CN117652212A

CN117652212A - 布线基板的制造方法

Info

Publication number: CN117652212A
Application number: CN202280043878.6A
Authority: CN
Inventors: 北畠有纪子; 中村利美; 松浦宜范
Original assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Current assignee: Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date: 2021-06-24
Filing date: 2022-06-15
Publication date: 2024-03-05

Abstract

本发明提供一种能够简便且可靠地剥离载体的布线基板的制造方法。该布线基板的制造方法包含以下工序：准备在载体上依次具备剥离层和金属层的积层片；以在俯视积层片时通过比积层片的外缘部靠内侧的位置的方式，并且以在剖视积层片时贯通金属层和剥离层的方式，从积层片的与载体所在侧相反的那一侧的面划出切口，将金属层和剥离层以切口为界划分为中央部和周缘部；以及将薄片从切口朝向金属层的中央部侧或剥离层的中央部侧插入，在金属层与载体之间形成间隙，在剖视积层片的情况下，使薄片相对于载体的主面的插入角度超过0°。

Description

布线基板的制造方法

技术领域

本发明涉及一种布线基板的制造方法。

背景技术

近年来，为了提高印刷电路板的安装密度而进行小型化，开始广泛进行印刷电路板的多层化。这样的多层印刷电路板在便携式电子设备的多数中出于轻量化、小型化的目的而被利用。于是，对该多层印刷电路板要求层间绝缘层的厚度的进一步降低、以及作为布线板的更进一步的轻量化。

作为满足这样的要求的技术，采用使用无芯积层法的多层印刷电路板的制造方法。无芯积层法是指不使用所谓的芯基板，而是交替地层叠(Build up：积层)绝缘层与布线层来进行多层化的方法。无芯积层法中，为了能够容易地进行支撑体与多层印刷电路板的剥离，提出了使用带载体的金属箔的方案。例如，专利文献1(日本特开2005－101137号公报)中公开了一种半导体元件搭载用封装基板的制造方法，其包括以下步骤：在带载体的铜箔的载体面粘贴绝缘树脂层而制成支撑体，通过光致抗蚀加工、图案电镀铜、抗蚀剂去除等工序在带载体的铜箔的极薄铜层侧形成第一布线导体后，形成积层布线层，将带载体的支撑基板剥离，去除极薄铜层。

另外，为了专利文献1所示的嵌入电路的微细化，理想的是，将金属层的厚度设为1μm以下的带载体的金属箔。因此，为了实现金属层的厚度降低，提出了通过溅镀等气相法形成金属层的方案。例如，专利文献2(国际公开第2017/150283号)中公开了通过溅镀在玻璃片等载体上形成有剥离层、防反射层以及极薄铜层(例如膜厚300nm)的带载体的铜箔。另外，专利文献3(国际公开第2017/150284号)中公开了通过溅镀在玻璃片等载体上形成有中间层(例如密合金属层和剥离辅助层)、剥离层以及极薄铜层(例如膜厚300nm)的带载体的铜箔。专利文献2和3中还给出了如下启示：通过夹设由规定的金属构成的中间层来赋予载体机械剥离强度优异的稳定性、或者通过使防反射层呈理想的暗色，可以使图像检测(例如自动图像检测(AOI))中的辨识性提高。

尤其是，随着电子器件的更进一步小型化以及节电化，对半导体芯片和印刷电路板的高度集成化以及薄型化的需求正在提高。作为满足该需求的新一代封装技术，近年正在研究采用FO－WLP(Fan－Out Wafer Level Packaging)、PLP(Panel Level Packaging)。并且，在FO－WLP、PLP中，也正在研究采用无芯积层法。作为这样的方法之一，有被称作RDL－First(Redistribution Layer－First)法的方法，即，在无芯支撑体表面形成布线层以及根据需要的积层布线层后，进行芯片的安装和密封，之后剥离支撑体。例如，专利文献4(日本特开2015－35551号公报)中公开了一种半导体装置的制造方法，其包括如下步骤：在由玻璃或硅晶圆制成的支撑体的主面形成金属剥离层；在其之上形成绝缘树脂层；在其之上形成包含积层层的重布线层(Redistribution Layer)；在其之上的半导体集成电路的安装以及密封；由支撑体的去除带来的剥离层的露出；由剥离层的去除带来的2次安装焊盘的露出；以及在2次安装焊盘的表面形成焊锡凸块；以及2次安装。

另外，在从使用无芯积层法等制作成的带布线层的载体剥离载体时，布线层大幅地弯曲而引起断线、剥离，其结果是，可能造成布线层的连接可靠性降低。因此，提出应对该问题的载体的去除方法。例如，在专利文献5(日本特开2020－119952号公报)中，公开了从借助临时粘接层设置于载体的表面的工件(例如包含与临时粘接层接触的布线层、接合于布线层的多个芯片、以及将各芯片密封的模制层)去除载体的方法。在专利文献5所公开的方法中，通过形成相较于设有工件的载体的表面侧而载体的背面侧向侧方突出的台阶部，并在自上方保持工件的状态下对台阶部施加朝下的力，能够从工件容易地去除载体。另外，在专利文献6(国际公开第2018/173807号)中，关于布线板的制造方法，公开了：在使复合积层体(包含支撑体、剥离层和多层布线板)密合于载物台的状态下，以使支撑体或多层布线板形成规定的凸曲面的方式将支撑体或多层布线板从剥离层剥离。根据该方法，防止支撑体的破裂、多层布线板的裂缝、断线等缺陷的产生，能够进行稳定的剥离。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005－101137号公报

专利文献2：国际公开第2017/150283号

专利文献3：国际公开第2017/150284号

专利文献4：日本特开2015－35551号公报

专利文献5：日本特开2020－119952号公报

专利文献6：国际公开第2018/173807号

发明内容

发明要解决的问题

然而，在以往的布线基板的制造方法中，存在因布线基板(例如布线层、半导体元件(芯片)和包含树脂层的含树脂层)的厚度的不同而难以剥离载体的情况、在剥离载体时需要专用的装置或复杂的工序的情况等，从简便且可靠地剥离载体这样的观点出发，存在改善的余地。

本发明人等如今得到如下见解：相对于依次具备载体、剥离层和金属层的积层片，划出将金属层和剥离层划分为中央部和周缘部的规定切口，将薄片从该切口以规定角度插入而在金属层与载体之间形成间隙，由此能够简便且可靠地剥离载体而制造布线基板。

因而，本发明的目的在于提供一种能够简便且可靠地剥离载体的布线基板的制造方法。

根据本发明，提供以下的技术方案。

[技术方案1]

一种布线基板的制造方法，其中，该布线基板的制造方法包含以下工序：准备在载体上依次具备剥离层和金属层的积层片；以在俯视所述积层片时通过比所述积层片的外缘部靠内侧的位置的方式，并且以在剖视所述积层片时贯通所述金属层和所述剥离层的方式，从所述积层片的与载体所在侧相反的那一侧的面划出切口，将所述金属层和所述剥离层以所述切口为界划分为中央部和周缘部；以及将薄片从所述切口朝向所述金属层的所述中央部侧或所述剥离层的所述中央部侧插入，在所述金属层与所述载体之间形成间隙，在剖视所述积层片的情况下，使所述薄片相对于所述载体的主面的插入角度超过0°。

[技术方案2]

