JP2007535818A - 重ねモジュールシステムと方法 - Google Patents

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Abstract

本発明は、チップスケールパッケージ集積回路（ＣＳＰ）を積み重ねてＰＷＢ他のボードの表面積を一定に保つモジュールにする。発明の好ましい実施の形態において、１つ以上のＣＳＰに関連する型台は、標準的な接続可能な屈曲回路デザインを用いると共に、ＣＳＰパッケージの幅の広いファミリーにおいて見られる多くの異なるパッケージサイズを使用可能にする。好ましい実施の形態において、下側ＣＳＰのコンタクトは、屈曲回路がＣＳＰと型台との組合せに取り付けられる前に圧縮され、ＣＳＰと屈曲回路の間のロープロファイルコンタクトを形成する。

Description

本発明は集積回路を集めることに関し、特に、集積回路を重ねてチップスケールパッケージに形成することに関する。
パッケージ型集積回路を積み重ねるのにさまざまなテクニックが使用される。いくつかの方法は特別なパッケージを必要とし、他のテクニックは従来のパッケージを積み重ねるものである。
過去１０年間使われた支配的なパッケージ構成は、通常長方形のプラスチック包囲体の中に集積回路（ＩＣ）を封止するものである。覆われた集積回路はプラスチック封止のエッジ周辺から出るリードを介して周囲の使用要素に接続される。そのような「リード付パッケージ」はパッケージ型集積回路を重ねるテクニックにおいて最も一般的に使われた構成要素である。
リード付パッケージはエレクトロニクスにおいて重要な役割を果たすが、電子部品とアセンブリを小型化する取り組みは回路ボード表面積を保つ技術の開発を駆り立てた。リード付パッケージはパッケージの周側から出るリードを有するので、回路ボードの表面積の最少量以上のものを占領する。その結果、最近、チップスケールパッケージ、あるいは、ＣＳＰとして知られるリード付パッケージへの代替が市場で拡大している。
ＣＳＰは、一般に、パッケージの主要な面を横切って整列された１セットのコンタクト（「隆起」か「ボール」としてしばしば実施される）を介して集積回路に接続されるパッケージのことをいう。パッケージの周側から出るリードに代えて、コンタクトは主要な面に置かれ、通常、パッケージの平らな底面から出ている。パッケージの側部に「リード」が存在しないことは、リード付パッケージのために工夫されたほとんどのスタッキング（積み重ね）テクニックをＣＳＰスタッキングに適当することをできなくしてしまう。
多様な従来のＣＳＰスタッキングテクニックは、通常、複雑な構造的アレンジを必要とし、かつ、熱問題、または、高周波数性能問題を提示する。例えば、熱特性はＣＳＰの重ねに関して重要な特性である。
したがって、必要とされるものは、熱効率の良い、高周波でも良好に作動する信頼できる構造を提供するＣＳＰ重ねテクニックとシステムであって、スタックに過度の高さを持たせることが無く、容易に理解され管理された素材と方法により妥当な費用で生産可能なＣＳＰ重ねテクニックとシステムである。
本発明は、チップスケールパッケージ型集積回路（ＣＳＰ）を重ねて、ＰＷＢ他のボード表面積を保つモジュールに形成する。本発明は１つのダイを含むスケールパッケージに最も頻繁に適用されるが、１つ以上の集積回路ダイを含むチップスケールスケールパッケージにも使用することができる。本発明に従って、複数のＣＳＰが積み重ねられる。本発明に従って作られる重ねモジュールに使用されるＣＳＰは屈曲回路に接続される。その屈曲回路は１又は２以上の導電層を含む。
本発明では少なくとも１つの型台を用いて物理的な形状を提供してＣＳＰパッケージの広いファミリーの種々のサイズを有利に使用可能にすると共に、標準的接続な屈曲回路デザインを使用する。好ましい実施例では、型台は熱伝導材料で作られ、例えば銅などの熱特性を改良する金属が好ましい。
