JP2013175569A - 配線基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】電子装置(LSI)に使用できる信号本数を制限することなく、配線基板の電子装置搭載面付近の信号配線層に接続するビアのスタブ長の影響を軽減して、同信号層を高速伝送信号用に使用する。
【解決手段】BGAパッケージ4が実装されたプリント基板1において、信号ビア2cと、信号ビア2cの周囲に配置されたグランド/電源パターン3gとのクリアランス(隙間)7を、信号ビア2cと、グランド/電源ビア3cとの設置ピッチYの1/2以上の大きさとし、かつ信号ビア2cの外周部と、グランド/電源ビア3cの裏面側のパッド3fの端部に対応した位置との距離以下の大きさとすることにより、信号ビア2cのスタブ2n部分とグランド/電源配線層3bの間に生じる負荷容量を軽減する。
【選択図】図2

Description

本発明は、配線基板の構造に関し、特に、複数のビアを有する多層配線基板に適用して有効な技術に関する。
近年、電子機器の高性能化に伴い、電子機器が実装しているLSI(Large Scale Integration circuit) などの電子部品(電子装置)間の信号伝送速度は、年々(例えば、3年毎に2倍程度の割合で)高速化している。特にサーバ、ルータ等の大容量データ処理装置で用いられるバックプレーン(配線基板)では、2013年頃に電気伝送の限界である25Gbpsを超える伝送速度が要求されると予測されている。信号伝送速度が速くなると、LSI間の信号伝送経路であるプリント配線基板の配線と基板間を接続するコネクタの伝送損失が増大する。特に、プリント配線基板とLSIパッケージを接続するスルーホール(ビア)では、その不連続な形状により反射波が発生して伝送損失が増大する。この反射波はノイズとなり、伝送可能距離が短くなったり、伝送情報のビット誤り率が上昇したりする要因になる。
そこで、プリント配線基板の配線とLSIパッケージを接続するスルーホールの不連続な形状を修正することで反射波が生じないようにして、ノイズの増加を低減する必要がある。
下記の特許文献1(特表2008−518486号公報)には、貫通スルーホールが形成された基板において、スルーホールの信号伝送に寄与しないスタブ部分をドリルにより切削するバックドリル(裏面からのザグリ)を施すことにより、反射波を低減する技術が記載されている。また、下記特許文献2(特開2009−158815号公報)には、貼り合せ基板によりスタブ部分の長さを短くする技術が記載されている。
特表2008−518486号公報 特開2009−158815号公報
上記特許文献1に記載されている技術は、バックドリルでスルーホールを切削してスタブ長を削減するため、プリント配線基板の内層配線を使用する信号の数だけドリルで穴あけを行う必要がある。また、ドリルの位置合わせ精度は0.2mmから0.3mmの精度が要求される。その際、基板の硬さや厚さのばらつきにより、ドリルの深さの加工精度のコントロールは困難な状況となっている。
なお、信号の伝送速度の高速化とともにピン数が増えると、ドリルによる加工数も増えるため、加工コストが上昇する傾向にある。また、穴あけ数が増加すると電源やグランドの配線層に穴あけ加工を施すことになり、基板の電源インピーダンスが増加し、電源ノイズが増加する弊害が生じる。また、ドリルで穴あけ加工を施す近辺には信号配線の配置が出来ず、基板の信号層数を増やす必要があり基板コストが増加する。
上記特許文献2に記載されている技術では、スタブ長を貼り合せ基板の厚さ以下にすることはできないため、LSI搭載面付近の信号配線層に接続するスルーホールのスタブ長を削減できない。つまり、LSI搭載面付近の信号配線層は高速伝送信号用に使用できないため、基板の信号層数を増やす必要が生じてコスト増となる課題がある。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、電子装置(LSI)に使用できる信号本数を制限することなく、配線基板の電子装置搭載面付近の信号配線層に接続するスルーホール(ビア)のスタブ長の影響を軽減して、同信号層を高速伝送信号用に使用することができる技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、配線基板のコストの増加を防止して、高速伝送LSI及び配線基板の低コスト化を図る技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
