 무기물 입자(751a)는 상대적으로 큰 크기를 가지고 베이스(BS)에 대한 충분한 커버리지를 형성함과 동시에, 제2 판상 무기물 입자(752a)는 상대적으로 작은 크기를 가짐으로써 후술할 표시 장치의 제조 방법에 있어서 높은 제타 포텐셜을 갖는 제2 판상 무기물 입자(752a)를 제조할 수 있고, 이를 통해 제1 판상 무기물층(751)에 대한 제2 판상 무기물층(752)의 코팅성을 개선하여 베이스(BS)와 캐리어 기판 간의 점착력을 최소화할 수 있다.
예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(751a)의 수평 방향의 크기는 약 20㎛ 내지 약 50㎛이고, 제2 판상 무기물 입자(752a)의 수평 방향의 크기는 약 0.5㎛ 내지 8.0㎛일 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
몇몇 실시예에서, 제1 판상 무기물층(751) 내의 제1 판상 무기물 입자(751a)와 제2 판상 무기물층(752) 내의 제2 판상 무기물 입자(752a)는 부분적으로 제3 방향(Z)으로 중첩하여 반데르발스 힘 등에 의한 약한 결합력을 갖는 상태일 수 있다.
도 13은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 판상 무기물층을 확대하여 나타낸 개략도이다.
도 13을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 판상 무기물층(760)은 제1 판상 무기물층(761) 및 제2 판상 무기물층(762)을 포함하되, 제1 판상 무기물층(761)은 제1 크기를 갖는 제1 판상 무기물 입자(761a) 및 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기를 갖는 제2 판상 무기물 입자(761b)를 포함하고, 제2 판상 무기물층(762)은 상기 제1 크기보다 큰 제3 크기를 갖는 제3 판상 무기물 입자(762a)를 포함하는 점이 도 11 등의 실시예에 따른 표시 장치(4)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(761a)와 제2 판상 무기물 입자(761b)는 서로 실질적으로 동일한 종류의 판상 무기물 입자이고, 제1 판상 무기물 입자(761a)와 제3 판상 무기물 입자(762a)는 서로 다른 종류의 판상 무기물 입자일 수 있다. 예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(761a) 및 제2 판상 무기물 입자(761b)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자이고, 제3 판상 무기물 입자(762a)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자일 수 있다. 다른 실시예에서 제1 판상 무기물 입자(761a) 및 제2 판상 무기물 입자(761b)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자이고, 제3 판상 무기물 입자(762a)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자일 수도 있다.
제1 판상 무기물층(761) 내의 제1 판상 무기물 입자(761a)와 제2 판상 무기물 입자(761b)는 앞서 도 6 및 도 7에서 설명한 판상 무기물 입자들과 같은 크기 및 배열을 가질 수 있는 바 중복되는 설명은 생략한다. 예를 들어, 제2 판상 무기물 입자(761b)의 제2 크기는 제1 판상 무기물 입자(761a)의 제1 크기의 약 6배 이상, 또는 약 6.1배 이상, 또는 약 6.2배 이상, 또는 약 6.3배 이상, 또는 약 6.4배 이상, 또는 약 6.5배 이상일 수 있다. 제2 판상 무기물 입자(761b)의 제2 크기는 제3 판상 무기물 입자(762a)의 제3 크기와 실질적으로 동일하거나, 또는 상이할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 판상 무기물층(761) 내의 제1 판상 무기물 입자(761a)와 제2 판상 무기물층(762) 내의 제3 판상 무기물 입자(762a) 및 제1 판상 무기물층(761) 내의 제2 판상 무기물 입자(761b)와 제2 판상 무기물층(762) 내의 제3 판상 무기물 입자(762a)는 부분적으로 제3 방향(Z)으로 중첩하여 반데르발스 힘 등에 의한 약한 결합력을 갖는 상태일 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치의 판상 무기물층(760)의 서로 상이한 크기의 제1 판상 무기물 입자(761a)와 제2 판상 무기물 입자(761b)를 포함하는 제1 판상 무기물층(761)은 베이스(BS)에 대한 커버리지 향상에 기여하도록 할 수 있다. 동시에, 제1 판상 무기물층(761)과 제2 판상 무기물층(762) 간에 형성되는 반데르발스 힘 등의 결합력을 다변화함으로써 제1 판상 무기물층(761)에 대한 제2 판상 무기물층(762)의 코팅성을 개선할 수 있고, 이를 통해 후술할 표시 장치의 제조 방법에 있어서 베이스(BS)와 캐리어 기판 간의 점착력을 최소화할 수 있다.
도 14는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 판상 무기물층을 확대하여 나타낸 개략도이다.
도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치의 판상 무기물층(770)은 제1 판상 무기물층(771) 및 제2 판상 무기물층(772)을 포함하되, 제1 판상 무기물층(771)은 제1 크기를 갖는 제1 판상 무기물 입자(771a) 및 상기 제1 크기보다 큰 제2 크기를 갖는 제2 판상 무기물 입자(771b)를 포함하고, 제2 판상 무기물층(772)은 상기 제2 크기보다 작은 제3 크기를 갖는 제3 판상 무기물 입자(772a) 및 상기 제3 크기보다 큰 제4 크기를 갖는 제4 판상 무기물 입자(772b)를 포함하는 점이 도 11 등의 실시예에 따른 표시 장치(4)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(771a)와 제2 판상 무기물 입자(771b)는 서로 실질적으로 동일한 종류의 판상 무기물 입자이고, 제3 판상 무기물 입자(772a)와 제4 판상 무기물 입자(772b)는 서로 실질적으로 동일한 종류의 판상 무기물 입자이되, 제1 판상 무기물 입자(771a)와 제3 판상 무기물 입자(772a)는 서로 다른 종류의 판상 무기물 입자일 수 있다. 예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(771a) 및 제2 판상 무기물 입자(771b)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자이고, 제3 판상 무기물 입자(772a) 및 제4 판상 무기물 입자(772b)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(771a) 및 제2 판상 무기물 입자(771b)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자이고, 제3 판상 무기물 입자(772a) 및 제4 판상 무기물 입자(772b)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자일 수 있다.
제1 판상 무기물층(771) 내의 제1 판상 무기물 입자(771a)와 제2 판상 무기물 입자(771b) 및 제2 판상 무기물층(772) 내의 제3 판상 무기물 입자(772a)와 제4 판상 무기물 입자(772b)는 각각 앞서 도 6 및 도 7에서 설명한 판상 무기물 입자들과 같은 크기 및 배열을 가질 수 있는 바 중복되는 설명은 생략한다. 예를 들어, 제2 판상 무기물 입자(771b)의 제2 크기는 제1 판상 무기물 입자(771a)의 제1 크기의 6배 이상, 또는 약 6.1배 이상, 또는 약 6.2배 이상, 또는 약 6.3배 이상, 또는 약 6.4배 이상, 또는 약 6.5배 이상이고, 제4 판상 무기물 입자(772b)의 제4 크기는 제3 판상 무기물 입자(772a)의 제3 크기의 6배 이상, 또는 약 6.1배 이상, 또는 약 6.2배 이상, 또는 약 6.3배 이상, 또는 약 6.4배 이상, 또는 약 6.5배 이상일 수 있다. 또, 제1 판상 무기물 입자(771a)의 제1 크기는 제3 판상 무기물 입자(772a)의 제3 크기와 실질적으로 동일하거나, 또는 상이하고, 제2 판상 무기물 입자(771b)의 제2 크기는 제4 판상 무기물 입자(772b)의 제4 크기와 실질적으로 동일하거나, 또는 상이할 수 있다.
도 15는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 16은 도 15의 판상 무기물층을 확대하여 나타낸 개략도이다.