一种布线基板的制造方法，其中，该布线基板的制造方法包含以下工序：准备在载体上依次具备剥离层和金属层的积层片；以在俯视所述积层片时通过比所述积层片的外缘部靠内侧的位置的方式，并且以在剖视所述积层片时贯通所述金属层和所述剥离层的方式，从所述积层片的与载体所在侧相反的那一侧的面划出切口，将所述金属层和所述剥离层以所述切口为界划分为中央部和周缘部；以及将薄片从所述切口朝向所述金属层的所述中央部侧或所述剥离层的所述中央部侧插入，在所述金属层与所述载体之间形成间隙，在剖视所述积层片的情况下，使所述薄片相对于所述载体的主面的插入角度超过0°，所述载体为在外周部具有槽口或定位边(Orientation Flat)的单晶硅载体，在所述切口的形成工序中，当以从所述单晶硅载体的中心起到所述槽口或所述定位边的中点为止的半直线为起点向右旋转地即沿顺时针方向规定了角度θ的情况下，以使外部应力的进展方向处于1°＜θ＜89°的范围内的方式划出切口。

[技术方案3]

根据技术方案1或2所述的布线基板的制造方法，其中，该布线基板的制造方法还包含以下工序：通过使所述薄片以所形成的所述间隙为起点沿着所述切口移动，从而扩大所述间隙。

[技术方案4]

根据技术方案3所述的布线基板的制造方法，其中，该布线基板的制造方法还包含以下工序：在扩大所述间隙之后，对所述积层片向使所述载体与所述金属层分开的方向施加力，由此以所述间隙为开端从所述载体剥下所述金属层。

[技术方案5]

根据技术方案1～4中任一项所述的布线基板的制造方法，其中，所述切口以在剖视所述积层片时不贯通所述载体的至少一部分的方式形成。

[技术方案6]

根据技术方案1～5中任一项所述的布线基板的制造方法，其中，所述切口的宽度为0.01mm以上且20mm以下。

[技术方案7]

根据技术方案1～6中任一项所述的布线基板的制造方法，其中，所述薄片为切割刀，该切割刀为平刀、三角刀、四角刀、圆形刀和旋转刀中的任一种。

[技术方案8]

根据技术方案1～7中任一项所述的布线基板的制造方法，其中，所述切口在俯视所述积层片时以所述周缘部包围所述中央部的方式由线状的图案形成。

[技术方案9]

根据技术方案3～8中任一项所述的布线基板的制造方法，其中，使所述薄片在所述切口的局部或遍及所述切口的全长地移动。

[技术方案10]

根据技术方案4～9中任一项所述的布线基板的制造方法，其中，在对所述载体的外缘部或所述积层片的外缘部进行把持或支撑的状态下剥下所述金属层。

[技术方案11]

根据技术方案1～10中任一项所述的布线基板的制造方法，其中，所述插入角度超过0.1°且为60°以下。

[技术方案12]

根据技术方案1～11中任一项所述的布线基板的制造方法，其中，所述间隙的形成过程中的所述薄片向所述积层片插入的插入宽度为0.1mm以上。

[技术方案13]

根据技术方案1～12中任一项所述的布线基板的制造方法，其中，所述薄片由选自由铁系材料、非铁金属、陶瓷和金刚石组成的组中的至少一种材料构成。

[技术方案14]

根据技术方案1～13中任一项所述的布线基板的制造方法，其中，所述积层片还在所述金属层的与所述剥离层所在侧相反的那一侧的面具备含树脂层。

[技术方案15]

根据技术方案14所述的布线基板的制造方法，其中，所述含树脂层包含选自由布线层、半导体元件和树脂层组成的组中的至少一种。

[技术方案16]

根据技术方案14或15所述的布线基板的制造方法，其中，所述含树脂层的厚度为1000μm以下。

[技术方案17]

根据技术方案14～16中任一项所述的布线基板的制造方法，其中，相对于所述含树脂层进行所述间隙的形成过程中的所述薄片的插入。

附图说明

图1A是利用示意性剖视图来表示本发明的布线基板的制造方法的一个例子的工序流程图，相当于前期工序(工序(i)和工序(ii))。

图1B是利用从积层片的与载体所在侧相反的那一侧的面观察到的示意性俯视图来表示与图1A对应的工序的工序流程图。

图2A是利用示意性剖视图来表示本发明的布线基板的制造方法的一个例子的工序流程图，相当于接着图1A所示的工序的中期工序(工序(iii)和工序(iv))。

图2B是利用从积层片的与载体所在侧相反的那一侧的面观察到的示意性俯视图来表示与图2A对应的工序的工序流程图。

图3是利用示意性剖视图来表示本发明的布线基板的制造方法的一个例子的工序流程图，相当于接着图2A所示的工序的后期工序(工序(v)和工序(vi))。

图4是利用示意性剖视图来表示在全模制构造的积层片中使用机床来形成间隙的一个例子的工序流程图。

图5是利用示意性剖视图来表示以往的布线基板的制造方法的一个例子的工序流程图，相当于前半部分工序(工序(i)和工序(ii))。

图6是利用示意性剖视图来表示以往的布线基板的制造方法的一个例子的工序流程图，相当于接着图5所示的工序的后半部分工序(工序(iii)和工序(iv))。

图7是用于说明旋转刀的直径、刀厚度和刀角度的图。

图8是表示载体的剥离方法的一个例子的示意性剖视图。

图9A是利用俯视图来表示在载体为具有槽口的硅晶圆时基于切口的形成或载体的剥离的外部应力的进展方向和解理取向一致且在硅晶圆产生裂缝的情况的工序流程图，相当于前半部分工序(工序(i)和工序(ii))。

图9B是利用俯视图来表示在载体为具有槽口的硅晶圆时基于切口的形成或载体的剥离的外部应力的进展方向和解理取向一致且在硅晶圆产生裂缝的情况的工序流程图，相当于接着图9A所示的工序的后半部分工序(工序(iii)和工序(iv))。

图10A是利用俯视图来表示在载体为具有槽口的硅晶圆时基于切口的形成或载体的剥离的外部应力的进展方向和解理取向不一致且能够抑制硅晶圆的裂缝的情况的工序流程图，相当于前半部分工序(工序(i)和工序(ii))。

图10B是利用俯视图来表示在载体为具有槽口的硅晶圆时基于切口的形成或载体的剥离的外部应力的进展方向和解理取向不一致且能够抑制硅晶圆的裂缝的情况的工序流程图，相当于接着图10A所示的工序的后半部分工序(工序(iii)和工序(iv))。

图11是表示在载体为具有定位边的硅晶圆时的载体的解理取向的图。

具体实施方式

布线基板的制造方法

本发明涉及一种布线基板的制造方法。本发明的方法包含以下各工序：(1)积层片的准备、(2)切口的形成、(3)间隙的形成、(4)根据期望进行的间隙的扩大以及(5)根据期望进行的载体的剥离。

以下，参照附图说明各个工序(1)～(5)。

(1)积层片的准备

将本发明的布线基板的制造方法的一个例子示于图1～图3。首先，如图1A(i)所示，准备在载体12上依次具备剥离层15和金属层16的积层片10。剥离层15设置在载体12上，是有助于载体12与金属层16的剥离的层。金属层16是设置在剥离层15上的由金属构成的层。

也可以是，积层片10在载体12与剥离层15之间还具有中间层14。中间层14、剥离层15和金属层16分别可以为由1层构成的单层，也可以为由两层以上构成的多层。

载体12可以由玻璃、陶瓷、硅、树脂和金属中的任一者构成，但优选为包含硅的基板或玻璃基板。其中，作为包含硅的基板，只要作为元素包含Si，则可以是任意的基板，能够应用SiO₂基板、SiN基板、Si单晶基板、Si多晶基板等。更优选为玻璃载体、单晶硅基板或多晶硅基板。根据本发明的优选方式，载体12是直径为100mm以上的圆板状，更优选是直径为200mm以上且450mm以下的圆板状。根据本发明的其他优选方式，载体12是短边为100mm以上的矩形形状，更优选是短边为150mm以上且650mm以下。矩形形状的载体12可以是长边远长于短边的辊形状的载体，但优选是长边为200mm以上且650mm以下。