本発明に係る配線基板は、電子装置が搭載される表面と、前記表面と反対側の裏面を有し、かつ電気信号を伝送するとともにそれぞれ内部に導体膜が形成された貫通孔を備える複数のビアを有したものであり、前記複数のビアは、信号ビアと、前記信号ビアに隣接して配置されたグランドまたは電源ビアとを含んでいる。また、前記配線基板の内部に、前記グランドまたは電源ビアと電気的に接続するグランドまたは電源パターンを備えた配線層を有し、前記配線層と同一層において前記信号ビアの外周部と、前記信号ビアを囲むように配置された前記グランドまたは電源パターンとは隙間を介して設けられている。さらに、前記隙間は、前記信号ビアと前記グランドまたは電源ビアとの設置ピッチの1/2以上の大きさであり、かつ前記配線層において前記信号ビアの前記外周部と、前記グランドまたは電源ビアの前記配線基板の前記裏面に接合するパッドの端部に対応した位置との距離以下の大きさである。
また、本発明に係る配線基板は、電気信号を伝送し、かつそれぞれ内部に導体膜が形成された貫通孔を備える複数のビアを有したものであり、前記複数のビアは、隣接して配置された2つの差動信号ビアを含み、前記2つの差動信号ビアの間の前記配線基板の絶縁部に空洞部が形成され、平面視で、前記2つの差動信号ビアのそれぞれの中心を結ぶ線は、前記空洞部の一部に配置されるものである。
また、本発明に係る配線基板は、電子装置が搭載される表面と、前記表面と反対側の裏面を有し、かつ電気信号を伝送するとともにそれぞれ内部に導体膜が形成された貫通孔を備える複数のビアを有したものであり、前記複数のビアは信号ビアを含み、前記信号ビアの前記配線基板の前記裏面に接合するパッドの直径は、前記複数のビアの設置ピッチの1/4より小さいものである。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
配線基板の表面付近の信号配線層に接続する信号ビアのスタブ長による負荷容量を削減(軽減)することができ、信号ビアの伝送特性を低損失化することができる。これにより、配線基板の表面付近の信号配線層を高速伝送信号用に使用することができる。
また、低コスト化を図った高速伝送基板配線を実現することができる。
本発明の実施の形態の配線基板と電子装置の実装構造の一例を示す部分断面図である。 図1に示す配線基板における信号ビアとグランドまたは電源ビアの構造の一例を示す部分拡大断面図である。 図2に示すX矢視の構造の一例を示す断面図である。 図1に示す配線基板におけるグランドまたは電源配線層のパターンの一例を示す部分平面図である。 本発明者が比較検討を行った配線基板と電子装置の実装構造の比較例を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態の第1変形例の配線基板と電子装置の実装構造を示す部分断面図である。 図6に示す配線基板の表面における差動信号ビア間の空洞部の構造の一例を示す部分平面図である。 本発明の実施の形態の第2変形例の配線基板と電子装置の実装構造を示す部分断面図である。 本発明の配線基板における各スタブ長に対する伝送周波数と伝送損失の関係を示すデータ図である。 本発明の配線基板における各対策ごとの伝送周波数と伝送損失の関係を示すデータ図である。
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
また、以下の実施の形態において、要素の数など(個数、数値、量、範囲などを含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
また、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Aからなる」、「Aよりなる」、「Aを有する」、「Aを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲等についても同様である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
(実施の形態)
図1は本発明の実施の形態の配線基板と電子装置の実装構造の一例を示す部分断面図、図2は図1に示す配線基板における信号ビアとグランドまたは電源ビアの構造の一例を示す部分拡大断面図、図3は図2に示すX矢視の構造の一例を示す断面図、図4は図1に示す配線基板におけるグランドまたは電源配線層のパターンの一例を示す部分平面図、図5は本発明者が比較検討を行った配線基板と電子装置の実装構造の比較例を示す部分断面図である。また、図9は本発明の配線基板における各スタブ長に対する伝送周波数と伝送損失の関係を示すデータ図、図10は本発明の配線基板における各対策ごとの伝送周波数と伝送損失の関係を示すデータ図である。