도 15 및 도 16을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(8)의 판상 무기물층(780)은 부분적으로 제거되어 베이스(BS)의 타면(도 15 기준 하면)을 부분적으로 노출하는 점이 도 14의 실시예에 따른 표시 장치와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 판상 무기물층(780)은 베이스(BS)의 타면 상에 배치된 제1 판상 무기물층(781) 및 제1 판상 무기물층(781) 상에 배치된 제2 판상 무기물층(782)을 포함하되, 판상 무기물층(780)은 부분적으로 제거된 상태일 수 있다. 즉, 판상 무기물층(780)은 베이스(BS)의 타면 상에 부분적으로만 배치되어 베이스(BS)의 타면을 부분적으로 노출시킬 수 있다. 제1 판상 무기물층(781)은 서로 상이한 크기를 갖는 제1 판상 무기물 입자(781a)들을 포함하고, 제2 판상 무기물층(782)은 서로 상이한 크기를 갖는 제2 판상 무기물 입자(782a)들을 포함할 수 있다.
또, 접착층(930)은 제1 판상 무기물층(781), 제2 판상 무기물층(782) 및 베이스(BS)와 접하되, 베이스(BS)의 상기 타면과 더 맞닿을 수 있다.
도 17은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 18은 도 17의 판상 무기물층을 확대하여 나타낸 개략도이다.
도 17 및 도 18을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(9)의 판상 무기물층(790)은 서로 적층된 제1 판상 무기물층(791), 제2 판상 무기물층(792), 제3 판상 무기물층(793) 및 제4 판상 무기물층(794)을 포함하는 점이 도 2 등의 실시예에 따른 표시 장치(1)와 상이한 점이다.
판상 무기물층(790)은 베이스(BS)의 타면(도 17 기준 하면) 상에 배치되고 제1 판상 무기물 입자(791a)를 포함하는 제1 판상 무기물층(791), 제1 판상 무기물층(791) 상에 배치되고 제2 판상 무기물 입자(792a)를 포함하는 제2 판상 무기물층(792), 제2 판상 무기물층(792) 상에 배치되고 제3 판상 무기물 입자(793a)를 포함하는 제3 판상 무기물층(793) 및 제3 판상 무기물층(793) 상에 배치되고 제4 판상 무기물 입자(794a)를 포함하는 제4 판상 무기물층(794)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(791a)와 제3 판상 무기물 입자(793a)는 서로 동일한 종류의 판상 무기물 입자이고, 제2 판상 무기물 입자(792a)와 제4 판상 무기물 입자(794a)는 서로 동일한 종류의 판상 무기물 입자이되, 제1 판상 무기물 입자(791a)와 제2 판상 무기물 입자(792a)는 서로 다른 종류의 판상 무기물 입자일 수 있다. 즉, 서로 다른 종류의 판상 무기물 입자를 포함하는 판상 무기물층이 서로 교번적으로 적층될 수 있다. 도 18은 판상 무기물층(790)이 서로 다른 판상 무기물 입자들이 교번적으로 적층된 4개의 적층 구조인 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 판상 무기물층(790)은 5개 이상의 적층 구조를 가질 수도 있다.
예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(791a) 및 제3 판상 무기물 입자(793a)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자이고, 제2 판상 무기물 입자(792a) 및 제4 판상 무기물 입자(794a)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(791a) 및 제3 판상 무기물 입자(793a)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자이고, 제2 판상 무기물 입자(792a) 및 제4 판상 무기물 입자(794a)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자일 수 있다. 제1 판상 무기물 입자(791a), 제2 판상 무기물 입자(792a), 제3 판상 무기물 입자(793a) 및 제4 판상 무기물 입자(794a)의 크기는 대략 동일하거나, 또는 상이할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(791a)와 제2 판상 무기물 입자(792a)는 부분적으로 제3 방향(Z)으로 중첩하고, 제2 판상 무기물 입자(792a)와 제3 판상 무기물 입자(793a)는 부분적으로 제3 방향(Z)으로 중첩하며, 제3 판상 무기물 입자(793a)와 제4 판상 무기물 입자(794a)는 부분적으로 제3 방향(Z)으로 중첩할 수 있다. 이를 통해, 제1 판상 무기물층(791)과 제2 판상 무기물층(792), 제2 판상 무기물층(792)과 제3 판상 무기물층(793), 및 제3 판상 무기물층(793)과 제4 판상 무기물층(794)은 반데르발스 힘 등에 의한 약한 결합력을 갖는 상태일 수 있다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이고, 도 20은 도 19의 판상 무기물층을 확대하여 나타낸 개략도이다.
도 19 및 도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(10)의 판상 무기물층(800)은 부분적으로 제거되어 베이스(BS)의 타면(도 19 기준 하면)을 부분적으로 노출하는 점이 도 17 등의 실시예에 따른 표시 장치(9)와 상이한 점이다.
예시적인 실시예에서, 판상 무기물층(800)은 베이스(BS)의 타면 상에 배치된 제1 판상 무기물층(801), 제1 판상 무기물층(801) 상에 배치된 제2 판상 무기물층(802), 제2 판상 무기물층(802) 상에 배치된 제3 판상 무기물층(803) 및 제3 판상 무기물층(803) 상에 배치된 제4 판상 무기물층(804)을 포함하되, 판상 무기물층(800)은 부분적으로 제거된 상태일 수 있다. 즉, 판상 무기물층(800)은 베이스(BS)의 타면 상에 부분적으로만 배치되어 베이스(BS)의 타면을 부분적으로 노출시킬 수 있다.
제1 판상 무기물층(801)의 제1 판상 무기물 입자(801a)와 제3 판상 무기물층(803)의 제3 판상 무기물 입자(803a)는 서로 동일한 종류의 판상 무기물 입자이고, 제2 판상 무기물층(802)의 제2 판상 무기물 입자(802a)와 제4 판상 무기물층(804)의 제4 판상 무기물 입자(804a)는 서로 동일한 종류의 판상 무기물 입자이되, 제1 판상 무기물 입자(801a)와 제2 판상 무기물 입자(802a)는 서로 다른 종류의 판상 무기물 입자일 수 있다. 예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(801a) 및 제3 판상 무기물 입자(803a)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자이고, 제2 판상 무기물 입자(802a) 및 제4 판상 무기물 입자(804a)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(801a) 및 제3 판상 무기물 입자(803a)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자이고, 제2 판상 무기물 입자(802a) 및 제4 판상 무기물 입자(804a)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자일 수도 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(801a)는 크기가 서로 상이한 복수의 판상 무기물 입자들을 포함할 수 있다. 비제한적인 일례로서, 제1 판상 무기물층(801) 내의 제1 판상 무기물 입자(801a) 크기의 분포는 두 개의 피크를 갖는 바이 모달 분포 또는 세 개 이상의 피크를 갖는 분포를 가질 수 있다. 마찬가지로, 제2 판상 무기물 입자(802a), 제3 판상 무기물 입자(803a) 및 제4 판상 무기물 입자(804a)는 각각 크기가 서로 상이한 복수의 판상 무기물 입자들을 포함할 수 있다.
또, 접착층(940)은 제1 판상 무기물층(801), 제2 판상 무기물층(802), 제3 판상 무기물층(803), 제4 판상 무기물층(804) 및 베이스(BS)와 접하되, 베이스(BS)의 상기 타면과 더 맞닿을 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 21 내지 도 38은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
우선, 도 21은 캐리어 기판(CS)을 준비 및 표면 처리하는 단계를 나타낸 도면이고, 도 22는 도 21의 캐리어 기판의 표면의 전하 상태를 나타낸 개략도이다.
도 21 및 도 22를 참조하면, 캐리어 기판(CS)을 준비하고 캐리어 기판(CS)의 표면이 전하를 갖도록 표면 처리한다.
캐리어 기판(CS)은 후속 공정에서 베이스 및 그 상부에 형성되는 구성요소들을 안정적으로 지지할 수 있도록 강성을 갖는 재료이면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 글라스 재료 또는 석영 재료 등으로 이루어질 수 있다.
표면 처리를 통해 캐리어 기판(CS)의 표면은 제1 전하를 갖도록 처리될 수 있다. 이하에서, 제1 전하는 음 전하이고, 상기 제1 전하와 반대되는 전하를 갖는 제2 전하는 양 전하인 경우를 예로 하여 설명하나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
캐리어 기판(CS)의 표면을 음 전하로 표면 처리하는 단계는 플라즈마 처리하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 질소 또는 산소를 이용하여 플라즈마 처리하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 예시적인 실시예에서 캐리어 기판(CS)의 표면은 히드록실기 등을 가지고 음 전하를 띨 수 있다.
