JP7239789B1 - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

簡便かつ確実にキャリアを剥離可能な、配線基板の製造方法が提供される。この配線基板の製造方法は、キャリア上に剥離層及び金属層を順に備えた積層シートを用意する工程と、積層シートを平面視した場合に積層シートの外縁部よりも内側を通るように、かつ、積層シートを断面視した場合に金属層及び剥離層を貫通するように、積層シートのキャリアと反対側の面から切込みを入れ、切込みを境界として金属層及び剥離層を中央部と周縁部とに区画する工程と、切込みから金属層又は剥離層の中央部側に向かって薄片を挿入し、金属層とキャリアとの間に隙間を形成する工程であって、積層シートを断面視した場合に、キャリアの主面に対する薄片の挿入角度が０°を超える工程とを含む。

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関する。

近年、プリント配線板の実装密度を上げて小型化するために、プリント配線板の多層化が広く行われるようになってきている。このような多層プリント配線板は、携帯用電子機器の多くで、軽量化や小型化を目的として利用されている。そして、この多層プリント配線板には、層間絶縁層の更なる厚さの低減、及び配線板としてのより一層の軽量化が要求されている。

このような要求を満たす技術として、コアレスビルドアップ法を用いた多層プリント配線板の製造方法が採用されている。コアレスビルドアップ法とは、いわゆるコア基板を用いることなく、絶縁層と配線層とを交互に積層（ビルドアップ）して多層化する方法である。コアレスビルドアップ法においては、支持体と多層プリント配線板との剥離を容易に行えるように、キャリア付金属箔を使用することが提案されている。例えば、特許文献１（特開２００５－１０１１３７号公報）には、キャリア付銅箔のキャリア面に絶縁樹脂層を貼り付けて支持体とし、キャリア付銅箔の極薄銅層側にフォトレジスト加工、パターン電解銅めっき、レジスト除去等の工程により第一の配線導体を形成した後、ビルドアップ配線層を形成し、キャリア付支持基板を剥離し、極薄銅層を除去することを含む、半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法が開示されている。

また、特許文献１に示されるような埋め込み回路の微細化のため、金属層の厚さを１μｍ以下としたキャリア付金属箔が望まれる。そこで、金属層の厚さ低減を実現するため、スパッタリング等の気相法により金属層を形成することが提案されている。例えば、特許文献２（国際公開第２０１７／１５０２８３号）には、ガラスシート等のキャリア上に、剥離層、反射防止層、及び極薄銅層（例えば膜厚３００ｎｍ）がスパッタリングにより形成されたキャリア付銅箔が開示されている。また、特許文献３（国際公開第２０１７／１５０２８４号）には、ガラスシート等のキャリア上に、中間層（例えば密着金属層及び剥離補助層）、剥離層及び極薄銅層（例えば膜厚３００ｎｍ）がスパッタリングにより形成されたキャリア付銅箔が開示されている。特許文献２及び３には、所定の金属で構成される中間層を介在させることでキャリアの機械的剥離強度の優れた安定性をもたらすことや、反射防止層が望ましい暗色を呈することで、画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））における視認性を向上させることも教示されている。

とりわけ、電子デバイスのより一層の小型化及び省電力化に伴い、半導体チップ及びプリント配線板の高集積化及び薄型化へのニーズが高まっている。かかるニーズを満たす次世代パッケージング技術として、ＦＯ－ＷＬＰ（Ｆａｎ－Ｏｕｔ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）やＰＬＰ（Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）の採用が近年検討されている。そして、ＦＯ－ＷＬＰやＰＬＰにおいても、コアレスビルドアップ法の採用が検討されている。そのような工法の一つとして、コアレス支持体表面に配線層及び必要に応じてビルドアップ配線層を形成した後にチップの実装及び封止を行い、その後に支持体を剥離する、ＲＤＬ－Ｆｉｒｓｔ（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ－Ｆｉｒｓｔ）法と呼ばれる工法がある。例えば、特許文献４（特開２０１５－３５５５１号公報）には、ガラス又はシリコンウェハからなる支持体の主面への金属剥離層の形成、その上への絶縁樹脂層の形成、その上へのビルドアップ層を含む再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）の形成、その上への半導体集積回路の実装及び封止、支持体の除去による剥離層の露出、剥離層の除去による２次実装パッドの露出、並びに２次実装パッドの表面への半田バンプの形成、並びに２次実装を含む、半導体装置の製造方法が開示されている。

ところで、コアレスビルドアップ法等を用いて作製した配線層付キャリアから、キャリアを剥離する際、配線層が大きく湾曲して断線や剥離を引き起こす結果、配線層の接続信頼性が低下することが起こりうる。そこで、かかる問題に対処したキャリアの除去方法が提案されている。例えば、特許文献５（特開２０２０－１１９９５２号公報）には、キャリアの表面に仮接着層を介して設けられたワーク（例えば、仮接着層に接する配線層と、配線層に接合された複数のチップと、各チップを封止するモールド層とを含む）からキャリアを除去する方法が開示されている。特許文献５に開示される方法では、ワークが設けられたキャリアの表面側に比べてキャリアの裏面側が側方に突出した段差部を形成し、ワークを上方から保持した状態で、段差部に下向きの力を加えることにより、ワークからキャリアを容易に除去できるとされている。また、特許文献６（国際公開第２０１８／１７３８０７号）には、配線板の製造方法に関して、複合積層体（支持体、剥離層及び多層配線板を含む）をステージに密着させながら、支持体又は多層配線板を剥離層から所定の凸曲面を形成するように剥離することが開示されている。かかる方法によれば、支持体の割れや、多層配線板のクラックや断線等の欠陥の発生を防止し、安定的な剥離が可能となるとされている。

特開２００５－１０１１３７号公報 国際公開第２０１７／１５０２８３号 国際公開第２０１７／１５０２８４号 特開２０１５－３５５５１号公報 特開２０２０－１１９９５２号公報 国際公開第２０１８／１７３８０７号

しかしながら、従来の配線基板の製造方法は、配線基板（例えば、配線層、半導体素子（チップ）及び樹脂層を含む樹脂含有層）の厚さによってキャリアの剥離が困難となる場合や、キャリアの剥離に専用の装置ないし複雑な工程を必要とする場合等があり、簡便かつ確実なキャリアの剥離という観点から改善の余地がある。

本発明者らは、今般、キャリア、剥離層及び金属層を順に備えた積層シートに対して、金属層及び剥離層を中央部と周縁部とに区画する所定の切込みを入れ、この切込みから薄片を所定の角度で挿入して金属層とキャリアとの間に隙間を形成することで、簡便かつ確実にキャリアを剥離して配線基板を製造できるとの知見を得た。

