JP2008266329A - カルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体、その製造方法、および薄膜の製造方法 - Google Patents
カルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体、その製造方法、および薄膜の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008266329A JP2008266329A JP2008102854A JP2008102854A JP2008266329A JP 2008266329 A JP2008266329 A JP 2008266329A JP 2008102854 A JP2008102854 A JP 2008102854A JP 2008102854 A JP2008102854 A JP 2008102854A JP 2008266329 A JP2008266329 A JP 2008266329A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ruthenium
- diene
- group
- carbonylbis
- hydrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F17/00—Metallocenes
- C07F17/02—Metallocenes of metals of Groups 8, 9 or 10 of the Periodic System
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Description
この製法では、反応溶媒は特に限定されず、また生成物の回収・精製方法は特に限定されるものではない。しかしながらメタノールを一部又は全部の反応溶媒として用い、反応終了後にろ過して過剰の亜鉛を取り除いた後、メタノールと任意に交じり合わない溶媒を用いて一般式[1]で表されるハーフサンドイッチ構造有機ルテニウム化合物を抽出し、濃縮して得られる油状物を蒸留することにより、工業的に有利な工程を経て目的物を得ることが出来る。この際用いるメタノールと任意に交わらない溶媒としては、例えばペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等、脂肪族炭化水素を挙げることが出来る。この中でも特にペンタン、ヘキサンは安価に入手可能であり、工業的に有利であるため好ましい。
四つ口フラスコに亜鉛400gを秤量し、容器をアルゴン置換して、2,4−ジメチル−1,3−ペンタジエン205mlを加えて懸濁液とした。3塩化ルテニウムn水和物(n=約3)30gをメタノール1000mlに溶かした溶液を40分かけて室温で滴下した。滴下終了後室温で30分間攪拌した後、60℃に昇温して2時間攪拌した。一旦放冷した後、エチルシクロペンタジエン12mlを投入しそのまま室温で30分攪拌、60℃に昇温して2時間攪拌した。反応終了後室温まで冷却し、グラスフィルターを用いて未反応の亜鉛を取り除いた後、ヘキサン750ml×1回、300ml×4回抽出した。抽出溶液を減圧下濃縮し、得られた油状物について減圧蒸留を行い、目的物である(2,4−ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを25.4g(収率76.3%)得た。
黄色油状物。
5.38(s,1H),4.63(t,J=2.0Hz,2H),4.52(t,J=2.0Hz,2H),2.70(d,J=2.5Hz,2H),2.15(q,J=7.5Hz,2H),1.93(s,6H),1.12(t,J=7.5Hz,3H),−0.09(d,J=2.5Hz,2H)。
IR(neat,cm−1)
3050,2960,2910,1475,1445,1430,1375,1030,860,800
MS(GC/MS,EI)
102Ruでの(2,4−ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムの分子イオンピーク;m/z 290。なおこのMSのチャートを図2に示す。
また得られた(2,4−ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムの分解特性を測定した結果を図3に示す。なお分解特性測定条件は以下の通りである。
測定方法:入力補償示差走査熱量測定(DSC)
測定条件:参照 アルミナ、不活性ガス 窒素 50ml/min、昇温 10℃/min。
実施例1と同様の条件でビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムの分解特性を測定した。320℃付近より発熱反応が見られた。結果を図4に示す。
50mlシュレンク管に亜鉛8.0gを秤量し、容器にアルゴンを置換して、2,4−ジメチル−1,3−ペンタジエン4mlを加えて懸濁液をした。3塩化ルテニウム水和物0.6gをエタノール20mlに溶かした溶液を50分かけて室温で滴下した。滴下終了後、室温で30分攪拌した後、70℃に昇温して2時間攪拌した。いったん放冷した後、メチルシクロペンタジエン240μlを投入し、そのまま室温で30分攪拌、70℃に昇温して2時間攪拌した。反応終了後室温まで冷却し、グラスフィルターを用いて未反応の亜鉛を取り除いた後、濃縮して泥状混合物を得た。得られた泥状混合物からペンタンで抽出し、抽出液について、アルミナを担体、ペンタンを溶離液としてカラムクロマトグラフィーを行い、目的物である、(2,4−ジメチルペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウム0.28gを得た。
5.36(s、1H),4.61(t,J=2.0Hz,2H),4.57(t,J=2.0Hz,2H),2.67(d,J=2.5Hz,2H),1.93(s,6H),1.83(s,3H),−0.07(d,J=2.5Hz,2H)
MS(GC/MS,EI)
102Ruでの(2,4−ジメチルペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニル)ルテニウムの分子イオンピーク;m/z 276。なお、このMSチャートは図5に示す。
図1に示す装置を用い、基板としては表面にSiO2膜が100nm形成されたSi基板を用いた。原料容器1内に(2,4―ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム約10gを入れてオイルバスで加熱、60℃恒温状態にした。真空ポンプ11、圧力調整弁を用いて反応槽3を10Torr、反応容器内を100Torrに調整した。キャリアガス7として窒素を用い、流量をマスフローコントローラーで100sccmに設定した。酸化ガス5として酸素を用い、カウンターガス6として窒素を用いた。酸化ガス流量を0、10、30、300sccmに設定し、カウンターガス流量を、酸化ガス流量との合計が500sccmとなるように設定した。基板4を400℃に設定し、加熱保持した状態で60分間成膜を行った。
図1に示す装置を用い、基板としては表面にSiO2膜が100nm形成されたSi基板を用いた。原料容器1内に(2,4―ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム約10gを入れてオイルバスで加熱、60℃恒温状態にした。真空ポンプ11、圧力調整弁を用いて反応槽3を10Torr、反応容器内を100Torrに調整した。キャリアガス7として窒素を用い、流量をマスフローコントローラーで100sccmに設定した。酸化ガス5として酸素を用い、カウンターガス6として窒素を用いた。酸化ガス流量を300sccmに設定し、カウンターガス流量を200sccmに設定した。基板4を170、200、300、400、500、600℃に設定し、加熱保持した状態で60分間成膜を行った。