如图1A(i)和图1B(i)所示，也可以是，积层片10还在金属层16的与剥离层15所在侧相反的那一侧的面具备含树脂层20。含树脂层20优选包含选自由布线层、半导体元件和树脂层(模制树脂层)组成的组中的至少一种。例如，含树脂层20可以至少包含树脂层。更优选的是，含树脂层20包含布线层、设置在布线层上的半导体元件、以及至少包围半导体元件的树脂层。树脂层可以是仅包围半导体元件的构造(凸缘模制构造)，也可以是包围半导体元件和布线层这两者的构造(全模制构造)。无论怎样，含树脂层20均能够由与以往的布线基板的制造方法相同的方法形成。此外，上述半导体元件包含集成电路、传感器等具备器件功能的元件。

含树脂层20的厚度优选为1000μm以下，更优选为10μm以上且500μm以下，进一步优选为50μm以上且400μm以下，特别优选为70μm以上且300μm以下。如此一来，能够实现布线基板的小型化或轻量化，并且含树脂层20的散热性能也变得优异。另外，即使在含树脂层20如此较薄的情况下，根据本发明，也能够可靠地剥离载体12。

例如能够如下那样准备积层片10。首先，准备在载体12上具备根据期望设置的中间层14(即任意的层)、剥离层15和金属层16的带载体的金属箔18。接着，在金属层16的表面形成第1布线层。之后，以第1布线层为基础来构筑含树脂层20。第1布线层的形成和含树脂层20的构筑只要通过公知的方法进行即可，例如能够优选采用上述无芯积层法。另外，也可以根据需要在第1布线层上(或在以第1布线层为基础构筑的布线层120a上)安装半导体元件120b(参照图5(i))。通过使半导体元件120b的电极接合于布线层120a的布线，从而半导体元件120b与布线层120a电连接。优选的是，半导体元件120b在安装在布线层120a上之后被树脂层120c覆盖。此外，在本说明书中，有时将载体12、中间层14(存在的情况下)、剥离层15和金属层16总称为“带载体的金属箔18”。在后面叙述带载体的金属箔18的优选方式。

(2)切口的形成

从准备好的积层片10的与载体12所在侧相反的那一侧的面划出切口S。如图1B(ii)所示，该切口S以在俯视积层片10时通过比积层片10的外缘部靠内侧的位置的方式划出。此时，如图1A(ii)所示，切口S以在剖视积层片10时贯通金属层16、剥离层15和中间层14(存在的情况下)的方式划出。通过在积层片10划出这样的切口S，从而成为金属层16、剥离层15和中间层14(存在的情况下)被以切口S为界划分为中央部C和周缘部P的状态(参照图1A(ii)和图1B(ii))。如此一来，能够从切口S进行后述的间隙的形成，能够简便且可靠地进行载体12的剥离(金属层16的剥下)。

对于切口S的形成方法，只要采用公知的方法即可，并不特别限定。例如，能够使用图1A(ii)所示的刀具CT等切削工具或切削刀片等机床来在积层片10形成切口S。在使用机床来形成切口S的情况下，优选的是，通过利用照相机等从水平方向来视觉识别积层片10，从而进行切口S的对位。在此，将机床使用于全模制构造(构成含树脂层20的树脂层包围半导体元件和布线层这两者的构造)的积层片10的加工的一个例子示于图4。如图4(i)～图4(iii)所示，在对全模制构造的积层片10利用机床形成切口S和后述的间隙G的情况下，期望的是，通过利用照相机(未图示)从水平方向视觉识别积层片10，从而决定加工位置(距树脂层的侧端面的距离)(参照图4(i))，对所决定的加工位置，使用机床(例如旋转刀RC)来形成切口S和间隙G(参照图4(ii)和图4(iii))。另外，在对凸缘模制构造(构成含树脂层20的树脂层仅包围半导体元件的构造)的积层片10进行加工的情况下，期望的是，利用照相机来视觉识别树脂层的侧端面附近，沿着该树脂层的侧端面形成切口S(参照图1A(ii))。

如图1A(ii)所示，切口S优选以在剖视积层片10时不贯通载体12的至少一部分的方式形成。如此一来，在后述的间隙的形成和扩大工序中，能够将载体12作为引导件来进行薄片的插入和移动，能够进一步简便且可靠地进行载体12的剥离(金属层16的剥下)。

切口S的宽度(积层片10的面方向的宽度)优选为0.01mm以上且20mm以下，更优选为0.05mm以上且15mm以下，进一步优选为0.2mm以上且10mm以下。通过设为该范围，在后述的间隙的形成和扩大工序中，能够在剥离层15与金属层16之间向期望的部位更准确地插入薄片，能够顺畅地进行之后的剥离工序。并且，起到不会在剥离层15、金属层16等产生多余的划痕这样的效果。此外，优选的是，切口S相对于载体12的主面沿大致垂直方向(积层片10的厚度方向)形成。即，期望的是，将切削工具等刀以相对于载体12的主面成为大致垂直方向(例如90°±5°的范围内)的方式向积层片10的与载体12所在侧相反的那一侧的面放入。

优选的是，切口S在俯视积层片10时以周缘部P包围中央部C的方式由线状的图案形成。该线状图案也可以由曲线形成，例如在积层片10为圆板状的情况下，还包含利用圆形形状的图案来形成切口S的情形。在图1B(ii)所示的例子中，通过以与矩形形状的积层片10的外缘部(4个边)分开一定的分开距离来进行加工，从而以矩形形状的图案(4边的线状图案)形成切口S。不过，在使用矩形形状的积层片10的情况下，不一定必须以上述4边的线状图案来形成切口S，也可以在能够形成足以插入薄片的间隙的范围内，以1边以上且3边以下的线状图案来形成切口S。

在该切口的形成工序中，在载体为单晶硅载体的情况下，优选留意切口S的进展方向。在此，将带载体的金属箔18的载体12为单晶硅载体的情况下的切口的形成工序和/或后述的载体的剥离工序分别示于图9A、图9B、图10A和图10B。在图9A～图10B所示的工序中，准备载体12为单晶硅载体的带载体的金属箔18(图9A(i)和图10A(i))，在带载体的金属箔18的金属层16上形成含树脂层20之后(图9A(ii)和图10A(ii))，进行切口S的形成和/或载体12的剥离(图9B(iii)和图9B(iv)以及图10B(iii)和图10B(iv))。此外，为了示出晶体取向的基准点，典型的情况是单晶硅载体在外周部具有图9A(i)和图10A(i)所示的槽口N、或图11所示的定位边OF(也被称作定向平面)。通常，在单晶硅的直径为200mm以下时，形成定位边，在单晶硅的直径为200mm以上时，形成槽口。以下，有时将该槽口N和定位边OF一并称作“槽口等”。

如图9B(iii)和图9B(iv)所示，在以外部应力ST的进展方向和解理取向CL一致的方向形成了切口S的情况下，存在以最初施加有外部应力ST的点为起点沿着解理取向CL产生裂缝CR等而硅载体被破坏的可能性。为了抑制这样的硅载体的解理所导致的破坏，在载体12为单晶硅载体时，如图10B(iii)和图10B(iv)所示，优选的是，以与硅载体上的x轴(图中的左右方向)的解理取向CL和y轴(图中的上下方向)的解理取向CL中的任一方向均不一致的方式施加外部应力ST而在载体12形成切口S。

因而，根据本发明的优选方式，载体12为在外周部具有槽口等的单晶硅载体，在切口S的形成工序中，当以从单晶硅载体的中心起到槽口等为止的半直线L为起点向右旋转地(沿顺时针方向)规定了角度θ的情况下，以使外部应力的进展方向处于1°＜θ＜89°的范围内的方式划出切口。