したがって、本発明の目的は、簡便かつ確実にキャリアを剥離可能な、配線基板の製造方法を提供することにある。

本発明によれば、以下の態様が提供される。
［態様１］
配線基板の製造方法であって、
キャリア上に剥離層及び金属層を順に備えた積層シートを用意する工程と、
前記積層シートを平面視した場合に前記積層シートの外縁部よりも内側を通るように、かつ、前記積層シートを断面視した場合に前記金属層及び前記剥離層を貫通するように、前記積層シートのキャリアと反対側の面から切込みを入れ、前記切込みを境界として前記金属層及び前記剥離層を中央部と周縁部とに区画する工程と、
前記切込みから前記金属層又は前記剥離層の前記中央部側に向かって薄片を挿入し、前記金属層と前記キャリアとの間に隙間を形成する工程であって、前記積層シートを断面視した場合に、前記キャリアの主面に対する前記薄片の挿入角度が０°を超える工程と、
を含む、配線基板の製造方法、
［態様２］
配線基板の製造方法であって、
キャリア上に剥離層及び金属層を順に備えた積層シートを用意する工程と、
前記積層シートを平面視した場合に前記積層シートの外縁部よりも内側を通るように、かつ、前記積層シートを断面視した場合に前記金属層及び前記剥離層を貫通するように、前記積層シートのキャリアと反対側の面から切込みを入れ、前記切込みを境界として前記金属層及び前記剥離層を中央部と周縁部とに区画する工程と、
前記切込みから前記金属層又は前記剥離層の前記中央部側に向かって薄片を挿入し、前記金属層と前記キャリアとの間に隙間を形成する工程であって、前記積層シートを断面視した場合に、前記キャリアの主面に対する前記薄片の挿入角度が０°を超える工程と、
を含み、
前記キャリアが、外周部にノッチ又はオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）を有する単結晶シリコンキャリアであり、前記切込みの形成工程において、前記単結晶シリコンキャリアの中心から前記ノッチ又は前記オリフラの中点までの半直線を起点として右回り（時計回り）に角度θを規定した場合に、外部応力の進展方向が１°＜θ＜８９°の範囲内となるように切込みを入れる、配線基板の製造方法。
［態様３］
形成した前記隙間を起点として、前記薄片を前記切込みに沿って移動させることにより、前記隙間を拡大する工程をさらに含む、態様１又は２に記載の配線基板の製造方法。
［態様４］
前記隙間を拡大した後、前記積層シートに対して、前記キャリアと前記金属層とが離間する方向に力を加えることにより、前記隙間をきっかけとして前記キャリアから前記金属層を引き剥がす工程をさらに含む、態様３に記載の配線基板の製造方法。
［態様５］
前記切込みは、前記積層シートを断面視した場合に、前記キャリアの少なくとも一部が貫通しないように形成される、態様１～４のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
［態様６］
前記切込みの幅が０．０１ｍｍ以上２０ｍｍ以下である、態様１～５のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
［態様７］
前記薄片が切断刃であり、該切断刃が平刃、三角刃、四角刃、円形刃及び回転刃のいずれかである、態様１～６のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
［態様８］
前記切込みは、前記積層シートを平面視した場合に、前記周縁部が前記中央部を取り囲むように線状のパターンで形成される、態様１～７のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
［態様９］
前記薄片の移動が、前記切込みの一部又は全長にわたって行われる、態様３～８のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
［態様１０］
前記金属層の引き剥がしが、前記キャリア又は前記積層シートの外縁部を把持又は支持した状態で行われる、態様４～９のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
［態様１１］
前記挿入角度が０．１°を超え６０°以下である、態様１～１０のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
［態様１２］
前記隙間の形成における、前記薄片の前記積層シートへの差し込み幅が０．１ｍｍ以上である、態様１～１１のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
［態様１３］
前記薄片が、鉄系材料、非鉄金属、セラミックス及びダイヤモンドからなる群からなる少なくとも１種で構成される、態様１～１２のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
［態様１４］
前記積層シートは、前記金属層の前記剥離層と反対側の面に樹脂含有層をさらに備える、態様１～１３のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。
［態様１５］
前記樹脂含有層が、配線層、半導体素子及び樹脂層からなる群から選択される少なくとも１種を含む、態様１４に記載の配線基板の製造方法。
［態様１６］
前記樹脂含有層の厚さが１０００μｍ以下である、態様１４又は１５に記載の配線基板の製造方法。
［態様１７］
前記隙間の形成における、前記薄片の挿入が前記樹脂含有層に対して行われる、態様１４～１６のいずれか一つに記載の配線基板の製造方法。

本発明の配線基板の製造方法の一例を模式断面図で示す工程流れ図であり、初期の工程（工程（ｉ）及び（ｉｉ））に相当する。 図１Ａと対応する工程を、積層シートのキャリアと反対側の面から見た模式上面図で示す工程流れ図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を模式断面図で示す工程流れ図であり、図１Ａに示される工程に続く中期の工程（工程（ｉｉｉ）及び（ｉｖ））に相当する。 図２Ａと対応する工程を、積層シートのキャリアと反対側の面から見た模式上面図で示す工程流れ図である。 本発明の配線基板の製造方法の一例を模式断面図で示す工程流れ図であり、図２Ａに示される工程に続く後期の工程（工程（ｖ）及び（ｖｉ））に相当する。 フルモールド構造の積層シートにおいて、工作機械を用いて隙間を形成する一例を模式断面図で示す工程流れ図である。 従来の配線基板の製造方法の一例を模式断面図で示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）及び（ｉｉ））に相当する。 従来の配線基板の製造方法の一例を模式断面図で示す工程流れ図であり、図５に示される工程に続く後半の工程（工程（ｉｉｉ）及び（ｉｖ））に相当する。 回転刃の直径、刃厚及び刃角度を説明するための図である。 キャリアの剥離方法の一例を示す模式断面図である。 キャリアがノッチを有するシリコンウェハである場合に、切込みの形成ないしキャリアの剥離による外部応力の進展する方向とへき開方位とが一致し、シリコンウェハにクラックが入る場合を上面図で示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）及び（ｉｉ））に相当する。 キャリアがノッチを有するシリコンウェハである場合に、切込みの形成ないしキャリアの剥離による外部応力の進展する方向とへき開方位とが一致し、シリコンウェハにクラックが入る場合を上面図で示す工程流れ図であり、図９Ａに示される工程に続く後半の工程（工程（ｉｉｉ）及び（ｉｖ））に相当する。 キャリアがノッチを有するシリコンウェハである場合に、切込みの形成ないしキャリアの剥離による外部応力の進展する方向とへき開方位とが不一致であり、シリコンウェハのクラックが抑制される場合を上面図で示す工程流れ図であり、前半の工程（工程（ｉ）及び（ｉｉ））に相当する。 キャリアがノッチを有するシリコンウェハである場合に、切込みの形成ないしキャリアの剥離による外部応力の進展する方向とへき開方位とが不一致であり、シリコンウェハのクラックが抑制される場合を上面図で示す工程流れ図であり、図１０Ａに示される工程に続く後半の工程（工程（ｉｉｉ）及び（ｉｖ））に相当する。 キャリアがオリフラを有するシリコンウェハである場合における、キャリアのへき開方位を示す図である。

配線基板の製造方法
本発明は配線基板の製造方法に関する。本発明の方法は、（１）積層シートの用意、（２）切込みの形成、（３）隙間の形成、（４）所望により行われる隙間の拡大、及び（５）所望により行われるキャリアの剥離の各工程を含む。

以下、図面を参照しながら、工程（１）～（５）の各々について説明する。

（１）積層シートの用意
本発明の配線基板の製造方法の一例を図１～３に示す。まず、図１Ａ（ｉ）に示されるように、キャリア１２上に剥離層１５及び金属層１６を順に備えた積層シート１０を用意する。剥離層１５は、キャリア１２上に設けられ、キャリア１２と金属層１６との剥離に寄与する層である。金属層１６は、剥離層１５上に設けられる金属で構成される層である。

積層シート１０は、キャリア１２と剥離層１５との間に中間層１４をさらに有していてもよい。中間層１４、剥離層１５及び金属層１６の各々は、１層から構成される単層であってもよく、２層以上から構成される複層であってもよい。

キャリア１２は、ガラス、セラミックス、シリコン、樹脂、及び金属のいずれで構成されるものであってもよいが、好ましくはシリコンを含む基板又はガラス基板である。シリコンを含む基板としては、元素としてＳｉを含むものであればどのような基板でもよく、ＳｉＯ_２基板、ＳｉＮ基板、Ｓｉ単結晶基板、Ｓｉ多結晶基板等が適用できる。より好ましくは、ガラスキャリア、単結晶シリコン基板又は多結晶シリコン基板である。本発明の好ましい態様によれば、キャリア１２は、直径１００ｍｍ以上の円板状であり、より好ましくは直径２００ｍｍ以上４５０ｍｍ以下の円板状である。本発明の別の好ましい態様によれば、キャリア１２は、短辺が１００ｍｍ以上の矩形状であり、より好ましくは短辺が１５０ｍｍ以上６５０ｍｍ以下である。矩形状のキャリア１２は、短辺に比して長辺が十分に長いロール形状のものでも良いが、好ましくは長辺が２００ｍｍ以上６５０ｍｍ以下である。

図１Ａ（ｉ）及び図１Ｂ（ｉ）に示されるように、積層シート１０は、金属層１６の剥離層１５と反対側の面に樹脂含有層２０をさらに備えていてもよい。樹脂含有層２０は、配線層、半導体素子及び樹脂層（モールド樹脂層）からなる群から選択される少なくとも１種を含むのが好ましい。例えば、樹脂含有層２０は少なくとも樹脂層を含むものであってよい。より好ましくは、樹脂含有層２０は、配線層、配線層上に設けられた半導体素子、及び少なくとも半導体素子を包囲する樹脂層を含む。樹脂層は半導体素子のみを包囲する構造（フランジモールド構造）であってもよく、半導体素子及び配線層の両方を包囲する構造（フルモールド構造）であってもよい。いずれにしても、樹脂含有層２０は従来の配線基板の製造方法と同様の方法で形成することが可能である。なお、上述の半導体素子は集積回路やセンサ等のデバイス機能を備えたものを含む。

樹脂含有層２０の厚さは１０００μｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以上４００μｍ以下、特に好ましくは７０μｍ以上３００μｍ以下である。こうすることで、配線基板の小型化ないし軽量化を図りつつ、樹脂含有層２０の放熱性能も優れたものとなる。また、樹脂含有層２０がこのように薄い場合であっても、本発明によればキャリア１２の剥離を確実に行うことができる。

