DE69006609T2 - Keramischer Deckel zum Verschliessen eines Halbleiterelements und Verfahren zum Verschliessen eines Halbleiterelements in einer keramischen Packung. - Google Patents

Keramischer Deckel zum Verschliessen eines Halbleiterelements und Verfahren zum Verschliessen eines Halbleiterelements in einer keramischen Packung.

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft einen Keramikdeckel zum Verschließen eines Keramikgehäuses, das ein Halbleiterelement enthält, und ein Verfahren zum Verschließen eines Halbleiterelements in einem Keramikgehäuse, und betrifft im spezielleren einen Tonerde-Keramikdeckel mit hervorragender Abdichtungsfestigkeit bei einem Keramikgehäuse zum Unterbringen eines Halbleiterelements. Beispielsweise betrifft die Erfindung einen Keramikdeckel zum Verschließen eines EPROM(Erasable and Programmable Read Only Memory)-Halbleiterelements zum Löschen einmal gespeicherter Speicherinhalte durch UV-Bestrahlung.
  • Als Keramikgehäuse fur ein EPROM-Halbleiterelement, wie in der JP-A-61-194,751 (1986) beschrieben, ist eine Anordnung bekannt, bei der ein EPROM-Halbleiterelement auf einer Ausnehmung eines Keramikgehäuses montiert ist und das genannte Gehäuse durch ein Dichtungsglas hermetisch mit einem UV-durchlässigen Keramik- oder Glasdeckel abgeschlossen ist. Das heißt, wie in der erfindungsgemäßen Fig. 4 gezeigt, sind auf einem Keramikgehäuse 11, bei dem eine Ausnehmung 12 an der Deckfläche ausgebildet ist, durch eine Glasschicht 15, 16 ein Halbleiterelement 13 bzw. ein Leiterrahmen 14 befestigt, und das genannte Halbleiterelement 13 ist durch Drähte 17 an den Leiterrahmen gebondet, und an der Deckfläche des Keramikgehäuses 11 ist durch die Glasschicht 15 ein ebener Keramik- oder Glasdeckel 18 dicht angeschlossen, sodaß die genannte Ausnehmung 12 verschlossen ist.
  • Darüber hinaus ist, wie in der erfindungsgemäßen Fig. 5 gezeigt, auch eine solche Anordnung bekannt, bei der ein Bodenabschnitt 16, ein Drahtverbindungsabschnitt 20 und ein Leiterabschnitt 19 einer Ausnehmung 12 eines Keramikgehäuses 11 jeweils metallisiert sind, an beide Endabschnitte des genannten Leiterabschnitts 19 Leiterrahmen 14 hartgelbtet sind, Keramikrahmen 21 zum Tragen eines Deckels 18 an die Deckfläche des genannten Leiterabschnitts 19 laminiert sind und ein Keramik- oder Glasdeckel 18 an die Deckfläche der genannten Keramikrahmen 21 gelötet oder mit Glas dicht geschlossen ist.
  • Als ein Keramikgehäuse wird aufgrund elektrischer Eigenschaften, wie Wärmeausdehnung, Wärmeleitfähigkeit, Isolierwert und ähnliche, und aufgrund mechanischer Festigkeit Tonerdekeramikmaterial verwendet.
  • Darüber hinaus wird als Deckel zum Verschließen eines Halbleiterelements Metall, Kunststoff oder Keramik verwendet, aber wenn das genannte Gehäuse aus Tonerde besteht, ist es vorzuziehen, Tonerdekeramikmaterial zu verwenden, damit der Wärmeausdehnungskoeffizient übereinstimmt. Insbesondere im Fall eines EPROM-Halbleiterelements wird in Hinblick auf die UV-Strahlendurchlässigkeit, wie in der US-A-3026210, US-A-3792142 und JP-A-63-242,964 (1988) geoffenbart, lichtdurchlässige polykristalline Tonerde verwendet.
  • Jedoch ist bei einem Keramikgehäuse des Aufbaus nach dem Stand der Technik, wenn eine Dichtungsmasse aus niedrigschmelzendem Glas, bei 400-500ºC, auf einen Deckel aus lichtdurchlässiger polykristalliner Tonerde oder einen Tonerdedeckel mit hoher Reinheit von mehr als 98 Gew.-%, aufgedruckt und getrocknet wird, ein Halbleiterelement innerhalb des Gehäuses montiert wird und daraufhin die Dichtungsmasse über ihren Schmelzpunkt erwärmt wird und der Keramikdeckel dicht mit dem Keramikgehäuse geschlossen wird, die Abdichtungsfestigkeit nachteilig gering.
