JP4348228B2 - 強誘電体メモリ - Google Patents
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Description
また、本発明に係る強誘電体メモリは、1行複数列の強誘電体メモリセルを有するメモリセル部を行列状に配列してなるメモリセルアレイと、メモリセル部の行ごとに設けられ、同一行の強誘電体メモリセルに共通接続された複数のワード線と、メモリセル部ごとに設けられ、同一メモリセル部内の強誘電体メモリセルに共通接続された複数のプレート線と、メモリセル部の列毎に設けられた複数のプレートイネーブル信号線と、強誘電体メモリセルの列毎に設けられ、同一列の当該強誘電体メモリセルに共通接続された複数のビット線と、複数のワード線のうち選択されたメモリセル部に対応するワード線のみを活性化するワード線ドライバと、複数のプレートイネーブル信号線のうち、選択されたメモリセル部に対応するプレートイネーブル信号線をのみを活性化するプレートイネーブル制御回路と、メモリセル部の列毎に設けられ、活性化されたワード線に対応するプレート線にはプレートイネーブル信号線の電位に応じて活性化電位または非活性化電位を供給し且つ活性化されていないワード線に対応するプレート線には非活性化電位を供給するプレート線ドライバと、メモリセル部の2行ごとに設けられ、対応するワード線の対が両方とも非活性化電位のときにのみ活性化する、複数の反転ワード線と、プレート線ドライバ内にメモリセル部ごとに設けられ、対応するプレート線に一端が接続され、対応するプレートイネーブル信号線に他端が接続され且つ対応するワード線に制御電極が接続された第3トランジスタと、プレート線ドライバ内にメモリセル部ごとに設けられ、対応するプレート線に一端が接続され、非活性化電位を供給する電源ラインに他端が接続され且つ対応する反転ワード線に制御電極が接続された第4トランジスタと、プレート線ドライバ内にメモリセル部ごとに設けられ、対応するプレート線に一端が接続され、電源ラインに他端が接続され、対応するワード線の対のうち対応しない方のワード線に制御電極が接続された第5トランジスタとを備える。
また、本発明に係る強誘電体メモリは、1行複数列の強誘電体メモリセルを有するメモリセル部を行列状に配列してなるメモリセルアレイと、メモリセル部の行ごとに設けられ、同一行の強誘電体メモリセルに共通接続された複数のワード線と、メモリセル部ごとに設けられ、同一メモリセル部内の強誘電体メモリセルに共通接続された複数のプレート線と、メモリセル部の列毎に設けられた複数のプレートイネーブル信号線と、強誘電体メモリセルの列毎に設けられ、同一列の当該強誘電体メモリセルに共通接続された複数のビット線と、複数のワード線のうち選択されたメモリセル部に対応するワード線のみを活性化するワード線ドライバと、複数のプレートイネーブル信号線のうち選択されたメモリセル部に対応するプレートイネーブル信号線をのみを活性化するプレートイネーブル制御回路と、メモリセル部の列毎に設けられ、活性化されたワード線に対応するプレート線にはプレートイネーブル信号線の電位に応じて活性化電位または非活性化電位を供給し且つ活性化されていないワード線に対応するプレート線には非活性化電位を供給するプレート線ドライバと、メモリセル部の2行ごとに設けられ、対応するワード線の対が両方とも非活性化電位のときにのみ活性化する、複数の反転ワード線と、メモリセル部の列毎に設けられ、列の奇数番目のメモリセル部が選択されたときに非活性化し、他のときに活性化する第1プレート線制御信号と、メモリセル部の列毎に設けられ、列の偶数番目のメモリセル部が選択されたときに非活性化し、他のときに活性化する第2プレート線制御信号と、プレート線ドライバ内にメモリセル部ごとに設けられ、対応するプレート線に一端が接続され且つ対応するワード線に制御電極が接続された第6トランジスタと、プレート線ドライバ内にメモリセル部ごとに設けられ、対応する第6トランジスタの他端に一端が接続され、活性化電位を供給する電源ラインに他端が接続され且つプレートイネーブル信号線に制御電極が接続された第7トランジスタと、プレート線ドライバ内にメモリセル部ごとに設けられ、対応するプレート線に一端が接続され、非活性化電位を供給する電源ラインに他端が接続され且つ対応する反転ワード線に制御電極が接続された第8トランジスタと、プレート線ドライバ内にメモリセル部ごとに設けられ、対応するプレート線に一端が接続され、非活性化電位を供給する電源ラインに他端が接続され、第1、第2プレート線制御信号のうち対応する方に制御電極が接続された第9トランジスタとを備える。
