JP2013172036A

JP2013172036A - 多層配線基板及び電子機器

Info

Publication number: JP2013172036A
Application number: JP2012035565A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Kawai; 憲一河合
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2012-02-21
Filing date: 2012-02-21
Publication date: 2013-09-02
Also published as: EP2632235A1; KR20130096144A; CN103260339A; US20130214397A1

Abstract

【課題】グランド層間の各信号層に配置された差動配線間のクロストークを低減できる多層配線基板等を提供する。
【解決手段】複数の信号層３及びグランド層２を積層した多層配線基板１である。グランド層は、第１の差動信号ビア１２Ａをグランド層の配線に接触しないように挿通させる第１のクリアランス１４１と、第２の差動信号ビア１２Ｂをグランド層の配線に接触しないように挿通させる第２のクリアランス１４２とを備える。第１のクリアランスの第２の差動信号ビア側の外縁部と第１の差動信号ビアとの間の距離Ｒｘは、第１のクリアランスの第２の差動信号ビアとは反対側の外縁部と第１の差動信号ビアとの間の距離Ｒｍａｘよりも短く設定される。第２のクリアランスの第１の差動信号ビア側の外縁部と第２の差動信号ビアとの間の距離は、第２のクリアランスの第１の差動信号ビアとは反対側の外縁部と第２の差動信号ビアとの間の距離よりも短く設定される。
【選択図】図３

Description

本発明は、多層配線基板及び電子機器に関する。

従来から、多層配線基板内の各層をビアで接続する技術がある。図８は、一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図、図９は、信号ビア対の一例を示す説明図、図１０は、一部を省略した図９のＢ−Ｂ線断面図である。

図１０に示す多層配線基板１００は、絶縁材１０１を用いて複数のグランド層１０２及び信号層１０３が順次積層されて形成される多層構造の配線基板である。例えば、多層配線基板１００は、第１信号層１０３Ａに、第２グランド層１０２Ｂ、第３信号層１０３Ｃ、第４グランド層１０２Ｄ、第５信号層１０３Ｅ、第６グランド層１０２Ｆ及び第７信号層１０３Ｇの順で各層が積層される。更に、多層配線基板１００は、第７信号層１０３Ｇに、第８グランド層１０２Ｈ、第９信号層１０３Ｉ及び第１０グランド層１０２Ｊ等の順で各層が積層される。

ビア１１０は、多層配線基板１００の積層面に格子状に所定ピッチで形成され、積層面に対して鉛直な方向に延在する孔内に銅等の導電物質を充填して形成される。そして、各ビア１１０は、多層配線基板１００内の各層を接続する。

また、複数のビア１１０は、グランドビア１１１と、差動信号ビア１１２とを有する。グランドビア１１１は、グランド層１０２と接続される。また、差動信号ビア１１２は、信号ランド１１３を通じて信号層１０３と接続される。尚、説明の便宜上、図８では、グランドビア１１１は黒丸で示し、差動信号ビア１１２はハッチングした丸で示すものとする。

また、信号ビア対１２０は、例えば、図８に示すＮ１又はＮ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１１２と、これら一対の差動信号ビア１１２を挟む一対のグランドビア１１１とを有する。更に、信号ビア対１２０は、例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）又はＬＧＡ（Land Grid Array）と接続される。各信号ビア対１２０は、隣接する信号ビア対１２０から、例えば、１ビア分若しくは２ビア分がオフセットされて配置される。

また、信号ビア対１２０内の差動信号ビア１１２が挿通するグランド層１０２には、差動信号ビア１１２との間の短絡を防止する、差動信号ビア１１２の直径よりも大きい直径のクリアランス１１４が形成される。クリアランス１１４は、差動信号ビア１１２と接触しない位置に形成される。

また、多層配線基板１００は、信号ビア対１２０の差動信号ビア１１２から配線を引き出す場合、配線を引き出す方向に差動配線１３０を配置し、この差動配線１３０を用いて差動信号ビア１１２から配線を引き出す。