発明のいくつかの好ましい方法によってモジュールを構成する際に、ＣＳＰコンタクトは、ロープロファイルモジュールを作成するために、その高さが減じられる。本発明の好ましいいくつかの方法により、圧縮されたコンタクトは、はんだペーストに混ざり、より低い径のコンタクトとして有益に定まる。これは本発明のロープロファイルモジュールの実施例を作る。
好ましい実施の形態
図１は発明の好ましい実施例として作られた２段モジュール１０を示す。図１の領域「Ａ」を拡大して図２に示している。モジュール１０は２つのＣＳＰ、即ち、ＣＳＰ１６とＣＳＰ１８を含む。それぞれのＣＳＰは、上面２０、下面２２、および対向する横縁２４と２６を持っていて、成形体２７によって囲まれた少なくとも１個の集積回路を通常含んでいる。成形体はプラスチックである必要はないが、ＣＳＰ技術におけるパッケージの大多数はプラスチックである。当業者であれば、本発明は異なったサイズのＣＳＰを組み合わせてモジュールを作ることができ、また、１つのモジュール１０の中に異なったタイプの構成ＣＳＰを使用することができることが理解できるであろう。例えば、構成ＣＳＰの１つは「側部」を備えることがわかる程度の高さを有する横縁２４と２６を有する典型的なＣＳＰであり、同じモジュール１０の他の構成ＣＳＰが前記側部を備えることがわかる程度の高さよりさらに高い横縁２４と２６を有するパッケージであるものである。
用語「ＣＳＰ」は本願の内容を考慮して広く考えるべきである。集合的に、これはチップスケールパッケージ型集積回路（ＣＳＰ）として知られ、好ましい実施例ではＣＳＰとして説明されるが、実施例の例示的な図で使用される特定の構成に限定されるものではない。例えば、当技術分野において知られている特定のプロフィールのＣＳＰの正面図を示すが、この図は単に例示的なものであることが理解されるべきである。発明は、少なくとも１つの主要な面から接続要素のアレイが利用可能な技術分野において利用可能な広範囲のＣＳＰ構成に有利に使われるだろう。発明は記憶回路を含むＣＳＰに有利に使われるが、ＰＷＢ他のボード表面積を消費することなく能力拡張が望まれる論理回路や演算回路にも有利に使用することができる。
典型的なＣＳＰ、例えば、ボールグリッドアレイ（「ＢＧＡ」）、マイクロボールグリッドアレイ、およびファインピッチボールグリッドアレイ（「ＦＢＧＡ」）パッケージは、例えば、プラスチックのケーシングの下面２２からなんらかのパターン及びピッチで延伸するリード、隆起、はんだボール、またはボール等として実施される接続コンタクトの配列を有する。接続コンタクトの外部はしばしばボール状はんだとして仕上がっている。図１では、図示の構成ＣＳＰ１６，１８の下面２２に沿って複数のコンタクト２８が示される。コンタクト２８は各パッケージ内の集積回路への接続を与える。
図１では、構成ＣＳＰ１６と１８を接続する屈曲回路（「屈曲回路」または「「屈曲回路構造」）が示される。２個の図示の屈曲回路３０と３２に代えて単一の屈曲回路を使うことができる。本発明において、屈曲回路の全体を可撓性にすることとしても良いし、または当業者であれば分かるように、ＣＳＰの周りに適合するようにＰＣＢ構造をある領域では屈曲性にし、他の領域ではＣＳＰの表面に沿って平面的にするために剛性とした代替屈曲回路とすることができる。例えば、剛性−屈曲として知られている構造を使うことができる。
第１の型台がＣＳＰ１８の上面２０に隣接して配置されて、また、第２の型台３４もＣＳＰ１６に関連して示されている。型台３４は、望ましくは熱伝導性の接着剤３６でそれぞれのＣＳＰの上面２０に固定されるだろう。また代替的に、型台３４を上面２０の上に単に横たえることとしても良いし、あるいは、空気ギャップ、又は熱伝導スラグ若しくは非熱伝導層などの媒体によって上面２０から離すこととしても良い。熱を逃がすことが高度に優先される図１に示す本発明の好ましい態様のように、熱排出を高めるために、モジュール１０において各ＣＳＰに型台を設けることとしても良い。他の実施例では、対応するＣＳＰに対して型台３４を逆にすることもでき、例えば、それがＣＳＰ１８の上面２０の上方で開いた状態に置かれる。
