KR102426429B1 - 캐리어를 구비한 구리박 및 그 제조 방법, 그리고 배선층을 구비한 코어리스 지지체 및 프린트 배선판의 제조 방법 - Google Patents

캐리어를 구비한 구리박 및 그 제조 방법, 그리고 배선층을 구비한 코어리스 지지체 및 프린트 배선판의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

코어리스 지지체 표면의 배선층 형성 시에 반사 방지층이 구리 플래시 에칭액에 대하여 우수한 내약품성을 나타냄과 함께, 구리 플래시 에칭 후의 화상 검사 시에 반사 방지층과의 콘트라스트에 의해 배선층의 우수한 시인성을 초래할 수 있는, 캐리어를 구비한 구리박이 제공된다. 이 캐리어를 구비한 구리박은, 캐리어와, 캐리어 상에 마련되는 박리층과, 박리층 상에 마련되고, Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 구성되는 반사 방지층과, 반사 방지층 상에 마련되는 극박 구리층을 구비하고, 반사 방지층의 적어도 극박 구리층측의 표면이 금속 입자의 집합체이다.

Description

캐리어를 구비한 구리박 및 그 제조 방법, 그리고 배선층을 구비한 코어리스 지지체 및 프린트 배선판의 제조 방법{COPPER FOIL WITH CARRIER, PRODUCTION METHOD FOR SAME, PRODUCTION METHOD FOR CORELESS SUPPORT WITH WIRING LAYER, AND PRODUCTION METHOD FOR PRINTED CIRCUIT BOARD}
본 발명은 캐리어를 구비한 구리박 및 그 제조 방법, 그리고 배선층을 구비한 코어리스 지지체 및 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.
근년, 프린트 배선판의 실장 밀도를 높여 소형화하기 위해, 프린트 배선판의 다층화가 널리 행해지도록 되고 있다. 이러한 다층 프린트 배선판은, 휴대용 전자 기기의 대부분에서, 경량화나 소형화를 목적으로서 이용되고 있다. 그리고, 이 다층 프린트 배선판에는, 층간 절연층의 한층 더한 두께의 저감, 및 배선판으로서의 한층 더한 경량화가 요구되고 있다.
이러한 요구를 만족시키는 기술로서, 코어리스 빌드업법을 사용한 다층 프린트 배선판의 제조 방법이 채용되고 있다. 코어리스 빌드업법이란, 소위 코어 기판을 사용하지 않고, 절연층과 배선층을 교대로 적층(빌드업)하여 다층화하는 방법이다. 코어리스 빌드업법에 있어서는, 지지체와 다층 프린트 배선판의 박리를 용이하게 행할 수 있도록, 캐리어를 구비한 구리박을 사용하는 것이 제안되어 있다. 예를 들어, 특허문헌 1(일본 특허 공개 제2005-101137호 공보)에는, 캐리어를 구비한 구리박의 캐리어면에 절연 수지층을 첩부하여 지지체로 하고, 캐리어를 구비한 구리박의 극박 구리층측에 포토레지스트 가공, 패턴 전해 구리 도금, 레지스트 제거 등의 공정에 의해 제1 배선 도체를 형성한 후, 빌드업 배선층을 형성하고, 캐리어를 구비한 지지 기판을 박리하고, 극박 구리층을 제거하는 것을 포함하는, 반도체 소자 탑재용 패키지 기판의 제조 방법이 개시되어 있다.
그런데, 특허문헌 1에 개시되는 바와 같은 매립 회로의 미세화를 위해, 극박 구리층의 두께를 1㎛ 이하로 한 캐리어를 구비한 구리박이 요망된다. 그래서, 극박 구리층의 두께 저감을 실현하기 위해, 기상법에 의해 극박 구리층을 형성하는 것이 제안되어 있다. 예를 들어, 특허문헌 2(일본 특허 제4726855호 공보)에는, 캐리어 시트의 표면에 접합 계면층을 개재시켜 구리박층을 갖는 캐리어 시트를 구비한 구리박이 개시되어 있고, 당해 접합 계면층은, 물리 증착법을 사용하여 형성한 금속층(캐리어 시트측)/탄소층(극박 구리층측)의 2층으로 이루어지고, 구리박층은, 접합 계면층 상에 물리 증착법으로 10nm 내지 300nm 두께의 제1 구리층을 형성하고, 또한 전해법으로 제2 구리층을 형성함으로써 얻어진 것임이 개시되어 있다. 또한, 이 접합 계면층을 구성하는 금속층은, 탄탈륨, 니오븀, 지르코늄, 니켈, 크롬, 티타늄, 철, 규소, 몰리브덴, 바나듐, 텅스텐 중 어느 것으로 구성된 층일 수 있음이 특허문헌 2에는 기재되어 있다.
또한, 특허문헌 3(일본 특허 제4072431호 공보)에는, 캐리어박의 표면에, 크롬층인 박리층, CO2 가스 레이저가 발진하는 파장의 광을 흡수하기 쉬운 층인 확산 방지층, 및 전기 구리 도금층을 이 순서로 적층하여 이루어지는 캐리어를 구비한 구리박이 개시되어 있고, 확산 방지층이 니켈, 코발트, 철, 몰리브덴, 텅스텐, 알루미늄 및 인으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원소로 이루어지는 단일 금속의 층, 혹은 니켈, 코발트, 철, 크롬, 몰리브덴, 텅스텐, 구리, 알루미늄 및 인으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 원소로 이루어지는 2종 이상의 금속의 합금층 또는 1종 이상의 금속 산화물층임이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2005-101137호 공보 일본 특허 제4726855호 공보 일본 특허 제4072431호 공보 일본 특허 공개 제2015-35551호 공보
그런데, 프린트 배선판의 패키징 기술의 하나인 FO-WLP(Fan-Out Wafer Level Packaging)나 FO-PLP(Fan-Out Panel Level Packaging)에 있어서도, 코어리스 빌드업법의 채용이 검토되고 있다. 그러한 공법의 하나로서, 코어리스 지지체 표면에 배선층 및 필요에 따라 빌드업 배선층을 형성하고, 또한 필요에 따라 지지체를 박리한 후에, 칩의 실장을 행하는, RDL-First(Redistribution Layer-First)법이라고 불리는 공법이 있다(예를 들어 특허문헌 4(일본 특허 공개 제2015-35551호 공보) 참조). 이 공법에 따르면, 칩의 실장을 행하기 전에 코어리스 지지체 표면의 배선층이나 그 후에 적층되는 각 빌드업 배선층의 화상 검사를 행할 수 있기 때문에, 각 배선층의 불량 부분을 피하여, 양품 부분에만 칩을 실장할 수 있다. 그 결과, RDL-First법은 칩의 낭비를 회피할 수 있다는 점에서, 칩의 표면에 배선층을 축차 적층하는 공법인 Chip-First법 등과 비교하면 경제적으로 유리하다. 여기서, 코어리스 지지체 표면의 배선층을 형성한 직후에 화상 검사를 행하는 데는, 코어리스 지지체 표면에 포토레지스트 가공, 전기 도금, 및 포토레지스트 박리 등을 행한 후, 또한 필요에 따라 배선간에 존재하는 극박 구리층의 플래시 에칭을 행한 후, 필요에 따라 칩 등의 전자 소자의 탑재를 행하고, 그 후 빌드업층의 형성을 행한다. 그러나, 이와 같이 하여 극박 구리층을 구리 플래시 에칭에 의해 제거해 버리면, 하지로서 노출되는 캐리어와의 사이의 시각적 콘트라스트를 충분히 확보할 수 없는 경우가 있으며, 구리로 구성되는 배선층의 화상 검사(예를 들어 자동 화상 검사(AOI))에 있어서의 시인성이 저하될 수 있다. 그래서, 캐리어를 구비한 구리박의 박리층과 극박 구리층의 사이에 상기 시각적 콘트라스트 향상을 위한 반사 방지층을 마련하고, 이 반사 방지층을 구리 플래시 에칭을 거쳐 잔존시킴으로써, 그 후의 화상 검사 시에 있어서의 배선층의 시인성을 향상시킬 수 있으면 바람직하다. 또한, 그러한 반사 방지층은 구리 플래시 에칭액에 대하여 용해되지 않는다고 하는 성질, 즉 구리 플래시 에칭액에 대한 내약품성이 우수할 것이 요망된다.
본 발명자들은, 금번, 캐리어를 구비한 구리박의 박리층과 극박 구리층의 사이에, 소정의 금속으로 구성되고, 적어도 극박 구리층측의 표면이 금속 입자의 집합체인 반사 방지층을 개재시킴으로써, 코어리스 지지체 표면의 배선층 형성 시에 반사 방지층이 구리 플래시 에칭액에 대하여 우수한 내약품성을 나타냄과 함께, 구리 플래시 에칭 후의 화상 검사 시에 반사 방지층과의 콘트라스트에 의해 배선층의 우수한 시인성을 초래할 수 있다는 지견을 얻었다.
따라서, 본 발명의 목적은, 코어리스 지지체 표면의 배선층 형성 시에 반사 방지층이 구리 플래시 에칭액에 대하여 우수한 내약품성을 나타냄과 함께, 구리 플래시 에칭 후의 화상 검사 시에 반사 방지층과의 콘트라스트에 의해 배선층의 우수한 시인성을 초래하는 것을 가능하게 하는, 캐리어를 구비한 구리박을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 캐리어와,
상기 캐리어 상에 마련되는 박리층과,
상기 박리층 상에 마련되고, Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 구성되는 반사 방지층과,
상기 반사 방지층 상에 마련되는 극박 구리층을
구비하고, 상기 반사 방지층의 적어도 상기 극박 구리층측의 표면이 금속 입자의 집합체인, 캐리어를 구비한 구리박이 제공된다.
본 발명의 다른 일 양태에 따르면, 상기 형태에 따른 캐리어를 구비한 구리박의 제조 방법이며,
상기 캐리어 상에 상기 박리층을 형성하는 공정과,
Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 구성되는 금속 타깃을 사용하여, 마그네트론 스퍼터링법에 의해, 불활성 가스 분위기 하, 압력 1 내지 20Pa에서, 상기 박리층 상에 상기 반사 방지층을 형성하는 공정과,
상기 반사 방지층 상에 상기 극박 구리층을 형성하는 공정을
포함하는, 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 일 양태에 따르면, 상기 양태에 따른 캐리어를 구비한 구리박을 지지체로서 준비하는 공정과,
상기 극박 구리층의 표면에 포토레지스트층을 소정의 패턴으로 형성하는 공정과,
상기 극박 구리층의 노출 표면에 전기 구리 도금층을 형성하는 공정과,
상기 포토레지스트층을 박리하는 공정과,
상기 극박 구리층의 불필요 부분을 구리 플래시 에칭에 의해 제거하여 상기 반사 방지층을 노출시키고, 그에 의해 배선층이 형성된 코어리스 지지체를 얻는 공정을
포함하는, 배선층을 구비한 코어리스 지지체의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 일 양태에 따르면, 상기 형태에 따른 방법에 의해 상기 배선층을 구비한 코어리스 지지체를 제조하는 공정과,
상기 화상 검사 후, 상기 배선층이 형성된 코어리스 지지체 상에 전자 소자를 탑재하는 공정을
포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 다른 일 양태에 따르면, 상기 양태에 따른 방법에 의해 상기 배선층을 구비한 코어리스 지지체를 제조하거나, 또는 상기 양태에 따른 방법에 의해 상기 프린트 배선판을 제조하는 공정과,
상기 배선층을 구비한 코어리스 지지체의 상기 배선층이 형성된 면에 빌드업층을 형성하여 빌드업층을 구비한 적층체를 제작하는 공정과,
상기 빌드업층을 구비한 적층체를 상기 박리층에서 분리하여 상기 빌드업층을 포함하는 다층 배선판을 얻는 공정과,
상기 반사 방지층을 플래시 에칭에 의해 제거하여, 프린트 배선판을 얻는 공정을
포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법이 제공된다.