本実施の形態の配線基板は、複数の配線層を有した多層のプリント基板1であり、表面1aに電子装置を実装することが可能な基板である。
図1に示すプリント基板(配線基板)1の構造について説明すると、電子装置が搭載される表面1aと、表面1aと反対側の裏面1bとを有しており、さらにそれぞれ電気信号を伝送するとともに内部に導体膜が形成された貫通孔をそれぞれに備える複数のビアを有している。
なお、本実施の形態では、プリント基板1に搭載される電子装置の一例として、半導体パッケージ(LSI)であるBGA(Ball Grid Array)パッケージ4を取り上げて説明する。
BGAパッケージ4は、本体の裏面側に複数のボール状の外部端子(ピン)が格子状(グリッド状)に配置された半導体パッケージであり、これらの複数の外部端子は、信号端子5a,5bや、グランドまたは電源(以降、グランド/電源とも言う)端子6a,6bを含んでいる。
したがって、プリント基板1の表面1aには、BGAパッケージ4の各外部端子(各ピン)の配置に対応した位置に、各外部端子に電気的に接続可能な複数のパッド2f,2k,3fが形成されている。ここで、パッド2f,2kは、信号用の電極パッドであり、パッド3fは、グランド/電源用の電極パッドである。
なお、プリント基板1の裏面1bにも表面側の各パッドに対応してそれぞれパッド2f,2k,3fが形成されている。さらに、プリント基板1には複数のビアが形成されており、これらの複数のビアは、信号ビア2c,2h及びグランド/電源ビア3cを含んでいる。
ここで、図1に示すプリント基板1では、例えば、BGAパッケージ4の信号端子5aと電気的に接続するパッド2fは、信号ビア2cを介して裏面1bのパッド2fと電気的に接続されている。さらに、信号端子5bと電気的に接続するパッド2kは、信号ビア2hを介して裏面1bのパッド2kと電気的に接続されている。また、BGAパッケージ4のグランド/電源端子6a,6bとそれぞれ電気的に接続するパッド3fは、それぞれグランド/電源ビア3cを介して裏面1bのパッド3fと電気的に接続されている。
なお、信号ビア2cは、内部に導体膜2eが形成された信号スルーホール(貫通孔)2dを備えており、同様に、信号ビア2hは、内部に導体膜2jが形成された信号スルーホール(貫通孔)2iを備えている。また、グランド/電源ビア3cも、同様に、内部に導体膜3eが形成されたグランド/電源スルーホール(貫通孔)3dを備えている。
図1〜図3に示すように、信号ビア2cは、内部の多層の配線層のうち、信号配線層2gに形成された信号配線2aと電気的に接続されている。同様に、信号ビア2hは、内部の多層の配線層のうち、信号配線層2mに形成された信号配線2bと電気的に接続されている。
また、グランド/電源ビア3cは、内部の多層の配線層のうち、複数のグランド/電源配線層3bのそれぞれに形成されたグランド/電源配線3aと電気的に接続されており、プリント基板1の内部の各層のグランド/電源配線3aは、図3に示すようなプレーン状の広い面積を有するグランド/電源パターン3gとなっている。
本実施の形態のプリント基板1では、複数のビアは、信号ビア2cと、この信号ビア2cに隣接して配置されたグランド/電源ビア3cとを含んでいる。
ここで、図3に示すプリント基板1における各層の厚さの一例を説明すると、各配線(配線層)の厚さは、A、C、E、G、I、K、M=0.035mmである。層間の各絶縁層の厚さは、B、D、F、L=0.1mm、J=0.235mm、H=0.25mmである。これにより、A〜Pの全体の合計厚さは、1.13mmとなっている。
また、プリント基板1では、図1に示すように、信号ビア2c,2hは、プリント基板1の内部において信号の配線(信号配線2a,2b)が枝分かれしたスタブ(第1領域)2nをそれぞれ有しており、図2に示すように、それぞれにグランド/電源パターン3gを備えた複数のグランド/電源配線層3bのいずれかは、信号ビア2c,2hのスタブ2nの領域に配置されている。
ここで、スタブ2nを有する配線における電気信号の流れを、信号ビア2cの場合を一例として説明すると、図1に示すように、電気信号はBGAパッケージ4のコネクタ用の信号端子5aから入力し、信号ビア2cを介して信号配線2aに枝分かれして伝播する。その際、信号端子5aと信号ビア2cとスタブ2nと信号配線2aは、その材質、長さなどに応じた伝送損失特性を有している。
