JP2009059873A - プリント配線基板 - Google Patents

Abstract

【課題】貫通型同軸コネクタをプリント配線基板に実装する際に発生する特性インピーダンス不整合を抑制すること。
【解決手段】絶縁体層３を介して複数層に積層されたＧＮＤ層２と、信号端子用スルーホール６と、信号端子用スルーホール６とＧＮＤ層２の間の領域に設けられたアンチパッドとなるクリアランス５と、信号端子用スルーホール６からクリアランス５を通じて第ｍ−１層と第ｍ＋１層のＧＮＤ層２間に延在する信号配線４と、を備える。第ｍ−１層と第ｍ＋１層のＧＮＤ層２は、クリアランス５部分において信号配線４の一部と重なるように配置されるとともに信号配線４のインピーダンスを調整する配線インピーダンス調整領域２ａを有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、プリント配線基板に関し、特に、高速信号伝送用のスルーホールを有するプリント配線基板に関する。

通信装置の処理能力向上に伴い、信号速度の向上は著しいものがある。信号速度の高速化に伴って、高周波特性の確保のために、特性インピーダンスのコントロールが不可欠である。このようなことから、通信装置に内蔵されたプリント配線基板間を伝送させるにあたって、従来のバックプレーン伝送だけでなく同軸コネクタを介した同軸ケーブルを使わざるを得ない状況も見えてきた。また、従来のバックプレーン伝送であっても、バックプレーン伝送を実現するために実測評価を行う場合があり、プリント配線基板と測定器との接続には同軸コネクタを使わざるを得ない状況にある。

同軸コネクタ（例えば、ＢＮＣ（Bayonet Neill Concelman）やＳＭＡ（Sub Miniature Type A）など）のプリント配線基板への実装に関し、特性劣化、すなわち特性インピーダンス不整合を引き起こす主な原因は次の３点が考えられる。第１に、プリント配線基板に形成された同軸コネクタ用のスルーホール自体のインピーダンス不整合が考えられ、第２にスルーホールから信号配線へ渡る部分のインピーダンス不整合が考えられ、第３に信号用スルーホールに寄生するスタブ（分岐）によるインピーダンス不整合が考えられる。このようなインピーダンス不整合を解決する手段として、以下のような技術が提案されている。

特開２００３−２１７７４５号公報 特開２００４−１６５２００号公報 特開２００４−３２７６９０号公報 特開２００５−１７５１８９号公報 特開２００５−３５１７３１号公報 特開平８−２７４５１３号公報 特開２００５−５５３９号公報 特開２００３−８６９５４号公報

特許文献１では、ドータボードのスルーホール近傍の伝送路に電気的なショートスタブを設けることにより、ドータボードとバックボードとのインピーダンス不整合を吸収するという技術が開示されている。しかしながら、高速信号では、信号の立ち上がりが急峻になるため、ショートスタブやスルーホール内のスタブですら伝送線路として振舞い、更に多重反射を発生する要因になることは明白である。また、ショートスタブによりＧＮＤ（接地）に接続されるため、実際の信号伝送では意図しないオフセット電圧になるという問題もある。

特許文献２では、差動信号のスキュー削減に関する技術が開示されている。しかしながら、スルーホールの反射抑制の課題に対しては言及がない。

特許文献３では、プリント配線基板のスルーホールにおけるリターン電流経路を確保するため、スルーホールを同軸型にしたものが開示されている。しかしながら、多層配線基板で発生するスルーホールのスタブに関する解決策が示されていない。

特許文献４では、プリント配線基板のスルーホールにおけるリターン電流経路を確保するため、２つのグランド層の間に導電層を設けたものが開示されている。しかしながら、特許文献３と同様、多層配線基板におけるスルーホールのスタブの解決策が示されていない。

特許文献５では、接地（ＧＮＤ）に接続された導体パターンのスルーホール中に金属プローブを挿入することによりテストソケットを構築する技術が開示されている。しかしながら、特許文献３と同様、スルーホールのスタブに関する言及がない。