図８に示す多層配線基板１００は、例えば、第１の信号ビア対１２０Ａ〜第３の信号ビア対１２０Ｃを有する。多層配線基板１００は、第３の信号ビア対１２０Ｃの差動信号ビア１１２から配線を引き出す第１の差動配線１３０Ａと、第２の信号ビア対１２０Ｂの差動信号ビア１１２から配線を引き出す第２の差動配線１３０Ｂとを有する。また、第１の差動配線１３０Ａは、図１０に示すように、第２グランド層１０２Ｂと第４グランド層１０２Ｄとの間の第３信号層１０３Ｃに配置され、例えば、第１の信号ビア対１２０Ａ内の差動信号ビア１１２間を通過する。また、第２の差動配線１３０Ｂは、第４グランド層１０２Ｄと第６グランド層１０２Ｆとの間の第５信号層１０３Ｅに配置され、例えば、第１の信号ビア対１２０Ａ内の差動信号ビア１１２間を通過する。

特開昭６０−１２７７９７号公報特表２０１０−５０６３８０号公報特開２０１１−１８６７３号公報特開平８−２０４３３８号公報特開２００１−１１９１５４号公報特開２００４−９５６１４号公報

多層配線基板１００は、近年の配線高密度化の要求に伴って、図９に示すように、信号ビア対１２０内の差動信号ビア１１２の直径は約０．２５ｍｍ程度であるため、ビア部分のインピーダンス値は理想値、例えば、５０Ωに満たないのが実情である。

一般的に、インピーダンス値は、ビアの容量の１／２乗に反比例し、容量の減少に応じて増加するものである。そこで、図９及び図１０に示すように、差動信号ビア１１２が挿通するグランド層１０２のクリアランス１１４の直径を大きくし、差動信号ビア１１２のビア部分の容量を減少させることで、ビア部分のインピーダンス値を大きくしていた。

しかしながら、グランド層１０２のクリアランス１１４の直径を大きくした場合、グランド層１０２の表面積が狭くなる。その結果、例えば、第１の差動配線１３０Ａと第２の差動配線１３０Ｂとの間の第４グランド層１０２Ｄの表面積も狭くなるため、第１の差動配線１３０Ａと第２の差動配線１３０Ｂとの間の電磁波の影響でクロストークが大きくなる。差動信号ビア１１２のビア部分のインピーダンスを調整し、かつ、差動配線１３０間のクロストークを抑制することは、困難である。

一つの側面では、グランド層間の各信号層に配置された差動配線（差動信号配線）間のクロストークを低減できる多層配線基板及び電子機器を提供することを目的とする。

一つの態様では、少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板である。その態様は、前記信号層上に設けられた１対の差動信号配線に接続され、前記多層配線基板の積層方向に延びる第１の信号ビアと、前記１対の差動信号配線に接続され、前記多層配線基板の積層方向に延びる第２の信号ビアとを有する。更に、前記グランド層は、前記第１の信号ビアを該グランド層の配線に接触しないように挿通させる第１のクリアランス部と、前記第２の信号ビアを該グランド層の配線に接触しないように挿通させる第２のクリアランス部とを備える。更に、前記第１のクリアランス部の前記第２の信号ビア側の外縁部と前記第１の信号ビアとの間の距離は、前記第１のクリアランス部の前記第２の信号ビアとは反対側の外縁部と前記第１の信号ビアとの間の距離よりも短く設定されている。更に、前記第２のクリアランス部の前記第１の信号ビア側の外縁部と前記第２の信号ビアとの間の距離は、前記第２のクリアランス部の前記第１の信号ビアとは反対側の外縁部と前記第２の信号ビアとの間の距離よりも短く設定されている。

一つの態様では、グランド層間の各信号層に配置された差動信号配線間のクロストークを低減できる。

図１は、一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。図２は、実施例１の信号ビア対の一例を示す説明図である。図３は、一部を省略した図２のＡ−Ａ線断面図である。図４は、実施例１と比較例１とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。図５は、実施例２の信号ビア対の一例を示す説明図である。図６は、実施例２と比較例１とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。図７は、実施例３の信号ビア対の一例を示す説明図である。図８は、一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。図９は、信号ビア対の一例を示す説明図である。図１０は、一部を省略した図９のＢ−Ｂ線断面図である。