図1に示す装置を用い、基板としては表面にSiO2膜が100nm形成されたSi基板を用いた。原料容器1内に(2,4―ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム約10gを入れてオイルバスで加熱、60℃恒温状態にした。真空ポンプ11、圧力調整弁を用いて反応槽3を10Torr、反応容器内を100Torrに調整した。キャリアガス7として窒素を用い、流量をマスフローコントローラーで100sccmに設定した。酸化ガス5を使用せず、カウンターガス6として窒素を用い、カウンターガス流量を500sccmに設定した。基板4を250、275、300、325、350、375、400、450、500、550、600℃に設定し、加熱保持した状態で60分間成膜を行った。
比較例として、図1に示す装置を用い、原料容器1内に市販のビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム約10gを入れた以外はすべて実施例6と同様の条件において成膜を行った。図13,図15に基板温度300℃および600℃の成膜により得られた膜の断面のSEM写真を示す。いずれの場合もまくの緻密さに劣り、柱状の結晶成長が確認された。また図17,図19に基板温度350℃および600℃の成膜により得られた膜の断面のAFM像を示す。AFMによる表面粗さの測定の結果、Ra及びRyを表1(b)に示す。実施例と比較して表面粗さの大きいものであった。
(2,4―ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを原料としてCVD法によるルテニウム含有薄膜の製造
図1に示す装置を用い、基板としては表面にSiO2膜が100nm形成されたSi基板を用いた。原料容器1内に(2,4―ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム約10gを入れてオイルバスで加熱、60℃恒温状態にした。真空ポンプ11、圧力調整弁を用いて反応槽3を10Torr、反応容器内を100Torrに調整した。キャリアガス7として窒素を用い、流量をマスフローコントローラーで30、100sccmに設定した。酸化ガス5として酸素を用い、カウンターガス6として窒素を用いた。酸化ガス流量を300sccmに設定し、カウンターガス流量を200sccmに設定した。基板4を400℃に設定し、加熱保持した状態で60分間成膜を行った。キャリアガス流量と基板上に成膜されたRu含有薄膜の成膜速度の関係を図20に示す。キャリアガスの少ない領域においても十分成膜可能であった。
(2,4―ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを原料としてCVD法によるルテニウム含有薄膜の製造
図1に示す装置を用い、基板としては表面にSiO2膜が100nm形成されたSi基板を用いた。原料容器1内に(2,4―ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム約10gを入れてオイルバスで加熱、60℃恒温状態にした。真空ポンプ11、圧力調整弁を用いて反応槽3を10Torr、反応容器内を100Torrに調整した。キャリアガス7として窒素を用い、流量をマスフローコントローラーで100sccmに設定した。酸化ガス5を使用せず、カウンターガス6として窒素を用い、カウンターガス流量を500sccmに設定した。基板4を350℃に設定し、加熱保持した状態で2.5、5、10、20、60、120分間成膜を行った。
比較例として、図1に示す装置を用い、原料容器1内に市販のビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム約10gを入れた以外はすべて実施例7と同様の条件において成膜を行った。図21の(b)(四角)で成膜時間と基板上に成膜されたRu含有薄膜の膜厚を示す。成膜時間20分まではインキュベ−ション時間が存在した。
カルボニルビス(2−メチル−1,3−ペンタジエン)ルテニウムの合成
1000mlの4つ口フラスコに亜鉛粉末160gを入れ、攪拌装置、滴下ロート、冷却管、温度計を取り付け、フラスコ内をアルゴンで置換した。2−メチル−1,3−ペンタジエン60mlを加えて攪拌して亜鉛粉末を分散させた後、水浴で25℃以下に保ちながら滴下ロートより塩化ルテニウム・n水和物10gをエタノール400mlに溶解したものを1時間で滴下した。滴下終了後、70℃に加熱して3時間攪拌した。反応後の溶液から亜鉛粉末を濾過により除去し、減圧下でエタノール等を除去して得られた泥状物をペンタンで抽出した。抽出液をアルミナを充填剤、ペンタンを溶媒としたカラムクロマトグラフィーにより精製し、溶媒除去後、カルボニルビス(2−メチル−1,3−ペンタジエン)ルテニウムを黄色液体として9.99g(収率89%)得た。
13C−NMR(CDCl3)δ218.88(CO),91.51(C),89.47(CH),50.51(CH),37.58(CH2),22.84(CH3),18.78(CH3)。
IR 1967cm−1(CO)。
MS 294(M+)。
実施例8で得られたカルボニルビス(2−メチル−1,3−ペンタジエン)ルテニウム6.7mgをステンレス製パンに取り、ステンレス製のふたで密封した。このサンプルを酸化アルミニウム18.8mgをリファレンスとして1分間に10℃の昇温速度で示差走査熱量測定装置(DSC)により加熱時の熱量変化を測定した。120℃付近より発熱反応が見られ錯体の分解が確認された。結果を図22に示す。
カルボニルビス(2−メチル−1、3−ペンタジエン)ルテニウムを原料として図1に示すCVD装置を用いて、原料温度50℃、キャリアガス(N2)流量100sccm、原料圧力400Torr、カウンターガス(N2)流量200sccm、配管温度80℃、基板温度300℃、チャンバー圧力10Torr、酸化ガス(O2)流量300sccmでSiO2膜付シリコンウエハ上に1時間成膜を行なった。膜組成をX線回折により確認したところRuO2であり、膜厚をSEMにより測定したところ500nmだった。
カルボニルビス(2−メチル−1、3−ペンタジエン)ルテニウム1mlをヘプタン9mlに溶かし溶液を作製した。この溶液をシリコンウエハ上に500rpmで5秒、1000rpmで10秒スピンコートし、150℃のオーブン中で20分間加熱した。膜組成をX線回折により確認したところRuO2であり、膜厚をSEMにより測定したところ300nmだった。
実施例10と同様の方法によりビス(エチルシクロペンタジエン)ルテニウムを原料として成膜を行なったところRuを含む膜は得られなかった。
亜鉛8gをシュレンク管に仕込み、アルゴン置換を行った後、エチルシクロペンタジエン240ml、2,4−ジメチル−1,3−ペンタジエン4mlを加えた。氷冷下に塩化ルテニウム水和物608mg(n=約3)を脱水エタノール25mlに溶解した溶液を1時間15分かけて滴下した後、氷冷下1時間30分攪拌、室温1時間攪拌した。反応終了後グラスフィルターを用いて未反応の亜鉛を取り除いた後、減圧下濃縮して泥状物を得た。この泥状物からペンタンで抽出を行い、抽出液についてカラムクロマトグラフィー(ペンタン/アルミナ)を行い、目的物の(2,4−ジメチルペンタジエニル)(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム106mg(収率16%)を得た。また、副生物としてビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウムを70mg(収率11%)得た。
2.恒温槽
3.反応槽
4.基板
5.酸化ガス
6.カウンターガス
7.キャリアガス
8.マスフローコントローラー
9.マスフローコントローラー
10.マスフローコントローラー
11.真空ポンプ
12.排気
Claims (11)
- 一般式[7]において、R5〜R8のうち少なくとも1つが炭素数1〜2のアルキル、エーテル、エステル、アルデヒド、アルコール、ケトン、ハロゲン化アルキル、カルボン酸、アミン、アミドであり、他は水素であることを特徴とする、請求項1に記載のカルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体(但し、R5〜R8全てが水素の場合、及びR5、R8が水素でR6、R7がメチルの場合を除く)。