積層シート１０は、例えば以下のようにして用意することができる。まず、キャリア１２上に、所望により設けられる中間層１４（すなわち任意の層）、剥離層１５、及び金属層１６を備えたキャリア付金属箔１８を用意する。次いで、金属層１６の表面に第１配線層を形成する。その後、第１配線層を基礎として樹脂含有層２０を構築する。第１配線層の形成及び樹脂含有層２０の構築は、公知の手法によって行えばよく、例えば上述したコアレスビルドアップ法を好ましく採用することができる。また、必要に応じて第１配線層上（あるいは第１配線層を基礎として構築された配線層１２０ａ上）に半導体素子１２０ｂを実装してもよい（図５（ｉ）参照）。半導体素子１２０ｂの電極が配線層１２０ａの配線に接合されることで、半導体素子１２０ｂは配線層１２０ａと電気的に接続される。半導体素子１２０ｂは配線層１２０ａ上に実装された後、樹脂層１２０ｃで覆われるのが好ましい。なお、本明細書において、キャリア１２、中間層１４（存在する場合）、剥離層１５及び金属層１６を「キャリア付金属箔１８」と総称することがある。キャリア付金属箔１８の好ましい態様については後述するものとする。

（２）切込みの形成
用意した積層シート１０のキャリア１２と反対側の面から切込みＳを入れる。この切込みＳは、図１Ｂ（ｉｉ）に示されるように、積層シート１０を平面視した場合に、積層シート１０の外縁部よりも内側を通るように入れられる。このとき、切込みＳは、図１Ａ（ｉｉ）に示されるように、積層シート１０を断面視した場合に、金属層１６、剥離層１５及び中間層１４（存在する場合）を貫通するように入れられる。このような切込みＳを積層シート１０に入れることで、金属層１６、剥離層１５及び中間層１４（存在する場合）が、切込みＳを境界として中央部Ｃと周縁部Ｐとに区画された状態となる（図１Ａ（ｉｉ）及び図１Ｂ（ｉｉ）参照）。こうすることで、切込みＳから後述する隙間の形成を行うことが可能となり、キャリア１２の剥離（金属層１６の引き剥がし）を簡便かつ確実に行うことができる。

切込みＳの形成方法は、公知の手法を採用すればよく、特に限定されない。例えば、図１Ａ（ｉｉ）に示されるようなカッターＣＴ等の切削工具、又は切削ブレード等の工作機械を用いて積層シート１０に切込みＳを形成することができる。工作機械を用いて切込みＳを形成する場合、積層シート１０を水平方向からカメラ等で視認することで切込みＳの位置合わせを行うのが好ましい。ここで、フルモールド構造（樹脂含有層２０を構成する樹脂層が半導体素子及び配線層の両方を包囲する構造）の積層シート１０に対する、工作機械を用いた加工の一例を図４に示す。図４（ｉ）～（ｉｉｉ）に示されるように、フルモールド構造の積層シート１０に対して工作機械により切込みＳ及び後述する隙間Ｇを形成する場合、積層シート１０を水平方向からカメラ（図示せず）で視認することにより加工位置（樹脂層の側端面からの距離）を決定し（図４（ｉ）参照）、決定した加工位置に対して工作機械（例えば回転刃ＲＣ）を用いて切込みＳ及び隙間Ｇを形成するのが望ましい（図４（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）参照）。また、フランジモールド構造（樹脂含有層２０を構成する樹脂層が半導体素子のみを包囲する構造）の積層シート１０を加工する場合、樹脂層の側端面付近をカメラで視認し、この樹脂層の側端面に沿って切込みＳを形成するのが望ましい（図１Ａ（ｉｉ）参照）。

図１Ａ（ｉｉ）に示されるように、切込みＳは、積層シート１０を断面視した場合に、キャリア１２の少なくとも一部が貫通しないように形成されるのが好ましい。こうすることで、後述する隙間の形成及び拡大工程において、キャリア１２をガイドとして薄片の挿入及び移動を行うことが可能となり、キャリア１２の剥離（金属層１６の引き剥がし）をより一層簡便かつ確実に行うことができる。

切込みＳの幅（積層シート１０の面方向の幅）は、０．０１ｍｍ以上２０ｍｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは０．０５ｍｍ以上１５ｍｍ以下、さらに好ましくは０．２ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。この範囲とすることにより、後述する隙間の形成及び拡大工程において、剥離層１５と金属層１６との間で意図した箇所への薄片の挿入がより正確に可能となり、以降の剥離工程をスムーズに行うことができる。さらに、剥離層１５や金属層１６等に不要なスクラッチ傷が生じないとの効果を奏する。なお、切込みＳは、キャリア１２の主面に対して略垂直方向（積層シート１０の厚さ方向）に形成されるのが好ましい。すなわち、キャリア１２の主面に対して略垂直方向（例えば９０°±５°の範囲内）となるように、積層シート１０のキャリア１２と反対側の面に切削工具等の刃を入れるのが望ましい。

切込みＳは、積層シート１０を平面視した場合に、周縁部Ｐが中央部Ｃを取り囲むように線状のパターンで形成されるのが好ましい。この線状パターンは曲線で形成されるものであってもよく、例えば積層シート１０が円板状の場合、円形状のパターンで切込みＳを形成することも包含される。図１Ｂ（ｉｉ）に示される例は、矩形状の積層シート１０の外縁部（４つの辺）から一定の離間距離で加工を行うことで、矩形状のパターン（４辺の線状パターン）で切込みＳを形成したものである。もっとも、矩形状の積層シート１０を用いる場合、必ずしも上述した４辺の線状パターンで切込みＳを形成する必要はなく、薄片を挿入するのに十分な隙間を形成可能な範囲において、１辺以上３辺以下の線状パターンで切込みＳを形成してもよい。

この切込みの形成工程でキャリアが単結晶シリコンキャリアである場合、切込みＳの進展方向に留意することが好ましい。ここで、キャリア付金属箔１８のキャリア１２が単結晶シリコンキャリアである場合における、切込みの形成工程及び／又は後述するキャリアの剥離工程を図９Ａ、９Ｂ、１０Ａ及び１０Ｂにそれぞれ示す。図９Ａ～１０Ｂに示される工程では、キャリア１２が単結晶シリコンキャリアであるキャリア付金属箔１８を用意し（図９Ａ（ｉ）及び図１０Ａ（ｉ））、キャリア付金属箔１８の金属層１６上に樹脂含有層２０を形成した後（図９Ａ（ｉｉ）及び図１０Ａ（ｉｉ））、切込みＳの形成及び／又はキャリア１２の剥離を行う（図９Ｂ（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）並びに図１０Ｂ（ｉｉｉ）及び（ｉｖ））。なお、単結晶シリコンキャリアは、結晶方位の基準点を示すために、図９Ａ（ｉ）及び図１０Ａ（ｉ）に示されるノッチＮ、又は図１１に示されるオリフラＯＦ（オリエンテーション・フラットとも称される）を外周部に有するのが典型的である。一般に単結晶シリコンの直径が、２００ｍｍ以下ではオリフラが形成され、２００ｍｍ以上ではノッチが形成される。以下、このノッチＮ及びオリフラＯＦを併せて「ノッチ等」と称することがある。

図９Ｂ（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）に示すように、外部応力ＳＴの進展する方向とへき開方位ＣＬとが一致する方向で切込みＳを形成した場合、最初に外部応力ＳＴが加わった点を起点として、へき開方位ＣＬに沿ってクラックＣＲが発生する等、シリコンキャリアが破壊されてしまう可能性がある。こうしたシリコンキャリアのへき開による破壊を抑制するため、キャリア１２が単結晶シリコンキャリアのときは、図１０Ｂ（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）に示すように、シリコンキャリア上のｘ軸（図中の左右方向）及びｙ軸（図中の上下方向）のへき開方位ＣＬのいずれの方向とも不一致となるように、外部応力ＳＴを加えてキャリア１２に切込みＳを形成することが好ましい。

したがって、本発明の好ましい態様によれば、キャリア１２が、外周部にノッチ等を有する単結晶シリコンキャリアであり、切込みＳの形成工程において、単結晶シリコンキャリアの中心からノッチ等までの半直線Ｌを起点として右回り（時計回り）に角度θを規定した場合に、外部応力の進展方向が１°＜θ＜８９°の範囲内となるように切込みを入れる。