도 1은, 본 발명의 캐리어를 구비한 구리박의 일 양태를 도시하는 모식 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 배선층을 구비한 코어리스 지지체 또는 프린트 배선판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이며, 전반의 공정(공정 (a) 내지 (c))을 도시하는 도면이다.
도 3은, 본 발명의 배선층을 구비한 코어리스 지지체 또는 프린트 배선판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이며, 도 2에 이어지는 공정(공정 (d) 내지 (f))을 도시하는 도면이다.
도 4는, 본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도이며, 도 3에 이어지는 공정(공정 (g) 내지 (i))을 도시하는 도면이다.
도 5는, 예 2에서 제작된 배선 패턴을 광학식 자동 외관 검사(AOI) 장치로 스캔하여 얻어진 2치화 화상이다.
캐리어를 구비한 구리박
본 발명의 캐리어를 구비한 구리박이 도 1에 모식적으로 도시된다. 도 1에 도시되는 바와 같이, 본 발명의 캐리어를 구비한 구리박(10)은, 캐리어(12)와, 박리층(16)과, 반사 방지층(17)과, 극박 구리층(18)을 이 순서대로 구비한 것이다. 박리층(16)은, 캐리어(12) 상에 형성되고, 캐리어의 박리를 가능하게 하는 층이다. 반사 방지층(17)은, 박리층(16) 상에 형성되고, 광의 반사를 방지하는 기능을 갖는 층이다. 반사 방지층(17)은 Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 구성되고, 적어도 극박 구리층(18)측의 표면이 금속 입자의 집합체이다. 극박 구리층(18)은, 반사 방지층(17) 상에 형성되는 구리로 이루어지는 층이다. 원하는 바에 따라, 본 발명의 캐리어를 구비한 구리박(10)은, 캐리어(12)의 박리층(16)측의 표면에 밀착 금속층(13) 및/또는 박리 보조층(14)을 가져도 되며, 바람직하게는 밀착 금속층(13) 및 박리 보조층(14)을 이 순서대로 갖는다. 또한, 캐리어(12)의 양면에 상하 대칭으로 되도록 상술한 각종 층을 순서대로 구비하여 이루어지는 구성으로 해도 된다. 캐리어를 구비한 구리박(10)은, 상술한 반사 방지층(17), 및 원하는 바에 따라 밀착 금속층(13) 및/또는 박리 보조층(14)을 구비하는 것 이외에는, 공지의 층 구성을 채용하면 되며 특별히 한정되지 않는다.
이와 같이, 박리층(16)과 극박 구리층(18)의 사이에, 소정의 금속으로 구성되고, 적어도 극박 구리층(18)측의 표면이 금속 입자의 집합체인 반사 방지층(17)을 개재시킴으로써, 1) 코어리스 지지체 표면의 배선층 형성 시에 반사 방지층이 구리 플래시 에칭액에 대하여 우수한 내약품성을 나타냄과 함께, 2) 구리 플래시 에칭 후의 화상 검사 시(예를 들어 자동 화상 검사(AOI))에 반사 방지층과의 콘트라스트에 의해 배선층의 우수한 시인성을 초래하는, 캐리어를 구비한 구리박을 제공하는 것이 가능하게 된다. 즉, 상기 1)에 관하여, 반사 방지층(17)을 구성하는 Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로부터 선택되는 적어도 1종의 금속은, 구리 플래시 에칭액에 대하여 용해되지 않는다고 하는 성질을 가지며, 그 결과, 구리 플래시 에칭액에 대하여 우수한 내약품성을 나타낼 수 있다. 또한, 상기 2)에 관하여, 반사 방지층(17)의 적어도 극박 구리층(18)측의 표면을 구성하는 금속 입자의 집합체는, 그 금속질의 재질 및 입상 형태에 기인하여 바람직한 암색을 나타내고, 그 암색이 구리로 구성되는 배선층과의 사이에서 바람직한 시각적 콘트라스트를 초래하고, 그 결과, 화상 검사(예를 들어 자동 화상 검사(AOI))에 있어서의 시인성을 향상시킨다. 게다가, 본 발명의 캐리어를 구비한 구리박을 사용하여 배선층을 구비한 코어리스 지지체 또는 프린트 배선판을 제조할 때에는, 3) 반사 방지층을 플래시 에칭에 의해 제거할 때 반사 방지층 밑에 노출되는 배선층의 침식을 유의미하게 억제할 수 있다. 즉, 반사 방지층(17)을 구성하는 Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 플래시 에칭하기 위한 에칭액으로서, 선택성이 높은 에칭액을 사용할 수 있는 결과, 배선층을 구성하는 구리의 에칭액에 의한 용해를 억제 또는 회피할 수 있다.
캐리어(12)의 재질은 유리, 세라믹스, 수지 및 금속 중 어느 것이어도 된다. 또한, 캐리어(12)의 형태는 시트, 필름, 판 및 박 중 어느 것이어도 된다. 또한, 캐리어(12)는 이들 시트, 필름, 판 및 박 등이 적층된 것이어도 된다. 예를 들어, 캐리어(12)는 유리판, 세라믹스판, 금속판 등과 같은 강성을 갖는 지지체로서 기능할 수 있는 것이어도 되고, 금속박이나 수지 필름 등과 같은 강성을 갖지 않는 형태여도 된다. 캐리어(12)의 금속의 바람직한 예로서는, 구리, 티타늄, 니켈, 스테인리스 스틸, 알루미늄 등을 들 수 있다. 세라믹스의 바람직한 예로서는, 알루미나, 지르코니아, 질화규소, 질화알루미늄(파인 세라믹스) 등을 들 수 있다. 수지의 바람직한 예로서는, PET 수지, PEN 수지, 아라미드 수지, 폴리이미드 수지, 나일론 수지, 액정 중합체, PEEK 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌술파이드 수지, PTFE 수지, ETFE 수지 등을 들 수 있다. 보다 바람직하게는, 전자 소자를 탑재할 때의 가열에 수반하는 코어리스 지지체의 휨 방지의 관점에서, 열팽창 계수(CTE)가 25ppm/K 미만(전형적으로는 1.0 내지 23ppm/K)의 재료이며, 그러한 재료의 예로서는 상술한 바와 같은 각종 수지(특히 폴리이미드 수지, 액정 중합체 등의 저열팽창 수지), 유리 및 세라믹스 등을 들 수 있다. 또한, 핸들링성이나 칩 실장 시의 평탄성 확보의 관점에서, 캐리어(12)는 비커스 경도가 100HV 이상인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 150 내지 2500HV이다. 이들 특성을 만족하는 재료로서, 캐리어(12)는 수지 필름, 유리 또는 세라믹스로 구성되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 유리 또는 세라믹스로 구성되고, 특히 바람직하게는 유리로 구성된다. 예를 들어 유리 시트이다. 유리를 캐리어(12)로서 사용한 경우, 경량이고, 열팽창 계수가 낮고, 절연성이 높고, 강직하고 표면이 평탄하기 때문에, 극박 구리층(18)의 표면을 극도로 평활하게 할 수 있는 등의 이점이 있다. 또한, 캐리어가 유리인 경우, 전자 소자 탑재 시에 유리한 표면 평탄성(코플래너리티)을 갖고 있다는 점, 프린트 배선판 제조 공정에 있어서의 디스미어나 각종 도금 공정에 있어서 내약품성을 갖고 있다는 점, 후술하는 빌드업층을 구비한 적층체 분리 시에 화학적 분리법을 채용할 수 있다는 점 등의 이점이 있다. 캐리어(12)를 구성하는 유리의 바람직한 예로서는, 석영 유리, 붕규산 유리, 무알칼리 유리, 소다석회 유리, 아미노실리케이트 유리, 및 그것들의 조합을 들 수 있으며, 특히 바람직하게는 무알칼리 유리이다. 무알칼리 유리는, 이산화규소, 산화알루미늄, 산화붕소 및 산화칼슘이나 산화바륨 등의 알칼리 토류 금속 산화물을 주성분으로 하고, 추가로 붕산을 함유하고, 알칼리 금속을 실질적으로 함유하지 않는 유리를 말한다. 이 무알칼리 유리는, 0℃에서 350℃까지의 넓은 온도 대역에 있어서 열팽창 계수가 3 내지 5ppm/K의 범위에서 낮게 안정되어 있기 때문에, 전자 소자로서 반도체 칩을 탑재하였을 때, 유리의 휨을 최소한으로 할 수 있다는 이점이 있다. 캐리어의 두께는 100 내지 2000㎛가 바람직하며, 보다 바람직하게는 300 내지 1800㎛, 더욱 바람직하게는 400 내지 1100㎛이다. 이러한 범위 내의 두께라면, 핸들링에 지장을 초래하지 않는 적절한 강도를 확보하면서 프린트 배선판의 박형화, 및 전자 부품 탑재 시에 발생하는 휨의 저감을 실현할 수 있다.
캐리어(12)의 박리층(16)측(존재하는 경우에는 밀착 금속층(13)측)의 표면은, JIS B 0601-2001에 준거하여 측정되는, 0.1 내지 70nm의 산술 평균 조도 Ra를 갖는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0.5 내지 60nm, 더욱 바람직하게는 1.0 내지 50nm, 특히 바람직하게는 1.5 내지 40nm, 가장 바람직하게는 2.0 내지 30nm이다. 이와 같이 산술 평균 조도가 작을수록, 극박 구리층(18)의 박리층(16)과 반대측의 표면(극박 구리층(18)의 외측 표면)에 있어서 바람직하게 낮은 산술 평균 조도 Ra를 초래할 수 있고, 그에 의해, 캐리어를 구비한 구리박(10)을 사용하여 제조되는 프린트 배선판에 있어서, 라인/스페이스(L/S)가 13㎛ 이하/13㎛ 이하(예를 들어 12㎛/12㎛ 내지 2㎛/2㎛)와 같은 정도까지 고도로 미세화된 배선 패턴의 형성을 형성하기에 적합한 것으로 된다.
원하는 바에 따라 형성되는 밀착 금속층(13)은, 캐리어와의 밀착성을 확보한다는 점에서, Ti, Cr 및 Ni로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 구성되는 층인 것이 바람직하며, 순금속이어도 되고, 합금이어도 된다. 밀착 금속층(13)을 구성하는 금속은 원료 성분이나 성막 공정 등에 기인하는 불가피 불순물을 포함하고 있어도 된다. 또한, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 밀착 금속층(13)의 성막 후에 대기에 폭로되는 경우, 그것에 기인하여 혼입되는 산소의 존재는 허용된다. 밀착 금속층(13)은 스퍼터링 등의 기상법에 의해 형성된 층인 것이 바람직하다. 밀착 금속층(13)은, 금속 타깃을 사용한 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성된 층인 것이 막 두께 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다는 점에서 특히 바람직하다. 밀착 금속층(13)의 두께는 5 내지 500nm인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 10 내지 300nm, 더욱 바람직하게는 18 내지 200nm, 특히 바람직하게는 20 내지 100nm이다. 이 두께는, 층 단면을 투과형 전자 현미경의 에너지 분산형 X선 분광 분석기(TEM-EDX)로 분석함으로써 측정되는 값으로 한다.