ところで、BGAパッケージ4などのLSI間の伝送経路は、プリント基板1に2個のLSIを搭載し、その間にDCブロックキャパシタを搭載する形態であるので、LSIとプリント基板1の接続部位が1経路あたり4箇所存在する。伝送経路の伝送損失は高速伝送規格のIEEE802.3ap(10Gbps)によると、中央値で25dBの伝送損失を想定している。
このうち、プリント基板1の配線やコネクタ本体の伝送損失が約20dBを占める場合を想定すると、ビア(スルーホール)には約6dBが割り当てられると見込まれる。この場合、ビア(スルーホール)は1個当たり、伝送損失を1.5dB以下に低減する必要があると考えられる(図9に示す目安値V参照)。
図9は、ビア(スルーホール)の伝送損失の周波数特性を示す図である。ビア(スルーホール)の伝送損失は周波数が高くなると増大し、またスタブ長が長くなると増大する特徴がある。すなわち、スタブ長が長いほど信号が通りにくくなることが知られている。
そこで、図5は、本発明者が比較検討を行った配線基板と電子装置の実装構造の比較例を示す図であるが、本比較例では、バックドリルで信号ビア2cや信号ビア2hを切削して穴部11aを形成してスタブ長を削減する(短くする)ため、プリント基板11の内層配線を使用する信号の数だけドリルで穴あけを行う必要がある。
この場合には以下のような課題が生じる。信号の伝送速度の高速化とともにピン数が増えると、ドリルによる加工数も増えるため、加工コストが上昇する傾向にある。さらに、穴あけ数が増加すると電源やグランドの配線層に穴あけ加工を施すことになり、基板の電源インピーダンスが増加し、電源ノイズが増加する弊害が生じる。また、ドリルで穴あけ加工を施す近辺には信号配線の配置が出来ず、基板の信号層数を増やす必要があり基板コストが増加する。
そこで、本実施の形態のプリント基板1では、図1及び図2に示すスタブ2n部分に形成されたグランド/電源配線層3bと同一層において、図4に示すように、信号ビア(S)2c(信号ビア2h)の外周部と、信号ビア2c(信号ビア2h)を囲むように配置されたグランド/電源パターン3gとはクリアランス(隙間)7を介して設けられており、クリアランス7は、信号ビア2c(信号ビア2h)とグランド/電源ビア(G)3cとの設置ピッチYの1/2以上の大きさである。さらに、グランド/電源配線層3bにおいて信号ビア2c(信号ビア2h)の外周部と、グランド/電源ビア3cのプリント基板1の裏面1bに接合する図2のパッド3fの端部(縁部、へり部)に対応した位置との距離以下の大きさである。
すなわち、信号ビア2c(信号ビア2h)の周囲に隣接して配置されたグランド/電源ビア3cに対して、信号ビア2c(信号ビア2h)の外周部と、グランド/電源パターン3gとの間のクリアランス7は、信号ビア2c(信号ビア2h)とグランド/電源ビア3cとの設置ピッチYの1/2以上の大きさであり、かつグランド/電源配線層3bにおいて信号ビア2c(信号ビア2h)の外周部と、グランド/電源ビア3cのパッド3fの端部(縁部、へり部)に対応した位置との距離以下の大きさである。
ここで、本発明者が検討したところ、図2の信号ビア2cのスタブ2n以外の領域(通常に信号が流れる領域)におけるクリアランス7aは、狭くしておく方が良いため、信号ビア2cとグランド/電源ビア3cとの設置ピッチYの1/2以下の大きさである。したがって、信号ビア2cのスタブ2nの領域において、図4に示す信号ビア2cの外周部とグランド/電源パターン3gとのクリアランス(隙間)7の範囲の下限値を、信号ビア2cとグランド/電源ビア3cとの設置ピッチYの1/2以上の大きさとすることが好ましく、これにより、信号ビア2cの見かけの容量を低減できるため、信号の伝送損失の低減化を図ることができるものと推察される。
また、クリアランス(隙間)7の範囲の上限値については、ドリルで信号スルーホール2dを形成する際の加工精度を考慮してパッド3f部分は残す必要があるため、パッド3fの端部(縁部、へり部)に対応した位置まではクリアランス7を形成可能であり、したがって、パッド3fの端部に対応した位置とすることが好ましい。
一例として、図4に示す上述の条件を数値で示すと、BGAパッケージ4のピンピッチが1mmであり、パッド2f(2k,3f)の直径が約0.5mmであるとすると、(1mmの1/2)≦クリアランス7の大きさ≦(1mm−(0.5mmの1/2))となり、この場合には、0.5mm≦クリアランス7の大きさ≦0.75mmとなる。