より具体的に説明する。図９Ａ（ｉ）及び図１０（ｉ）に示すように、キャリア１２の中心からノッチＮ又はオリフラＯＦの中点までの半直線Ｌを起点として、右回り（時計回り）に角度θを規定すると、θ＝０°、９０°、１８０°、及び２７０°がへき開方位ＣＬに該当する。このため、切込みによる外部応力ＳＴの進展方向θｒについては、図９Ｂ（ｉｉｉ）に示すように、θｒが１°＜θｒ＜８９°の範囲内となるように、外部応力ＳＴの進展方向を保持しつつ切込みを行うことが好ましく、５°＜θｒ＜８５°の範囲内とすることがより好ましい。このようなθｒの範囲を満たす切込みの導入方法によりシリコンウェハで構成されるキャリア１２の破壊の抑制が可能となる。この切込みの際の特に好ましいθｒの範囲は、半直線Ｌを起点として右回りにθｒ＝４５±５°以内、１３５±５°以内、２２５±５°以内及び３１５±５°以内である。これらの角度はシリコンウェハの結晶方位＜１００＞方向で最もウェハがへき開しづらいため、これらの角度で外部応力を進展させることで、ウェハの破壊を効果的に抑制しつつ切込みＳの形成が可能となる。

（３）隙間の形成
切込みＳを形成した積層シート１０に対して、切込みＳから樹脂含有層２０（存在する場合）、金属層１６、剥離層１５又は中間層１４（存在する場合）の中央部Ｃ側に向かって薄片Ｔを挿入する（図２Ａ（ｉｉｉ）及び図２Ｂ（ｉｉｉ））。このとき、図２Ａ（ｉｉｉ）に示されるように、積層シート１０を断面視した場合に、キャリア１２の主面に対する薄片Ｔの挿入角度θが０°を超えるようにする。こうすることで、金属層１６とキャリア１２との間に隙間Ｇを形成することができ（図２Ａ（ｉｖ））、この隙間Ｇをきっかけとして、キャリア１２の剥離を簡便かつ確実に行うことが可能となる。

近年、半導体パッケージの更なる薄型化のため、樹脂層（モールド樹脂）等を研磨することで、樹脂含有層を薄くすることが行われている。しかしながら、特許文献５に開示されるような従来のキャリア剥離方法は、剛性の高い樹脂含有層を上方から保持ユニットで保持する工程が必要であり、このような薄型化、すなわち剛性の低下した樹脂含有層に十分対応したものとはいえない。ここで、図５及び６には、従来の配線基板の製造方法の一例が示される。図５及び６に示される従来工程では、まず、キャリア付金属箔１１８上に樹脂含有層１２０が設けられた積層シート１１０を用意する（図５（ｉ））。この例において、キャリア付金属箔１１８は、キャリア１１２上に、中間層１１４、剥離層１１５、及び金属層１１６を順に備える。また、樹脂含有層１２０は、配線層１２０ａ、半導体素子１２０ｂ、及び樹脂層１２０ｃを含む。次いで、用意した積層シート１１０の樹脂含有層１２０側から、ブレードＢを用いてキャリア付金属箔１１８に到達する切込みを入れ、樹脂含有層１２０における切込みから外側の外縁部分を除去して延出部分Ｅを形成する（図５（ｉｉ））。その後、吸引治具ＳＪにより樹脂含有層１２０を固定した状態で、形成した延出部分Ｅに対して、樹脂含有層１２０からキャリア１１２を引き離す方向に力を加える（図６（ｉｉｉ））。こうして、キャリア１１２及び中間層１１４を、樹脂含有層１２０から剥離層１１５の位置で剥離する（図６（ｉｖ））。

しかしながら、本発明者らの知見によれば、このような従来の方法は、樹脂含有層１２０が３００μｍ以下と薄い場合、キャリア１１２の剥離が困難となりうることが判明した。この要因の一つとしては以下のようなものが挙げられる。すなわち、図５及び６に示されるキャリアの剥離方法は、樹脂含有層１２０の厚さが３００μｍ超と大きい場合には、樹脂含有層１２０とキャリア付金属箔１１８との界面における残留応力が大きく、この残留応力によってキャリア１１２等の剥離が促進されると考えられる。一方、樹脂含有層１２０の厚さが３００μｍ以下と小さい場合、樹脂含有層１２０とキャリア付金属箔１１８との界面の残留応力が小さくなる結果、キャリア１１２等の剥離が促進されにくくなると考えられる。

これに対して、本発明では金属層１６－キャリア１２間（典型的には剥離層１５又はその近傍）に隙間Ｇを形成することにより、この隙間Ｇをきっかけとしてキャリア１２の剥離（金属層１６の引き剥がし）を確実に行うことができる。具体的には、半導体パッケージの製造において、支持体としてのキャリア１２の意図せぬ剥離等が生じないよう、金属層１６－キャリア１２間は一定以上の剥離強度を有するものとなっている。この点、金属層１６－キャリア１２間が部分的に剥離した隙間Ｇを形成することにより、金属層１６－キャリア１２間において、後工程である剥離工程で、剥離の起点になる応力集中部分を形成させることができる。こうすることで、樹脂含有層２０の厚さに依らず、支持体としての役目を果たしたキャリア１２を確実に剥離することが可能となる。また、本発明の方法は、専用の装置ないし複雑な工程を要することなく、切込みＳ及び隙間Ｇの形成という簡便な手法によりキャリア１２を剥離することができる。このように、キャリア１２、剥離層１５及び金属層１６を順に備えた積層シート１０に対して、金属層１６及び剥離層１５を中央部Ｃと周縁部Ｐとに区画する所定の切込みＳを入れ、この切込みＳから薄片Ｔを所定の角度θで挿入して金属層１６とキャリア１２との間に隙間Ｇを形成することで、簡便かつ確実にキャリア１２を剥離して配線基板を製造できる。

キャリア１２の主面に対する薄片Ｔの挿入角度θとは、図２Ａ（ｉｉｉ）に示されるように、積層シート１０を断面視した場合に、薄片Ｔの先端部（又は先端部を通る仮想線）がキャリア１２表面に接する箇所において、薄片Ｔの先端部とキャリア１２表面とがなす角として定義される。このように定義する理由は薄片Ｔが剛体としてふるまうのでなく、弾性体のようにしなる場合があるためである。この挿入角度θは０°を超え、好ましくは０．１°を超え６０°以下、より好ましくは１°以上５８°以下、さらに好ましくは２°以上５５°以下、特に好ましくは３°以上５０°以下、最も好ましくは５°以上４５°以下である。このような角度で薄片Ｔを積層シート１０に挿入することにより、積層シート１０を構成する層のうち、密着力が最も弱い箇所（典型的には剥離層１５又はその近傍）に薄片Ｔが差し込まれて、効率良く隙間Ｇが形成される。また、薄片Ｔの挿入時に剥離層１５又はその近傍に対して鉛直方向の応力を加える（例えば、薄片Ｔで剥離層１５周辺をこじる）ことが好ましく、こうすることでより一層効率良く隙間Ｇを形成することができる。

隙間Ｇの形成における、薄片Ｔの積層シート１０への差し込み幅は０．１ｍｍ以上であるのが好ましく、より好ましくは０．５ｍｍ以上、さらに好ましくは１ｍｍ以上である。本明細書において、差し込み幅とは、切込みＳから隙間Ｇの最奥部までの距離（隙間Ｇの奥行ともいえる）を意味するものとする。このような差し込み幅であると、隙間Ｇによってキャリア１２の剥離をより一層促進することができる。差し込み幅の上限は積層シート１０のサイズに応じて適宜決定すればよく、特に限定されないが、２０ｍｍが上限の目安として挙げられる。

積層シート１０が樹脂含有層２０をさらに備える場合、隙間Ｇの形成における、薄片Ｔ（例えば回転刃ＲＣ）の挿入は樹脂含有層２０（中央部Ｃ側、図４（ｉｉ）参照）に対して行われるものであってもよい。金属層１６－樹脂含有層２０間の剥離強度は、キャリア１２－金属層１６間の剥離強度よりも大きいのが典型的である。このため、薄片Ｔを樹脂含有層２０に対して挿入することにより、図４（ｉｉｉ）に示されるように、金属層１６が樹脂含有層２０とともに持ち上げられ、キャリア１２から部分的に引き離されることになる。その結果、金属層１６とキャリア１２との間に隙間Ｇを形成することができる。