更具体地进行说明。如图9A(i)和图10A(i)所示，当以从载体12的中心起到槽口N或定位边OF的中点为止的半直线L为起点向右旋转地(沿顺时针方向)规定角度θ时，θ＝0°、90°、180°和270°对应于解理取向CL。因此，对于基于切口的外部应力ST的进展方向θr，如图10B(iii)所示，优选的是，以使θr处于1°＜θr＜89°的范围内的方式保持外部应力ST的进展方向的同时进行切口，更优选设为5°＜θr＜85°的范围内。通过满足这样的θr的范围的切口的导入方法，能够抑制由硅晶圆构成的载体12的破坏。导入该切口时的特别优选的θr的范围是，以半直线L为起点向右旋转θr＝45±5°以内、135±5°以内、225±5°以内和315±5°以内。对于这些角度，在硅晶圆的晶体取向＜100＞方向上晶圆最难以解理，因此，通过以这些角度使外部应力进展，能够在有效地抑制晶圆的破坏的同时形成切口S。

(3)间隙的形成

相对于形成有切口S的积层片10，将薄片T从切口S朝向含树脂层20(存在的情况下)、金属层16、剥离层15或中间层14(存在的情况下)这几者的中央部C侧插入(图2A(iii)和图2B(iii))。此时，如图2A(iii)所示，在剖视积层片10的情况下，使薄片T相对于载体12的主面的插入角度θ超过0°。如此一来，能够在金属层16与载体12之间形成间隙G(图2A(iv))，能够以该间隙G为开端来简便且可靠地进行载体12的剥离。

近年来，为了半导体封装体的进一步的薄型化，通过对树脂层(模制树脂)等进行研磨来将含树脂层减薄。然而，在专利文献5所公开那样的以往的载体剥离方法中，需要从上方利用保持单元来保持刚度较高的含树脂层的工序，称不上能够充分应对这样的薄型化、即刚度降低了的含树脂层。在此，在图5和图6中，示出以往的布线基板的制造方法的一个例子。在图5和图6所示的以往工序中，首先，准备在带载体的金属箔118上设有含树脂层120的积层片110(图5(i))。在该例子中，带载体的金属箔118在载体112上依次具备中间层114、剥离层115和金属层116。另外，含树脂层120包含布线层120a、半导体元件120b和树脂层120c。接着，使用刀片B从准备好的积层片110的含树脂层120侧划出到达带载体的金属箔118的切口，从含树脂层120的切口起去除外侧的外缘部分而形成伸出部分E(图5(ii))。之后，在利用抽吸工具SJ固定了含树脂层120的状态下，相对于所形成的伸出部分E，向从含树脂层120拉离载体112的方向施加力(图6(iii))。这样，将载体112和中间层114在剥离层115的位置处从含树脂层120剥离(图6(iv))。

然而，根据本发明人等的见解，弄清楚了在这样的以往的方法中，在含树脂层120为300μm以下这样较薄的情况下，会难以剥离载体112。作为其原因之一，可举出以下那样的情况。即，在图5和图6所示的载体的剥离方法中，能够认为在含树脂层120的厚度超过300μm这样较大的情况下，含树脂层120与带载体的金属箔118之间的界面的残余应力较大，该残余应力会促进载体112等的剥离。另一方面，能够认为在含树脂层120的厚度为300μm以下这样较小的情况下，含树脂层120与带载体的金属箔118之间的界面的残余应力变小，其结果是，难以促进载体112等的剥离。

与此相对，在本发明中通过在金属层16与载体12之间(典型的是剥离层15或其附近)形成间隙G，能够以该间隙G为开端来可靠地进行载体12的剥离(金属层16的剥下)。具体而言，在半导体封装体的制造过程中，为了不使作为支撑体的载体12产生意外的剥离等，金属层16与载体12之间具有一定以上的剥离强度。关于该点，通过在金属层16与载体12之间形成局部剥离了的间隙G，能够在金属层16与载体12之间借由作为后工序的剥离工序来形成成为剥离的起点的应力集中部分。如此一来，不管含树脂层20的厚度如何，均能够可靠地剥离发挥了作为支撑体的作用的载体12。另外，在本发明的方法中，不需要专用的装置或复杂的工序，能够通过形成切口S和间隙G这样的简便方法来剥离载体12。如此，相对于依次具备载体12、剥离层15和金属层16的积层片10，通过划出将金属层16和剥离层15划分为中央部C和周缘部P的规定切口S，将薄片T从该切口S以规定角度θ插入而在金属层16与载体12之间形成间隙G，由此能够简便且可靠地剥离载体12而制造布线基板。

如图2A(iii)所示，薄片T相对于载体12的主面的插入角度θ被定义为：在剖视积层片10的情况下，在薄片T的顶端部(或通过顶端部的假想线)与载体12表面接触的部位处，薄片T的顶端部与载体12表面所成的角。如此定义的理由是，薄片T有时不是作为刚性体做动作，而是如弹性体那样弯曲。该插入角度θ超过0°，优选为超过0.1°且为60°以下，更优选为1°以上且58°以下，进一步优选为2°以上且55°以下，特别优选为3°以上且50°以下，最优选为5°以上且45°以下。通过将薄片T以这样的角度插入积层片10，从而薄片T被插入至构成积层片10的层中的密合力最弱的部位(典型的是剥离层15或其附近)，能够高效地形成间隙G。另外，在插入薄片T时，优选对剥离层15或其附近施加铅垂方向的应力(例如利用薄片T来撬动剥离层15周边)，如此一来，能够进一步高效地形成间隙G。

间隙G的形成过程中的薄片T向积层片10插入的插入宽度优选为0.1mm以上，更优选为0.5mm以上，进一步优选为1mm以上。在本说明书中，插入宽度是指，从切口S起到间隙G的最深部为止的距离(也可以称作间隙G的深度)。若为这样的插入宽度，则能够利用间隙G来进一步促进载体12的剥离。插入宽度的上限只要根据积层片10的尺寸而相应地适当决定即可，并没有特别限定，可举出20mm作为上限的基准。

在积层片10还具备含树脂层20的情况下，间隙G的形成过程中的薄片T(例如旋转刀RC)的插入也可以是相对于含树脂层20(中央部C侧、参照图4(ii))进行的。在典型的情况下，金属层16与含树脂层20之间的剥离强度大于载体12与金属层16之间的剥离强度。因此，通过相对于含树脂层20插入薄片T，如图4(iii)所示，金属层16与含树脂层20一起被抬起，并被部分地拉离载体12。其结果是，能够在金属层16与载体12之间形成间隙G。

从间隙G的形成性的观点出发，在典型的情况下，薄片T的厚度为2mm以下，更典型而言为0.1mm以上且1mm以下。另外，基于JIS H3130－2012反复进行的挠曲式试验所测得的薄片T的弹簧极限值Kb_0.1优选为100N/mm²以上且1500N/mm²以下，更优选为200N/mm²以上且1000N/mm²以下，进一步优选为300N/mm²以上且800N/mm²以下。并且，基于JIS R1602－1995测得的薄片T的静态弹性模量优选为30GPa以上且800GPa以下，更优选为80GPa以上且300GPa以下，进一步优选为100GPa以上且200GPa以下。通过使用具有这样的刚度的薄片T，从而更容易形成间隙G。薄片T可以与在上述切口的形成中使用的切削工具或机床相同或不同。

