JP2008091342A - 高分子電解質膜とその製造方法、及び該高分子電解質膜を含む燃料電池 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プロトン伝導性基が結合された無機ナノ粒子、固体酸及びプロトン伝導性高分子を含む高分子電解質膜である。望ましくは、プロトン伝導性基が結合された無機ナノ粒子は、Si,Ti,Zr,AlまたはBから選ばれる金属の前駆体とプロトン伝導性基を含む化合物とを反応させた結果物である。
【選択図】図3
Description
(a)下記化学式1または2の化合物にプロトン伝導性基を含む化合物を添加、攪拌した後、その結果物に水を添加してゾル状態のスルホン化された無機ナノ粒子を準備する工程と、(b)前記(a)工程の結果物であるゾル状態の無機ナノ粒子、プロトン伝導性高分子、固体酸及び溶媒を含む高分子電解質膜形成用の組成物を提供する工程と、(c)前記高分子電解質膜形成用の組成物を塗布する工程と、(d)前記塗布された高分子電解質膜形成用の組成物を乾燥する工程。
本発明による高分子電解質膜の厚さは、5から200μmであることが望ましい。もし、高分子電解質膜の厚さが5μm未満であれば、過度に薄くて破れる危険性があり、200μmを超えれば、膜に亀裂が生じて、望ましくない。
金属前駆体としてメチルトリメトキシシラン4gとクロロスルホン酸1gとを混合した。前記混合物を50℃で一晩中攪拌した。ここに再びDMF 150mlを混合し、3時間攪拌した。次いで、再び水2.6mlを添加し、スルホン化されたSiO2ゾルを製造した。
金属前駆体としてチタンエトキシド4gとクロロスルホン酸1.4gとを混合して使用したことを除いては、前記製造例1と同じ方法でスルホン化されたTiO2ゾルを製造した。このとき、チタニアゾル内の溶媒対比チタニア粒子が約10質量%存在するように製造された。
臭化ベンジル0.38モルと3,5−ジヒドロキシベンジルアルコール0.18モルとを、K2CO3 0.36モル及び18−クラウン−6 0.036モルと共にアセトンに溶解させて24時間還流させた。前記混合物を常温まで冷却させた後、アセトンを蒸留させて除去し、酢酸エチル/水酸化ナトリウム溶液で抽出して分離した。分離した有機層をMgSO4を利用して乾燥させ、溶媒を蒸留させて除去した。結果物をエーテル/へキサンで再結晶して精製し、下記化学式18の化合物を白色の結晶性固体と37g収得した(収率:67%)。
120時間PEEKをスルホン化して製造したSPEEK 12.5質量%と溶媒としてジメチルホルムアミド87.5質量%とを混合して高分子電解質膜形成用の組成物を製造した。前記高分子電解質膜形成用の組成物をスピンコーティングし、これを90℃で約10分間予備熱処理した。
SPEEK及び製造例3で合成した固体酸を5:1の質量比で混合し、溶媒としてジメチルホルムアミドを使用して高分子電解質膜形成用の組成物を製造した点を除いては、前記比較例1と同じ方法で高分子電解質膜を製造した。
商業的に入手可能なナフィオン(DuPont社製)膜を準備した。以後、前記比較例1と同じ方法で高分子電解質膜を準備した。
スルホン化されたポリエーテルエーテルケトン(SPEEK)及び製造例1で合成されたスルホン化されたSiO2ゾルを2:1(8質量%:4質量%)の質量比で混合して高分子電解質膜形成用の組成物を製造した点を除いては、前記比較例1と同じ方法で高分子電解質膜(膜厚さ:約22μm)を製造した。このとき、溶媒としてジメチルホルムアミドをSPEEK 100質量部を基準として88質量%使用した。
SPEEK及び製造例1で合成されたスルホン化されたSiO2ゾルを1:1(6質量%:6質量%)の質量比で混合し、溶媒としてジメチルホルムアミド88質量%を使用して高分子電解質膜形成用の組成物を製造した点を除いて、前記比較例1と同じ方法で高分子電解質膜(膜厚さ:約14μm)を製造した。
SPEEK、製造例1で合成されたスルホン化されたSiO2ゾルを4:7(4質量%:7質量%)の質量比で、そして、溶媒としてジメチルホルムアミドを89質量%混合して高分子電解質膜形成用の組成物を製造したことを除いては、前記比較例1と同じ方法で高分子電解質膜(膜厚さ:約10μm)を製造した。