원하는 바에 따라 형성되는 박리 보조층(14)은, 박리층(16)과의 박리 강도를 원하는 값으로 제어한다는 점, 코어리스 지지체 내지 캐리어를 박리하였을 때 발생하는 중간층의 탈리 현상의 방지에 의한 우수한 배선 패턴을 형성한다는 점 등에서, 구리로 구성되는 층인 것이 바람직하다. 박리 보조층(14)을 구성하는 구리는 원료 성분이나 성막 공정 등에 기인하는 불가피 불순물을 포함하고 있어도 된다. 또한, 박리 보조층(14) 성막 전후에 대기에 폭로되는 경우, 그것에 기인하여 혼입되는 산소의 존재는 허용된다. 애당초, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 밀착 금속층(13)과 박리 보조층(14)은, 대기 개방하지 않고 연속으로 제막되는 편이 바람직하다. 박리 보조층(14)은 스퍼터링 등의 기상법에 의해 형성된 층인 것이 바람직하다. 박리 보조층(14)은, 구리 타깃을 사용한 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성된 층인 것이 막 두께 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다는 점에서 특히 바람직하다. 박리 보조층(14)의 두께는 5 내지 500nm인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 10 내지 400nm, 더욱 바람직하게는 15 내지 300nm, 특히 바람직하게는 20 내지 200nm이다. 이 두께는, 층 단면을 투과형 전자 현미경의 에너지 분산형 X선 분광 분석기(TEM-EDX)로 분석함으로써 측정되는 값으로 한다.
또한, 밀착 금속층(13) 및 박리 보조층(14)과의 사이에는, 다른 개재층이 존재하고 있어도 된다. 개재층의 구성 재료의 예로서는, Ti, Cr, Mo, Mn, W 및 Ni로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속과 Cu의 합금 등을 들 수 있다.
혹은, 밀착 금속층(13) 및 박리 보조층(14)을, 1층의 중간 합금층으로 치환할 수도 있다. 이 중간 합금층은, Ti, Cr, Mo, Mn, W 및 Ni로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속(이하, 금속 M이라고 함)의 함유량이 1.0at％ 이상이고, 또한 Cu 함유량이 30at％ 이상인 구리 합금으로 구성되는 것이 바람직하다. 즉, 캐리어(12)와 중간 합금층의 밀착성을 확보하고, 또한 박리층(16)에 대한 박리 용이성을 양립시킨다는 점에서, 중간 합금층을 구성하는 금속은, 금속 M과 Cu의 구리 합금인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, Ti, Mo, Mn으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 함유하는 금속과, Cu의 합금이 보다 바람직하다. 중간 합금층에 있어서의 금속 M의 함유율은 1.0원자％ 이상이 바람직하며, 보다 바람직하게는 3.0원자％ 이상, 더욱 바람직하게는 5.0원자％ 이상이다. 중간 합금층에 있어서의 금속 M의 함유율의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 금속 M 함유율은 바람직하게는 30원자％ 이하이고, 보다 바람직하게는 20원자％ 이하이다. 중간 합금층에 있어서의 Cu 함유율은 30원자％ 이상인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 40원자％ 이상, 더욱 바람직하게는 50원자％ 이상이다. 중간 합금층에 있어서의 Cu의 함유율의 상한은 특별히 한정되지 않지만, Cu 함유율은 바람직하게는 99.5원자％ 이하이고, 보다 바람직하게는 97.0원자％ 이하, 더욱 바람직하게는 96.0원자％ 이하이다. 중간 합금층은 스퍼터링 등의 기상법에 의해 형성된 층인 것이 바람직하다. 중간 합금층은, 구리 합금 타깃을 사용한 마그네트론 스퍼터링법에 의해 형성된 층인 것이 막 두께 분포의 균일성을 향상시킬 수 있다는 점에서 특히 바람직하다. 중간 합금층의 두께는 5 내지 500nm인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 10 내지 400nm, 더욱 바람직하게는 15 내지 300nm, 특히 바람직하게는 20 내지 200nm이다. 이 두께는, 층 단면을 투과형 전자 현미경의 에너지 분산형 X선 분광 분석기(TEM-EDX)로 분석함으로써 측정되는 값으로 한다. 또한, 중간 합금층의 내부에는, 다른 개재층이 존재하고 있어도 된다. 개재층의 구성 재료의 예로서는, Ti, Cr, Mo, Mn, W 및 Ni로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속과 Cu의 합금 등을 들 수 있다.
박리층(16)은, 캐리어(12)의 박리를 가능하게 하는 층이며, 캐리어를 구비한 구리박의 박리층으로서 채용되는 공지의 재료로 구성될 수 있다. 박리층(16)은, 유기 박리층 및 무기 박리층 중 어느 것이어도 된다. 유기 박리층에 사용되는 유기 성분의 예로서는, 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물, 카르복실산 등을 들 수 있다. 질소 함유 유기 화합물의 예로서는, 트리아졸 화합물, 이미다졸 화합물 등을 들 수 있다. 한편, 무기 박리층에 사용되는 무기 성분의 예로서는, Ni, Mo, Co, Cr, Fe, Ti, W, P, Zn 중 적어도 1종류 이상의 금속 산화물, 탄소층 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 특히, 박리층(16)은 주로 탄소를 포함하여 이루어지는 층인 것이 박리 용이성이나 막 형성성의 점 등에서 바람직하며, 보다 바람직하게는 주로 탄소 또는 탄화수소로 이루어지는 층이고, 더욱 바람직하게는 경질 탄소막인 아몰퍼스 카본으로 이루어진다. 이 경우, 박리층(16)(즉 탄소층)은 XPS에 의해 측정되는 탄소 농도가 60원자％ 이상인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 70원자％ 이상, 더욱 바람직하게는 80원자％ 이상, 특히 바람직하게는 85원자％ 이상이다. 탄소 농도의 상한값은 특별히 한정되지 않고 100원자％여도 되지만, 98원자％ 이하가 현실적이다. 박리층(16)(특히 탄소층)은 불가피 불순물(예를 들어 분위기 등의 주위 환경으로부터 유래하는 산소, 탄소, 수소 등)을 포함할 수 있다. 또한, 박리층(16)(특히 탄소층)에는 반사 방지층(17)의 성막 방법에 기인하여 금속 원자가 혼입될 수 있다. 탄소는 캐리어와의 상호 확산성 및 반응성이 작고, 300℃를 초과하는 온도에서의 프레스 가공 등을 받아도, 구리박층과 접합 계면의 사이에서의 고온 가열에 의한 금속 결합의 형성을 방지하여, 캐리어의 박리 제거가 용이한 상태를 유지할 수 있다. 이 박리층(16)도 스퍼터링 등의 기상법에 의해 형성된 층인 것이 아몰퍼스 카본 중의 과도한 불순물을 억제한다는 점, 전술한 밀착 금속층(13) 및/또는 박리 보조층(14)의 성막과의 연속 생산성의 점 등에서 바람직하다. 박리층(16)의 두께는 1 내지 20nm가 바람직하며, 보다 바람직하게는 1 내지 10nm이다. 이 두께는, 층 단면을 투과형 전자 현미경의 에너지 분산형 X선 분광 분석기(TEM-EDX)로 분석함으로써 측정되는 값으로 한다.
반사 방지층(17)은 Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 구성되고, 적어도 극박 구리층(18)측의 표면이 금속 입자의 집합체이다. 이때, 반사 방지층(17)은, 전체가 금속 입자의 집합체로 구성되는 층 구조여도 되고, 금속 입자의 집합체로 이루어지는 층과 그 하부에 입자상이 아닌 층을 포함하는 복수층의 구조여도 된다. 전술한 바와 같이, 반사 방지층(17)의 극박 구리층(18)측의 표면을 구성하는 금속 입자의 집합체는, 그 금속질의 재질 및 입상 형태에 기인하여 바람직한 암색을 나타내며, 그 암색이 구리로 구성되는 배선층과의 사이에서 바람직한 시각적 콘트라스트를 초래하고, 그 결과, 화상 검사(예를 들어 자동 화상 검사(AOI))에 있어서의 시인성을 향상시킨다. 즉, 반사 방지층(17)의 표면은 금속 입자의 볼록 형상에 기인하여 광이 난반사하여 검게 시인된다. 게다가, 반사 방지층(17)은 박리층(16)과의 적당한 밀착성과 박리성, 극박 구리층(18)과의 밀착성도 우수하고, 포토레지스트층 형성 시에 있어서의 현상액에 대한 내박리성도 우수하다. 이러한 콘트라스트 및 시인성 향상의 관점에서, 반사 방지층(17)의 극박 구리층(18)측의 표면의 광택도 Gs(60°)는 500 이하인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 450 이하, 더욱 바람직하게는 400 이하, 특히 바람직하게는 350 이하, 가장 바람직하게는 300 이하이다. 광택도 Gs(60°)의 하한값은 낮으면 낮을수록 좋기 때문에, 특별히 한정되지 않지만, 반사 방지층(17)의 극박 구리층(18)측의 표면의 광택도 Gs(60°)는 현실적으로는 100 이상이고, 보다 현실적으로는 150 이상이다. 또한, 조면화 입자의 화상 해석에 의한 경면 광택도 Gs(60°)는 JIS Z 8741-1997(경면 광택도-측정 방법)에 준거하여 시판 중인 광택도계를 사용하여 측정할 수 있다.
또한, 콘트라스트 및 시인성의 향상, 그리고 플래시 에칭의 균일성 향상의 관점에서, 반사 방지층(17)의 극박 구리층(18)측의 표면은, SEM 화상 해석에 의해 결정되는 투영 면적 원 상당 직경이 10 내지 100nm인 금속 입자의 집합체로 구성되는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 25 내지 100nm, 더욱 바람직하게는 65 내지 95nm이다. 이러한 투영 면적 원 상당 직경의 측정은, 반사 방지층(17)의 표면을 주사형 전자 현미경에 의해 소정의 배율(예를 들어 50000배)로 촬영하고, 얻어진 SEM상의 화상 해석에 의해 행할 수 있다. 구체적으로는, 시판 중인 화상 해석식 입도 분포 소프트웨어(예를 들어, Mountech Co., Ltd.사제, Mac-VIEW)를 사용하여 측정되는 투영 면적 원 상당 직경의 상가 평균값을 채용한다.
반사 방지층(17)은, Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 구성되며, 바람직하게는 Ta, Ti, Ni 및 Mo로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로, 보다 바람직하게는 Ti, Ni 및 Mo로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로, 가장 바람직하게는 Ti로 구성된다. 이들 금속은 순금속이어도 되고, 합금이어도 된다. 어떻든, 이들 금속은 본질적으로 산화되어 있지 않은(본질적으로 금속 산화물이 아닌) 것이 Cu와의 시각적 콘트라스트를 향상시키는 바람직한 암색을 나타내기 때문에 바람직하며, 구체적으로는 반사 방지층(17)의 산소 함유량이 0 내지 15원자％인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 0 내지 13원자％, 더욱 바람직하게는 1 내지 10원자％이다. 어떻든 상기 금속은, 구리 플래시 에칭액에 대하여 용해되지 않는다는 성질을 가지며, 그 결과, 구리 플래시 에칭액에 대하여 우수한 내약품성을 나타낼 수 있다. 반사 방지층(17)의 두께는 1 내지 500nm인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 10 내지 300nm, 더욱 바람직하게는 20 내지 200nm, 특히 바람직하게는 30 내지 150nm이다.
극박 구리층(18)은, 어떠한 방법으로 제조된 것이어도 되며, 예를 들어 무전해 구리 도금법 및 전해 구리 도금법 등의 습식 성막법, 스퍼터링 및 진공 증착 등의 물리 기상 성막법, 화학 기상 성막, 또는 그것들의 조합에 의해 형성된 구리박이어도 된다. 특히 바람직한 극박 구리층은, 극박화에 의한 파인 피치화에 대응하기 쉽다는 관점에서, 스퍼터링법이나 그리고 진공 증착 등의 기상법에 의해 형성된 구리층이고, 가장 바람직하게는 스퍼터링법에 의해 제조된 구리층이다. 또한, 극박 구리층은, 무조면화의 구리층인 것이 바람직하지만, 프린트 배선판 제조 시의 배선 패턴 형성에 지장을 초래하지 않는 한 예비적 조면화나 소프트 에칭 처리나 세정 처리, 산화 환원 처리에 의해 이차적인 조면화가 생긴 것이어도 된다. 극박 구리층(18)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 상술한 바와 같은 파인 피치화에 대응하기 위해서는, 50 내지 3000nm가 바람직하며, 보다 바람직하게는 70 내지 2500nm, 더욱 바람직하게는 80 내지 2000nm, 특히 바람직하게는 90 내지 1500nm, 특히 보다 바람직하게는 120 내지 1000nm, 가장 바람직하게는 150 내지 500nm이다. 이러한 범위 내의 두께의 극박 구리층은 스퍼터링법에 의해 제조되는 것이 성막 두께의 면내 균일성이나, 시트상이나 롤상에서의 생산성의 관점에서 바람직하다.