도 23은 제1 임시 점착층(811')을 형성하는 단계를 나타낸 도면이고, 도 24는 도 23의 제1 임시 점착층(811')의 전하 상태를 나타낸 개략도이다.
도 23 및 도 24를 참조하면, 캐리어 기판(CS) 상에 제1 판상 무기물 입자(811a)를 포함하는 제1 임시 점착층(811')을 형성한다. 즉, 제1 임시 점착층(811')은 판상 무기물 입자들을 포함하는 판상 무기물층일 수 있다. 제1 임시 점착층(811')을 형성하는 단계는 캐리어 기판(CS) 상에 제1 판상 무기물 입자(811a)의 수용액을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
캐리어 기판(CS) 상에 형성된 제1 임시 점착층(811')의 제1 판상 무기물 입자(811a)는 상기 제1 전하와 반대되는 제2 전하, 즉 양 전하를 가질 수 있다. 음 전하로 대전된 캐리어 기판(CS) 상에 양 전하를 띠는 제1 임시 점착층(811')을 형성함으로써 별도의 접착층, 또는 접착을 위한 공정 추가 없이도 캐리어 기판(CS)과 제1 임시 점착층(811') 간의 인력, 예컨대 쿨롱 포스를 이용하여 캐리어 기판(CS) 상에 제1 임시 점착층(811')을 고정시킬 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(811a)는 탄소원자 및 수소원자를 포함하되, 질소원자를 더 포함하는 그래핀 산화물 입자일 수 있다. 그래핀 산화물 입자의 상기 탄소원자, 수소원자 및 질소원자는 아민기(amine group)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 2차 아민기 또는 3차 아민기 중 하나 이상을 형성할 수 있다. 제1 판상 무기물 입자(811a)의 아민기는 수용액 중에서 양 이온을 형성할 수 있고, 이를 통해 양 전하를 갖는 그래핀 산화물 입자층, 즉 제1 임시 점착층(811')을 형성할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(811a)의 수용액의 제타 포텐셜의 하한은 약 +20 mV일 수 있다. 제1 판상 무기물 입자(811a) 수용액의 제타 포텐셜을 상대적으로 높게 형성하여 수용액 중의 제1 판상 무기물 입자(811a)의 응집을 방지하고 고분산된 제1 판상 무기물 입자(811a) 수용액을 형성할 수 있다. 이를 통해 캐리어 기판(CS) 상에서 제1 판상 무기물 입자(811a)가 고르게 분포되어 캐리어 기판(CS)에 대한 커버리지가 우수한 제1 임시 점착층(811')을 형성할 수 있다.
도 25는 제2 임시 점착층(812')을 형성하는 단계를 나타낸 도면이고, 도 26은 도 25의 제2 임시 점착층(812')의 전하 상태를 나타낸 개략도이다
도 25 및 도 26을 참조하면, 제1 임시 점착층(811') 상에 제2 판상 무기물 입자(812a)를 포함하는 제2 임시 점착층(812')을 형성한다. 즉, 제2 임시 점착층(812')은 판상 무기물 입자들을 포함하는 판상 무기물층일 수 있다. 제2 임시 점착층(812')을 형성하는 단계는 제1 임시 점착층(811') 상에 제2 판상 무기물 입자(812a)의 수용액을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
제1 임시 점착층(811') 상에 형성된 제2 임시 점착층(812')의 제2 판상 무기물 입자(812a)는 음 전하를 가질 수 있다. 양 전하를 띠는 제1 임시 점착층(811') 상에 음 전하를 띠는 제2 임시 점착층(812')을 형성함으로써 제1 임시 점착층(811')과 제2 임시 점착층(812') 간의 인력을 이용하여 제2 임시 점착층(812')을 고정시킬 수 있다.
예시적인 실시예에서, 제2 판상 무기물 입자(812a)는 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하되, 질소원자를 불포함하는 그래핀 산화물 입자를 포함할 수 있다. 그래핀 산화물 입자의 상기 탄소원자, 수소원자 및 산소원자는 히드록실기, 카르복실기 또는 에폭시기 중 하나 이상을 형성할 수 있다. 제2 판상 무기물 입자(812a)의 히드록실기, 카르복실기 또는 에폭시기는 수용액 중에서 음 이온을 형성할 수 있고, 이를 통해 음 전하를 갖는 그래핀 산화물 입자층, 즉 제2 임시 점착층(812')을 형성할 수 있다.
몇몇 실시예에서, 제2 판상 무기물 입자(812a)의 수평 방향으로의 크기는 제1 판상 무기물 입자(811a)의 수평 방향으로의 크기보다 클 수 있다. 제2 판상 무기물 입자(812a)는 상대적으로 큰 크기를 가지고 캐리어 기판(CS) 및 후술할 베이스(미도시)에 대한 충분한 커버리지를 형성할 수 있다. 또, 제1 판상 무기물 입자(811a)는 상대적으로 작은 크기를 가짐으로써 높은 제타 포텐셜을 가지며 높은 분산도의 제1 판상 무기물 입자(811a) 수용액을 형성하도록 할 수 있고, 이를 통해 캐리어 기판(CS) 상의 제1 판상 무기물 입자(811a)의 분포를 고르게 할 수 있다.
다른 실시예에서, 제2 판상 무기물 입자(812a)는 판상 규산염 입자를 포함할 수도 있다. 판상 규산염 입자에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
도 27은 제3 임시 점착층(813') 및 제4 임시 점착층(814')을 형성하는 단계를 나타낸 도면이고, 도 28는 도 27의 임시 점착층(810')의 전하 상태를 나타낸 개략도이다
도 27 및 도 28을 참조하면, 제2 임시 점착층(812') 상에 제3 임시 점착층(813') 및 제4 임시 점착층(814')을 형성한다.
제3 임시 점착층(813') 및 제4 임시 점착층(814')은 각각 제3 판상 무기물 입자(813a) 및 제4 판상 무기물 입자(814a)를 포함할 수 있다. 즉, 제3 임시 점착층(813') 및 제4 임시 점착층(814')은 판상 무기물 입자들을 포함하는 판상 무기물층일 수 있다. 제3 판상 무기물 입자(813a)는 제1 판상 무기물 입자(811a)와 실질적으로 동일한 종류의 판상 무기물 입자이고, 제4 판상 무기물 입자(814a)는 제2 판상 무기물 입자(812a)와 실질적으로 동일한 종류의 판상 무기물 입자일 수 있다. 예를 들어, 제3 임시 점착층(813')은 제1 임시 점착층(811')과 마찬가지로 탄소원자 및 수소원자를 포함하되, 질소원자를 더 포함하는 그래핀 산화물 입자를 포함하고, 제4 임시 점착층(814')은 제2 임시 점착층(812')과 마찬가지로 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하되, 질소원자를 불포함하는 그래핀 산화물 입자를 포함할 수 있다.
음 전하를 띠는 제2 임시 점착층(812') 상에 양 전하를 띠는 제3 임시 점착층(813')을 형성하고, 또 제3 임시 점착층(813') 상에 음 전하를 띠는 제4 임시 점착층(814')을 형성함으로써 임시 점착층(810')들 간의 인력을 이용하여 제3 임시 점착층(813') 및 제4 임시 점착층(814')을 고정시킬 수 있다.
도 27은 4층의 임시 점착층(810')을 형성하는 경우를 예시하고 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 다른 실시예에서 임시 점착층(810')은 3층 이하, 또는 5층 이상으로 형성될 수도 있다. 또, 임시 점착층(810')은 짝수 개의 층으로 구성되거나, 또는 홀수 개의 층으로 구성될 수 있다.
도 29는 임시 점착층(810)을 열 처리하는 단계를 나타낸 도면이고, 도 30은 도 29의 임시 점착층(810)의 전하 상태를 나타낸 개략도이다.
도 29 및 도 30을 참조하면, 임시 점착층(810)을 열 처리하는 단계에서 제1 임시 점착층(811), 제2 임시 점착층(812), 제3 임시 점착층(813) 및 제4 임시 점착층(814)의 적어도 일부는 극성이 제거되어 실질적으로 중성을 갖는 임시 점착층(810)을 형성할 수 있다.