SPEEK及び製造例2で合成されたスルホン化されたTiO2ゾルを2:1(8質量%:4質量%)の質量比で、そして溶媒としてジメチルホルムアミドを88質量%混合して高分子電解質膜形成用の組成物を製造したことを除いては、前記比較例1と同じ方法で高分子電解質膜(膜厚さ:約10μm)を製造した。
SPEEK及び製造例2で合成されたスルホン化されたTiO2ゾルを1:1(6質量%:6質量%)の質量比で、そして、溶媒としてジメチルホルムアミドを88質量%混合して高分子電解質膜形成用の組成物を製造したことを除いては、前記比較例1と同じ方法で高分子電解質膜(膜厚さ:約43μm)を製造した。
SPEEK、製造例1で合成されたスルホン化されたSiO2ゾル及び製造例3で合成された固体酸を8:4:1(8質量%:4質量%:1質量%)の質量比で、そして、溶媒としてジメチルホルムアミドを87質量%混合して高分子電解質膜形成用の組成物を製造したことを除いては、前記比較例1と同じ方法で高分子電解質膜(膜厚さ:約17μm)を製造した。
SPEEK、製造例2で合成されたスルホン化されたTiO2ゾル及び製造例3で合成された固体酸を6:6:1(6質量%:6質量%:1質量%)の質量比で、そして、溶媒としてジメチルホルムアミドを87質量%混合して高分子電解質膜形成用の組成物を製造したことを除いては、前記比較例1と同じ方法で高分子電解質膜(膜厚さ:約62μm)を製造した。
Claims (14)
- プロトン伝導性基が結合された無機ナノ粒子、固体酸及びプロトン伝導性高分子を含むことを特徴とする、高分子電解質膜。
- 前記プロトン伝導性基が結合された無機ナノ粒子は、金属前駆体とプロトン伝導性基を含む化合物とを反応させた結果物であることを特徴とする、請求項1に記載の高分子電解質膜。
- 前記金属前駆体は、下記化学式1または2の化合物であることを特徴とする、請求項2に記載の高分子電解質膜。
Mは、Si、TiまたはZrであり、
R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立的に、炭素数1から20のアルキル基、炭素数6から20のアリール基、炭素数1から20のアルコキシ基、炭素数7から20のアルキルアリール基、炭素数7から20のアリールアルキル基、炭素数2から20のアルケニル基、炭素数8から20のアリールアルケニル基、炭素数2から20のアルキニル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、またはアミノ基であり、
但し、R1、R2、R3及びR4のうち少なくとも一つ以上は、炭素数1から20のアルコキシ基である。
Mは、AlまたはBであり、
R1、R2及びR3は、それぞれ独立的に、炭素数1から20のアルキル基、炭素数6から20のアリール基、炭素数1から20のアルコキシ基、炭素数7から20のアルキルアリール基、炭素数7から20のアリールアルキル基、炭素数2から20のアルケニル基、炭素数8から20のアリールアルケニル基、炭素数2から20のアルキニル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、またはアミノ基であり、
但し、R1、R2及びR3のうち少なくとも一つ以上は、炭素数1から20のアルコキシ基である。 - 前記プロトン伝導性基を含む化合物のプロトン伝導性基は、−SO3H、−COOH、−PO3H、−OH、−OSO3Hまたは−OPO(OH)3であることを特徴とする、請求項2に記載の高分子電解質膜。
- 前記プロトン伝導性基を含む化合物のプロトン伝導性基は、−SO3Hであることを特徴とする、請求項2に記載の高分子電解質膜。
- 前記固体酸は、
(a)10から70の重合度を有する主鎖と、
(b)前記主鎖の反復単位に結合され、下記化学式3の構造を有する側鎖と、
を有することを特徴とする、請求項1に記載の高分子電解質膜。
(i)世代であるEiと結合する(i+1)世代Ei+1の数は、Eiに存在する可能な結合の数と同じであり、