극박 구리층(18)의 박리층(16)과 반대측의 표면(극박 구리층(18)의 외측 표면)이, JIS B 0601-2001에 준거하여 측정되는, 1.0 내지 100nm의 산술 평균 조도 Ra를 갖는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 2.0 내지 40nm, 더욱 바람직하게는 3.0 내지 35nm, 특히 바람직하게는 4.0 내지 30nm, 가장 바람직하게는 5.0 내지 15nm이다. 이와 같이 산술 평균 조도가 작을수록, 캐리어를 구비한 구리박(10)을 사용하여 제조되는 프린트 배선판에 있어서, 라인/스페이스(L/S)가 13㎛ 이하/13㎛ 이하(예를 들어 12㎛/12㎛ 내지 2㎛/2㎛)와 같은 정도까지 고도로 미세화된 배선 패턴의 형성을 형성하기에 적합한 것으로 된다.
반사 방지층(17), 극박 구리층(18), 원하는 바에 따라 밀착 금속층(13), 원하는 바에 따라 박리 보조층(14), 및 원하는 바에 따라 박리층(16)(즉 적어도 반사 방지층(17) 및 극박 구리층(18))이, 캐리어(12)의 단부면까지 연장 돌출되어 당해 단부면이 피복되는 것이 바람직하다. 즉, 캐리어(12)의 표면뿐만 아니라 단부면도 적어도 반사 방지층(17) 및 극박 구리층(18)으로 피복되어 있는 것이 바람직하다. 단부면도 피복함으로써, 프린트 배선판 공정에 있어서의 캐리어(12)에 대한 약액의 침입을 방지할 수 있는 것 외에, 코어리스 지지체를 핸들링할 때(예를 들어 롤러 반송될 때)의 측단부에 있어서의 박리에 의한 칩핑, 즉 박리층(16) 상의 피막(즉 극박 구리층(18) 및 반사 방지층(17))의 결함을 견고하게 방지시킬 수 있다. 밀착 금속층(13)의 캐리어(12) 단부면에 있어서의 성막 두께(단부면에 대하여 수직 방향의 두께, 이하 「단부면 두께」라고 함)는, 바람직하게는 2 내지 350nm, 보다 바람직하게는 3 내지 220nm, 더욱 바람직하게는 5 내지 150nm, 특히 바람직하게는 6 내지 70nm이다. 박리 보조층(14)의 단부면 두께는, 바람직하게는 2 내지 350nm, 보다 바람직하게는 3 내지 220nm, 더욱 바람직하게는 5 내지 150nm, 특히 바람직하게는 6 내지 70nm이다. 박리층(16)의 단부면 두께는, 바람직하게는 0 내지 15nm, 보다 바람직하게는 0 내지 3nm, 더욱 바람직하게는 0 내지 1nm, 특히 바람직하게는 0 내지 0.5nm, 가장 바람직하게는 0nm이다. 즉, 캐리어 단부면에는 박리층(16)이 형성되지 않는 것이 가장 바람직하다. 반사 방지층(17)의 단부면 두께는, 바람직하게는 2 내지 350nm, 보다 바람직하게는 3 내지 220nm, 더욱 바람직하게는 5 내지 150nm, 특히 바람직하게는 6 내지 70nm이다. 극박 구리층(18)의 단부면 두께는, 바람직하게는 15 내지 2800nm, 보다 바람직하게는 20 내지 1800nm, 더욱 바람직하게는 25 내지 1400nm, 특히 바람직하게는 27 내지 1350nm, 특히 보다 바람직하게는 35 내지 700nm, 가장 바람직하게는 45 내지 350nm이다. 또한, 캐리어(12)의 단부면에 있어서의 피복 영역은, 캐리어(12)의 표면으로부터 두께 방향(즉 캐리어 표면에 대하여 수직인 방향)으로 바람직하게는 0.1mm 이상의 영역, 보다 바람직하게는 0.2mm 이상의 영역, 더욱 바람직하게는 캐리어(12)의 단부면 전역을 피복시킨다. 이와 같이 함으로써, 코어리스 지지체의 측단부에 있어서의 피막의 결함이나 프린트 배선판 공정에 있어서의 캐리어에 대한 약액의 침입을 효과적으로 방지할 수 있다.
캐리어를 구비한 구리박의 제조 방법
본 발명에 따른 캐리어를 구비한 구리박(10)은, 상술한 캐리어(12)를 준비하고, 캐리어(12) 상에, 박리층(16), 반사 방지층(17) 및 극박 구리층(18)을 형성함으로써 제조할 수 있다. 또한, 박리층(16)의 형성에 앞서, 캐리어(12) 상에, 밀착 금속층(13) 및/또는 박리 보조층(14)을 형성해도 되며, 바람직하게는 밀착 금속층(13) 및 박리 보조층(14)을 이 순서대로 형성한다. 어떻든, 밀착 금속층(13)(존재하는 경우), 박리 보조층(14)(존재하는 경우), 박리층(16), 반사 방지층(17) 및 극박 구리층(18)의 각 층의 형성은, 극박화에 의한 파인 피치화에 대응하기 쉽다는 관점에서, 기상법에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 기상법의 예로서는, 스퍼터링법, 진공 증착법 및 이온 플레이팅법을 들 수 있지만, 0.05nm 내지 5000nm와 같은 폭넓은 범위에서 막 두께 제어가 가능하다는 점, 넓은 폭 내지 면적에 걸쳐 막 두께 균일성을 확보할 수 있다는 점 등에서, 가장 바람직하게는 스퍼터링법이다. 특히, 밀착 금속층(13)(존재하는 경우), 박리 보조층(14)(존재하는 경우), 박리층(16), 반사 방지층(17) 및 극박 구리층(18)의 모든 층을 스퍼터링법에 의해 형성함으로써, 제조 효율이 현저히 높아진다. 기상법에 의한 성막은 공지의 기상 성막 장치를 사용하여 공지의 조건에 따라 행하면 되며 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 스퍼터링법을 채용하는 경우, 스퍼터링 방식은, 마그네트론 스퍼터링, 2극 스퍼터링법, 대향 타깃 스퍼터링법 등, 공지의 다양한 방법이어도 되지만, 마그네트론 스퍼터링이, 성막 속도가 빠르고 생산성이 높다는 점에서 바람직하다. 스퍼터링은 DC(직류) 및 RF(고주파)의 어느 전원으로 행해도 된다. 또한, 타깃 형상도 널리 알려져 있는 플레이트형 타깃을 사용할 수 있지만, 타깃 사용 효율의 관점에서 원통형 타깃을 사용하는 것이 바람직하다. 이하, 밀착 금속층(13)(존재하는 경우), 박리 보조층(14)(존재하는 경우), 박리층(16), 반사 방지층(17) 및 극박 구리층(18)의 각 층의 기상법(바람직하게는 스퍼터링법)에 의한 성막에 대하여 설명한다.
원하는 바에 따라 마련되는 밀착 금속층(13)의 기상법에 의한 성막은, Ti, Cr 및 Ni로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 구성되는 타깃을 사용하여, 비산화성 분위기 하에서 마그네트론 스퍼터링에 의해 행해지는 것이 막 두께 분포 균일성을 향상시킬 수 있다는 점에서 바람직하다. 타깃의 순도는 99.9％ 이상이 바람직하다. 스퍼터링에 사용하는 가스로서는, 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 사용하는 것이 바람직하다. 아르곤 가스의 유량은 스퍼터링 챔버 사이즈 및 성막 조건에 따라 적절하게 결정하면 되며 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이상 방전이나 플라스마 조사 불량 등의 가동 불량없이, 연속적으로 성막한다는 관점에서 성막 시의 압력은 0.1 내지 20Pa의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 이 압력 범위는, 장치 구조, 용량, 진공 펌프의 배기 용량, 성막 전원의 정격 용량 등에 따라, 성막 전력, 아르곤 가스의 유량을 조정함으로써 설정하면 된다. 또한, 스퍼터링 전력은 성막의 막 두께 균일성, 생산성 등을 고려하여 타깃의 단위 면적당 0.05 내지 10.0W/㎠의 범위 내에서 적절하게 설정하면 된다.
원하는 바에 따라 마련되는 박리 보조층(14)의 기상법에 의한 성막은, 구리 타깃을 사용하여, 비산화성 분위기 하에서 마그네트론 스퍼터링에 의해 행해지는 것이 막 두께 분포 균일성을 향상시킬 수 있다는 점에서 바람직하다. 구리 타깃의 순도는 99.9％ 이상이 바람직하다. 스퍼터링에 사용하는 가스로서는, 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 사용하는 것이 바람직하다. 아르곤 가스의 유량은 스퍼터링 챔버 사이즈 및 성막 조건에 따라 적절하게 결정하면 되며 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이상 방전이나 플라스마 조사 불량 등의 가동 불량없이, 연속적으로 성막한다는 관점에서 성막 시의 압력은 0.1 내지 20Pa의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 이 압력 범위는, 장치 구조, 용량, 진공 펌프의 배기 용량, 성막 전원의 정격 용량 등에 따라, 성막 전력, 아르곤 가스의 유량을 조정함으로써 설정하면 된다. 또한, 스퍼터링 전력은 성막의 막 두께 균일성, 생산성 등을 고려하여 타깃의 단위 면적당 0.05 내지 10.0W/㎠의 범위 내에서 적절하게 설정하면 된다.
박리층(16)이 탄소층인 경우, 탄소층의 기상법(바람직하게는 스퍼터링법)에 의한 성막은, 카본 타깃을 사용하여 아르곤 등의 불활성 분위기 하에서 행해지는 것이 바람직하다. 카본 타깃은 그래파이트로 구성되는 것이 바람직하지만, 불가피 불순물(예를 들어 분위기 등의 주위 환경으로부터 유래하는 산소나 탄소)을 포함할 수 있다. 카본 타깃의 순도는 99.99％ 이상이 바람직하며, 보다 바람직하게는 99.999％ 이상이다. 또한, 이상 방전이나 플라스마 조사 불량 등의 가동 불량없이, 연속적으로 성막한다는 관점에서 성막 시의 압력은 0.1 내지 2.0Pa의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 이 압력 범위는, 장치 구조, 용량, 진공 펌프의 배기 용량, 성막 전원의 정격 용량 등에 따라, 성막 전력, 아르곤 가스의 유량을 조정함으로써 설정하면 된다. 또한, 스퍼터링 전력은 성막의 막 두께 균일성, 생산성 등을 고려하여 타깃의 단위 면적당 0.05 내지 10.0W/㎠의 범위 내에서 적절하게 설정하면 된다.