- 一般式[7]において、R5、R7が水素、R6、R8がメチル基であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のカルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体。
- 塩化ルテニウム・n水和物(nは1以上の数)とジエンを亜鉛粉末存在下アルコール中で反応させることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のカルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体の製造方法。
- 一般式[8]において、R5〜R8のうち少なくとも1つが炭素数1〜2のアルキル、エーテル、エステル、アルデヒド、アルコール、ケトン、ハロゲン化アルキル、カルボン酸、アミン、アミドであり、他は水素であることを特徴とする、請求項5に記載のカルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体の製造方法(但し、R5〜R8全てが水素の場合、及びR5、R8が水素でR6、R7がメチルの場合を除く)。
- 一般式[8]において、R5、R7が水素、R6、R8がメチル基であることを特徴とする、請求項5又は6に記載のカルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体の製造方法。
- 亜鉛粉末を分散させたジエンまたはジエンのアルコール溶液中に塩化ルテニウム・n水和物のアルコール溶液を滴下した後、0〜80℃で反応させることを特徴とする、請求項4〜7いずれかに記載のカルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体の製造方法。
- 請求項1〜3いずれかに記載のカルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体を原料として使用することを特徴とする、ルテニウム含有薄膜の製造方法。
- 基板上にルテニウムまたは酸化ルテニウムを化学気相成長させることを特徴とする、請求項9に記載のルテニウム含有薄膜の製造方法。
- 基板上にルテニウムまたは酸化ルテニウムを塗布熱分解法により形成することを特徴とする、請求項9に記載のルテニウム含有薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008102854A JP5104499B2 (ja) | 2001-09-12 | 2008-04-10 | カルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体、その製造方法、および薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001276479 | 2001-09-12 | ||
JP2001276479 | 2001-09-12 | ||
JP2001276478 | 2001-09-12 | ||
JP2001276478 | 2001-09-12 | ||
JP2001276481 | 2001-09-12 | ||
JP2001276481 | 2001-09-12 | ||
JP2001276480 | 2001-09-12 | ||
JP2001276480 | 2001-09-12 | ||
JP2001359769 | 2001-11-26 | ||
JP2001359769 | 2001-11-26 | ||
JP2002078970 | 2002-03-20 | ||
JP2002078970 | 2002-03-20 | ||
JP2008102854A JP5104499B2 (ja) | 2001-09-12 | 2008-04-10 | カルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体、その製造方法、および薄膜の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002217225A Division JP4517565B2 (ja) | 2001-09-12 | 2002-07-25 | ルテニウム錯体、その製造方法、及び薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008266329A true JP2008266329A (ja) | 2008-11-06 |
JP5104499B2 JP5104499B2 (ja) | 2012-12-19 |
Family
ID=27554998
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008102854A Expired - Fee Related JP5104499B2 (ja) | 2001-09-12 | 2008-04-10 | カルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体、その製造方法、および薄膜の製造方法 |
JP2010047698A Expired - Fee Related JP5136576B2 (ja) | 2001-09-12 | 2010-03-04 | 有機ルテニウム化合物およびその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010047698A Expired - Fee Related JP5136576B2 (ja) | 2001-09-12 | 2010-03-04 | 有機ルテニウム化合物およびその製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6605735B2 (ja) |
EP (1) | EP1293509B1 (ja) |
JP (2) | JP5104499B2 (ja) |
KR (1) | KR100727372B1 (ja) |
CN (1) | CN1255417C (ja) |
DE (1) | DE60235738D1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010163441A (ja) * | 2001-09-12 | 2010-07-29 | Tosoh Corp | 有機ルテニウム化合物およびその製造方法 |
JP2011106026A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-06-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 有機金属化合物 |
JP2013117067A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-06-13 | Tokyo Electron Ltd | 酸化ルテニウム膜の成膜方法 |
JP2014185353A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-02 | Tokyo Electron Ltd | ルテニウム膜の形成方法および記憶媒体 |
JP2017524729A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-31 | ユーピー ケミカル カンパニー リミテッド | 新規ルテニウム化合物、その製造方法、これを含む膜蒸着用前駆体組成物、及びこれを利用した膜の蒸着方法 |
KR101807773B1 (ko) | 2010-09-21 | 2017-12-11 | 다카사고 고료 고교 가부시키가이샤 | 아미드 화합물로부터 알코올 및/또는 아민을 제조하는 방법 |
Families Citing this family (91)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7494927B2 (en) * | 2000-05-15 | 2009-02-24 | Asm International N.V. | Method of growing electrical conductors |