隙間Ｇの形成性の観点から、薄片Ｔの厚さは２ｍｍ以下であるのが典型的であり、より典型的には０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下である。また、ＪＩＳ Ｈ３１３０－２０１２に準拠して繰返したわみ式試験により測定される、薄片Ｔのばね限界値Ｋｂ_０．１は１００Ｎ／ｍｍ^２以上１５００Ｎ／ｍｍ^２以下であるのが好ましく、２００Ｎ／ｍｍ^２以上１０００Ｎ／ｍｍ^２以下であるのがより好ましく、３００Ｎ／ｍｍ^２以上８００Ｎ／ｍｍ^２以下であるのがさらに好ましい。さらに、ＪＩＳ Ｒ１６０２－１９９５に準拠して測定される、薄片Ｔの静的弾性率は３０ＧＰａ以上８００ＧＰａ以下であるのが好ましく、より好ましくは８０ＧＰａ以上３００ＧＰａ以下、さらに好ましくは１００ＧＰａ以上２００ＧＰａ以下である。このような剛性を有する薄片Ｔを用いることで、隙間Ｇをより形成しやすくなる。薄片Ｔは上述した切込みの形成に用いた切削工具ないし工作機械と同一であってもよく、異なっていてもよい。

薄片Ｔは、鉄系材料、非鉄金属、セラミックス及びダイヤモンドからなる群からなる少なくとも１種で構成されるのが好ましく、より好ましくはタングステン又はステンレス鋼で構成される。鉄系材料の好ましい例としては、ステンレス鋼、炭素工具鋼（ＪＩＳ Ｇ４４０１－２００９に規定されるＳＫ１２０等）、合金工具鋼（ＪＩＳ Ｇ４４０４－２０１５に規定されるＳＫＳ７等、炭素工具鋼にタングステン、クロム、バナジウム等を少量添加したもの）、高速度工具鋼（ＪＩＳ Ｇ４４０３－２０１５に規定されるＳＫＨ５１等、炭素工具鋼にタングステン、クロム、バナジウム、モリブデン等を多量に添加したもの）が挙げられる。非鉄金属の好ましい例としては、タングステン、超硬質合金（炭化タングステン等の硬質の金属炭化物の粉末を焼結して作られる合金）が挙げられる。セラミックスの好ましい例としては、酸化ジルコニウムが挙げられる。

薄片Ｔは切断刃であるのが隙間Ｇを形成しやすい点で好ましい。この切断刃の形状は平刃、三角刃、四角刃、円形刃及び回転刃のいずれであってもよいが、これらのうち先端が円弧又は曲線形状である切断刃であることがより好ましく、回転刃であるのが特に好ましい。回転刃（ロータリーカッター、スリットカッター、又はマルナイフとも称されることがある）を用いることで、積層シート１０に対して一定の挿入角度θで刃を入れやすくなるとともに、刃を回転させながら押すように積層シート１０に差し込むことで、スムーズに隙間Ｇを形成することができ、樹脂含有層２０の破壊を効果的に抑制することができる。

回転刃の模式図を図７に示す。図７に示されるように、回転刃は所定範囲内の直径ｄ、刃厚ｔ、及び刃角度ａを有するのが隙間Ｇの形成性の観点から好ましい。すなわち、回転刃の直径ｄは５ｍｍ以上１５０ｍｍ以下が好ましく、より好ましくは１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下、さらに好ましくは１８ｍｍ以上６０ｍｍ以下である。回転刃の刃厚ｔは０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下が好ましく、より好ましくは０．２ｍｍ以上３ｍｍ以下、さらに好ましくは０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下である。そして、回転刃の刃角度ａは１０°以上５０°以下が好ましく、より好ましくは１５°以上４０°以下、さらに好ましくは２０°以上３０°以下である。

（４）隙間の拡大（任意工程）
所望により、形成した隙間Ｇを起点として、薄片Ｔを切込みＳに沿って移動させることにより、隙間Ｇを拡大する（図２Ｂ（ｉｖ））。このように隙間Ｇを拡大することで、キャリア１２の剥離をより一層スムーズに行うことができる。

薄片Ｔの移動は、切込みＳの一部又は全長にわたって行われるのが好ましく、切込みＳの全長にわたって行われるのがより好ましい。例えば、上述した矩形状のパターン（４辺の線状パターン）で切込みＳを形成した場合、矩形状のパターンに沿って薄片Ｔを移動させることにより、各辺に隙間Ｇを形成することができる。特に、積層シート１０が多角形の形状を有する場合、切込みＳの角部分（折り返し部分）を含めて隙間Ｇを形成しておくことが、後の剥離工程において隙間Ｇへの応力集中により剥離をスムーズに行える観点から好ましい。また、この隙間の拡大工程でキャリアが単結晶シリコンキャリアである場合、切込みＳの進展方向に留意することが好ましい。

薄片Ｔの移動時における、キャリア１２の主面に対する薄片Ｔの挿入角度は特に限定されるものではないが、隙間Ｇ形成時の薄片Ｔの挿入角度θ±１０°（但しθ±１０°＞０°である）の範囲内とするのが典型的である。また、薄片Ｔを移動させる際、移動方向に向かって薄片Ｔを傾けながら隙間Ｇを拡大させてもよい。

（５）キャリアの剥離（任意工程）
所望により、隙間Ｇを拡大した後、積層シート１０に対して、キャリア１２と金属層１６（中央部Ｃ側）とが離間する方向に力を加える（図３（ｖ））。こうすることで、隙間Ｇをきっかけとしてキャリア１２から金属層１６（及び存在する場合には樹脂含有層２０）を引き剥がすことができる（図３（ｖｉ））。すなわち、上述のとおり隙間Ｇの形成及び拡大により、剥離工程で金属層１６－キャリア１２間の剥離の起点になる応力集中部分を形成させることができるため、金属層１６の引き剥がしを容易に行うことができる。

金属層１６の引き剥がしは、キャリア１２又は積層シート１０の外縁部を、例えば把持又は支持した状態で行われるのが好ましい。なお、ここでの「支持」にはキャリアの少なくとも一部を固定する方法を含むものとする。例えば、図３（ｖ）に示されるように、キャリア１２等を把持又は支持した状態で、粘着部材ＡＭを金属層１６又は樹脂含有層２０（中央部Ｃ側）に貼り付けて、キャリア１２と離間する方向（図中の矢印方向）に向かって引っ張ることにより、金属層１６及び樹脂含有層２０の引き剥がしを行うことができる。あるいは、キャリア１２等を把持又は支持した状態で、隙間Ｇに対して所定の圧力で風や水等を噴射することにより、風圧ないし水圧を利用して金属層１６等の引き剥がしを行ってもよい。その他、図８（ｉ）及び（ｉｉ）に示されるように、金属層１６又は樹脂含有層２０の中央部Ｃ側を吸引治具ＳＪ等で吸引した状態で、押圧部材ＰＭ等を用いて金属層１６又は樹脂含有層２０の周縁部Ｐ側を吸引方向と逆側の方向に向かって押し出すことで、金属層１６等の引き剥がしを行ってもよい。

この剥離工程でキャリアが単結晶シリコンキャリアである場合、剥離の進展方向に留意することが好ましい。すなわち、図９Ｂ（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）に示すように、外部応力ＳＴの進展する方向とへき開方位ＣＬとが一致する方向で剥離をした場合、最初の剥離による外部応力ＳＴが加わった点を起点として、へき開方位ＣＬに沿ってクラックＣＲが発生する等、シリコンキャリアが破壊されてしまう可能性がある。こうしたシリコンキャリアのへき開による破壊を抑制するため、キャリア１２が単結晶シリコンキャリアのときは、図１０Ｂ（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）に示すように、シリコンキャリア上のｘ軸（図中の左右方向）及びｙ軸（図中の上下方向）のへき開方位ＣＬのいずれの方向とも不一致となるように、外部応力ＳＴを加えてキャリア１２の剥離を行うことが好ましい。

したがって、本発明の好ましい態様によれば、キャリア１２が、外周部にノッチ等を有する単結晶シリコンキャリアであり、キャリアの剥離工程において、単結晶シリコンキャリアの中心からノッチ等までの半直線を起点として右回り（時計回り）に角度θを規定した場合に、外部応力の進展方向が１°＜θ＜８９°の範囲内となるように剥離を行う。

