JP2008218782A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置1は、第1の層間絶縁膜4の貫通孔43に形成された第1プラグ導電層44と、この第1プラグ導電層44上に設けられた導電部材61とを備えた半導体装置であって、第1の層間絶縁膜4上には、第1プラグ導電層44に通じる孔部54を有したスペーサ絶縁膜51が形成され、この孔部54内には、第1プラグ導電層44に接続し、かつ、導電部材61に接続するスペーサ導電部52が埋め込まれて形成されている。スペーサ導電部52は自己配向性を有する導電材料からなり、スペーサ絶縁膜51上とスペーサ導電部52上とは、平坦化処理されていることを特徴とする。スペーサ導電部52を所定の厚さにすることで、第1プラグ導電層43に確実に蓋することができ、結晶配向のずれが導電部材61に伝わることが防止される。
【選択図】図1
Description
前記層間絶縁膜上には、前記プラグ導電層に通じる孔部を有したスペーサ絶縁膜が形成され、該スペーサ絶縁膜の前記孔部内には、前記プラグ導電層に接続し、かつ、前記導電部材に接続するスペーサ導電部が埋め込まれて形成され、
前記スペーサ導電部は自己配向性を有する導電材料からなり、
前記スペーサ絶縁膜上とスペーサ導電部上とは、平坦化処理されていることを特徴とする。
また、前記プラグ導電層上に形成される前記スペーサ導電部は自己配向性を有しているので、スペーサ導電部は、前記プラグ導電層上面の凹凸に影響されること無く、揃った結晶配向となる。したがって、その上部に形成される導電部材の結晶配向を良好なものとすることができる。
このようにすれば、スペーサ絶縁膜の孔部を形成する工程において、前記スペーサ絶縁膜の材料と前記最上層の材料とのエッチングレートの違いを用いることによって、スペーサ絶縁膜をオーバーエッチした際にも、その下層側までエッチングしてしまうことを防止することができる。よって、形成された前記孔部を所望の深さとすることができる。
このようにすれば、前述のように、前記導電部材は結晶配向が揃ったものとされているので、この上に形成された前記キャパシタも結晶配向が揃ったものとなる。したがって、良好な強誘電体特性を有する優れたキャパシタを得ることができる。
このようにすれば、強誘電体キャパシタの形成後において、キャパシタ底面側から水素や水等が侵入し、キャパシタが還元されることを防止でき、よって、キャパシタの強誘電体特性が損なわれることが防止される。
このようにすれば、前記導電部材が酸化されて高抵抗化されること、もしくは前記強誘電体キャパシタが下方側から還元され劣化することが防止できる。また、スペーサ導電部と導電部材とを同じ材料とすることにより、スペーサ導電部と導電部材とを形成する際に、同様の加工手段を用いることができるため、新たな加工装置等が不要となる。
前記基板上の層間絶縁膜に貫通孔を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上にプラグ導電材料を成膜して、前記貫通孔内にプラグ導電材料を埋め込む工程と、
前記プラグ導電材料からなる膜を平坦化処理して、前記層間絶縁膜上から前記プラグ導電材料を除去し、前記貫通孔内に前記プラグ導電材料からなるプラグ導電層を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に絶縁材料からなる膜を形成し、該膜に前記プラグ導電層と通じる孔部を形成し、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に自己配向性を有する導電材料を成膜して、前記孔部内に自己配向性導電材料を埋め込む工程と、
前記自己配向性導電材料からなる膜を平坦化処理して、前記スペーサ絶縁膜上から前記自己配向性導電材料を除去し、前記孔部内に前記自己配向性材料からなるスペーサ導電部を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
次に、前記第2の層間絶縁膜7上に、前記第2プラグ導電層73と対応させて、アルミニウム等からなる上部配線8a、8bを形成し、図4(b)に示すように、強誘電体メモリ装置(半導体装置)1を形成する。
また、強誘電体キャパシタ6を良好な結晶配向のものとしているので、この強誘電体キャパシタ6上のキャパシタ側第2プラグ導電層73aは、その底面側にウィークポイントが形成されることを防止され、したがって、このウィークポイントを通って水素ガスや水が強誘電体キャパシタに浸入し劣化させることが防止される。よって、強誘電体メモリ装置1は、強誘電体キャパシタ6の特性ばらつきが低減されたとなる。
Claims (6)
- 基板上の層間絶縁膜に形成されたプラグ導電層と、該プラグ導電層上に設けられた導電部材とを備えた半導体装置であって、
前記層間絶縁膜上には、前記プラグ導電層に通じる孔部を有したスペーサ絶縁膜が形成され、該スペーサ絶縁膜の前記孔部内には、前記プラグ導電層に接続し、かつ、前記導電部材に接続するスペーサ導電部が埋め込まれて形成され、
前記スペーサ導電部は自己配向性を有する導電材料からなり、
前記スペーサ絶縁膜上とスペーサ導電部上とは、平坦化処理されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記層間絶縁膜は、2層以上の絶縁膜からなっており、該絶縁膜の少なくとも最上層は、前記スペーサ絶縁膜の材料と異なる材料からなっていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記導電部材は強誘電体キャパシタの構成部材であること特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置。
- 前記スペーサ絶縁膜は、水素に対するバリア性を有していることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記導電部材は、前記強誘電体キャパシタの最下層となる下地層を構成する導電性のバリア膜であり、前記スペーサ導電部は前記バリア膜と同じ材料からなっていることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の半導体装置。
- 基板上の層間絶縁膜に形成されたプラグ導電層と、該プラグ導電層上に設けられた導電部材を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記基板上の層間絶縁膜に貫通孔を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上にプラグ導電材料を成膜して、前記貫通孔内にプラグ導電材料を埋め込む工程と、
前記プラグ導電材料からなる膜を平坦化処理して、前記層間絶縁膜上から前記プラグ導電材料を除去し、前記貫通孔内に前記プラグ導電材料からなるプラグ導電層を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に絶縁材料からなる膜を形成し、該膜に前記プラグ導電層と通じる孔部を形成し、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に自己配向性を有する導電材料を成膜して、前記孔部内に自己配向性導電材料を埋め込む工程と、
前記自己配向性導電材料からなる膜を平坦化処理して、前記スペーサ絶縁膜上から前記自己配向性導電材料を除去し、前記孔部内に前記自己配向性材料からなるスペーサ導電部を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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