  • Darüber hinaus ist es für höhere Datenverarbeitung und Miniaturisierung von Keramikgehäusen erforderlich, die Speichergröße des EPROM-Halbleiterelements stärker zu erhöhen, während ein Keramikgehäuse für den Speicherhalbleiter miniaturisiert werden sollte. Jedoch ist die Hochdichtetechnik eines Halbleiterelements eingeschränkt, und die Größe des Elements nimmt mit steigender Speichergröße zu. Darüber hinaus ist die Größe eines Halbleiter-Keramikgehäuses für Speicher zum tatsächlichen Montieren auf Platinen genormt, und es ist schwierig, die Größe mit der Zunahme der genannten Elementgröße zu ändern.
  • Nachstehend folgt eine detaillierte Erklärung. Wenn die Größe eines Keramikgehäuses in der Breite 11 mm, in der Länge 20 mm und in der Dicke 1,7 mm beträgt (mit Ausnahme des Leiterabschnitts), erfordert ein UV-Strahlungsabschnitt des Halbleiterelements etwa 9 mm x 9 mm bei 1 Megabit und etwa 9 mm x 14 mm bei 2 Megabit. In diesem Fall wird der Abdichtungsabschnitt eines UV-durchlässigen Keramikdeckels mit einem Keramikgehäuse etwa 1 mm bei 1 Megabit und 2 Megait in Richtung der Breite und 11 mm bzw. 6 mm bei 1 Megabit bzw. 2 Megabit in Längsrichtung. Das heißt, die Abdichtungsfläche beträgt 139 mm² bei 1 Megabit und 94 mm² bei 2 Megabit. Daher gibt es im Fall der Verwendung eines EPROM-Halbleiterelements mit 2 Megabit für die Keramikgehäuseanordnung nach dem Stand der Technik Nachteile dahingehend, daß die Abdichtungsfestigkeit zwischen einem Keramikdeckel und einem Gehäuse gering ist und Luftdichtheit nicht beibehalten werden kann.
  • Die JP-A-58-044749 beschreibt einen Tonerdedeckel zum Verschließen eines Keramikgehäuses, wobei der Deckel eine wärmebehandelte Glasschicht mit einer Dicke von 50 um vor dem Auftragen der Glasdichtungsmasse aufweist.
  • Die vorliegende Erfindung sucht die oben genannten Nachteile zu lösen und bezieht sich auf ein Verfahren und einen Keramikdeckel zum Verschließen eines Halbleiterelements.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren ist in Anspruch 1 dargelegt.
  • Zweitens betrifft die Erfindung einen Keramikdeckel, wie in Anspruch 4 dargelegt.
  • Um das Verstehen der Erfindung zu erleichtern, wird auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen, in denen:
  • Fig. 1 eine Draufsicht ist, die eine Ausführungsform eines Keramikdeckels für einen Halbleiterspeicher gemäß vorliegender Erfindung zeigt;
  • Fig. 2 eine Seitenansicht des in Fig. 1 gezeigten Keramikdeckels ist;
  • Fig. 3 eine Querschnittansicht ist, die den Abdichtungszustand des Deckels gemäß vorliegender Erfindung an einem Keramikgehäuse zeigt;
  • die Fig. 4 und 5 Querschnittansichten eines Keramikgehäuses nach dem Stand der Technik sind;
  • Fig. 6 ein Graph ist, der Scherdrehmomentwerte des erfindungsgemäßen Beispiels und des Bezugsbeispiels zeigt, und
  • die Fig. 7 und 8 Graphen sind, die Scherdrehmomentwerte des erfindungsgemäßen Beispiels zeigen.
  • Das Keramikgehäuse für einen Halbleiterspeicher und das Verfahren zur Herstellung desselben gemäß vorliegender Erfindung werden detailliert unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bis 3 erklärt.
  • Fig. 1 zeigt, daß eine Glasdichtungshilfe 2 auf eine Abdichtungsoberfläche eines für UV-Strahlen durchlässigen Keramikdeckels 1 für einen Halbleiterspeicher mit einem Keramikgehäuse aufgetragen und mit einer höheren Temperatur als der Temperatur zum Abdichten eines Halbleiterelements behandelt wird.