본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 실질적으로 중성을 갖는 제1 임시 점착층(811), 제2 임시 점착층(812), 제3 임시 점착층(813) 및 제4 임시 점착층(814)은 반데르발스 힘 등의 상대적으로 약한 결합력을 가지고 고정 또는 점착된 상태일 수 있다.
이어서 도 31을 참조하면, 임시 점착층(810) 상에 베이스(BS)를 형성한다. 베이스(BS)는 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리아크릴레이트 등의 가요성 고분자 재료를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예에서, 베이스(BS)를 형성하는 단계는 제1 임시 점착층(811), 제2 임시 점착층(812), 제3 임시 점착층(813) 및 제4 임시 점착층(814)의 측면을 커버하고, 캐리어 기판(CS)과 접하도록 베이스(BS)를 형성하는 단계일 수 있다. 베이스(BS)가 임시 점착층(810)의 측면을 커버하도록 형성함으로써, 후속 공정 중에 불순물 등이 약한 결합력을 가지고 적층된 임시 점착층(810)들 사이에 침투하는 것을 방지할 수 있다.
이어서 도 32를 참조하면, 베이스(BS) 상에 박막 트랜지스터(100), 보조 전극들(미도시), 배선들(미도시) 및 복수의 절연층들(230, 250)을 포함하는 구동 소자층(DE) 및 평탄화층(300)을 형성한다.
예시적인 실시예에서, 구동 소자층(DE)을 형성하는 단계 및/또는 평탄화층(300)을 형성하는 단계는 약 450℃ 이상의 온도에서 열 처리하는 단계를 포함할 수 있다.
구동 소자층(DE) 및 평탄화층(300)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이어서 도 33을 참조하면, 평탄화층(300) 상에 발광 소자(400) 및 봉지층(600)을 형성한다. 예시적인 실시예에서, 발광 소자(400)를 형성하는 단계 및/또는 봉지층(600)을 형성하는 단계는 약 450℃ 이상의 온도에서 열 처리하는 단계를 포함할 수 있다.
발광 소자(400) 및 봉지층(600)에 대해서는 앞서 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이어서 도 34를 참조하면, 베이스(BS)의 가장자리부를 부분적으로 절개하여 임시 점착층(810)을 부분적으로 노출시킨다.
베이스(BS)의 가장자리부를 절개하는 단계는 커팅 나이프(NF) 등을 이용하여 수행될 수 있다. 캐리어 기판(CS) 및 베이스(BS) 등이 평면상 사각 형상인 경우, 절개 부분 또한 베이스(BS)의 가장자리부를 따라 사각 형상일 수 있다.
예시적인 실시예에서, 베이스(BS)의 가장자리부를 부분적으로 절개하는 단계는 임시 점착층(810)과 중첩하는 베이스(BS)의 가장자리부를 절개하여, 임시 점착층(810)의 가장자리부를 부분적으로 절개하는 단계일 수 있다.
도 34는 나이프(NF)가 제1 임시 점착층(811)까지 침투하여, 제1 임시 점착층(811), 제2 임시 점착층(812), 제3 임시 점착층(813) 및 제4 임시 점착층(814)의 측면이 모두 노출된 경우를 예시하고 있으나, 다른 실시예에서 임시 점착층(810)들 일부 만이 노출될 수도 있다. 예를 들어, 나이프(NF)가 제3 임시 점착층(813)까지 침투하여 제3 임시 점착층(813) 및 제4 임시 점착층(814)의 측면이 노출되는 반면, 제1 임시 점착층(811) 및 제2 임시 점착층(812)의 측면은 베이스(BS)에 의해 커버되어 노출되지 않을 수도 있다.
도 35는 캐리어 기판(CS)을 베이스(BS)로부터 박리하는 단계를 나타낸 도면이고, 도 36은 도 35의 임시 점착층(810)의 전하 상태를 나타낸 개략도이다.
도 35 및 도 36을 참조하면, 캐리어 기판(CS)을 베이스(BS)로부터 박리한다. 예시적인 실시예에서, 캐리어 기판(CS)을 베이스(BS)로부터 박리하는 단계는 베이스(BS)로부터 캐리어 기판(CS)을 기계적으로 박리하는 단계일 수 있다.
본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 레이저를 이용하여 캐리어 기판을 박리하지 않고 기계적인 방법을 통해 캐리어 기판(CS)을 박리함으로써 베이스(BS) 등이 레이저에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또, 레이저의 유지 보수 비용을 저감할 수 있고 공정을 단순화할 수 있다.
또, 캐리어 기판(CS)을 기계적으로 박리하는 단계는 베이스(BS), 구동 소자층(DE) 및 발광 소자(400)를 포함하는 적층체를 고정하는 단계, 캐리어 기판(CS)을 고정하는 단계 및 캐리어 기판(CS)을 상기 적층체(BS, DE, 400)로부터 리프트 오프(lift off)하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 리프트 오프하는 단계는 적층체(BS, DE, 400)가 실질적으로 롤되지 않은 상태에서 수행될 수 있다.
본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 롤 오프(roll off) 등의 방법을 이용하여 가요성을 갖는 적층체(BS, DE, 400)를 박리할 경우 적층체(BS, DE, 400)에 가해지는 과도한 스트레스로 인해 표시 장치의 표시 품질 저하가 발생할 수 있다. 그러나 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 의할 경우, 적층체(BS, DE, 400)를 고정한 상태에서 캐리어 기판(CS)만을 대략 수직 방향, 또는 소정의 사선 방향으로 리프트 오프함으로써 적층체(BS, DE, 400)에 가해지는 스트레스를 최소화한 상태에서 캐리어 기판(CS)을 박리할 수 있다.
캐리어 기판(CS)과 임시 점착층(810)의 극성이 사라진 상태에서 반데르발스 힘 등의 약한 결합력, 예컨대 수직 방향으로의 약한 결합력으로 임시 점착되어 있던 제1 임시 점착층(811)과 캐리어 기판(CS)은 용이하게 분리될 수 있다. 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 본 단계에서 베이스(BS)와 캐리어 기판(CS) 간의 점착력은 약 5.0gf/in 이하일 수 있다. 베이스(BS)와 캐리어 기판(CS) 간의 점착력의 하한은 약 1.0gf/in일 수 있다. 베이스(BS)와 캐리어 기판(CS)이 약 1.0gf/in 내지 5.0gf/in 수준의 약한 점착력을 갖도록 함으로써 구동 소자층(DE) 및 발광 소자(400) 등의 손상 없이 캐리어 기판(CS)을 용이하게 박리할 수 있다.
베이스(BS)와 캐리어 기판(CS) 간의 상기 범위의 약한 점착력은 임시 점착층(810) 내 베이스(BS) 및/또는 캐리어 기판(CS)에 대한 판상 무기물 입자(미도시)들의 커버리지를 향상시킴으로써 달성할 수 있다. 즉, 판상 무기물 입자들 사이의 보이드를 최소화하고 판상 무기물 입자들을 조밀하게 배열함으로써 임시 점착층(810)과 베이스(BS) 및 임시 점착층(810)과 캐리어 기판(CS) 사이의 점착력을 최소화할 수 있다.
본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나, 임시 점착층(810), 예컨대 제3 임시 점착층(813) 및 제4 임시 점착층(814)과 중첩하는 베이스(BS) 또는 캐리어 기판(CS)의 면적에 대한 임시 점착층(810) 내 판상 무기물 입자들의 커버리지는 약 85.0% 이상, 또는 약 90.0%, 또는 약 95.0% 이상일 수 있다. 즉, 판상 무기물 입자들이 차지하는 면적과 판상 무기물 입자들 사이의 보이드가 차지하는 면적의 비는 약 85:15 이상이거나, 또는 약 90:10 이상일 수 있다.
임시 점착층(810)은 베이스(BS)의 배면(도 35 기준 하면)에 잔존할 수 있다. 전술한 것과 같이 임시 점착층(810)을 열 처리하는 단계에서 제1 임시 점착층(811), 제2 임시 점착층(812), 제3 임시 점착층(813) 및 제4 임시 점착층(814)의 적어도 일부는 실질적으로 중성을 갖도록 전하를 잃어버린 상태일 수 있다.