好ましい実施例では、型台３４を銅で作り、好ましい実施の態様である図１に示すように、熱蓄積を緩和するマンドレル（芯金）を形成すると共に標準サイズの型を提供し、この型の周りに屈曲回路が配置される。また、型台３４をまた好ましい実施例としてニッケルでメッキされた銅から作ることもできる。型台３４を他の形状例えば、各ＣＳＰ本体上に横たわる角を持った「キャップ」とすることもできる。熱排出効果が高いことが望ましいが、それは必ずしも必要ではない。型台３４は発明を異なるサイズのＣＳＰに使用することを可能にすると共に、１セットの接続構造を異なるサイズのＣＳＰに接続可能にする。したがって、屈曲回路３０、３２など１セットの接続構造（または、図５に示すような組の屈曲回路３０，３２に代わって単一屈曲回路が使用される態様においては単一屈曲回路）が作られ、それをここで開示する型台３４の方法及び／又はシステムに用いて異なるサイズのパッケージのＣＳＰを積み重ねたモジュールを作ることができる。これは、同じ屈曲回路セットデザインを使用して、属性Ｙ（Ｙは例えばパッケージ幅）を横切る第１の属性の寸法Ｘを有する複数の構成ＣＳＰを積み重ねたモジュール１０と、同じ属性Ｙを横切る第２の任意の寸法Ｘを有する複数の構成ＣＳＰからなるモジュール１０を反復創成することを可能にする。したがって、異なったサイズのＣＳＰを同じセットの接続構造（すなわち、屈曲回路）を用いてモジュール１０に積み重ねることができる。さらに、当業者にとって明らかなように、サイズがまちまちのＣＳＰを同じモジュール１０にすることができる（２００３年９月１５日出願の係属中である国際出願ＰＣＴ／ＵＳ０３／２９０００に開示される実施例の積み重ねシステムの例として実行することができる）。この国際出願は参照のために、ここに組み入れられる。
１つの好ましい実施例では、屈曲回路３０，３２の一部が結合（ボンド）３５によって型台３４に固定されている。結合３５は、いくつかの好ましい形態としては、型台３４上に置かれることによって生じる冶金結合であり、例えば、スズなどの第１メタル層は、溶かされると、屈曲回路上に置かれた第２金属、又は屈曲回路の一部である第２金属（屈曲回路上の導電層の金メッキなど）と結合し、より高い融点の金属間結合を形成する。この金属間結合は、以下においてさらに説明するその後のリフロ（再流動）操作の間に再溶融することはない。
図２は、図１に「Ａ」でしめす領域の拡大図である。図２は、好ましい実施例として、それぞれのＣＳＰ１６と１８に型台３４を使う２段モジュール１０において、回路３２と、その屈曲回路３２との関係を示す。屈曲回路３２の内層構造はこの図に示されない。結合３５を図１より詳しく示しており、これについては、後の図に関して説明する。また、図２に、型台３４と、ＣＳＰ１８，１６の間に接着剤３６を塗布していることが示される。また、好ましい実施例では、接着剤３３はＣＳＰ１６と関連する型台３４と屈曲回路３２の間で使われるだろう。望ましくは、粘着剤３３は熱伝導性である。
当業者に理解されるように、図はスケールアウトして描かれており、ＣＳＰ１６，１８のコンタクト２８が対応するＣＳＰの下面２２に限定的な高さを有するように示されている（あらゆる実施例において示す必要はないが）。図３ＡはＣＳＰ１８のコンタクト２８を示すが、そのコンタクト２８の高さを減じるステップ（次に、より詳しく説明される）が実行される前の状態を示すものである。図示のように、コンタクト２８はＣＳＰ１８の面２２から高さＤｘ出ている。図３Ｂは高さを減じるステップ（次に、より詳しく説明される）が実行された後のコンタクト２８の状態を示すものである。