薄片T优选由选自由铁系材料、非铁金属、陶瓷和金刚石组成的组中的至少一种材料构成，更优选由钨或不锈钢构成。作为铁系材料的优选例，可举出不锈钢、碳素工具钢(在JIS G4401－2009中规定的SK120等)、合金工具钢(在JIS G4404－2015中规定的SKS7等，向碳素工具钢中少量添加了钨、铬、钒等而成)、高速工具钢(在JIS G4403－2015中规定的SKH51等，向碳素工具钢大量添加了钨、铬、钒、钼等而成)。作为非铁金属的优选例，可举出钨、超硬质合金(对碳化钨等硬质的金属碳化物的粉末进行烧结而做成的合金)。作为陶瓷的优选例，可举出氧化锆。

从易于形成间隙G的方面考虑，薄片T优选为切割刀。该切割刀的形状可以为平刀、三角刀、四角刀、圆形刀和旋转刀中的任一种，但更优选为它们中的顶端为圆弧或曲线形状的切割刀，特别优选为旋转刀。通过使用旋转刀(有时也被称作旋转切割器、狭缝切割器或圆刀)，从而容易相对于积层片10以一定的插入角度θ放入刀，并且通过将刀以一边旋转一边推压的方式插入于积层片10，能够顺畅地形成间隙G，能够有效地抑制含树脂层20的破坏。

将旋转刀的示意图示于图7。如图7所示，从间隙G的形成性的观点出发，旋转刀优选具有规定范围内的直径d、刀厚度t、以及刀角度a。即，旋转刀的直径d优选为5mm以上且150mm以下，更优选为10mm以上且100mm以下，进一步优选为18mm以上且60mm以下。旋转刀的刀厚度t优选为0.1mm以上且5mm以下，更优选为0.2mm以上且3mm以下，进一步优选为0.3mm以上且1mm以下。并且，旋转刀的刀角度a优选为10°以上且50°以下，更优选为15°以上且40°以下，进一步优选为20°以上且30°以下。

(4)间隙的扩大(任意工序)

根据期望，通过使薄片T以所形成的间隙G为起点沿着切口S移动，从而扩大间隙G(图2B(iv))。通过如此扩大间隙G，能够进一步顺畅地进行载体12的剥离。

优选为使薄片T在切口S的局部或遍及切口S的全长地移动，更优选使薄片T遍及切口S的全长地移动。例如，在以上述矩形形状的图案(4边的线状图案)来形成切口S的情况下，通过使薄片T沿着矩形形状的图案移动，能够在各边形成间隙G。特别是，在积层片10具有多边形的形状的情况下，从能够在之后的剥离工序中利用相对于间隙G的应力集中来顺畅地进行剥离的观点出发，优选包含切口S的角部分(折回部分)地预先形成间隙G。另外，在该间隙的扩大工序中，在载体为单晶硅载体的情况下，优选留意切口S的进展方向。

薄片T移动时的薄片T相对于载体12的主面的插入角度并不特别限定，典型的是设为间隙G形成时的薄片T的插入角度θ±10°(其中，θ±10°＞0°)的范围内。另外，在使薄片T移动时，也可以一边使薄片T朝向移动方向倾斜一边扩大间隙G。

(5)载体的剥离(任意工序)

根据期望，在扩大间隙G之后，对积层片10向使载体12与金属层16(中央部C侧)分开的方向施加力(图3(v))。如此一来，能够以间隙G为开端从载体12剥下金属层16(以及存在含树脂层20的情况下的含树脂层20)(图3(vi))。即，通过如上述那样形成和扩大间隙G，能够形成在剥离工序中成为金属层16与载体12之间的剥离起点的应力集中部分，因此能够容易地剥下金属层16。

金属层16的剥下优选在例如把持或支撑着载体12的外缘部或积层片10的外缘部的状态下进行。此外，在此的“支撑”中包含将载体的至少一部分固定的方法。例如，如图3(v)所示，在对载体12等进行把持或支撑的状态下，将粘合构件AM粘贴于金属层16(中央部C侧)或含树脂层20(中央部C侧)，朝向与载体12分开的方向(图中的箭头方向)拉拽粘合构件AM，由此能够剥下金属层16和含树脂层20。或者，也可以是，在对载体12等进行把持或支撑的状态下，相对于间隙G以规定压力喷射风、水等，由此利用风压或水压来剥下金属层16等。除此以外，如图8(i)和图8(ii)所示，也可以是，在利用抽吸工具SJ等对金属层16的中央部C侧或含树脂层20的中央部C侧进行抽吸的状态下，使用按压构件PM等朝向抽吸方向的相反侧的方向推出金属层16的周缘部P侧或含树脂层20的周缘部P侧，从而剥下金属层16等。

在该剥离工序中，在载体为单晶硅载体的情况下，优选留意剥离的进展方向。即，如图9B(iii)和图9B(iv)所示，在以外部应力ST的进展方向和解理取向CL一致的方向进行了剥离的情况下，存在以施加有基于最初的剥离的外部应力ST的点为起点沿着解理取向CL产生裂缝CR等而硅载体被破坏的可能性。为了抑制这样的硅载体的解理所导致的破坏，在载体12为单晶硅载体时，如图10B(iii)和图10B(iv)所示，优选的是，以与硅载体上的x轴(图中的左右方向)的解理取向CL和y轴(图中的上下方向)的解理取向CL中的任一方向均不一致的方式施加外部应力ST而进行载体12的剥离。

因而，根据本发明的优选方式，载体12为在外周部具有槽口等的单晶硅载体，在载体的剥离工序中，当以从单晶硅载体的中心起到槽口等为止的半直线为起点向右旋转地(沿顺时针方向)规定了角度θ的情况下，以使外部应力的进展方向处于1°＜θ＜89°的范围内的方式进行剥离。

更具体地说明。如图9A(i)和图10A(i)所示，当以从载体12的中心起到槽口N或定位边OF的中点为止的半直线L为起点向右旋转地(沿顺时针方向)规定角度θ时，θ＝0°、90°、180°和270°对应于解理取向CL。因此，对于基于剥离的外部应力ST的进展方向θr，如图10B(iii)所示，优选的是，以使θr处于1°＜θr＜89°的范围内的方式保持外部应力ST的进展方向的同时进行剥离，更优选设为5°＜θr＜85°的范围内。通过满足这样的θr的范围的剥离方法，能够抑制由硅晶圆构成的载体12的破坏。进行该剥离时的特别优选的θr的范围是，以半直线L为起点向右旋转θr＝45±5°以内、135±5°以内、225±5°以内和315±5°以内。对于这些角度，在硅晶圆的晶体取向＜100＞方向上晶圆最难以解理，因此，通过以这些角度使外部应力进展，能够在有效地抑制晶圆的破坏的同时去除载体。此外，在如上述那样通过将粘合构件AM粘贴于金属层16或含树脂层20并朝向与载体12分开的方向拉拽粘合构件AM的方法来进行载体剥离的情况(参照图3(v))下，优选使基于粘合构件AM的拉伸应力的传播方向处于上述θr的范围内。或者，在如上述那样通过使用按压构件PM等朝向抽吸方向的相反侧的方向推出金属层16的周缘部P侧或含树脂层20的周缘部P侧的方法来进行载体剥离的情况(参照图8(i)和图8(ii))下，优选使基于按压构件PM等的推出方向的应力的传播方向处于上述θr的范围内。

在积层片10具有含树脂层20的情况下，也可以利用蚀刻将剥离载体12后露出的金属层16去除。如此一来，形成于金属层16表面的布线(嵌入布线)会露出，因此，更适合于在其之上进一步形成基于光刻工艺的电路。金属层16的蚀刻只要基于公知的方法来进行即可，并不特别限定。