ここで、図10は、ビア(スルーホール)の伝送損失のクリアランス依存特性、およびパッド依存性と差動信号間の誘電体削除の効果を示す図である。伝送速度10Gbps(Giga bit per second)のデータ基底周波数は5GHzであり、伝送速度14Gbpsのデータ基底周波数は7GHz、また、伝送速度25Gbpsのデータ基底周波数は12.5GHzである。データ基底周波数が高くなるにつれて、伝送損失のスタブ長依存性が急激に増加する特徴がある。
図10の曲線Qは、上記クリアランス7を確保した場合の伝送損失特性を示すものであり、伝送速度25Gbpsの高速伝送領域付近においても伝送損失の低減化を図ることができる。
なお、図1及び図2に示すスタブ2n部分に該当する複数のグランド/電源配線層3bにおいて、各グランド/電源配線層3bのクリアランス7の大きさは、それぞれの層で前述の下限値から上限値の範囲に入っていれば、各グランド/電源配線層3bでばらばらの大きさであってもよいことは言うまでもない。
以上のように、本実施の形態のプリント基板1によれば、信号ビア2c(信号ビア2h)と、グランド/電源配線層3bにおけるグランド/電源パターン3gとのクリアランス(隙間)7を拡大することにより、信号ビア2c(信号ビア2h)のスタブ2n部分とグランド/電源配線層3bの間に生じる負荷容量を削減することができる。
これにより、BGAパッケージ(電子装置)4が搭載されるプリント基板1の表面付近の信号配線層2g(信号配線層2m)に接続する信号ビア2c(信号ビア2h)のスタブ長による負荷容量を削減(軽減)することができ、信号ビア2c(信号ビア2h)の伝送特性を低損失化することができる。
その結果、プリント基板1の表面付近の信号配線層2g(信号配線層2m)を高速伝送信号用に使用することができる。
また、本実施の形態のプリント基板1(図1〜図4)の構造とすることにより、プリント基板1のコストの増加を防止して低コスト化を図った高速伝送基板配線を実現することができる。
次に、本実施の形態の変形例について説明する。
図6は本発明の実施の形態の第1変形例の配線基板と電子装置の実装構造を示す部分断面図、図7は図6に示す配線基板の表面における差動信号ビア間の空洞部の構造の一例を示す部分平面図である。
図6に示す第1変形例のプリント基板1では、この基板に設けられた複数のビアが、隣接して配置された2つの差動信号ビア2pを含んでおり、これら2つの差動信号ビア2pの間のプリント基板1の絶縁部1cに空洞部が形成されている。つまり、プリント基板1において、隣接して配置された2つの差動信号ビア2pの間の領域の絶縁部1cに空洞部(空間部)が形成されている。
なお、プリント基板1は、各配線、各ビア及び各パッドは、例えば銅を主成分とする導電材によって形成されており、また、前記導電材を覆う層間絶縁膜等の絶縁部1cは、例えばガラスエポキシ樹脂等から成る。したがって、空洞部は絶縁部1cのみに形成する。これは、2つの差動信号ビア2p間に空洞部を形成することで、差動信号ビア2p間の誘電率を下げるものである。つまり、差動信号ビア2p間の誘電率を下げることを目的とするものであるため、前記空洞部は、図6に示すようなプリント基板1の表面1a及び裏面1bに開口する貫通孔1dであることが好ましい。
その際、貫通孔1dは、図7に示すようにプリント基板1の平面視において、2つの差動信号ビア2pのそれぞれの中心を結ぶ線(中心線8)が、貫通孔1dの一部に配置される(係る)ような位置に形成されている。
つまり、貫通孔1dは、2つの差動信号ビア2pの間の領域において、それぞれの差動信号ビア2pから遠ざからない位置に形成されるものであり、平面視において、2つの差動信号ビア2pのそれぞれの中心を結ぶ中心線8が、少なくとも貫通孔1dの一部に係るような位置に配置されるものである。
したがって、図7に示すように、平面視において貫通孔1d(U)のようにその一部が中心線8に係った位置に形成されている必要があり、貫通孔1e(Z)のように中心線8から外れた位置に形成されたものは適用外である。
なお、前記空洞部は、基板の表裏面に開口した貫通孔1dに限定されるものではなく、2つの差動信号ビア2p間の誘電率を下げることが可能な空間を有していれば、表裏面の何れか一方に開口した穴部であってもよいし、表裏面の何れにも開口していない基板内の閉ざされた空洞部であってもよい。
このようにプリント基板1の2つの差動信号ビア2pの間の絶縁部1cに貫通孔1dのような空洞部が形成されていることにより、差動信号ビア2pのスタブ2n長による負荷容量を減少(軽減)させることができる。これにより、図1に示すプリント基板1と同様に、差動信号ビア2pの伝送特性を低損失化することができ、その結果、プリント基板1の表面付近の信号配線層2g(信号配線層2m)を高速伝送信号用に使用することができる。