전술한 임시 점착층(810)을 노출시키는 단계에서 절개되어 잔존하는 베이스(BS)의 일부 및/또는 임시 점착층(810)의 일부는 캐리어 기판(CS)과 함께 제거될 수 있다.
이어서 도 37을 참조하면, 베이스(BS)의 배면 상에 배치된 임시 점착층(810)을 부분적으로 제거할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 임시 점착층(810)을 부분적으로 제거하는 단계는 건식 에칭을 통해 임시 점착층(810)을 부분적으로 제거하여 베이스(BS)의 배면을 부분적으로 노출시키는 단계를 포함할 수 있다.
베이스(BS)의 배면 상에 잔존하는 임시 점착층(810)은 표시 장치의 표시 영역에 상응하는 영역 및 비표시 영역에 상응하는 영역 내에 모두 위치할 수 있다.
도 37은 제1 임시 점착층(811), 제2 임시 점착층(812), 제3 임시 점착층(813) 및 제4 임시 점착층(814)이 모두 균일하게 제거되는 경우를 예시하고 있으나, 제1 임시 점착층(811), 제2 임시 점착층(812), 제3 임시 점착층(813) 및 제4 임시 점착층(814)은 서로 상이한 정도로 제거될 수도 있다. 예를 들어, 제1 임시 점착층(811)이 제거되는 정도는 제2 임시 점착층(812)이 제거되는 정도보다 크거나, 제2 임시 점착층(812)이 제거되는 정도는 제3 임시 점착층(813)이 제거되는 정도보다 크거나, 또는 제3 임시 점착층(813)이 제거되는 정도는 제4 임시 점착층(814)이 제거되는 정도보다 클 수 있다.
이어서 도 38을 참조하면, 베이스(BS)의 배면 상에 기능성 시트(970)를 배치한다. 기능성 시트(970)에 대해서는 전술한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
베이스(BS)와 기능성 시트(970)는 접착층(940)을 개재하여 결합될 수 있다. 예시적인 실시예에서, 접착층(940)은 베이스(BS), 임시 점착층(810) 및 기능성 시트(970)와 맞닿을 수 있다. 앞서 설명한 것과 같이 임시 점착층(810)을 부분적으로 제거하여 베이스(BS)의 표면을 부분적으로 노출시킴으로써 접착층(940)과 베이스(BS)를 맞닿도록 할 수 있고, 베이스(BS)와 기능성 시트(970) 간의 결합력을 향상시킬 수 있다.
본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 베이스(BS)가 가요성을 갖는 경우에도 캐리어 기판(CS)을 이용하여 구동 소자층(DE) 및 발광 소자(400)를 안정적으로 형성할 수 있다. 또, 캐리어 기판(CS)과 베이스(BS) 간의 임시 점착층(810)으로서 판상 무기물 입자들을 포함하는 임시 점착층을 이용하여 발광 소자(400)의 형성 공정이 종료된 이후 캐리어 기판(CS)을 박리함에 있어서, 레이저 등을 이용하지 않고 기계적인 방법을 통해 손쉽게 캐리어 기판(CS)을 박리할 수 있다.
뿐만 아니라, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니나 베이스(BS)와 캐리어 기판(CS)을 임시 고정하기 위한 임시 점착층으로서 고분자계 재료, 예컨대 에틸렌이민계 고분자 등을 이용하지 않고 판상 무기물 입자를 이용하여 후속 공정에 대한 열적 안정성이 우수할 수 있다.
예를 들어, 구동 소자층(DE), 평탄화층(300), 발광 소자(400) 및/또는 봉지층(600)을 형성하는 단계가 약 450℃ 이상의 온도에서 열 처리하는 단계를 포함할 경우 불안정한 상태를 갖는 에틸렌이민계 고분자 등의 적어도 일부는 열 분해 및 재경화되어 베이스(BS)와 캐리어 기판(CS) 간의 박리를 어렵게 만들 수 있다. 또, 부분적으로 열 분해 및/또는 재경화된 고분자계 재료는 베이스(BS)의 배면 상에 잔존하며 포어를 형성하는 등의 불량을 야기할 수 있고, 상기 포어는 표시 장치의 전면에서 시인될 수 있다. 반면 본 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 따를 경우 열적 안정성이 우수한 판상 무기물 입자만을 이용하여 반데르발스 힘 등의 결합력을 갖는 임시 점착층(810)을 형성할 수 있다.
나아가 판상 무기물 입자들의 커버리지를 향상시켜 극히 낮은 점착력을 형성할 수 있고, 요구되는 임시 점착층(810)의 다이아드(dyad)의 수를 줄일 수 있는 효과가 있다.
이하, 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다.
도 39 내지 도 43은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
우선 도 39 및 도 40을 참조하면, 캐리어 기판(CS) 상에 제1 임시 점착층(821), 제2 임시 점착층(822), 제3 임시 점착층(823) 및 제4 임시 점착층(824)을 포함하는 임시 점착층(820)을 형성하고, 임시 점착층(820)을 열 처리한다.
예시적인 실시예에서, 제1 임시 점착층(821) 및 제3 임시 점착층(823)은 제1 크기를 갖는 제1 판상 무기물 입자(821a)를 포함할 수 있다. 또, 제2 임시 점착층(822) 및 제4 임시 점착층(824)은 상기 제1 크기보다 작은 제2 크기를 갖는 제2 판상 무기물 입자(822a) 및 상기 제2 크기보다 큰 제3 크기를 갖는 제3 판상 무기물 입자(822b)를 포함할 수 있다.
제1 판상 무기물 입자(821a)와 제2 판상 무기물 입자(822a)는 서로 다른 종류의 판상 무기물 입자이고, 제2 판상 무기물 입자(822a)와 제3 판상 무기물 입자(822b)는 실질적으로 동일한 종류의 판상 무기물 입자일 수 있다. 예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(821a)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자이고, 제2 판상 무기물 입자(822a) 및 제3 판상 무기물 입자(822b)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(821a)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자이고, 제2 판상 무기물 입자(822a) 및 제3 판상 무기물 입자(822b)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자일 수도 있다.
제2 임시 점착층(822) 및 제4 임시 점착층(824) 내의 제2 판상 무기물 입자(822a)와 제3 판상 무기물 입자(822b)는 앞서 도 6 및 도 7에서 설명한 판상 무기물 입자들과 같은 크기 및 배열을 가질 수 있는 바 중복되는 설명은 생략한다. 예를 들어, 제3 판상 무기물 입자(822b)의 제3 크기는 제2 판상 무기물 입자(822a)의 제2 크기의 약 6배 이상, 또는 약 6.1배 이상, 또는 약 6.2배 이상, 또는 약 6.3배 이상, 또는 약 6.4배 이상, 또는 약 6.5배 이상일 수 있다. 제1 판상 무기물 입자(821a)의 제1 크기는 제3 판상 무기물 입자(822b)의 제3 크기와 실질적으로 동일하거나, 또는 상이할 수 있다.
제1 임시 점착층(821) 및 제3 임시 점착층(823)의 제1 판상 무기물 입자(821a)들은 상대적으로 큰 크기를 가지고 임시 점착층(820) 내 판상 무기물 입자들의 1차적인 커버리지 향상에 기여할 수 있다. 또, 제2 임시 점착층(822)과 제4 임시 점착층(824)의 제2 판상 무기물 입자(822a)와 제3 판상 무기물 입자(822b)들은 안정적인 배열을 가지고 판상 무기물 입자들 사이의 보이드를 최소화할 수 있다. 또, 임시 점착층(820)들 간의 결합력을 다변화하여 코팅성을 개선할 수 있고, 베이스(BS)와 캐리어 기판(CS) 간의 점착력을 최소화할 수 있다.