  • Der Keramikdeckel 1 ist eine lichtdurchlässige polykristalline Tonerde mit hoher Reinheit (z.B. zumindest 98%), die UV-Strahlen übertragen kann, und besteht aus einem zentralen, für UV-Strahlen durchlässigen Fensterabschnitt 1A und einem Umfangsrahmenabschnitt 1B, und die Dichtungshilfe 2 der ersten Schicht wurde am Rahmenabschnitt 1B an der Rückseite des Deckels 1 im Siebdruckverfahren aufgebracht, getrocknet und wärmebehandelt. Obwohl nicht dargestellt, kann die Glasdichtungshilfe 2 im gesamten Bereich des Rahmenabschnitts 1B ausgebildet sein. Die Glasdichtungshilfe kann eine niedrigschmelzende Glasdichtungsmasse, die im nächsten Schritt erklärt werden wird, sein, aber vom Standpunkt der Haftfestigkeit des Deckels am Gehäuse ist kristallines Glas zu bevorzugen. Als kristallines Glas kann vorzugsweise SiO&sub2;-CaO-ZnO-Serie, MgO-B&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;-Serie und ähnliches mit einer Sintertemperatur verwendet werden, die 100-250ºC höher als die Abdichtungstemperatur eines Halbleiterelements ist. Der Grund, weshalb die Temperatur eingeschränkt ist, besteht darin, daß bei weniger als 100ºC über der Abdichtungstemperatur kaum ausreichende Abdichtungsfestigkeit erzielt werden kann oder mehr als 30 Minuten zum Sintern erforderlich sind, was zu Problemen bei der Massenproduktion führt, und eine Sintertemperatur, die mehr als 250ºC über der Abdichtungstemperatur liegt, kaum zur Abdichtungsfestigkeit beiträgt. Bei der Verwendung einer niedrigschmelzendem Glasdichtungsmasse als Glasdichtungshilfe kann die Wärmebehandlungstemperatur vorzugsweise 100 bis 200ºC höher als die Abdichtungstemperatur sein. Eine Temperatur, die weniger als 100ºC höher ist, kann ebenfalls die Abdichtungsfestigkeit senken, und eine Temperatur, die mehr als 200ºC darüber liegt, verringert die Viskosität zum Zeitpunkt des Abdichtens mit Glas, sodaß sich die Dichtungshilfe über den Abdichtungsabschnitt hinaus verteilt, oder zeigt durch Verdampfung, Diffusion und ähnliches nicht die vorherbestimmten Wärmeausdehnungseigenschaften und ähnliches.
  • Bei einem Verfahren zum Auftragen einer Glasdichtungshilfe wird in eine Glasdichtungshilfe ein Vehikel eingeknetet, das aus 5% Acrylharz mit niedrigem Molekulargewicht aufgelöst in Terpineol, oder 5-10% A thylzellulose aufgelöst in Butylcarbitolacetat besteht, um eine Druckpaste herzustellen, und mit einem Sieb aus rostfreiem Stahl mit 80-100 Mesh aufgedruckt. Die Druckdicke beträgt 10 bis 30 um. Wenn die Druckdicke geringer als 5 um ist, wird je nach dem Zustand eines Keramikdeckels, wie Oberflächenrauheit und ähnliches, eine Glasdichtungshilfeschicht zu dünn, oder es ist beinahe keine Schicht vorhanden, um zur Verbesserung der Festigkeit beizutragen, und um eine Dicke über 30 um zu bilden, ist es erforderlich, das Drucken zu wiederholen und es gibt keinen Beitrag zur Verbesserung der Festigkeit.
  • Fig. 2 zeigt die Bildung einer Glasdichtungsmasse 3 der zweiten Schicht auf der Abdichtungsoberfläche eines Keramikgehäuses, das eine auf einem Keramikdeckel 1 ausgebildete Glasdichtungshilfe 2 umfaßt.
  • Die Zusammensetzung einer Glasdichtungsmasse kann Glas umfassen, das üblicherweise zum Abdichten von IC-Gehäusen verwendet wird, und es kann niedrigschmelzendes Glas der PbO&sub2;-B&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;-Serie oder niedrigschmelzendes Glas erwähnt werden, bei dem Bestandteile wie Al&sub2;O&sub3;, TiO&sub2;, SnO, Na&sub2;O, K&sub2;O und ähnliche dieser Borsilikatglasserie und ähnliches hinzugefügt sind.