ここで、図10の曲線Rは、差動信号ビア2pの間の絶縁部1cに空洞部を形成した場合の伝送損失特性を示すものであり、伝送速度25Gbps(データ基底周波数12.5GHz)の高速伝送領域付近においても伝送損失の低減化を図ることができる。
また、差動信号ビア2pの間の絶縁部1cに空洞部を形成した基板構造とすることにより、プリント基板1のコストの増加を防止して低コスト化を図った高速伝送基板配線を実現することができる。
また、図5の比較例と比べると、比較例では2つの信号ビア2c,2hそれぞれに対してバックドリルを行うことでドリルの使用回数が2回であるのに対して、図6に示すプリント基板1では、差動信号ビア2p間に1つの貫通孔1dを形成するため、ドリルの使用回数を1回とすることができ、図5の比較例に比べてドリルによる穴あけ個数を減らすことができる。
つまり、図5の比較例に比べて図6に示すプリント基板1では、信号の伝送損失の抑制化を図ることができる。
また、図6に示すプリント基板1の貫通孔1dの形成では、プリント基板1の絶縁部1cのみにドリル加工を施すため、各配線(ビアやパッドも含む)にはドリル加工は行わない。したがって、前記各配線に施された防錆処理を損なうことなく、ドリル加工による貫通孔1dの形成を行うことができる。
その際、絶縁部1cの加工では樹脂のみの加工となるため、高い加工精度が要求されないため、加工を容易に行うことができる。
次に、図8に示す第2変形例について説明する。
図8は本発明の実施の形態の第2変形例の配線基板と電子装置の実装構造を示す部分断面図である。
図8に示す第2変形例のプリント基板1は、複数の信号ビア2c,2hのうちの一部もしくは全てにおいて、信号ビア2c,2hのプリント基板1の裏面1bに接合するパッド2f,2k(図1参照)の直径が、複数のビアの設置ピッチの1/4より小さく形成されているものである。
すなわち、信号ビア2c,2hにおける基板の裏面1b側のパッド2f,2kの直径が、複数のビアの設置ピッチの1/4より小さくなっており、これにより、信号ビア2c,2hのスタブ2n長による負荷容量を減少(軽減)させることができる。
例えば、複数のビアの設置ピッチを1mmとすると、パッド2f,2kの直径は、複数のビアの設置ピッチの約1/2であり、したがって、0.5mmである。
そこで、前述の得られる効果(スタブ2n部分での負荷容量の減少)を考慮して、パッド2f,2kの大きさ(直径)をさらに1/2より小さくする。つまり、パッド2f,2kの直径を複数のビアの設置ピッチの1/4より小さくする。これにより、スタブ2n部分での負荷容量を減少させることができる。
なお、スタブ2n部分での負荷容量を減少させる効果は、基板の裏面1b側のパッド2f,2kの大きさ(直径)が小さければ小さいほど大きい。したがって、図8に示すように、信号ビア2c,2hは、裏面1b側のパッドを有していないことが最も好ましく、信号ビア2c,2hが、裏面1b側のパッドを有していないことにより、スタブ2n長による負荷容量を十分に減少(軽減)させることができる。
つまり、プリント基板1の裏面1b側には、電子装置(LSI)等を実装することはないため、配線基板の機能上、裏面1b側のパッドは除去することが可能であり、これにより、図1のプリント基板1と同様に、信号ビア2c,2hの伝送特性を低損失化することができる。
その結果、プリント基板1の表面付近の信号配線層2g(信号配線層2m)を高速伝送信号用に使用することができる。
ここで、図10の伝送損失特性において、曲線Qが図4のクリアランス7を拡大する図1の基板構造の場合の伝送損失特性を示しており、また、曲線Sが図1のクリアランス拡大と図8の裏面1bのパッド除去を組み合わせた場合の伝送損失特性を示している。両者を比較すると、曲線Sの条件の方が効果が大きいことが分かる。つまり、図1のクリアランス拡大に図8の裏面1bのパッド除去を組み合わせたことで効果が大きくなっているものと考えられるため、図8に示す裏面1bのパッド除去単独の基板構造においても伝送損失の低減化の効果を得ることができるものと推察される。
したがって、図8に示すような裏面1bのパッド除去を行ったプリント基板1においても、伝送速度25Gbps(データ基底周波数12.5GHz)の高速伝送領域付近における伝送損失の低減化を図ることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、前記実施の形態では、プリント基板1の構造として、図1に示すクリアランス7を拡大する構造、図6に示す差動信号ビア2p間に空洞部を設ける構造(第1変形例)、及び図8に示す裏面1bのパッドを除去する(小さくする)構造(第2変形例)の3つの基板構造について説明したが、前記3つの基板構造は、それぞれ単独のものであってもよく、また、前記3つの基板構造のうちの何れか2つを組み合わせたものであってもよく、さらに前記3つの基板構造を全部組み合わせたものであってもよい。