より具体的に説明する。図９Ａ（ｉ）及び図１０（ｉ）に示すように、キャリア１２の中心からノッチＮ又はオリフラＯＦの中点までの半直線Ｌを起点として、右回り（時計回り）に角度θを規定すると、θ＝０°、９０°、１８０°、及び２７０°がへき開方位ＣＬに該当する。このため、剥離による外部応力ＳＴの進展方向θｒについては、図１０Ｂ（ｉｉｉ）に示すように、θｒが１°＜θｒ＜８９°の範囲内となるように、外部応力ＳＴの進展方向を保持しつつ剥離を行うことが好ましく、５°＜θｒ＜８５°の範囲内とすることがより好ましい。このようなθｒの範囲を満たす剥離方法によりシリコンウェハで構成されるキャリア１２の破壊の抑制が可能となる。この剥離の際の特に好ましいθｒの範囲は、半直線Ｌを起点として右回りにθｒ＝４５±５°以内、１３５±５°以内、２２５±５°以内及び３１５±５°以内である。これらの角度はシリコンウェハの結晶方位＜１００＞方向で最もウェハがへき開しづらいため、これらの角度で外部応力を進展させることで、ウェハの破壊を効果的に抑制しつつキャリアの除去を行うことが可能となる。なお、上述したように粘着部材ＡＭを金属層１６又は樹脂含有層２０に貼り付けて、キャリア１２と離間する方向に向かって引っ張る方法によりキャリア剥離を行う場合（図３（ｖ）参照）、粘着部材ＡＭによる引張応力の伝播方向を上記θｒの範囲内にすることが好ましい。あるいは、上述したように押圧部材ＰＭ等を用いて金属層１６又は樹脂含有層２０の周縁部Ｐ側を吸引方向と逆側の方向に向かって押し出す方法によりキャリア剥離を行う場合（図８（ｉ）及び（ｉｉ）参照）、押圧部材ＰＭ等による押し出し方向の応力の伝播方向を上記θｒの範囲内にすることが好ましい。

積層シート１０が樹脂含有層２０を有する場合、キャリア１２の剥離後に露出した金属層１６をエッチングにより除去してもよい。こうすることで金属層１６表面に形成された配線（埋め込み配線）が露出するため、その上にフォトリソグラフィプロセスによる更なる回路を形成するのにより適したものとなる。金属層１６のエッチングは公知の手法に基づき行えばよく、特に限定されない。

キャリア付金属箔
図１Ａを参照しつつ上述したとおり、本発明の方法において所望により用いられるキャリア付金属箔１８は、キャリア１２、所望により中間層１４、剥離層１５、及び金属層１６を順に備える。

上述のとおり、キャリア１２の材質はガラス、セラミックス、シリコン、樹脂、及び金属のいずれであってもよい。好ましくは、キャリア１２は、ガラス、多結晶シリコン、単結晶シリコン又はセラミックスで構成される。キャリア１２の形態はシート、フィルム及び板のいずれであってもよい。また、キャリア１２はこれらのシート、フィルム及び板等が積層されたものであってもよい。例えば、キャリア１２はガラス板、セラミックス板、シリコンウェハ、金属板等といった剛性を有する支持体として機能しうるものであってもよいし、金属箔や樹脂フィルム等といった剛性を有しない形態であってもよい。キャリア１２を構成する金属の好ましい例としては、銅、チタン、ニッケル、ステンレススチール、アルミニウム等が挙げられる。セラミックスの好ましい例としては、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、その他各種ファインセラミックス等が挙げられる。樹脂の好ましい例としては、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリアミド、ポリイミド、ナイロン、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ（登録商標））、ポリアミドイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、エチレンテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）等が挙げられる。より好ましくは、半導体素子を搭載する際の加熱に伴うコアレス支持体の反り防止の観点から、熱膨張係数（ＣＴＥ）が２５ｐｐｍ／Ｋ未満（典型的には１．０ｐｐｍ／Ｋ以上２３ｐｐｍ／Ｋ以下）の材料であり、そのような材料の例としては、上述したような各種樹脂（特にポリイミド、液晶ポリマー等の低熱膨張樹脂）、ガラス、シリコン及びセラミックス等が挙げられる。また、ハンドリング性やチップ実装時の平坦性確保の観点から、キャリア１２はビッカース硬度が１００ＨＶ以上であるのが好ましく、より好ましくは１５０ＨＶ以上２５００ＨＶ以下である。これらの特性を満たす材料として、キャリア１２はガラス、シリコン又はセラミックスで構成されるのが好ましく、より好ましくはガラス又はセラミックスで構成され、特に好ましくはガラスで構成される。ガラスから構成されるキャリア１２としては、例えばガラス板が挙げられる。ガラスをキャリア１２として用いた場合、軽量で、熱膨脹係数が低く、絶縁性が高く、剛直で表面が平坦なため、金属層１６の表面を極度に平滑にできる等の利点がある。また、キャリア１２がガラスである場合、微細回路形成に有利な表面平坦性（コプラナリティ）を有している点、配線製造工程におけるデスミアや各種めっき工程において耐薬品性を有している点、キャリア付金属箔１８からキャリア１２を剥離する際に化学的分離法が採用できる点等の利点がある。キャリア１２を構成するガラスの好ましい例としては、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくは無アルカリガラス、ソーダライムガラス、及びそれらの組合せであり、特に好ましくは無アルカリガラスである。無アルカリガラスは、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素、及び酸化カルシウムや酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物を主成分とし、更にホウ酸を含有する、アルカリ金属を実質的に含有しないガラスのことである。この無アルカリガラスは、０℃から３５０℃までの広い温度帯域において熱膨脹係数が３ｐｐｍ／Ｋ以上５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲で低く安定しているため、加熱を伴うプロセスにおけるガラスの反りを最小限にできるとの利点がある。キャリア１２の厚さは１００μｍ以上２０００μｍ以下が好ましく、より好ましくは３００μｍ以上１８００μｍ以下、さらに好ましくは４００μｍ以上１１００μｍ以下である。キャリア１２がこのような範囲内の厚さであると、ハンドリングに支障を来さない適切な強度を確保しながら配線の薄型化、及び電子部品搭載時に生じる反りの低減を実現することができる。

所望により設けられる中間層１４は、１層構成であってもよいし、２層以上の構成であってもよい。中間層１４が２層以上の層で構成される場合には、中間層１４は、キャリア１２直上に設けられた第１中間層と、剥離層１５に隣接して設けられた第２中間層とを含む。第１中間層は、キャリア１２との密着性を確保する点から、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属で構成される層であるのが好ましい。第１中間層は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。第１中間層の厚さは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、さらに好ましくは１８ｎｍ以上２００ｎｍ以下、特に好ましくは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。第２中間層は、剥離層１５との剥離強度を所望の値に制御する点から、Ｃｕで構成される層であるのが好ましい。第２中間層の厚さは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、特に好ましくは２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。第１中間層と第２中間層との間には、別の介在層が存在していてもよく、介在層の構成材料の例としては、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属とＣｕとの合金等が挙げられる。一方、中間層１４が１層構成の場合には、上述した第１中間層を中間層としてそのまま採用してもよいし、第１中間層及び第２中間層を、１層の中間合金層で置き換えてもよい。この中間合金層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ、Ａｌ及びＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の金属の含有量が１．０ａｔ％以上であり、かつ、Ｃｕ含有量が３０ａｔ％以上である銅合金で構成されるのが好ましい。中間合金層の厚さは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５ｎｍ以上３００ｎｍ以下、特に好ましくは２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。なお、上述した各層の厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。中間層１４を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避的不純物を含んでいてもよい。また、中間層１４の成膜後に大気に暴露される場合、それに起因して混入する酸素の存在は許容される。中間層１４は、いかなる方法で製造されたものであってもよいが、金属ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法により形成された層であるのが膜厚分布の均一性を具備できる点で特に好ましい。

剥離層１５は、キャリア１２、及び存在する場合には中間層１４の剥離を可能ないし容易とする層である。剥離層１５は、物理的に力を加える方法により剥離が可能なもののほか、レーザーにより剥離する方法(レーザーリフトオフ、ＬＬＯ)により剥離が可能となるものでも良い。剥離層１５がレーザーリフトオフにより剥離が可能となる材質で構成される場合、剥離層１５は硬化後のレーザー光線照射により界面の接着強度が低下する樹脂で構成されてもよく、あるいはレーザー光線照射により改質がされるケイ素、炭化ケイ素、金属酸化物等の層であってもよい。また、剥離層１５は、有機剥離層及び無機剥離層のいずれであってもよい。有機剥離層に用いられる有機成分の例としては、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物、カルボン酸等が挙げられる。窒素含有有機化合物の例としては、トリアゾール化合物、イミダゾール化合物等が挙げられる。一方、無機剥離層に用いられる無機成分の例としては、Ｃｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｍｏの少なくとも一種類以上を含む金属酸化物若しくは金属酸窒化物、又は炭素等が挙げられる。これらの中でも、剥離層１５は主として炭素を含んでなる層であるのが剥離容易性や層形成性の点等から好ましく、より好ましくは主として炭素又は炭化水素からなる層であり、さらに好ましくは硬質炭素膜であるアモルファスカーボンからなる層である。この場合、剥離層１５（すなわち炭素含有層）はＸＰＳにより測定される炭素濃度が６０原子％以上であるのが好ましく、より好ましくは７０原子％以上、さらに好ましくは８０原子％以上、特に好ましくは８５原子％以上である。炭素濃度の上限値は特に限定されず１００原子％であってもよいが、９８原子％以下が現実的である。剥離層１５は不可避的不純物（例えば雰囲気等の周囲環境に由来する酸素、炭素、水素等）を含みうる。また、剥離層１５には後に積層される金属層１６等の成膜手法に起因して、剥離層１５として含有された金属以外の種類の金属原子が混入しうる。剥離層１５として炭素含有層を用いた場合にはキャリアとの相互拡散性及び反応性が小さく、３００℃を超える温度でのプレス加工等を受けても、金属層と接合界面との間での高温加熱による金属元素の相互拡散を防止して、キャリアの引き剥がし除去が容易な状態を維持することができる。剥離層１５はスパッタリング等の気相法により形成された層であるのが剥離層１５中の過度な不純物を抑制する点、他の層の連続生産性の点などから好ましい。剥離層１５として炭素含有層を用いた場合の厚さは１ｎｍ以上２０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。