  • Um eine Glasdichtungsmasse auszuwählen, ist es erforderlich, die Abdichtungstemperatur und -zeit zu berücksichtigen, um die Beschädigung eines Halbleiterelements durch Wärme zu verringern, soweit möglich, sodaß ein niedrigschmelzendes Glas verwendet wird, daß üblicherweise eine Abdichtungstemperatur von etwa 410ºC-600ºC aufweist und eine Zeit von etwa 10 Minuten erfordert. Darüber hinaus bestehen das Keramikgehäuse und der Keramikdeckel aus Tonerde, sodaß, um eine Abdichtungsspannung zu minimieren, ein Wärmeausdehnungskoeffizient der Glasdichtungsmasse so ausgewählt wird, daß er im Bereich von 30-250ºC etwa 50-70x10&supmin;&sup7;/ºC beträgt.
  • Die Zusammensetzung einer repräsentativen Glasdichtungsmasse enthält 60-85 Gew.-% PbO, 7-10 Gew.-% B&sub2;O&sub3;, 10-30 Gew.-% SiO&sub2; und 3-10 Gew.-% von einem oder mehr als zwei aus Al&sub2;O&sub3;, TiO&sub2; und SnO&sub2;.
  • Die obige Glasdichtungsmasse wird mit dem gleichen Vehikel geknetet, wie bei dem Verfahren zur Aufbringung der genannten Glasdichtungshilfe, um Druckpaste herzustellen, nach einem Siebdruckverfahren auf die Abdichtungsoberfläche eines Keramikgehäuses gedruckt, das die Glasabdichtungshilfe 2 des Keramikdeckels 1 enthält, und daraufhin getrocknet. Das Bedrucken und Trocknen wird üblicherweise drei- bis viermal wiederholt, um eine vorherbestimmte Dicke von 200-300 um zu erzielen. Das Trocknen wird bei 120ºC für etwa 10 bis 20 Minuten durchgeführt.
  • Nach dem Bedrucken und Trocknen wird, um ein organisches Bindemittel (Acrylharzflüssigkeit mit niedrigem Molekulargewicht und ähnliches) des in der Glaspaste zum Abdichten enthaltenen Vehikels zu entfernen, Kalzinieren zwecks Thermolyse durchgeführt, indem eine Temperaturanstiegsrate innerhalb des Temperaturbereichs verlangsamt wird, der 320-380ºC niedriger als die Temperatur zum luftdichten Verschließen eines Halbleiterelements in Luft oder Stickstoff ist.
  • Der so gebildete Keramikdeckel 1 wird durch Glasabdichtschichten 4, die zuvor auf die gleiche Weise wie der Keramikdeckel ausgebildet wurden, auf einen vorspringenden Abschnitt 6A eines IC-Gehäuses 6 dicht aufgebracht, nachdem ein Halbleiterelement 7 am Bodenabschnitt einer Ausnehmung 8 eines Gehäuses 6 montiert wurde, wie in Fig. 3 gezeigt, und Drähte 9 zwischen dem genannten Halbleiterelement 7 und einem Leiterrahmen 5 gebondet wurden, der im vorragenden Abschnitt 6A des Gehäuses 6 ausgebildet ist. Die Abdichtungsbedingung ist die gleiche, wie bezogen auf das genannte Abdichtungsglas erklärt.
  • Außerdem kann der erfindungsgemäße Deckel in dem Abschnitt geschlossen sein, in dem der Leiterrahmen ausgebildet ist, wie in Fig. 3 gezeigt, oder dicht in einen Keramikrahmen eingeschlossen sein, der auf länglichen Leiterabschnitten 19 von Drahtverbindungsabschnitten 20 vorgesehen ist, wie in Fig. 5 gezeigt. Darüber hinaus kann der Deckel in dem Fall angewandt werden, daß kein Metalleiterrahmen vorhanden ist, das heißt beim sogenannten leiterlosen Gehäuse, wie in den Fig. 3 und 4 nicht gezeigt.
    • Beispiel
  • Es wurden Keramikdeckel aus durchlässiger Tonerde mit hoher Reinheit, die aus 99,9 % Al&sub2;O&sub3; und 0,05 % MgO bestand, und schwarzer Tonerde hergestellt, die aus 90 % Al&sub2;O&sub3;, 2,9 % Mn, 2,3 % TiO&sub2; und 2,3% Fe&sub2;O&sub3; bestand, und ihre Abmessungen betragen 20 x 11 x 0,65 (Dicke).