ここで、図10の曲線Sは、図1に示すクリアランス7を拡大する構造と、図8に示す裏面1bのパッドを除去する構造(第2変形例)の2つの構造を組み合わせた場合の伝送損失特性を示すものであり、単独構造の曲線Q(クリアランス7を拡大する構造)や曲線R(差動信号ビア2p間に空洞部を設ける構造)の場合に比べて伝送損失の低減化の効果が大きいことが分かる。
さらに、図10の曲線Tは、前記3つの基板構造を全部組み合わせた場合の伝送損失特性を示すものであり、この場合が最も高い効果が得られることが分かる。前記3つの基板構造を全部組み合わせた場合には、伝送速度25Gbpsを超える高速伝送領域においても伝送損失の低減化を図ることが十分可能である。
また、前記実施の形態では、プリント基板1に実装される電子装置(LSI)が、BGAパッケージ4の場合について説明したが、前記電子装置は、BGAパッケージ4以外の半導体パッケージ等であってもよく、BGAパッケージ4に限定されるものではない。例えば、LGA(Land Grid Array)パッケージ等であってもよい。
また、前記実施の形態では、配線基板の一例として、電子装置(半導体パッケージ)が実装されるプリント基板1の場合を説明したが、前記配線基板は、例えば、半導体チップが搭載され、かつBGAパッケージ等に組み込まれるパッケージ基板に適用することも可能である。
本発明は、電子装置を搭載して高速信号伝送を行う多層配線基板に幅広く利用することができる。
1…プリント基板(配線基板)、1a…表面、1b…裏面、1c…絶縁部、1d…貫通孔(空洞部)、1e…貫通孔、2a…信号配線、2b…信号配線、2c…信号ビア、2d…信号スルーホール(貫通孔)、2e…導体膜、2f…パッド、2g…信号配線層、2h…信号ビア、2i…信号スルーホール(貫通孔)、2j…導体膜、2k…パッド、2m…信号配線層、2n…スタブ(第1領域)、2p…差動信号ビア、3a…グランド/電源配線、3b…グランド/電源配線層、3c…グランド/電源ビア、3d…グランド/電源スルーホール(貫通孔)、3e…導体膜、3f…パッド、3g…グランド/電源パターン、4…BGAパッケージ(電子装置)、5a…信号端子、5b…信号端子、6a…グランド/電源端子、6b…グランド/電源端子、7…クリアランス(隙間)、7a…クリアランス、8…中心線、11…プリント基板、11a…穴部

Claims (9)

  1. 電子装置が搭載される表面と、前記表面と反対側の裏面を有し、かつ電気信号を伝送するとともにそれぞれ内部に導体膜が形成された貫通孔を備える複数のビアを有した配線基板であって、
    前記複数のビアは、信号ビアと、前記信号ビアに隣接して配置されたグランドまたは電源ビアとを含み、
    前記配線基板の内部に、前記グランドまたは電源ビアと電気的に接続するグランドまたは電源パターンを備えた配線層を有し、
    前記配線層と同一層において前記信号ビアの外周部と、前記信号ビアを囲むように配置された前記グランドまたは電源パターンとは隙間を介して設けられ、
    前記隙間は、前記信号ビアと前記グランドまたは電源ビアとの設置ピッチの1/2以上の大きさであり、かつ前記配線層において前記信号ビアの前記外周部と、前記グランドまたは電源ビアの前記配線基板の前記裏面に接合するパッドの端部に対応した位置との距離以下の大きさであることを特徴とする配線基板。
  2. 請求項1記載の配線基板において、
    前記複数のビアは、隣接して配置された2つの差動信号ビアを含み、
    前記2つの差動信号ビアの間の前記配線基板の絶縁部に空洞部が形成され、
    平面視で、前記2つの差動信号ビアのそれぞれの中心を結ぶ線は、前記空洞部の一部に配置されることを特徴とする配線基板。
  3. 請求項1記載の配線基板において、
    前記信号ビアの前記配線基板の前記裏面に接合するパッドの直径は、前記複数のビアの設置ピッチの1/4より小さいことを特徴とする配線基板。
  4. 請求項1記載の配線基板において、
    前記複数のビアは、隣接して配置された2つの差動信号ビアを含み、
    前記2つの差動信号ビアの間の前記配線基板の絶縁部に空洞部が形成され、
    平面視で、前記2つの差動信号ビアのそれぞれの中心を結ぶ線は、前記空洞部の一部に配置され、
