JP2005135466A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ワード線221、222、321、322に接続されたメモリセルを有する複数のメモリエリア220、320と、前記メモリエリア220、320に対する書込みまたは消去が完了したか否かを判定するベリファイ回路200、300と、前記ベリファイ回路200、300が、前記メモリエリア220、320に対する書込みまたは消去が完了したと判定した場合に、書込みまたは消去が完了した前記メモリエリア220、320の前記ワード線221、222、321、322を非活性にする制御回路210、310とを備える。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態を説明するための不揮発性半導体記憶装置を示す概略ブロック図である。本実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、ベリファイ結果に基づいて、所定のワード線を非活性にするものである。以下、本発明の第1の実施形態について、図1を参照しながら説明する。
図2は、本発明の第2の実施形態を説明するための不揮発性半導体記憶装置を示す概略ブロック図である。本実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、ベリファイ結果及び書込みデータに基づいて、所定のワード線を非活性にするものである。以下、本発明の第2の実施形態について、図2を参照しながら説明する。
図3は、本発明の第3の実施形態を説明するための不揮発性半導体記憶装置を示す概略ブロック図である。本実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、ベリファイ結果に基づいて、ロウデコーダの駆動を停止するものである。以下、本発明の第3の実施形態について、図3を参照しながら説明する。
図4は、本発明の第4の実施形態を説明するための不揮発性半導体記憶装置を示す概略ブロック図である。本実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、ワード線が階層型で構成され、ベリファイ結果に基づいて、所定のサブワード線を非活性にするものである。以下、本発明の第4の実施形態について、図4を参照しながら説明する。
図5は、本発明の第5の実施形態を説明するための不揮発性半導体記憶装置を示す概略ブロック図である。本実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、ワード線がメモリセル毎に接続され、ベリファイ結果に基づいて、所定のメモリセルに接続されたワード線を非活性にするものである。以下、本発明の第5の実施形態について、図5を参照しながら説明する。
図6は、本発明の第6の実施形態を説明するための不揮発性半導体記憶装置を示す概略ブロック図である。本実施形態にお不揮発性半導体記憶装置は、ベリファイ結果に基づいて、電源回路からの高電圧供給を停止するものである。以下、本発明の第6の実施形態について、図6を参照しながら説明する。
図7は、本発明の第7および第8の実施形態を説明するための不揮発性半導体記憶装置を示す概略ブロック図である。第7の実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、メモリアレイ毎に電源回路を備え、ベリファイ結果に基づいて、所定の電源回路を停止させるものである。本発明の第7の実施形態について、図7を参照しながら説明する。
第8の実施形態の不揮発性半導体記憶装置は、メモリアレイ毎に電源回路を備え、ベリファイ結果に基づいて、所定の電源回路を消費電流を抑えたモードにするものである。
200、300、800、900、1100、1200、1300、1600、1700、1910、2010 ベリファイ回路
500、600 ベリファイ・書込みデータラッチ回路
210、310、510、610、810、910、1110、1210、1310、1610、1710、1920、1940、2020、2040 制御回路
220、320、520、620、820、920、1120、1220、1320、1620、1720、1930、2030 メモリエリア
221、222、321、322、521、522、621、622、821、822、921、922、1321、1322、1621、1622、1721、1722、1931、1932、2031、2032 ワード線
1240 メインワード線
1121、1122、1221、1222 サブワード線
223、224、323、324、523、524、623、624、823、824、923、924、1123、1124、1223、1224、1325、1326、1623、1624、1723、1724、1933、1934、2033、2034 ビット線
830、930 ロウデコーダ
1125、1126、1225、1226 サブワード線駆動手段
1130、1230 サブワードドライバー
1323、1324 ワード線駆動手段
1500、1900、2000 電源回路
Claims (8)
- 複数のエリアに分割されたメモリと、
前記分割されたエリアに対する書込みまたは消去が完了したことのベリファイを行うベリファイ回路と、
前記ベリファイ回路のベリファイ結果に基づいて、書込みまたは消去が完了したエリアのワード線を非活性にする制御回路と、を備える半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置であって、
前記ワード線は、メインワード線とサブワード線とで構成される階層型ワード線であり、
前記制御回路は、前記ベリファイ回路のベリファイ結果に基づいて、書込みまたは消去が完了したエリアのサブワード線を非活性にする半導体記憶装置。 - 請求項1記載の半導体記憶装置であって、
前記ワード線をメモリセル毎に駆動するワード線駆動手段を備え、
前記制御回路は、前記ベリファイ回路のベリファイ結果に基づいて、書込みまたは消去が完了したメモリセルのワード線を非活性にする半導体記憶装置。 - 複数のエリアに分割されたメモリと、
前記分割されたエリアに対する書込みまたは消去が完了したことのベリファイを行うベリファイ回路と、
ワード線を駆動するロウデコーダと、
前記ベリファイ回路のベリファイ結果に基づいて、書込みまたは消去が完了したエリアのワード線を駆動する前記ロウデコーダを停止する制御回路と、を備える半導体記憶装置。 - 請求項1ないし4のいずれか一項記載の半導体記憶装置であって、
外部から入力される書込みデータを識別する識別回路を備え、
前記制御回路は、前記ベリファイ回路のベリファイ結果及び前記識別回路の識別結果に基づいて、書込みまたは消去が完了したエリアのワード線、及び、データ書込み対象でないエリアのワード線の少なくともいずれかを非活性にする半導体記憶装置。 - 複数のエリアに分割されたメモリと、
前記分割されたエリアに対する書込みまたは消去が完了したことのベリファイを行うベリファイ回路と、
前記ベリファイ回路のベリファイ結果に基づいて、書込みまたは消去が完了したエリアへの電圧供給を停止する制御回路と、を備える半導体記憶装置。 - 請求項6記載の半導体記憶装置であって、
前記分割されたエリア毎に電源回路を備え、
前記制御回路は、前記ベリファイ回路のベリファイ結果に基づいて、書込みまたは消去が完了したエリアに対応する電源回路を停止する半導体記憶装置。 - 複数のエリアに分割されたメモリと、
前記分割されたエリアに対する書込みまたは消去が完了したことのベリファイを行うベリファイ回路と、を備え、
前記分割されたエリア毎に電源回路を備え、
前記ベリファイ回路のベリファイ結果に基づいて、書込みまたは消去が完了したエリアに対応する電源回路を消費電力を抑えたモードに切り替える制御回路と、を備える半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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