以下、図面に基づいて、本願の開示する多層配線基板及び電子機器の実施例を詳細に説明する。尚、本実施例により、開示技術が限定されるものではない。以下の実施例では、多層配線基板内における各要素、例えば、ビアの二次元の相対位置は、例えば、図１に示す通り、図に向かって上下方向をＮ１及びＮ２で示し、図に向かって左右方向をＭ１及びＭ２で示す。また、図に向かって左下方向及び右上方向をＸ１及びＸ２で示す。Ｘ１−Ｘ２の軸と、Ｍ１−Ｍ２の軸とは、αの角度で交わる。αは、例えば、０°＜α≦４５°である。

また、図１等において、Ｘ１−Ｘ２の軸に限らず、Ｎ１−Ｎ２の軸に関してＸ１−Ｘ２の軸と線対称となる、図に向かって右上方向及び左下方向を示す軸により、多層配線基板内における各要素の二次元の相対位置を指定しても良い。以下の実施例では、多層配線基板内における各要素が、例えば、信号ビアがＭ１及びＭ２方向、並びに、Ｎ１及びＮ２方向に格子状に所定ピッチで配置される。そして、Ｘ１及びＸ２方向は、所定ピッチに対する斜め方向となる。また、以下の実施例では、差動信号ビアの直径は、差動信号ビアの水平断面の最大径を指す。また、クリアランスの直径は、クリアランスの水平断面の最大径を指すものとする。

図１は、一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。図２は、実施例１の信号ビア対の一例を示す説明図である。図３は、一部を省略した図２のＡ−Ａ線断面図である。

図３に示す多層配線基板１は、絶縁材９１Ａを用いて複数のグランド層２及び信号層３が順次積層されて形成され多層構造、例えば、１８層構造の配線基板である。例えば、多層配線基板１は、第１信号層３Ａに、第２グランド層２Ｂ、第３信号層３Ｃ、第４グランド層２Ｄ、第５信号層３Ｅ、第６グランド層２Ｆ及び第７信号層３Ｇの順で各層が積層される。更に、多層配線基板１は、第７信号層３Ｇに、第８グランド層２Ｈ、第９信号層３Ｉ及び第１０グランド層２Ｊ等の順で各層が積層される。尚、説明の便宜上、第１１層から第１８層までの図示は省略する。第１４層、第１６層及び第１８層は、例えば、信号層３とする。

ビア１０は、グランド層２及び信号層３の積層面に対して鉛直な方向に延在する孔内に銅等の導電物質を充填して形成されるが、完全に充填されている必要はなく、接続される層と導通がとれていればよい。また、複数のビア１０は、図１に示すように、格子状に所定ピッチで積層面上に形成されるものである。そして、各ビア１０により、多層配線基板１内の各層が接続される。

また、複数のビア１０は、グランドビア１１と、差動信号ビア１２とを有する。尚、差動信号ビア１２は、信号ビアの一例である。グランドビア１１は、グランド層２と接続される。また、差動信号ビア１２は、図示せぬ信号ランドを通じて信号層３と接続される。尚、説明の便宜上、図１では、グランドビア１１は黒丸で示し、差動信号ビア１２はハッチングした丸で示すものとする。

また、信号ビア対２０は、格子状に配置された複数のビア１０の内、図１に示すＮ１又はＮ２方向に隣接する一対のビア１０で成す一対の差動信号ビア１２と、一対の差動信号ビア１２に隣接する一対のグランドビア１１とを有する。尚、信号ビア対２０内の一対のグランドビア１１は、信号ビア対２０内の一対の差動信号ビア１２と隣接するビア１０で形成するため、適宜変更可能である。更に、信号ビア対２０は、例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）又はＬＧＡ（Land Grid Array）と接続される。

信号ビア対２０の差動信号ビア１２から配線を引き出す場合、差動信号ビア１２から配線を引き出す方向に差動配線３０を配置し、この差動配線３０を用いて差動信号ビア１２から配線を引き出す。尚、差動配線３０は、信号配線の一例である。