带载体的金属箔

参照图1A，如上所述，在本发明的方法中，根据期望使用的带载体的金属箔18依次具备载体12、根据期望设置的中间层14、剥离层15和金属层16。

如上所述，载体12的材质为玻璃、陶瓷、硅、树脂、及金属均可。优选载体12由玻璃、多晶硅、单晶硅或陶瓷构成。载体12的形态为片、薄膜和板均可。另外，载体12也可以积层有这些片、薄膜及板等。例如，载体12可以为玻璃板、陶瓷板、硅晶圆、金属板等可以作为具有刚性的支撑体发挥功能的载体，也可以为金属箔、树脂薄膜等不具有刚性的形态。作为构成载体12的金属的优选例，可举出铜、钛、镍、不锈钢、铝等。作为陶瓷的优选例，可举出氧化铝、氧化锆、氮化硅、氮化铝、其他各种精细陶瓷等。作为树脂的优选例，可举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰胺、聚酰亚胺、尼龙、液晶聚合物、聚醚醚酮(PEEK(注册商标))、聚酰胺酰亚胺、聚醚砜、聚苯硫醚、聚四氟乙烯(PTFE)、乙烯－四氟乙烯(ETFE)等。从防止伴随搭载半导体元件时的加热的无芯支撑体的翘曲的观点来看，更优选热膨胀系数(CTE)小于25ppm/K(典型的是1.0ppm/K以上且23ppm/K以下)的材料，作为这样的材料的例子，可举出如上所述的各种树脂(特别是聚酰亚胺、液晶聚合物等低热膨胀树脂)、玻璃、硅及陶瓷等。另外，从确保处理性、芯片安装时的平坦性的观点来看，载体12的维氏硬度优选为100HV以上，更优选为150HV以上且2500HV以下。作为满足这些特性的材料，载体12优选由玻璃、硅或陶瓷构成，更优选由玻璃或陶瓷构成，特别优选由玻璃构成。作为由玻璃构成的载体12，例如可举出玻璃板。将玻璃用作载体12时，由于轻量、热膨胀系数低、绝缘性高、刚性且表面平坦，因此有可以使金属层16的表面极度平滑等优点。另外，载体12为玻璃时，具有以下等优点：具有有利于微细电路形成的表面平坦性(共面性)；在布线制造工序中的除钻污、各种镀工序中具有耐化学药品性；将载体12从带载体的金属箔18剥离时可以采用化学分离法。作为构成载体12的玻璃的优选例，可举出石英玻璃、硼硅酸玻璃、无碱玻璃、钠钙玻璃、铝硅玻璃、以及它们的组合，更优选无碱玻璃、钠钙玻璃、及它们的组合，特别优选无碱玻璃。无碱玻璃为以二氧化硅、氧化铝、氧化硼、以及氧化钙或氧化钡等碱土类金属氧化物作为主要成分且进一步含有硼酸的、实质上不含碱金属的玻璃。该无碱玻璃在0℃～350℃的宽温度范围中的热膨胀系数为3ppm/K以上且5ppm/K以下的范围，低且稳定，因此具有可以将伴随有加热的工艺中的玻璃的翘曲控制为最小限度的优点。载体12的厚度优选为100μm以上且2000μm以下，更优选为300μm以上且1800μm以下，进一步优选为400μm以上且1100μm以下。载体12为这样的范围内的厚度时，可以边确保不对处理造成阻碍的适当的强度，边实现布线的薄型化及降低搭载电子元器件时产生的翘曲。

根据期望设置的中间层14可以为1层结构，也可以为两层以上的结构。中间层14由两层以上的层构成时，中间层14包含：设置在载体12正上方的第1中间层和与剥离层15相邻设置的第2中间层。从确保与载体12的密合性的方面来看，第1中间层优选为由选自由Ti、Cr、Al及Ni组成的组中的至少1种金属构成的层。第1中间层可以为纯金属，也可以为合金。第1中间层的厚度优选为5nm以上且500nm以下，更优选为10nm以上且300nm以下，进一步优选为18nm以上且200nm以下，特别优选为20nm以上且100nm以下。从将与剥离层15的剥离强度控制为期望的值的方面来看，第2中间层优选为由Cu构成的层。第2中间层的厚度优选为5nm以上且500nm以下，更优选为10nm以上且400nm以下，进一步优选为15nm以上且300nm以下，特别优选为20nm以上且200nm以下。第1中间层与第2中间层之间也可以存在其他夹设层，作为夹设层的构成材料的例子，可举出选自由Ti、Cr、Mo、Mn、W及Ni组成的组中的至少1种金属与Cu的合金等。另一方面，中间层14为1层结构时，可以直接采用上述的第1中间层作为中间层，也可以用1层中间合金层替换第1中间层和第2中间层。该中间合金层优选由如下铜合金构成：选自由Ti、Cr、Mo、Mn、W、Al及Ni组成的组中的至少1种金属的含量为1.0at％以上，且Cu含量为30at％以上。中间合金层的厚度优选为5nm以上且500nm以下，更优选为10nm以上且400nm以下，进一步优选为15nm以上且300nm以下，特别优选为20nm以上且200nm以下。此外，上述各层的厚度设为通过用透射型电子显微镜的能量色散型X射线分光分析器(TEM－EDX)分析层截面而测得的值。构成中间层14的金属也可以包含由原料成分、成膜工序等引起的不可避免的杂质。另外，在中间层14成膜后暴露于大气的情况下，容许由其引起的混入氧的存在。中间层14可以用任何方法制造，但从能够具备膜厚分布的均匀性的方面来看，特别优选为通过使用金属靶的磁控溅射法形成的层。

剥离层15是能够实现载体12的剥离和存在中间层14的情况下的中间层14的剥离或使剥离容易的层。剥离层15除了能够通过物理性地施加力的方法来剥离之外，也能够通过利用激光进行剥离的方法(激光剥离、LLO)来剥离。在剥离层15由能够通过激光剥离进行剥离的材质构成的情况下，剥离层15可以由因固化后的激光光线照射而界面的粘接强度降低的树脂构成，或者也可以是因激光光线照射而被改性的硅、碳化硅、金属氧化物等的层。另外，剥离层15为有机剥离层及无机剥离层均可。作为有机剥离层所使用的有机成分的例子，可举出含氮有机化合物、含硫有机化合物、羧酸等。作为含氮有机化合物的例子，可举出三唑化合物、咪唑化合物等。另一方面，作为无机剥离层中使用的无机成分的例子，可举出含有Cu、Ti、Al、Nb、Zr、Cr、W、Ta、Co、Ag、Ni、In、Sn、Zn、Ga、Mo中的至少一种以上的金属氧化物或金属氮氧化物或者碳等。这些之中，从剥离容易性、层形成性方面等来看，剥离层15优选为主要包含碳的层，更优选主要由碳或烃形成的层，进一步优选由属于硬质碳膜的无定形碳形成的层。此时，剥离层15(即含碳层)优选通过XPS测得的碳浓度为60原子％以上，更优选为70原子％以上，进一步优选为80原子％以上，特别优选为85原子％以上。碳浓度的上限值没有特别限定，可以为100原子％，但现实的是98原子％以下。剥离层15可以包含不可避免的杂质(例如源自气氛等周围环境的氧、碳、氢等)。另外，剥离层15中，可能会因之后积层的金属层16等的成膜方法从而混入作为剥离层15而含有的金属以外的种类的金属原子。在使用含碳层作为剥离层15的情况下，剥离层15与载体的相互扩散性和反应性较小，即使承受大于300℃的温度下的压力加工等，也能够防止金属层与接合界面之间的、由高温加热导致的金属元素的相互扩散，能够维持载体剥离去除容易的状态。从抑制剥离层15中的过度的杂质、其他层的连续生产率等方面来看，剥离层15优选为通过溅镀等气相法形成的层。使用含碳层作为剥离层15的情况下的厚度优选为1nm以上且20nm以下，更优选为1nm以上且10nm以下。该厚度设为通过透射型电子显微镜的能量色散型X射线分光分析器(TEM－EDX)分析层截面而测得的值。

