JP2008269775A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 行及び列に配列されたメモリセルを含むメモリセルアレーを有する複数のプレーンとを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法において、
   前記複数のプレーンに同時にプログラム電圧を印加し、前記フラッシュメモリ装置の前記複数のプレーンをプログラムする段階と、
   前記複数のプレーンを検証読み出し、プログラムパスされたプレーンとプログラムフェイルされたプレーンを検出する段階と、そして、
   前記プログラム電圧が前記プログラムパスされたプレーンに印加されることを遮断し、前記プログラムパスされたプレーンのプログラムを遮断し、前記電圧を前記プログラムフェイルされたプレーンに印加し、前記プログラムフェイルされたプレーンのプログラムを続ける段階とを含み、
   前記プログラム電圧の前記複数のプレーンへの第１の印加は、同時に行われることを特徴とするプログラム方法。
2. 前記複数のプレーンに同時に印加される前記プログラム電圧のレベルは、同一であることを特徴とする請求項１に記載のプログラム方法。
3. 行及び列に配列されたメモリセルを含むメモリセルアレーを有する複数のプレーンとを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法において、
   前記複数のプレーンに同時にプログラム電圧を印加し、前記フラッシュメモリ装置の前記複数のプレーンをプログラムする段階と、
   前記複数のプレーンを検証読み出し、プルグラムパスされたプレーンとプログラムフェイルされたプレーンを検出する段階と、そして、
   前記プログラム電圧が前記プログラムパスされたプレーンに印加されることを遮断し、前記プログラムパスされたプレーンのプログラムを遮断し、前記電圧を前記プログラムフェイルされたプレーンに印加し、前記プログラムフェイルされたプレーンのプログラムを続ける段階とを含み、
   前記プログラム電圧は、高電圧を駆動し、前記高電圧を各プレーンのパストランジスタに印加して前記パストランジスタをターンオンし、そして前記ターンオンされたパストランジスタを通じて各プレーンに前記プログラム電圧を伝達することによって前記複数のプレーンの各プレーンに印加され、
   前記プログラム電圧の前記複数のプレーンへの第１の印加は、同時に行われることを特徴とするプログラム方法。
4. 行及び列に配列されたメモリセルを含むメモリセルアレーを有する複数のプレーンとを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法において、
   前記複数のプレーンに同時にプログラム電圧を印加し、前記フラッシュメモリ装置の前記複数のプレーンをプログラムする段階と、
   前記複数のプレーンを検証読み出し、プルグラムパスされたプレーンとプログラムフェイルされたプレーンを検出する段階と、そして、
   前記プログラム電圧が前記プログラムパスされたプレーンに印加されることを遮断し、前記プログラムパスされたプレーンのプログラムを遮断し、前記電圧を前記プログラムフェイルされたプレーンに印加し、前記プログラムフェイルされたプレーンのプログラムを続ける段階とを含み、
   前記プログラム電圧は、高電圧を駆動し、前記高電圧を各プレーンのパストランジスタに印加して前記パストランジスタをターンオンし、そして前記ターンオンされたパストランジスタを通じて各プレーンに前記プログラム電圧を伝達することによって前記複数のプレーンの各プレーンに印加され、
   前記プログラムパスされたプレーンのプログラムは、前記高電圧を駆動することを遮断することによって中断され、
   前記プログラム電圧の前記複数のプレーンへの第１の印加は、同時に行われることを特徴とするプログラム方法。
5. 前記プログラムパスされたプレーンのプログラムは、前記高電圧の駆動を遮断することに加えて、前記高電圧の印加を遮断することによって遮断されることを特徴とする請求項４に記載のプログラム方法。
6. 前記プログラムパスされたプレーンのプログラムは、前記高電圧の駆動を遮断することに加えて、前記プログラム電圧の伝達を遮断することによって遮断されることを特徴とする請求項４に記載のプログラム方法。
7. 前記複数のプレーンに同時に印加されるプログラム電圧のレベルは、同一であることを特徴とする請求項４に記載のプログラム方法。
8. 前記複数のプレーンのプログラム前に前記複数のプレーンにプログラムデータをローディングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載のプログラム方法。
9. 前記高電圧の駆動、前記高電圧の印加及び前記プログラム電圧の伝達は、同時に行われることを特徴とする請求項４に記載のプログラム方法。
10. 行及び列に配列されたメモリセルを含むメモリセルアレーを有する複数のプレーンとを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法において、