特許文献６では、導波管と基板を接続する技術が開示されている。しかしながら、この技術は、基板内に構成した擬似導波管のインピーダンス可変に関するものであり、スルーホールに関するインピーダンス不整合を解決するものではない。

特許文献７では、インピーダンスを高整合した状態で、同軸コネクタや同軸ケーブルをプリント基板に実装する技術が開示されている。しかしながら、この技術は、特性の異なるプリント基板とインピーダンス整合基板を接続してインピーダンスを調整するものであり、スルーホールから信号配線に渡る部分の構成が不明で当該部分でのインピーダンス不整合を解決しているとはいえない。

特許文献８では、隣接する開口部の平面形状および貫通導体の断面形状がそれぞれ楕円形状であるとともに、これら開口部および貫通導体を楕円形状の短径方向に並べて配列することで、電流経路のインダクタンス成分を小さくし、かつ、同時スイッチングノイズを抑制する技術が開示されている。しかしながら、この技術は、貫通導体から信号配線に渡る部分の構成が不明で当該部分でのインピーダンス不整合を解決しているとはいえない。

本発明の主な課題は、貫通型同軸コネクタをプリント配線基板に実装する際に発生する特性インピーダンス不整合を抑制することである。

本発明の一視点においては、プリント配線基板において、絶縁体層を介して複数層に積層された接地層と、第１のスルーホールと、前記第１のスルーホールと前記接地層の間の領域に設けられたアンチパッドとなるクリアランスと、前記第１のスルーホールから前記クリアランスを通じて所定の前記接地層間に延在する信号配線と、を備え、所定の前記接地層は、前記クリアランス部分において前記信号配線の一部と重なるように配置されるとともに前記信号配線のインピーダンスを調整する配線インピーダンス調整領域を有することを特徴とする。

本発明によれば、クリアランスを通る信号配線の特性インピーダンスを補償することができるので、スルーホールに接続される同軸コネクタの性能を、信号帯域を劣化させることなく、引き出すことができる。

本発明の実施形態に係るプリント配線基板では、絶縁体層（図２の３）を介して複数層に積層された接地層（図２のＧＮＤ層２）と、第１のスルーホール（図２の信号端子用スルーホール６）と、前記第１のスルーホール（図２の信号端子用スルーホール６）と前記接地層（図２のＧＮＤ層２）の間の領域に設けられたアンチパッドとなるクリアランス（図２の５）と、前記第１のスルーホール（図２の信号端子用スルーホール６）から前記クリアランス（図２の５）を通じて所定の前記接地層間（図２の第ｍ−１層と第ｍ＋１層のＧＮＤ層２間）に延在する信号配線（図２の４）と、を備え、所定の前記接地層（図２の第ｍ−１層と第ｍ＋１層のＧＮＤ層２）は、前記クリアランス（図２の５）部分において前記信号配線（図２の４）の一部と重なるように配置されるとともに前記信号配線（図２の４）のインピーダンスを調整する配線インピーダンス調整領域（図２の２ａ）を有する。

本発明の実施例１に係るプリント配線基板について図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施例１に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した第１層側から見たときの部分平面図である。図２は、本発明の実施例１に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した図１のＸ−Ｘ´間の部分断面図である。図３は、本発明の実施例１に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した図１のＹ−Ｙ´間の部分断面図である。図４は、本発明の実施例１に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した（Ａ）第１層部分、及び（Ｂ）第２層部分の部分断面図である。図５は、本発明の実施例１に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した（Ａ）第ｍ−１層部分、（Ｂ）第ｍ層部分、及び（Ｃ）第ｍ＋１層部分の部分断面図である。図６は、本発明の実施例１に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した（Ａ）第ｎ−１層部分、及び（Ｂ）第ｎ層部分の部分断面図である。