US6576538B2 (en) * | 2001-08-30 | 2003-06-10 | Micron Technology, Inc. | Technique for high efficiency metalorganic chemical vapor deposition |
KR100476556B1 (ko) * | 2002-04-11 | 2005-03-18 | 삼성전기주식회사 | 압전트랜스 장치, 압전트랜스 하우징 및 그 제조방법 |
US7910165B2 (en) * | 2002-06-04 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium layer formation for copper film deposition |
US7404985B2 (en) | 2002-06-04 | 2008-07-29 | Applied Materials, Inc. | Noble metal layer formation for copper film deposition |
US7264846B2 (en) * | 2002-06-04 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium layer formation for copper film deposition |
DE10240255A1 (de) * | 2002-08-31 | 2004-03-11 | Degussa Ag | Verfahren zur Herstellung von cis-Alkenen und neue Katalysatoren hierfür |
US6936086B2 (en) * | 2002-09-11 | 2005-08-30 | Planar Systems, Inc. | High conductivity particle filter |
US7927658B2 (en) * | 2002-10-31 | 2011-04-19 | Praxair Technology, Inc. | Deposition processes using group 8 (VIII) metallocene precursors |
JP2007526250A (ja) * | 2004-02-04 | 2007-09-13 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 核形成密度が高い有機金属化合物 |
JP3624196B1 (ja) * | 2004-02-20 | 2005-03-02 | 株式会社フルヤ金属 | 粒子分散複合物及びそれを用いた固体電解質型センサー |
CN100537824C (zh) * | 2004-04-06 | 2009-09-09 | Lg电子株式会社 | 生产涂覆超亲水性薄膜的金属产品的方法及涂覆超亲水性薄膜的金属产品 |
US7041596B1 (en) | 2004-04-08 | 2006-05-09 | Novellus Systems, Inc. | Surface treatment using iodine plasma to improve metal deposition |
US7619093B2 (en) * | 2004-10-15 | 2009-11-17 | Praxair Technology, Inc. | Organometallic compounds and mixtures thereof |
US7270848B2 (en) * | 2004-11-23 | 2007-09-18 | Tokyo Electron Limited | Method for increasing deposition rates of metal layers from metal-carbonyl precursors |
US7279421B2 (en) * | 2004-11-23 | 2007-10-09 | Tokyo Electron Limited | Method and deposition system for increasing deposition rates of metal layers from metal-carbonyl precursors |
US7442267B1 (en) | 2004-11-29 | 2008-10-28 | Novellus Systems, Inc. | Anneal of ruthenium seed layer to improve copper plating |
US7429402B2 (en) * | 2004-12-10 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Ruthenium as an underlayer for tungsten film deposition |
DE102004061094A1 (de) * | 2004-12-18 | 2006-06-22 | Aixtron Ag | Verfahren zum selbstlimitierenden Abscheiden ein oder mehrerer Monolagen sowie dazu geeignete Ausgangsstoffe |
US7265048B2 (en) * | 2005-03-01 | 2007-09-04 | Applied Materials, Inc. | Reduction of copper dewetting by transition metal deposition |
US8025922B2 (en) | 2005-03-15 | 2011-09-27 | Asm International N.V. | Enhanced deposition of noble metals |
US7666773B2 (en) | 2005-03-15 | 2010-02-23 | Asm International N.V. | Selective deposition of noble metal thin films |
US7273814B2 (en) * | 2005-03-16 | 2007-09-25 | Tokyo Electron Limited | Method for forming a ruthenium metal layer on a patterned substrate |
US7351285B2 (en) * | 2005-03-29 | 2008-04-01 | Tokyo Electron Limited | Method and system for forming a variable thickness seed layer |
US8197898B2 (en) * | 2005-03-29 | 2012-06-12 | Tokyo Electron Limited | Method and system for depositing a layer from light-induced vaporization of a solid precursor |
US7288479B2 (en) * | 2005-03-31 | 2007-10-30 | Tokyo Electron Limited | Method for forming a barrier/seed layer for copper metallization |
US7485338B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-02-03 | Tokyo Electron Limited | Method for precursor delivery |