nは、分枝単位の世代を表し、2から4の整数であり、
Enは、−SO3H、−COOH、−OH、または−OPO(OH)3のうち何れか一つである。 - 前記反復単位は、スチレン、エチレン、イミド、アミド、アクリル酸、アミックエステル、またはアニリンの反復単位であることを特徴とする、請求項6に記載の高分子電解質膜。
- 前記側鎖は、下記化学式12から化学式17のうち何れか一つであることを特徴とする、請求項6に記載の高分子電解質膜。
- 前記プロトン伝導性高分子は、ポリイミド、ポリアルキルエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ナフィオン(登録商標)、ポリビニルアルコール及びその共重合体からなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする、請求項1に記載の高分子電解質膜。
- 前記プロトン伝導性高分子100質量部を基準として、プロトン伝導性基が結合された前記無機ナノ粒子1から90質量部及び前記固体酸0.1から50質量部を含むことを特徴とする、請求項1に記載の高分子電解質膜。
- 触媒層と拡散層とを備えるカソードと、触媒層と拡散層とを備えるアノードと、前記カソードと前記アノードとの間に位置する電解質膜と、を備える燃料電池において、
前記電解質膜は、請求項1から10のうち何れか1項に記載の高分子電解質膜を含むことを特徴とする、燃料電池。 - (a)下記化学式1または2の化合物にプロトン伝導性基を含む化合物を添加、攪拌した後、その結果物に水を添加してゾル状態のプロトン伝導性基が結合された無機ナノ粒子を準備する工程と、
(b)前記(a)工程の結果物であるゾル状態の無機ナノ粒子、プロトン伝導性高分子、固体酸及び溶媒を含む高分子電解質膜形成用の組成物を提供する工程と、
(c)前記高分子電解質膜形成用の組成物を塗布する工程と、
(d)前記塗布された高分子電解質膜形成用の組成物を乾燥する工程と、
を含むことを特徴とする、高分子電解質膜の製造方法。
Mは、Si、TiまたはZrであり、
R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立的に、炭素数1から20のアルキル基、炭素数6から20のアリール基、炭素数1から20のアルコキシ基、炭素数7から20のアルキルアリール基、炭素数7から20のアリールアルキル基、炭素数2から20のアルケニル基、炭素数8から20のアリールアルケニル基、炭素数2から20のアルキニル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、またはアミノ基であり、但し、R1、R2、R3及びR4のうち少なくとも一つ以上は、炭素数1から20のアルコキシ基である。
Mは、AlまたはBであり、
R1、R2及びR3は、それぞれ独立的に、炭素数1から20のアルキル基、炭素数6から20のアリール基、炭素数1から20のアルコキシ基、炭素数7から20のアルキルアリール基、炭素数7から20のアリールアルキル基、炭素数2から20のアルケニル基、炭素数8から20のアリールアルケニル基、炭素数2から20のアルキニル基、ヒドロキシル基、ニトロ基、またはアミノ基であり、但し、R1、R2及びR3のうち少なくとも一つ以上は、炭素数1から20のアルコキシ基である。 - 前記(a)工程でのプロトン伝導性基を含む化合物は、ClSO3Hであることを特徴とする、請求項12に記載の高分子電解質膜の製造方法。
- 前記高分子電解質膜形成用の組成物のうち、溶媒がN−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、メチルスルホキシド、ジメチルスルホキシド及びN,N’−ジメチルアセトアミドからなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする、請求項12に記載の高分子電解質膜の製造方法。
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