なお、図１では、絶縁体層３を省略している。また、図面においては、同軸コネクタの信号端子に接続する信号配線を第ｍ層の信号配線を使用すると仮定している。

図１〜図３を参照すると、プリント配線基板１は、ＧＮＤ層２と絶縁体層３が交互に積層された多層配線基板であり、同軸コネクタ（図示せず）を実装可能なものである。プリント配線基板１は、ＧＮＤ層２と、絶縁体層３と、信号配線４と、クリアランス５と、信号端子用スルーホール６と、ＧＮＤ端子用ＧＮＤスルーホール７と、インピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８と、を有する。

ＧＮＤ層２は、銅等の導体よりなるＧＮＤ（接地）と接続された導体層である。ＧＮＤ層２は、絶縁体層３を介して複数層にわたって積層している。第ｍ−１層のＧＮＤ層２と第ｍ＋１層のＧＮＤ層２の間には、絶縁体層３を介して信号配線４が配されている（図２参照）。各層のＧＮＤ層２には、信号端子用スルーホール６の外周に配置されるクリアランス５と対応する位置に円形状の開口部が形成されている。第ｍ−１層および第ｍ＋１層以外のＧＮＤ層２（図１では第１層、第３層、第ｎ−２層、第ｎ層のＧＮＤ層２）では、クリアランス５と対応する開口部が円形状に形成されている（図４（Ａ）、図６（Ｂ）参照）。第ｍ−１層および第ｍ＋１層のＧＮＤ層２は、第ｍ−１層および第ｍ＋１層以外のＧＮＤ層２の開口部領域内に配線インピーダンス調整領域２ａが配されている（図１参照）。第ｍ−１層および第ｍ＋１層のＧＮＤ層２では、配線インピーダンス調整領域２ａを除いて、第ｍ−１層および第ｍ＋１層以外のＧＮＤ層２の開口部と同様に、クリアランス５に対応する開口部が形成されている。ＧＮＤ層２の開口部内には、信号端子用スルーホール６が配されている。各層のＧＮＤ層２は、クリアランス５に対応する開口部の外周部分で、信号端子用スルーホール６の軸を中心とする同心円１０の外周で接するようにＧＮＤ端子用ＧＮＤスルーホール７及びインピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８が形成されている。各層のＧＮＤ層２は、ＧＮＤ端子用ＧＮＤスルーホール７及びインピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８と接続されている（図３参照）。

配線インピーダンス調整領域２ａは、クリアランス５領域に配された信号配線４の特性インピーダンスを調整する領域である。配線インピーダンス調整領域２ａは、第ｍ−１層および第ｍ＋１層のＧＮＤ層２に形成され、第ｍ層の信号配線４の一部と重なるように配されている（図１参照）。配線インピーダンス調整領域２ａは、ＧＮＤ層２本体と一体に構成され、ＧＮＤ層２の電位と同電位であり、信号端子用スルーホール６と絶縁されている（図５（Ａ）、（Ｂ）参照）。配線インピーダンス調整領域２ａと信号端子用スルーホール６の間の間隙は、基板の製造で問題ない範囲で信号配線４の上下に導体が無い領域が極力小さくなるようにすることが好ましい。配線インピーダンス調整領域２ａは、信号端子用スルーホール６から離れるにしたがい広くなる扇状（信号端子用スルーホール６の中心からＧＮＤ端子用ＧＮＤスルーホール７の中心へと延びた線上でクリアランス円周上との交点を半径とした扇状）に形成されている。なお、配線インピーダンス調整領域２ａは、第ｍ−１層および第ｍ＋１層以外のＧＮＤ層２には形成されない。