열 처리된 임시 점착층(820)은 극성을 갖지 않고 실질적으로 중성 상태일 수 있다. 본 단계에 대해서는 도 21 내지 도 30과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이어서 도 41을 참조하면, 임시 점착층(820) 상에 베이스(BS), 구동 소자층(DE), 평탄화층(300), 발광 소자(400) 및 봉지층(600)을 형성한다. 본 단계에 대해서는 도 31 내지 도 33과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
도 42는 캐리어 기판(CS)을 베이스(BS)로부터 박리하는 단계를 나타낸 도면이고, 도 43은 도 42의 임시 점착층(820)의 전하 상태를 나타낸 개략도이다.
도 42 및 도 43을 참조하면, 베이스(BS)의 가장자리부를 부분적으로 절개하고, 캐리어 기판(CS)을 베이스(BS)로부터 박리한다. 본 단계에 대해서는 도 34 내지 도 36과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
전술한 것과 같이, 베이스(BS)의 배면에 잔존하는 제1 임시 점착층(821), 제2 임시 점착층(822), 제3 임시 점착층(823) 및 제4 임시 점착층(824)은 실질적으로 중성을 가질 수 있다.
도면으로 나타내지 않았으나, 몇몇 실시예에서 베이스(BS)의 배면 상에 배치된 임시 점착층(820)을 부분적으로 제거하는 단계 및 베이스(BS)의 배면 상에 접착층(미도시)을 개재하여 기능성 시트(미도시)를 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도 44 내지 도 48은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
우선 도 44 및 도 45를 참조하면, 캐리어 기판(CS) 상에 제1 임시 점착층(831), 제2 임시 점착층(832), 제3 임시 점착층(833) 및 제4 임시 점착층(834)을 포함하는 임시 점착층(830)을 형성하고, 임시 점착층(830)을 열 처리한다.
예시적인 실시예에서, 제1 임시 점착층(831) 및 제3 임시 점착층(833)은 제1 크기를 갖는 제1 판상 무기물 입자(831a) 및 제1 크기보다 큰 제2 크기를 갖는 제2 판상 무기물 입자(831b)를 포함할 수 있다. 또, 제2 임시 점착층(832) 및 제4 임시 점착층(834)은 제2 크기보다 작은 제3 크기를 갖는 제3 판상 무기물 입자(832a) 및 제3 크기보다 큰 제4 크기를 갖는 제4 판상 무기물 입자(832b)를 포함할 수 있다.
제1 판상 무기물 입자(831a)와 제2 판상 무기물 입자(831b)는 서로 실질적으로 동일한 종류의 판상 무기물 입자이고, 제3 판상 무기물 입자(832a)와 제4 판상 무기물 입자(832b)는 서로 실질적으로 동일한 종류의 판상 무기물 입자일 수 있다. 또, 제1 판상 무기물 입자(831a)와 제3 판상 무기물 입자(832a)는 서로 다른 종류의 판상 무기물 입자일 수 있다. 예를 들어, 제1 판상 무기물 입자(831a) 및 제2 판상 무기물 입자(831b)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자이고, 제3 판상 무기물 입자(832a) 및 제4 판상 무기물 입자(832b)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 판상 무기물 입자(831a) 및 제2 판상 무기물 입자(831b)는 도 4와 같은 그래핀 산화물 입자이고, 제3 판상 무기물 입자(832a) 및 제4 판상 무기물 입자(832b)는 도 5와 같은 그래핀 산화물 입자일 수도 있다.
임시 점착층(830)들 내의 제1 판상 무기물 입자(831a)와 제2 판상 무기물 입자(831b) 및 제3 판상 무기물 입자(832a)와 제4 판상 무기물 입자(832b)는 앞서 도 6 및 도 7에서 설명한 판상 무기물 입자들과 같은 크기 및 배열을 가질 수 있는 바 중복되는 설명은 생략한다. 예를 들어, 제2 판상 무기물 입자(831b)의 제2 크기는 제1 판상 무기물 입자(831a)의 제1 크기의 약 6배 이상, 또는 약 6.1배 이상, 또는 약 6.2배 이상, 또는 약 6.3배 이상, 또는 약 6.4배 이상, 또는 약 6.5배 이상일 수 있다. 또, 제4 판상 무기물 입자(832b)의 제4 크기는 제3 판상 무기물 입자(832a)의 제3 크기의 약 6배 이상, 또는 약 6.1배 이상, 또는 약 6.2배 이상, 또는 약 6.3배 이상, 또는 약 6.4배 이상, 또는 약 6.5배 이상일 수 있다. 제1 판상 무기물 입자(831a)의 제1 크기는 제3 판상 무기물 입자(832a)의 제3 크기와 실질적으로 동일하거나, 또는 상이하고, 제2 판상 무기물 입자(831b)의 제2 크기는 제4 판상 무기물 입자(832b)의 제4 크기와 실질적으로 동일하거나, 또는 상이할 수 있다.
열 처리된 임시 점착층(830)은 극성을 갖지 않고 실질적으로 중성 상태일 수 있다. 본 단계에 대해서는 도 21 내지 도 30과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이어서 도 46을 참조하면, 임시 점착층(830) 상에 베이스(BS), 구동 소자층(DE), 평탄화층(300), 발광 소자(400) 및 봉지층(600)을 형성한다. 본 단계에 대해서는 도 31 내지 도 33과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
도 47은 캐리어 기판(CS)을 베이스(BS)로부터 박리하는 단계를 나타낸 도면이고, 도 48은 도 47의 임시 점착층(830)의 전하 상태를 나타낸 개략도이다.
도 47 및 도 48을 참조하면, 베이스(BS)의 가장자리부를 부분적으로 절개하고, 캐리어 기판(CS)을 베이스(BS)로부터 박리한다. 본 단계에 대해서는 도 34 내지 도 36과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
전술한 것과 같이, 베이스(BS)의 배면에 잔존하는 제1 임시 점착층(831), 제2 임시 점착층(832), 제3 임시 점착층(833) 및 제4 임시 점착층(834)은 실질적으로 중성을 가질 수 있다.
도면으로 나타내지 않았으나, 몇몇 실시예에서 베이스(BS)의 배면 상에 배치된 임시 점착층(830)을 부분적으로 제거하는 단계 및 베이스(BS)의 배면 상에 접착층(미도시)을 개재하여 기능성 시트(미도시)를 배치하는 단계를 더 포함할 수 있다.
도 49 내지 도 51은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
우선 도 49를 참조하면, 캐리어 기판(CS) 상에 임시 점착층(840), 베이스(BS), 구동 소자층(DE), 평탄화층(300), 발광 소자(400) 및 봉지층(600)을 형성한다. 본 단계에 대해서는 도 21 내지 도 33과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
도면으로 나타내지 않았으나, 제1 임시 점착층(841), 제2 임시 점착층(842), 제3 임시 점착층(843) 및 제4 임시 점착층(844)은 각각 실질적으로 중성을 가질 수 있다.
이어서 도 50을 참조하면, 베이스(BS)의 가장자리부를 부분적으로 절개하고, 캐리어 기판(CS)을 베이스(BS)로부터 박리한다.
예시적인 실시예에서, 제3 임시 점착층(843)과 제4 임시 점착층(844)은 베이스(BS)의 배면 상에 잔존하고, 제1 임시 점착층(841) 및 제2 임시 점착층(842)은 캐리어 기판(CS)과 함께 박리되어 제거될 수 있다. 예를 들어, 극성이 사라진 상태에서 반데르발스 힘 등의 약한 결합력으로 임시 점착되어 있던 제2 임시 점착층(842)과 제3 임시 점착층(843)의 계면은 분리될 수 있다.
본 단계에 대해서는 도 34 내지 도 36과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이어서 도 51을 참조하면, 베이스(BS)의 배면 상에 배치된 제3 임시 점착층(843) 및 제4 임시 점착층(844)을 부분적으로 제거하고, 베이스(BS)의 배면 상에 접착층(950)을 개재하여 기능성 시트(970)를 배치한다. 본 단계에 대해서는 도 37 및 도 38과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
도 52 내지 도 54는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면들이다.
우선 도 52를 참조하면, 캐리어 기판(CS) 상에 임시 점착층(850), 베이스(BS), 구동 소자층(DE), 평탄화층(300), 발광 소자(400) 및 봉지층(600)을 형성한다. 본 단계에 대해서는 도 21 내지 도 33과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
도면으로 나타내지 않았으나, 제1 임시 점착층(851), 제2 임시 점착층(852), 제3 임시 점착층(853) 및 제4 임시 점착층(854)은 각각 실질적으로 중성을 가질 수 있다.