반사 방지층(17)의 성막은, Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 구성되는 타깃을 사용하여, 마그네트론 스퍼터링법에 의해 행해지는 것이 바람직하다. 타깃의 순도는 99.9％ 이상이 바람직하다. 특히, 반사 방지층(17)의 마그네트론 스퍼터링법에 의한 성막은, 아르곤 등의 불활성 가스 분위기 하, 압력 1 내지 20Pa에서 행해지는 것이 바람직하다. 스퍼터링 압력은, 보다 바람직하게는 2 내지 18Pa, 더욱 바람직하게는 3 내지 15Pa이다. 이러한 스퍼터링 압력은 통상 채용되는 스퍼터링 압력보다 현저하게 높은 것이며, 그에 의해, 반사 방지층(17)의 표면을 본질적으로 산화시키지 않고, 바람직한 형태의 금속 입자의 집합체를 면 내 균일하게 형성할 수 있다. 상기 스퍼터링 조건에 따르면, 바람직한 투영 면적 원 상당 직경 및 바람직한 광택도 Gs(60°)를 초래할 수도 있다. 또한, 이상 방전이나 플라스마 조사 불량 등의 가동 불량없이, 연속적으로 성막할 수 있다는 이점도 있다. 또한, 상기 압력 범위의 제어는, 장치 구조, 용량, 진공 펌프의 배기 용량, 성막 전원의 정격 용량 등에 따라, 성막 전력, 아르곤 가스의 유량을 조정함으로써 행하면 된다. 아르곤 가스의 유량은 스퍼터링 챔버 사이즈 및 성막 조건에 따라 적절하게 결정하면 되며 특별히 한정되지 않는다. 또한, 스퍼터링 전력은 성막의 막 두께 균일성, 생산성 등을 고려하여 타깃의 단위 면적당 1.0 내지 15.0W/㎠의 범위 내에서 적절하게 설정하면 된다. 또한, 제막 시에 캐리어 온도를 일정하게 유지하는 것이, 안정된 막 특성(예를 들어 막 저항이나 결정 사이즈)을 얻기 쉽다는 점에서 바람직하다. 성막 시의 캐리어 온도는 25 내지 300℃의 범위 내에서 조정하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 40 내지 200℃, 더욱 바람직하게는 50 내지 150℃의 범위 내이다.
극박 구리층(18)의 기상법(바람직하게는 스퍼터링법)에 의한 성막은, 구리 타깃을 사용하여 아르곤 등의 불활성 분위기 하에서 행해지는 것이 바람직하다. 구리 타깃은 금속 구리로 구성되는 것이 바람직하지만, 불가피 불순물을 포함할 수 있다. 구리 타깃의 순도는 99.9％ 이상이 바람직하며, 보다 바람직하게는 99.99％, 더욱 바람직하게는 99.999％ 이상이다. 극박 구리층(18)의 기상 성막 시의 온도 상승을 피하기 위해, 스퍼터링 시, 스테이지의 냉각 기구를 설치해도 된다. 또한, 이상 방전이나 플라스마 조사 불량 등의 가동 불량없이, 안정적으로 성막한다는 관점에서 성막 시의 압력은 0.1 내지 2.0Pa의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 이 압력 범위는, 장치 구조, 용량, 진공 펌프의 배기 용량, 성막 전원의 정격 용량 등에 따라, 성막 전력, 아르곤 가스의 유량을 조정함으로써 설정하면 된다. 또한, 스퍼터링 전력은 성막의 막 두께 균일성, 생산성 등을 고려하여 타깃의 단위 면적당 0.05 내지 10.0W/㎠의 범위 내에서 적절하게 설정하면 된다.
또한, 캐리어(12)의 단부면에 있어서의 밀착 금속층(13), 박리 보조층(14), 박리층(16), 반사 방지층(17) 및/또는 극박 구리층(18)의 형성은, 상술한 스퍼터링법에 있어서, 스테이지 상에서 캐리어(12)의 단부면을 노출시킨 상태에서 성막을 행함으로써, 용이하게 실시할 수 있다. 이때, 캐리어(12)의 단부면에는 캐리어(12)의 표면에 성막되는 층의 두께의 20％ 내지 70％의 두께(단부면 두께)로 성막되는 것이 전형적이다. 한편, 박리층(16)을 형성할 때 등, 단부면에 극단적으로 얇은 두께로 성막하는 경우에는, 캐리어(12)의 측단부를 차폐하여 스퍼터링하는 것이 바람직하다. 이 차폐 방법의 예로서는, 마스킹 테이프에 의한 차폐, 마스킹 플레이트에 의한 차폐를 들 수 있다.
코어리스 지지체용 적층판
본 발명의 캐리어를 구비한 구리박은 코어리스 지지체용 적층판의 형태로 제공되어도 된다. 즉, 본 발명의 바람직한 형태에 따르면, 상기 캐리어를 구비한 구리박을 구비한, 코어리스 지지체용 적층판이 제공된다. 코어리스 지지체용 적층판의 형태로서는 이하의 2개의 형태를 들 수 있다. (i) 코어리스 지지체용 적층판의 제1 형태는, 캐리어를 구비한 구리박 그 자체의 형태이다. 즉, 캐리어(12)의 적어도 편면에, 필요에 따라 밀착 금속층(13)/필요에 따라 박리 보조층(14)/박리층(16)/반사 방지층(17)/극박 구리층(18)이 이 순서대로 적층된 캐리어를 구비한 구리박(10) 그 자체의 형태이며, 캐리어의 양면에 필요에 따라 밀착 금속층(13)/필요에 따라 박리 보조층(14)/박리층(16)/반사 방지층(17)/극박 구리층(18)이 이 순서대로 적층된 형태가 포함된다. 어떻든, 캐리어(12)가 유리판이나 금속판인 경우 등, 캐리어 단체에 강성이 있고 지지체로서 기능할 수 있는 경우, 이 형태가 성립한다. 예를 들어, 유리를 캐리어(12)로서 사용한 경우, 경량이고, 열팽창 계수가 낮고, 강직하고 표면이 평탄하기 때문에, 극박 구리층(18)의 표면을 극도로 평활하게 할 수 있는 등의 이점이 있다. (ii) 코어리스 지지체용 적층판의 제2 형태는, 캐리어(12)의 박리층(16)과 반대측(즉 캐리어(12)의 외측 표면)에 접착제층을 구비한 형태이다. 캐리어(12)가 금속박, 수지 필름 등의, 강성이 없는 재료로 구성되는 경우에 이 형태가 고려된다. 이 경우, 접착제층의 예로서는, 수지층, (유리 등의) 섬유 강화성 프리프레그 등을 들 수 있다. 예를 들어, 극박 구리층(18)/반사 방지층(17)/박리층(16)/필요에 따라 박리 보조층(14)/필요에 따라 밀착 금속층(13)/캐리어(12)/접착제층(도시하지 않음)/캐리어(12)/필요에 따라 밀착 금속층(13)/필요에 따라 박리 보조층(14)/박리층(16)/반사 방지층(17)/극박 구리층(18)의 층 구성을 채용하는 것도 가능하다.
배선층을 구비한 코어리스 지지체의 제조 방법
본 발명의 캐리어를 구비한 구리박을 사용하여 배선층을 구비한 코어리스 지지체를 제조할 수 있다. 이하, 배선층을 구비한 코어리스 지지체의 바람직한 제조 방법에 대하여 설명한다. 이 배선층을 구비한 코어리스 지지체의 제조 방법은, (1) 캐리어를 구비한 구리박의 준비 공정과, (2) 포토레지스트층의 형성 공정과, (3) 전기 구리 도금층의 형성 공정과, (4) 포토레지스트층의 박리 공정과, (5) 플래시 에칭 공정을 포함한다. 이들 공정을 포함하는 배선층을 구비한 코어리스 지지체의 제조 방법이 모식적으로 도 2 및 도 3에 도시된다.
(1) 캐리어를 구비한 구리박의 준비 공정
캐리어를 구비한 구리박(10)을 지지체로서 준비한다(도 2의 (a) 참조). 상술한 바와 같이, 캐리어를 구비한 구리박(10)은 코어리스 지지체용 적층판의 형태로 준비될 수 있다. 즉, 상술한 바와 같이, 캐리어를 구비한 구리박 그 자체의 형태로 제공되어도 되고, 캐리어(12)의 박리층(16)과 반대측(즉 캐리어(12)의 외측 표면)에 접착제층을 구비한 형태(예를 들어, 극박 구리층(18)/반사 방지층(17)/박리층(16)/박리 보조층(14)/밀착 금속층(13)/캐리어(12)/접착제층(도시하지 않음)/캐리어(12)/밀착 금속층(13)/박리 보조층(14)/박리층(16)/반사 방지층(17)/극박 구리층(18)의 층 구성)로 준비되어도 된다.
(2) 포토레지스트층의 형성 공정
극박 구리층(18)의 표면에 포토레지스트층(20)을 소정의 패턴으로 형성한다(도 2의 (b) 참조). 포토레지스트는 감광성 필름인 것이 바람직하며, 예를 들어 감광성 드라이 필름이다. 포토레지스트층(20)은, 노광 및 현상에 의해 소정의 배선 패턴을 부여하면 된다.
(3) 전기 구리 도금층의 형성 공정
극박 구리층(18)의 노출 표면(즉 포토레지스트층(20)에서 마스킹되어 있지 않은 부분)에 전기 구리 도금층(22)을 형성한다(도 2의 (c) 참조). 전기 구리 도금은 공지의 방법에 의해 행하면 되며, 특별히 한정되지 않는다.
(4) 포토레지스트층의 박리 공정
이어서, 포토레지스트층(20)을 박리한다. 그 결과, 도 3의 (d)에 도시되는 바와 같이, 전기 구리 도금층(22)이 배선 패턴상으로 남고, 배선 패턴을 형성하지 않는 부분의 극박 구리층(18)이 노출된다.
(5) 구리 플래시 에칭 공정
극박 구리층(18)의 불필요 부분을 구리 플래시 에칭에 의해 제거하여 반사 방지층(17)을 노출시키고, 그에 의해 배선층(24)이 형성된 코어리스 지지체(이하, 배선층을 구비한 코어리스 지지체(26)라고 함)를 얻는다. 이 플래시 에칭액은, 황산/과산화수소 혼합액이나, 과황산나트륨 및 과황산칼륨 중 적어도 어느 1종을 포함하는 액을 사용하는 것이, 전기 구리 도금층(22)의 과도한 에칭을 회피하면서, 노출된 극박 구리층(18)을 확실하게 에칭할 수 있다는 점에서 바람직하다. 이와 같이 하여, 도 3의 (e)에 도시되는 바와 같이, 전기 구리 도금층(22)/극박 구리층(18)이 배선 패턴상으로 남고, 배선 패턴을 형성하지 않는 부분의 반사 방지층(17)이 플래시 에칭액에 의해 용해되지 않고 잔류하고, 표면에 노출되게 된다. 이때, 반사 방지층(17)을 구성하는 Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로부터 선택되는 적어도 1종의 금속은, 구리 플래시 에칭액에 대하여 용해되지 않는다고 하는 성질을 가지므로, 구리 플래시 에칭액에 대하여 우수한 내약품성을 나타낼 수 있다. 즉, 반사 방지층(17)은 구리 플래시 에칭으로 제거되지 않고, 이어지는 화상 검사 공정을 위해 노출 상태로 남겨진다.
(6) 화상 검사 등(임의 공정)
상기 구리 플래시 에칭 후, 반사 방지층(17)을 노출시킨 채의 상태로, 배선층을 구비한 코어리스 지지체(26)(구체적으로는 배선층(24))를 화상 검사하는 공정을 행하는 것이 바람직하다. 화상 검사는, 전형적으로는 광학식 자동 외관 검사(AOI) 장치를 사용하여 광원으로부터 소정의 광을 조사하여, 배선 패턴의 2치화 화상을 취득하고, 이 2치화 화상과 설계 데이터 화상의 패턴 매칭을 시도하고, 양자간에 있어서의 일치/불일치를 평가함으로써 행해진다. 이때, 반사 방지층(17)의 표면을 구성하는 금속 입자의 집합체는, 그 금속질의 재질 및 입상 형태에 기인하여 바람직한 암색을 나타내며, 그 암색이 구리로 구성되는 배선층(24)과의 사이에서 바람직한 시각적 콘트라스트를 초래하므로, 화상 검사(예를 들어 자동 화상 검사(AOI))에 있어서의 시인성을 향상시킨다.
