JP2009302564A - 直付リード線を備えるicチップパッケージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体デバイスは上側或いは下側表面上にコンタクト領域を有する半導体チップを備える。第1及び第2のリードアセンブリはそれぞれ、導電性材料の半硬質シートから形成され、半導体チップのコンタクト領域のそれぞれ別々の1つに取着されるリードアセンブリコンタクトを備える。また第1及び第2のリードアセンブリはそれぞれ、リードアセンブリコンタクトに接続され、そこから延在する少なくとも1本のリード線を備える。封入体が半導体チップ、第1のリードアセンブリのリードアセンブリコンタクト及び第2のリードアセンブリのリードアセンブリコンタクトを封入する。リードアセンブリをチップに直結することによりパッケージが関与する電気的及び熱的抵抗は低くなる。
【選択図】図1
Description
12 パワーMOSFETチップ
14 ソースコンタクト領域
16 ゲートコンタクト領域
18 ソースリードアセンブリ
18a コンタクト領域
18b ソースリード線
19 接着層
20 ゲートリードアセンブリ
22 ドレインリードアセンブリ
22a コンタクト領域
22b ドレインリード線
23 接着層
24 プラスチック製封入体
26、32 リードフレームストリップ
40 パワーMOSFETパッケージ
42 パワーMOSFETチップ
44 ソースコンタクト領域
46 ゲートコンタクト領域
48 ソースリードアセンブリ
48a コンタクト領域
48b ソースリード線
49 接着層
50 ゲートリードアセンブリ
50a コンタクト領域
50b ゲートリード線
52 ドレインリードアセンブリ
52a コンタクト領域
52b ドレインリード線
53 接着層
54 封入体
60 パワーMOSFETパッケージ
62 パワーMOSFETチップ
64 ソースコンタクト領域
66 ゲートコンタクト領域
68 ソースリードアセンブリ
68a コンタクト領域
68b ソースリード線
69 接着層
70 ゲートリードアセンブリ
70a コンタクト領域
70b ゲートリード線
72 ドレインリードアセンブリ
72a コンタクト領域
72b ドレインリード線
72c 下側表面
73 接着層
74 封入体
74a 下側封入体表面
76、78 リードフレームストリップ
80 パワーMOSFETパッケージ
82 パワーMOSFETチップ
84 共通ソースコンタクト領域
85 共通ゲートコンタクト領域
86 共通ソースコンタクト領域
87 第1のソースリードアセンブリ
87a コンタクト領域
87b ソースリード線
88 ゲートリードアセンブリ
88a コンタクト領域
88b ゲートリード線
89 接着層
90 ソースリードアセンブリ
91 ゲートリードアセンブリ
94 封入体
96 リードフレームストリップ
100 パワーMOSFETパッケージ
102 パワーMOSFETチップ
103 ゲートリードアセンブリ
104 封入体
Claims (18)
- 半導体デバイスであって、
上側及び下側表面を備え、前記上側及び下側表面のうちの選択された1つにおいて複数のコンタクト領域を備える半導体ダイ又はチップと、
1以上のリードを含む第1の半硬質のリード要素であって、前記リード要素の各リードはそれぞれ平坦なリードコンタクトを有し、各前記リードコンタクトの実質的に全体が、導電性接着剤層によって前記半導体ダイ又はチップの前記コンタクト領域の第1の領域に取着された、該第1の半硬質のリード要素と、
1以上のリードを含む第2の半硬質のリード要素であって、前記リード要素の各リードはそれぞれ平坦なリードコンタクトを有し、各前記リードコンタクトの実質的に全体が、導電性接着剤層によって前記半導体ダイ又はチップの前記コンタクト領域の第2の領域に取着された、該第2の半硬質のリード要素と、
前記半導体ダイ又はチップ、及び前記リードコンタクトを封入する封入体とを備え、
前記半導体ダイ又はチップの前記第1及び第2のコンタクト領域が前記半導体ダイ又はチップの下側表面上に形成され、前記封入体が、リードレスチップキャリアパッケージを形成するように前記第1及び第2のリード要素の各リードの一部を封入することを特徴とする半導体デバイス。 - 前記第1及び第2のリード要素が、それぞれ導電性材料の半硬質のシートから形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1及び第2のリード要素のそれぞれの前記リードコンタクトが、前記半導体チップの表面積より小さい表面積を有することを特徴とする請求項2に記載に半導体デバイス。
- 1以上のリードを備える第3の半硬質のリード要素であって、前記リード要素の各リードはそれぞれ平坦なリードコンタクトを有し、各前記リードコンタクトの実質的に全体が前記半導体ダイ又はチップの前記コンタクト領域の第3の領域に導電性接着剤で取着された、該第3のリード要素をさらに備え、
前記第3の領域が前記第1及び第2の領域を備える前記表面と反対側の前記半導体ダイ又はチップの表面上に位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。 - 前記封入体が、前記第3のリード要素のリードコンタクトの下側表面を露出するように前記第3のリード要素の一部を封入することを特徴とする請求項4に記載の半導体デバイス。
- 前記第3のリード要素の前記リードコンタクトを前記半導体ダイ又はチップの前記第3のコンタクト領域に取着する接着剤層をさらに備えることを特徴とする請求項4に記載の半導体デバイス。
- 前記第1のリード要素の各リードがガルウイング形状をなすことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記半導体ダイ又はチップが、前記上側及び下側表面間に電流を流すべく、前記半導体ダイ又はチップの上に形成された複数のパワーMOSFETをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- 前記第1のリード要素が、前記平坦なリードコンタクトを含む第2のリードをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイス。
- パワーMOSFET集積回路チップパッケージであって、
上側及び下側表面を備え、前記上側及び下側表面のうちの選択された1つにおいて複数のコンタクト領域を備え、かつ前記上側表面と前記下側表面との間で電流を流すべく形成された複数のパワーMOSFETを備える半導体ダイと、
1以上のリードを含む第1の半硬質のリード要素であって、前記リード要素の各リードはそれぞれ平坦なリードコンタクトを有し、各前記リードコンタクトの実質的に全体が、導電性接着剤層によって前記半導体ダイの前記コンタクト領域の第1の領域に取着された、該第1の半硬質のリード要素と、
1以上のリードを含む第2の半硬質のリード要素であって、前記リード要素の各リードはそれぞれ平坦なリードコンタクトを有し、各前記リードコンタクトの実質的に全体が、導電性接着剤層によって前記半導体ダイの前記コンタクト領域の第2の領域に取着された、該第2の半硬質のリード要素と、
前記半導体ダイ、及び前記リードコンタクトを封入する封入体とを備え、
前記半導体ダイの前記第1及び第2のコンタクト領域が前記半導体ダイの前記下側表面上に形成され、前記封入体が、リードレスチップキャリアパッケージを形成するように前記第1及び第2のリード要素の一部を封入することを特徴とするパワーMOSFET集積回路チップパッケージ。 - パワーMOSFETパッケージであって、
それぞれ複数のMOSFETからなる2つのMOSFETのグループを含む半導体ダイであって、前記MOSFETの第1のグループは前記ダイの第1の側に第1の主端子と第1のゲート端子とを有し、前記MOSFETの第2のグループは前記ダイの前記第1の側に第2の主端子と第2のゲート端子とを有し、前記第1の主端子と前記第2の主端子とが相互に電気的に絶縁されており、前記MOSFETの前記第1及び第2のグループが前記ダイの第2の側上で第3の主端子を共通に有している、該半導体ダイと、
前記ダイを封入するプラスチックの封入体と、
1つの平坦なリードコンタクトと、前記封入体の両側から互いに反対方向に突出する2つのリードとを含む第1の半硬質のリード要素であって、その前記リードコンタクトの実質的に全体が、導電性接着剤層によって前記第1の主端子に取着された、該第1の半硬質のリード要素と、
1つの平坦なリードコンタクトと、前記封入体の両側から互いに反対方向に突出する2つのリードとを含む第2の半硬質のリード要素であって、その前記リードコンタクトの実質的に全体が、導電性接着剤層によって前記第2の主端子に取着された、該第2の半硬質のリード要素と、
1つの平坦なリードコンタクトと、前記封入体の両側から互いに反対方向に突出する2つのリードとを含む第3の半硬質のリード要素であって、その前記リードコンタクトの実質的に全体が、導電性接着剤層によって前記第1のゲート端子に取着された、第3の半硬質のリード要素とを有し、
前記ダイの前記第1の側が上側であり、前記ダイの前記第2の側が下側であり、両側の前記リードが、前記封入体の下側と実質的に同一平面上にあることを特徴とするパワーMOSFETパッケージ。 - 1つの平坦なリードコンタクトと、前記封入体の両側から互いに反対方向に突出する2つのリードとを含む第4の半硬質のリード要素であって、その前記リードコンタクトの実質的に全体が、導電性接着剤層によって前記第2のゲート端子に取着された、該第4の半硬質のリード要素を更に有することを特徴とする請求項11に記載のMOSFETパッケージ。
- 前記第1及び第2の主端子がソース端子であり、前記第3の主端子がドレイン端子であることを特徴とする請求項11に記載のMOSFETパッケージ。
- 前記リードが、前記ダイの中心軸に対して対称に設けられていることを特徴とする請求項11に記載のMOSFETパッケージ。
- 半導体デバイスを製造するための方法であって、
導電性材料の半硬質シートから前記リードフレームストリップを形成する過程と、
半導体ダイの第1及び第2のコンタクト領域上に導電性接着剤を被着する過程と、
前記半導体ダイに対して、第1及び第2の平坦なリードコンタクトを備える前記リードフレームストリップを配置する過程であって、前記第1及び第2のリードコンタクトの位置が、それぞれ前記半導体ダイの前記第1及び第2のコンタクト領域の位置に合うように前記リードフレームストリップを配置する、該過程と、
前記導電性接着剤により前記半導体ダイに前記リードフレームストリップを取着し、前記リードフレームストリップの前記第1及び第2のリードコンタクトのそれぞれの実質的に全体と、前記半導体ダイの前記第1及び第2のコンタクト領域のそれぞれとの間に電気的コンタクトを確立する過程と、
電気的絶縁性封入体において前記半導体ダイ及び前記第1及び第2のリードコンタクトを封入する過程とを有することを特徴とする方法。 - 接続用材料を除去するために前記リードフレームストリップ上の複数のリードをトリミングする過程と、
前記リードをプリント回路基板上に実装するために選択された形状に成形する過程とをさらに有することを特徴とする請求項15に記載の方法。 - プリント回路基板上に前記半導体デバイスを実装する過程をさらに有することを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記半導体ダイに対して、1つの平坦なリードコンタクトを備える第2のリードフレームストリップを配置する過程であって、前記第2のリードフレームストリップのリードコンタクトの位置が前記半導体ダイの第2の表面上のコンタクト領域の位置に合うように前記第2のリードフレームストリップを配置する、該過程と、
前記第2のリードフレームストリップを前記半導体ダイに接着し、前記第2のリードフレームストリップの前記リードコンタクトの実質的に全体と、前記半導体ダイの第2の表面上の前記コンタクト領域との間に電気的コンタクトを確立する過程をさらに有することを特徴とする請求項15に記載の方法。
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