US7396766B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-07-08 | Tokyo Electron Limited | Low-temperature chemical vapor deposition of low-resistivity ruthenium layers |
US7345184B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-03-18 | Tokyo Electron Limited | Method and system for refurbishing a metal carbonyl precursor |
JP2006290889A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 金属含有化合物精製 |
KR100624514B1 (ko) * | 2005-06-08 | 2006-09-26 | (주)디엔에프 | 루테늄 박막 증착용 전구체 및 이를 이용한 박막 증착 방법 |
KR100628000B1 (ko) | 2005-06-11 | 2006-09-26 | 주식회사 아이피에스 | Ru 박막증착방법 |
US20070014919A1 (en) * | 2005-07-15 | 2007-01-18 | Jani Hamalainen | Atomic layer deposition of noble metal oxides |
RU2422357C2 (ru) * | 2005-09-23 | 2011-06-27 | Мекс, Инк. | Катализаторы на основе оксида рутения для конверсии диоксида серы в триоксид серы |
US7482269B2 (en) * | 2005-09-28 | 2009-01-27 | Tokyo Electron Limited | Method for controlling the step coverage of a ruthenium layer on a patterned substrate |
US7459395B2 (en) * | 2005-09-28 | 2008-12-02 | Tokyo Electron Limited | Method for purifying a metal carbonyl precursor |
US7547796B2 (en) * | 2005-09-29 | 2009-06-16 | Praxair Technology, Inc. | Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
TWI329135B (en) | 2005-11-04 | 2010-08-21 | Applied Materials Inc | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
CN101365657A (zh) * | 2005-11-23 | 2009-02-11 | 皮尔金顿北美公司 | 氧化钌涂层在基体上的沉积 |
US20110198756A1 (en) * | 2005-11-28 | 2011-08-18 | Thenappan Ue | Organometallic Precursors and Related Intermediates for Deposition Processes, Their Production and Methods of Use |
JP5207962B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2013-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | ルテニウム膜の成膜方法 |
US7892358B2 (en) * | 2006-03-29 | 2011-02-22 | Tokyo Electron Limited | System for introducing a precursor gas to a vapor deposition system |
US7297719B2 (en) * | 2006-03-29 | 2007-11-20 | Tokyo Electron Limited | Method and integrated system for purifying and delivering a metal carbonyl precursor |
US7858522B2 (en) * | 2006-03-29 | 2010-12-28 | Tokyo Electron Limited | Method for reducing carbon monoxide poisoning in a thin film deposition system |
US20070231489A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-04 | Tokyo Electron Limited | Method for introducing a precursor gas to a vapor deposition system |
US7833358B2 (en) * | 2006-04-07 | 2010-11-16 | Applied Materials, Inc. | Method of recovering valuable material from exhaust gas stream of a reaction chamber |
US7557047B2 (en) * | 2006-06-09 | 2009-07-07 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process |
DE102006027932A1 (de) * | 2006-06-14 | 2007-12-20 | Aixtron Ag | Verfahren zum selbstlimitierenden Abscheiden ein oder mehrerer Monolagen |
CN101516818B (zh) * | 2006-07-27 | 2013-08-14 | 宇部兴产株式会社 | 有机钌络合物以及使用该钌络合物的钌薄膜的制造方法 |
US7667065B2 (en) * | 2006-08-02 | 2010-02-23 | Praxair Technology, Inc. | High nucleation density organometallic compounds |
EP1887102B1 (en) * | 2006-08-08 | 2020-04-08 | L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Precursors having open ligands for ruthenium containing films deposition |
US7959986B2 (en) * | 2006-08-09 | 2011-06-14 | Praxair Technology, Inc. | Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
US7605078B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-10-20 | Tokyo Electron Limited | Integration of a variable thickness copper seed layer in copper metallization |
JP5032085B2 (ja) * | 2006-10-06 | 2012-09-26 | 田中貴金属工業株式会社 | 化学蒸着用の有機ルテニウム化合物及び該有機ルテニウム化合物を用いた化学蒸着方法 |