상기 화상 검사 후, 필요에 따라, 배선층을 구비한 코어리스 지지체(26) 상에, 칩 등의 전자 소자(28)를 탑재하는 공정을 행하는 것이 바람직하며, 이에 의해 프린트 배선판을 제조할 수 있다. 그런데, 전술한 바와 같이, 이와 같이 배선층(24)을 형성한 후에 칩의 실장을 행하는 프로세스는 RDL-First법이라고 불리는 방법이다. 이 공법에 따르면, 칩의 실장을 행하기 전에 코어리스 지지체 표면의 배선층이나 그 후에 적층되는 각 빌드업 배선층의 화상 검사를 행할 수 있기 때문에, 각 배선층의 불량 부분을 피하여, 양품 부분에만 칩을 실장할 수 있다. 그 결과, RDL-First법은 칩의 낭비를 피할 수 있다는 점에서, 칩의 표면에 배선층을 축차 적층하는 공법인 Chip-First법 등과 비교하면 경제적으로 유리하다. 이러한 점에서, 본 발명의 캐리어를 구비한 구리박(10)에 있어서는, 전술한 바와 같이, 소정의 금속으로 구성되고, 그 극박 구리층(18)측의 표면이 금속 입자의 집합체인 반사 방지층(17)을 채용함으로써, 화상 검사에 있어서의 전기 구리 도금층(22)의 표면과 반사 방지층(17)의 표면의 콘트라스트를 충분히 얻을 수 있고, 화상 검사를 높은 정밀도로 행하는 것이 가능하게 된다. 예를 들어, 광학식 자동 외관 검사(AOI) 장치에 의해 취득되는 배선 패턴의 2치화 화상이 보다 정확하고, 또한 선명한 것으로 된다. 이와 같이 하여, 프린트 배선판의 제조 프로세스(특히 RDL-First법)에 있어서, 칩 실장 전의 배선층에 대한 화상 검사를 고정밀도로 행할 수 있고, 그에 의해 제품 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 임의 공정으로서 상정되는, 코어리스 지지체(26)의 배선층 상에 탑재되는 전자 소자(28)의 예로서는, 반도체 소자, 칩 콘덴서, 저항체 등을 들 수 있다. 전자 소자 탑재의 방식의 예로서는, 플립 칩 실장 방식, 다이 본딩 방식 등을 들 수 있다. 플립 칩 실장 방식은, 전자 소자(28)의 실장 패드와, 코어리스 지지체(26) 상의 배선층(24)의 접합을 행하는 방식이다. 이 실장 패드 상에는 주상 전극(필러)이나 땜납 범프 등이 형성되어도 되고, 실장 전에 코어리스 지지체(26)의 배선층(24) 표면에 밀봉 수지막인 NCF(Non-Conductive Film) 등을 첩부해도 된다. 접합은, 땜납 등의 저융점 금속을 사용하여 행해지는 것이 바람직하지만, 이방 도전성 필름 등을 사용해도 된다. 다이 본딩 접착 방식은, 코어리스 지지체(26) 표면의 배선층(24)에 대하여, 전자 소자(28)의 실장 패드면과 반대측의 면을 접착하는 방식이다. 이 접착에는, 열경화 수지와 열전도성 무기 필러를 포함하는 수지 조성물인, 페이스트나 필름을 사용하는 것이 바람직하다.
프린트 배선판의 제조 방법
본 발명의 배선층을 구비한 코어리스 지지체를 사용하여 프린트 배선판을 제조할 수 있다. 이하, 프린트 배선판의 바람직한 제조 방법에 대하여 설명한다. 이 프린트 배선판의 제조 방법은, (1) 배선층을 구비한 코어리스 지지체의 제조 공정과, (2) 빌드업층을 구비한 적층체의 제작 공정과, (3) 빌드업층을 구비한 적층체의 분리 공정과, (4) 반사 방지층의 제거 공정을 포함한다. 이들 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이 모식적으로 도 2 내지 도 4의 (특히 도 4)에 도시된다.
(1) 배선층을 구비한 코어리스 지지체의 제조 공정
상술한 본 발명의 방법에 의해 배선층을 구비한 코어리스 지지체(26)를 제조한다. 즉, 본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은, 상술한 배선층을 구비한 코어리스 지지체의 제조 방법의 일련의 공정을 포함하는 것이며, 여기서의 반복적인 설명은 생략한다.
(2) 빌드업층을 구비한 적층체의 제작 공정
배선층을 구비한 코어리스 지지체(26)의 배선층(24)이 형성된 면에 빌드업층(30)을 형성하여 빌드업층을 구비한 적층체(32)를 제작한다(도 4의 (g) 참조). 또한, 도 4에 있어서 빌드업층(30)의 상세는 도시되어 있지 않지만, 일반적으로 프린트 배선판에 있어서 채용되는 공지의 빌드업 배선층의 구성을 채용하면 되며 특별히 한정되지 않는다.
(3) 빌드업층을 구비한 적층체의 분리 공정
빌드업층을 구비한 적층체(32)를 박리층(16)에서 분리하여 빌드업층(30)을 포함하는 다층 배선판(34)을 얻는다. 즉, 캐리어(12), 밀착 금속층(13)(존재하는 경우), 박리 보조층(14)(존재하는 경우) 및 박리층(16)이 박리 제거된다. 이 분리 공정에 있어서는, 물리적인 분리, 화학적인 분리 등이 채용될 수 있다. 물리적 분리법은, 손이나 치공구, 기계 등으로 캐리어(12) 등을 빌드업층(30)으로부터 박리함으로써 분리하여 다층 배선판(34)을 얻는 방법이다(도 4의 (h) 참조). 또한, 화학적 분리법을 채용하는 경우(특히 밀착 금속층(13) 및 박리 보조층(14)을 갖지 않는 경우), 캐리어(12)를 용해하는 캐리어 에칭액을 사용하여 다층 배선판(34)을 얻을 수 있다. 이 캐리어 에칭액은, 캐리어(12)를 용해 가능하고, 또한 빌드업층(30)을 구성하는 부재를 용해하지 않는 약액으로 에칭하는 것이 바람직하다. 예를 들어 캐리어가 유리인 경우에는, 불산이나 산성 불화암모늄 등의 유리 에칭액 등을 사용하여 캐리어를 용해 분리하는 것이 바람직하다. 화학적 분리법은, 캐리어(12)에 빌드업층(30)이 직접 접하고 있는 부위가 넓고 견고하게 접착된 경우에 있어서 유효하다.
(4) 반사 방지층의 제거 공정
반사 방지층(17)을 플래시 에칭에 의해 제거하여, 프린트 배선판(36)을 얻는다(도 4의 (i)). 이 플래시 에칭은, 예를 들어 이하의 표 1에 예시되는 바와 같이, 반사 방지층(17)을 구성하는 금속에 따라 적절한 에칭액을 선택하여 행하는 것이 바람직하다. 표 1에 대표적인 에칭액을 예시하지만, 이들에 한정되는 것은 아니며, 산이나 암모늄염의 종류, 농도, 온도 등은 표 1에 기재된 조건으로부터 적절하게 변경될 수 있는 것이다.
[표 1]
Figure 112020030643855-pat00001
이러한 에칭액을 사용함으로써 반사 방지층(17)을 선택적으로 플래시 에칭할 수 있으므로, 반사 방지층(17) 밑에 노출되는 배선층(24)(이것은 구리로 구성됨)의 침식을 유의미하게 억제할 수 있다. 즉, 반사 방지층(17)을 구성하는 Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로부터 선택되는 적어도 1종의 금속을 플래시 에칭하기 위한 에칭액으로서, 선택성이 높은 에칭액을 사용할 수 있는 결과, 배선층(24)을 구성하는 구리의 에칭액에 의한 용해를 억제 또는 회피할 수 있다.
도 4에 도시되는 바와 같은 프린트 배선판(36)은 여러 가지 공법에 의해 외층을 가공하는 것이 가능하다. 예를 들어, 프린트 배선판(36)의 배선층(24)에 추가로 빌드업 배선층으로서의 절연층과 배선층을 임의의 층수로서 적층해도 되고, 혹은 배선층(24)의 표면에 솔더 레지스트층을 형성하고, Ni-Au 도금이나 OSP 처리(수용성 프리플럭스 처리, Organic Solderability Preservative) 등의 외층 패드로서의 표면 처리를 실시해도 된다. 나아가 외층 패드에 주상의 필러 등을 설치해도 된다. 어떻든, 일반적으로 프린트 배선판에 있어서 채용되는 공지의 공법을 적절하게 추가적으로 행할 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.
<실시예>
본 발명을 이하의 예에 의해 더욱 구체적으로 설명한다.
예 1
(1) 캐리어를 구비한 구리박의 제작
도 1에 도시되는 바와 같이, 캐리어(12)로서의 유리 시트 상에 밀착 금속층(13), 박리 보조층(14), 박리층(16), 및 극박 구리층(18)을 이 순서대로 성막하여 캐리어를 구비한 구리박(10)을 제작하였다. 구체적인 수순은 이하와 같다. 또한, 이하의 예에 있어서 언급되는 산술 평균 조도 Ra는 JIS B 0601-2001에 준거하여 비접촉 표면 형상 측정기(Zygo 가부시키가이샤제 NewView5032)로 측정된 값이다.
(1a) 캐리어의 준비
산술 평균 조도 Ra 0.5nm의 표면을 갖는 두께 700㎛의 유리 시트(재질: 무알칼리 유리, 제품명: OA10, 닛폰 덴키 가라스사제)를 준비하였다.
캐리어(12)의 단부면을 스테인리스제 플레이트로 마스킹한 상태로 하고, 하기와 같이 스퍼터링에 의한 각종 층의 형성을 행하였다.
(1b) 밀착 금속층의 형성
캐리어(12)의 표면에, 밀착 금속층(13)으로서 두께 100nm의 티타늄층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 마그네트론 스퍼터링 장치(토키 가부시키가이샤제)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm)의 Ti 타깃(순도 99.999％)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
*-스퍼터링압: 0.35Pa
-스퍼터링 전력: 2000W(6.2W/㎠)
-성막 시 온도: 40℃
(1c) 박리 보조층의 형성
밀착 금속층(13) 상에, 박리 보조층(14)으로서 두께 100nm의 구리층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm)의 구리 타깃(순도 99.98％)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-가스: 아르곤 가스(유량: 100sccm)
-스퍼터링압: 0.35Pa
-스퍼터링 전력: 2000W(6.2W/㎠)
-성막 시 온도: 40℃
(1d) 박리층의 형성
*박리 보조층(14) 상에, 박리층(16)으로서 두께 3nm의 아몰퍼스 카본층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm)의 탄소 타깃(순도 99.999％)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
-스퍼터링압: 0.35Pa
-스퍼터링 전력: 100W(0.3W/㎠)
-성막 시 온도: 40℃
(1e) 반사 방지층의 형성
박리층(16)의 표면에, 반사 방지층(17)으로서 두께 100nm의 니켈층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm), 두께 1mm의 Ni 타깃(Ni: 100중량％)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
-스퍼터링압: 12Pa
-스퍼터링 전력: 2000W(6.2W/㎠)
-성막 시 온도: 40℃
(1f) 극박 구리층의 형성
반사 방지층(17) 상에, 막 두께 300nm의 극박 구리층(18)을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다. 얻어진 극박 구리층(18)의 박리층(16)과 반대측의 표면(즉 외측 표면)의 산술 평균 조도(Ra)는 3nm였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm)의 구리 타깃(순도 99.98％)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
-스퍼터링압: 0.35Pa
-스퍼터링 전력: 2000W(6.2W/㎠)
-성막 시 온도: 40℃
(1g) 조성 분석 및 투영 면적 원 상당 직경의 측정
조성 분석 등을 위한 샘플로서, 상기에서 얻어진 캐리어를 구비한 구리박의 밀착 금속층(13), 박리 보조층(14), 박리층(16) 및 반사 방지층(17)의 제조 조건과 마찬가지의 제조 조건에 의해, 유리 시트 상에 밀착 금속층(13)만을 형성한 샘플과, 유리 시트 상에 박리 보조층(14)만을 형성한 샘플과, 유리 시트 상에 박리층(16)만을 형성한 샘플과, 유리 시트 상에 반사 방지층(17)만을 형성한 샘플을 별개로 제작하였다. 각각의 샘플에 대하여 조성 분석을 이하와 같이 행함으로써 각 층의 조성을 파악하였다.