    前記複数のプレーンに同時にプログラム電圧を印加し、前記フラッシュメモリ装置の前記複数のプレーンをプログラムする段階と、
    前記複数のプレーンを検証読み出し、プルグラムパスされたプレーンとプログラムフェイルされたプレーンを検出する段階と、そして、
    前記プログラム電圧が前記プログラムパスされたプレーンに印加されることを遮断し、前記プログラムパスされたプレーンのプログラムを遮断し、前記電圧を前記プログラムフェイルされたプレーンに印加し、前記プログラムフェイルされたプレーンのプログラムを続ける段階とを含み、
    前記プログラム電圧は、高電圧を駆動し、前記高電圧を各プレーンのパストランジスタに印加して前記パストランジスタをターンオンし、そして前記ターンオンされたパストランジスタを通じて各プレーンに前記プログラム電圧を伝達することによって前記複数のプレーンの各プレーンに印加され、
    前記プログラムパスされたプレーンのプログラムは、前記高電圧の印加を遮断することによって遮断され、
    前記プログラム電圧の前記複数のプレーンへの第１の印加は、同時に行われることを特徴とするプログラム方法。
11. 行及び列に配列されたメモリセルを含むメモリセルアレーを有する複数のプレーンとを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法において、
    前記複数のプレーンに同時にプログラム電圧を印加し、前記フラッシュメモリ装置の前記複数のプレーンをプログラムする段階と、
    前記複数のプレーンを検証読み出し、プルグラムパスされたプレーンとプログラムフェイルされたプレーンを検出する段階と、そして、
    前記プログラム電圧が前記プログラムパスされたプレーンに印加されることを遮断し、前記プログラムパスされたプレーンのプログラムを遮断し、前記電圧を前記プログラムフェイルされたプレーンに印加し、前記プログラムフェイルされたプレーンのプログラムを続ける段階とを含み、
    前記プログラム電圧は、高電圧を駆動し、前記高電圧を各プレーンのパストランジスタに印加して前記パストランジスタをターンオンし、そして前記ターンオンされたパストランジスタを通じて各プレーンに前記プログラム電圧を伝達することによって前記複数のプレーンの各プレーンに印加され、
    前記プログラムパスされたプレーンのプログラムは、前記プログラム伝達を遮断することによって遮断され、
    前記プログラム電圧の前記複数のプレーンへの第１の印加は、同時に行われることを特徴とするプログラム方法。
12. 行及び列に配列されたメモリセルを含むメモリセルアレーを有する複数のプレーンとを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法において、
    データを前記複数のプレーンにローディングする段階と、
    前記データのローディング後に、前記複数のプレーンに同時にプログラム電圧を印加し、前記フラッシュメモリ装置の前記複数のプレーンに前記ローディングされたデータをプログラムする段階と、
    前記複数のプレーンを検証読み出し、プルグラムパスされたプレーンとプログラムフェイルされたプレーンを検出する段階と、そして、
    前記プログラム電圧が前記プログラムパスされたプレーンに印加されることを遮断し、前記プログラムパスされたプレーンのプログラムを遮断し、前記電圧を前記プログラムフェイルされたプレーンに印加し、前記プログラムフェイルされたプレーンのプログラムを続ける段階とを含み、
    前記プログラム電圧の前記複数のプレーンへの第１の印加は、同時に行われることを特徴とするプログラム方法。
13. 行及び列に配列されたメモリセルを含むメモリセルアレーを有する複数のプレーンとを含むフラッシュメモリ装置のプログラム方法において、
    前記複数のプレーンに同時にプログラム電圧を印加し、前記フラッシュメモリ装置の前記複数のプレーンをプログラムする段階と、
    前記複数のプレーンを検証読み出し、プルグラムパスされたプレーンとプログラムフェイルされたプレーンを検出する段階と、そして、
    前記プログラム電圧が前記プログラムパスされたプレーンに印加されることを遮断し、前記プログラムパスされたプレーンのプログラムを遮断し、前記電圧を前記プログラムフェイルされたプレーンに印加し、前記プログラムフェイルされたプレーンのプログラムを続ける段階とを含み、
    前記プログラム電圧は、高電圧を駆動し、前記高電圧を各プレーンのパストランジスタに印加して前記パストランジスタをターンオンし、そして前記ターンオンされたパストランジスタを通じて各プレーンに前記プログラム電圧を伝達することによって前記複数のプレーンの各プレーンに印加し、
    前記高電圧の駆動、前記高電圧の印加及び前記プログラム電圧の伝達は同時に行われ、
    前記プログラム電圧の前記複数のプレーンへの第１の印加は、同時に行われることを特徴とするプログラム方法。