また、図１に示す多層配線基板１は、第１の信号ビア対２０Ａ〜第７の信号ビア対２０Ｇを有する。多層配線基板１は、第７の信号ビア対２０Ｇの差動信号ビア１２から配線を引き出す第１の差動配線３０Ａと、第４の信号ビア対２０Ｄの差動信号ビア１２から配線引き出す第２の差動配線３０Ｂとを有する。また、第１の差動配線３０Ａは、図３に示すように、第２グランド層２Ｂと第４グランド層２Ｄとの間の第３信号層３Ｃに配置され、例えば、第１の信号ビア対２０Ａ内の差動信号ビア１２間を通過する。また、第２の差動配線３０Ｂは、第４グランド層２Ｄと第６グランド層２Ｆとの間の第５信号層３Ｅに配置され、例えば、第１の信号ビア対２０Ａ内の差動信号ビア１２間を通過する。

また、信号ビア対２０内の差動信号ビア１２が挿通するグランド層２には、差動信号ビア１２との間の短絡を防止する、差動信号ビア１２の直径よりも大きい直径の円形のクリアランス１４が形成される。クリアランス１４は、差動信号ビア１２と接触しない位置に形成される。また、クリアランス１４は、図２に示すように、クリアランス１４の直径の中心を差動信号ビア１２の直径の中心から差動配線３０と離れる方向、かつ、信号ビア対２０内の一対の差動信号ビア１２同士が対向する方向にオフセットして形成される。尚、オフセット量は、ビア１０の直径を約０．２５ｍｍ、ビア１０間のピッチを約１ｍｍ、クリアランス１４の直径は約０．８ｍｍとした場合、約０．１〜０．３ｍｍ程度である。また、ビア１０間のピッチは、ビア１０の中心から隣接するビア１０の中心までの距離である。

信号ビア対２０内の一対の差動信号ビア１２は、第１の差動信号ビア１２Ａと、第２の差動信号ビア１２Ｂとを有する。そして、クリアランス１４は、第１の差動信号ビア１２Ａをグランド層２の配線に接触しないように挿通させる第１のクリアランス１４１と、第２の差動信号ビア１２Ｂをグランド層２の配線に接触しないように挿通させる第２のクリアランス１４２とを有する。

第１のクリアランス１４１の第２の差動信号ビア１２Ｂ側の外縁部と第１の差動信号ビア１２Ａとの間の距離Ｒｘは、第１のクリアランス１４１の第２の差動信号ビア１２Ｂと反対側の外縁部と第１の差動信号ビア１２Ａとの間の距離Ｒｍａｘよりも短く設定される。第２のクリアランス１４２の第１の差動信号ビア１２Ａ側の外縁部と第２の差動信号ビア１２Ｂとの間の距離Ｒｘは、第２のクリアランス１４２の第１の差動信号ビア１２Ａとは反対側の外縁部と第２の差動信号ビア１２Ｂとの間の距離Ｒｍａｘよりも短く設定される。

第１のクリアランス１４１及び第２のクリアランス１４２の直径を大きくし、第１のクリアランス１４１及び第２のクリアランス１４２内を挿通する第１の差動信号ビア１２Ａ及び第２の差動信号ビア１２Ｂのビア部分の容量成分を減らす。すなわち、クリアランス１４の直径を大きくし、クリアランス１４内を挿通する差動信号ビア１２のビア部分の容量成分を減らす。その結果、差動信号ビア１２のビア部分のインピーダンス値を大きくできる。

更に、クリアランス１４の直径を大きくし、差動信号ビア１２の位置を変えることなく、クリアランス１４の中心を差動配線３０と離れる方向にオフセットさせる。その結果、差動配線３０側のグランド層２、例えば、第１の差動配線３０Ａと第２の差動配線３０Ｂとの間の第４グランド層２Ｄの表面積を減らす必要はなく、直径を大きくすることによる、差動配線３０間のクロストークが大きくなるような事態を回避できる。

図４は、実施例１と比較例１とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。尚、ビア１０の直径は約０．２５ｍｍ、差動信号ビア１２の直径は約０．２ｍｍ、ビア１０間のピッチは約１ｍｍ、クリアランス１４の直径は約０．８ｍｍ、信号層３の銅厚は３０μｍ、グランド層２は厚さ０の理想グラウンドとして計算を行った。クリアランス１４のオフセット量は約０．２ｍｍとする。

クロストークのＳパラメータは、差動モード（Differential Mode）及び同相モード(Common Mode)を混合した混合モード（Mixed-Mode）のＳパラメータで表記する。また、比較例１では、クリアランス１４のオフセット量を約０ｍｍとした基板を使用するものとする。