剥離層１５は、金属酸化物層及び炭素含有層のそれぞれの層を含むか、又は金属酸化物及び炭素の双方を含む層であってもよい。特に、キャリア付金属箔１８が中間層１４を含む場合、炭素含有層がキャリア１２の安定的な剥離に寄与するとともに、金属酸化物層によって中間層１４及び金属層１６に由来する金属元素の加熱に伴う拡散をより効果的に抑制することができ、結果として例えば３５０℃以上もの高温で加熱された後においても、安定した剥離性を保持することが可能となる。金属酸化物層はＣｕ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｍｏ及びそれらの組合せで構成される金属の酸化物を含む層であるのが好ましい。金属酸化物層は金属ターゲットを用い、酸化性雰囲気下でスパッタリングを行う反応性スパッタリング法により形成された層であるのが、成膜時間の調整によって膜厚を容易に制御可能な点から特に好ましい。金属酸化物層の厚さは０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるのが好ましい。金属酸化物層の厚さの上限値としては、より好ましくは６０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下、特に好ましくは１０ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。このとき、剥離層１５として金属酸化物層及び炭素層が積層される順は特に限定されない。また、剥離層１５は、金属酸化物層及び炭素含有層の境界が明瞭には特定されない混相（すなわち金属酸化物及び炭素の双方を含む層）の状態で存在していてもよい。

同様に、高温での熱処理後においても安定した剥離性を保持する観点から、剥離層１５は、金属層１６に隣接する側の面がフッ化処理面及び／又は窒化処理面である金属含有層であってもよい。金属含有層にはフッ素の含有量及び窒素の含有量の和が１．０原子％以上である領域（以下、「（Ｆ＋Ｎ）領域」と称する）が１０ｎｍ以上の厚さにわたって存在するのが好ましく、（Ｆ＋Ｎ）領域は金属含有層の金属層１６側に存在するのが好ましい。（Ｆ＋Ｎ）領域の厚さ（ＳｉＯ_２換算）は、ＸＰＳを用いてキャリア付金属箔１８の深さ方向元素分析を行うことにより特定される値とする。フッ化処理面ないし窒化処理面は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ ｉｏｎ ｅｔｃｈｉｎｇ）、又は反応性スパッタリング法により好ましく形成することができる。一方、金属含有層に含まれる金属元素は、負の標準電極電位を有するのが好ましい。金属含有層に含まれる金属元素の好ましい例としては、Ｃｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ及びそれらの組合せ（例えば合金や金属間化合物）が挙げられる。金属含有層における金属元素の含有率は５０原子％以上１００原子％以下であることが好ましい。金属含有層は１層から構成される単層であってもよく、２層以上から構成される多層であってもよい。金属含有層全体の厚さは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。金属含有層自体の厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。

あるいは、剥離層１５は、炭素層等に代えて、金属酸窒化物含有層であってもよい。金属酸窒化物含有層のキャリア１２と反対側（すなわち金属層１６側）の表面は、ＴａＯＮ 、ＮｉＯＮ、ＴｉＯＮ、ＮｉＷＯＮ及びＭｏＯＮからなる群から選択される少なくとも１種の金属酸窒化物を含むのが好ましい。また、キャリア１２と金属層１６との密着性を確保する点から、金属酸窒化物含有層のキャリア１２側の表面は、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、ＴｉＮ及びＴａＮからなる群から選択される少なくとも１種を含むのが好ましい。こうすることで、金属層１６表面の異物粒子数を抑制して回路形成性を向上し、かつ、高温で長時間加熱された後においても、安定した剥離強度を保持することが可能となる。金属酸窒化物含有層の厚さは５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるのが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、さらに好ましくは２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、特に好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。この厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。

金属層１６は金属で構成される層である。金属層１６は、１層構成であってもよいし、２層以上の構成であってもよい。金属層１６が２層以上の層で構成される場合には、金属層１６は、剥離層１５のキャリア１２と反対の面側に、第１金属層から第ｍ金属層（ｍは２以上の整数）までの各金属層が順に積層した構成とすることができる。金属層１６全体の厚さは１ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましく、好ましくは１００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さらに好ましくは３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下、特に好ましくは３５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。金属層１６の厚さは、層断面を透過型電子顕微鏡のエネルギー分散型Ｘ線分光分析器（ＴＥＭ－ＥＤＸ）で分析することにより測定される値とする。以下、金属層１６が第１金属層及び第２金属層の２層で構成される例について説明する。

第１金属層は、キャリア付金属箔１８に対してエッチングストッパー機能や反射防止機能等の所望の機能を付与するものであることが好ましい。第１金属層を構成する金属の好ましい例としては、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｏ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せが挙げられ、より好ましくはＴｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｗ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せ、さらに好ましくはＴｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せ、特に好ましくはＴｉ、Ｍｏ及びそれらの組合せである。これらの元素は、フラッシュエッチング液（例えば銅フラッシュエッチング液）に対して溶解しないという性質を有し、その結果、フラッシュエッチング液に対して優れた耐薬品性を呈することができる。したがって、第１金属層は、後述する第２金属層よりもフラッシュエッチング液によってエッチングされにくい層となり、それ故エッチングストッパー層として機能しうる。また、第１金属層を構成する上述の金属は光の反射を防止する機能も有するため、第１金属層は、画像検査（例えば自動画像検査（ＡＯＩ））において視認性を向上させるための反射防止層としても機能しうる。第１金属層は、純金属であってもよいし、合金であってもよい。第１金属層を構成する金属は原料成分や成膜工程等に起因する不可避的不純物を含んでいてもよい。また、上記金属の含有率の上限は特に限定されず、１００原子％であってもよい。第１金属層は物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された層であるのが好ましく、より好ましくはスパッタリングにより形成された層である。第１金属層の厚さは、１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。

第２金属層を構成する金属の好ましい例としては、第４族、第５族、第６族、第９族、第１０族及び第１１族の遷移元素、Ａｌ、並びにそれらの組合せ（例えば合金や金属間化合物）が挙げられ、より好ましくは第４族及び第１１族の遷移元素、Ａｌ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、並びにそれらの組合せ、さらに好ましくは第１１族の遷移元素、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｏ、及びそれらの組合せ、特に好ましくはＣｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、及びそれらの組合せ、最も好ましくはＣｕである。第２金属層は、いかなる方法で製造されたものでよく、例えば、無電解金属めっき法及び電解金属めっき法等の湿式成膜法、スパッタリング及び真空蒸着等の物理気相堆積（ＰＶＤ）法、化学気相成膜、又はそれらの組合せにより形成した金属箔であってよい。特に好ましい第２金属層は、極薄化によるファインピッチ化に対応しやすい観点から、スパッタリング法や真空蒸着等の物理気相堆積（ＰＶＤ）法により形成された金属層であり、最も好ましくはスパッタリング法により製造された金属層である。また、第２金属層は、粗化処理をしていない金属層が好ましいが、配線パターン形成に支障を来さないかぎり予備的粗化処理やソフトエッチング処理や洗浄処理、酸化還元処理により二次的な粗化処理が施されたものであってもよい。ファインピッチ化に対応する観点から、第２金属層の厚さは１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０ｎｍ以上９００ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以上７００ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以上６００ｎｍ以下、特に好ましくは７０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、最も好ましくは１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。このような範囲内の厚さの金属層はスパッタリング法により製造されるのが成膜厚さの面内均一性や、シート状やロール状での生産性の観点で好ましい。