이어서 도 53을 참조하면, 베이스(BS)의 가장자리부를 부분적으로 절개하고, 캐리어 기판(CS)을 베이스(BS)로부터 박리한다.
예시적인 실시예에서, 제4 임시 점착층(854)은 베이스(BS)의 배면 상에 잔존하고, 제1 임시 점착층(851), 제2 임시 점착층(852) 및 제3 임시 점착층(853)은 캐리어 기판(CS)과 함께 박리되어 제거될 수 있다. 예를 들어, 극성이 사라진 상태에서 반데르발스 힘 등의 약한 결합력으로 임시 점착되어 있던 제3 임시 점착층(853)과 제4 임시 점착층(854)의 계면은 분리될 수 있다.
본 단계에 대해서는 도 34 내지 도 36과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이어서 도 54를 참조하면, 베이스(BS)의 배면 상에 배치된 제4 임시 점착층(854)을 부분적으로 제거하고, 베이스(BS)의 배면 상에 접착층(960)을 개재하여 기능성 시트(970)를 배치한다. 본 단계에 대해서는 도 37 및 도 38과 함께 설명한 바 있으므로 중복되는 설명은 생략한다.
이하, 제조예와 비교예 및 실험예를 참조하여 본 발명에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
<제조예 1>
앞서 설명한 것과 같이, 음 전하를 갖도록 표면 처리된 캐리어 기판 상에 임시 점착층을 형성하고 열 처리하여 캐리어 기판과 임시 점착층의 극성을 제거하였다. 그 다음 임시 점착층 상에 이미드계 고분자로 이루어진 베이스, 구동 소자층, 평탄화층, 발광 소자 및 봉지층을 형성한 후 캐리어 기판을 박리하여 표시 장치를 제조하였다.
또, 양 전하를 갖는 임시 점착층은 수용액 상태에서 양 전하를 형성할 수 있는 아민기를 갖는 그래핀 산화물을 이용하였다. 양 전하를 임시 점착층 내 그래핀 산화물은 5㎛ 입경을 갖는 그래핀 산화물 및 30㎛ 입경을 갖는 그래핀 산화물을 이용하였다.
음 전하를 갖는 임시 점착층은 수용액 상태에서 음 전하를 형성할 수 있는 히드록실기, 카르복실기 및 에폭시기를 갖는 그래핀 산화물을 이용하였다. 또, 음 전하를 갖는 임시 점착층 내 그래핀 산화물은 5㎛ 입경을 갖는 그래핀 산화물 및 30㎛ 입경을 갖는 그래핀 산화물을 이용하였다.
음 전하를 갖는 임시 점착층 3층과 양 전하를 갖는 임시 점착층 3층을 교번적으로 적층하여 총 6층으로 구성된 임시 점착층을 형성하였다. 즉, 임시 점착층은 3 다이아드로 구성하였다.
<제조예 2>
임시 점착층을 4 다이아드로 구성한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 표시 장치를 제조하였다. 그리고 캐리어 기판을 박리한 상태에서 베이스의 배면에 잔존하는 임시 점착층의 이미지를 도 55에 나타내었다.
<비교예 1>
음 전하를 갖도록 표면 처리된 캐리어 기판 상에 임시 점착층을 형성하고 열 처리하여 캐리어 기판과 임시 점착층의 극성을 제거하였다. 그 다음 임시 점착층 상에 이미드계 고분자로 이루어진 베이스, 구동 소자층, 평탄화층, 발광 소자 및 봉지층을 형성한 후 캐리어 기판을 박리하여 표시 장치를 제조하였다.
양 전하를 갖는 임시 점착층은 폴리머 전해질 재료로서 폴리에틸렌이민을 사용하였다. 음 전하를 갖는 임시 점착층은 제조예 1과 마찬가지로 그래핀 산화물을 이용하였다.
음 전하를 갖는 임시 점착층 3층과 양 전하를 갖는 임시 점착층 3층을 교번적으로 적층하여 총 6층으로 구성된 임시 점착층을 형성하였다. 즉, 임시 점착층은 3 다이아드로 구성하였다.
<비교예 2>
임시 점착층을 4 다이아드로 구성한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 표시 장치를 제조하였다. 그리고 캐리어 기판을 박리한 상태에서 베이스의 배면에 잔존하는 임시 점착층의 이미지를 도 56에 나타내었다.
<실험예>
제조예 1과 제조예 2 및 비교예 1과 비교예 2에 따라 표시 장치를 제조하는 과정 중에 캐리어 기판의 박리 공정에서 임시 점착층에 의한 점착력을 측정하였다.
구체적으로 캐리어 기판 등을 수직 방향으로 세운 상태에서, 베이스 등의 구성요소를 수직 방향 상측으로 박리하였다. 이 때 임시 점착층에 의한 캐리어 기판과 베이스 사이의 점착력을 측정하여 그 결과를 도 57에 나타내었다.
우선 도 55를 참조하면, 제조예 2에 따라 제조된 표시 장치의 임시 점착층은 매끄러운 표면을 갖는 것을 확인할 수 있다.
반면 도 56을 참조하면, 비교예 2에 따라 제조된 표시 장치의 임시 점착층은 부분적으로 포어가 형성된 것을 확인할 수 있다. 즉, 고분자 계열 임시 점착층을 이용한 비교예 2의 경우 그렇지 않은 제조예 2에 비해 임시 점착층 표면이 매끄럽지 못한 것을 알 수 있다. 비교예 2에 따른 임시 점착층의 포어는 임시 점착층 형성 후 후속 고정 중에 임시 점착층 내 고분자 재료가 고온에 노출되어 열 분해 및/또는 재경화되고 임시 점착층들의 층 간에 트랩되어 잔존하는 것일 수 있다.
다음으로 도 57을 참조하면, 제조예와 비교예 모두 다이어드 수가 증가함에 따라 점착력이 감소하는 것을 확인할 수 있다. 또, 임시 점착층으로 그래핀 산화물만을 이용한 제조예 1과 제조예 2는 매우 낮은 수준의 점착력을 가짐을 확인할 수 있다.