図４は、第１の差動配線３０Ａと第２の差動配線３０Ｂとの間のクロストークの計算結果を示すものである。実施例１の第１の差動配線３０Ａと第２の差動配線３０Ｂとの間のクロストークＳ１は、比較例１の第１の差動配線３０Ａと第２の差動配線３０Ｂとの間のクロストークＳ１００と比較して、ほぼ全周波数帯で約１０ｄＢ低下している。

実施例１では、第１のクリアランス１４１及び第２のクリアランス１４２の直径を大きくし、第１のクリアランス１４１及び第２のクリアランス１４２内を挿通する第１の差動信号ビア１２Ａ及び第２の差動信号ビア１２Ｂのビア部分の容量成分を減らした。すなわち、実施例１では、グランド層２のクリアランス１４の直径を大きくし、クリアランス１４内を挿通する差動信号ビア１２のビア部分の容量成分を減らした。その結果、差動信号ビア１２のビア部分のインピーダンス値を大きくできる。

更に、クリアランス１４の直径を大きくしても、差動信号ビア１２の配置位置を変更することなく、クリアランス１４の中心を差動配線３０と離れる方向にオフセットした。その結果、差動配線３０側のグランド層２、例えば、第１の差動配線３０Ａと第２の差動配線３０Ｂとが対峙する第４グランド層２Ｄの部位の面積が確保できるため、直径拡大による差動配線３０間のクロストーク増加を防止できる。

尚、上記実施例１では、隣接する一対の差動信号ビア１２同士が対向する方向、例えば、Ｎ１又はＮ２方向にクリアランス１４の中心をオフセットした。しかし、Ｎ１又はＮ２方向に対して斜め方向にクリアランス１４の中心をオフセットしても良く、その実施の形態につき、実施例２として以下に説明する。

図５は、実施例２の信号ビア対の一例を示す説明図である。尚、実施例１の多層配線基板１と同一のものには同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

図５に示す信号ビア対２０のクリアランス１４Ａは、第１の差動配線３０Ａ及び第２の差動配線３０Ｂと離れる方向、かつ、Ｎ１又はＮ２方向に対してＸ１又はＸ２方向にクリアランス１４Ａの中心をオフセットした。

信号ビア対２０内の一対の差動信号ビア１２は、第１の差動信号ビア１２Ａと、第２の差動信号ビア１２Ｂとを有する。クリアランス１４Ａは、第１の差動信号ビア１２Ａをグランド層２の配線に接触しないように挿通させる第１のクリアランス１４１Ａと、第２の差動信号ビア１２Ｂをグランド層２の配線に接触しないように挿通させる第２のクリアランス１４２Ａとを有する。

第１のクリアランス１４１Ａ及び第２のクリアランス１４２Ａの直径を大きくし、第１のクリアランス１４１Ａ及び第２のクリアランス１４２Ａ内を挿通する第１の差動信号ビア１２Ａ及び第２の差動信号ビア１２Ｂのビア部分の容量を減らした。すなわち、クリアランス１４Ａの直径を大きくし、クリアランス１４Ａ内を挿通する差動信号ビア１２のビア部分の容量を減らした。その結果、差動信号ビア１２のビア部分のインピーダンス値を大きくできる。

更に、クリアランス１４Ａの直径を大きくしても、差動信号ビア１２の配置位置を変えることなく、クリアランス１４Ａの中心を差動配線３０と離れる方向にオフセットした。その結果、差動配線３０側のグランド層２、例えば、第１の差動配線３０Ａと第２の差動配線３０Ｂとの間の第４グランド層２Ｄの表面積を減らす必要はなく、直径を大きくしたことによる、差動配線３０間のクロストークが大きくなるような事態を回避できる。

図６を参照すると、実施例２の第１の差動配線３０Ａと第２の差動配線３０Ｂとの間のクロストークＳ２は、比較例１の第１の差動配線３０Ａと第２の差動配線３０Ｂとの間のクロストークＳ１００と比較して、ほぼ全周波数帯で約１０ｄＢ弱低下している。