剥离层15可以是包含金属氧化物层和含碳层各自的层的层，或者也可以为包含金属氧化物及碳这两者的层。特别是在带载体的金属箔18包含中间层14时，含碳层有助于载体12的稳定剥离，并且能够利用金属氧化物层来更有效地抑制源自中间层14和金属层16的金属元素的伴随加热的扩散，结果为即使例如以350℃以上的高温加热后，也能够保持稳定的剥离性。金属氧化物层优选为包含由Cu、Ti、Al、Nb、Zr、Cr、W、Ta、Co、Ag、Ni、In、Sn、Zn、Ga、Mo及它们的组合构成的金属的氧化物的层。从能够通过调节成膜时间来容易地控制膜厚的方面来看，金属氧化物层特别优选为通过使用金属靶并在氧化性气氛下进行溅射的反应性溅射法形成的层。金属氧化物层的厚度优选为0.1nm以上且100nm以下。作为金属氧化物层的厚度的上限值，更优选为60nm以下，进一步优选为30nm以下，特别优选为10nm以下。该厚度设为通过使用透射型电子显微镜的能量色散型X射线分光分析器(TEM－EDX)分析层截面而测得的值。此时，作为剥离层15而积层金属氧化物层和碳层的顺序没有特别限定。另外，剥离层15也可以以无法清晰地确定金属氧化物层和含碳层的边界的混相(即包含金属氧化物和碳这两者的层)的状态存在。

同样，从即使在高温下的热处理后也保持稳定的剥离性的观点来看，剥离层15还可以为与金属层16相邻一侧的面为氟化处理面和/或氮化处理面的含金属层。含金属层中氟的含量及氮的含量之和为1.0原子％以上的区域(以下称作“(F+N)区域”)优选以10nm以上的厚度存在，(F+N)区域优选存在于含金属层的金属层16侧。(F+N)区域的厚度(SiO₂换算)设为通过使用XPS对带载体的金属箔18进行深度方向元素分析而确定的值。氟化处理面或氮化处理面能够通过反应性离子蚀刻(RIE：Reactive ion etching)或反应性溅射法来优选地形成。另一方面，含金属层中包含的金属元素优选具有负的标准电极电位。作为含金属层中包含的金属元素的优选例，可举出Cu、Ag、Sn、Zn、Ti、Al、Nb、Zr、W、Ta、Mo及它们的组合(例如合金、金属间化合物)。含金属层中的金属元素的含有率优选为50原子％以上且100原子％以下。含金属层可以为由1层构成的单层，也可以为由两层以上构成的多层。含金属层整体的厚度优选为10nm以上且1000nm以下，更优选为30nm以上且500nm以下，进一步优选为50nm以上且400nm以下，特别优选为100nm以上且300nm以下。含金属层自身的厚度设为通过使用透射型电子显微镜的能量色散型X射线分光分析器(TEM－EDX)分析层截面而测得的值。

或者，剥离层15也可以是含金属氮氧化物的层来替代碳层等。含金属氮氧化物的层的与载体12所在侧相反的那一侧(即金属层16所在侧)的表面优选含有由选自由TaON、NiON、TiON、NiWON和MoON组成的组中的至少1种金属氮氧化物。另外，从确保载体12与金属层16的密合性的方面来看，含金属氮氧化物的层的靠载体12侧的表面优选含有选自由Cu、Ti、Ta、Cr、Ni、Al、Mo、Zn、W、TiN和TaN组成的组中的至少1种。如此一来，能够抑制金属层16表面的异物颗粒数而提高电路形成性，且即使在高温条件下进行了长时间加热之后，也能够保持稳定的剥离强度。含金属氮氧化物的层的厚度优选为5nm以上且500nm以下，更优选为10nm以上且400nm以下，进一步优选为20nm以上且200nm以下，特别优选为30nm以上且100nm以下。该厚度设为通过透射型电子显微镜的能量色散型X射线分光分析器(TEM－EDX)分析层截面而测得的值。

金属层16为由金属构成的层。金属层16可以为1层结构，也可以为两层以上的结构。金属层16由两层以上的层构成时，金属层16可以为在剥离层15的与载体12相反的面侧依次积层第1金属层至第m金属层(m为2以上的整数)的各金属层而成的结构。金属层16整体的厚度优选为1nm以上且2000nm以下，优选为100nm以上且1500nm以下，更优选为200nm以上且1000nm以下，进一步优选为300nm以上且800nm以下，特别优选为350nm以上且500nm以下。金属层16的厚度设为通过使用透射型电子显微镜的能量色散型X射线分光分析器(TEM－EDX)分析层截面而测得的值。以下，对金属层16由第1金属层和第2金属层这两层构成的例子进行说明。

第1金属层优选为对带载体的金属箔18赋予蚀刻阻挡功能、防反射功能等期望的功能的层。作为构成第1金属层的金属的优选例，可举出Ti、Al、Nb、Zr、Cr、W、Ta、Co、Ag、Ni、Mo及它们的组合，更优选为Ti、Zr、Al、Cr、W、Ni、Mo及它们的组合，进一步优选为Ti、Al、Cr、Ni、Mo及它们的组合，特别优选为Ti、Mo及它们的组合。这些元素具有相对于闪蚀液(例如铜闪蚀液)不溶解的性质，其结果，可以对闪蚀液呈现优异的耐化学药品性。因此，与后述的第2金属层相比，第1金属层为难以被闪蚀液蚀刻的层，因此能够作为蚀刻阻挡层发挥功能。另外，构成第1金属层的上述金属还具有防止光的反射的功能，因此第1金属层还能够作为用于使图像检査(例如自动图像检査(AOI))中的辨识性提高的防反射层发挥功能。第1金属层可以为纯金属，也可以为合金。构成第1金属层的金属也可以包含由原料成分、成膜工序等引起的不可避免的杂质。另外，上述金属的含有率的上限没有特别限定，也可以为100原子％。第1金属层优选为通过物理气相沉积(PVD)法形成的层，更优选为通过溅镀形成的层。第1金属层的厚度优选为1nm以上且500nm以下，更优选为10nm以上且400nm以下，进一步优选为30nm以上且300nm以下，特别优选为50nm以上且200nm以下。

作为构成第2金属层的金属的优选例，可举出第4副族、第5副族、第6副族、第8副族(第9族)、第8副族(第10族)及第1副族(第11族)的过渡元素、Al、及它们的组合(例如合金、金属间化合物)，更优选为第4副族及第1副族(第11族)的过渡元素、Al、Nb、Co、Ni、Mo、及它们的组合，进一步优选为第1副族(第11族)的过渡元素、Ti、Al、Mo、及它们的组合，特别优选为Cu、Ti、Mo、及它们的组合，最优选为Cu。第2金属层可以通过任何方法制造，例如可以为通过化学金属镀覆法及电解金属镀覆法等湿式成膜法、溅镀及真空蒸镀等物理气相沉积(PVD)法、化学气相成膜、或它们的组合形成的金属箔。从容易应对由极薄化导致的细间距化的观点来看，特别优选的第2金属层为通过溅射法、真空蒸镀等物理气相沉积(PVD)法形成的金属层，最优选为通过溅射法制造的金属层。另外，第2金属层优选为未进行粗化处理的金属层，但只要不对布线图案形成造成障碍，则第2金属层也可以为通过预备的粗化处理、软蚀刻处理、清洗处理、氧化还原处理而被实施了二次粗化处理的层。从应对细间距化的观点来看，第2金属层的厚度优选为10nm以上且1000nm以下，更优选为20nm以上且900nm以下，进一步优选为30nm以上且700nm以下，进一步更优选为50nm以上且600nm以下，特别优选为70nm以上且500nm以下，最优选为100nm以上且400nm以下。从成膜厚度的面内均匀性、片状、辊状下的生产率的观点来看，上述范围内的厚度的金属层优选通过溅射法制造。