以下、第1実施形態に係る強誘電体メモリについて、図1を用いて説明する。
次に、第2実施形態に係る強誘電体メモリについて、図2および図3を用いて説明する。
次に、第3実施形態に係る強誘電体メモリについて、図4を用いて説明する。
110−0〜110−m アレイブロック
120−0〜120−j インバータ
130 ワード線ドライバ
140 選択部
150 バス
111 メモリセル部
112 プレート線ドライバ
113 PLE制御回路
114 センスアンプ部
WL0〜WLj ワード線
WLb0〜WLbj 反転ワード線
PL00〜PLjm プレート線
BL00〜BLmn ビット線
MC00〜MCjn メモリセル
C00〜Cjn 強誘電体キャパシタ
PT0〜PTj,GT0〜GTj トランジスタ
Claims (3)
- 1行複数列の強誘電体メモリセルを有するメモリセル部を行列状に配列してなるメモリセルアレイと、
前記メモリセル部の行ごとに設けられ、同一行の前記強誘電体メモリセルに共通接続された、複数のワード線と、
前記メモリセル部ごとに設けられ、同一メモリセル部内の前記強誘電体メモリセルに共通接続された、複数のプレート線と、
前記メモリセル部の列毎に設けられた、複数のプレートイネーブル信号線と、
前記強誘電体メモリセルの列毎に設けられ、同一列の当該強誘電体メモリセルに共通接続された、複数のビット線と、
前記複数のワード線のうち、選択された前記メモリセル部に対応する前記ワード線のみを活性化するワード線ドライバと、
前記複数のプレートイネーブル信号線のうち、選択された前記メモリセル部に対応する前記プレートイネーブル信号線のみを活性化するプレートイネーブル制御回路と、
前記メモリセル部の列毎に設けられ、活性化された前記ワード線に対応する前記プレート線には前記プレートイネーブル信号線の電位に応じて活性化電位または非活性化電位を供給し且つ活性化されていない前記ワード線に対応する前記プレート線には非活性化電位を供給するプレート線ドライバと、
前記メモリセル部の行ごとに設けられ、対応する前記ワード線の反転電位を供給する、複数の反転ワード線と、
前記プレート線ドライバ内に前記メモリセル部ごとに設けられ、対応する前記プレート線に一端が接続され、対応する前記プレートイネーブル信号線に他端が接続され且つ対応する前記ワード線に制御電極が接続された第1トランジスタと、
前記プレート線ドライバ内に前記メモリセル部ごとに設けられ、対応する前記プレート線に一端が接続され、非活性化電位を供給する電源ラインに他端が接続され且つ対応する前記反転ワード線に制御電極が接続された第2トランジスタと、
を備えることを特徴とする強誘電体メモリ。 - 1行複数列の強誘電体メモリセルを有するメモリセル部を行列状に配列してなるメモリセルアレイと、
前記メモリセル部の行ごとに設けられ、同一行の前記強誘電体メモリセルに共通接続された、複数のワード線と、
前記メモリセル部ごとに設けられ、同一メモリセル部内の前記強誘電体メモリセルに共通接続された、複数のプレート線と、
前記メモリセル部の列毎に設けられた、複数のプレートイネーブル信号線と、
前記強誘電体メモリセルの列毎に設けられ、同一列の当該強誘電体メモリセルに共通接続された、複数のビット線と、
前記複数のワード線のうち、選択された前記メモリセル部に対応する前記ワード線のみを活性化するワード線ドライバと、
前記複数のプレートイネーブル信号線のうち、選択された前記メモリセル部に対応する前記プレートイネーブル信号線をのみを活性化するプレートイネーブル制御回路と、