<밀착 금속층, 박리 보조층 및 반사 방지층의 조성 분석>
밀착 금속층(13), 박리 보조층(14) 및 반사 방지층(17)에 대하여, 표면 분석용 모니터링 샘플을 작성하고, TOF-SIMS(비행 시간형 2차 이온 질량 분석법)에 의해 원소 분석을 행하였다. 이 측정은 정전류 모드에 의해 800V-3mA의 조건에서 행하였다. 그 결과, 밀착 금속층(13), 박리 보조층(14) 및 반사 방지층(17)의 조성은 각각 이하와 같았다.
밀착 금속층(13): Ti: 92.5원자％, O: 7.5원자％
박리 보조층(14): Cu: 99원자％, O: 1원자％
반사 방지층(17): Ni: 99.6원자％, O: 0.4원자％
<박리층의 조성 분석>
박리층(16)(즉 탄소층)에 대하여, XPS에 의해 원소 분석을 행하여, 탄소 농도를 측정하였다. 그 결과, 박리층(16)의 탄소 농도는 93원자％(C+O=100％)였다.
<반사 방지층 표면의 표면 형상 및 투영 면적 원 상당 직경의 측정>
반사 방지층(17)을 형성한 직후의 샘플을 발취하고, 반사 방지층(17)의 표면을 주사형 전자 현미경에 의해 50000배로 촬영하여 SEM 화상을 얻었다. 얻어진 SEM상을 2치화 화상한 화상 해석에 의해 표면 형상을 특정하고, 입자상의 표면에 대하여 2㎛×1㎛의 임의의 시야 범위 내의 입자에 대하여 투영 면적 원 상당 직경의 평균값을 구하였다. 이 화상 해석에는, 화상 해석식 입도 분포 소프트웨어(Mountech Co., Ltd.사제, Mac-VIEW)를 사용하였다. 측정은 임의의 50개 이상의 입자를 대상으로 하고, 개개의 입자에 대하여 투영 면적 원 상당 직경을 측정하고, 그의 상가 평균값을 산출하였다. 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다.
예 2 내지 5
반사 방지층(17)으로서 니켈층 대신에 티타늄층을 이하와 같이 하여 형성하여 제작한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지로 하여, 캐리어를 구비한 구리박의 제작 및 평가를 행하였다. 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다. 또한, 극박 구리층(18)의 박리층(16)과 반대측의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 3.7nm였다. 반사 방지층(17) 이외의 각 층의 조성은 예 1과 대략 마찬가지였다. 반사 방지층(17)의 조성은 Ti: 85원자％, O: 15원자％(예 2), Ti: 91원자％, O: 9원자％(예 3), Ti: 90원자％, O: 10원자％(예 4), Ti: 87원자％, O: 13원자％(예 5)였다.
(티타늄층의 형성)
박리층(16)의 표면에, 반사 방지층(17)으로서 두께 100nm의 티타늄층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm)의 티타늄 타깃(순도 99.999％)
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-스퍼터링압: 12Pa(예 2 및 4), 4Pa(예 3) 또는 0.5Pa(예 5)
-스퍼터링 전력: 2000W(6.2W/㎠)(예 2) 또는 1000W(3.1W)(예 3 내지 5)
*예 6
반사 방지층(17)으로서 니켈층 대신에 크롬층을 이하와 같이 하여 형성하여 제작한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지로 하여, 캐리어를 구비한 구리박의 제작 및 평가를 행하였다. 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다. 또한, 극박 구리층(18)의 박리층(16)과 반대측의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 3.5nm였다. 반사 방지층(17) 이외의 각 층의 조성은 예 1과 대략 마찬가지였다. 반사 방지층(17)의 조성은 Cr: 98원자％, O: 2원자％였다.
(크롬층의 형성)
박리층(16)의 표면에, 반사 방지층(17)으로서 두께 100nm의 크롬층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm), 두께 6mm의 Cr 타깃(Cr: 99.9)
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-스퍼터링압: 12Pa
-스퍼터링 전력: 2000W(6.2W/㎠)
예 7
반사 방지층(17)으로서 니켈층 대신에 텅스텐층을 이하와 같이 하여 형성하여 제작한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지로 하여, 캐리어를 구비한 구리박의 제작 및 평가를 행하였다. 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다. 또한, 극박 구리층(18)의 박리층(16)과 반대측의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 3.1nm였다. 반사 방지층(17) 이외의 각 층의 조성은 예 1과 대략 마찬가지였다. 반사 방지층(17)의 조성은 W: 99원자％, O: 1원자％였다.
(텅스텐층의 형성)
박리층(16)의 표면에, 반사 방지층(17)으로서 두께 100nm의 텅스텐층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm), 두께 4mm의 W 타깃(W: 99.9중량％)
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-스퍼터링압: 4Pa
-스퍼터링 전력: 2000W(6.2W/㎠)
예 8
반사 방지층(17)으로서 니켈층 대신에 탄탈륨층을 이하와 같이 하여 형성하여 제작한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지로 하여, 캐리어를 구비한 구리박의 제작 및 평가를 행하였다. 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다. 또한, 극박 구리층(18)의 박리층(16)과 반대측의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 3.2nm였다. 반사 방지층(17) 이외의 각 층의 조성은 예 1과 대략 마찬가지였다. 반사 방지층(17)의 조성은 Ta: 99원자％, O: 1원자％였다.
(탄탈륨층의 형성)
박리층(16)의 표면에, 반사 방지층(17)으로서 두께 100nm의 탄탈륨층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm), 두께 4mm의 Ta 타깃(Ta: 99.99％)
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-스퍼터링압: 4Pa
-스퍼터링 전력: 2000W(6.2W/㎠)
예 9
반사 방지층(17)으로서 니켈층 대신에 몰리브덴층을 이하와 같이 하여 형성하여 제작한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지로 하여, 캐리어를 구비한 구리박의 제작 및 평가를 행하였다. 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다. 또한, 극박 구리층(18)의 박리층(16)과 반대측의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 3.0nm였다. 반사 방지층(17) 이외의 각 층의 조성은 예 1과 대략 마찬가지였다. 반사 방지층(17)의 조성은 Mo: 99.1원자％, O: 0.9원자％였다.
(몰리브덴층의 형성)
박리층(16)의 표면에, 반사 방지층(17)으로서 두께 100nm의 몰리브덴층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm), 두께 6mm의 Mo 타깃(Mo: 99.99％)
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-스퍼터링압: 4Pa
-스퍼터링 전력: 2000W(6.2W/㎠)
예 10(비교)
반사 방지층(17)인 니켈층 대신에 알루미늄층을 이하와 같이 하여 형성하여 제작한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지로 하여, 캐리어를 구비한 구리박의 제작 및 평가를 행하였다. 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다. 또한, 극박 구리층(18)의 박리층(16)과 반대측의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 5.1nm였다. 반사 방지층(17) 이외의 각 층의 조성은 예 1과 대략 마찬가지였다. 반사 방지층(17)의 조성은 Al: 99.4원자％, O: 0.6원자％였다.
(알루미늄층의 형성)
박리층(16)의 표면에, 반사 방지층(17)으로서 두께 100nm의 알루미늄층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm), 두께 8mm의 Al 타깃(Al: 99.999％)
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-스퍼터링압: 12Pa
-스퍼터링 전력: 1000W(3.1W/㎠)
예 11(비교)
반사 방지층(17)인 니켈층 대신에 은층을 이하와 같이 하여 형성하여 제작한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지로 하여, 캐리어를 구비한 구리박의 제작 및 평가를 행하였다. 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다. 또한, 극박 구리층(18)의 박리층(16)과 반대측의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 8.5nm였다. 반사 방지층(17) 이외의 각 층의 조성은 예 1과 대략 마찬가지였다. 반사 방지층(17)의 조성은 Ag: 99.8원자％, O: 0.2원자％였다.
(은층의 형성)
박리층(16)의 표면에, 반사 방지층(17)으로서 두께 100nm의 은층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm), 두께 8mm의 Ag 타깃(Ag: 99.9％)
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-스퍼터링압: 12Pa
-스퍼터링 전력: 1000W(3.1W/㎠)
예 12(비교)
반사 방지층(17)인 니켈층을 이하와 같이 하여 형성하고 (입자상이 아니라) 막상의 표면 형상으로 한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지로 하여, 캐리어를 구비한 구리박의 제작 및 평가를 행하였다. 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다. 또한, 극박 구리층(18)의 박리층(16)과 반대측의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 2.7nm였다. 반사 방지층(17) 이외의 각 층의 조성은 예 1과 대략 마찬가지였다. 반사 방지층(17)의 조성은 Ni: 99.5원자％, O: 0.5원자％였다.
(니켈층의 형성)
박리층(16)의 표면에, 반사 방지층(17)으로서 두께 100nm의 Ni층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm), 두께 1mm의 Ni 타깃(Ni: 100중량％)
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-스퍼터링압: 0.08Pa
-스퍼터링 전력: 1000W(3.1W/㎠)
예 13(비교)
반사 방지층(17)인 티타늄층을 이하와 같이 하여 형성하고 (입자상이 아니라) 막상의 표면 형상으로 한 것 이외에는, 예 1과 마찬가지로 하여, 캐리어를 구비한 구리박의 제작 및 평가를 행하였다. 결과는 표 2에 나타내는 바와 같았다. 또한, 극박 구리층(18)의 박리층(16)과 반대측의 표면의 산술 평균 조도 Ra는 2.7nm였다. 반사 방지층(17) 이외의 각 층의 조성은 예 1과 대략 마찬가지였다. 반사 방지층(17)의 조성은 Ti: 92원자％, O: 8원자％였다.
(티타늄층의 형성)
박리층(16)의 표면에, 반사 방지층(17)으로서 두께 100nm의 Ti층을 이하의 장치 및 조건에서 스퍼터링에 의해 형성하였다.
-장치: 매엽식 DC 스퍼터링 장치(캐논 토키 가부시키가이샤제, MLS464)
-타깃: 직경 8인치(203.2mm)의 Ti 타깃(순도 99.999％)
-캐리어 가스: Ar(유량: 100sccm)
-도달 진공도 Pu: 1×10-4Pa 미만
-스퍼터링압: 0.05Pa
-스퍼터링 전력: 1000W(3.1W/㎠)
예 14 내지 18
i) 밀착 금속층(13), 박리 보조층(14), 반사 방지층(17) 및 극박 구리층(18)의 형성을 캐리어(12)의 단부면에 마스킹을 실시하지 않고 행한 것, 및 ii) 박리층(16)의 형성을 스테인리스강제 플레이트를 사용한 마스킹을 실시하여 행하고, 단부면에 있어서의 박리층(16)의 두께(단부면 두께)를 변화시킨 것 이외에는, 예 2와 마찬가지로 하여 캐리어를 구비한 구리박의 제작을 행하였다. 그 결과, 캐리어(12)의 단부면에 있어서의 각 층의 두께(단부면 두께)는 하기와 같이 되었다.
-밀착 금속층(13): 티타늄층(단부면 두께: 35nm)
-박리 보조층(14): 구리층(단부면 두께: 35nm)
-박리층(16): 탄소층(표 3에 나타내는 각종 단부면 두께)
-반사 방지층(17): 티타늄층(단부면 두께: 38nm)
-극박 구리층(18): 구리층(단부면 두께: 100nm)
각종 평가
예 1 내지 18의 캐리어를 구비한 구리박에 대하여, 이하에 나타내는 바와 같이, 각종 평가를 행하였다. 평가 결과는 표 2A, 2B 및 표 3에 나타내는 바와 같았다.