実施例２では、第１のクリアランス１４１Ａ及び第２のクリアランス１４２Ａの直径を大きくし、第１のクリアランス１４１Ａ及び第２のクリアランス１４２Ａ内を挿通する第１の差動信号ビア１２Ａ及び第２の差動信号ビア１２Ｂのビア部分の容量を減らした。すなわち、実施例２では、グランド層２のクリアランス１４Ａの直径を大きくし、クリアランス１４Ａ内を挿通する差動信号ビア１２のビア部分の容量を減らした。その結果、差動信号ビア１２のビア部分のインピーダンス値を大きくできる。

更に、クリアランス１４Ａの直径を大きくしても、差動信号ビア１２の配置位置を変更することなく、クリアランス１４Ａの中心を差動配線３０と離れる方向にオフセットした。その結果、差動配線３０側のグランド層２、例えば、第１の差動配線３０Ａと第２の差動配線３０Ｂとが対峙する第４グランド層２Ｄの部位の面積を確保するため、直径拡大による差動配線３０間のクロストーク増加を防止できる。

尚、上記実施例１では、隣接する一対の差動信号ビア１２同士が対向する方向、例えば、Ｎ１又はＮ２方向に中心をオフセットした円形のクリアランス１４を例示して説明した。しかし、クリアランス１４の平面形状は、非円形であっても良く、その実施の形態につき、実施例３として以下に説明する。

図７は、実施例３の信号ビア対の一例を示す説明図である。尚、実施例１の多層配線基板１と同一のものには同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

図７に示す信号ビア対２０のクリアランス１４Ｂは、第１の差動配線３０Ａ及び第２の差動配線３０Ｂと隣接する側のグランド層３を残し、第１の差動配線３０Ａ及び第２の差動配線３０Ｂと隣接する側と反対側の開口面積を大きくする非円形状とした。

信号ビア対２０内の一対の差動信号ビア１２は、第１の差動信号ビア１２Ａと、第２の差動信号ビア１２Ｂとを有する。クリアランス１４Ｂは、第１の差動信号ビア１２Ａをグランド層２の配線に接触しないように挿通させる第１のクリアランス１４１Ｂと、第２の差動信号ビア１２Ｂをグランド層２の配線に接触しないように挿通させる第２のクリアランス１４２Ｂとを有する。

第１のクリアランス１４１Ｂ及び第２のクリアランス１４２Ｂの開口面積を大きくし、第１のクリアランス１４１Ｂ及び第２のクリアランス１４２Ｂ内を挿通する第１の差動信号ビア１２Ａ及び第２の差動信号ビア１２Ｂのビア部分の容量を減らした。すなわち、クリアランス１４Ｂの開口面積を大きくし、クリアランス１４Ｂ内を挿通する差動信号ビア１２のビア部分の容量を減らした。その結果、差動信号ビア１２のビア部分のインピーダンス値を大きくできる。

更に、差動信号ビア１２の配置位置を変えることなく、差動配線３０と隣接する側のグランド層２を残して差動配線３０と隣接する側と反対側の開口面積を大きくして、クリアランス１４Ｂの開口面積を大きくした。その結果、差動配線３０側のグランド層２、例えば、第１の差動配線３０Ａと第２の差動配線３０Ｂとの間の第４グランド層２Ｄの表面積を減らす必要はなく、開口面積を大きくしたことによる、差動配線３０間のクロストークが大きくなるような事態を回避できる。

実施例３では、第１のクリアランス１４１Ｂ及び第２のクリアランス１４２Ｂの開口面積を大きくし、第１のクリアランス１４１Ｂ及び第２のクリアランス１４２Ｂ内を挿通する第１の差動信号ビア１２Ａ及び第２の差動信号ビア１２Ｂのビア部分の容量を減らす。すなわち、実施例３では、グランド層２のクリアランス１４Ａの開口面積を大きくし、クリアランス１４Ｂ内を挿通する差動信号ビア１２のビア部分の容量を減らす。その結果、差動信号ビア１２のビア部分のインピーダンス値を大きくできる。

更に、クリアランス１４Ｂの直径を大きくしても、差動信号ビア１２の配置位置を変更することなく、クリアランス１４Ｂの中心を差動配線３０と離れる方向にオフセットした。その結果、差動配線３０側のグランド層２、例えば、第１の差動配線３０Ａと第２の差動配線３０Ｂとが対峙する第４グランド層２Ｄの部位の面積を確保するため、開口面積拡大による差動配線３０間のクロストーク増加を防止できる。