図３Ｂにおいて、型台３４をＣＳＰ１８に取り付ける前に高さを減じるステップが行われた。後で説明されるように、コンタクト２８の高さを減じることは型台３４をＣＳＰ１８に取り付ける前または後にすることができる。図示のように、コンタクト２８は、ＣＳＰ１８の面２２からＤｃだけ出ている。図２に言及すると、いくつかの実施例において、コンタクト２８は、モジュール１０としてＣＳＰ１８に編入された後、又は後に示すユニット３９（図６）において、面２２からＤ１の高さで出ている。高さＤｌは高さＤｃよりも大きい。高さＤｃはコンタクトの高さを減じた後のものであるが、図３Ｂ、４、および５に示すように屈曲回路に取り付ける前のものである。そうであっても、好ましい実施例において、ＣＳＰ１８がモジュール１０とされた後（図２に示す）又はユニット３９された後（図６に示す）に、コンタクト２８の高さＤｌは高さＤｘ（図３Ａに示す）よりも小さい。高さＤｘは、ＣＳＰをユニット３９（図６に示す）又はモジュール１０（図２に示す）とする前、かつ、本発明の好ましい態様によるコンタクト高さの減少の前のＣＳＰコンタクト２８が示す面２２からの出の高さである。図２に示すように、モジュールコンタクト３８が屈曲回路３２からＤｍの高さ出ており、モジュール１０の好ましい実施例では、Ｄ１はＤｍより小さい。
図４に関して、組合せ３７はＣＳＰ１８に取り付けた型台３４から成るものとして示される。これは、屈曲回路に取り付けられるとモジュール１０に組み込まれることとなる。型台３４のＣＳＰ１８への取付けは接着剤３６によってなすことができ、接着剤は、望ましくは、型台３４又はＣＳＰ１８に付けた加熱接着式のフィルム状接着剤である。他のさまざまな方法が型台３４をＣＳＰ１８に付着させるのに使用されるだろうし、いくつかの実施例では、接着剤は全く使用されない。
図４にさらに示すように、屈曲回路３０，３２は、組合せ３７を形成する接続のために、屈曲回路に接続されるＣＳＰ１８のコンタクト２８に対応する箇所においてはんだペースト４１が塗られて準備される。また、番号４３によって接着剤の塗布を示しており、この接着剤は、それが型台３４を屈曲回路に取り付けるために使用される場合は、望ましくは、液体接着剤である。
この実施例で示されるように、ＣＳＰ１８のコンタクト２８は先の図２に示された高さＤｌより小さい高さＤｃを有する。ＣＳＰ１８の図示のコンタクト２８の高さは、組合せ３７を屈曲回路に取り付ける前に、圧縮その他の高さを減ずる手段により減少される。この圧縮は型台３４とＣＳＰ１８の取付けの前または後になされるが、取付けの後の圧縮の方が好ましい。コンタクト２８が固体又は半個体状態の間に、その高さを減じることができる。高さが減じられないと、ＣＳＰ１８のコンタクト２８は、モジュール１０の創成の間にはんだペースト箇所４１に「きちんと座る」傾向がある。これは、屈曲回路と型台３４の間の接着層を所望のものよりも厚くする。接着剤は、はんだペースト箇所４１に「座る」コンタクト２８によって型台３４が湾曲回路から隔てられることから生じる屈曲回路と型台３４の間のギャップを埋めるように達する。
屈曲回路と型台３４の間の接着層がより厚ければ、再流動のときに、コンタクト２８のはんだははんだペースト４１と混ざり、ＣＳＰ１８と、いまＣＳＰ１８から固定距離だけ離れている屈曲回路の間の空間に跨るように達する。これは、より高い接着層によるコンタクト２８の必要以上のより大きい垂直寸法をもたらし、その結果、高さのより高いプロフィールのモジュール１０をもたらす。高さのより高い接着層は、屈曲回路を型台３４（または、組合せ３７の型台部品）に取り付ける前にコンタクトの径を減少させないことにより作られた。しかしながら、再流動の際に、本発明の好ましい方法を用いて、圧縮されたコンタクト２８ははんだペースト４１に混ざり、より低い径のコンタクト２８として有益に定まる。組合せ３７を屈曲回路に結合した結果のユニットは、モジュール１０のロープロファイルの実施例を作るのに使われるだろう。