    前記信号ビアの前記配線基板の前記裏面に接合するパッドの直径は、前記複数のビアの設置ピッチの1/4より小さいことを特徴とする配線基板。
  5. 請求項1記載の配線基板において、
    前記信号ビアは、前記配線基板の内部において信号の配線が枝分かれした第1領域を有しており、前記グランドまたは電源パターンを備えた前記配線層は、前記信号ビアの前記第1領域に配置されていることを特徴とする配線基板。
  6. 電気信号を伝送し、かつそれぞれ内部に導体膜が形成された貫通孔を備える複数のビアを有した配線基板であって、
    前記複数のビアは、隣接して配置された2つの差動信号ビアを含み、
    前記2つの差動信号ビアの間の前記配線基板の絶縁部に空洞部が形成され、
    平面視で、前記2つの差動信号ビアのそれぞれの中心を結ぶ線は、前記空洞部の一部に配置されることを特徴とする配線基板。
  7. 請求項6記載の配線基板において、
    前記配線基板は、電子装置が搭載される表面と、前記表面と反対側の裏面を有しており、
    前記複数のビアは信号ビアを含み、
    前記信号ビアの前記配線基板の前記裏面に接合するパッドの直径は、前記複数のビアの設置ピッチの1/4より小さいことを特徴とする配線基板。
  8. 請求項6記載の配線基板において、
    前記配線基板は、電子装置が搭載される表面と、前記表面と反対側の裏面を有しており、
    前記空洞部は、前記配線基板の前記表面及び前記裏面に開口する貫通孔であることを特徴とする配線基板。
  9. 電子装置が搭載される表面と、前記表面と反対側の裏面を有し、かつ電気信号を伝送するとともにそれぞれ内部に導体膜が形成された貫通孔を備える複数のビアを有した配線基板であって、
    前記複数のビアは信号ビアを含み、
    前記信号ビアの前記配線基板の前記裏面に接合するパッドの直径は、前記複数のビアの設置ピッチの1/4より小さいことを特徴とする配線基板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190116668A1 (en) * 2018-12-21 2019-04-18 Intel Corporation Differential via with per-layer void

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004107830A1 (ja) * 2003-06-02 2004-12-09 Nec Corporation プリント回路基板用コンパクトビア伝送路およびその設計方法
JP2005322807A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Fujitsu Ltd 配線基板及びその製造方法
JP2007035710A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Toshiba Corp 多層プリント配線板
JP2009059873A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Nec Corp プリント配線基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004107830A1 (ja) * 2003-06-02 2004-12-09 Nec Corporation プリント回路基板用コンパクトビア伝送路およびその設計方法
JP2005322807A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Fujitsu Ltd 配線基板及びその製造方法
JP2007035710A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Toshiba Corp 多層プリント配線板
JP2009059873A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Nec Corp プリント配線基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190116668A1 (en) * 2018-12-21 2019-04-18 Intel Corporation Differential via with per-layer void

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