KR101483318B1 (ko) * | 2007-02-21 | 2015-01-16 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레?드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 기판상에 루테늄계 막을 형성하는 방법 |
JP5293930B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2013-09-18 | Jsr株式会社 | 化学気相成長材料及び化学気相成長方法 |
US20080237860A1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Tokyo Electron Limited | Interconnect structures containing a ruthenium barrier film and method of forming |
US20080242088A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Tokyo Electron Limited | Method of forming low resistivity copper film structures |
US20080248648A1 (en) * | 2007-04-06 | 2008-10-09 | Thompson David M | Deposition precursors for semiconductor applications |
US7829454B2 (en) * | 2007-09-11 | 2010-11-09 | Tokyo Electron Limited | Method for integrating selective ruthenium deposition into manufacturing of a semiconductior device |
US7704879B2 (en) * | 2007-09-27 | 2010-04-27 | Tokyo Electron Limited | Method of forming low-resistivity recessed features in copper metallization |
US7884012B2 (en) * | 2007-09-28 | 2011-02-08 | Tokyo Electron Limited | Void-free copper filling of recessed features for semiconductor devices |
US7737028B2 (en) * | 2007-09-28 | 2010-06-15 | Applied Materials, Inc. | Selective ruthenium deposition on copper materials |
US20090087339A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Asm Japan K.K. | METHOD FOR FORMING RUTHENIUM COMPLEX FILM USING Beta-DIKETONE-COORDINATED RUTHENIUM PRECURSOR |
US7776740B2 (en) * | 2008-01-22 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Method for integrating selective low-temperature ruthenium deposition into copper metallization of a semiconductor device |
US20090200524A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-08-13 | Thompson David M | Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
US20090205538A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-08-20 | Thompson David M | Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
US20090205968A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-08-20 | Thompson David M | Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
US20090203928A1 (en) * | 2008-01-24 | 2009-08-13 | Thompson David M | Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof |
US8247030B2 (en) * | 2008-03-07 | 2012-08-21 | Tokyo Electron Limited | Void-free copper filling of recessed features using a smooth non-agglomerated copper seed layer |
US8636845B2 (en) | 2008-06-25 | 2014-01-28 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Metal heterocyclic compounds for deposition of thin films |
US7799681B2 (en) * | 2008-07-15 | 2010-09-21 | Tokyo Electron Limited | Method for forming a ruthenium metal cap layer |
US7776743B2 (en) * | 2008-07-30 | 2010-08-17 | Tel Epion Inc. | Method of forming semiconductor devices containing metal cap layers |
US7871929B2 (en) * | 2008-07-30 | 2011-01-18 | Tel Epion Inc. | Method of forming semiconductor devices containing metal cap layers |
US8084104B2 (en) * | 2008-08-29 | 2011-12-27 | Asm Japan K.K. | Atomic composition controlled ruthenium alloy film formed by plasma-enhanced atomic layer deposition |
US20100081274A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Tokyo Electron Limited | Method for forming ruthenium metal cap layers |
US9379011B2 (en) | 2008-12-19 | 2016-06-28 | Asm International N.V. | Methods for depositing nickel films and for making nickel silicide and nickel germanide |
JP5549848B2 (ja) | 2008-12-25 | 2014-07-16 | 東ソー株式会社 | ルテニウム化合物、その製法及びそれを用いた成膜法 |
US7977235B2 (en) * | 2009-02-02 | 2011-07-12 | Tokyo Electron Limited | Method for manufacturing a semiconductor device with metal-containing cap layers |