図５は、型台３４と屈曲回路の間に安定した結合３５提供すると共に、モジュール１０の高さを減少させる好ましい代替例と、追加の方法を示す。先程図１に示した望ましい結合３５は以下のテクニックによって作ることができる。図５に示すように、番号４７によって示される第１の金属材料が型台３４に置かれ、又はメッキされ若しくは追加される。番号４９で示す第２の金属材料を、例えば、薄い層状の金属を屈曲回路３０に付けることにより、または屈曲回路の導電層の一部を露出させることによって、屈曲回路３０に提供することができる。型台３４が屈曲回路に近接する位置にもたらされかつ第１と第２の金属４７と４９が隣接する領域に局部的な加熱が加えられるとき、金属間結合３５は作られる。好ましい金属材料４７は、０．０００５インチ（0.0127mm）厚の層を作るのに使用されるスズの薄層であろう。例えば、その箇所に露出される屈曲回路の金の導電層に結合するように溶かされると、結果の金属間結合３５はより高い融点を有することになり、その後の特定の温度での再流動操作の間に再び溶けることがないという追加の利点をもたらす。
ここで説明する金属結合を行うのに適切な局部加熱を提供するためにさまざまな方法が使用できるであろう。そういった方法は、超音波結合法と同様に当技術分野の多くの者に良く知られた局部的加熱法を含み、この加熱法では、屈曲回路のパターンがそのような方法に潜在する振動に曝されず、かつ、結合を行うために選択された金属が超音波法で達成される範囲内の融点を有しない。
図６は屈曲回路３１が含まれたユニット３９を示す。この図示の実施例のユニットでは、屈曲回路と、型台３４と、ＣＳＰ１８は、それぞれ１つである。図示のように白抜きの太い矢印で示す熱（HEAT）は、組合せ３７と屈曲回路３１を合わせることによって第１の金属材料４７と第２の金属材料４９が隣接する領域５０に加えられる。金属間結合を創成し使用して、また、組合せ３７を型台３４に別の箇所で結合することができる。例えば、屈曲回路をより堅実に型台３４に取り付けるために一般に接着剤が使用される型台３４の上辺に沿った点付け箇所又は連続的した箇所のような、型台と屈曲回路が隣接する箇所である。ここで説明する金属間結合を単独で用いることもでき、あるいは、ロープロファイルのモジュール１０の例を作るためにここで説明する接触圧縮技術のような他の方法と共に使用できる。
好ましい実施例では、屈曲回路３０、３２は、少なくとも２つの導電層を有する多層屈曲回路構造である。しかしながら、他の実施例は、１組のＣＳＰであって、単一の導電層を有し、かつ、多様な簡単構造パラメータ（これは当業者にとって、一側又は両側上のカバーコートのような特徴で知られている）を示す１組のＣＳＰを接続する１つ又は２つの回路として屈曲回路を使うことができる。
望ましくは、導電層は合金１１０などの金属であり、当業者が知るように、しばしば、金でメッキされた導電領域を持つ。複数の導電層の使用は、当業者が認めるように、特に高周波化の信号強度を下げる雑音又はバウンス効果を減少させることを意図したモジュール１０を横切る容量分布の利点と創成を提供する。図１のモジュール１０は複数のモジュールコンタクト３８を持つ。モジュール１０が２つ以上のＩＣを含む実施例では、湾曲回路間にボール状の接続を見ることができるであろう。しかし、このボール状の接続は、適当な接続にはんだペーストで接続されるパッド及び／又はリングで構成されるロープロファイルコンタクトであろう。適切な充填は構造の安定性と共平面性を高めることができ、所望の充填、あるいは、充填に依存して、熱特性を改良できる。
本発明を詳細に説明したが、さまざまな特定の形状で発明を実施し、発明の技術的思想及び範囲から逸脱することなく様々な変更や代替を行うことができることは当業者にとって明白である。説明した実施例は説明のためのものであり、制限的なものではなく、したがって、発明の範囲は添付の特許請求の範囲で示される。