絶縁体層３は、エポキシ樹脂等の絶縁体よりなる層である。絶縁体層３は、ＧＮＤ層２間に配されている。絶縁体層３には、第ｍ−１層および第ｍ＋１層のＧＮＤ層２の間の部分において信号配線４が配されている（図２参照）。絶縁体層３は、ＧＮＤ層２のクリアランス５に対応する開口部内にも配されている。絶縁体層３には、クリアランス５領域内の中央に、ドリル穴面６ｂが形成されており、ドリル穴面６ｂの壁面に信号端子用スルーホール６が形成されている（図２参照）。絶縁体層３には、クリアランス５領域の外周部分に、ドリル穴面７ａが形成されており、ドリル穴面７ａの壁面にＧＮＤ端子用ＧＮＤスルーホール７が形成されている（図３参照）。絶縁体層３には、クリアランス５領域の外周部分に、ドリル穴面８ａが形成されており、ドリル穴面８ａの壁面にインピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８が形成されている（図３参照）。

信号配線４は、銅等の導体よりなる信号用の配線である。信号配線４は、第ｍ−１層および第ｍ＋１層のＧＮＤ層２の間の第ｍ層の絶縁体層３において形成されている（図２参照）。信号配線４は、第ｍ−１層および第ｍ＋１層のＧＮＤ層２の配線インピーダンス調整領域２ａの間に配されている。信号配線４は、信号端子用スルーホール６と接続されており、信号端子用スルーホール６の外周にて雫状に形成されたティアドロップ部４ａを有する。ティアドロップ部４ａは、信号配線４と配線インピーダンス調整領域２ａが重ならない領域の信号配線４のインピーダンス特性劣化を防ぐためのものである。信号配線４は、インピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８間を通るように配置されている。

クリアランス５は、信号端子用スルーホール６とＧＮＤ層２の間の領域に配されたアンチパッドとなる部分である。クリアランス５には、絶縁体層３が配されている。クリアランス５は、第ｍ−１層および第ｍ＋１層にて、配線インピーダンス調整領域２ａによって狭くなっている。

信号端子用スルーホール６は、同軸コネクタ（図示せず）の信号端子（図示せず）と接続するためのスルーホールである。信号端子用スルーホール６は、同軸コネクタ（図示せず）の信号端子（図示せず）の形状に応じて構成される。信号端子用スルーホール６は、銅等の導体よりなる。信号端子用スルーホール６は、クリアランス５の中央の絶縁体層３に貫通して形成されたドリル穴面６ｂの壁面に形成されており、上面及び下面の周縁部にランド６ａを有し、信号配線４のティアドロップ部４ａと接続されている。

ＧＮＤ端子用ＧＮＤスルーホール７は、同軸コネクタ（図示せず）のＧＮＤ端子（図示せず）と接続するためのスルーホールである。ＧＮＤ端子用ＧＮＤスルーホール７は、同軸コネクタ（図示せず）のＧＮＤ端子（図示せず）の形状に応じて構成される。ＧＮＤ端子用ＧＮＤスルーホール７は、銅等の導体よりなる。ＧＮＤ端子用ＧＮＤスルーホール７は、ＧＮＤ層２のクリアランス５に対応する開口部の外周部分で、信号端子用スルーホール６の軸を中心とする同心円１０の外周で接するように貫通して形成されたドリル穴面７ａの壁面に形成されており、各層のＧＮＤ層２と接続されている。

インピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８は、信号端子用スルーホール６の特性インピーダンスを調整するためのＧＮＤスルーホールである。インピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８は、銅等の導体よりなる。インピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８は、ＧＮＤ層２のクリアランス５に対応する開口部の外周部分で、信号端子用スルーホール６の軸を中心とする同心円１０の外周で接するように貫通して形成されたドリル穴面８ａの壁面に形成されており、各層のＧＮＤ層２と接続されている。インピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８は、同心円１０に均一になるように配置されている。インピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８同士の間隔は、信号配線４が通る十分な間隔が確保されるように配置される。インピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８は、概して１ｃｍ角程度のＳＭＡコネクタを使用した場合、図１のようなＧＮＤ端子用ＧＮＤスルーホール７の間に２個程度の構成となる。