  • Es wurde auch ein Keramikgehäuse hergestellt, das aus der gleichen schwarzen Tonerde bestand wie der Keramikdeckel und dessen Außenabmessungen 20 x 11 x 0,05 (Dicke) betragen, der Abdichtungsabschnitt mit dem Deckel hat die Abmessungen 20 x 11 und er hat ein Fenster mit 1,3 x 8 in der Mitte.
  • Die Abdichtungsoberflächen des Deckels aus Tonerde mit hoher Reinheit und des Deckels 1 aus schwarzer Tonerde mit dem Keramikgehäuse wurden unter Verwendung von kristallinem Glas und nicht-kristallinem Abdichtungsglas mit niedrigem Schmelzpunkt als Glasdichtungshilfeschichten unter der in Tabelle 1 gezeigten Bedingung bedruckt und wärmebehandelt. Dann wurde auf die Glasdichtungshilfeschicht weiters niedrigschmelzendem kristallines Abdichtungsglas in einer Dicke von 200 um aufgedruckt, bei 380ºC 10 Minuten lang wärmebehandelt, eine Glasabdichtschicht ausgebildet und ein Keramikdeckel zum Abdichten hergestellt. Andererseits wurde auf dem der Abdichtungsoberfläche des Keramikdeckels mit dem Gehäuse aus schwarzer Tonerde entsprechenden Abschnitt unter der gleichen Bedingung wie jener beim Deckel eine Glasabdichtschicht ausgebildet.
  • Der so erhaltene Deckel und das Gehäuse wurden bei in Tabelle 1 gezeigten Temperaturen 10 Minuten lang wärmebehandelt, und der Deckel und das Gehäuse wurden verschlossen. Dann wurde der so erhaltene abgeschlossene Körper am Scherdrehmoment der verschlossenen Oberfläche durch Deckeldrehmoment für mit Glasfritte verschlossene Gehäuse des American Military Standard MIL-STD-883 C 2024.2 gemessen. Der Durchschnittswert von 10 Teststücken als Meßergebnis wird in Tabelle 1 gezeigt, und die maximalen, durchschnittlichen und minimalen Werte werden in einem Graph von Fig. 6 gezeigt. Die mit Glasdichtungshilfeschichten gebildeten Keramikdeckel gemäß vorliegender Erfindung weisen hohe Scherdrehmomentwerte auf. Ein Beispiel von Tabelle 2 besteht darin, den Einfluß einer Bedruckungsdicke einer Glasdichtungshilfeschicht zu untersuchen, die auf dem Keramikdeckel ausgebildet ist, und die anderen Bedingungen sind die gleichen wie in Tabelle 1. Hinsichtlich der Scherdrehmomentwerte werden die Nr. 1 von Tabelle 1 und Nr. 1-5 von Tabelle 2 in einem Graph von Fig. 7 gezeigt. Aus diesem Graphen geht hervor, daß eine bevorzugte Bedruckungsdicke der Glasdichtungshilfeschicht 5-30 um beträgt.