前記メモリセル部の列毎に設けられ、活性化された前記ワード線に対応する前記プレート線には前記プレートイネーブル信号線の電位に応じて活性化電位または非活性化電位を供給し且つ活性化されていない前記ワード線に対応する前記プレート線には非活性化電位を供給するプレート線ドライバと、
前記メモリセル部の2行ごとに設けられ、対応する前記ワード線の対が両方とも非活性化電位のときにのみ活性化する、複数の反転ワード線と、
前記プレート線ドライバ内に前記メモリセル部ごとに設けられ、対応する前記プレート線に一端が接続され、対応する前記プレートイネーブル信号線に他端が接続され且つ対応する前記ワード線に制御電極が接続された第3トランジスタと、
前記プレート線ドライバ内に前記メモリセル部ごとに設けられ、対応する前記プレート線に一端が接続され、非活性化電位を供給する電源ラインに他端が接続され且つ対応する前記反転ワード線に制御電極が接続された第4トランジスタと、
前記プレート線ドライバ内に前記メモリセル部ごとに設けられ、対応する前記プレート線に一端が接続され、前記電源ラインに他端が接続され、対応する前記ワード線の対のうち対応しない方のワード線に制御電極が接続された第5トランジスタと、
を備えることを特徴とする強誘電体メモリ。 - 1行複数列の強誘電体メモリセルを有するメモリセル部を行列状に配列してなるメモリセルアレイと、
前記メモリセル部の行ごとに設けられ、同一行の前記強誘電体メモリセルに共通接続された、複数のワード線と、
前記メモリセル部ごとに設けられ、同一メモリセル部内の前記強誘電体メモリセルに共通接続された、複数のプレート線と、
前記メモリセル部の列毎に設けられた、複数のプレートイネーブル信号線と、
前記強誘電体メモリセルの列毎に設けられ、同一列の当該強誘電体メモリセルに共通接続された、複数のビット線と、
前記複数のワード線のうち、選択された前記メモリセル部に対応する前記ワード線のみを活性化するワード線ドライバと、
前記複数のプレートイネーブル信号線のうち、選択された前記メモリセル部に対応する前記プレートイネーブル信号線をのみを活性化するプレートイネーブル制御回路と、
前記メモリセル部の列毎に設けられ、活性化された前記ワード線に対応する前記プレート線には前記プレートイネーブル信号線の電位に応じて活性化電位または非活性化電位を供給し且つ活性化されていない前記ワード線に対応する前記プレート線には非活性化電位を供給するプレート線ドライバと、
前記メモリセル部の2行ごとに設けられ、対応する前記ワード線の対が両方とも非活性化電位のときにのみ活性化する、複数の反転ワード線と、
前記メモリセル部の列毎に設けられ、当該列の奇数番目の前記メモリセル部が選択されたときに非活性化し、他のときに活性化する第1プレート線制御信号と、
前記メモリセル部の列毎に設けられ、当該列の偶数番目の前記メモリセル部が選択されたときに非活性化し、他のときに活性化する第2プレート線制御信号と、
前記プレート線ドライバ内に前記メモリセル部ごとに設けられ、対応するプレート線に一端が接続され且つ対応する前記ワード線に制御電極が接続された第6トランジスタと、
前記プレート線ドライバ内に前記メモリセル部ごとに設けられ、対応する前記第6トランジスタの他端に一端が接続され、活性化電位を供給する電源ラインに他端が接続され且つ前記プレートイネーブル信号線に制御電極が接続された第7トランジスタと、
前記プレート線ドライバ内に前記メモリセル部ごとに設けられ、対応する前記プレート線に一端が接続され、非活性化電位を供給する電源ラインに他端が接続され且つ対応する前記反転ワード線に制御電極が接続された第8トランジスタと、
前記プレート線ドライバ内に前記メモリセル部ごとに設けられ、対応する前記プレート線に一端が接続され、前記非活性化電位を供給する電源ラインに他端が接続され、前記第1、第2プレート線制御信号のうち対応する方に制御電極が接続された第9トランジスタと、
を備えることを特徴とする強誘電体メモリ。
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