本発明の２つの高度な実施例にしたがって作られた高密度回路モジュールの正面図である。 図１に「Ａ」印で示す領域の拡大図である。 図３Ａは、モジュールかユニットに組み込まれる前の本発明の例示的なＣＳＰの一部を示す図である。図３Ｂは、本発明の好ましいモードにしたがって、コンタクト物の高さを減らした例示的なＣＳＰの一部を示す図である。 本発明の好ましい実施例にしたがって作られる高密度なモジュールを作る際に使われる好ましい構築法を示す図である。 本発明の好ましい実施例にしたがって作られる高密度なモジュールを作る際に使われる好ましい構築法を示す図である。 本発明の好ましい実施例にしたがって作られるモジュールに使用することができるユニットを示す図である。

Claims (31)

  1. 高密度回路モジュールの作る方法であって：
    平らな表面を有し、該表面から複数のコンタクトが高さＨだけ出ている第１のＣＳＰを提供し；
    前記第１のＣＳＰに型台を取り付けて一次組合せを形成し；
    前記各コンタクトの高さＨを減じる；
    ステップを含む方法。
  2. 請求項１の方法であって、前記一次組合せを少なくとも１つの屈曲回路に取り付けてユニットを形成するステップをさらに含む方法。
  3. 請求項２の方法であって、前記屈曲回路は少なくとも１つの導電層を含む方法。
  4. 請求項２の方法であって、前記屈曲回路は少なくとも２つの導電層を含む方法。
  5. 請求項１の方法であって、前記一次組合せを２つの屈曲回路に取り付けてユニットに形成するステップをさらに含む方法。
  6. 請求項２の方法であって、
    第２のＣＳＰを提供し；
    前記第２のＣＳＰを前記ユニットの上に配置し；
    少なくとも１つの屈曲回路によって前記第１と第２のＣＳＰを接続する；
    ステップを含む方法。
  7. 請求項５の方法であって、
    第２のＣＳＰを提供し；
    前記第２のＣＳＰを前記ユニットの上に配置し；
    前記２つの屈曲回路によって前記第１と第２のＣＳＰを接続する；
    ステップをさらに含む方法。
  8. 請求項１の方法であって、
    第２のＣＳＰを提供し；
    前記第２のＣＳＰに補足型台を取り付けて補足組合せを形成し；
    前記一次組合せの前記一次型台に屈曲回路を取り付けてユニット形成し；
    前記ユニットの上に前記補足組合せを配置し；
    前記屈曲回路によって前記第１と第２のＣＳＰを接続する；
    ステップをさらに含む方法。
  9. 請求項８の方法であって、前記屈曲回路は少なくとも１つの導電層を含む方法。
  10. 請求項８の方法であって、前記屈曲回路は２つの屈曲回路を含む方法。
  11. 請求項１０の方法であって、前記２つの屈曲回路はそれぞれ少なくとも１つの導電層を含む方法。
  12. 請求項１０の方法であって、前記２つの屈曲回路はそれぞれ２つの導電層を含む方法。
  13. 高密度回路モジュールを作る方法であって；
    平らな表面を有し、該表面から複数のコンタクトが高さＨだけ出ている第１のＣＳＰを提供し；
    前記第１のＣＳＰに型台を取り付けて一次組合せを形成し；
    前記各コンタクトの高さＨを減じ；
    屈曲回路であって、その上にはんだペースト位置をもつ屈曲回路を提供し；
    前記一次組合せを前記屈曲回路に隣接して配置して前記はんだペースト位置と、前記第１のＣＳＰの前記平らな表面から出るコンタクトの間にコンタクト領域を設け；
    前記一次組合せの前記型台を前記屈曲回路に取り付けてユニットを作り；
    前記はんだペースト位置と、前記コンタクトの間の前記コンタクト領域を加熱して前記第１のＣＳＰと前記屈曲回路の間に結合を作る；
    ステップを含む方法。