上記実施例では、多層配線基板１について説明したが、多層配線基板１の信号ビア対２０にＣＰＵ等の半導体装置のパッドを半田ボールで電気的に接続することで、半導体装置を実装した電子機器を提供するようにしても良い。

尚、上記実施例では、信号ビア対２０内の一対の差動信号ビア１２を、格子状に所定ピッチで配置された複数のビア１０の内、Ｎ１又はＮ２方向に隣接する一対のビア１０で形成した。しかしながら、一対の差動信号ビア１２を、Ｍ１又はＭ２方向若しくはＸ１又はＸ２方向に隣接する一対のビア１０で形成しても良い。

また、上記実施例３では、クリアランス１４の平面形状を非円形としたが、図７に示す形状に限定されるものではない。

また、上記実施例では、具体的な数値を例示したが、これら数値に限定されるものではない。

１多層配線基板
２グランド層
３信号層
１０ビア
１１グランドビア
１２差動信号ビア
１２Ａ第１の差動信号ビア
１２Ｂ第２の差動信号ビア
１４クリアランス
１４Ａクリアランス
１４Ｂクリアランス
２０信号ビア対
３０差動配線
１４１第１のクリアランス
１４１Ａ第１のクリアランス
１４１Ｂ第１のクリアランス
１４２第２のクリアランス
１４２Ａ第２のクリアランス
１４２Ｂ第２のクリアランス

Claims

少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板において、
前記信号層上に設けられた１対の差動信号配線に接続され、前記多層配線基板の積層方向に延びる第１の信号ビアと、
前記１対の差動信号配線に接続され、前記多層配線基板の積層方向に延びる第２の信号ビアとを有し、
前記グランド層は、
前記第１の信号ビアを該グランド層の配線に接触しないように挿通させる第１のクリアランス部と、
前記第２の信号ビアを該グランド層の配線に接触しないように挿通させる第２のクリアランス部とを備え、
前記第１のクリアランス部の前記第２の信号ビア側の外縁部と前記第１の信号ビアとの間の距離は、前記第１のクリアランス部の前記第２の信号ビアとは反対側の外縁部と前記第１の信号ビアとの間の距離よりも短く設定され、前記第２のクリアランス部の前記第１の信号ビア側の外縁部と前記第２の信号ビアとの間の距離は、前記第２のクリアランス部の前記第１の信号ビアとは反対側の外縁部と前記第２の信号ビアとの間の距離よりも短く設定されたことを特徴とする多層配線基板。
前記第１のクリアランス部は、前記第１の信号ビアの中心点側から離れる方向に偏倚して形成されると共に、前記第２のクリアランス部は、前記第２の信号ビアの中心点側から離れる方向に偏倚して形成されることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
前記第１のクリアランス部及び前記第２のクリアランス部の外縁の形状は、円状に夫々形成されることを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板。
前記第１のクリアランス部及び前記第２のクリアランス部の外縁の形状は、非円形であることを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板。
少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板において、前記信号層上に設けられた１対の差動信号配線に接続され、前記多層配線基板の積層方向に延びる第１の信号ビアと、前記１対の差動信号配線に接続され、前記多層配線基板の積層方向に延びる第２の信号ビアとを有し、前記グランド層は、前記第１の信号ビアを該グランド層の配線に接触しないように挿通させる第１のクリアランス部と、前記第２の信号ビアを該グランド層の配線に接触しないように挿通させる第２のクリアランス部とを備え、前記第１のクリアランス部の前記第２の信号ビア側の外縁部と前記第１の信号ビアとの間の距離は、前記第１のクリアランス部の前記第２の信号ビアとは反対側の外縁部と前記第１の信号ビアとの間の距離よりも短く設定され、前記第２のクリアランス部の前記第１の信号ビア側の外縁部と前記第２の信号ビアとの間の距離は、前記第２のクリアランス部の前記第１の信号ビアとは反対側の外縁部と前記第２の信号ビアとの間の距離よりも短く設定された多層配線基板と、
前記多層配線基板に実装される半導体部品と
を有することを特徴とする電子機器。