US8716132B2 (en) * | 2009-02-13 | 2014-05-06 | Tokyo Electron Limited | Radiation-assisted selective deposition of metal-containing cap layers |
US20110020546A1 (en) * | 2009-05-15 | 2011-01-27 | Asm International N.V. | Low Temperature ALD of Noble Metals |
JP5754377B2 (ja) * | 2009-10-29 | 2015-07-29 | Jsr株式会社 | ルテニウム膜形成方法 |
JP5732772B2 (ja) * | 2009-12-28 | 2015-06-10 | 東ソー株式会社 | ルテニウム錯体混合物、その製造方法、成膜用組成物、ルテニウム含有膜及びその製造方法 |
US8859047B2 (en) | 2010-02-23 | 2014-10-14 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Use of ruthenium tetroxide as a precursor and reactant for thin film depositions |
US8871617B2 (en) | 2011-04-22 | 2014-10-28 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition and reduction of mixed metal oxide thin films |
KR20140085461A (ko) | 2011-09-27 | 2014-07-07 | 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레?드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 | 니켈 비스 디아자부타디엔 전구체, 그들의 합성, 및 니켈 함유 필름 침착을 위한 그들의 용도 |
US9416443B2 (en) | 2012-02-07 | 2016-08-16 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Method for the deposition of a ruthenium containing film using arene diazadiene ruthenium(0) precursors |
TWI610932B (zh) | 2012-12-07 | 2018-01-11 | 東曹股份有限公司 | 釕錯合物及其製造方法、陽離子性三腈錯合物及其製造方法、以及含釕薄膜的製造方法 |
DE102014200947A1 (de) * | 2014-01-20 | 2015-08-06 | Wobben Properties Gmbh | Synchrongenerator einer getriebelosen Windenergieanlage |
US9607842B1 (en) | 2015-10-02 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming metal silicides |
DE102016108712A1 (de) | 2016-05-11 | 2017-11-16 | Wobben Properties Gmbh | Synchrongenerator einer getriebelosen Windenergieanlage sowie Verfahren zum Herstellen eines Synchrongenerators und Verwendung von Formspulen |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4992305A (en) | 1988-06-22 | 1991-02-12 | Georgia Tech Research Corporation | Chemical vapor deposition of transistion metals |
US4927670A (en) | 1988-06-22 | 1990-05-22 | Georgia Tech Research Corporation | Chemical vapor deposition of mixed metal oxide coatings |
US5130172A (en) | 1988-10-21 | 1992-07-14 | The Regents Of The University Of California | Low temperature organometallic deposition of metals |
JP3488252B2 (ja) | 1991-10-02 | 2004-01-19 | 日本酸素株式会社 | 化学気相析出用有機金属錯体溶液 |
US5403620A (en) | 1992-10-13 | 1995-04-04 | Regents Of The University Of California | Catalysis in organometallic CVD of thin metal films |
JP3224450B2 (ja) | 1993-03-26 | 2001-10-29 | 日本酸素株式会社 | 酸化ルテニウムの成膜方法 |
US5352488A (en) | 1993-05-14 | 1994-10-04 | Syracuse University | Chemical vapor deposition process employing metal pentadienyl complexes |
JP3371328B2 (ja) | 1997-07-17 | 2003-01-27 | 株式会社高純度化学研究所 | ビス(アルキルシクロペンタジエニル)ルテニウム錯 体の製造方法およびそれを用いたルテニウム含有薄膜 の製造方法 |
US6002036A (en) | 1997-07-17 | 1999-12-14 | Kabushikikaisha Kojundokagaku Kenkyusho | Process for producing bis(alkyl-cyclopentadienyl)ruthenium complexes and process for producing ruthenium-containing films by using the same |
US5962716A (en) | 1998-08-27 | 1999-10-05 | Micron Technology, Inc. | Methods for preparing ruthenium and osmium compounds |
US6063705A (en) | 1998-08-27 | 2000-05-16 | Micron Technology, Inc. | Precursor chemistries for chemical vapor deposition of ruthenium and ruthenium oxide |
JP4152028B2 (ja) | 1999-01-25 | 2008-09-17 | 株式会社Adeka | ルテニウム系薄膜の製造方法 |
JP2000281694A (ja) | 1999-03-29 | 2000-10-10 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 有機金属気相エピタキシー用の有機金属化合物 |