  • Ein Beispiel von Tabelle 3 besteht darin, einen Einfluß der Wärmebehandlungstemperatur der auf dem Keramikdeckel ausgebildeten Glasdichtungshilfeschicht zu untersuchen, und die Scherdrehmomentwerte werden in einem Graphen von Fig. 8 gemeinsam mit Daten Nr. 3 von Tabelle 1 gezeigt. Aus diesem Graphen geht hervor, daß es im Fall von niedrigschmelzendem nicht-kristallinen Glas vorzuziehen ist, Wärmebehandlung bei einer Temperatur 100-200ºC über der Abdichtungstemperatur durchzuführen. Tabelle 1 Keramikdeckel Keramikgehäuse Drehmomentstärke Glasdichtungshilfeschicht Glasabdichtschicht Qualität Bedruckungsdicke (u) Wärmebehandlungstemperatur Deckel-/Gehäuse-Abdichtungstemperatur (ºC) mittlerer Wert (Kgf-cm) Anmerkungen Anmerkung) HA: Tonerde mit hoher Reinheit BA: schwarze Tonerde CG-1: kristallines Glas der MgO-B&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;-Serie ... (Iwaki Glass No. GA-30) CG-2: kristallines Glas der SiO&sub2;-CaO-ZnO-Serie ... (Asahi Glass No. AP 5576) SG-1: kristallines Glas der PbO-B&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;-Serie ... (Iwaki Glass No. LS 3001) SG-2: kristallines Glas der PbO-B&sub2;O&sub3;-SiO&sub2;-Serie ... (Iwaki Glass No. CT-410) Tabelle 2 Keramikdeckel Keramikgehäuse Drehmomentstärke Glasdichtungshilfeschicht Glasabdichtschicht Qualität Bedruckungsdicke (u) Wärmebehandlungstemperatur Deckel-/Gehäuse-Abdichtungstemperatur (ºC) mittlerer Wert (Kgf-cm) Tabelle 3 Keramikdeckel Keramikgehäuse Drehmomentstärke Glasdichtungshilfeschicht Glasabdichtschicht Qualität Bedruckungsdicke (u) Wärmebehandlungstemperatur Deckel-/Gehäuse-Abdichtungstemperatur (ºC) mittlerer Wert (Kgf-cm)
  • Wie aus den obigen Beispielen hervorgeht, wird gemäßvorliegender Erfindung die Abdichtungsfestigkeit des Gehäusedeckels des Keramikgehäuses verbessert. Der Grund dafür besteht darin, daß die Glasabdichtungshilfeschicht zuvor bei einer höheren Temperatur als der Abdichtungstemperatur wärmebehandelt wird, sodaß die Glasabdichtungshilfeschicht auf der Oberfläche des Deckels aus Tonerde mit hoher Reinheit verteilt wird, um die Affinität zu verbessern und die Benetzbarkeit mit der Glasabdichtschicht zu verbessern.
  • Wie oben, wird der erfindungsgemäße Keramikdeckel unter Bezugnahme auf Beispiele mit dem lichtdurchlässigen Tonerdedeckel für EPROM-Halbleiterelemente erklärt, aber der Keramikdeckel ist, was das wesentliche Merkmal der Erfindung betrifft, nicht auf lichtdurchlässige Tonerde beschränkt, und die Erfindung ist für Tonerde mit hoher Reinheit wirksam, wie einen Deckel aus mehr als 96% Tonerde.
  • Wie aus der obigen Erklärung hervorgeht, sind der Keramikdeckel und das Verfahren zu seiner Herstellung gemäß vorliegender Erfindung industriell nützlich, wobei sie hervorragende Dichtungsfestigkeit, besonders im Fall eines Keramikdeckels für Halbleiterspeicher des Typs, bei dem die Löschung durch UV-Strahlen erfolgt, und eine bemerkenswerte Wirkung bieten, indem sie einen Deckel schaffen, der der Zunahme des Speicherinhalts des Halbleiterelements entgegenkommt.

Claims (4)

1. Verfahren zum Verschließen eines Halbleiterelements (7) innerhalb einer Ausnehmung eines Keramikgehäuses (6) unter Verwendung eines Keramikdeckels (1) aus Tonerde und einer erwärmten Glasdichtungsmasse (3), um das genannte Halbleiterelement im Keramikgehäuse hermetisch abzuschließen, umfassend das Auftragen einer Glasdichtungshilfsschicht (2) auf zumindest einen Teil einer Dichtungsoberfläche des genannten Keramikdeckels (1), die Wärmebehandlung der genannten Glasdichtungshilfsschicht (2) bei einer höheren Temperatur als der Abdichtungstemperatur, die zum Verschließen des Halbleiterelements durch den Deckel (1) eingesetzt wird, daraufhin das Auftragen der genannten Glasdichtungsmasse (3) auf die genannte Glasdichtungshilfsschicht (2), dadurch gekennzeichnet, daß die genannte Glasdichtungsfiilfsschicht (2) eine Dicke im Bereich von 10 bis 30 um aufweist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, worin der Keramikdeckel aus lichtdurchlässiger Tonerde besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, worin die Glasdichtungshilfe kristallines Glas ist.
4. Tonerdekeramikdeckel (1) zur Verwendung beim Verschließen eines Keramikgehäuses, das ein Halbleiterelement in einer Ausnehmung davon enthält, wobei der genannte Deckel (1) eine wärmebehandelte Glasdichtungshilfsschicht (2) mit einer Dicke im Bereich von 10 bis 30 um auf zumindest einem Teil einer Dichtungsoberfläche davon aufweist.
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