앞서 설명한 것과 같이, 임시 점착층으로 고분자 재료를 사용한 비교예 2의 경우 임시 점착층 내 포어가 발생하는 문제가 있다. 그러나 본 발명에 따른 제조예 1과 제조예 2는 임시 점착층으로 열적 안정성이 우수한 그래핀 산화물을 이용하여 포어 발생 문제를 방지할 수 있으며, 고분자 재료를 이용한 제조예 2와 동등하거나 더 낮은 점착력을 갖는 임시 점착층을 형성할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
BS: 베이스
DE: 구동 소자층
300: 평탄화층
400: 발광 소자
500: 화소 정의막
600: 봉지층
710: 판상 무기물층

Claims (30)

  1. 베이스;
    상기 베이스의 일면 상에 배치된 발광 소자; 및
    상기 베이스의 타면 상에 배치된 판상 무기물층을 포함하되,
    상기 판상 무기물층은, 상기 베이스의 상기 타면 상에 직접 배치되고, 수평 방향 크기가 제1 크기를 갖는 제1 판상 무기물 입자를 포함하는 제1 판상 무기물 입자층, 및
    상기 제1 판상 무기물층 상에 직접 배치되고, 수평 방향 크기가 상기 제1 크기와 상이한 제2 크기를 갖는 제2 판상 무기물 입자를 포함하는 제2 판상 무기물층을 포함하고,
    상기 제1 판상 무기물 입자의 상기 제1 크기는 0.5㎛ 내지 8.0㎛이고, 상기 제2 판상 무기물 입자의 상기 제2 크기는 20.0㎛ 내지 50.0㎛의 범위를 갖는 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 판상 무기물 입자는 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하고, 질소원자를 불포함하는 판상 무기물 입자이고,
    상기 제2 판상 무기물 입자는 탄소원자 및 수소원자를 포함하고, 질소원자를 더 포함하는 그래핀 산화물 입자인 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 판상 무기물 입자의 탄소원자, 수소원자 및 산소원자는, 히드록실기, 카르복실기 또는 에폭시기 중 하나 이상을 형성하고,
    상기 제2 판상 무기물 입자의 탄소원자, 수소원자 및 질소원자는 아민기를 형성하는 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 판상 무기물층은, 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하고, 질소원자를 불포함하며 상기 제1 크기와 상이한 수평 방향 크기인 제3 크기를 갖는 제3 판상 무기물 입자를 더 포함하는 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 판상 무기물층은, 탄소원자 및 수소원자를 포함하고, 질소원자를 더 포함하며 상기 제2 크기와 상이한 수평 방향 크기인 제4 크기를 갖는 제4 판상 무기물 입자를 더 포함하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3 크기는 상기 제1 크기의 6배 이상이고,
    상기 제2 크기는 상기 제4 크기의 6배 이상인 표시 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2 판상 무기물층은 상기 제1 판상 무기물 입자와 상이한 종류의 상기 제2 판상 무기물 입자를 포함하고,
    상기 판상 무기물층은,
    상기 제2 판상 무기물층 상에 직접 배치되고, 상기 제1 판상 무기물 입자와 동일한 종류의 제3 판상 무기물 입자를 포함하는 제3 판상 무기물층, 및
    상기 제3 판상 무기물층 상에 직접 배치되고, 상기 제2 판상 무기물 입자와 동일한 종류의 제4 판상 무기물 입자를 포함하는 제4 판상 무기물층을 포함하는 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 판상 무기물층 상에 직접 배치된 접착층을 더 포함하되,
    상기 판상 무기물층은 상기 베이스의 상기 타면 상에 부분적으로만 배치되어 상기 타면을 부분적으로 노출시키고,
    상기 접착층은 상기 베이스의 상기 타면과 맞닿는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 발광 소자 상에 배치되고, 교번적으로 적층된 하나 이상의 무기층 및 하나 이상의 유기층을 포함하는 봉지층; 및
    상기 접착층 상에 배치된 기능성 시트를 더 포함하되,
    상기 기능성 시트는 차광 시트, 쿠션 시트 및 금속 시트 중 하나 이상을 포함하는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 표시 장치에는 영상이 표시되는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸며 영상이 표시되지 않는 비표시 영역이 정의되고,
    상기 판상 무기물층은 상기 표시 영역 및 상기 비표시 영역 내에 위치하는 표시 장치.
  14. 베이스;
    상기 베이스의 일면 상에 배치된 발광 소자; 및
    상기 베이스의 타면 상에 배치되는 판상 무기물층을 포함하고,
    상기 판상 무기물층은 상기 베이스의 상기 타면 상에 배치된 제1 판상 무기물층, 및 상기 제1 판상 무기물층 상에 배치된 제2 판상 무기물층을 포함하고,
    상기 제1 판상 무기물층은 탄소원자, 수소원자 및 질소원자를 포함하는 제1 그래핀 산화물 입자를 포함하고,
    상기 제2 판상 무기물층은 상기 제1 그래핀 산화물과 다른 판상 무기물 입자를 포함하는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 판상 무기물층은, 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하고, 질소원자를 불포함하는 제2 그래핀 산화물 입자를 더 포함하는 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 그래핀 산화물 입자의 수평 방향 크기인 제1 크기와 상기 제2 그래핀 산화물 입자의 수평 방향 크기인 제2 크기는 동일한 표시 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 판상 무기물층은 판상 규산염 입자를 더 포함하는 표시 장치.
  18. 캐리어 기판 상에 제1 판상 무기물 입자를 포함하고, 제1 전하를 갖는 제1 임시 점착층을 형성하는 단계;
    상기 제1 임시 점착층 상에 제2 판상 무기물 입자를 포함하고, 상기 제1 전하와 반대되는 제2 전하를 갖는 제2 임시 점착층을 형성하는 단계;
    상기 제2 임시 점착층 상에 베이스를 형성하는 단계; 및
    상기 베이스 상에 발광 소자를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 임시 점착층은 상기 캐리어 기판 상에 직접 배치되고, 수평 방향 크기가 제1 크기를 갖는 제1 판상 무기물 입자를 포함하고,
    상기 제2 임시 점착층은 상기 제1 임시 점착층 상에 직접 배치되고, 수평 방향 크기가 상기 제1 크기와 상이한 제2 크기를 갖는 제2 판상 무기물 입자를 포함하고,
    상기 제1 판상 무기물 입자의 상기 제1 크기는 0.5㎛ 내지 8.0㎛이고, 상기 제2 판상 무기물 입자의 상기 제2 크기는 20.0㎛ 내지 50.0㎛의 범위를 갖는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 임시 점착층은 상기 제1 판상 무기물 입자보다 수평 방향 크기가 큰 제3 크기를 갖는 제3 판상 무기물 입자를 더 포함하며,
    상기 제3 판상 무기물 입자의 상기 제3 크기는 상기 제1 판상 무기물 입자의 상기 제1 크기의 6배 이상인 표시 장치의 제조 방법.
  20. 삭제
  21. 제18항에 있어서,
    상기 제1 판상 무기물 입자는, 탄소원자, 수소원자 및 질소원자를 포함하는 그래핀 산화물 입자인 표시 장치의 제조 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 제2 판상 무기물 입자는, 탄소원자, 수소원자 및 산소원자를 포함하고, 질소원자를 불포함하는 그래핀 산화물 입자이거나, 또는 판상 규산염 입자인 표시 장치의 제조 방법.
  23. 제18항에 있어서,
    상기 제2 임시 점착층을 형성하는 단계와 상기 베이스를 형성하는 단계 사이에, 상기 제1 임시 점착층과 상기 제2 임시 점착층을 열처리하는 단계를 더 포함하되,
    상기 베이스를 형성하는 단계에서, 상기 제1 임시 점착층과 상기 제2 임시 점착층은 각각 극성을 갖지 않는 표시 장치의 제조 방법.
  24. 제18항에 있어서,
    상기 베이스를 형성하는 단계에서, 상기 베이스는 상기 제1 임시 점착층과 상기 제2 임시 점착층의 측면을 커버하고, 상기 캐리어 기판과 맞닿도록 형성되는 표시 장치의 제조 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 발광 소자 상에 봉지층을 형성하는 단계; 및
    상기 봉지층을 형성한 후에 상기 캐리어 기판을 박리하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 캐리어 기판을 박리하는 단계는,
    상기 베이스의 가장자리부를 부분적으로 절개하여, 상기 제1 임시 점착층과 상기 제2 임시 점착층을 부분적으로 노출시키는 단계, 및
    상기 제1 임시 점착층과 상기 제2 임시 점착층을 노출시킨 후에 상기 캐리어 기판을 기계적으로 박리하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 제1 임시 점착층과 상기 제2 임시 점착층을 노출시킨 후에, 상기 캐리어 기판과 상기 베이스 사이의 점착력은 5.0gf/in 이하인 표시 장치의 제조 방법.
  28. 제26항에 있어서,
    상기 베이스는 상기 제2 임시 점착층 상에 직접 형성되고,
    상기 제1 임시 점착층 및 상기 제2 임시 점착층과 중첩하는 상기 베이스의 면적에 대한 상기 제1 판상 무기물 입자와 상기 제2 판상 무기물 입자의 커버리지는 95.0% 이상인 표시 장치의 제조 방법.
  29. 제26항에 있어서,
    상기 베이스를 형성하는 단계와 상기 발광 소자를 형성하는 단계 사이에, 상기 베이스와 상기 발광 소자 사이에 구동 소자층을 형성하는 단계를 더 포함하되,
    상기 구동 소자층을 형성하는 단계는, 450℃ 이상의 온도에서 열 처리하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  30. 제26항에 있어서,
    상기 캐리어 기판을 기계적으로 박리하는 단계 후에,
    상기 제1 임시 점착층 또는 상기 제2 임시 점착층을 부분적으로 제거하여 상기 베이스 표면을 부분적으로 노출시키는 단계; 및
    접착층을 개재하여 상기 베이스 상에 기능성 시트를 배치하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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