次に、本発明の実施例１に係るプリント配線基板の動作について説明する。

まず、信号端子用スルーホール６の特性インピーダンスのコントロールについて図面を用いて説明する。図７は、（Ａ）同軸断面構造、及び（Ｂ）本発明の実施例１に係るプリント配線基板の断面構造を模式的に示した図である。

一般に同軸構造（図７（Ａ）参照）の特性インピーダンスＺ_０は、数式１によって求められる。

数式１より、特性インピーダンスＺ_０は、芯線（内部導体）の半径ａ、外部導体の内径ｂだけで決定することができる。なお、ε_ｒは比誘電率、log は自然対数を示す。

図７（Ｂ）は、実施例１の構造を示したもので、中心の信号端子用スルーホール６の周囲にＧＮＤスルーホール７、８が同心円状に配置されている。この構造は同軸構造に近く擬似同軸とみなせる。ここで、信号端子用スルーホール６のドリル径Ｒ１を図７（Ａ）の半径ａとし、ＧＮＤスルーホール７、８の同心円半径Ｒ２を図７（Ｂ）の半径ｂとして、数式１に代入することで、同軸コネクタ用のスルーホールの特性インピーダンスを予測することができる。

次に、クリアランス５上の配線インピーダンス調整領域について、比較例を用いながら図面を用いて説明する。図８は、比較例に係るプリント配線基板に同軸コネクタを実装した状態のクリアランスおよびスタブのそれぞれの形状を変えてインピーダンス解析を行った結果を示した図である。図９は、本発明の実施例１に係るプリント配線基板に同軸コネクタを実装した状態でインピーダンス解析を行った結果を示した図である。なお、比較例は、実施例１の配線インピーダンス調整領域２ａ、ティアドロップ部４ａ、及びインピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８がないものを想定している。

図８（比較例）を参照すると、クリアランスに注目する場合、クリアランスが小さいと信号端子用スルーホールとＧＮＤ層との間の容量性結合により、設計した特性インピーダンス値が小さくなることが確認できる（図８（ａ）参照）。このことから、信号端子用スルーホール自体の特性インピーダンスにとってはクリアランスが大きい方がよいことがいえる。しかし、クリアランスを大きくするとクリアランスを通過する信号配線の特性インピーダンスが高くなるという結果が出てくる（図８（ｂ）、（ｃ）参照）。図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の結果から、信号端子用スルーホールに極力容量性結合を与えず、信号配線のインピーダンスを確保するような構造、すなわち、図１の扇型構造の配線インピーダンス調整領域２ａを付加することが有効である。また、信号端子用スルーホールと配線インピーダンス調整領域との間のわずかな領域では、図１のティアドロップ部４ａを構成しインピーダンス勾配を与えることが有効である。そこで、実施例１（図１参照）に係るプリント配線基板では、クリアランス５を中とし、配線インピーダンス調整領域２ａ、ティアドロップ部４ａ、及びインピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８を追加すると、図９のように特性インピーダンス値が高くもなく低くもならないように調整された状態にすることができる。

図８でスタブの有無による特性解析に注目すると、スタブがインピーダンス低下を引き起こすことが確認できる（図８（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）参照）。さらに、スタブを除去することで特性が格段に良好になることも解析結果から明らかである（図８（ｇ）参照）。実施例１（図２参照）に係るプリント配線基板の信号端子用スルーホール６のスタブを、図８（ｇ）のように削り取れば、特性がさらに良好になる。

実施例１によれば、同軸コネクタでの信号帯域劣化を大幅に改善できる。従来、同軸コネクタ自身の帯域は２０ＧＨｚ以上あるにも関わらず、プリント配線基板に実装すると信号帯域が５ＧＨｚにも満たない事例があった。一方、実施例１を適用することにより、同軸コネクタの性能を引き出し、信号帯域を劣化させることなく同軸コネクタの性能を引き出すことができる。