<현상액에 대한 내박리성>
각 캐리어를 구비한 구리박의 극박 구리층의 표면을 0.05mol/L의 희황산으로 처리하여 표면의 산화막의 제거를 행하고, 그 후, 수세 및 건조를 행하였다. 그 후, 극박 구리층의 표면에 감광성 드라이 필름을 첩부하고, 라인/스페이스(L/S)=5㎛/5㎛의 패턴을 부여하도록 노광 및 현상을 행하였다. 현상은, 현상액으로서 1.0중량％ 탄산나트륨 수용액을 사용하여, 25℃에서 2분간, 샤워 방식에 의해 행하였다. 현상 후에 있어서의 극박 구리층과 캐리어의 사이의 층간 계면(특히 박리층과 밀착 금속층의 사이)으로의 현상액의 침입에 의한 극박 구리층의 박리의 유무 내지 정도를 평가하였다. 얻어진 평가 결과를 이하의 기준으로 등급을 매겼다.
평가 A: 극박 구리층의 박리가 없었다.
평가 B: 극박 구리층이 직경 50㎛ 이하의 사이즈로 박리되었다.
평가 C: 극박 구리층이 직경 50㎛보다 큰 사이즈로 박리되었다.
<극박 구리층 플래시 에칭 시의 반사 방지막의 내약품성>
상기 현상 후의 배선층을 구비한 코어리스 지지체(패턴 형성된 배선간에 극박 구리층이 노출된 상태의 것)를 황산-과산화수소 혼합액을 포함하는 에칭액에 23℃에서 5분간, 샤워 압력 0.1MPa에서 침지시킴으로써 구리 플래시 에칭을 행하였다. 이와 같이 하여, 패턴 형성된 배선간에 노출된 극박 구리층을 제거하였다. 플래시 에칭 후의 배선층을 구비한 코어리스 지지체를 관찰함으로써 반사 방지층의 내약품성을 평가하였다. 얻어진 평가 결과를 이하의 기준으로 등급을 매겼다.
평가 A: 반사 방지층이 소실되지 않고 잔류해 있었다.
평가 B: 반사 방지층이 일부 소실되었다.
평가 C: 반사 방지층이 전체면에 걸쳐 소실되고, 배선의 일부가 부상하였다.
또한, 상기 평가에 있어서, 예 10의 샘플은, 극박 구리층 플래시 에칭 시에 반사 방지막이 소실되었기 때문에, 이하에 이어지는 표면 광택도의 평가 및 AOI 시인성의 평가의 실시를 단념하였다.
<극박 구리층 플래시 에칭 후의 반사 방지층의 표면 광택도 Gs(60°)>
예 1 내지 9 및 11 내지 13에 대하여, 상기 구리 플래시 에칭 후의 코어리스 지지체 표면이며, 반사 방지층이 노출된 개소(배선 패턴이 존재하지 않는 개소)에 대하여 광택도계(닛폰 덴쇼쿠 고교 가부시키가이샤제, PG-1M)를 사용하여, JIS Z 8741(1997)(경면 광택도-측정 방법)에 준거하여 각도 60°의 광택도를 측정하였다.
<배선의 AOI 시인성>
예 1 내지 9 및 11 내지 13에 대하여, 배선 패턴의 시인성을 이하의 수순에 의해 평가하였다. 광원으로서 635nm의 적색 LED를 구비한, 광학식 자동 외관 검사(AOI) 장치(다이니폰 스크린 세조사제, 제품명: PI9500)를 준비하였다. 상기 구리 플래시 에칭 후의 배선층을 구비한 코어리스 지지체의 배선층측의 표면을 스캔하여 휘도 히스토그램을 작성하고, 스페이스와 배선을 식별 가능하게 하는 역치를 설정하였다. 이 역치의 값은, 휘도 히스토그램의 스페이스(간극부) 유래의 피크 PS와 라인(배선부) 유래의 피크 PL의 사이에 있어서, 각각의 피크 말단간(간극부에 상당하는 피크의 종단과 배선부에 상당하는 피크의 개시점의 사이)의 중앙값으로 하였다. 이 역치에 기초하여 배선 패턴이 형성된 회로 표면을 스캔하여 라인과 스페이스를 식별하여, 설계 데이터와의 패턴 매칭을 행하고, 이하의 4단계의 기준에 의해 등급을 매겨 평가하였다.
-평가 AA: 설계대로 매우 정확하게 라인/스페이스상(이하, L/S상)이 얻어진 것
-평가 A: 대략 정확하게 L/S상이 얻어진 것
-평가 B: 허용 가능한 정도로 L/S상이 얻어진 것
-평가 C: 라인 및 스페이스의 식별이 곤란하였던 것
배선 패턴의 시인성이 양호하였던 예 2에 대하여, 배선 패턴의 광학식 자동 외관 검사(AOI) 장치로 스캔해서 2치화하였다. 이와 같이 하여 얻어진 2치화 화상을 도 5에 도시한다.
<코어리스 지지체 단부에 있어서의 피막 결함의 평가>
상기 얻어진 배선 패턴 구비 코어리스 지지체에 대하여, 코어리스 지지체 단부에 있어서의 박리층 상의 피막(즉 극박 구리층 및 반사 방지층)의 결함의 최대 폭(mm)을 측정하고, 이하의 기준에 따라 등급을 매겼다. 결과는 표 2B 및 표 3에 나타내는 바와 같았다.
-평가 AA: 0.1mm 미만(최량)
-평가 A: 0.1mm 이상 1mm 미만(양호)
-평가 B: 1mm 이상 2mm 미만(허용 가능)
-평가 C: 2mm 이상(불가)
<약액 침입 폭의 평가>
상기에서 얻어진 배선 패턴 구비 코어리스 지지체에 대하여, 100mm×100mm의 사이즈의 프리프레그(파나소닉사제 FR-4, 두께 200㎛)를 적층하여 프리프레그를 경화시키고, 프린트 배선판을 제작하였다. 얻어진 프린트 배선판에 대하여 과망간산나트륨 용액을 사용한 디스미어 처리를 행하여, 약액 침입량을 나타내는 지표로서 약제 침입 폭(mm)을 측정하였다.
이 디스미어 처리는, 롬 앤드 하스 덴시 자이료 가부시키가이샤의 이하에 나타내는 처리액을 사용하여, 이하의 각 처리를 순서대로 행함으로써 실시하였다.
[팽윤 처리]
-처리액: 서큐포지트 MLB 컨디셔너 211 - 120mL/L 및
서큐포지트 Z - 100mL/L
-처리 조건:: 75℃에서 5분간 침지
[과망간산 처리]
-처리액: 서큐포지트 MLB 프로모터 213A - 110mL/L 및
서큐포지트 MLB 프로모터 213B - 150mL/L
-처리 조건: 80℃에서 5분간 침지
[중화 처리]
-처리액: 서큐포지트 MLB 뉴트럴라이저 216-2 - 200mL/L
-처리 조건: 45℃에서 5분간 침지
측정된 약액 침입 폭(mm)을 이하의 기준에 따라 등급을 매겼다. 결과는 표 2B 및 3에 나타내는 바와 같았다.
-평가 AA: 0.1mm 미만(최량)
-평가 A: 0.1mm 이상 0.5mm 미만(양호)
-평가 B: 0.5mm 이상 2mm 미만(허용 가능)
-평가 C: 2mm 이상(불가)
[표 2A]
Figure 112020030643855-pat00002
[표 2B]
Figure 112020030643855-pat00003
[표 3]
Figure 112020030643855-pat00004

Claims (15)

  1. 유리로 구성된 캐리어와,
    상기 캐리어 상에 마련되고, Ti, Cr 및 Ni로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 구성되는 밀착 금속층과,
    상기 밀착 금속층 상에 마련되어, Cu로 구성되는 박리 보조층과,
    상기 박리 보조층 상에 마련되는 박리층과,
    상기 박리층 상에 마련되고, Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 구성되는 반사 방지층과,
    상기 반사 방지층 상에 마련되는 극박 구리층을
    구비하는, 캐리어를 구비한 구리박.
  2. 제1항에 있어서, 상기 박리층이 탄소를 포함하여 이루어지는, 캐리어를 구비한 구리박.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사 방지층의 상기 극박 구리층측의 표면의 광택도 Gs(60°)가 500 이하인, 캐리어를 구비한 구리박.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사 방지층이 1 내지 500nm의 두께를 갖는, 캐리어를 구비한 구리박.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 밀착 금속층이 5 내지 500nm의 두께를 갖는, 캐리어를 구비한 구리박.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 박리 보조층이 5 내지 500nm의 두께를 갖는, 캐리어를 구비한 구리박.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 박리층이 1 내지 20nm의 두께를 갖는, 캐리어를 구비한 구리박.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 극박 구리층의 상기 박리층과 반대측의 표면이, JIS B 0601-2001에 준거하여 측정되는, 1.0 내지 100nm의 산술 평균 조도 Ra를 갖는, 캐리어를 구비한 구리박.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 반사 방지층의 산소 함유량이 0 내지 15 원자%인, 캐리어를 구비한 구리박.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 상기 반사 방지층 및 상기 극박 구리층이, 상기 캐리어의 단부면까지 연장 돌출되어 상기 단부면이 피복되는, 캐리어를 구비한 구리박.
  11. 제1항 또는 제2항에 기재된 캐리어를 구비한 구리박의 제조 방법이며,
    상기 캐리어 상에 상기 박리층을 형성하는 공정과,
    Cr, W, Ta, Ti, Ni 및 Mo로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속으로 구성되는 금속 타깃을 사용하여, 마그네트론 스퍼터링법에 의해, 불활성 가스 분위기 하, 압력 1 내지 20Pa에서, 상기 박리층 상에 상기 반사 방지층을 형성하는 공정과,
    상기 반사 방지층 상에 상기 극박 구리층을 형성하는 공정을
    포함하는, 방법.
  12. 제1항에 기재된 캐리어를 구비한 구리박을 지지체로서 준비하는 공정과,
    상기 극박 구리층의 표면에 포토레지스트층을 소정의 패턴으로 형성하는 공정과,
    상기 극박 구리층의 노출 표면에 전기 구리 도금층을 형성하는 공정과,
    상기 포토레지스트층을 박리하는 공정과,
    상기 극박 구리층의 불필요 부분을 구리 플래시 에칭에 의해 제거하여 상기 반사 방지층을 노출시키고, 그에 의해 배선층이 형성된 코어리스 지지체를 얻는 공정
    을 포함하는, 배선층을 구비한 코어리스 지지체의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 구리 플래시 에칭 후, 상기 반사 방지층을 노출시킨채의 상태로, 상기 배선층이 형성된 코어리스 지지체를 화상 검사하는 공정을 더 포함하는, 배선층을 구비한 코어리스 지지체의 제조 방법.
  14. 제13항에 기재된 방법에 의해 상기 배선층을 구비한 코어리스 지지체를 제조하는 공정과,
    상기 화상 검사 후, 상기 배선층이 형성된 코어리스 지지체 상에 전자 소자를 탑재하는 공정을
    포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
  15. 제12항 또는 제13항에 기재된 방법에 의해 상기 배선층을 구비한 코어리스 지지체를 제조하거나, 또는 제14항에 기재된 방법에 의해 상기 프린트 배선판을 제조하는 공정과,
    상기 배선층을 구비한 코어리스 지지체의 상기 배선층이 형성된 면에 빌드업층을 형성하여 빌드업층을 구비한 적층체를 제작하는 공정과,
    상기 빌드업층을 구비한 적층체를 상기 박리층에서 분리하여 상기 빌드업층을 포함하는 다층 배선판을 얻는 공정과,
    상기 반사 방지층을 플래시 에칭에 의해 제거하여, 프린트 배선판을 얻는 공정을
    포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
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