  14. 請求項１３の方法であって、前記ユニットの上に第２のＣＳＰを配置して、前記屈曲回路を前記第２のＣＳＰに結合するステップをさらに含む方法。
  15. 請求項１３又は１４の方法であって、前記屈曲回路は少なくとも１つの導電層を含む方法。
  16. 請求項１３又は１４の方法であって、前記屈曲回路は２つの導電層を含む方法。
  17. 請求項１の方法によって作られた高密度回路モジュール。
  18. 請求項８の方法によって作られた高密度回路モジュール。
  19. 請求項１８の高密度回路モジュールであって、前記屈曲回路は２つの導電層を含む高密度回路モジュール。
  20. 請求項１８の高密度回路モジュールであって、前記屈曲回路は２つの屈曲回路を含み、該各屈曲回路が２つの導電層を含む高密度回路モジュール。
  21. 平らな表面を有し、該表面から高さがＤ１のコンタクトが出ている第１のＣＳＰと；
    前記第１のＣＳＰの上に積み重ねて配置した第２のＣＳＰと；
    前記第１のＣＳＰの上に大部分が置かれた第１の型台と；
    前記第１のＣＳＰと、前記第２のＣＳＰを接続する屈曲回路と；
    前記屈曲回路と前記第１の型台を結合する少なくとも１つの金属結合と；
    前記高さＤｌより大きい高さＤｍだけ前記屈曲回路から延伸するモジュールコンタクトと；
    を含んでなる高密度回路モジュール。
  22. 請求項２１の高密度回路モジュールであって、第２の型台をさらに含む高密度回路モジュール。
  23. 請求項２２の高密度回路モジュールであって、前記屈曲回路は、少なくとも１つの金属結合によって前記第１の型台に取り付けられた第１及び第２の屈曲回路を含む高密度回路モジュール。
  24. 請求項２１の高密度回路モジュールであって、前記金属結合はスズと金を含む高密度回路モジュール。
  25. 請求項２１の高密度回路モジュールであって、前記金属結合は、前記第１の型台に設けた第１の金属材料と、前記屈曲回路が含まれる第２の金属材料を結合することによって作られている高密度回路モジュール。
  26. 第１のＣＳＰと；
    前記第１のＣＳＰの上に重ねた第２のＣＳＰと；
    前記第１のＣＳＰに関連する第１の型台と；
    前記第２ＣＳＰに関連する第２の型台と；
    前記第１のＣＳＰと前記第２のＣＳＰを接続する屈曲回路であって、前記第１の型台に取り付けられて少なくとも２つの導電層を含む屈曲回路と；
    を含んでなる高密度回路モジュール。
  27. 請求項２６の高密度回路モジュールであって、前記屈曲回路の前記第１の型台への取付が少なくとも１つの金属結合でなされている高密度回路モジュール。
  28. 請求項２７の高密度回路モジュールであって、前記少なくとも１つの金属結合は第１の金属材料と、第２の金属材料を含み前記第１の金属材料はスズを含む高密度回路モジュール。
  29. 請求項２７の高密度回路モジュールであって、前記屈曲回路は第１の屈曲回路と第２の屈曲回路を含み、前記第１と第２の屈曲回路は少なくとも１つの金属結合で前記第１の型台に取り付けられている請求項２７の高密度なモジュール。
  30. 請求項２６の高密度回路モジュールであって、前記屈曲回路は接着剤で前記第１の型台に取り付けられている高密度モジュール。
  31. 型台を提供し；
    第１及び第２のＣＳＰを提供し；
    前記型台を第１のＣＳＰに取り付け；
    前記第１の型台の少なくとも一部に第１の金属材料を当て；
    屈曲金属で材料が曝される領域を備える屈曲回路を提供し；
    前記屈曲回路を前記第１の型台に隣接して配置して、前記屈曲金属材料と前記第１の金属材料の間にコンタクト領域を作り；
    前記コンタクト領域を加熱する；
    ステップを含む方法で作られた高密度回路モジュール。
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