本発明の実施例２に係るプリント配線基板について図面を用いて説明する。図１０は、本発明の実施例２に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した部分断面図である。図１１は、本発明の実施例２に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した除去部側の部分斜視図である。なお、図１０の断面は図１のＸ−Ｘ´間に相当するものである。

実施例２では、ＧＮＤ端子用ＧＮＤスルーホール７を避けるようにクリアランス５を大きくし、インピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール（図１の８に相当）を廃止し、信号端子用スルーホール６で発生するスタブ（分岐）を除去している。その他の構成は実施例１と同様である。

信号配線４が形成される第ｍ層が半田面（第ｎ層側）に近いと信号端子用スルーホール６のスタブによる影響はないとみなせ、実施例１（図２参照）のようにスタブの除去は不要である。しかし、設計条件で第ｍ層が部品面（第１層側）に近い層を使わざるを得ない場合、信号端子用スルーホール６のスタブを物理的に除去する必要がある。そして、信号端子用スルーホール６のスタブを除去しても、信号端子用スルーホール６と同軸コネクタの信号端子とを接合させる半田の半田付け作業が行いやすくなければならない。そこで、信号端子用スルーホール６のスタブを除去する場合は、図１１のように溝状の除去部１１とする。除去部１１は、短辺方向は半田ごてのこて先が入る幅、長手方向は半田付け作業ができる程度の長さとする。除去部１１の形成方法には、バックドリル（あるいはカウンターボーリング）と呼ばれる手法があり、信号端子用スルーホール６のスタブ構成部分をドリルで削り取るというものである。ここではドリルの径を太くし、半田ごてが挿入できる広さを確保する。実施例２によれば、実施例１と同様な効果を奏する。

本発明の実施例３に係るプリント配線基板について図面を用いて説明する。図１２は、本発明の実施例３に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した第１層側から見たときの部分平面図である。なお、図１２では、絶縁体層を省略している。

実施例３は、バックプレーン用コネクタを適用する場合の例である。この例は差動伝送の例であるが、特性インピーダンスの不整合を防止するため、クリアランス５領域において第ｍ−１層と第ｍ＋１層のＧＮＤ層２に配線インピーダンス調整領域２ａを設け、配線インピーダンス調整領域２ａと信号端子用スルーホール６の間の領域の信号配線４にティアドロップ部４ａを設けて信号端子用スルーホール６と信号配線４を接続し、クリアランス５の外周のＧＮＤ層２にインピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール８を設けたものである。クリアランス５内には複数の信号端子用スルーホール６が配置され、クリアランス５は配線インピーダンス調整領域２ａを除いて四角形に形成されている。第ｍ層の信号配線４は、第ｍ−１層と第ｍ＋１層のＧＮＤ層２の間に配され、第ｍ−１層と第ｍ＋１層の配線インピーダンス調整領域２ａの間にも配されている。実施例３によれば、実施例１と同様な効果を奏する。

本発明の実施例１に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した第１層側から見たときの部分平面図である。 本発明の実施例１に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した図１のＸ−Ｘ´間の部分断面図である。 本発明の実施例１に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した図１のＹ−Ｙ´間の部分断面図である。 本発明の実施例１に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した（Ａ）第１層部分、及び（Ｂ）第２層部分の部分断面図である。 本発明の実施例１に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した（Ａ）第ｍ−１層部分、（Ｂ）第ｍ層部分、及び（Ｃ）第ｍ＋１層部分の部分断面図である。 本発明の実施例１に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した（Ａ）第ｎ−１層部分、及び（Ｂ）第ｎ層部分の部分断面図である。 （Ａ）同軸断面構造、及び（Ｂ）本発明の実施例１に係るプリント配線基板の断面構造を模式的に示した図である。 比較例に係るプリント配線基板に同軸コネクタを実装した状態のクリアランスおよびスタブのそれぞれの形状を変えてインピーダンス解析を行った結果を示した図である。 本発明の実施例１に係るプリント配線基板に同軸コネクタを実装した状態でインピーダンス解析を行った結果を示した図である。 本発明の実施例２に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した部分断面図である。 本発明の実施例２に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した除去部側の部分斜視図である。 本発明の実施例３に係るプリント配線基板の構成を模式的に示した第１層側から見たときの部分平面図である。