金属层16为1层结构时，优选直接采用上述的第2金属层作为金属层16。另一方面，金属层16为n层(n为3以上的整数)结构时，优选将金属层16的从第1金属层起到第(n－1)金属层为止设为上述第1金属层的结构，优选将金属层16的最外层，即第n金属层设为上述第2金属层的结构。

优选的是，通过使金属层16、根据期望设置的中间层14以及根据期望设置的剥离层15(即至少使金属层16、例如使金属层16和中间层14)伸出到载体12的端面，从而覆盖该端面。即，优选的是，不仅载体12的表面被覆盖，而且载体12的端面也至少被金属层16覆盖。通过还覆盖端面，不仅能够防止布线基板的制造工序中药液向载体12渗入，还能够牢固地防止在对带载体的金属箔18或积层片10进行处理时的侧端部的因剥离而引起的破片、即剥离层15上的覆膜(即金属层16)的缺损。对于载体12的端面的覆盖区域，优选为从载体12的表面去向厚度方向(即相对于载体表面垂直的方向)0.1mm以上的区域，更优选0.2mm以上的区域，进一步优选遍及载体12的端面的整个区域。

实施例

通过以下的例子来进一步具体地说明本发明。

例1

(1)积层片的制作

作为载体12，准备了尺寸为320mm×320mm且厚度为1.1mm的玻璃基板(材质：钠钙玻璃)。通过溅镀而使作为中间层14的钛层(厚度50nm)和铜层(厚度200nm)、作为剥离层15的无定形碳层(厚度6nm)、以及作为金属层16的钛层(厚度100nm)和铜层(厚度300nm)依次成膜于该载体12上，得到了带载体的金属箔18。在该带载体的金属箔18的金属层16上，形成尺寸为300mm×300mm且厚度为300μm的树脂层(材质：环氧树脂)，形成了含树脂层20。如此制作出依次具备载体12、中间层14、剥离层15、金属层16和含树脂层20的积层片10(参照图1A(i)和图1B(i))。

(2)切口的形成

将刀具CT的刀(材质：钨)从积层片10的金属层16表面相对于载体12的主面垂直地放入，从而形成了切口S(宽度0.5mm)。在俯视积层片10的情况下，该切口S以包围含树脂层20的方式形成为矩形形状的图案(4边的线状图案)(参照图1B(ii))。另外，在剖视积层片10的情况下，该切口S成为贯通金属层16、剥离层15和中间层14且不贯通载体12的深度(参照图1A(ii))。这样，将金属层16、剥离层15和中间层14以切口S为界划分为中央部C和周缘部P。

(3)间隙的形成

将旋转刀RC(直径45mm、刀厚度0.3mm、刀角度21°、材质：钨)从切口S的角部朝向金属层16、剥离层15和中间层14这几者的中央部侧插入(参照图2A(iii)和图2B(iii))。此时，将剖视积层片10的情况下的旋转刀RC相对于载体12的主面的插入角度θ设为45°。另外，将旋转刀RC向积层片10插入的插入宽度设为2mm。这样，在金属层16与载体12之间形成了间隙G。

(4)间隙的扩大

使旋转刀RC以所形成的间隙G为起点沿着切口S移动(参照图2A(iv)和图2B(iv))。通过如此使旋转刀RC沿着切口S的矩形形状图案移动，从而使间隙G扩大到各边。

(5)载体的剥离

在对积层片10的周缘部P进行支撑的状态下，将市售的粘合带AM粘贴于含树脂层20的角部，向与载体12分开的方向上拉粘合带AM，由此从载体12剥下含树脂层20和金属层16(参照图3(v)和图3(vi))。

Claims

1.一种布线基板的制造方法，其中，

该布线基板的制造方法包含以下工序：

准备在载体上依次具备剥离层和金属层的积层片；

以在俯视所述积层片时通过比所述积层片的外缘部靠内侧的位置的方式，并且以在剖视所述积层片时贯通所述金属层和所述剥离层的方式，从所述积层片的与载体所在侧相反的那一侧的面划出切口，将所述金属层和所述剥离层以所述切口为界划分为中央部和周缘部；以及

将薄片从所述切口朝向所述金属层的所述中央部侧或所述剥离层的所述中央部侧插入，在所述金属层与所述载体之间形成间隙，在剖视所述积层片的情况下，使所述薄片相对于所述载体的主面的插入角度超过0°。

2.一种布线基板的制造方法，其中，

该布线基板的制造方法包含以下工序：

准备在载体上依次具备剥离层和金属层的积层片；

将薄片从所述切口朝向所述金属层的所述中央部侧或所述剥离层的所述中央部侧插入，在所述金属层与所述载体之间形成间隙，在剖视所述积层片的情况下，使所述薄片相对于所述载体的主面的插入角度超过0°，

所述载体为在外周部具有槽口或定位边的单晶硅载体，在所述切口的形成工序中，当以从所述单晶硅载体的中心起到所述槽口或所述定位边的中点为止的半直线为起点向右旋转地即沿顺时针方向规定了角度θ的情况下，以使外部应力的进展方向处于1°＜θ＜89°的范围内的方式划出切口。

3.根据权利要求1或2所述的布线基板的制造方法，其中，

该布线基板的制造方法还包含以下工序：通过使所述薄片以所形成的所述间隙为起点沿着所述切口移动，从而扩大所述间隙。

4.根据权利要求3所述的布线基板的制造方法，其中，

该布线基板的制造方法还包含以下工序：在扩大所述间隙之后，对所述积层片向使所述载体与所述金属层分开的方向施加力，由此以所述间隙为开端从所述载体剥下所述金属层。

5.根据权利要求1或2所述的布线基板的制造方法，其中，

所述切口以在剖视所述积层片时不贯通所述载体的至少一部分的方式形成。

6.根据权利要求1或2所述的布线基板的制造方法，其中，

所述切口的宽度为0.01mm以上且20mm以下。

7.根据权利要求1或2所述的布线基板的制造方法，其中，

所述薄片为切割刀，该切割刀为平刀、三角刀、四角刀、圆形刀和旋转刀中的任一种。

8.根据权利要求1或2所述的布线基板的制造方法，其中，

所述切口在俯视所述积层片时以所述周缘部包围所述中央部的方式由线状的图案形成。

9.根据权利要求3所述的布线基板的制造方法，其中，

使所述薄片在所述切口的局部或遍及所述切口的全长地移动。

10.根据权利要求4所述的布线基板的制造方法，其中，

在对所述载体的外缘部或所述积层片的外缘部进行把持或支撑的状态下剥下所述金属层。

11.根据权利要求1或2所述的布线基板的制造方法，其中，

所述插入角度超过0.1°且为60°以下。

12.根据权利要求1或2所述的布线基板的制造方法，其中，

所述间隙的形成过程中的所述薄片向所述积层片插入的插入宽度为0.1mm以上。

13.根据权利要求1或2所述的布线基板的制造方法，其中，

所述薄片由选自由铁系材料、非铁金属、陶瓷和金刚石组成的组中的至少一种材料构成。

14.根据权利要求1或2所述的布线基板的制造方法，其中，

所述积层片还在所述金属层的与所述剥离层所在侧相反的那一侧的面具备含树脂层。

15.根据权利要求14所述的布线基板的制造方法，其中，

所述含树脂层包含选自由布线层、半导体元件和树脂层组成的组中的至少一种。

16.根据权利要求14所述的布线基板的制造方法，其中，

所述含树脂层的厚度为1000μm以下。

17.根据权利要求14所述的布线基板的制造方法，其中，

相对于所述含树脂层进行所述间隙的形成过程中的所述薄片的插入。