金属層１６が１層構成の場合には、上述した第２金属層を金属層１６としてそのまま採用することが好ましい。一方、金属層１６がｎ層（ｎは３以上の整数）構成である場合には、金属層１６の第１金属層から第（ｎ－１）金属層までを上述した第１金属層の構成とすることが好ましく、金属層１６の最外層、すなわち第ｎ金属層を上述した第２金属層の構成とすることが好ましい。

金属層１６、所望により中間層１４、及び所望により剥離層１５（すなわち少なくとも金属層１６、例えば金属層１６及び中間層１４）が、キャリア１２の端面にまで延出することにより、当該端面が被覆されるのが好ましい。すなわち、キャリア１２の表面のみならず端面も少なくとも金属層１６で被覆されていることが好ましい。端面も被覆することで、配線基板の製造工程におけるキャリア１２への薬液の浸入を防止することができる他、キャリア付金属箔１８又は積層シート１０をハンドリングする際の側端部における剥離によるチッピング、すなわち剥離層１５上の皮膜（すなわち金属層１６）の欠けを強固に防止させることができる。キャリア１２の端面における被覆領域は、キャリア１２の表面から厚さ方向（すなわちキャリア表面に対して垂直な方向）に向かって、好ましくは０．１ｍｍ以上の領域、より好ましくは０．２ｍｍ以上の領域、さらに好ましくはキャリア１２の端面全域にわたるものとする。

本発明を以下の例によってさらに具体的に説明する。

例１
（１）積層シートの作製
キャリア１２として、３２０ｍｍ×３２０ｍｍのサイズで厚さ１．１ｍｍのガラス基板（材質：ソーダライムガラス）を用意した。このキャリア１２上に、中間層１４としてのチタン層（厚さ５０ｎｍ）及び銅層（厚さ２００ｎｍ）、剥離層１５としてのアモルファスカーボン層（厚さ６ｎｍ）、並びに金属層１６としてのチタン層（厚さ１００ｎｍ）及び銅層（厚さ３００ｎｍ）をスパッタリングでこの順に成膜して、キャリア付金属箔１８を得た。このキャリア付金属箔１８の金属層１６上に、３００ｍｍ×３００ｍｍのサイズで厚さ３００μｍの樹脂層（材質：エポキシ樹脂）を形成して、樹脂含有層２０とした。こうしてキャリア１２、中間層１４、剥離層１５、金属層１６及び樹脂含有層２０をこの順に備えた積層シート１０を作製した（図１Ａ（ｉ）及び図１Ｂ（ｉ）参照）。

（２）切込みの形成
積層シート１０の金属層１６表面から、カッターＣＴの刃（材質：タングステン）をキャリア１２の主面に対して垂直に入れることで、切込みＳ（幅０．５ｍｍ）を形成した。この切込みＳは、積層シート１０を平面視した場合に、樹脂含有層２０を取り囲むように矩形状のパターン（４辺の線状パターン）とした（図１Ｂ（ｉｉ）参照）。また、この切込みＳは、積層シート１０を断面視した場合に、金属層１６、剥離層１５及び中間層１４を貫通し、かつ、キャリア１２を貫通しない深さとした（図１Ａ（ｉｉ）参照）。こうして、切込みＳを境界として金属層１６、剥離層１５及び中間層１４を中央部Ｃと周縁部Ｐとに区画した。

（３）隙間の形成
切込みＳの角から金属層１６、剥離層１５及び中間層１４の中央部側に向かって回転刃ＲＣ（直径４５ｍｍ、刃厚０．３ｍｍ、刃角度２１°、材質：タングステン）を挿入した（図２Ａ（ｉｉｉ）及び図２Ｂ（ｉｉｉ）参照）。このとき、積層シート１０を断面視した場合における、キャリア１２の主面に対する回転刃ＲＣの挿入角度θを４５°とした。また、回転刃ＲＣの積層シート１０への差し込み幅を２ｍｍとした。こうして、金属層１６とキャリア１２との間に隙間Ｇを形成した。

（４）隙間の拡大
形成した隙間Ｇを起点として、回転刃ＲＣを切込みＳに沿って移動させた（図２Ａ（ｉｖ）及び図２Ｂ（ｉｖ）参照）。こうして回転刃ＲＣを切込みＳの矩形状パターンに沿って移動させることにより、各辺に隙間Ｇを拡大させた。

（５）キャリアの剥離
積層シート１０の周縁部Ｐを支持した状態で、市販の粘着テープＡＴを樹脂含有層２０の角に貼り付けて、キャリア１２と離間する方向に引き上げることで、樹脂含有層２０及び金属層１６をキャリア１２から引き剥がした（図３（ｖ）及び（ｖｉ）参照）。

Claims (17)

1. 配線基板の製造方法であって、
   キャリア上に剥離層及び金属層を順に備えた積層シートを用意する工程と、
   前記積層シートを平面視した場合に前記積層シートの外縁部よりも内側を通るように、かつ、前記積層シートを断面視した場合に前記金属層及び前記剥離層を貫通するように、前記積層シートのキャリアと反対側の面から切込みを入れ、前記切込みを境界として前記金属層及び前記剥離層を中央部と周縁部とに区画する工程と、
   前記切込みから前記金属層又は前記剥離層の前記中央部側に向かって薄片を挿入し、前記金属層と前記キャリアとの間に隙間を形成する工程であって、前記積層シートを断面視した場合に、前記キャリアの主面に対する前記薄片の挿入角度が０°を超える工程と、
   を含む、配線基板の製造方法。
2. 配線基板の製造方法であって、
   キャリア上に剥離層及び金属層を順に備えた積層シートを用意する工程と、
   前記積層シートを平面視した場合に前記積層シートの外縁部よりも内側を通るように、かつ、前記積層シートを断面視した場合に前記金属層及び前記剥離層を貫通するように、前記積層シートのキャリアと反対側の面から切込みを入れ、前記切込みを境界として前記金属層及び前記剥離層を中央部と周縁部とに区画する工程と、
   前記切込みから前記金属層又は前記剥離層の前記中央部側に向かって薄片を挿入し、前記金属層と前記キャリアとの間に隙間を形成する工程であって、前記積層シートを断面視した場合に、前記キャリアの主面に対する前記薄片の挿入角度が０°を超える工程と、
   を含み、
   前記キャリアが、外周部にノッチ又はオリフラ（Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ Ｆｌａｔ）を有する単結晶シリコンキャリアであり、前記切込みの形成工程において、前記単結晶シリコンキャリアの中心から前記ノッチ又は前記オリフラの中点までの半直線を起点として右回り（時計回り）に角度θを規定した場合に、外部応力の進展方向が１°＜θ＜８９°の範囲内となるように切込みを入れる、配線基板の製造方法。
3. 形成した前記隙間を起点として、前記薄片を前記切込みに沿って移動させることにより、前記隙間を拡大する工程をさらに含む、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記隙間を拡大した後、前記積層シートに対して、前記キャリアと前記金属層とが離間する方向に力を加えることにより、前記隙間をきっかけとして前記キャリアから前記金属層を引き剥がす工程をさらに含む、請求項３に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記切込みは、前記積層シートを断面視した場合に、前記キャリアの少なくとも一部が貫通しないように形成される、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記切込みの幅が０．０１ｍｍ以上２０ｍｍ以下である、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
7. 前記薄片が切断刃であり、該切断刃が平刃、三角刃、四角刃、円形刃及び回転刃のいずれかである、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
8. 前記切込みは、前記積層シートを平面視した場合に、前記周縁部が前記中央部を取り囲むように線状のパターンで形成される、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
9. 前記薄片の移動が、前記切込みの一部又は全長にわたって行われる、請求項３に記載の配線基板の製造方法。
10. 前記金属層の引き剥がしが、前記キャリア又は前記積層シートの外縁部を把持又は支持した状態で行われる、請求項４に記載の配線基板の製造方法。
11. 前記挿入角度が０．１°を超え６０°以下である、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
12. 前記隙間の形成における、前記薄片の前記積層シートへの差し込み幅が０．１ｍｍ以上である、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
13. 前記薄片が、鉄系材料、非鉄金属、セラミックス及びダイヤモンドからなる群からなる少なくとも１種で構成される、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
14. 前記積層シートは、前記金属層の前記剥離層と反対側の面に樹脂含有層をさらに備える、請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
15. 前記樹脂含有層が、配線層、半導体素子及び樹脂層からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１４に記載の配線基板の製造方法。
16. 前記樹脂含有層の厚さが１０００μｍ以下である、請求項１４に記載の配線基板の製造方法。
17. 前記隙間の形成における、前記薄片の挿入が前記樹脂含有層に対して行われる、請求項１４に記載の配線基板の製造方法。
    
    

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