符号の説明

１ プリント配線基板
２ ＧＮＤ層（導体層）
２ａ 配線インピーダンス調整領域
３ 絶縁体層
４ 信号配線
４ａ ティアドロップ部
５ クリアランス
６ 信号端子用スルーホール
６ａ ランド
６ｂ ドリル穴面
７ ＧＮＤ端子用ＧＮＤスルーホール
７ａ ドリル穴面
８ インピーダンス調整用ＧＮＤスルーホール
８ａ ドリル穴面
１０ 同心円
１１ 除去部
２０ 内部導体
２１ 絶縁体
２２ 外部導体
３０ ＧＮＤ端子

Claims (11)

1. 絶縁体層を介して複数層に積層された接地層と、
   第１のスルーホールと、
   前記第１のスルーホールと前記接地層の間の領域に設けられたアンチパッドとなるクリアランスと、
   前記第１のスルーホールから前記クリアランスを通じて所定の前記接地層間に延在する信号配線と、
   を備え、
   所定の前記接地層は、前記クリアランス部分において前記信号配線の一部と重なるように配置されるとともに前記信号配線のインピーダンスを調整する配線インピーダンス調整領域を有することを特徴とするプリント配線基板。
2. 前記配線インピーダンス調整領域は、前記第１のスルーホールから離れるにしたがい広くなる扇状に形成されていることを特徴とする請求項１記載のプリント配線基板。
3. 前記信号配線は、前記第１のスルーホールの外周にて雫状に形成されたティアドロップ部を有し、
   前記ティアドロップ部は、前記クリアランス部分において前記信号配線と前記配線インピーダンス調整領域が重ならない領域に配置されることを特徴とする請求項１又は２記載のプリント配線基板。
4. 前記クリアランスの外周に配置されるとともに各前記接地層と接続される複数の第２のスルーホールを備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載のプリント配線基板。
5. 前記クリアランスは、前記クリアランス内に前記第１のスルーホールが１個存在する場合、前記配線インピーダンス調整領域を除いて前記第１のスルーホールの軸を中心とする円形状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載のプリント配線基板。
6. 前記第１のスルーホールは、同軸コネクタの信号端子と接続され、
   前記第２のスルーホールは、前記第１のスルーホールの軸を中心とする同心円の外周で接するように配置されるとともに前記同軸コネクタの接地端子と接続されることを特徴とする請求項５記載のプリント配線基板。
7. 前記クリアランスの外周にて前記同心円の外周で接するように配置されるとともに、各前記接地層と接続され、かつ、前記第２のクリアランスの間に配置される第３のスルーホールを備えることを特徴とする請求項６記載のプリント配線基板。
8. 前記クリアランスは、前記クリアランス内に前記第１のスルーホールが複数個存在する場合、前記配線インピーダンス調整領域を除いて四角形に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載のプリント配線基板。
9. 前記クリアランス部分の領域には、前記信号配線及び前記配線インピーダンス調整領域を除いて絶縁体層が配されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一に記載のプリント配線基板。
10. 前記第１のスルーホールが前記信号配線との接続部分から分岐したスタブ構成となっている場合に、少なくとも前記第１のスルーホールのスタブ構成部分の全部又は一部が除去された除去部を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一に記載のプリント配線基板。
11. 前記除去部では、前記絶縁体層の一部も除去されて溝状に形成されていることを特徴とする請求項１０記載のプリント配線基板。

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