JP3620642B2 (ja) | 1999-12-14 | 2005-02-16 | 田中貴金属工業株式会社 | (アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムの製造方法及びその方法により製造される(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウム、並びにその(アルキルシクロペンタジエニル)シクロペンタジエニルルテニウムを原料とする薄膜の製造方法 |
US6380080B2 (en) | 2000-03-08 | 2002-04-30 | Micron Technology, Inc. | Methods for preparing ruthenium metal films |
KR100727372B1 (ko) * | 2001-09-12 | 2007-06-12 | 토소가부시키가이샤 | 루테늄착체, 그 제조방법 및 박막의 제조방법 |
-
2002
- 2002-08-30 KR KR1020020052067A patent/KR100727372B1/ko active IP Right Grant
- 2002-09-09 US US10/236,914 patent/US6605735B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-10 EP EP02020414A patent/EP1293509B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-10 DE DE60235738T patent/DE60235738D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-09-12 CN CNB021426074A patent/CN1255417C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-04-10 JP JP2008102854A patent/JP5104499B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-03-04 JP JP2010047698A patent/JP5136576B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010163441A (ja) * | 2001-09-12 | 2010-07-29 | Tosoh Corp | 有機ルテニウム化合物およびその製造方法 |
JP2011106026A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-06-02 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 有機金属化合物 |
KR101807773B1 (ko) | 2010-09-21 | 2017-12-11 | 다카사고 고료 고교 가부시키가이샤 | 아미드 화합물로부터 알코올 및/또는 아민을 제조하는 방법 |
JP2013117067A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-06-13 | Tokyo Electron Ltd | 酸化ルテニウム膜の成膜方法 |
JP2014185353A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-02 | Tokyo Electron Ltd | ルテニウム膜の形成方法および記憶媒体 |
JP2017524729A (ja) * | 2014-05-30 | 2017-08-31 | ユーピー ケミカル カンパニー リミテッド | 新規ルテニウム化合物、その製造方法、これを含む膜蒸着用前駆体組成物、及びこれを利用した膜の蒸着方法 |
US9957614B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-05-01 | Up Chemical Co., Ltd. | Ruthenium compound, preparation method therefor, precursor composition for film deposition containing same, and method for depositing film by using same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1408717A (zh) | 2003-04-09 |
KR100727372B1 (ko) | 2007-06-12 |
KR20030023484A (ko) | 2003-03-19 |
US6605735B2 (en) | 2003-08-12 |
CN1255417C (zh) | 2006-05-10 |
JP5104499B2 (ja) | 2012-12-19 |
EP1293509B1 (en) | 2010-03-24 |
JP5136576B2 (ja) | 2013-02-06 |
JP2010163441A (ja) | 2010-07-29 |
EP1293509A3 (en) | 2004-05-19 |
DE60235738D1 (de) | 2010-05-06 |
EP1293509A2 (en) | 2003-03-19 |
US20030088116A1 (en) | 2003-05-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5104499B2 (ja) | カルボニルビス(ジエン)ルテニウム錯体、その製造方法、および薄膜の製造方法 | |
JP4517565B2 (ja) | ルテニウム錯体、その製造方法、及び薄膜の製造方法 | |
US7619093B2 (en) | Organometallic compounds and mixtures thereof | |
KR20080061381A (ko) | 유기 금속 화합물 및 그의 사용 방법 | |
KR20060131874A (ko) | 고밀도 핵생성 유기금속 화합물 | |
JP4696454B2 (ja) | 新規有機イリジウム化合物、その製造方法、及び膜の製造方法 | |
US7667065B2 (en) | High nucleation density organometallic compounds | |
JP2006036780A (ja) | ルテニウム錯体の製造方法 | |
KR101770438B1 (ko) | 루테늄 착체 혼합물, 그 제조방법, 성막용 조성물, 루테늄 함유 막 및 그 제조방법 | |
JP4553642B2 (ja) | 有機イリジウム化合物、その製法、及び膜の製造方法 | |
EP1471567B1 (en) | Organometallic iridium compounds, processes for producing the same, and processes for producing thin films | |
KR101126141B1 (ko) | 유기 이리듐 화합물, 그의 제법 및 막의 제조방법 | |
TWI227239B (en) | Ruthenium complex, process for producing the same and process for producing thin film |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111017 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120403 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120629 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120917 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |