JP2009278086A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 半導体基板の処理方法であって、
   基板を、化学気相成長法の反応チャンバ内の基板支持部に負荷することと、
   前記反応チャンバ内の圧力を、約１×１０^−６Ｔｏｒｒ（約１３３．３２×１０^−６Ｐａ）から１０Ｔｏｒｒ（約１３３３．２２Ｐａ）の間のベーク圧力にまで低減することと、
   前記ベーク圧力から堆積圧力にまで、前記反応チャンバ内の圧力を上昇させることと、
   前記堆積圧力にて、化学気相成長法によって層を堆積することと、
   を含む、半導体基板の処理方法。
2. 前記圧力を低減することは、約１×１０^−３Ｔｏｒｒ（約１３３．３２×１０^−３Ｐａ）から４Ｔｏｒｒ（約５３３．２９Ｐａ）の間まで、圧力を低減することを含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
3. 前記圧力を上昇させることは、約１Ｔｏｒｒ（約１３３．３２Ｐａ）から１００Ｔｏｒｒ（約１３３３２Ｐａ）の間まで圧力を上昇させることを含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
4. 前記基板を負荷することは、およそ大気圧にて前記基板を前記チャンバに負荷することを含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
5. 前記ベーク圧力にて、前記反応チャンバ内に還元ガス環境を提供することをさらに含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
6. 前記圧力を低減することの前に、前記反応チャンバに前記還元ガス環境を導入することをさらに含む、請求項５に記載の半導体基板の処理方法。
7. 前記反応チャンバ内において圧力を低減しながら、約７５０℃から９００℃の間まで前記基板の温度を上昇させることをさらに含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
8. 前記基板の温度を上昇させることは、３０℃未満の前記基板表面にわたる温度範囲を維持することを含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
9. 前記反応チャンバ内において圧力を低減し始めるときから前記層を堆積し始めるまでの時間間隔は４０秒未満である、請求項７に記載の半導体基板の処理方法。
10. 前記チャンバに前記基板を負荷する前に、水素を用いて前記基板の表面においてシリコンを終端させることをさらに含み、前記表面を終端させることがＨＦ最終を含む、請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
11. 前記化学気相成長法はエピタキシャル処理を含む、請求項１０に記載の半導体基板の処理方法。
12. 半導体基板上での化学気相成長法のためのシステムであって、
    約１００リットル未満の大きさを有し、５Ｔｏｒｒ（約６６６．６１Ｐａ）未満の圧力に耐えるように構成された強化構造を備える反応チャンバと、
    基板を前記反応チャンバに搬送するように構成されたロボットと、
    前記反応チャンバ内において前記基板を加熱するように構成された複数の加熱素子と、
    約１×１０^−６Ｔｏｒｒ（約１３３．３２×１０^−６Ｐａ）から４Ｔｏｒｒ（約５３３．２９Ｐａ）の間のベーク圧力にて、低圧でのベークを実行し、その後、圧力を堆積圧力にまで上昇させるようにプログラミングされた制御器と、
    を備える、システム。
13. 前記制御器は、約９０秒から約２４０秒の間、前記低圧でのベークを実行し、その後、圧力を、約１Ｔｏｒｒ（約１３３．３２）から１００Ｔｏｒｒ（約１３３３２Ｐａ）の間の堆積圧力にまで上昇させるようにプログラミングされている、請求項１２に記載のシステム。
14. 前記制御器は、前記低圧でのベークを実行しながら、前記加熱素子に対して実質的に一定の電力を維持するようにプログラミングされている、請求項１３に記載のシステム。
15. 前記制御器は、前記低圧でのベークを実行しながら、初期のベーク温度から、約７５０℃から９００℃の間まで、前記基板の温度を上昇させることが可能な閉ループ温度制御モードを有する、請求項１２に記載のシステム。
16. 前記制御器は、前記ベーク圧力にて、前記反応チャンバ内に還元ガス環境を提供するようにプログラミングされている、請求項１２に記載のシステム。